Результат пошуку "IRF510" : > 60

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix) IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix)
Код товару: 44439
3 Додати до обраних Обраний товар
Siliconix Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 5,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом
Монтаж: THT
у наявності: 48 шт
  • 32 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+21.00 грн
10+19.80 грн
100+18.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 Siliconix irf510.pdf N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 Siliconix irf510.pdf N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY IRF510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+109.85 грн
10+56.37 грн
31+30.70 грн
85+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF VISHAY VISH-S-A0019270467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 6483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.60 грн
10+79.38 грн
50+69.08 грн
100+62.95 грн
500+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.99 грн
220+64.84 грн
250+59.37 грн
500+54.36 грн
1000+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF Vishay Semiconductors irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 6704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+74.60 грн
217+65.76 грн
229+62.43 грн
500+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 11160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 12334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.43 грн
10+116.61 грн
50+88.95 грн
100+75.10 грн
500+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 11163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.38 грн
10+79.50 грн
50+69.28 грн
100+63.17 грн
500+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.74 грн
11+74.60 грн
50+65.76 грн
100+60.20 грн
500+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+79.38 грн
207+69.08 грн
219+65.28 грн
500+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 VISHAY irf510.pdf Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf510.pdf MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 3367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 VISHAY 3204807.pdf Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 VISHAY irf510.pdf Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.24 грн
10+88.39 грн
50+66.73 грн
100+56.07 грн
500+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510S IRF510S Siliconix TIRF510s_0001.pdf N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.31 грн
10+64.45 грн
50+50.51 грн
100+45.31 грн
250+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+114.53 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.62 грн
163+87.40 грн
250+78.33 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY VISH-S-A0011126098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 10709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.46 грн
10+122.70 грн
50+93.57 грн
100+78.99 грн
500+63.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+165.62 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.82 грн
2400+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.24 грн
10+88.39 грн
50+66.73 грн
100+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.82 грн
2400+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay Semiconductors sihf510s.pdf MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+164.41 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.24 грн
10+88.39 грн
50+66.73 грн
100+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510L
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MYPARTS KIT FROM TEXAS INSTRUMENTS MYPARTS KIT FROM TEXAS INSTRUMENTS DIGILENT Category: Development kits - accessories
Description: Components kit
Type of accessories for development kits: components kit
Kit contents: 1N914B fast switching diode; 1N3064 small signal diode; 1N4001 rectifier diode; 1N4735 zener diode; 1N5819 Schottky diode; 2N3904L NPN; 2N3906L PNP; ADS822P analog to digital converter; ADS7816P 12bit analog to digital converter; ambient light sensor; a set of ceramic capacitors; a set of electrolitic capacitors; audio transformer; CD4007UB inverter; CD4511BE multiplexer; driver SN74LS08N; INA217 instrumentation amplifier; IR emitter; IRF510 N-MOSFET; IR receiver; LM317 voltage regulator; LM2917/NOPB frequency to voltage converter; LM311P comparator; MC34063AP; metal film resistors; operational amplifier LF356; operational amplifier TL072CP; operational amplifier TL074CN; SN74LS10N NAND; SN74LS32N OR; SN74LS74N D flip-flop; SN74LS86N XOR; SN74LS107AN JK flip-flop; SN74LS138N demultiplexer; SN74LS148 8 to 3 encoder; SN74LS163N 4bit counter; SN74LS02N NOR; SN74LS08N AND; SN74LS00N NAND; STD815CP40/STD830CP40; STD845DN40/STDN840DN40; TIP31C NPN; TIP32C PNP; TLC555CP timer; wires with pins; ZVP2110A P-MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+9109.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF
Код товару: 186965
Додати до обраних Обраний товар
irf510.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF
Код товару: 30002
1 Додати до обраних Обраний товар
Siliconix irf510.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 5,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 135/5
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+21.00 грн
10+19.50 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF(транзистор)
Код товару: 67239
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 IRF510 Vishay Siliconix irf510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 IRF510 Vishay / Siliconix irf510.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 STMicroelectronics irf510.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510L IRF510L Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF International Rectifier/Infineon IRF510_Vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 5,6 А, Ptot, Вт = 43, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 3,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 IRF510PBF-BE3 Vishay irf510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510S IRF510S Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRL IRF510STRL Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay sihf510s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRR IRF510STRR Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix)
Код товару: 44439
3 Додати до обраних Обраний товар
IRF510PBF (TO-220AB, Siliconix)
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 5,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом
Монтаж: THT
у наявності: 48 шт
  • 32 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+21.00 грн
10+19.80 грн
