Продукція > 2N5

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N50CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N50 (MTP2N50)
Код товару: 77943		FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/15
Монтаж: THT
товар відсутній
2N500MOTCAN
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N500MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5000Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5000MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5000Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
товар відсутній
2N5001MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5001Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N5001Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5002Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray
товар відсутній
2N5002Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+21584.03 грн
10+ 21273.42 грн
25+ 18496.65 грн
100+ 17178.33 грн
2N5002Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray
товар відсутній
2N5002MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5003Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5003MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5003Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N5004Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray
товар відсутній
2N5004Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2N5004Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5004MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5005Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5005Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray
товар відсутній
2N5005Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 5A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
2N5006MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5006Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package: TO-61
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній
2N5006Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5007MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5007Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 5mA
Supplier Device Package: TO-61
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній
2N5007Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5008Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5008MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5008Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package: TO-61
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній
2N5009MOTOROLA
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N500AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N501MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N501MOTCAN
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5010MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5010Microsemi CorporationDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
товар відсутній
2N5010Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5010Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5010MOTCAN
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5010AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5010SMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5010SMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
товар відсутній
2N5010U4Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
товар відсутній
2N5010U4Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5011MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5011Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5011MOTCAN
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5011AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5011SMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5011SMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
товар відсутній
2N5011U4Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5011U4Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
товар відсутній
2N5012Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5012MicrosemiTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5012MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5012Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 700V 0.2A TO5
товар відсутній
2N5012Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5012VISHAYCAN
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5012MicrosemiTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1690.81 грн
25+ 1057.3 грн
100+ 846.13 грн
2N5012AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5012SMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
товар відсутній
2N5013MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5013Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5013Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
товар відсутній
2N5013MOTCAN
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5013AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5013SMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
товар відсутній
2N5014Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5014MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5014Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 900V 0.2A TO5
товар відсутній
2N5014MOTCAN
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5014AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5014SMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
товар відсутній
2N5015MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5015MicrosemiTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5015MOTCAN
на замовлення 628 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5015Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 0.2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5015Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5
товар відсутній
2N5015AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5015SMicrosemi CorporationDescription: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
товар відсутній
2N5017MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5017AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5018MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5018MOTCAN
на замовлення 549 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5018AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5019MOTCAN
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5019InterFETJFET JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 750 шт:
термін постачання 109-118 дні (днів)
1+918.53 грн
10+ 775.42 грн
25+ 611.85 грн
100+ 561.9 грн
250+ 529.04 грн
500+ 496.18 грн
750+ 445.58 грн
2N5019MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5019AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N501AMOTCAN
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N501AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N502MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5020InterFETJFET JFET P-Channel 25V Low Ciss
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+996.74 грн
10+ 866.11 грн
25+ 732.77 грн
50+ 692.02 грн
100+ 650.62 грн
250+ 630.9 грн
500+ 589.5 грн
2N5020MOTOROLA
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5020MOTCAN
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5020AMOTOROLA
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5021MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5021MOTCAN
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5021InterFETJFET JFET P-Channel 25V Low Ciss
товар відсутній
2N5021AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5022MOTOROLA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5022MOTCAN
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5022AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5023MOTCAN
на замовлення 957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5023MOTOROLA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5023AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5024MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5024AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5027MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5027AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5028MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5028AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5029MOTOROLA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5029AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N502AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N502AMOTCAN
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N502BMOTCAN
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N503MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N503MOTCAN
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5030MOTOROLA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5031Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 10V 400MHZ TO72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 12dB @ 400MHz
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N5031MicrosemiTrans RF BJT NPN 10V 0.02A 4-Pin TO-72
товар відсутній
2N5031MOTCAN
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5031Microchip TechnologyRF Bipolar Transistors Comm/Bipolar Transistor
товар відсутній
2N5031MOTOROLA
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5032MOTOROLA
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5032MOTCAN
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5033MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5034MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5035MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5036MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5037MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5038Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N5038STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT TO-3 NPN POWER SW
товар відсутній
2N5038STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 90V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N5038Solid State Inc.Description: TRANS NPN TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+168.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N5038CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 20A; 140W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 20A
Power dissipation: 140W
Case: TO3
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 337 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+212.32 грн
5+ 168.91 грн
8+ 134.72 грн
20+ 127.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N5038Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N5038onsemiBipolar Transistors - BJT 20A 90V 140W NPN
товар відсутній
2N5038Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N5038CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 20A; 140W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 20A
Power dissipation: 140W
Case: TO3
Current gain: 20...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.94 грн
5+ 135.55 грн
8+ 112.27 грн
20+ 106.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N5038GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N5038GonsemiDescription: TRANS NPN 90V 20A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 5V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 140 W
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+716.59 грн
10+ 591.75 грн
25+ 551.11 грн
100+ 462.77 грн
300+ 435.54 грн
500+ 408.32 грн
1000+ 361.46 грн
2N5038GON
