НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N60N/A09+
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N60to-220/fAAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N60 AATTO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N60-B
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N600MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6004FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N600AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N601MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N601AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N602MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6025ON09+
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6027onsemiBipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT
товар відсутній
2N6027ON
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6027MOTCAN
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6027Solid State Inc.Description: PUT TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
товар відсутній
2N6027 APM PBFREECentral SemiconductorSilicon Programmable Unijunction Transistors
товар відсутній
2N6027 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT
на замовлення 7183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.13 грн
10+ 145.63 грн
100+ 100.78 грн
250+ 92.82 грн
500+ 84.2 грн
1000+ 76.24 грн
2000+ 66.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6027 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT
товар відсутній
2N6027 APP PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
товар відсутній
2N6027 APP TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
товар відсутній
2N6027 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction
на замовлення 51007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.29 грн
10+ 127.33 грн
100+ 93.48 грн
250+ 86.85 грн
500+ 81.55 грн
1000+ 78.9 грн
2500+ 66.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6027 PBFREECentral SemiconductorThyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92
товар відсутній
2N6027 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Active
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
2N6027 PBFREECentral SemiconductorThyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92
товар відсутній
2N6027 TIN/LEADCentral SemiconductorThyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92
товар відсутній
2N6027 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vg
товар відсутній
2N6027 TRA PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
товар відсутній
2N6027 TRA PBFREECentral SemiconductorThrough-Hole-Programmable UJT
товар відсутній
2N6027 TRA TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
товар відсутній
2N6027 TRB PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
товар відсутній
2N6027 TRB TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Uni 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
товар відсутній
2N6027 TRE PBFREECentral SemiconductorSilicon Programmable Unijunction Transistors
товар відсутній
2N6027 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vgar 40Vak 300mW
товар відсутній
2N6027 TRE PBFREECentral Semiconductor2N6027 TRE PBFREE
товар відсутній
2N6027 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT
товар відсутній
2N6027GonsemiDescription: TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
2N6027GON SemiconductorThyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N6027G
Код товару: 28415
ONТиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-92
Uзакр,V: 40 V
Iвідкр,mA: 0,15 mA
Imax,A: 0,5 A
Характеристики: Одноперехідний транзистор
товар відсутній
2N6027GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT
товар відсутній
2N6027G-T92-BUTCPUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N6027G-T92-BUTCPUT 40V 70mA 350mW *obsolete* 2N6027G, 2N6027RL1G, 2N6027RLRAG 2N6027 T2N6027
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2N6027RL1onsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
2N6027RL1GON SemiconductorThyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N6027RL1GonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
2N6027RLRAonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
2N6027RLRAGonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 2 µA
Voltage - Offset (Vt): 1.6 V
Current - Valley (Iv): 50 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
2N6027RLRAGON SemiconductorThyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N6028MOTOROLACAN
на замовлення 50030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6028Solid State Inc.Description: PUT TO92
Packaging: Box
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-92
Part Status: Active
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+81.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N6028onsemiBipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT
товар відсутній
2N6028ONTO92 09+
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6028NTE Electronics, Inc.Thyristor UJT 40V 5A 3-Pin TO-92
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+145.15 грн
250+ 139.52 грн
Мінімальне замовлення: 80
2N6028 APM PBFREECentral SemiconductorSilicon Programmable Unijunction Transistors
товар відсутній
2N6028 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.36 грн
10+ 144.87 грн
100+ 100.11 грн
250+ 92.82 грн
500+ 83.54 грн
1000+ 82.21 грн
2000+ 68.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6028 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT
товар відсутній
2N6028 PBFREECentral SemiconductorThyristor PUT 40V 5A
товар відсутній
2N6028 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction
на замовлення 6122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.13 грн
10+ 145.63 грн
100+ 100.78 грн
250+ 92.82 грн
500+ 84.2 грн
1000+ 72.27 грн
2500+ 70.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6028 PBFREECentral SemiconductorThyristor PUT 40V 5A
товар відсутній
2N6028 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 6V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Part Status: Active
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
2N6028 TIN/LEADCentral SemiconductorThyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92
товар відсутній
2N6028 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Prog Uni-Junction 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vg
товар відсутній
2N6028 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 40Vgkf 5.0Vgkr 40Vak 50mA 300mW
товар відсутній
2N6028 TRE PBFREECentral SemiconductorThyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92
товар відсутній
2N6028 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Programmable UJT
товар відсутній
2N6028GON SemiconductorThyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Box
товар відсутній
2N6028GonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
2N6028GonsemiBipolar Transistors - BJT 40V 300mW PUT
товар відсутній
2N6028G (2N6028)
Код товару: 28416
Тиристори > Тиристори, діністори
Корпус: TO-92
Uзакр,V: 40 V
Iвідкр,mA: 0,15 mA
Imax,A: 0,5 A
Характеристики: Однопереходный транзистор
товар відсутній
2N6028RLRAON05+06+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6028RLRAonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
2N6028RLRAGonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
2N6028RLRAGON SemiconductorThyristor Diode PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 T/R
товар відсутній
2N6028RLRMGON SemiconductorThyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
2N6028RLRMGonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
2N6028RLRMGON SemiconductorThyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
2N6028RLRPonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
2N6028RLRPGonsemiDescription: PROGRAMMABLE UJT 40V TO92
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Voltage - Output: 11V
Voltage: 40V
Current - Peak: 150 nA
Voltage - Offset (Vt): 600 mV
Current - Valley (Iv): 25 µA
Part Status: Obsolete
Current - Gate to Anode Leakage (Igao): 10 nA
Power Dissipation (Max): 300 mW
товар відсутній
2N6028RLRPGON SemiconductorThyristor PUT 40V 5A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
товар відсутній
2N6029Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6029MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6029MOT01+ TO-3
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6029Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
2N6029 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Pwr
товар відсутній
2N6029 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 100Vcbo 100Vceo 7.0Vebo 16A 200W
товар відсутній
2N602AMOTCAN
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N602AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N603MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6030Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 120V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N6030Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
2N6030MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6030Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6031Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 140V 16A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N6031Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 200 W
товар відсутній
2N6031Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 140V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N6031MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6031Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6031 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
товар відсутній
2N6031 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
товар відсутній
2N6032MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6032Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 90V NPN Power BJT THT
товар відсутній
2N6032Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 5A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50A, 2.6V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 140 W
товар відсутній
2N6033Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 4A, 40A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 40A, 2V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 140 W
товар відсутній
2N6033Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 120V NPN Power BJT THT
товар відсутній
2N6033MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6033Microchip Technology / AtmelBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
товар відсутній
2N6034onsemiDarlington Transistors 4A 40V Bipolar
товар відсутній
2N6034ON09+
на замовлення 11118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6034CDILCategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 1.5/40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.5/40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...15000
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.92 грн
25+ 12.05 грн
100+ 10.06 грн
265+ 9.51 грн
500+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N6034onsemiDescription: TRANS PNP DARL 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6034CDILCategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 1.5/40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.5/40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...15000
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.6 грн
40+ 9.67 грн
100+ 8.38 грн
265+ 7.93 грн
500+ 7.67 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N6034 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors PNP Darlington
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.7 грн
10+ 93.02 грн
100+ 64.11 грн
250+ 59.21 грн
500+ 53.77 грн
1000+ 46.01 грн
2000+ 43.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6034 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W
товар відсутній
2N6034GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6034G - Darlington-Transistor, PNP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 11730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 53
2N6034GON SemiconductorTrans Darlington PNP 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N6034GONSEMICategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+49.09 грн
10+ 42.17 грн
25+ 35.64 грн
33+ 29.59 грн
90+ 28.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N6034GON SemiconductorTrans Darlington PNP 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6034GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 40V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6034GONSEMICategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+40.91 грн
11+ 33.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N6034GON SemiconductorTrans Darlington PNP 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N6034GonsemiDarlington Transistors 4A 40V Bipolar Power PNP
товар відсутній
2N6034GON SemiconductorTrans Darlington PNP 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6034GON SemiconductorTrans Darlington PNP 40V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6035STMicroelectronicsDarlington Transistors
товар відсутній
2N6035CDILCategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 4A; 1.5/40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.5/40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...15000
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
2N6035onsemiDarlington Transistors 4A 60V Bipolar
товар відсутній
2N6035CDILCategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 60V; 4A; 1.5/40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.5/40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...15000
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
2N6035 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors PNP Pwr Darlington
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.7 грн
10+ 93.02 грн
100+ 64.11 грн
250+ 59.21 грн
500+ 53.77 грн
1000+ 46.01 грн
2000+ 43.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6035 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W
товар відсутній
2N6035GON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6035GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6035GON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6035GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
