Результат пошуку "LND150" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LND150K1-G LND150K1-G Microchip LND150%20C041114.pdf MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.07 грн
25+41.71 грн
100+39.63 грн
3000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+49.07 грн
340+41.71 грн
357+39.63 грн
3000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
на замовлення 26204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+88.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+46.06 грн
312+45.34 грн
317+44.62 грн
323+42.32 грн
500+38.55 грн
1000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 36003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.89 грн
25+28.04 грн
100+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.06 грн
25+45.34 грн
100+43.02 грн
250+39.19 грн
500+37.01 грн
1000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3 Supertex LND150.pdf (MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ! Транзистори
на замовлення 509 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
12+69.42 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 3271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.23 грн
25+34.73 грн
100+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+58.70 грн
276+51.41 грн
309+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP 2306729.pdf Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.70 грн
25+51.41 грн
100+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 5087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+70.10 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.78 грн
25+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
236+60.01 грн
240+59.07 грн
244+58.13 грн
250+55.14 грн
500+50.23 грн
1000+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.53 грн
25+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.01 грн
25+59.07 грн
100+56.05 грн
250+51.06 грн
500+48.22 грн
1000+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.78 грн
25+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+66.53 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P013 LND150N3-G-P013 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.78 грн
25+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.46 грн
211+67.09 грн
250+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.71 грн
25+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+65.33 грн
2000+61.12 грн
4000+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.46 грн
25+67.28 грн
100+64.69 грн
250+59.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G MICROCHIP MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8 SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMZ6005E DMZ6005E ARK micro TDMZ6005e_ARK_MICRO_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 700Ohm; 20mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS126 E6327; BSS126 E6906; BSS126H6327XTSA1; BSS126H6327XTSA2; BSS126H6906XTSA1; BSS126L6327HTSA1; BSS126L6906HTSA1; BSS126SK-13; BSS126SK-7; LND150K1-G; DMZ6005E AR
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 495 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3(транзистор)
Код товару: 51777
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G
Код товару: 60544
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002
Код товару: 177449
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014
Код товару: 188412
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g м/с
Код товару: 218853
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P013 LND150N3-G-P013 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+49.07 грн
25+41.71 грн
100+39.63 грн
3000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
289+49.07 грн
340+41.71 грн
357+39.63 грн
3000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150 C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
на замовлення 26204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+88.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
308+46.06 грн
312+45.34 грн
317+44.62 грн
323+42.32 грн
500+38.55 грн
1000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 36003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.89 грн
25+28.04 грн
100+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+42.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
307+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+46.06 грн
25+45.34 грн
100+43.02 грн
250+39.19 грн
500+37.01 грн
1000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3 LND150.pdf
Виробник: Supertex
(MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ! Транзистори
на замовлення 509 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+69.42 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 3271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.23 грн
25+34.73 грн
100+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
241+58.70 грн
276+51.41 грн
309+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 241 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G 2306729.pdf
LND150N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+58.70 грн
25+51.41 грн
100+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150 C041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 5087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
202+70.10 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.78 грн
25+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
236+60.01 грн
240+59.07 грн
244+58.13 грн
250+55.14 грн
500+50.23 грн
1000+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 236 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+54.70 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+66.53 грн
25+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+60.01 грн
25+59.07 грн
100+56.05 грн
250+51.06 грн
500+48.22 грн
1000+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.78 грн
25+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
213+66.53 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P013 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P013
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P014
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.78 грн
25+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P014
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+67.46 грн
211+67.09 грн
250+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
LND150N8-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+66.89 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.71 грн
25+43.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+65.33 грн
2000+61.12 грн
4000+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+67.46 грн
25+67.28 грн
100+64.69 грн
250+59.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G MCHP-S-A0005985414-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
LND150N8-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8
Виробник: SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMZ6005E TDMZ6005e_ARK_MICRO_0001.pdf
DMZ6005E
Виробник: ARK micro
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 700Ohm; 20mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS126 E6327; BSS126 E6906; BSS126H6327XTSA1; BSS126H6327XTSA2; BSS126H6906XTSA1; BSS126L6327HTSA1; BSS126L6906HTSA1; BSS126SK-13; BSS126SK-7; LND150K1-G; DMZ6005E AR
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 495 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3(транзистор)
Код товару: 51777
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G
Код товару: 60544
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002
Код товару: 177449
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014
Код товару: 188412
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g м/с
Код товару: 218853
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P013 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P013
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P014
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]