Результат пошуку "IRF510" : 15
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 30
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF510 | Siliconix |
 N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF510 | Siliconix |
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF510-ML | MOSLEADER |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRF510PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1381 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF510S | Siliconix |
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRF510SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 479 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF510L |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| Транзистор IRF510PBF | Vishay | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB |
на замовлення 198 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRF510PBF Код товару: 30002
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 5,6 A Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 135/5 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
IRF510PBF Код товару: 186965
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 44439
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 5,6 A Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||
|
IRF510PBF(транзистор) Код товару: 67239
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
В кошику од. на суму грн. |
| IRF510 |
|
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 27.10 грн |
| IRF510 |
|
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 27.10 грн |
| IRF510-ML |
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 19.51 грн |
| IRF510PBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.65 грн |
| 10+ | 43.43 грн |
| 50+ | 39.12 грн |
| 500+ | 35.25 грн |
| 1250+ | 33.80 грн |
| 4000+ | 32.64 грн |
| IRF510S |
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 23.08 грн |
| IRF510SPBF |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.09 грн |
| 10+ | 59.07 грн |
| 50+ | 46.26 грн |
| 100+ | 42.30 грн |
| 250+ | 37.76 грн |
| 500+ | 34.67 грн |
| 1000+ | 33.80 грн |
| Транзистор IRF510PBF |
Виробник: Vishay
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
на замовлення 198 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.52 грн |
| 13+ | 21.89 грн |
| 100+ | 19.70 грн |
| IRF510PBF Код товару: 30002
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 135/5
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 135/5
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 19.50 грн |
| 100+ | 17.90 грн |
| IRF510PBF Код товару: 186965
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) Код товару: 44439
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 40.00 грн |
| 10+ | 19.80 грн |
| 100+ | 18.60 грн |
| IRF510PBF(транзистор) Код товару: 67239
Додати до обраних
Обраний товар
|
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.