814+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 814
2N6035GonsemiDarlington Transistors 4A 60V Bipolar Power PNP
товар відсутній
2N6036STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
товар відсутній
2N6036STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP DARL 80V 4A SOT32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6036onsemiDarlington Transistors 4A 80V Bipolar
товар відсутній
2N6036CDILCategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 1.5/40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.5/40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...15000
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+17.58 грн
25+ 15.23 грн
85+ 11.31 грн
235+ 10.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N6036STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6036CDILCategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 1.5/40W; TO126
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.5/40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...15000
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+12.22 грн
85+ 9.43 грн
235+ 8.91 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N6036
Код товару: 44112
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-32
Uке, В: 80 V
Uкб, В: 80 V
Iк, А: 4 A
h21,max: 100
товар відсутній
2N6036onsemiDescription: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6036STMicroelectronicsDarlington Transistors PNP Darlington
товар відсутній
2N6036-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6036-APMicro Commercial Components (MCC)Darlington Transistors
товар відсутній
2N6036-BPMicro Commercial Components (MCC)Darlington Transistors
товар відсутній
2N6036-TPMicro Commercial Components (MCC)Darlington Transistors
товар відсутній
2N6036GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6036GONSEMICategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N6036GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6036GONSEMICategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 40W; TO225
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 40W
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
товар відсутній
2N6036GonsemiDarlington Transistors 4A 80V Bipolar Power PNP
товар відсутній
2N6036GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6036GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6036G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 1.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Verlustleistung Pd: 1.5
Übergangsfrequenz ft: -
Bauform - Transistor: TO-225
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6036GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6037CDILCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 1.5/40W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.5/40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...15000
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 310 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.92 грн
25+ 12.05 грн
100+ 10.06 грн
265+ 9.51 грн
500+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N6037MOTn/a
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6037ON09+
на замовлення 10748 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6037CENTRAL0105
на замовлення 3457 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6037CDILCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 4A; 1.5/40W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.5/40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...15000
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.6 грн
40+ 9.67 грн
100+ 8.38 грн
265+ 7.93 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N6037N/A99+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6037 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors NPN Pwr Darlington
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.89 грн
10+ 106.74 грн
25+ 87.52 грн
100+ 74.92 грн
500+ 61.06 грн
1000+ 50.52 грн
2000+ 47.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6037 TIN/LEADCentral SemiconductorComplementary Silicon Darlington Transistor
товар відсутній
2N6037 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W
товар відсутній
2N6038onsemiDarlington Transistors 4A 60V Bipolar
товар відсутній
2N6038CDILCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 4A; 1.5/40W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.5/40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...15000
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.6 грн
40+ 9.67 грн
100+ 8.15 грн
275+ 7.71 грн
500+ 7.67 грн
Мінімальне замовлення: 35
2N6038onsemiDescription: TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6038CDILCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 4A; 1.5/40W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.5/40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...15000
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.92 грн
25+ 12.05 грн
100+ 9.78 грн
275+ 9.25 грн
500+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N6038STMicroelectronicsDarlington Transistors
товар відсутній
2N6038 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors NPN Pwr Darlington
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.7 грн
10+ 93.02 грн
100+ 64.11 грн
250+ 59.21 грн
500+ 53.77 грн
1000+ 46.01 грн
2000+ 43.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6038 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W
товар відсутній
2N6038GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6038GON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6038GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6038G - TRANSISTOR, NPN, 60V, 4A, TO-225AA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N6038G
Код товару: 167160
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2N6038GonsemiDarlington Transistors 4A 60V Bipolar Power NPN
товар відсутній
2N6038GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 60V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 19514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
810+24.5 грн
Мінімальне замовлення: 810
2N6038GON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6039CDILCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 1.5/40W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.5/40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...15000
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.46 грн
35+ 11.26 грн
95+ 8.83 грн
250+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 30
2N6039STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Darlington
товар відсутній
2N6039CDILCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 4A; 1.5/40W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.5/40W
Case: TO126
Pulsed collector current: 8A
Current gain: 100...15000
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.15 грн
25+ 14.03 грн
95+ 10.59 грн
250+ 10.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N6039STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6039NTE Electronics, Inc.Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+92.2 грн
Мінімальне замовлення: 125
2N6039onsemiDarlington Transistors 4A 80V Bipolar
товар відсутній
2N6039 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 4A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
товар відсутній
2N6039 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors NPN Darlington
товар відсутній
2N6039 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.76 грн
10+ 101.41 грн
100+ 70.28 грн
250+ 64.78 грн
500+ 58.68 грн
1000+ 50.26 грн
2000+ 47.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6039GonsemiDarlington Transistors 4A 80V Bipolar Power NPN
товар відсутній
2N6039GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+42.56 грн
17+ 35.53 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N6039GON SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6039GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6039G - TRANSISTOR, NPN, 80V, 4A, TO-225
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6039G
Код товару: 163221
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2N6039GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 80V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N603A
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N604MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6040onsemiDarlington Transistors 8A 60V Bipolar
товар відсутній
2N6040Solid State Inc.Description: TRANS PNP DARL 60V 8A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+44.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N6040 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors PNP Darl SW
товар відсутній
2N6040GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товар відсутній
2N6040GonsemiDarlington Transistors 8A 60V Bipolar Power PNP
товар відсутній
2N6040GON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.09 грн
30+ 19.6 грн
Мінімальне замовлення: 29
2N6040GON SemiconductorTrans Darlington PNP 60V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
2N6040GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6040G - TRANSISTOR, PNP, -60C, -8A, TO-220
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6040G
Код товару: 148657
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2N6041Solid State Inc.Description: TRANS PNP DARL 80V 8A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N6041 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 75 W
товар відсутній
2N6041 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors PNP Darl SW
товар відсутній
2N6041 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
2N6041 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 8.0A 75W
товар відсутній
2N6042onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
товар відсутній
2N6042Solid State Inc.Description: TRANS PNP DARL 100V 8A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 3670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N6042 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors PNP Darl SW
товар відсутній
2N6042 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors PNP 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 8.0A 75W
товар відсутній
2N6042GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
2N6042G
Код товару: 124248
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2N6042GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6042GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 75 W
товар відсутній
2N6042GONSEMICategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 75W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
2N6042GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP
товар відсутній
2N6043STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6043
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6043onsemiDescription: TRANS NPN DARL 60V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товар відсутній
2N6043onsemiDarlington Transistors 8A 60V Bipolar
товар відсутній
2N6043 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors NPN Darl SW
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.3 грн
10+ 170.03 грн
100+ 117.35 грн
250+ 108.07 грн
500+ 98.12 грн
1000+ 83.54 грн
2500+ 80.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6043 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 8.0A 75W
товар відсутній
2N6043GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6043G - Darlington-Transistor, NPN, 60 V, 75 W, 8 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.32 грн
12+ 62.55 грн
100+ 44.92 грн
500+ 35.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N6043GON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
2N6043GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 8A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.04 грн
7+ 52.49 грн
10+ 41.44 грн
23+ 35.71 грн
50+ 35.64 грн
62+ 33.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6043GON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
2N6043GON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
2N6043GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 8A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 8A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+100.85 грн
4+ 65.41 грн
10+ 49.72 грн
23+ 42.85 грн
50+ 42.76 грн
62+ 40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6043GON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
2N6043GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 60V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.42 грн
50+ 52.24 грн
100+ 41.4 грн
500+ 32.93 грн
1000+ 26.83 грн
2000+ 25.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6043GonsemiDarlington Transistors 8A 60V Bipolar Power NPN
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.41 грн
10+ 59.17 грн
100+ 40.05 грн
500+ 33.95 грн
1000+ 27.65 грн
1750+ 26.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6044Solid State Inc.Description: TRANS NPN DARL 80V 8A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+50.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N6044SOLID STATEDescription: SOLID STATE - 2N6044 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 0
Qualifikation: 0
Dauer-Kollektorstrom: 0
MSL: 0
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: 0
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 0
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: 0
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 0
Übergangsfrequenz: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N6044 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors NPN Darl Pwr
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.62 грн
10+ 184.51 грн
100+ 127.96 грн
500+ 110.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6044 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 8.0A 75W
товар відсутній
2N6045STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6045MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6045 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 75 W, 16 A, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 75W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 16A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6045ON07+;
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6045onsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 75 W
товар відсутній
2N6045onsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar
товар відсутній
2N6045Solid State Inc.Description: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N6045 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors NPN Darl SW
товар відсутній
2N6045 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
2N6045 TIN/LEADCentral Semiconductor2N6045 TIN/LEAD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+139.02 грн
90+ 128.8 грн
97+ 119.08 грн
102+ 108.72 грн
108+ 95.28 грн
Мінімальне замовлення: 83
2N6045 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 8.0A 75W
товар відсутній
2N6045 TIN/LEADCentral Semiconductor2N6045 TIN/LEAD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+129.09 грн
10+ 119.6 грн
25+ 110.57 грн
50+ 100.95 грн
100+ 88.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6045-APMicro Commercial CoDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -60°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 75 W
товар відсутній
2N6045-BPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6045GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
2N6045GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
224+51.41 грн
289+ 39.9 грн
500+ 38.85 грн
1000+ 28.38 грн
Мінімальне замовлення: 224
2N6045GonsemiDarlington Transistors 8A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.77 грн
10+ 57.11 грн
100+ 39.05 грн
500+ 34.67 грн
1000+ 28.24 грн
1750+ 26.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6045GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.42 грн
50+ 52.29 грн
100+ 41.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6045GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 8A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+56.98 грн
12+ 47.74 грн
100+ 37.05 грн
500+ 34.79 грн
1000+ 24.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N6045GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.41 грн
6+ 65.61 грн
10+ 53.18 грн
19+ 42.82 грн
52+ 40.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N6045GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 8A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+120.49 грн
4+ 81.76 грн
10+ 63.81 грн
19+ 51.38 грн
52+ 48.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6046Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6046Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-63
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 114 W
товар відсутній
2N6047Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6047Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-63
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 114 W
товар відсутній
2N6048Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6048Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
2N6049Solid State Inc.Description: TRANS PNP 55V 4A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-66
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Power - Max: 75 W
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+149.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N6049MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6049Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 55V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-66
товар відсутній
2N6049Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6049 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 4.0A 75W 90Vcbo 55Vceo 0.5A
товар відсутній
2N6049 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 4.0A 75W 90Vcbo 55Vceo 0.5A
товар відсутній
2N604AMOTCAN
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N604AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N604LN/A
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N604LINFINEON
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N604LINFINEON09+ SOP8
на замовлення 12200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N604LInfineon09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N604L .09+
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N605MOTCAN
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N605MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6050MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6050STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6050MOT01+ TO-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6050Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 24mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
2N6050Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6050 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors PNP Pwr Darlington
товар відсутній
2N6050 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 12A 150W
товар відсутній
2N6051Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6051Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N6051CDILCategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 12A; 150W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Current gain: 100...18000
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 4MHz
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.57 грн
5+ 107.05 грн
10+ 84.95 грн
26+ 80.8 грн
100+ 80.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6051Microchip TechnologyTrans Darlington PNP 80V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6051CDILCategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 80V; 12A; 150W; TO3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO3
Current gain: 100...18000
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 4MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 349 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+168.68 грн
5+ 133.4 грн
10+ 101.94 грн
26+ 96.96 грн
100+ 96.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6051STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6051MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6051 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 12 A, 150 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 12A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+398.65 грн
10+ 284.86 грн
100+ 221.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6051 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N6051 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors PNP Darlington
товар відсутній
2N6051 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 12A 150W
товар відсутній
2N6051..MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6051.. - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 80 V, 150 W, 12 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 18000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 12A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+351.05 грн
10+ 250.64 грн
100+ 194.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6052onsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 12A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
2N6052STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6052MOT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6052Microchip TechnologyTrans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6052ST09+
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6052Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Packaging: Bulk
товар відсутній
2N6052Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6052NTE Electronics, Inc.Trans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N6052MOT01+ TO-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6052Microchip TechnologyTrans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6052Solid State Inc.Description: TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+163.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N6052onsemiDarlington Transistors 12A 100V Bipolar
товар відсутній
2N6052 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 100V 12A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
2N6052 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors PNP Pwr Darlington
товар відсутній
2N6052 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve
товар відсутній
2N6052 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors PNP 100Vcbo 100Vceo 5.0Vebo 12A 150W
товар відсутній
2N6052GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 12A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
2N6052GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6052GON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6052GonsemiDarlington Transistors 12A 100V Bipolar Power PNP
товар відсутній
2N6053Microchip TechnologyDarlington Transistors Power BJT
товар відсутній
2N6053Microchip Technology / AtmelBipolar Transistors - BJT 680Vcbo 80Vceo 5.0V 8.0A Ic 16A Icm 100W
товар відсутній
2N6053ON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6053Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
товар відсутній
2N6053MOT01+ TO-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6053 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors PNP 60Vcbo 60Vceo Complemenary 8A 100W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493.49 грн
10+ 428.5 грн
50+ 316.25 грн
100+ 301.66 грн
250+ 283.76 грн
500+ 265.86 грн
1000+ 239.34 грн
2N6054MOT01+ TO-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6054MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6055MOT01+ TO-3
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6055MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6055 PBFREECentral SemiconductorPower Transistors
товар відсутній
2N6055 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors NPN Pwr Darlington
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.38 грн
10+ 458.99 грн
20+ 379.9 грн
100+ 330.17 грн
2N6055 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 60V 8A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 100 W
товар відсутній
2N6055 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 8.0A 100W
товар відсутній
2N6056MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6056MOT01+ TO-3
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6056 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 8A 100000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N6056 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors 680Vcbo 80Vceo 5.0V 8.0A Ic 16A Icm 100W
товар відсутній
2N6056 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 8A 100000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N6056 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 680Vcbo 80Vceo 5.0V 8.0A Ic 16A Icm 100W
товар відсутній
2N6057Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 24mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
2N6057Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6057MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6057STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6057MOT01+ TO-3
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6057 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN Pwr Darlington
товар відсутній
2N6058CDILCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 12A; 150W; TO3
Frequency: 4MHz
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Collector current: 12A
Current gain: 100...18000
Collector-emitter voltage: 80V
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of transistor: Darlington
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 150W
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.8 грн
5+ 110.5 грн
9+ 93.92 грн
24+ 89.09 грн
100+ 87.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6058MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6058 - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 150 W, 12 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+411.29 грн
10+ 293.78 грн
100+ 228.33 грн
500+ 159.53 грн
1000+ 110.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6058Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 80V 20A 150W NPN Power BJT THT
товар відсутній
2N6058Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N6058
Код товару: 125033
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2N6058Multicomp2N6058
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+158.24 грн
76+ 152.21 грн
100+ 147.04 грн
250+ 137.49 грн
Мінімальне замовлення: 73
2N6058CDILCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 80V; 12A; 150W; TO3
Frequency: 4MHz
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Collector current: 12A
Current gain: 100...18000
Collector-emitter voltage: 80V
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of transistor: Darlington
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+171.36 грн
5+ 137.7 грн
9+ 112.71 грн
24+ 106.91 грн
100+ 105.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6058Microchip TechnologyTrans Darlington NPN 80V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6058 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 12A 150W
товар відсутній
2N6058 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6058 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6058 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 12A 150W
товар відсутній
2N6059STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Bag
товар відсутній
2N6059Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
Packaging: Bulk
товар відсутній
2N6059Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 100V 12A 150W NPN Power BJT THT
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3643.18 грн
10+ 3580.47 грн
25+ 3091.57 грн
100+ 2900.62 грн
2N6059
Код товару: 184091
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3P
fT: 4 MHz
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 12 A
Монтаж: THT
товар відсутній
2N6059TT Electronics - IoT SolutionsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6059CDILCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 150W; TO3
Frequency: 4MHz
Kind of package: bulk
Type of transistor: NPN
Collector current: 12A
Current gain: 100...18000
Collector-emitter voltage: 100V
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of transistor: Darlington
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 150W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 847 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+149.94 грн
5+ 119.63 грн
12+ 86.19 грн
31+ 82.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6059Microchip TechnologyTrans Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6059Microchip TechnologyTrans Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6059CDILCategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 12A; 150W; TO3
