НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BSS 131Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS 79CInfineon TechnologiesTrans GP BJT NPN 40V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS 98Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin TO-92
товар відсутній
BSS-025-01-C-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
товар відсутній
BSS-025-01-F-D-ASAMTECDescription: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 50
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
BSS-025-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD
Packaging: Tray
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 50
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.31 грн
10+ 400.95 грн
25+ 378.81 грн
40+ 346.82 грн
80+ 329.48 грн
BSS-025-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+591.24 грн
10+ 559.05 грн
90+ 400.89 грн
540+ 337.63 грн
BSS-025-01-F-D-A-TRSAMTECDescription: SAMTEC - BSS-025-01-F-D-A-TR - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 50 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Hauchvergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 50
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
BSS-025-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL
товар відсутній
BSS-025-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSS-025-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 50POS SMD GOLD
Packaging: Tray
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 50
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+516.5 грн
10+ 447.63 грн
25+ 421.7 грн
40+ 385.6 грн
80+ 375.45 грн
BSS-025-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: .635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL
товар відсутній
BSS-025-01-L-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.28 грн
25+ 405.12 грн
50+ 327.64 грн
100+ 312.32 грн
950+ 305 грн
BSS-050-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+728.76 грн
10+ 686.95 грн
112+ 501.45 грн
280+ 424.2 грн
504+ 399.56 грн
1008+ 371.59 грн
2520+ 360.94 грн
BSS-050-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
товар відсутній
BSS-050-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
товар відсутній
BSS-050-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+842.19 грн
10+ 686.95 грн
112+ 544.07 грн
280+ 480.81 грн
504+ 426.86 грн
BSS-050-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
Packaging: Tray
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 100
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+705.96 грн
10+ 602.39 грн
25+ 579.25 грн
40+ 521.87 грн
80+ 492.87 грн
230+ 449.38 грн
BSS-050-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 100 POS 0.635mm Solder ST SMD Tray
товар відсутній
BSS-050-01-L-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 100 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
товар відсутній
BSS-050-01-L-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
товар відсутній
BSS-050-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 100POS SMD GOLD
товар відсутній
BSS-075-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
товар відсутній
BSS-075-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD
товар відсутній
BSS-075-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD Tray
товар відсутній
BSS-075-01-F-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
товар відсутній
BSS-075-01-F-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 150 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
товар відсутній
BSS-075-01-F-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
товар відсутній
BSS-075-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 150POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 150
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-084-01-F-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 168
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-084-01-H-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 168
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-084-01-L-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 168POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 168
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-C-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-C-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-F-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
товар відсутній
BSS-100-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
товар відсутній
BSS-100-01-F-D-ASAMTECDescription: SAMTEC - BSS-100-01-F-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 200
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
BSS-100-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
товар відсутній
BSS-100-01-F-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-F-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-F-D-LCSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD
товар відсутній
BSS-100-01-F-D-LCSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Lock
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-H-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-H-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-H-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
товар відсутній
BSS-100-01-H-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
товар відсутній
BSS-100-01-H-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
товар відсутній
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
товар відсутній
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
товар відсутній
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-H-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
товар відсутній
BSS-100-01-H-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-L-DSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
товар відсутній
BSS-100-01-L-DSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
товар відсутній
BSS-100-01-L-DSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
товар відсутній
BSS-100-01-L-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-L-D-ASAMTECDescription: SAMTEC - BSS-100-01-L-D-A - Mezzanine-Steckverbinder, Buchse, 0.635 mm, 2 Reihe(n), 200 Kontakt(e), Oberflächenmontage
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 0.635
Anzahl der Kontakte: 200
Mezzanine-Steckverbinder: Buchse
Anzahl der Reihen: 2
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: BSS
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
BSS-100-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
товар відсутній
BSS-100-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1115.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSS-100-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
товар відсутній
BSS-100-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
товар відсутній
BSS-100-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
товар відсутній
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
товар відсутній
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
товар відсутній
BSS-100-01-L-D-A-TRSamtecConn Micro Socket SKT 200 POS 0.635mm Solder ST SMD T/R
товар відсутній
BSS-100-01-L-D-DP-EM2Samtec Inc.Description: CONN DIFF ARRAY RCPT 200POS EDGE
Packaging: Tube
Connector Type: Differential Pair Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-L-D-EM2Samtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-L-D-EM2-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS EDGE MNT GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Board Edge, Straddle Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-L-D-LCSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Lock
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-100-01-L-D-LC-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 200POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Lock
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 200
