Продукція > BDV

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BDV-15JF-KPATLITE (U.S.A.)Description: PATLITE (U.S.A.) - BDV-15JF-K - VOICE ANNUNCIATOR, 24VDC, 90DB, IP54
tariffCode: 85311030
Resonanzfrequenz: -
rohsCompliant: YES
Schallpegel (SPL): 90dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Versorgungsspannung, V AC: -
Töne: Multiple
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -10°C
Stromverbrauch: -
Außentiefe: 79.5mm
euEccn: NLR
IP- / NEMA-Schutzart: IP54
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, V DC: 24VDC
Betriebstemperatur, max.: 50°C
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32549.62 грн
BDV49
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV50
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV64Central SemiconductorCentral Semiconductor
товар відсутній
BDV64Central Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 60V 12A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
BDV64BournsDarlington Transistors 125W 12A PNP
товар відсутній
BDV64NTE Electronics, IncDescription: TRANS PNP 60V 12A TO218
Packaging: Bag
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.9 грн
10+ 184.84 грн
20+ 175.25 грн
50+ 154.83 грн
100+ 151.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
BDV64-SBourns Inc.Description: TRANS PNP DARL 60V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.5 W
товар відсутній
BDV64-SBournsDarlington Transistors 60V 12A PNP
товар відсутній
BDV64ABournsDarlington Transistors 125W 12A PNP
товар відсутній
BDV64A
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV64ACentral SemiconductorCentral Semiconductor
товар відсутній
BDV64ACentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 80V 12A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
BDV64A-SBournsDarlington Transistors 80V 12A PNP
товар відсутній
BDV64A-SBourns Inc.Description: TRANS PNP DARL 60V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.5 W
товар відсутній
BDV64A-SBournsTrans Darlington PNP 80V 12A 125000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-93
товар відсутній
BDV64BonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 10A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
BDV64BCentral SemiconductorCentral Semiconductor
товар відсутній
BDV64BonsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar
товар відсутній
BDV64BCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 100V 12A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
BDV64BBournsDarlington Transistors 125W 12A PNP
товар відсутній
BDV64B-SBourns Inc.Description: TRANS PNP DARL 100V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.5 W
товар відсутній
BDV64B-SBournsDarlington Transistors 100V 12A PNP
товар відсутній
BDV64BGON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.23 грн
10+ 165.23 грн
25+ 155.59 грн
60+ 143.96 грн
120+ 122.19 грн
270+ 113.04 грн
510+ 87.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
BDV64BGONSEMICategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+243.29 грн
5+ 205.59 грн
7+ 145.4 грн
18+ 138.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
BDV64BGonsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.45 грн
10+ 194.23 грн
30+ 145.9 грн
120+ 128.15 грн
270+ 117.64 грн
570+ 111.07 грн
1140+ 90.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
BDV64BG
Код товару: 125194		ONТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-247
Uке, В: 100 V
Uкб, В: 100 V
Iк, А: 10 А
Примітка: Дарлінгтон
у наявності 7 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+46 грн
BDV64BGONSEMICategory: PNP THT Darlington transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 100V; 10A; 125W; TO247-3
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 10A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.74 грн
5+ 164.98 грн
7+ 121.17 грн
18+ 115.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
BDV64BGON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
BDV64BGONSEMIDescription: ONSEMI - BDV64BG - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.55 грн
10+ 170.3 грн
100+ 137.13 грн
500+ 120.49 грн
1000+ 89.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
BDV64BGON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
BDV64BGON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+142.57 грн
100+ 136.19 грн
250+ 130.74 грн
500+ 121.52 грн
Мінімальне замовлення: 82
BDV64BGonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.34 грн
30+ 151.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
BDV64CNXP
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV64CBournsDarlington Transistors 125W 12A PNP
товар відсутній
BDV64C-SBournsTrans Darlington PNP 120V 12A 125000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-93
товар відсутній
BDV64C-SBourns Inc.Description: TRANS PNP DARL 120V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 3.5 W
товар відсутній
BDV64C-SBournsDarlington Transistors 120V 12A PNP
товар відсутній
BDV64CF
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV64DON
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV64F
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV65Central Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 60V 12A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
BDV65BournsDarlington Transistors 125W 12A NPN
товар відсутній
BDV65Central SemiconductorCentral Semiconductor