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5038GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N5038GonsemiBipolar Transistors - BJT 20A 90V 140W NPN
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+778.99 грн
10+ 612.93 грн
100+ 464.63 грн
200+ 448.86 грн
500+ 420.6 грн
1000+ 368.03 грн
2500+ 361.46 грн
2N5038G
Код товару: 67440		ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-204
Uceo,V: 90 V
Ucbo,V: 150 V
Ic,A: 20 A
Монтаж: THT
у наявності 20 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
12 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+115 грн
10+ 108 грн
2N5038GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5038GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 90V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N5038GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5038G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 20 A, 140 W, TO-204, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 20
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20
Verlustleistung: 140
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
2N5039NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 75V 20A TO3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V
Power - Max: 140 W
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+295.74 грн
10+ 270.41 грн
20+ 256.03 грн
50+ 227.43 грн
2N5039Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 75V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N5039Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 75V 20A TO3
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V
Power - Max: 140 W
товар відсутній
2N5039Central SemiconductorCentral Semiconductor
товар відсутній
2N5039Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 75V 20A 140000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N5039Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 5A, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 5V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 75 V
Power - Max: 140 W
товар відсутній
2N5039MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5039Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N503AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N504MOTCAN
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N504MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5040MOTCAN
на замовлення 874 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5040MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5040AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5041MOTCAN
на замовлення 985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5041MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5041AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5042MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5042MOTCAN
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5042AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5043MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5043MOTCAN
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5043AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5044MOTCAN
на замовлення 697 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5044MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5044AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5045MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5045NSCAN
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5045AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5046NSCAN
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5046MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5046AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5047NSCAN
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5047MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5047AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5048Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5048MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5048Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-61
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній
2N5048AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5049MOTOROLA
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5049Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5049AMOTOROLA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N504AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N505MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N505MOTCAN
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5050Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
товар відсутній
2N5050Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5050MOT
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5050 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 125Vcbo 125Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
товар відсутній
2N5050 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 125Vcbo 125Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
товар відсутній
2N5051Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5051Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 150V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66
товар відсутній
2N5051Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
товар відсутній
2N5051 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 150Vcbo 150Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
товар відсутній
2N5051 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 150Vcbo 150Vceo 6.0Vebo 2.0A 40W
товар відсутній
2N5052Microchip TechnologyDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
товар відсутній
2N5052Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5052 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 200V 2A 40000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
товар відсутній
2N5052 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 250Vcbo 250Vceo 6.0Vebo 150mA 1.0W
товар відсутній
2N5053MOTCAN
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5053MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5054MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5054MOTCAN
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5055MOTOROLA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5056MOTCAN
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5056MOTOROLA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5057MOTOROLA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5057MOTCAN
на замовлення 578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5058Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 300V 0.15A TO-39
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5058MOTOROLA
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5058MOTCAN
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5058 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.53 грн
10+ 398.29 грн
25+ 314.14 грн
100+ 288.51 грн
250+ 272.08 грн
500+ 254.33 грн
1000+ 218.84 грн
2N5058 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.15A; 1W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 1W
Case: TO39
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30...160MHz
товар відсутній
2N5058 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 300V 0.15A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 30mA, 25V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.65 грн
10+ 358.17 грн
2N5058 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.15A; 1W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 1W
Case: TO39
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30...160MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N5059MOTCAN
на замовлення 829 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5059MOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5059 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 0.15A 1000mW 3-Pin TO-39
товар відсутній
2N5059 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor
товар відсутній
2N505AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N506MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5060ON SemiconductorThyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Bulk
товар відсутній
2N5060LittelfuseESD Suppressors / TVS Diodes
товар відсутній
2N5060onsemiSCRs 30V 800mA
товар відсутній
2N5060 APM PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5060 APM TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5060 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 30V 800MA TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
на замовлення 10414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.1 грн
10+ 32.86 грн
100+ 22.76 грн
2500+ 13.52 грн
5000+ 12.81 грн
10000+ 11.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5060 PBFREECentral SemiconductorSilicon Controlled Rectifier 0.8 Amp
товар відсутній
2N5060 PBFREECentral SemiconductorSCRs 0.8A 30V
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.78 грн
10+ 36.58 грн
100+ 22.02 грн
500+ 18.99 грн
1000+ 14.39 грн
2500+ 13.87 грн
5000+ 13.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5060 TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs 30Vdrm 0.8A Rms
товар відсутній
2N5060 TRE PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5060 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5060GonsemiSCRs THY 0.8A 30V SCR
товар відсутній
2N5060G
Код товару: 22577		ONТиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-92
Uзакр,V: 30 V
Iвідкр,mA: 0,2 mA
Imax,A: 0,8 A
у наявності 34 шт:
4 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
13 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+15 грн
10+ 13.5 грн
2N5060GON SemiconductorThyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5060GON SemiconductorSCR 30V 0.8A(RMS) 10A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5060GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5060G - Thyristor, 30 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 30
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10
Zündstrom, max., Igt: 350
Zündspannung, max., Vgt: 1.2
Haltestrom Ih, max.: 5
MSL: -
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 320
Produktpalette: -
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 110
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
2N5060GonsemiDescription: SCR 30V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
товар відсутній
2N5060GON SemiconductorThyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5060RL1onsemiDescription: SILICON CONTROLLED RECTIFIER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
товар відсутній
2N5060RLRAGONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5060RLRAG - 2N5060RLRAG, STAND RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 66185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N5060RLRAGonsemiDescription: SCR 30V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
на замовлення 66185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1776+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 1776
2N5060RLRAGON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5060RLRAGonsemiDescription: SCR 30V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
товар відсутній
2N5060RLRAGON SemiconductorThyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5060RLRMonsemiDescription: SCR 30V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
товар відсутній
2N5060RLRMON07+;
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5060RLRMON SemiconductorThyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Tape and Box
