Продукція > B2M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
B2M-E3/45Vishay General SemiconductorBridge Rectifiers 0.5 Amp 200 Volt
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.32 грн
10+ 50.91 грн
100+ 30.36 грн
500+ 24.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
B2M-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: BRIDGE RECT 1P 200V 500MA MBM
на замовлення 5556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
B2M-E3/45VISHAYB2M-E3/45 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+24.09 грн
80+ 13.33 грн
220+ 12.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
B2M-E3/45VishayDiode Rectifier Bridge Single 200V 0.5A 4-Pin Case MBM Tube
товар відсутній
B2M032120YBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 190A
Power dissipation: 375W
Case: TO247PLUS-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1219.98 грн
2+ 815.85 грн
3+ 771.33 грн
B2M035120YPBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 115nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Case: TO247PLUS-4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
B2M035120YPBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; Idm: 190A; 375W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 115nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 190A
Case: TO247PLUS-4
товар відсутній
B2M065120HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+744.5 грн
2+ 535.85 грн
5+ 506.42 грн
B2M065120HBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+893.41 грн
2+ 667.76 грн
5+ 607.7 грн
30+ 593.21 грн
B2M065120RBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+768.89 грн
2+ 557.74 грн
5+ 527.55 грн
30+ 511.7 грн
B2M065120RBASiC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 85A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 150W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+922.67 грн
2+ 695.03 грн
5+ 633.06 грн
30+ 614.04 грн
B2M065120ZBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+890.48 грн
2+ 663.05 грн
5+ 604.08 грн
30+ 590.49 грн
B2M065120ZBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...18V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+742.07 грн
2+ 532.08 грн
5+ 503.4 грн
30+ 492.08 грн
B2M2S-DPanduitCable Ties MKR Tie Metal Barb 8.0L (203mm) S
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.48 грн
10+ 118.32 грн
100+ 99.99 грн
500+ 96.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
B2M2S-DPanduit CorpDescription: MARKER TIE NATURAL 50LBS 8"
Packaging: Bulk
Color: Natural
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Part Status: Active
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+114.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
B2M2S-D0PanduitCable Ties MKR Tie Metal Barb 8.0L (203mm) S
товар відсутній
B2M2S-D0Panduit CorpDescription: MARKER TIE BLACK 50LBS 8"
Features: Weather Resistant
Packaging: Bulk
Color: Black
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Tensile Strength: 50 lbs (22.68 kg)
Wire/Cable Tie Type: Marker Strap/Flag Tie
Width: 0.185" (4.70mm)
Bundle Diameter: 2.00" (50.80mm)
Length - Actual: 0.667' (203.20mm, 8.00")
Length - Approximate: 8"
товар відсутній
B2MA4.5ZNAIS07+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)