Frequency: 4MHz
Kind of package: bulk
Type of transistor: NPN
Collector current: 12A
Current gain: 100...18000
Collector-emitter voltage: 100V
Case: TO3
Mounting: THT
Kind of transistor: Darlington
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 150W
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.95 грн
5+ 96 грн
12+ 71.82 грн
31+ 68.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6059MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6059 - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 150 W, 12 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 750hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 12A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+442.53 грн
10+ 316.09 грн
100+ 245.44 грн
500+ 171.28 грн
1000+ 118.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6059STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 12A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 6A, 3V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
2N6059STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Darlington LTB 9-2009
товар відсутній
2N6059 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 12A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N605AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N606MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N606MOTCAN
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6060Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-63
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 262 W
товар відсутній
2N6060Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6061Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6061Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-63
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 262 W
товар відсутній
2N6062Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6062Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-63
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
2N6063Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-63
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 150 W
товар відсутній
2N6063Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6064MOTCAN
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6065MOTCAN
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6066MOTCAN
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6067MOTCAN
на замовлення 837 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N606AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N607MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N607MOTCAN
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6070AonsemiDescription: TRIAC, 100V, 2A RMS
товар відсутній
2N6071A
на замовлення 586 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6071AONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6071A - TRIAC, 4A 200V TO-126
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 213912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N6071AonsemiDescription: THYRISTOR TRIAC 4A 200V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Supplier Device Package: TO-126
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 200 V
на замовлення 213912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2N6071AON SemiconductorTriacs THY 4A 200V TRIAC
товар відсутній
2N6071A PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRIAC 4A 200V TO-126
товар відсутній
2N6071A TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRIAC 4A 200V TO-126
товар відсутній
2N6071AGLittelfuse Inc.Description: TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Supplier Device Package: TO-225AA
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 200 V
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.87 грн
10+ 57.94 грн
100+ 45.08 грн
500+ 35.87 грн
1000+ 29.22 грн
2000+ 27.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N6071AGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+38.3 грн
17+ 35.13 грн
Мінімальне замовлення: 15
2N6071AGLITTELFUSECategory: Triacs
Description: Triac; 200V; 4A; TO225; Igt: 5mA; glass passivated,sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 4A
Case: TO225
Gate current: 5mA
Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.52 грн
8+ 47.65 грн
23+ 35.57 грн
62+ 33.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N6071AGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2N6071AGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+17.71 грн
43+ 13.36 грн
Мінімальне замовлення: 33
2N6071AGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6071AGLITTELFUSECategory: Triacs
Description: Triac; 200V; 4A; TO225; Igt: 5mA; glass passivated,sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 4A
Case: TO225
Gate current: 5mA
Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.83 грн
5+ 59.38 грн
23+ 42.68 грн
62+ 40.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N6071AGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 4293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
799+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 799
2N6071AGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6071AGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6071AGLittelfuseTriacs THY 4A 200V TRIAC
на замовлення 3632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.69 грн
10+ 47.42 грн
100+ 35.6 грн
500+ 32.02 грн
1000+ 29.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N6071AGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6071ATGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
товар відсутній
2N6071ATGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
товар відсутній
2N6071ATGLittelfuseTriacs SENSITIVE GATE
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.99 грн
10+ 66.49 грн
100+ 45.02 грн
500+ 38.19 грн
1000+ 31.09 грн
1920+ 30.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N6071ATGLittelfuse Inc.Description: TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Supplier Device Package: TO-225AA
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 200 V
товар відсутній
2N6071ATGONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6071ATG - 2N6071ATG, TRIACS
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1550+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 1550
2N6071ATGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
товар відсутній
2N6071B PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRIAC 4A 200V TO-126
товар відсутній
2N6071B TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRIAC 4A 200V TO-126
товар відсутній
2N6071BGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+59.98 грн
11+ 52.82 грн
100+ 36.28 грн
500+ 26.55 грн
1000+ 22.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N6071BGLittelfuseTriacs Sensitive Gate
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.58 грн
10+ 54.9 грн
100+ 32.55 грн
500+ 27.18 грн
1000+ 25.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6071BGLITTELFUSECategory: Triacs
Description: Triac; 200V; 4A; TO225AA; Igt: 3mA; Ifsm: 30A; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 4A
Case: TO225AA
Gate current: 3mA
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.48 грн
6+ 43.89 грн
10+ 37.29 грн
25+ 33.98 грн
30+ 32.07 грн
83+ 30.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6071BGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+23.28 грн
26+ 22.46 грн
100+ 19.78 грн
500+ 17.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N6071BGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+56.89 грн
295+ 39.07 грн
500+ 29.65 грн
1000+ 26.45 грн
Мінімальне замовлення: 203
2N6071BGLittelfuse Inc.Description: TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 3 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Supplier Device Package: TO-225AA
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 200 V
на замовлення 28323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.94 грн
10+ 47.17 грн
100+ 32.68 грн
500+ 25.63 грн
1000+ 21.81 грн
2000+ 19.43 грн
5000+ 18.1 грн
10000+ 16.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N6071BGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
товар відсутній
2N6071BGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+33.79 грн
18+ 32.07 грн
100+ 26.82 грн
500+ 22.18 грн
1000+ 19.6 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N6071BGLITTELFUSECategory: Triacs
Description: Triac; 200V; 4A; TO225AA; Igt: 3mA; Ifsm: 30A; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 4A
Case: TO225AA
Gate current: 3mA
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.06 грн
10+ 35.22 грн
12+ 31.08 грн
25+ 28.32 грн
30+ 26.73 грн
83+ 25.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
2N6071BGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+34.53 грн
398+ 28.88 грн
500+ 24.77 грн
1000+ 22.8 грн
Мінімальне замовлення: 333
2N6071BGLittelfuseTRIAC 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
товар відсутній
2N6071BTonsemiDescription: TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA
товар відсутній
2N6071BTGLittelfuseTRIAC Diode 200V 4A(RMS) 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
товар відсутній
2N6071BTGLittelfuseTRIAC Diode 200V 4A(RMS) 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
товар відсутній
2N6071BTGLITTELFUSECategory: Triacs
Description: Triac; 200V; 4A; TO225AA; Igt: 3mA; Ifsm: 30A; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 4A
Case: TO225AA
Gate current: 3mA
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
товар відсутній
2N6071BTGLittelfuseTRIAC Diode 200V 4A(RMS) 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Tube
товар відсутній
2N6071BTGLittelfuse Inc.Description: TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 3 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Supplier Device Package: TO-225AA
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 200 V
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.3 грн
10+ 64.85 грн
100+ 50.59 грн
500+ 39.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N6071BTGLittelfuseTriacs Sensitive Gate
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+80.44 грн
10+ 65.42 грн
100+ 44.29 грн
500+ 37.53 грн
1000+ 30.56 грн
1920+ 29.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N6071BTGLITTELFUSECategory: Triacs
Description: Triac; 200V; 4A; TO225AA; Igt: 3mA; Ifsm: 30A; sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 4A
Case: TO225AA
Gate current: 3mA
Max. forward impulse current: 30A
Features of semiconductor devices: sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N6073 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRIAC 4A 400V TO-126
товар відсутній
2N6073 TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRIAC 4A 400V TO-126
товар відсутній
2N6073AonsemiTriacs THY 4A 400V TRIAC
товар відсутній
2N6073AONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6073A - 2N6073A, TRIACS
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 392928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N6073AonsemiDescription: THYRISTOR TRIAC 4A 400V TO225AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Supplier Device Package: TO-126
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 400 V
на замовлення 392928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2N6073A PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRIAC 4A 400V TO-126
товар відсутній
2N6073A TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRIAC 4A 400V TO-126
товар відсутній
2N6073AGLITTELFUSECategory: Triacs
Description: Triac; 400V; 4A; TO225; Igt: 5mA; glass passivated,sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 4A
Case: TO225
Gate current: 5mA
Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.63 грн
10+ 35.91 грн
25+ 31.08 грн
31+ 26.66 грн
83+ 25.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N6073AGLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - 2N6073AG - Triac, 400 V, 4 A, TO-225, 2.5 V, 30 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-225
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 30A
Spitzen-Durchlassspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 110°C
на замовлення 6888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.67 грн
16+ 47.15 грн
100+ 32.65 грн
500+ 29.28 грн
1000+ 26.14 грн
5000+ 25.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N6073AGLittelfuseTRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6073AGLittelfuseTRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+36.05 грн
Мінімальне замовлення: 506
2N6073AGLittelfuse Inc.Description: TRIAC SENS GATE 400V 4A TO225AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Supplier Device Package: TO-225AA
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 400 V
на замовлення 23306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.94 грн
10+ 47.17 грн
100+ 32.68 грн
500+ 25.63 грн
1000+ 21.81 грн
2000+ 19.43 грн
5000+ 18.1 грн
10000+ 16.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N6073AGLittelfuseTRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.37 грн
19+ 30.89 грн
100+ 26.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N6073AGLittelfuseTRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6073AGLITTELFUSECategory: Triacs
Description: Triac; 400V; 4A; TO225; Igt: 5mA; glass passivated,sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 4A
Case: TO225
Gate current: 5mA
Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+88.36 грн
6+ 44.75 грн
25+ 37.29 грн
31+ 31.99 грн
83+ 30.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N6073AGLittelfuseTRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 11999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+46.55 грн
14+ 42.69 грн
100+ 32.44 грн
500+ 26.96 грн
1000+ 20.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N6073AGONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6073AG - Triac, 400 V, 4 A, TO-225, 2.5 V, 30 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-225
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 30A
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 110°C
на замовлення 44009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500
2N6073AGLittelfuseTRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+69.3 грн