товар відсутній
2N5060RLRMGON SemiconductorThyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
2N5060RLRMGonsemiDescription: SCR 30V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 30 V
товар відсутній
2N5060RLRMGON SemiconductorThyristor SCR 30V 10A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
2N5061LittelfuseESD Suppressors / TVS Diodes
товар відсутній
2N5061onsemiSCRs 50V 800mA Thyristor
товар відсутній
2N5061ON SemiconductorThyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 Bulk
товар відсутній
2N5061ON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5061 APM PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5061 APM TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5061 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 60V 800MA TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
на замовлення 7139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.1 грн
10+ 32.86 грн
100+ 22.76 грн
500+ 17.84 грн
1000+ 15.18 грн
2500+ 13.52 грн
5000+ 12.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5061 PBFREECentral SemiconductorThyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92
товар відсутній
2N5061 PBFREECentral SemiconductorSCRs 0.8A 60V
на замовлення 16868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.78 грн
10+ 36.58 грн
100+ 22.02 грн
500+ 18.4 грн
1000+ 13.93 грн
2500+ 13.47 грн
10000+ 12.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5061 TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs 60Vdrm 0.8A Rms
товар відсутній
2N5061 TRE PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5061 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5061GonsemiSCRs 50V 800mA Thyristor
товар відсутній
2N5061GON SemiconductorThyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5061G
Код товару: 48398		Тиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-92
Uзакр,V: 60 V
Iвідкр,mA: 0,5 mA
Imax,A: 1 A
товар відсутній
2N5061GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5061G - Thyristor, 60 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 60
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10
Zündstrom, max., Igt: 350
Zündspannung, max., Vgt: 1.2
Haltestrom Ih, max.: 5
MSL: -
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 320
Produktpalette: -
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 110
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
2N5061GonsemiDescription: SCR 60V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
товар відсутній
2N5061RLRAonsemiDescription: SCR 60V 800MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
товар відсутній
2N5061RLRAGonsemiDescription: SCR 60V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 60 V
товар відсутній
2N5061RLRAGON10+ TSSOP
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5061RLRAGON SemiconductorThyristor SCR 60V 10A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5062
Код товару: 175840		ONТиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-92
Uзакр,V: 100 V
Iвідкр,mA: 510 mA
Imax,A: 10 A
у наявності 1456 шт:
882 шт - склад
298 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
115 шт - РАДІОМАГ-Харків
51 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+6 грн
10+ 5 грн
100+ 4.3 грн
2N5062LittelfuseESD Suppressors / TVS Diodes
товар відсутній
2N5062onsemiSCRs 100V 800mA Thyristor
товар відсутній
2N5062 APM PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5062 APM TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5062 PBFREECentral SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92
товар відсутній
2N5062 PBFREECentral SemiconductorSCRs 0.8A 100V
на замовлення 7568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.78 грн
10+ 36.81 грн
100+ 22.21 грн
500+ 18.53 грн
1000+ 15.77 грн
2500+ 14 грн
5000+ 13.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5062 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 100V 800MA TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.1 грн
10+ 33.13 грн
100+ 22.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5062 TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs 100Vdrm 0.8A Rms
товар відсутній
2N5062 TRE PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5062 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5062GonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
товар відсутній
2N5062GON SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5062GON SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5062GonsemiSCRs 100V 800mA Thyristor
товар відсутній
2N5062G
Код товару: 1012		Тиристори > Тиристори, діністори
товар відсутній
2N5062RLRAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5062RLRA - 2N5062RLRA, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N5062RLRAonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2959+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 2959
2N5062RLRAonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
товар відсутній
2N5062RLRAGonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
на замовлення 6561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1776+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 1776
2N5062RLRAG
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5062RLRAGON SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5062RLRAGON SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5062RLRAGonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
товар відсутній
2N5062RLRAGonsemiDescription: SCR 100V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 100 V
товар відсутній
2N5062RLRAGON SemiconductorThyristor SCR 100V 10A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5062RLRAGONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5062RLRAG - 2N5062RLRAG, STAND RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N5063LittelfuseESD Suppressors / TVS Diodes
товар відсутній
2N5063Central Semiconductor CorpDescription: SCR 0.8A 150V TO-92
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5063 APM PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5063 APM TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5063 PBFREECentral SemiconductorSCRs 0.8A 150V
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.64 грн
10+ 35.6 грн
100+ 21.36 грн
500+ 19.45 грн
1000+ 17.48 грн
2500+ 13.54 грн
5000+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5063 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 150V 800MA TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 150 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.39 грн
10+ 31.97 грн
100+ 22.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5063 TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs 150Vdrm 0.8A Rms
товар відсутній
2N5063 TRE PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5063 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5064onsemiSCRs 200V 800mA Thyristor
товар відсутній
2N5064Littelfuse Inc.Description: SCR 200V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16A, 20A
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товар відсутній
2N5064LittelfuseThyristor SCR 200V 20A 3-Pin TO-92
товар відсутній
2N5064LittelfuseSCRs 200V .8A 200uA Sensing
товар відсутній
2N5064 APM PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5064 APM TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5064 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: SCR 200V 800MA TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.39 грн
10+ 31.97 грн
100+ 22.13 грн
500+ 17.35 грн
1000+ 14.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5064 PBFREECentral SemiconductorThyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92
товар відсутній
2N5064 PBFREECentral SemiconductorSCRs 0.8A 200V
на замовлення 6731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.33 грн
10+ 35.6 грн
100+ 21.42 грн
500+ 17.88 грн
1000+ 15.25 грн
2500+ 12.62 грн
10000+ 11.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5064 TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs 200Vdrm 0.8A Rms
товар відсутній
2N5064 TRE PBFREECentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.33 грн
10+ 36.05 грн
100+ 21.42 грн
500+ 17.88 грн
1000+ 15.25 грн
2000+ 14.39 грн
4000+ 12.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5064 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorSCRs Through-Hole SCR
товар відсутній
2N5064,112NXP SemiconductorsSCRs BULK SCR
товар відсутній
2N5064,112NXP USA Inc.Description: SCR 200V 800MA TO92-3
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.71 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товар відсутній
2N5064,112NXP SemiconductorsThyristor SCR 200V 10A 3-Pin SPT Bulk
товар відсутній
2N5064GON SemiconductorThyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5064GMICIt=0,8A; Vdrm=200V; Igt=200uA *obsolete*2N5064G, 2N5064RLRMG, 2N5064RLRAG, 2N5064,112 2N5064 TO92 TY000.82n5064
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.4 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N5064G
Код товару: 62224		Тиристори > Тиристори, діністори
товар відсутній
2N5064GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5064G - Thyristor, 200 V, 350 µA, 320 mA, 800 mA, TO-92, 3 Pin(s)
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 200
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 10
Zündstrom, max., Igt: 350
Zündspannung, max., Vgt: 1.2
Haltestrom Ih, max.: 5
MSL: -
Anzahl der Pins: 3
Strom It av: 320
Produktpalette: -
Bauform - Thyristor: TO-92
Betriebstemperatur, max.: 110
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 800
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
2N5064GON SemiconductorThyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5064GOn Semiconductor
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2N5064GonsemiSCRs THY 0.8A 200V SCR
товар відсутній
2N5064GonsemiDescription: SCR 200V 800MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товар відсутній
2N5064RLRAonsemiDescription: SCR 200V 800MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товар відсутній
2N5064RLRAGonsemiDescription: SCR 200V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товар відсутній
2N5064RLRAGON SemiconductorThyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5064RLRAGON SemiconductorThyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5064RLRAG
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5064RLRMonsemiDescription: SCR 200V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товар відсутній
2N5064RLRMGonsemiDescription: SCR 200V 800MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 10A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товар відсутній
2N5064RLRMGON07+;
на замовлення 76000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5064RLRMGON SemiconductorThyristor SCR 200V 10A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N5064RPLittelfuse Inc.Description: SCR 200V 800MA TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 16A, 20A
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 200 V
товар відсутній
2N5065MOTCAN
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5066Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 0.1A 3-Pin TO-46
товар відсутній
2N5066Microchip Technology / AtmelBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
товар відсутній
2N5066MOTCAN
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5066Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
товар відсутній
