Результат пошуку "IRF510" : 51
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 261
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 800
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 218
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF510 | Siliconix |
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 102 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF510 | Siliconix |
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF510-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF510PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A |
на замовлення 536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 536 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET |
на замовлення 5392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 5906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF510PBF-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220ABtariffCode: 85364900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET |
на замовлення 6212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF-BE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF-BE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF510S | Siliconix |
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF510SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 601 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 5267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp |
на замовлення 2138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF510SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 5267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF510STRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510STRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510STRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510STRRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF510STRRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510STRRPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET |
на замовлення 1334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF510L |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| Транзистор IRF510PBF | Vishay | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB |
на замовлення 198 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF520PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MYPARTS KIT FROM TEXAS INSTRUMENTS | DIGILENT |
Category: Development kits - accessories Description: Components kit Type of accessories for development kits: components kit Kit contents: 1N914B fast switching diode; 1N3064 small signal diode; 1N4001 rectifier diode; 1N4735 zener diode; 1N5819 Schottky diode; 2N3904L NPN; 2N3906L PNP; ADS822P analog to digital converter; ADS7816P 12bit analog to digital converter; ambient light sensor; a set of ceramic capacitors; a set of electrolitic capacitors; audio transformer; CD4007UB inverter; CD4511BE multiplexer; driver SN74LS08N; INA217 instrumentation amplifier; IR emitter; IRF510 N-MOSFET; IR receiver; LM317 voltage regulator; LM2917/NOPB frequency to voltage converter; LM311P comparator; MC34063AP; metal film resistors; operational amplifier LF356; operational amplifier TL072CP; operational amplifier TL074CN; SN74LS10N NAND; SN74LS32N OR; SN74LS74N D flip-flop; SN74LS86N XOR; SN74LS107AN JK flip-flop; SN74LS138N demultiplexer; SN74LS148 8 to 3 encoder; SN74LS163N 4bit counter; SN74LS02N NOR; SN74LS08N AND; SN74LS00N NAND; STD815CP40/STD830CP40; STD845DN40/STDN840DN40; TIP31C NPN; TIP32C PNP; TLC555CP timer; wires with pins; ZVP2110A P-MOSFET |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF Код товару: 186965
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
IRF510PBF Код товару: 30002
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 5,6 A Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 135/5 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 44439
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 5,6 A Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
|
IRF510PBF(транзистор) Код товару: 67239
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF510 | STMicroelectronics |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
IRF510 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF510 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF510SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF510STRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF510STRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF510STRLPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRF510STRRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
IRF510STRRPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF510 |
![]() |
на замовлення 102 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 26.46 грн |
| IRF510 |
![]() |
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 26.46 грн |
| IRF510-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 19.05 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 56.41 грн |
| 12+ | 34.36 грн |
| 50+ | 32.14 грн |
| 500+ | 28.97 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 536 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.69 грн |
| 10+ | 42.82 грн |
| 50+ | 38.57 грн |
| 500+ | 34.76 грн |
| 1250+ | 33.33 грн |
| 4000+ | 32.19 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 5392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 67.28 грн |
| 10+ | 42.23 грн |
| 100+ | 36.57 грн |
| 500+ | 35.27 грн |
| 1000+ | 32.23 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 49.00 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 79.31 грн |
| 18+ | 47.86 грн |
| 100+ | 46.66 грн |
| 500+ | 42.62 грн |
| 1000+ | 35.09 грн |
| 5000+ | 34.36 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF510PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 78.54 грн |
| 15+ | 57.26 грн |
| 25+ | 53.84 грн |
| 50+ | 46.98 грн |
| 100+ | 40.66 грн |
| IRF510PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 6212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.24 грн |