174+ 66.2 грн
250+ 63.55 грн
500+ 59.07 грн
1000+ 52.91 грн
2500+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 166
2N6073AGLittelfuseTRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6073AGLittelfuseTRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6073AGLittelfuseTriacs THY 4A 400V TRIACR
на замовлення 10868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.22 грн
10+ 46.97 грн
100+ 32.16 грн
500+ 27.25 грн
1000+ 25.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N6073BON
на замовлення 38889 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6073BON09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6073B PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRIAC 4A 400V TO-126
товар відсутній
2N6073B TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRIAC 4A 400V TO-126
товар відсутній
2N6073BGLittelfuseTRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6073BGLittelfuse Inc.Description: TRIAC SENS GATE 400V 4A TO225AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 3 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Supplier Device Package: TO-225AA
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 400 V
на замовлення 32783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.55 грн
10+ 50.48 грн
100+ 39.28 грн
500+ 31.24 грн
1000+ 25.45 грн
2000+ 23.96 грн
5000+ 22.44 грн
10000+ 21.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6073BGLITTELFUSECategory: Triacs
Description: Triac; 400V; 4A; TO225; Igt: 3mA; glass passivated,sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 4A
Case: TO225
Gate current: 3mA
Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.15 грн
6+ 45.61 грн
25+ 38.95 грн
29+ 33.15 грн
79+ 31.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6073BGLittelfuseTRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
товар відсутній
2N6073BGLittelfuseTriacs Sensitive Gate
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.89 грн
10+ 35.45 грн
500+ 29.24 грн
1000+ 26.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N6073BGLITTELFUSECategory: Triacs
Description: Triac; 400V; 4A; TO225; Igt: 3mA; glass passivated,sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. load current: 4A
Case: TO225
Gate current: 3mA
Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.29 грн
10+ 36.6 грн
25+ 32.46 грн
29+ 27.62 грн
79+ 26.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N6073BGLittelfuseTRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+38.07 грн
305+ 37.7 грн
500+ 33.97 грн
Мінімальне замовлення: 302
2N6073BGLittelfuseTRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+47.8 грн
17+ 35.35 грн
100+ 35 грн
500+ 30.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N6073BG
Код товару: 169009
Тиристори > Тріаки (сімістори)
товар відсутній
2N6073BGLittelfuseTRIAC 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
товар відсутній
2N6073BG; 400V; 4A; 3mA; корпус: TO-126 (TO-225); LITTELFUSE
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+218.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6075ON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6075AonsemiTriacs THY 4A 600V TRIAC
товар відсутній
2N6075AON05+06+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6075AON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6075A PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRIAC SENS GATE 600V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 600 V
товар відсутній
2N6075A PBFREECentral SemiconductorTriacs . .
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140 грн
10+ 115.89 грн
100+ 79.56 грн
250+ 74.26 грн
500+ 66.96 грн
1000+ 57.08 грн
2000+ 54.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6075A TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRIAC SENS GATE 600V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 600 V
товар відсутній
2N6075A TIN/LEADCentral SemiconductorTriacs Sensitive Gate Triac 600Vdrm 4.0A Rms
товар відсутній
2N6075AGLittelfuseTRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 26146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+41.27 грн
16+ 37.39 грн
100+ 29.65 грн
500+ 23.41 грн
1000+ 18.78 грн
2000+ 17.85 грн
5000+ 17.12 грн
10000+ 15.79 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N6075AGLittelfuseTRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6075AGLITTELFUSECategory: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO225; Igt: 5mA; glass passivated,sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO225
Gate current: 5mA
Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+116.92 грн
5+ 52.5 грн
25+ 44.75 грн
26+ 37.96 грн
70+ 35.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6075AGLITTELFUSECategory: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO225; Igt: 5mA; glass passivated,sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO225
Gate current: 5mA
Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.43 грн
9+ 42.13 грн
25+ 37.29 грн
26+ 31.63 грн
70+ 29.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N6075AGLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - 2N6075AG - Triac, 600 V, 4 A, TO-225, 2.5 V, 30 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-225
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 30A
Spitzen-Durchlassspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 110°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.67 грн
16+ 47.15 грн
100+ 32.65 грн
500+ 29.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N6075AGLittelfuseTRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
товар відсутній
2N6075AGLittelfuseTRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+32.85 грн
409+ 28.11 грн
500+ 24.32 грн
1000+ 21.04 грн
Мінімальне замовлення: 350
2N6075AGLittelfuseTRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 28646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.4 грн
Мінімальне замовлення: 19
2N6075AGLittelfuseTRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 26136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+37.15 грн
391+ 29.47 грн
500+ 24.12 грн
1000+ 20.15 грн
2000+ 18.47 грн
5000+ 17.01 грн
10000+ 15.69 грн
Мінімальне замовлення: 310
2N6075AGLITTELFUSETriac; It=4A; Vdrm=600V; Igt=10mA 2N6075AG 2N6075A TR0042n6075a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N6075AGLittelfuseTRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.37 грн
19+ 30.5 грн
100+ 26.1 грн
500+ 21.77 грн
1000+ 18.09 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N6075AGLittelfuse Inc.Description: TRIAC SENS GATE 600V 4A TO225AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Supplier Device Package: TO-225AA
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 10499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.94 грн
10+ 47.17 грн
100+ 32.68 грн
500+ 25.63 грн
1000+ 21.81 грн
2500+ 19.43 грн
5000+ 18.1 грн
10000+ 16.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N6075AGLittelfuseTriacs Sensitive Gate
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.08 грн
10+ 48.11 грн
100+ 30.3 грн
500+ 25.59 грн
1000+ 25.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N6075BON
на замовлення 38889 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6075BonsemiDescription: THYRISTOR TRIAC 4A 600V TO225AA
товар відсутній
2N6075B
Код товару: 173157
Тиристори > Тріаки (сімістори)
товар відсутній
2N6075BonsemiTriacs THY 4A 600V TRIAC
товар відсутній
2N6075B PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRIAC SENS GATE 600V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Supplier Device Package: TO-126
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 600 V
товар відсутній
2N6075B TIN/LEADCentral Semiconductor CorpDescription: TRIAC SENS GATE 600V 4A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Supplier Device Package: TO-126
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 600 V
товар відсутній
2N6075BGLittelfuseTriacs Sensitive Gate
на замовлення 12825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.88 грн
10+ 52.69 грн
100+ 32.16 грн
500+ 26.85 грн
1000+ 25.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6075BGLittelfuseTRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+33.65 грн
19+ 31.62 грн
100+ 26.88 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N6075BGLittelfuse Inc.Description: TRIAC SENS GATE 600V 4A TO225AA
Packaging: Box
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 110°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 15 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 3 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 30A @ 60Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.5 V
Supplier Device Package: TO-225AA
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 11973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.94 грн
10+ 47.17 грн
100+ 32.68 грн
500+ 25.63 грн
1000+ 21.81 грн
2500+ 19.43 грн
5000+ 18.1 грн
10000+ 16.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N6075BGLittelfuseTRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
товар відсутній
2N6075BGLittelfuseTRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6075BGLITTELFUSETriac; It=4A; Vdrm=600V; Igt=5mA 2N6075BG 2N6075B TR0042n6075b
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
2N6075BGLittelfuseTRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
2N6075BGLITTELFUSECategory: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO225; Igt: 3mA; glass passivated,sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO225
Gate current: 3mA
Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.72 грн
9+ 41.23 грн
25+ 36.26 грн
26+ 31.08 грн
71+ 29.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6075BGLittelfuseTRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+31.33 грн
20+ 29.56 грн
100+ 25.38 грн
Мінімальне замовлення: 19
2N6075BGLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - 2N6075BG - Triac, 600 V, 4 A, TO-225, 2.5 V, 30 A, 15 mA
tariffCode: 85413000
Bauform - Triac: TO-225
rohsCompliant: YES
Haltestrom, max.: 15mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nicht periodischer Spitzen-Stoßstrom: 30A
Spitzen-Durchlassspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
RMS-Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2.5V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Durchsteckmontage
Betriebstemperatur, max.: 110°C
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.67 грн
16+ 47.15 грн
100+ 32.65 грн
500+ 29.28 грн
1000+ 26.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N6075BGLITTELFUSECategory: Triacs
Description: Triac; 600V; 4A; TO225; Igt: 3mA; glass passivated,sensitive gate
Type of thyristor: triac
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 4A
Case: TO225
Gate current: 3mA
Features of semiconductor devices: glass passivated; sensitive gate
Mounting: THT
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+93.27 грн
6+ 51.38 грн
25+ 43.51 грн
26+ 37.29 грн
71+ 35.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6075BGLittelfuseTRIAC 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-225
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6076MOTCAN
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6076ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6076 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 13889
2N6076MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6076Fairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 0.5A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 36106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2N6076 APM PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
товар відсутній
2N6076 APM TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
товар відсутній
2N6076 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Lo Noise
товар відсутній
2N6076 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 25Vcbo 25Vceo 5.0Vebo 100mA 625mW
товар відсутній
2N6076 TRE PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
товар відсутній
2N6076 TRE TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
товар відсутній
2N6076_D26ZonsemiDescription: TRANS PNP 25V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N6076_D27ZonsemiDescription: TRANS PNP 25V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N6076_D75ZonsemiDescription: TRANS PNP 25V 0.5A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 625 mW
товар відсутній
2N6077MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6077MicrosemiTrans GP BJT NPN 275V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-66
товар відсутній
2N6077-QR-BWelwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BACK OF CLASS
товар відсутній
2N6077-QR-BSemelab (TT electronics)Trans GP BJT NPN 275V 7A 45000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
товар відсутній
2N6078Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200µA, 1.2mA
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 45 W
товар відсутній
2N6078Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6078Microchip Technology / AtmelBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6078MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6079Microchip Technology / AtmelBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6079MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6079Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6079Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200µA, 1.2mA
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
товар відсутній
2N607AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N608MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N608MOTCAN
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6080MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6081MOTOROLA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6082MOTOROLA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6083MOTOROLA
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6084MOTOROLA
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6085MOTCAN
на замовлення 843 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6086MOTCAN
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6087MOTCAN
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6088MOTCAN
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6089MOTCAN