2N5067Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5068Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5068Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 87 W
товар відсутній
2N5069Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
товар відсутній
2N5069Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5069Microchip Technology / AtmelBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
товар відсутній
2N506AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N507MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5071Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5073MOTCAN
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5074Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5074Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300µA, 500µA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N5075Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5075Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300µA, 500µA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N5076Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5076Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300µA, 500µA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N5077Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5077General SemiconductorDescription: TRANS 250V 3A TO59
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-3, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+18012.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N5078MOTCAN
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5078MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5079MOTCAN
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N507AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N508MOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N508MOTCAN
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5080MOTCAN
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5081MOTCAN
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5082MOTCAN
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5083Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5083Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-59
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
2N5084Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5084Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
2N5085Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5085Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
товар відсутній
2N5086ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5086onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT TO-92
товар відсутній
2N5086Fairchild SemiconductorDescription: 2N5086 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
2N5086 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товар відсутній
2N5086 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товар відсутній
2N5086 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товар відсутній
2N5086 APP TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товар відсутній
2N5086 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
товар відсутній
2N5086 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
2N5086 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92
товар відсутній
2N5086 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92
товар відсутній
2N5086 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товар відсутній
2N5086 TRA PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товар відсутній
2N5086 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товар відсутній
2N5086 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товар відсутній
2N5086 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товар відсутній
2N5086BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5086BU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 96478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 13889
2N5086BUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 96478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2N5086TAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5086TARonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5086TFonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5086TFRonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5087ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5087
Код товару: 144832		Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2N5087Broadcom / AvagoBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5087onsemiBipolar Transistors - BJT SS T092 LN XSTR PNP 50V
товар відсутній
2N5087MICROSS/On SemiconductorDescription: DIE TRANS PNP 50V SMALL SIGNAL
товар відсутній
2N5087 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товар відсутній
2N5087 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товар відсутній
2N5087 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товар відсутній
2N5087 APP TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товар відсутній
2N5087 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92
товар відсутній
2N5087 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.57 грн
11+ 25.19 грн
100+ 17.53 грн
2500+ 9.33 грн
5000+ 8.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N5087 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 1500mW 3-Pin TO-92
товар відсутній
2N5087 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
на замовлення 7719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.51 грн
11+ 27.66 грн
100+ 17.02 грн
500+ 14.92 грн
1000+ 11.11 грн
2500+ 9.4 грн
10000+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N5087 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 625mW
товар відсутній
2N5087 TRA PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 625mW 1.5W
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.64 грн
10+ 34.39 грн
100+ 22.28 грн
500+ 17.55 грн
1000+ 13.54 грн
2000+ 11.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5087 TRA PBFREECentral Semiconductor2N5087 TRA PBFREE
товар відсутній
2N5087 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товар відсутній
2N5087 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
товар відсутній
2N5087 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP Low Noise
на замовлення 4637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+38.49 грн
10+ 32.35 грн
100+ 21.03 грн
500+ 16.5 грн
1000+ 12.75 грн
2500+ 11.7 грн
6000+ 10.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5087BUonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5087BUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk
товар відсутній
2N5087BUONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5087BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 100 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 250
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 40
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
2N5087GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5087GonsemiBipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
товар відсутній
2N5087GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5087GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5087RLRAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5087RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5087RLRAGON09+
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5087RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5087RLRAG
Код товару: 18859		ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 40 MHz
Uке, В: 50 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,05 A
h21,max: 250
товар відсутній
2N5087RLRAGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5087RLRAGonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.05A TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5087TAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5087TAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N5087TARonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5087TFonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5087TFRonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5087TFRON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5087_J18ZonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5087_J61ZonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5087_S00ZonsemiDescription: TRANS PNP 50V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5088FAIRCHILD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5088onsemiBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5088
Код товару: 161421		Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 50 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 35 V
Ic,A: 0,05 A
Монтаж: THT
у наявності 84 шт:
84 шт - склад
1+29 грн
10+ 26.5 грн
2N5088onsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5088 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товар відсутній
2N5088 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товар відсутній
2N5088 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA
товар відсутній
2N5088 APP TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA
товар відсутній
2N5088 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 6974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.51 грн
11+ 28.04 грн
100+ 16.96 грн
500+ 16.23 грн
1000+ 16.17 грн
2500+ 9.13 грн
10000+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N5088 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 300...900
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.34 грн
10+ 36.69 грн
25+ 25.67 грн
45+ 17.66 грн
123+ 16.7 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5088 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+29.86 грн
561+ 20.75 грн
590+ 19.75 грн
1000+ 18.79 грн
2500+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 390
2N5088 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 300...900
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 50MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.81 грн
6+ 45.73 грн
25+ 30.81 грн
45+ 21.19 грн
123+ 20.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5088 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.77 грн
21+ 27.73 грн
100+ 19.27 грн
500+ 17.69 грн
1000+ 16.15 грн
2500+ 8.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N5088 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 30V 0.05A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.57 грн
11+ 25.19 грн
100+ 17.53 грн
2500+ 9.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N5088 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mW
товар відсутній
2N5088 TRA PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA
на замовлення 3731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.51 грн
11+ 28.11 грн
100+ 18.27 грн
500+ 14.39 грн
1000+ 11.44 грн
2000+ 9.66 грн
10000+ 8.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N5088 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 35Vcbo 30Vceo 4.5Vebo 50mA 625mA
товар відсутній
2N5088 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товар відсутній
2N5088 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товар відсутній
2N5088BUonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5088BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
2N5088BUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
товар відсутній
2N5088GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5088GonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5088GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5088GonsemiBipolar Transistors - BJT 50mA 35V NPN
