Продукція > BGH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BGH 182M E6327Infineon TechnologiesDescription: FILTER LC ESD SMD
товар відсутній
BGH 92M E6327Infineon TechnologiesDescription: FILTER LC ESD SMD
товар відсутній
BGH-1Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товар відсутній
BGH-1-1/3EatonDescription: BUSS FUSE WIRE AND STRIP
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BGH-1-1/3Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товар відсутній
BGH-1/4EatonDescription: BUSS FUSE WIRE AND STRIP
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BGH-1/4Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товар відсутній
BGH-10Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товар відсутній
BGH-10EatonDescription: BUSS FUSE WIRE AND STRIP
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BGH-12180NBBatteryGuyDescription: 12V 18AH HIGH RATE SLA BATTERY
Packaging: Box
Capacity: 18Ah
Size / Dimension: 7.13" L x 2.99" W x 6.36" H (181.1mm x 75.9mm x 161.5mm)
Termination Style: Nut and Bolt
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 12 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6300.26 грн
2+ 4852.16 грн
10+ 4673.72 грн
50+ 3645.43 грн
BGH-1255F2BatteryGuyDescription: 12V 5.5AH HIGH RATE SLA BATTERY
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BGH-1275F2BatteryGuyDescription: 12V 7.5AH HIGH RATE HIGH RATE SL
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BGH-1290F2BatteryGuyDescription: 12V 9.0AH HIGH RATE SLA BATTERY
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BGH-15Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товар відсутній
BGH-15EatonDescription: BUSS FUSE WIRE AND STRIP
товар відсутній
BGH-2Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товар відсутній
BGH-3Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товар відсутній
BGH-3/4EatonDescription: BUSS FUSE WIRE AND STRIP
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BGH-3/4Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товар відсутній
BGH-4Bussmann / EatonSpecialty Fuses FUSE WIRE AND STRIP
товар відсутній
BGH-690F2BatteryGuyDescription: 6V 9.0AH HIGH RATE SLA BATTERY
Packaging: Box
Capacity: 9Ah
Size / Dimension: 5.95" L x 1.34" W x 3.70" H (151.1mm x 34.0mm x 93.9mm)
Termination Style: Spade, .250" (6.3mm)
Battery Chemistry: Sealed Lead Acid (SLA, VRLA)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 6 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2073.96 грн
10+ 1503 грн
50+ 1400.06 грн
100+ 1236.61 грн
BGH-BS-SYL-49713InterlightDescription: Replacement for Ballast Shop BGH
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
товар відсутній
BGH129KBox PartnersDescription: 7-3/4"WX4 3/4"DX16"H HARDWARE BA
Packaging: Box
Color: Kraft
Size / Dimension: 7-3/4" x 4-3/4" x 16"
Type: Hardware Bags
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9438.99 грн
BGH1608B102LT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BGH181B E6327INFINEONTSL7
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BGH2012A221HT
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BGH2012A301HT0805BEAD
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BGH2012A301HT
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BGH2012B601LT0805BEAD
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BGH2012B601LT
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BGH3216B601LT
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BGH40N120HFBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
BGH40N120HFBASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BGH40N120HS1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BGH40N120HS1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 40A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
BGH50N65HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
BGH50N65HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BGH50N65HS1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+835.18 грн
2+ 557.96 грн
4+ 527.08 грн
BGH50N65HS1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1002.21 грн
2+ 695.31 грн
4+ 632.5 грн
150+ 619.32 грн
600+ 608.61 грн
BGH50N65ZF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+736.88 грн
2+ 498.94 грн
5+ 471.49 грн
BGH50N65ZF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 476ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+884.25 грн
2+ 621.76 грн
5+ 565.79 грн
150+ 547.67 грн
600+ 544.38 грн
BGH75N120HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 398nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 443ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
BGH75N120HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 1.2kV; 75A; 568W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 398nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 140ns
Turn-off time: 443ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BGH75N65HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BGH75N65HF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 104ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
BGH75N65ZF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+814.48 грн
2+ 552.47 грн
4+ 522.28 грн
BGH75N65ZF1BASiC SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+977.38 грн
2+ 688.47 грн
4+ 626.73 грн
150+ 602.85 грн
600+ 602.03 грн
BGH91B
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BGH91B E6327INFINEONSMD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BGHSTT06PANDUITDescription: PANDUIT - BGHSTT06 - Wärmeschrumpfschlauch, 2:1, 0.063 ", 1.6 mm, Schwarz, 42.7 ft, 13 m
tariffCode: 85469010
Innendurchmesser nach Schrumpf - metrisch: 0.8mm
rohsCompliant: YES
Schrumpfverhältnis: 2:1
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Material d. Schrumpfschlauchs/-teils: PO (Polyolefin)
Innendurchmesser bei Lieferung - metrisch: 1.6mm
usEccn: EAR99
Farbe d. Schrumpfschlauchs/Formschrumpfteils: Schwarz
euEccn: NLR
Länge - metrisch: 13m
Produktpalette: HSTT
productTraceability: No
Innendurchmesser nach Schrumpf - imperial: 0.031"
Länge - imperial: 42.7ft
Innendurchmesser bei Lieferung - imperial: 0.063"
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1733.92 грн
10+ 1612.71 грн
BGHSTT25Panduit CorpDescription: HEAT SHRINK 0.25" X 8.5M BLACK
товар відсутній
BGHSTT25-2Panduit CorpDescription: HEAT SHRINK 0.25" X 8.5M RED
товар відсутній
BGHSTT25-45Panduit CorpDescription: WIRE MANAGEMENT
товар відсутній
BGHSTT25-6Panduit CorpDescription: HEAT SHRINK 0.25" X 8.5M BLUE
товар відсутній
BGHSTT25-CPanduit CorpDescription: HEAT SHRINK 0.25" X 8.5M CLR
товар відсутній
BGHSTT50-45Panduit CorpDescription: WIRE MANAGEMENT
товар відсутній