Результат пошуку "LND150" : > 60

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.77 грн
25+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip LND150%20C041114.pdf MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
5+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.24 грн
25+51.66 грн
100+49.76 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G MICROCHIP 1854672.pdf Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 61907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.94 грн
25+27.39 грн
100+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 60800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+45.61 грн
316+45.12 грн
320+44.63 грн
323+42.56 грн
500+38.98 грн
1000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
272+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.32 грн
3000+40.31 грн
6000+40.21 грн
9000+38.68 грн
12000+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
на замовлення 15250 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
9+36.69 грн
25+30.36 грн
3000+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3 Supertex LND150.pdf (MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ! Транзистори
на замовлення 509 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
12+69.84 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.66 грн
23+39.04 грн
25+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G MICROCHIP 2306729.pdf Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 13704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+81.30 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.88 грн
25+33.90 грн
100+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.26 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
249+57.26 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+44.03 грн
25+37.59 грн
100+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.28 грн
25+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 639 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+49.91 грн
25+39.86 грн
2000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.28 грн
25+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+54.09 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+37.05 грн
391+36.47 грн
397+35.89 грн
404+34.05 грн
500+31.01 грн
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.81 грн
25+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+42.58 грн
10+41.71 грн
25+30.94 грн
100+30.79 грн
250+30.72 грн
500+30.64 грн
1000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P013 LND150N3-G-P013 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+49.91 грн
25+39.86 грн
1000+33.57 грн
2000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.28 грн
25+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 685 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+49.91 грн
25+39.86 грн
2000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 2000pcs.
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30mA
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89-3
On-state resistance: 1kΩ
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.55 грн
55+45.39 грн
100+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.92 грн
25+67.73 грн
100+65.12 грн
250+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+69.23 грн
215+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.92 грн
211+67.54 грн
250+64.93 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.22 грн
25+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G LND150N8-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150N8-g Microchip Technology LND150 C041114.pdf MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 14952 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+57.93 грн
25+47.60 грн
2000+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8 SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMZ6005E ARK MICRO ARK micro Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 700Ohm; 20mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS126 E6327; BSS126 E6906; BSS126H6327XTSA1; BSS126H6327XTSA2; BSS126H6906XTSA1; BSS126L6327HTSA1; BSS126L6906HTSA1; BSS126SK-13; BSS126SK-7; LND150K1-G; DMZ6005E TD
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 495 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3(транзистор)
Код товару: 51777
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G
Код товару: 60544
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002
Код товару: 177449
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014
Код товару: 188412
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g м/с
Код товару: 218853
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150K1-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150N3-G Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
Manufacturer standard package: 2000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology lnd150c041114.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150N3-G-P002 Microchip Technology LND150%20C041114.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150N3-G-P003 MICROCHIP TECHNOLOGY LND150%20C041114.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Manufacturer standard package: 2000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13mA; Idm: 0.03A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Manufacturer standard package: 3000pcs.
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.77 грн
25+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+59.24 грн
25+51.66 грн
100+49.76 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G 1854672.pdf
LND150K1-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 13 mA, 1000 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 3638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 61907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.94 грн
25+27.39 грн
100+25.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150%20C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 60800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
313+45.61 грн
316+45.12 грн
320+44.63 грн
323+42.56 грн
500+38.98 грн
1000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
272+52.50 грн
Мінімальне замовлення: 272 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+43.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+46.32 грн
3000+40.31 грн
6000+40.21 грн
9000+38.68 грн
12000+35.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G LND150 C041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs MOSFET DEPL-MODE 500V 1K
на замовлення 15250 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.69 грн
25+30.36 грн
3000+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3 LND150.pdf
Виробник: Supertex
(MFET,N-ch, 500V,30mA,TO92 ) НОРМАЛЬНО ОТКРЫТЫЙ! Транзистори
на замовлення 509 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+69.84 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 740mW; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: depletion
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.66 грн
23+39.04 грн
25+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G 2306729.pdf
LND150N3-G
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - LND150N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 30 mA, 1000 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 740mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000ohm
на замовлення 13704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
176+81.30 грн
Мінімальне замовлення: 176 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.88 грн
25+33.90 грн
100+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+57.26 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
249+57.26 грн
Мінімальне замовлення: 249 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G LND150 C041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 3667 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+44.03 грн
25+37.59 грн
100+28.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.28 грн
25+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 639 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.91 грн
25+39.86 грн
2000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.28 грн
25+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
221+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+54.09 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
385+37.05 грн
391+36.47 грн
397+35.89 грн
404+34.05 грн
500+31.01 грн
1000+29.27 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+83.81 грн
25+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 3112 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.58 грн
10+41.71 грн
25+30.94 грн
100+30.79 грн
250+30.72 грн
500+30.64 грн
1000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P013 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P013
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.91 грн
25+39.86 грн
1000+33.57 грн
2000+33.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P014
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.28 грн
25+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014 LND150 C041114.pdf
LND150N3-G-P014
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs DepletionMode MOSFET
на замовлення 685 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.91 грн
25+39.86 грн
2000+32.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 1.6W
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 2000pcs.
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 30mA
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89-3
On-state resistance: 1kΩ
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.55 грн
55+45.39 грн
100+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+67.92 грн
25+67.73 грн
100+65.12 грн
250+60.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
206+69.23 грн
215+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+67.92 грн
211+67.54 грн
250+64.93 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+67.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150%20C041114.pdf
LND150N8-g
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.22 грн
25+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-G lnd150c041114.pdf
LND150N8-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+72.59 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g LND150 C041114.pdf
LND150N8-g
Виробник: Microchip Technology
MOSFETs 500V 1KOhm
на замовлення 14952 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.93 грн
25+47.60 грн
2000+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8
Виробник: SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMZ6005E ARK MICRO
Виробник: ARK micro
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 700Ohm; 20mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Similar to: BSS126 E6327; BSS126 E6906; BSS126H6327XTSA1; BSS126H6327XTSA2; BSS126H6906XTSA1; BSS126L6327HTSA1; BSS126L6906HTSA1; BSS126SK-13; BSS126SK-7; LND150K1-G; DMZ6005E TD
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 495 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3(транзистор)
Код товару: 51777
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G
Код товару: 60544
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002
Код товару: 177449
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P014
Код товару: 188412
Додати до обраних Обраний товар
LND150%20C041114.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N8-g м/с
Код товару: 218853
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150K1-G lnd150c041114.pdf
LND150K1-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.013A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G lnd150c041114.pdf
LND150N3-G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: tape
Kind of channel: depletion
Manufacturer standard package: 2000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 lnd150c041114.pdf
LND150N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 500V 0.03A 3-Pin TO-92 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P002 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P002
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000Ohm @ 500µA, 0V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LND150N3-G-P003 LND150%20C041114.pdf
LND150N3-G-P003
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30mA; Idm: 0.03A; 0.74W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30mA
Pulsed drain current: 0.03A
Power dissipation: 0.74W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1kΩ
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Manufacturer standard package: 2000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.