товар відсутній
2N5088GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5088G (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 29368		ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 50 MHz
Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 35 V
Ic,A: 0,05 A
h21: 900
товар відсутній
2N5088RLRA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5088RLRAonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5088RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5088TAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5088TA - 2N5088TA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5088TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
2N5088TAonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5088TAON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 3531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2N5088TAonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5088TARON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
2N5088TARonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5088TARON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 39320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2N5088TARonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5088TFON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
на замовлення 6289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2N5088TFonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO-92
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
2N5088TFON SemiconductorTrans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5088TFRonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5088_D11ZonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5088_D81ZonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5088_J61ZonsemiDescription: TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5089Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5089onsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5089onsemiBipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
товар відсутній
2N5089Central SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5089FSC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5089 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 36987		Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 50 MHz
Uceo,V: 25 V
Ucbo,V: 30 V
Ic,A: 0,05 A
h21: 1200
товар відсутній
2N5089 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.51 грн
11+ 28.11 грн
100+ 18.27 грн
500+ 14.39 грн
1000+ 11.44 грн
2000+ 9.66 грн
10000+ 8.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N5089 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товар відсутній
2N5089 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 10969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.51 грн
11+ 28.04 грн
100+ 17.02 грн
500+ 15.51 грн
1000+ 11.7 грн
2500+ 9.13 грн
10000+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N5089 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92
товар відсутній
2N5089 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 625mW; TO92
Frequency: 50MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 300...900
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Case: TO92
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+61.93 грн
6+ 45.04 грн
25+ 30.4 грн
46+ 20.95 грн
125+ 19.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5089 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 50mA; 625mW; TO92
Frequency: 50MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 300...900
Collector current: 50mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: bulk
Mounting: THT
Case: TO92
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.61 грн
10+ 36.15 грн
25+ 25.33 грн
46+ 17.46 грн
125+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5089 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 14612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.57 грн
11+ 25.19 грн
100+ 17.53 грн
2500+ 9.33 грн
5000+ 8.86 грн
10000+ 8.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N5089 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 30Vcbo 25Vceo 4.5Vebo 50mA 625mW
на замовлення 4832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.8 грн
10+ 32.27 грн
100+ 20.96 грн
500+ 16.43 грн
1000+ 12.68 грн
2500+ 11.63 грн
10000+ 10.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N5089 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товар відсутній
2N5089 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товар відсутній
2N5089BUON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk
товар відсутній
2N5089BUonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5089GonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5089GonsemiBipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
товар відсутній
2N5089GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5089GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N5089RLRAonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5089RLRAGonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.05A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5089TAON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
2N5089TAonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5089TAFairchild
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5089TARonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5089TA_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN 25V 100mA HFE/12
товар відсутній
2N5089TFonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5089TFRonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5089TFRON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N5089_J18ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N508AMOTOROLA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N508AMOTCAN
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N509MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N509MOTCAN
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5090Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5091Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5091MOTCAN
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5092MOTCAN
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5092Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5093MOTCAN
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5093MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5094MOTCAN
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5094MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
товар відсутній
2N5095MOTCAN
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5095Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 500V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 4 W
товар відсутній
2N5096Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT PNP Transistor
товар відсутній
2N5096Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 500V 1A 3-Pin TO-5
товар відсутній
2N5096MOTCAN
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5097MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
товар відсутній
2N5097Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 600V 1A 3-Pin TO-5
товар відсутній
2N5097MOTCAN
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5098MOTCAN
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5099MOTOROLA
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5099Microsemi CorporationDescription: TRANS NPN 800V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 4 W
товар відсутній
2N5099MOTCAN
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5099MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
товар відсутній
2N5099Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 800V 1A 3-Pin TO-5
товар відсутній
2N5099AMOTOROLA
на замовлення 560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N509AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N50EPH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N51CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N510MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5103MOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5103MOTCAN
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5104MOTCAN
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5104MOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5105MOTCAN
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5105MOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5106MOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5106MOTCAN
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5106AMOTOROLA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5107MOTCAN
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5107MOTOROLA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5108MOTCAN
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5108MOTOROLA
на замовлення 15500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5109Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 12dB
Power - Max: 2.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N5109Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5109Microchip TechnologyTrans RF BJT NPN 20V 0.4A 2500mW 3-Pin TO-39
товар відсутній
2N5109MICROSEMIкількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
2N5109Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5109 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 31239		Central SemiconductorТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-39
fT: 1,2 GHz
Uceo,V: 20 V
Ucbo,V: 40 V
Ic,A: 0,4 A
h21: 120
товар відсутній
2N5109 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Wide Bd AM
товар відсутній
2N5109 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N5109 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN RF 40Vcbo 20Vceo 3.0Vebo 400mA 1.0W
товар відсутній
2N5109JANIR
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5109JANTXIR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5109UBMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5109UB BKCentral Semiconductor CorpDescription: RF TRANS NPN 20V 1.2GHZ TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 400mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 15V
Frequency - Transition: 1.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: UB
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N510AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N511MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5110MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5110MOTCAN
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5111MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5111MOTCAN
на замовлення 954 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5112MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5113MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5114MOTCAN3
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5114Vishay2002
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5114InterFETJFET JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+930.04 грн
10+ 807.92 грн
25+ 683.48 грн
50+ 645.36 грн
100+ 607.24 грн
250+ 588.19 грн
500+ 550.73 грн
2N5114Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N5114Vishay SemiconductorsJFET 30V 10pA
товар відсутній
2N5114Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N5114VishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
товар відсутній
2N5114VISHAY