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Part Status: Active
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-125-01-C-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-125-01-F-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-125-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
товар відсутній
BSS-125-01-F-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
товар відсутній
BSS-125-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 3.00µin (0.076µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-125-01-F-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
товар відсутній
BSS-125-01-H-DSamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD
товар відсутній
BSS-125-01-H-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-125-01-H-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD
товар відсутній
BSS-125-01-H-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-125-01-L-DSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-125-01-L-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Features: Board Guide
Packaging: Tube
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-125-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
товар відсутній
BSS-125-01-L-D-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors 0.635 mm Basic Blade & Beam Socket Strip, Edge Mount
товар відсутній
BSS-125-01-L-D-ASamtecConn Micro Socket SKT 250 POS 0.635mm Solder ST SMD Tube
товар відсутній
BSS-125-01-L-D-A-TRSamtec Inc.Description: CONN SOCKET 250POS SMD GOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Board Guide
Connector Type: Socket, Center Strip Contacts
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 250
Pitch: 0.025" (0.64mm)
Height Above Board: 0.135" (3.43mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 5mm
Number of Rows: 2
товар відсутній
BSS-150-01-C-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD
товар відсутній
BSS-150-01-F-D-ASamtec Inc.Description: CONN SOCKET 300POS SMD GOLD
товар відсутній
BSS-150-01-F-D-EM2Samtec Inc.Description: CONN SOCKET 300POS EDGE MNT GOLD
товар відсутній
BSS-4EssentraEssentra
товар відсутній
BSS-5EssentraEssentra
товар відсутній
BSS-7EssentraEssentra
товар відсутній
BSS-8EssentraOther Tools
товар відсутній
BSS-L100-001Isabellenhuette USADescription: RESISTOR - BUS BAR SHUNT WITH NT
Power (Watts): 20W
Tolerance: ±5%
Packaging: Tray
Temperature Coefficient: ±50ppm/°C
Mounting Type: Shunt Fixture, 60mm Pitch
Type: Current Sensor
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: Automotive AEC-Q200
Resistance: 100 µOhms
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5661.33 грн
10+ 4579.14 грн
25+ 4438.99 грн
BSS010AEssentra ComponentsDescription: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE
на замовлення 13996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.9 грн
9+ 31.77 грн
11+ 26.5 грн
25+ 23.38 грн
50+ 22.38 грн
100+ 19.9 грн
250+ 18.59 грн
500+ 17.62 грн
1000+ 16.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSS015AEssentra ComponentsDescription: PUSH FIT BUMPER: COMPATIBLE HOLE
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSS015AEssentraMounting Fixings FLAT HEAD SPLIT STEM BUMPER:NYL NATURAL
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.38 грн
10+ 43.81 грн
25+ 35.83 грн
50+ 34.23 грн
100+ 30.5 грн
250+ 28.9 грн
500+ 27.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSS05-12VARCO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS10PHI/MOT
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS100onsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товар відсутній
BSS100HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 200
BSS100HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 100mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.100MXP; 179020.0,1; 0034.1506 Fuse: fast-acting; 100mA Bss100
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 200
BSS100onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 220mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS100INFINEON
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS101INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS11PHI/MOT
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS110onsemiDescription: MOSFET P-CH 50V 170MA TO92-3
товар відсутній
BSS110onsemi / FairchildMOSFET DISC BY MFG 2/02
товар відсутній
BSS110INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS119infineonsot-23 09+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS119infineon03/04+ SOT23
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS119Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
BSS119 E6327INFINEONsSh/23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS119 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товар відсутній
BSS119 E6433Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
BSS119 E7796Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товар відсутній
BSS119 E7796Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
BSS119 E7978Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товар відсутній
BSS119 E7978Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
BSS119 H6327Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
BSS119 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS119 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
товар відсутній
BSS119 L6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
товар відсутній
BSS119 L6433Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS119 L7796Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
товар відсутній
BSS119 L7978Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
товар відсутній
BSS119E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товар відсутній
BSS119E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товар відсутній
BSS119L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товар відсутній
BSS119L6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS119L6433Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78 pF @ 25 V
на замовлення 86725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3463+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3463
BSS119L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товар відсутній
BSS119L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
товар відсутній
BSS119N H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 43985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.2 грн
14+ 22.97 грн
100+ 13.65 грн
1000+ 7.92 грн
3000+ 6.66 грн
9000+ 6.19 грн
24000+ 6.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS119N H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS119N H6327Infineon
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS119N H7796Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6918+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 6918
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
727+16.08 грн
892+ 13.1 грн
1000+ 12.01 грн
9000+ 9.19 грн
Мінімальне замовлення: 727
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 41832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.65 грн
15+ 19.7 грн
100+ 11.82 грн
500+ 10.27 грн
1000+ 6.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS119NH6327XTSA1STMicroelectronicsMOSFET
товар відсутній
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS119NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.406 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.406ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 32465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.91 грн
500+ 11.17 грн
1000+ 7.75 грн
3000+ 7.04 грн
6000+ 6.92 грн
12000+ 6.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS119NH6327XTSA1InfineonN-MOSFET 100V 0.19A 6Ω BSS119NH6327XTSA1 BSS119NH6327 Infineon TBSS119n
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 250
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 108200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.55 грн