товар відсутній
BDV65-SBournsDarlington Transistors 60V 12A NPN
товар відсутній
BDV65-SBourns Inc.Description: TRANS NPN DARL 60V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.5 W
товар відсутній
BDV65APHI09+
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV65ACentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 80V 12A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
BDV65ACentral SemiconductorCentral Semiconductor
товар відсутній
BDV65ABournsDarlington Transistors 125W 12A NPN
товар відсутній
BDV65A-SBournsDarlington Transistors 80V 12A NPN
товар відсутній
BDV65A-SBourns Inc.Description: TRANS NPN DARL 80V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 3.5 W
товар відсутній
BDV65ATUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
BDV65BCentral Semiconductor CorpDescription: TRANS NPN 100V 12A TO218
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-218
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
BDV65BBournsDarlington Transistors 125W 12A NPN
товар відсутній
BDV65BonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
BDV65BCentral SemiconductorCentral Semiconductor
товар відсутній
BDV65BonsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar
товар відсутній
BDV65B
Код товару: 143556		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BDV65B-SBournsDarlington Transistors 100V 12A NPN
товар відсутній
BDV65B-SBourns Inc.Description: TRANS NPN DARL 100V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.5 W
товар відсутній
BDV65B-SBournsTrans Darlington NPN 100V 12A 125000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-93
товар відсутній
BDV65BGONSEMICategory: NPN THT Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 12A; 125W; TO247
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 12A
Power: 125W
Case: TO247
Mounting: THT
товар відсутній
BDV65BGONSEMIDescription: ONSEMI - BDV65BG - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 10A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.2 грн
10+ 187.26 грн
100+ 148.92 грн
500+ 121.85 грн
1000+ 91.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
BDV65BGonsemiDescription: TRANS NPN DARL 100V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 125 W
товар відсутній
BDV65BGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
BDV65BGON SemiconductorTrans Darlington NPN 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BDV65BG
Код товару: 185363		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
BDV65BGonsemiDarlington Transistors 10A 100V Bipolar Power NPN
товар відсутній
BDV65BTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
BDV65CPHI09+
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV65CNXP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV65CBournsDarlington Transistors 125W 12A NPN
товар відсутній
BDV65C-SBournsDarlington Transistors 120V 12A NPN
товар відсутній
BDV65C-SBourns Inc.Description: TRANS NPN DARL 120V 12A SOT93
Packaging: Tube
Package / Case: TO-218-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V
Supplier Device Package: SOT-93
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 3.5 W
товар відсутній
BDV65C-SBournsTrans Darlington NPN 120V 12A 125000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-93
товар відсутній
BDV65CF
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV65F
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV65TUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
BDV66APHI/ON09+ QFP100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV66BMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BDV66B - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 125 W, 16 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: -
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 16A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+500.58 грн
10+ 357.56 грн
100+ 277.94 грн
500+ 193.73 грн
1000+ 133.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
BDV67BMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BDV67B - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 125 W, 16 A, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: -
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 16A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+482.15 грн
10+ 344.29 грн
100+ 268.35 грн
500+ 186.89 грн
1000+ 129.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
BDV91
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV92
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV93
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV94
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV95
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDV96
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BDVDSL2IntelDevelopment Boards & Kits - x86
товар відсутній
BDVDSL3IntelDevelopment Boards & Kits - x86
товар відсутній
BDVDSL4IntelDevelopment Boards & Kits - x86
товар відсутній
BDVDSL5IntelDevelopment Boards & Kits - x86
товар відсутній
BDVDSL6IntelDevelopment Boards & Kits - x86
товар відсутній
BDVDSL9IntelDevelopment Boards & Kits - x86
товар відсутній
BDVDSLAIntelDevelopment Boards & Kits - x86
товар відсутній
BDVDSLBIntelDevelopment Boards & Kits - x86
товар відсутній
BDVDSLCIntelDevelopment Boards & Kits - x86
товар відсутній
BDVOICENTC 946030IntelCPU - Central Processing Units CRB
товар відсутній