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5114Microchip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Grade: Military
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товар відсутній
2N5114VISHAYCAN
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5114Microchip TechnologyJFET JFET
товар відсутній
2N5114Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N5114 TO-18 3LLinear Integrated Systems, Inc.Description: P-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+515.41 грн
10+ 448.74 грн
2N5114 TO-18 3L ROHSLinear Integrated Systems, Inc.Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.07 грн
10+ 359.47 грн
100+ 299.56 грн
2N5114-E3VishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
товар відсутній
2N5114-E3Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N5114E3MicrosemiTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18
товар відсутній
2N5114JAN02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N5114JTVL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N5114JTX02Vishay19500/476 JANTX2N5114
товар відсутній
2N5114JTX02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N5114JTXL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N5114JTXV02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH TO206AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-206AA (TO-18)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N5114UBMicrochip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB
товар відсутній
2N5114UBMicrosemiTrans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7566.12 грн
2N5114UBMicrochip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товар відсутній
2N5114UB/TRMicrochip TechnologyJFET JFET
товар відсутній
2N5114UB/TRMicrochip TechnologyDescription: JFET P-CH 30V UB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 75 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 10 V @ 1 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90 mA @ 18 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товар відсутній
2N5115Vishay00+/01
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5115VISHAYCAN
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5115Microchip TechnologyJFET JFET
товар відсутній
2N5115Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N5115MOTO
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5115VishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
товар відсутній
2N5115Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товар відсутній
2N5115VISHAY0018+ TO-18
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5115InterFETJFET JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+930.04 грн
10+ 807.92 грн
25+ 683.48 грн
50+ 645.36 грн
100+ 607.24 грн
250+ 588.19 грн
500+ 550.73 грн
2N5115Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N5115Central Semiconductor CorpDescription: IC JUNCTION FET P-CH TO-18
товар відсутній
2N5115 TO-18 3LLinear Integrated Systems, Inc.Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 100 Ohms
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.81 грн
10+ 355.57 грн
100+ 296.3 грн
500+ 245.36 грн
2N5115-E3VishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
товар відсутній
2N5115-E3Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товар відсутній
2N5115E3Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N5115E3Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N5115E3Microchip TechnologyJFET JFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 455-464 дні (днів)
1+2728.77 грн
100+ 2498.58 грн
2N5115E3Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N5115JANVishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
товар відсутній
2N5115JAN02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товар відсутній
2N5115JANTXVishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
товар відсутній
2N5115JTVL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товар відсутній
2N5115JTX02VishayTrans JFET
товар відсутній
2N5115JTX02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товар відсутній
2N5115JTXL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товар відсутній
2N5115JTXV02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товар відсутній
2N5115UBMicrochip TechnologyJFET JFET
товар відсутній
2N5115UBMicrochip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB
товар відсутній
2N5115UBMicrosemi CorporationDescription: P CHANNEL JFET
товар відсутній
2N5115UBMicrochip / MicrosemiJFET JFETs
товар відсутній
2N5115UB/TRMicrochip TechnologyJFET JFET
товар відсутній
2N5115UB/TRMicrochip TechnologyDescription: JFET
товар відсутній
2N5116Vishay2002
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5116Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N5116InterFETJFET JFET P-Channel 30V Low Noise
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+930.04 грн
10+ 807.92 грн
25+ 683.48 грн
50+ 645.36 грн
100+ 607.24 грн
250+ 588.19 грн
500+ 550.73 грн
2N5116Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N5116VISHAY
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5116Solid State Inc.Description: JFET P-CH 30V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 mV
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 150 Ohms
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+368.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N5116VISHAYCAN
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5116VishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
товар відсутній
2N5116Microchip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 3-Pin TO-18 Bag
товар відсутній
2N5116SIL
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5116 BK PBFREECentral SemiconductorJFET P-Ch Junc FET
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2N5116 PBFREECentral SemiconductorTrans JFET P-CH Si 3-Pin TO-18
товар відсутній
2N5116 PBFREECentral SemiconductorJFET
товар відсутній
2N5116 TO-18 3LLinear Integrated Systems, Inc.Description: P-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
на замовлення 4621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5116 TO-18 3L ROHSLinear Integrated Systems, Inc.Description: JFET P-CH 30V TO18-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-18-3
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Resistance - RDS(On): 150 Ohms
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.63 грн
10+ 433.2 грн
2N5116-E3Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товар відсутній
2N5116-E3VishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
товар відсутній
2N5116JAN02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товар відсутній
2N5116JANTXVishayTrans JFET P-CH 3-Pin TO-206AA
товар відсутній
2N5116JTVL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товар відсутній
2N5116JTX02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товар відсутній
2N5116JTXL02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товар відсутній
2N5116JTXV02Vishay SiliconixDescription: JFET P-CH 30V TO-18
товар відсутній
2N5116UAMicrochip TechnologyJFET JFET
товар відсутній
2N5116UA/TRMicrochip TechnologyJFET JFET
товар відсутній
2N5116UA/TRMicrochip TechnologyDescription: JFET
товар відсутній
2N5116UBMicrochip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB
товар відсутній
2N5116UBMicrochip TechnologyJFET JFETs
товар відсутній
2N5116UBMicrochip TechnologyDescription: P CHANNEL JFET
товар відсутній
2N5116UBMicrochip TechnologyTrans JFET P-CH 30V 4-Pin Case UB
товар відсутній
2N5116UB/TRMicrochip TechnologyJFET JFET
товар відсутній
2N5116UB/TRMicrochip TechnologyDescription: JFET
товар відсутній
2N5117MOTCAN
на замовлення 591 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5117MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5118MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5118MOTCAN
на замовлення 628 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5119MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5119MOTCAN
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N511AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N512MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5120MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5120MOTCAN
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5121MOTCAN
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5121MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5122MOTCAN
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5122MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5123MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5124MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5125MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5126MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5127MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5128MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5129MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N512AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N513MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5130MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5131MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5132MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5133NSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5134MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5135MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5136MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5137MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5138MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5139MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N513AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N514MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5140MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5141MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5142MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5143MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5144MOTCAN
на замовлення 837 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5144MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5145MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5145MOTCAN
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5147MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5147Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5147Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5147MOTCAN
на замовлення 843 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5148Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5148Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5148MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5148Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 7 W
товар відсутній
2N5148MOTCAN
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5148Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5149MOTCAN
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5149Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5149MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5149Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N514AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N515MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5150MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5150Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5150Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 7000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5150MOTCAN
