Результат пошуку "IRF510" : 51

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF510PBF IRF510PBF
Код товару: 30002
Додати до обраних Обраний товар

Siliconix irf510.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 135/5
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
29 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+21.00 грн
10+19.50 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 Siliconix irf510.pdf N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 Siliconix irf510.pdf N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895190F3134469&compId=IRF510PBF.pdf?ci_sign=dec1e6b93ebba3f0ff82b8c0a90ef19c23c23418 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.11 грн
10+53.89 грн
32+29.66 грн
87+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF Vishay irf510.pdf MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
на замовлення 237 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
12+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895190F3134469&compId=IRF510PBF.pdf?ci_sign=dec1e6b93ebba3f0ff82b8c0a90ef19c23c23418 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.33 грн
10+67.16 грн
32+35.59 грн
87+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY VISH-S-A0013187856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.79 грн
13+68.94 грн
100+49.62 грн
500+44.64 грн
1000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+59.61 грн
50+44.34 грн
100+43.00 грн
500+38.98 грн
1000+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF Vishay Semiconductors irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 10370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.54 грн
10+44.71 грн
100+37.19 грн
500+33.44 грн
1000+30.00 грн
2000+27.78 грн
5000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+64.35 грн
257+47.87 грн
265+46.42 грн
500+42.08 грн
1000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 6698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.95 грн
10+42.60 грн
100+34.90 грн
500+30.84 грн
1000+29.16 грн
2000+27.02 грн
5000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 VISHAY 3204807.pdf Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+92.72 грн
14+62.67 грн
25+57.61 грн
50+49.19 грн
100+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510S Siliconix N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.83 грн
31+30.69 грн
84+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.60 грн
31+38.25 грн
84+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.39 грн
10+50.61 грн
100+43.85 грн
500+43.32 грн
1000+40.33 грн
2000+37.04 грн
5000+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY VISH-S-A0011126098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.47 грн
10+105.60 грн
100+56.15 грн
500+50.94 грн
1000+44.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
231+53.21 грн
235+52.39 грн
245+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+41.04 грн
50+40.79 грн
100+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+49.29 грн
50+48.53 грн
100+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.50 грн
10+98.57 грн
100+59.47 грн
500+49.44 грн
800+37.19 грн
2400+36.96 грн
4800+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+53.70 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.89 грн
10+97.69 грн
100+59.47 грн
500+40.18 грн
800+38.65 грн
2400+37.73 грн
4800+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510L
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF IRF520PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8954739EA76469&compId=IRF520PBF.pdf?ci_sign=f12d7b4b5200a9e5730e7a46af698c24938b8099 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.66 грн
10+48.71 грн
36+26.23 грн
99+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF
Код товару: 186965
Додати до обраних Обраний товар

irf510.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix)
Код товару: 44439
Додати до обраних Обраний товар

Siliconix Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+19.80 грн
100+18.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF(транзистор)
Код товару: 67239
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 IRF510 onsemi / Fairchild irf510.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 STMicroelectronics irf510.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 IRF510 Vishay / Siliconix irf510.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF VISHAY sihf510s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF VISHAY sihf510s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF
Код товару: 30002
Додати до обраних Обраний товар

irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 135/5
Монтаж: THT
у наявності: 37 шт
29 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+21.00 грн
10+19.50 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 irf510.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 irf510.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895190F3134469&compId=IRF510PBF.pdf?ci_sign=dec1e6b93ebba3f0ff82b8c0a90ef19c23c23418
IRF510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.11 грн
10+53.89 грн
32+29.66 грн
87+28.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF irf510.pdf
Виробник: Vishay
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
на замовлення 237 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D895190F3134469&compId=IRF510PBF.pdf?ci_sign=dec1e6b93ebba3f0ff82b8c0a90ef19c23c23418
IRF510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.33 грн
10+67.16 грн
32+35.59 грн
87+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF VISH-S-A0013187856-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF510PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.79 грн
13+68.94 грн
100+49.62 грн
500+44.64 грн
1000+34.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+59.61 грн
50+44.34 грн
100+43.00 грн
500+38.98 грн
1000+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 10370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.54 грн
10+44.71 грн
100+37.19 грн
500+33.44 грн
1000+30.00 грн
2000+27.78 грн
5000+25.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
191+64.35 грн
257+47.87 грн
265+46.42 грн
500+42.08 грн
1000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 6698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.95 грн
10+42.60 грн
100+34.90 грн
500+30.84 грн
1000+29.16 грн
2000+27.02 грн
5000+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 3204807.pdf
IRF510PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.72 грн
14+62.67 грн
25+57.61 грн
50+49.19 грн
100+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510S
Виробник: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2
IRF510SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+73.83 грн
31+30.69 грн
84+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2
IRF510SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.60 грн
31+38.25 грн
84+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.39 грн
10+50.61 грн
100+43.85 грн
500+43.32 грн
1000+40.33 грн
2000+37.04 грн
5000+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF VISH-S-A0011126098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF510SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.47 грн
10+105.60 грн
100+56.15 грн
500+50.94 грн
1000+44.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
231+53.21 грн
235+52.39 грн
245+50.11 грн
Мінімальне замовлення: 231
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+41.04 грн
50+40.79 грн
100+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+44.20 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+49.29 грн
50+48.53 грн
100+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.50 грн
10+98.57 грн
100+59.47 грн
500+49.44 грн
800+37.19 грн
2400+36.96 грн
4800+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+49.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
229+53.70 грн
Мінімальне замовлення: 229
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.89 грн
10+97.69 грн
100+59.47 грн
500+40.18 грн
800+38.65 грн
2400+37.73 грн
4800+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510L
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8954739EA76469&compId=IRF520PBF.pdf?ci_sign=f12d7b4b5200a9e5730e7a46af698c24938b8099
IRF520PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.66 грн
10+48.71 грн
36+26.23 грн
99+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF
Код товару: 186965
Додати до обраних Обраний товар

irf510.pdf

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix)
Код товару: 44439
Додати до обраних Обраний товар

IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix)
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 5,6 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+21.00 грн
10+19.80 грн
100+18.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF(транзистор)
Код товару: 67239
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 irf510.pdf
IRF510
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 irf510.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 irf510.pdf
IRF510
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2
IRF510STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787EEEFA406BA8745&compId=IRF510SPBF.pdf?ci_sign=61491bbd3bd1b10f2bd2d28bf911e87023c3dda2
IRF510STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.