на замовлення 246 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N608AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N609MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N609MOTCAN
на замовлення 827 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6090MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6090MOTCAN
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6091MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6091MOTCAN
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6092MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6092MOTCAN
на замовлення 617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6093MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6097MOTO
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6099onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6099STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6099 LEADFREEonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6099 LEADFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Purp Power
товар відсутній
2N6099 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 60V 10A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 75 W
товар відсутній
2N6099 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Gen Purp Power
на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.06 грн
10+ 133.43 грн
25+ 109.4 грн
100+ 93.48 грн
500+ 78.23 грн
2500+ 66.96 грн
5000+ 65.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6099 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 10A 75W 70Vcbo 60Vceo 10A 5.0MHz
товар відсутній
2N609AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N60ACAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N60B
Код товару: 56361
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2 A
товар відсутній
2N60BCAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N60CCAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N60EPH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N60LUTC
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N60L-A
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N60L-B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N61CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N610MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N610MOTCAN
на замовлення 541 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6100MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6100 (TO-220)
Код товару: 72867
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
2N6101CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 1.8/75W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 1.8/75W
Case: TO220
Current gain: 20...80
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.43 грн
13+ 26.8 грн
25+ 24.17 грн
44+ 18.24 грн
121+ 17.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N6101CDILCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 70V; 10A; 1.8/75W; TO220
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 10A
Power dissipation: 1.8/75W
Case: TO220
Current gain: 20...80
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.31 грн
8+ 33.39 грн
25+ 29.01 грн
44+ 21.89 грн
121+ 20.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N6102MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6103MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6104MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6106MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6107MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6107 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 70 V, 7 A, 40 W, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 70V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.99 грн
10+ 167.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N6107CDILPNP 7A 70V 40W 2N6107 T2N6107
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2N6107STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6107ARKPNP 7A 70V 40W 2N6107 T2N6107
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2N6107onsemiBipolar Transistors - BJT 7A 70V 40W PNP
товар відсутній
2N6107onsemiDescription: TRANS PNP 70V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6107 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
2N6107 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 70V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6107 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Med Power
товар відсутній
2N6107 SL PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 80Vcbo 70Vceo 5V 7.0A 10A Icm 40W
товар відсутній
2N6107 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 70Vceo 5.0Vebo 7.0A 40W
товар відсутній
2N6107-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 70V 7A TO220AB
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6107GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
2N6107GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
2N6107GonsemiDescription: TRANS PNP 70V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 70 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6107GonsemiBipolar Transistors - BJT 7A 70V 40W PNP
товар відсутній
2N6107GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 70V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
2N6107GONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 7A; 40W; TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 70V
Collector current: 7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 10MHz
товар відсутній
2N6108Harris CorporationDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
товар відсутній
2N6109NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 50V 7A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.93 грн
10+ 81.49 грн
20+ 77.35 грн
50+ 68.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N6109ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6109 - 2N6109, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1460+23.95 грн
Мінімальне замовлення: 1460
2N6109
Код товару: 173158
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2N6109onsemiBipolar Transistors - BJT 7A 50V 40W PNP
товар відсутній
2N6109onsemiDescription: TRANS PNP 50V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 3609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1210+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 1210
2N6109MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6109 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 7 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.47 грн
10+ 121.98 грн
100+ 87.02 грн
500+ 56.42 грн
1000+ 37.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6109CDILPNP 7A 50V 40W (=BDP284) 2N6109 T2N6109
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 680 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 50
2N6109onsemiDescription: TRANS PNP 50V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6109STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6109 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Med Power
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.57 грн
10+ 103.69 грн
50+ 84.86 грн
100+ 72.27 грн
500+ 59.07 грн
1000+ 49.39 грн
2500+ 46.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6109 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 50V 7A TO220-3
Packaging: Box
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.34 грн
10+ 102.56 грн
100+ 82.46 грн
500+ 63.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6109 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
2N6109 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 7.0A 40W
товар відсутній
2N6109GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
2N6109GonsemiDescription: TRANS PNP 50V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6109GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6109GonsemiBipolar Transistors - BJT 7A 50V 40W PNP
товар відсутній
2N6109GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6109G - TRANSISTOR, BIPOL, PNP, 50V, TO-220-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
810+41.2 грн
Мінімальне замовлення: 810
2N610AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N611MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N611MOTCAN
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6110MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6111STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
товар відсутній
2N6111onsemiDescription: TRANS PNP 30V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6111MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6111STMicroelectronicsTrans GP BJT PNP 30V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
2N6111STMicroelectronicsDescription: TRANS PNP 30V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6111onsemiBipolar Transistors - BJT 7A 30V 40W PNP
товар відсутній
2N6111GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6111GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6111GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
2N6111GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6111G - TRANSISTOR, PNP, -30V, -7A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 56449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
2N6111GonsemiBipolar Transistors - BJT 7A 30V 40W PNP
товар відсутній
2N6111GonsemiDescription: TRANS PNP 30V 7A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 56449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
668+29.8 грн
Мінімальне замовлення: 668
2N6111GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 7A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+57.51 грн
12+ 48.41 грн
50+ 47.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N6111G
Код товару: 140236
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2N6112MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6113MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6114MOTCAN
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6115MOTCAN
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6116VISHAYCAN
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6116MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6117MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6117MOTCAN
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6118MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6118MOTCAN
на замовлення 675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6119MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6119MOTCAN
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N611AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N612MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N612MOTCAN
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6120MOTCAN
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6120MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6123onsemiBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6123NTE Electronics, IncDescription: TRANS NPN 80V 4A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.32 грн
10+ 73.21 грн
20+ 69.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N6123MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6123 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+217.92 грн
10+ 173.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N6123 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO220
Mounting: THT
Case: TO220
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Frequency: 2.5MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N6123 PBFREECentral SemiconductorCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 4A; 40W; TO220
Mounting: THT
Case: TO220
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 20...80
Collector current: 4A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 40W
Polarisation: bipolar
Frequency: 2.5MHz
товар відсутній
2N6123 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN Med Pwr
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.11 грн
10+ 141.82 грн
25+ 116.69 грн
100+ 98.79 грн
500+ 80.89 грн
1000+ 67.63 грн
2500+ 63.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6123 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.61 грн
10+ 120.31 грн
100+ 95.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6123 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W
товар відсутній
2N612340Harris CorporationDescription: NPN POWER TRANSISTOR
товар відсутній
2N6124STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6124MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6124 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 4 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
2N6124onsemiBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6124 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Med Power
товар відсутній
2N6124 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 45V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Sleeve
товар відсутній
2N6124 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 45Vcbo 45Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W
товар відсутній
2N6125NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 60V 4A TO220
Packaging: Bag
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-220
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній
2N6125NTE Electronics, Inc.High Power PNP Transistor
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+94.06 грн
Мінімальне замовлення: 123
2N6125 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 4A 40W
товар відсутній
2N6125 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Med Power
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.36 грн
10+ 157.06 грн
25+ 128.62 грн
100+ 109.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6126STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6126Harris CorporationDescription: TRANS PNP 80V 4A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 40 W
на замовлення 608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+70.28 грн
Мінімальне замовлення: 307
2N6126 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP Med Power
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.89 грн
10+ 106.74 грн
25+ 87.52 грн
100+ 72.27 грн
500+ 59.4 грн
1000+ 46.87 грн
2500+ 42.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N6126 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 4.0A 40W
товар відсутній
2N6127Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6127Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin TO-61