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5150
Код товару: 140183		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2N5151Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N5151Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N5151Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/545
товар відсутній
2N5151MOTOROLA
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5151TT Electronics - IoT SolutionsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5151STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5151MOTCAN
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5151Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1952.08 грн
25+ 1923.44 грн
100+ 1553.6 грн
250+ 1552.94 грн
2N5151Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5151LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5151LMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5151LMicrochip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A TO5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Qualification: MIL-PRF-19500/545
товар відсутній
2N5151U3Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 80V 2A U3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.16 W
товар відсутній
2N5151U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5152Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N5152Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2362.27 грн
100+ 2161.5 грн
2N5152MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5152MOTCAN
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5152Microsemi CorporationDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
товар відсутній
2N5152LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5152LMicrosemi CorporationDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
товар відсутній
2N5152LMicrochip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5152U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5153MOTCAN
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5153Microchip TechnologyDescription: PNP POWER SILICON TRANSISTOR
товар відсутній
2N5153Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N5153NECCAN
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5153TT Electronics - IoT SolutionsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5153Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N5153Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N5153MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5153Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5153MicrosemiTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N5153-220MTT Electronics - IoT SolutionsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5153-220MIgnionBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5153-220MSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 80V 5A 4400mW 3-Pin(3+Tab) TO-257AB
товар відсутній
2N5153ESYSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Strip
товар відсутній
2N5153ESYHRB - 5204/002/04STMicroelectronics2N5153ESYHRB - 5204/002/04
товар відсутній
2N5153HR - 5204/002/02STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin TO-39 Strip
товар відсутній
2N5153LMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5153LMicrochip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5153LMicrochip TechnologyDescription: PNP POWER SILICON TRANSISTOR
товар відсутній
2N5153LMicrosemiTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5153RESYHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
товар відсутній
2N5153RESYHRTSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
товар відсутній
2N5153RSHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
товар відсутній
2N5153RSRHRTSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 Strip
товар відсутній
2N5153S1STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
товар відсутній
2N5153SHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
товар відсутній
2N5153SMD05Semelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR
товар відсутній
2N5153SR1STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
товар відсутній
2N5153U3Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
товар відсутній
2N5153U3Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
товар відсутній
2N5153U3Microchip TechnologyDescription: PNP POWER SILICON TRANSISTOR
товар відсутній
2N5153U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5154STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5154Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1659.19 грн
10+ 1633.98 грн
25+ 1419.53 грн
100+ 1361.04 грн
2N5154MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5154Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5154Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N5154Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N5154MOTCAN
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5154Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 2A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-39
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1573.94 грн
2N5154 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Power SW
товар відсутній
2N5154 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 100Vcbo 80Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
товар відсутній
2N5154ESYSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Strip
товар відсутній
2N5154ESYSTMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5154ESY1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
товар відсутній
2N5154ESYHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
товар відсутній
2N5154ESYHRTSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
товар відсутній
2N5154HR - 5203/010/01STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-39 Strip
товар відсутній
2N5154HR - 5203/010/02STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-39 Strip
товар відсутній
2N5154LMicrochip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N5154LMicrochip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 2A TO5AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2N5154LMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N5154RESYHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
товар відсутній
2N5154RESYHRTSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin(3+Tab) TO-257 T/R
товар відсутній
2N5154RSRHRTSTMicroelectronics2N5154RSRHRT
товар відсутній
2N5154S1STMicroelectronicsDescription: RAD-HARD 80 V, 5 A NPN TRANSISTO
Packaging: Strip
Package / Case: TO-276AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: SMD5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 35 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12302.91 грн
10+ 11346.96 грн
2N5154S1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13552.42 грн
10+ 12931.88 грн
2N5154S1STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor - Engineering model
на замовлення 20 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
1+14474.97 грн
10+ 13584.97 грн
25+ 11502.82 грн
50+ 11379.27 грн
100+ 11320.12 грн
250+ 11318.15 грн
500+ 11316.84 грн
2N5154S1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
товар відсутній
2N5154S1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14594.91 грн
10+ 13926.64 грн
2N5154SHRGSTMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 35000mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
товар відсутній
2N5154SR1STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 5A 3300mW 3-Pin SMD-0.5 T/R
товар відсутній
2N5154T2ASemelab / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5154T2ASemelabTrans GP BJT NPN 80V 2A 3-Pin TO-39
товар відсутній
2N5154U3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
товар відсутній
2N5154U3Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 80V 0.001A U3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
2N5154U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 93 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
1+8068.23 грн
100+ 7384.63 грн
2N5154U3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 2A 1000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
товар відсутній
2N5155MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5156MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5157Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N5157Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N5157Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 500V 3.5A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N5157MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5158MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5158MOTCAN
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5159MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5159MOTCAN
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N515AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N516MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5160MOTOROLA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5160MOTCAN
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5160SOLID STATEDescription: SOLID STATE - 2N5160 - TO 3 Silicon Transistor PNP 10P5440
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1534.92 грн
5+ 1513.54 грн
10+ 1491.42 грн
25+ 1364.36 грн
2N5160MOTCAN3
на замовлення 665 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5160AMOTOROLA
на замовлення 12850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5161MOT89+ SOP
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5163NS
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5163MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5164MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5165MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5166SSI0339
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5167MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5168Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
товар відсутній
2N5168MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5169MOTOROLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5169Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
товар відсутній
2N516AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N517MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5170Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
товар відсутній
2N5171Solid State Inc.Description: TO 48 20 AMP SCR
товар відсутній
2N5172ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
товар відсутній
2N5172onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
товар відсутній
2N5172Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5172Good-Ark SemiconductorDescription: TRANSISTOR, NPN, 0.5A, 25V, TO-9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.48 грн
23+ 12.05 грн
100+ 5.9 грн
500+ 4.62 грн
1000+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N5172Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5172 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товар відсутній
2N5172 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товар відсутній
2N5172 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 25V 0.1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.52 грн
10+ 33.61 грн
100+ 23.37 грн
2500+ 12.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5172 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.24 грн
10+ 37.41 грн
100+ 22.61 грн
500+ 19.85 грн
1000+ 14.79 грн
2500+ 12.16 грн