| 11+ | 34.17 грн |
| 100+ | 27.88 грн |
| 500+ | 25.45 грн |
| 1000+ | 24.53 грн |
| 2000+ | 24.46 грн |
| 5000+ | 23.69 грн |
| IRF510PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 22.81 грн |
| IRF510PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 24.44 грн |
| IRF510S |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 22.54 грн |
| IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 65.81 грн |
| 10+ | 46.74 грн |
| 50+ | 38.01 грн |
| 100+ | 34.76 грн |
| 250+ | 31.03 грн |
| 500+ | 28.49 грн |
| IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.97 грн |
| 10+ | 58.25 грн |
| 50+ | 45.62 грн |
| 100+ | 41.71 грн |
| 250+ | 37.24 грн |
| 500+ | 34.19 грн |
| 1000+ | 33.33 грн |
| IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 48.78 грн |
| 20+ | 36.53 грн |
| 22+ | 33.20 грн |
| 25+ | 30.03 грн |
| IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 82.49 грн |
| 14+ | 50.48 грн |
| 25+ | 33.79 грн |
| 50+ | 32.26 грн |
| 100+ | 29.55 грн |
| 500+ | 28.10 грн |
| 1000+ | 27.82 грн |
| 2500+ | 27.54 грн |
| IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.82 грн |
| 10+ | 46.35 грн |
| 100+ | 40.15 грн |
| 1000+ | 38.17 грн |
| 2000+ | 35.35 грн |
| 5000+ | 35.27 грн |
| 25000+ | 35.20 грн |
| IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 261+ | 47.41 грн |
| 390+ | 31.73 грн |
| 394+ | 31.41 грн |
| 398+ | 29.98 грн |
| 500+ | 27.49 грн |
| 1000+ | 26.13 грн |
| 2500+ | 25.87 грн |
| IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 80.17 грн |
| 17+ | 51.36 грн |
| 100+ | 50.42 грн |
| 500+ | 46.03 грн |
| 1000+ | 41.68 грн |
| IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 47.26 грн |
| IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 50.33 грн |
| IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.66 грн |
| 10+ | 94.62 грн |
| 100+ | 56.53 грн |
| 500+ | 46.40 грн |
| 800+ | 38.32 грн |
| 2400+ | 35.20 грн |
| 4800+ | 34.97 грн |
| IRF510STRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF510STRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 218+ | 56.80 грн |
| IRF510STRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 64.97 грн |
| 10+ | 59.49 грн |
| 100+ | 47.08 грн |
| 500+ | 47.01 грн |
| 800+ | 36.04 грн |
| 2400+ | 35.81 грн |
| 4800+ | 34.97 грн |
| Транзистор IRF510PBF |
Виробник: Vishay
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
на замовлення 198 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.46 грн |
| 13+ | 21.84 грн |
| 100+ | 19.66 грн |
| IRF520PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 54.70 грн |
| 10+ | 43.97 грн |
| 11+ | 38.81 грн |
| 50+ | 28.81 грн |
| 100+ | 26.74 грн |
| 500+ | 25.16 грн |
| MYPARTS KIT FROM TEXAS INSTRUMENTS |
Виробник: DIGILENT
Category: Development kits - accessories
Description: Components kit
Type of accessories for development kits: components kit
Kit contents: 1N914B fast switching diode; 1N3064 small signal diode; 1N4001 rectifier diode; 1N4735 zener diode; 1N5819 Schottky diode; 2N3904L NPN; 2N3906L PNP; ADS822P analog to digital converter; ADS7816P 12bit analog to digital converter; ambient light sensor; a set of ceramic capacitors; a set of electrolitic capacitors; audio transformer; CD4007UB inverter; CD4511BE multiplexer; driver SN74LS08N; INA217 instrumentation amplifier; IR emitter; IRF510 N-MOSFET; IR receiver; LM317 voltage regulator; LM2917/NOPB frequency to voltage converter; LM311P comparator; MC34063AP; metal film resistors; operational amplifier LF356; operational amplifier TL072CP; operational amplifier TL074CN; SN74LS10N NAND; SN74LS32N OR; SN74LS74N D flip-flop; SN74LS86N XOR; SN74LS107AN JK flip-flop; SN74LS138N demultiplexer; SN74LS148 8 to 3 encoder; SN74LS163N 4bit counter; SN74LS02N NOR; SN74LS08N AND; SN74LS00N NAND; STD815CP40/STD830CP40; STD845DN40/STDN840DN40; TIP31C NPN; TIP32C PNP; TLC555CP timer; wires with pins; ZVP2110A P-MOSFET
Category: Development kits - accessories
Description: Components kit
Type of accessories for development kits: components kit
Kit contents: 1N914B fast switching diode; 1N3064 small signal diode; 1N4001 rectifier diode; 1N4735 zener diode; 1N5819 Schottky diode; 2N3904L NPN; 2N3906L PNP; ADS822P analog to digital converter; ADS7816P 12bit analog to digital converter; ambient light sensor; a set of ceramic capacitors; a set of electrolitic capacitors; audio transformer; CD4007UB inverter; CD4511BE multiplexer; driver SN74LS08N; INA217 instrumentation amplifier; IR emitter; IRF510 N-MOSFET; IR receiver; LM317 voltage regulator; LM2917/NOPB frequency to voltage converter; LM311P comparator; MC34063AP; metal film resistors; operational amplifier LF356; operational amplifier TL072CP; operational amplifier TL074CN; SN74LS10N NAND; SN74LS32N OR; SN74LS74N D flip-flop; SN74LS86N XOR; SN74LS107AN JK flip-flop; SN74LS138N demultiplexer; SN74LS148 8 to 3 encoder; SN74LS163N 4bit counter; SN74LS02N NOR; SN74LS08N AND; SN74LS00N NAND; STD815CP40/STD830CP40; STD845DN40/STDN840DN40; TIP31C NPN; TIP32C PNP; TLC555CP timer; wires with pins; ZVP2110A P-MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7757.67 грн |
| IRF510PBF Код товару: 186965
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF510PBF Код товару: 30002
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 135/5
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 135/5
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 21.00 грн |
| 10+ | 19.50 грн |
| 100+ | 17.90 грн |
| IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 44439
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 21.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 18.60 грн |
| IRF510PBF(транзистор) Код товару: 67239
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF510 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF510STRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF510STRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.