товар відсутній
2N6128Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin TO-61
товар відсутній
2N6128Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6129Harris CorporationDescription: NPN POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.2A, 16A
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+68.21 грн
Мінімальне замовлення: 293
2N612AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N613MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N613MOTCAN
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6131Harris CorporationDescription: NPN POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N6134Harris CorporationDescription: PNP POWER TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3.2A, 16A
Frequency - Transition: 2.5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+80.8 грн
Мінімальне замовлення: 247
2N6137MOTCAN
на замовлення 675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6138MOTCAN
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N613AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N614MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N614MOTCAN
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6145Solid State Inc.Description: TO 48 15 AMP TRIAC
товар відсутній
2N6146Solid State Inc.Description: TO 48 15 AMP TRIAC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+864.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N6147Solid State Inc.Description: TO 48 15 AMP TRIAC
товар відсутній
2N614AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N615MOTCAN
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N615MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N615AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N616MOTCAN
на замовлення 336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N616MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6160Solid State Inc.Description: TO 48 30 AMP TRIAC
товар відсутній
2N6161Solid State Inc.Description: TO 48 30 AMP TRIAC
товар відсутній
2N6162Solid State Inc.Description: TO 48 30 AMP TRIAC
товар відсутній
2N6163Solid State Inc.Description: ISOLATED STUD TO48 30 AMP TRIAC
товар відсутній
2N6164Solid State Inc.Description: ISOLATED STUD TO48 30 AMP TRIAC
товар відсутній
2N6165SOLID STATEDescription: SOLID STATE - 2N6165 - Triac, 600 V, 30 A, TO-48, 250 mA, 3.4 V, 20 W
Bauform - Triac: TO-48
Period. Vorwärts-Spitzensperrspannung, Vdrm: 600
Spitzenstoßstrom Itsm bei 50Hz: 250
Zündspannung, max., Vgt: 3.4
Haltestrom Ih, max.: 200
Zündstrom, max. (QI), Igt: 250
Spitzensteuerleistung: 20
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 125
Durchlass-Effektivstrom, IT(rms): 30
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
2N6165Solid State Inc.2N6165
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1344.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N6165Solid State Inc.Description: ISOLATED STUD TO48 30 AMP TRIAC
товар відсутній
2N6166MOTOROLA
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6166SMOTOROLA
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N616AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N617MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N617MOTCAN
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6171Solid State Inc.Description: ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR
товар відсутній
2N6172Solid State Inc.Description: ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR
товар відсутній
2N6173Solid State Inc.Description: ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR
товар відсутній
2N6174Solid State Inc.Description: ISOLATED STUD TO48 35 AMP SCR
товар відсутній
2N617AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N618MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6182Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6182Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200µA, 2mA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 60 W
товар відсутній
2N6183Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200µA, 2mA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 60 W
товар відсутній
2N6183Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6184Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6184Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 200µA, 2mA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 60 W
товар відсутній
2N6185Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6185Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 60 W
товар відсутній
2N6186Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 60 W
товар відсутній
2N6186Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6187Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6187Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 60 W
товар відсутній
2N6188Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 2mA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 60 W
товар відсутній
2N6188Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6189Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 100V 10A 60000mW 3-Pin TO-59
товар відсутній
2N6189Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6189Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 2mA
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 60 W
товар відсутній
2N618AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N619MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N619MOTCAN
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6190Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin TO-5
товар відсутній
2N6190MOTCAN
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6190Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1178.04 грн
100+ 1078.87 грн
500+ 937.48 грн
2N6190Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 5A 3-Pin TO-5
товар відсутній
2N6190SILICONI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6190 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT Small Signal Transistor
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+761.12 грн
10+ 643.51 грн
25+ 507.2 грн
100+ 466.09 грн
250+ 457.47 грн
500+ 388.52 грн
1000+ 369.29 грн
2N6191MOT04+ QFP
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6191Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6191Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
товар відсутній
2N6191SILICONI
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6191Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 5A 10000mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N6191MOTCAN
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6192Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
товар відсутній
2N6192MOTCAN
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6192SILICONI
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6192Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6193Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N6193MOT
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6193Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 100V 5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag
товар відсутній
2N6193Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1012.51 грн
100+ 927.14 грн
2N6193Microsemi CorporationDescription: TRANS PNP 100V 5A TO-39
товар відсутній
2N6193MOTCAN
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6193 MOD1Central SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6193JANMicrochip TechnologyDescription: 2N6193JAN
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6193QFNMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6193QFN/TRMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6193U3Microsemi CorporationDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
товар відсутній
2N6193U3Microchip TechnologyPNP Transistor
товар відсутній
2N6193U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N619AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N62CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N620MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N620MOTCAN
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6202MOTOROLA
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N620AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N621MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N621MOTCAN
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6211Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 225V 2A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
товар відсутній
2N6211MSC
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6211Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 225V 0.005A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TA)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 125mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2716.71 грн
2N6211Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 225V 2A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
товар відсутній
2N6211Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6211Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 225V 2A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
товар відсутній
2N6211 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 275Vcbo 225Vceo 6.0Vebo
товар відсутній
2N6211PMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6212Microsemi CorporationDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
товар відсутній
2N6212Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6212Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 300V 2A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
товар відсутній
2N6212MSC
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6212Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6212 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 350Vcbo 300Vceo 6.0Vebo 2.0A 35W
товар відсутній
2N6213Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6213MSC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6213Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
товар відсутній
2N6213Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 350V 2A 3000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
товар відсутній
2N6213 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 5A 35000mW
товар відсутній
2N6213 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2N6213 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 350V 5A 35000mW
товар відсутній
2N6214Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 400V 2A 3-Pin(2+Tab) TO-66
товар відсутній
2N6214MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6214Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT PNP Transistor
товар відсутній
2N6214 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 450Vcbo 450Vcex 425Vcer 400Vceo 35W
товар відсутній
2N6215Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6216MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6217MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N621AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N622MOTCAN
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N622MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6226Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 100V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N6226MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6226Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 100V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N6227Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6227Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 120V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N6227MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6227Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
товар відсутній
2N6227Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 120V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N6228Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 828-837 дні (днів)
1+2894.44 грн
2N6228MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6228Microchip TechnologyDescription: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
товар відсутній
2N6229Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6229MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6229Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 100V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N622AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N623MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6230MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6230Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6231Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6231MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6232Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 100V 10A 1250mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N6232MOTCAN
на замовлення 549 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6232Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 100V 10A 1250mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N6232Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 100V 10A 1250mW 3-Pin TO-5 Bag
товар відсутній
2N6232MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N62324MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6233MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6233General SemiconductorDescription: TRANS NPN 225V 5A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 5V
Supplier Device Package: TO-66
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 225 V
Power - Max: 50 W
товар відсутній
2N6233Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6233MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6233Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 225V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-66
товар відсутній
2N6234MicrosemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor
товар відсутній
2N6234MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6234Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6235MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6235Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6235Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 325V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-66
товар відсутній
2N6235Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 325V 5A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
