Результат пошуку "LND150" : 49

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
LND150K1-G LND150K1-G Microchip LND150%20C041114.pdf MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
331+39.18 грн
332+39.08 грн
333+37.63 грн
500+34.80 грн
1000+33.35 грн
Мінімальне замовлення: 331
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.71 грн
25+26.76 грн
100+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.78 грн
27+29.96 грн
100+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
на замовлення 41305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.73 грн
25+28.74 грн
100+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.98 грн
25+41.92 грн
100+40.37 грн
250+37.33 грн
500+35.79 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3 Supertex LND150.pdf (MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ! Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 509 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+68.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 5256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.72 грн
25+33.15 грн
100+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP 2306729.pdf Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+42.81 грн
25+37.15 грн
100+32.87 грн
1000+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.67 грн
25+35.59 грн
100+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+55.36 грн
279+46.62 грн
1000+46.20 грн
3000+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+74.03 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.17 грн
25+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.25 грн
25+37.66 грн
100+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.17 грн
25+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+55.01 грн
240+54.15 грн
244+53.29 грн
250+50.55 грн
500+46.04 грн
1000+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 236
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.94 грн
25+58.02 грн
100+55.05 грн
250+50.15 грн
500+47.36 грн
1000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.56 грн
2000+51.46 грн
3000+51.35 грн
4000+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.25 грн
25+37.66 грн
100+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P013 LND150N3-G-P013 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.25 грн
25+37.66 грн
100+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.25 грн
25+37.66 грн
100+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.17 грн
25+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.26 грн
25+66.08 грн
100+63.54 грн
250+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+61.84 грн
211+61.50 грн
250+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 6506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.18 грн
25+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+57.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8 SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMZ6005E DMZ6005E ARK micro TDMZ6005e_ARK_MICRO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 700Ohm; 20mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS126 E6327; BSS126 E6906; BSS126H6327XTSA1; BSS126H6327XTSA2; BSS126H6906XTSA1; BSS126L6327HTSA1; BSS126L6906HTSA1; BSS126SK-13; BSS126SK-7; LND150K1-G; DMZ6005E AR
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 495 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3(транзистор)
Код товару: 51777
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G
Код товару: 60544
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002
Код товару: 177449
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014
Код товару: 188412
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g м/с
Код товару: 218853
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P013 LND150N3-G-P013 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
331+39.18 грн
332+39.08 грн
333+37.63 грн
500+34.80 грн
1000+33.35 грн
Мінімальне замовлення: 331
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.71 грн
25+26.76 грн
100+25.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+35.78 грн
27+29.96 грн
100+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150 C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
на замовлення 41305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.73 грн
25+28.74 грн
100+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+41.98 грн
25+41.92 грн
100+40.37 грн
250+37.33 грн
500+35.79 грн
1000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3 LND150.pdf
Виробник: Supertex
(MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ! Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 509 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 5256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.72 грн
25+33.15 грн
100+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G 2306729.pdf
LND150N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+42.81 грн
25+37.15 грн
100+32.87 грн
1000+29.92 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150 C041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.67 грн
25+35.59 грн
100+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+55.36 грн
279+46.62 грн
1000+46.20 грн
3000+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+74.03 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.17 грн
25+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.25 грн
25+37.66 грн
100+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.17 грн
25+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
236+55.01 грн
240+54.15 грн
244+53.29 грн
250+50.55 грн
500+46.04 грн
1000+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 236
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+58.94 грн
25+58.02 грн
100+55.05 грн
250+50.15 грн
500+47.36 грн
1000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+51.56 грн
2000+51.46 грн
3000+51.35 грн
4000+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 3453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.25 грн
25+37.66 грн
100+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P013 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P013
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.25 грн
25+37.66 грн
100+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P014
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.25 грн
25+37.66 грн
100+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P014
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.17 грн
25+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+66.26 грн
25+66.08 грн
100+63.54 грн
250+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+61.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
210+61.84 грн
211+61.50 грн
250+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 210
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 6506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.18 грн
25+41.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+57.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
LND150
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8
Виробник: SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMZ6005E TDMZ6005e_ARK_MICRO_0001.pdf
DMZ6005E
Виробник: ARK micro
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 700Ohm; 20mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS126 E6327; BSS126 E6906; BSS126H6327XTSA1; BSS126H6327XTSA2; BSS126H6906XTSA1; BSS126L6327HTSA1; BSS126L6906HTSA1; BSS126SK-13; BSS126SK-7; LND150K1-G; DMZ6005E AR
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 495 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3(транзистор)
Код товару: 51777
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G
Код товару: 60544
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002
Код товару: 177449
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014
Код товару: 188412
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g м/с
Код товару: 218853
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P013 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P013
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P014
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150 C041114.pdf
LND150N8-g
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.