10000+ 11.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N5172 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.1A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...500
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
товар відсутній
2N5172 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 25V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92
товар відсутній
2N5172 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.1A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 25V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 100...500
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N5172 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 100mA 625mW
товар відсутній
2N5172 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товар відсутній
2N5172 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN Low Noise
товар відсутній
2N5172_D26ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5172_D27ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5172_D74ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5172_D75ZonsemiDescription: TRANS NPN 25V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N5172_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
товар відсутній
2N5176MOTOROLA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5177MOTOROLA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5179Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 12V 200MHZ TO72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Gain: 20dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N5179Microchip TechnologyRF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
товар відсутній
2N5179MicrosemiTrans RF BJT NPN 12V 0.05A 300mW 4-Pin TO-72
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+413.4 грн
10+ 365.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N5179MICROSEMITO72/RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS 2N5179
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
2N5179Microchip TechnologyTrans RF BJT NPN 12V 0.05A 300mW 4-Pin TO-72
товар відсутній
2N5179Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5179 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN VHF Amp
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.99 грн
10+ 322.71 грн
25+ 272.08 грн
100+ 228.7 грн
250+ 222.13 грн
500+ 199.13 грн
1000+ 169.56 грн
2N5179 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO72
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
Supplier Device Package: TO-72
Part Status: Active
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.63 грн
10+ 281.29 грн
100+ 227.55 грн
500+ 189.82 грн
2N5179 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 20Vcbo 12Vceo 2.5Vebo 50mA 200mW
товар відсутній
2N5179 TIN/LEADCentral SemiconductorNPN Silicon Transistor
товар відсутній
2N5179-NRCMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5179-NRC - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, 50mA, TO-72
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-72
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
directShipCharge: 25
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+255.82 грн
10+ 208.64 грн
100+ 201.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N5179AMOTOROLA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N517AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N518MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5180MOTCAN
на замовлення 675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5180MOTOROLA
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5181MOTCAN
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5181MOTOROLA
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5182MOTOROLA
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5182MOTCAN
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5183MOTOROLA
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5183MOTCAN
на замовлення 675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5184MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5184MOTCAN
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5185MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5185MOTCAN
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5186MOTCAN
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5186MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5187MOTCAN
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5187MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5188MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5188MOTCAN
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5189MOTOROLA
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5189MOTCAN
на замовлення 549 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5189 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 35V 5000mW 3-Pin TO-39
товар відсутній
2N5189 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.13 грн
10+ 382.42 грн
25+ 301.65 грн
100+ 277.33 грн
250+ 260.91 грн
500+ 221.47 грн
1000+ 214.9 грн
2N5189 TIN/LEADCentral SemiconductorNPN Silicon Transistor
товар відсутній
2N5189 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 35Vceo 5.0Vebo 5.0W
товар відсутній
2N518AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N519MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N519MOTCAN
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5190Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N5190Central SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5190onsemiDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N5190onsemiBipolar Transistors - BJT BIP C77 NPN 4A 40V
товар відсутній
2N5190Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5190GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5190G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+67.38 грн
15+ 52.49 грн
100+ 37.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N5190GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N5190GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N5190GonsemiDescription: TRANS NPN 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.16 грн
10+ 44.22 грн
100+ 34.42 грн
500+ 27.38 грн
1000+ 22.3 грн
2000+ 20.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N5190GonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 40V
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.34 грн
10+ 49.2 грн
100+ 33.32 грн
500+ 33.25 грн
1000+ 22.94 грн
2000+ 20.57 грн
10000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5190GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N5191STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N5191STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power Switching
товар відсутній
2N5191Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N5191MOTOROLA
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5191STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 60V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.26 грн
10+ 29.85 грн
100+ 20.75 грн
500+ 15.2 грн
1000+ 12.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5191onsemiBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5191STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товар відсутній
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5191GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.24 грн
6+ 49.31 грн
25+ 42.72 грн
31+ 31.05 грн
85+ 29.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N5191GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 60V 40W NPN
на замовлення 22814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.09 грн
10+ 37.03 грн
100+ 30.63 грн
500+ 24.45 грн
1000+ 22.08 грн
2000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N5191GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5191G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 4 A, 40 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 2hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5191GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N5191GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.2 грн
9+ 39.57 грн
25+ 35.6 грн
31+ 25.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5191GonsemiDescription: TRANS NPN 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 4165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.16 грн
10+ 44.22 грн
100+ 34.42 грн
500+ 27.38 грн
1000+ 22.3 грн
2000+ 20.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N5192STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Power Switching
товар відсутній
2N5192STMicroelectronicsTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товар відсутній
2N5192Vishay SemiconductorsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5192STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 80V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N5192onsemiBipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
товар відсутній
2N5192Infineon TechnologiesBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5192STNPN 80V 4A 40W 2N5192G 2N5192 T2N5192
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N5192 SL HCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 4A TO126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N5192 SL H PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0V 4A 40W
товар відсутній
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+32.18 грн
500+ 26.54 грн
Мінімальне замовлення: 362
2N5192G
Код товару: 178450		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2N5192GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.77 грн
23+ 32.22 грн
100+ 30.67 грн
Мінімальне замовлення: 22
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+30.84 грн
20+ 29.88 грн
500+ 24.65 грн
Мінімальне замовлення: 19
2N5192GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+100.85 грн
5+ 56.82 грн
25+ 39.27 грн
67+ 37.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N5192GONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 40W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Current gain: 7...100
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 2MHz
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.04 грн
8+ 45.59 грн
25+ 32.72 грн
67+ 30.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N5192GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.56 грн
10+ 49.36 грн
100+ 38.4 грн
500+ 30.54 грн
1000+ 24.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5192GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N5192GonsemiBipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.01 грн
10+ 54.79 грн
100+ 37.13 грн
500+ 31.41 грн
1000+ 25.63 грн
2000+ 25.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5192RCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N5193CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 10...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
2N5193CDILCategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 10...100
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 2MHz
товар відсутній
2N5193STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5193Broadcom / AvagoBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N5193MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N5193 - BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
directShipCharge: 25
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.45 грн
18+ 43.28 грн
50+ 32.22 грн
100+ 26.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N5193Central Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N5193 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W
товар відсутній