товар відсутній
2N6235Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 300V 5A NPN Power BJT THT
товар відсутній
2N6235Microsemi CorporationDescription: NPN TRANSISTOR
товар відсутній
2N623AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N624MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N624MOTCAN
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6240onsemiDescription: SILICON CONTROLLED RECTIFIER
Packaging: Bulk
товар відсутній
2N6246Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
2N6246Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N6246Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6246MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6247Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6247MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6247Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
2N6247Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 80V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N6248Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
2N6248Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 100V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N6248Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6248MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6249Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6249MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6249Microsemi CorporationDescription: NPN TRANSISTOR
товар відсутній
2N6249Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 200V 10A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6249T1Microsemi CorporationDescription: NPN TRANSISTOR
товар відсутній
2N6249T1Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 200V 10A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6249T1Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N624AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N625MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N625MOTCAN
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6250Microsemi CorporationDescription: NPN TRANSISTOR
товар відсутній
2N6250Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 275V 10A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6250Welwyn Components / TT ElectronicsBipolar Transistors - BJT BIPOLAR POWER TRANSISTOR
товар відсутній
2N6250MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6251Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6251MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6251Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
товар відсутній
2N6251Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 350V 10A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6251 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 450Vcbo 350Vceo 375V 6.0V 10A 175W
товар відсутній
2N6251T1Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6251T1Microsemi CorporationDescription: NPN TRANSISTOR
товар відсутній
2N6252MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6253MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6254MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6255MSC
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6255MOTCAN
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6257MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6258MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6259NTE Electronics, Inc.Trans GP BJT NPN 150V 16A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+761.38 грн
25+ 646.07 грн
100+ 555.7 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N6259Solid State Inc.Description: TRANS NPN TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+336.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6259 (транзистор)
Код товару: 62657
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
2N625AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N626MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6260MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6260 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 4.0A 50Vcbo 40Vceo 1.5Vce
товар відсутній
2N6260 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 4.0A 50Vcbo 40Vceo 1.5Vce
товар відсутній
2N6261Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6261MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6261 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 4A 50000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66
товар відсутній
2N6261 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 4.0A 90Vcbo 80Vceo 0.5Vce
товар відсутній
2N6261 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 4.0A 90Vcbo 80Vceo 0.5Vce
товар відсутній
2N6262MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6263MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6264Harris CorporationDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N6264MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N626AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N627MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6270Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6271Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6272Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6272Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 80V 30A 3-Pin TO-63
товар відсутній
2N6273Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6274Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
товар відсутній
2N6274Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 100V 50A NPN Power BJT THT
товар відсутній
2N6274MOTOROLA
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6274Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 100V 50A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6274Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 100V 50A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6275MOTOROLA
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6275Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 120V 50A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6275Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
2N6275Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6276Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
товар відсутній
2N6276Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6276MOTOROLA
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6276Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 120V 50A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6277Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 150V 50A NPN Power BJT THT
товар відсутній
2N6277MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6277Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 150V 50A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6277Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
товар відсутній
2N6278Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
товар відсутній
2N6278Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 100V 50A 3-Pin TO-63
товар відсутній
2N6278Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6279Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
товар відсутній
2N6279Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N627AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N628MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6280Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
товар відсутній
2N6280Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6281Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
товар відсутній
2N6281Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6281Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 150V 50A 3-Pin TO-63
товар відсутній
2N6282MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6282Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6282onsemiDarlington Transistors
товар відсутній
2N6282Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
товар відсутній
2N6282Microchip Technology / AtmelBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
2N6282 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington
товар відсутній
2N6282 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington
товар відсутній
2N6283Microchip TechnologyTrans Darlington NPN 80V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6283Microchip TechnologyTrans Darlington NPN 80V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6283Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN DARL 80V 0.001A TO204
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 1A, 3V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 1 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 175 W
товар відсутній
2N6283onsemionsemi
товар відсутній
2N6283Microchip TechnologyTrans Darlington NPN 80V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6283MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6283Microchip TechnologyDarlington Transistors 80V 20A 175W NPN Power BJT THT
товар відсутній
2N6283 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors . .
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+618.8 грн
10+ 522.28 грн
20+ 411.06 грн
100+ 377.91 грн
260+ 356.03 грн
500+ 333.49 грн
1000+ 300.34 грн
2N6283 PBFREECentral SemiconductorTrans Darlington NPN 80V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
товар відсутній
2N6283 TIN/LEADCentral SemiconductorComplementary Silicon Darlington Power Transistors
товар відсутній
2N6283 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors NPN 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 5.0A 160W
товар відсутній
2N6284Microchip TechnologyDescription: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 1A, 3V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 175 W
товар відсутній
2N6284
Код товару: 60728
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2N6284ON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6284Microchip TechnologyTrans Darlington NPN 100V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6284STMicroelectronicsDarlington Transistors NPN Darlington Sw
товар відсутній
2N6284onsemiDarlington Transistors 20A 100V Bipolar
товар відсутній
2N6284STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN DARL 100V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
Supplier Device Package: TO-3
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 160 W
товар відсутній
2N6284STMicroelectronicsTrans Darlington NPN 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Bag
товар відсутній
2N6284Microchip TechnologyDarlington Transistors 100V 20A 160W NPN Power BJT THT
товар відсутній
2N6284Microchip TechnologyTrans Darlington NPN 100V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6284 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington
товар відсутній
2N6284 TIN/LEADCentral SemiconductorDarlington Transistors Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington
товар відсутній
2N6284GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6284GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 20A
Power dissipation: 160W
Case: TO3
Current gain: 100...18000
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
товар відсутній
2N6284GonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 20A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 160 W
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.74 грн
10+ 318.86 грн
25+ 300.95 грн
100+ 242.08 грн
300+ 228.63 грн
500+ 215.18 грн
2N6284GonsemiDarlington Transistors 20A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.75 грн
10+ 334.72 грн
100+ 254.59 грн
200+ 249.29 грн
600+ 234.7 грн
1000+ 214.15 грн
2600+ 183.65 грн
2N6284GONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 20A; 160W; TO3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 20A
Power dissipation: 160W
Case: TO3
Current gain: 100...18000
Mounting: THT
Kind of package: in-tray
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
2N6284GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6284G
Код товару: 129923
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
2N6284GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6284G - Darlington-Transistor, NPN, 100 V, 160 W, 20 A, TO-3, 2 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-3
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 200°C
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+461.87 грн
10+ 333.2 грн
100+ 285.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6284GONSБиполярный транзистор NPN DARL 100V 20A TO3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+236.48 грн
10+ 200.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N6284GON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6285SGSPNP 20A 60V 160W 2N6285 T2N6285
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N6285ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N6285 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+5179.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
2N6285onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 20A, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 160 W
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4542.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N6285Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товар відсутній
2N6286onsemiDarlington Transistors 20A 80V Bipolar
товар відсутній
2N6286Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP DARL 80V 20A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 1A, 3V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 175 W
товар відсутній
2N6286Microchip TechnologyDarlington Transistors 80V 20A 175W PNP Power BJT THT
товар відсутній
2N6286MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N6286Microchip TechnologyTrans Darlington PNP 80V 20A 175000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6286GonsemiDescription: TRANS PNP DARL 80V 20A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 160 W
товар відсутній
2N6286G
Код товару: 182086
Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
2N6286GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
товар відсутній
2N6286GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N6286GonsemiDarlington Transistors 20A 80V Bipolar Power PNP
товар відсутній
2N6286GON SemiconductorTrans Darlington PNP 80V 20A 160000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)