100+18.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 irf510.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 irf510.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 4A 100V 40W 0.6Ω IRF510 TIRF510
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+27.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF510; IRF510-BE3; IRF510-ML MOSLEADER TIRF510 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510PBF.pdf
IRF510PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+109.85 грн
10+56.37 грн
31+30.70 грн
85+28.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF VISH-S-A0019270467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF510PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 6483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+144.60 грн
10+79.38 грн
50+69.08 грн
100+62.95 грн
500+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+83.99 грн
220+64.84 грн
250+59.37 грн
500+54.36 грн
1000+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 6704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
191+74.60 грн
217+65.76 грн
229+62.43 грн
500+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 11160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
354+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 12334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+187.43 грн
10+116.61 грн
50+88.95 грн
100+75.10 грн
500+60.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 11163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+143.38 грн
10+79.50 грн
50+69.28 грн
100+63.17 грн
500+32.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+125.74 грн
11+74.60 грн
50+65.76 грн
100+60.20 грн
500+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
180+79.38 грн
207+69.08 грн
219+65.28 грн
500+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 3367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 3204807.pdf
IRF510PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 100V, 5.6A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.24 грн
10+88.39 грн
50+66.73 грн
100+56.07 грн
500+44.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510S TIRF510s_0001.pdf
IRF510S
Виробник: Siliconix
N-MOSFET HEXFET 100V 5,6A 43W 0,54Ω IRF510S TIRF510s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+133.31 грн
10+64.45 грн
50+50.51 грн
100+45.31 грн
250+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
125+114.53 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
127+112.62 грн
163+87.40 грн
250+78.33 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF VISH-S-A0011126098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF510SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+165.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp
на замовлення 4837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 10709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.46 грн
10+122.70 грн
50+93.57 грн
100+78.99 грн
500+63.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
227+62.83 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+99.92 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
86+165.62 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF sihf510s.pdf
IRF510SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+114.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+58.82 грн
2400+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.24 грн
10+88.39 грн
50+66.73 грн
100+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+58.82 грн
2400+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 100V 5.6A N-CH MOSFET
на замовлення 1212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
87+164.41 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+144.24 грн
10+88.39 грн
50+66.73 грн
100+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+164.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510L
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MYPARTS KIT FROM TEXAS INSTRUMENTS
MYPARTS KIT FROM TEXAS INSTRUMENTS
Виробник: DIGILENT
Category: Development kits - accessories
Description: Components kit
Type of accessories for development kits: components kit
Kit contents: 1N914B fast switching diode; 1N3064 small signal diode; 1N4001 rectifier diode; 1N4735 zener diode; 1N5819 Schottky diode; 2N3904L NPN; 2N3906L PNP; ADS822P analog to digital converter; ADS7816P 12bit analog to digital converter; ambient light sensor; a set of ceramic capacitors; a set of electrolitic capacitors; audio transformer; CD4007UB inverter; CD4511BE multiplexer; driver SN74LS08N; INA217 instrumentation amplifier; IR emitter; IRF510 N-MOSFET; IR receiver; LM317 voltage regulator; LM2917/NOPB frequency to voltage converter; LM311P comparator; MC34063AP; metal film resistors; operational amplifier LF356; operational amplifier TL072CP; operational amplifier TL074CN; SN74LS10N NAND; SN74LS32N OR; SN74LS74N D flip-flop; SN74LS86N XOR; SN74LS107AN JK flip-flop; SN74LS138N demultiplexer; SN74LS148 8 to 3 encoder; SN74LS163N 4bit counter; SN74LS02N NOR; SN74LS08N AND; SN74LS00N NAND; STD815CP40/STD830CP40; STD845DN40/STDN840DN40; TIP31C NPN; TIP32C PNP; TLC555CP timer; wires with pins; ZVP2110A P-MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+9109.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF
Код товару: 186965
Додати до обраних Обраний товар
irf510.pdf

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF
Код товару: 30002
1 Додати до обраних Обраний товар
irf510.pdf
IRF510PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 5,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,54 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 135/5
Монтаж: THT
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+21.00 грн
10+19.50 грн
100+17.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF(транзистор)
Код товару: 67239
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 irf510.pdf
IRF510
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 irf510.pdf
IRF510
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510 irf510.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510L
IRF510L
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF IRF510_Vishay.pdf
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 5,6 А, Ptot, Вт = 43, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 3,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510PBF-BE3 irf510.pdf
IRF510PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510S
IRF510S
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRL
IRF510STRL
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF sihf510s.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRR
IRF510STRR
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.