23+ 13.71 грн
100+ 8.06 грн
1000+ 6.06 грн
3000+ 5.59 грн
9000+ 5.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 38650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
6000+ 6.57 грн
9000+ 5.91 грн
30000+ 5.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS119NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+8.96 грн
50+ 7.49 грн
146+ 5.44 грн
401+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 42
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS119NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS119NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.406 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.406ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.406ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 32465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.39 грн
29+ 26.22 грн
100+ 15.91 грн
500+ 11.17 грн
1000+ 7.75 грн
3000+ 7.04 грн
6000+ 6.92 грн
12000+ 6.79 грн
Мінімальне замовлення: 23
BSS119NH6327XTSA1onsemiMOSFET
товар відсутній
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 9000
BSS119NH6327XTSA1
Код товару: 118883
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSS119NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS119NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.19A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+10.76 грн
50+ 9.34 грн
146+ 6.53 грн
401+ 6.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSS119NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
товар відсутній
BSS119NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET OptiMOS Sm-Signal 100V 6Ohm 190mA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSS119NH7796Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 8803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8803+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 8803
BSS119NH7978XTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 2597
BSS12PHI/MOT
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS123onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123onsemi / FairchildMOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 54154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.33 грн
17+ 18.61 грн
100+ 9.19 грн
1000+ 4.66 грн
2500+ 4 грн
10000+ 3.2 грн
15000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.13 грн
47+ 12.36 грн
49+ 11.85 грн
100+ 6.26 грн
250+ 4.49 грн
500+ 4.12 грн
1000+ 2.94 грн
3000+ 2.48 грн
6000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 36
BSS123JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 JSMICRO TBSS123 JSM
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.18 грн
9000+ 3.59 грн
24000+ 3.44 грн
45000+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.54 грн
6000+ 1.4 грн
9000+ 1.19 грн
30000+ 1.03 грн
75000+ 0.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+3.07 грн
45000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BSS123SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 6Ohm; 150mA; 250mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SLKOR TBSS123 SLK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
BSS123YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSS123YANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
BSS123Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.23 грн
6000+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.01 грн
9000+ 3.48 грн
24000+ 2.85 грн
45000+ 2.52 грн
99000+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123FairchildN-MOSFET 100V 170mA 6Ω 360mW BSS123 Fairchild TBSS123 FAI
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2 грн
Мінімальне замовлення: 250
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 140
BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 343978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS123NextGen ComponentsDescription: MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+23.39 грн
39+ 15.17 грн
100+ 6.82 грн
500+ 6.49 грн
1000+ 4.44 грн
3000+ 3.26 грн
6000+ 3.23 грн
9000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSS123onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10639+1.1 грн
Мінімальне замовлення: 10639
BSS123SHIKUESTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 SHIKUES TBSS123 SHK
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS123ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
59+4.62 грн
100+ 3.98 грн
250+ 3.38 грн
324+ 2.97 грн
891+ 2.81 грн
3000+ 2.71 грн
Мінімальне замовлення: 59
BSS123ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDescription: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
на замовлення 2722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+8.64 грн
46+ 6.1 грн
100+ 3.27 грн
500+ 2.41 грн
1000+ 1.68 грн
Мінімальне замовлення: 34
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1671+6.99 грн
2156+ 5.42 грн
2256+ 5.17 грн
3158+ 3.56 грн
3750+ 2.78 грн
6000+ 2.37 грн
15000+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 1671
BSS123UMWTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS123,215; BSS123LT1G; BSS123LT3G; BSS123LT7G; BSS123NH6327XTSA1; BSS123NH6433XTMA1; BSS123-7-F; BSS123-TP; BSS123 UMW TBSS123 UMW
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS123ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
98+3.85 грн
109+ 3.19 грн
250+ 2.82 грн
324+ 2.48 грн
891+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 98
BSS123Fairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 2,5 @ 10 В; Rds = 6 Ом @ 170 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+207.99 грн
10+ 62.4 грн
100+ 19.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 343978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.58 грн
37+ 20.54 грн
100+ 7.99 грн
500+ 7.28 грн
Мінімальне замовлення: 26
BSS123Good-Ark SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.19A, 100
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31.6 pF @ 50 V
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.97 грн
26+ 11.03 грн
27+ 10.52 грн
100+ 5.64 грн
250+ 4.18 грн
500+ 3.47 грн
1000+ 2.33 грн
Мінімальне замовлення: 23
BSS123ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123 E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123 E6433Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123 E6433Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
BSS123 H6327Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
BSS123 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
товар відсутній
BSS123 L6433Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123 L6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
товар відсутній
BSS123 L7874Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 170mA SOT-23-3
товар відсутній
BSS123,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23188 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
29+9.32 грн
61+ 4.29 грн
100+ 3.74 грн
325+ 2.97 грн
892+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 29
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3723+3.14 грн
9000+ 2.65 грн
24000+ 2.43 грн
45000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3723
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+19.21 грн
44+ 13.2 грн
106+ 5.3 грн
250+ 4.86 грн
500+ 4.61 грн
1000+ 4.15 грн
3000+ 3.69 грн
6000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 31
BSS123,215NXPN-MOSFET 100V 150mA 6Ω 250mW BSS123,215 BSS123 NXP TBSS123 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 9075 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 522000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.34 грн
9000+ 2.79 грн
24000+ 2.64 грн
45000+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 328571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.73 грн
23+ 12.35 грн
100+ 6.04 грн
500+ 4.73 грн
1000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 16
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1974+5.91 грн
1993+ 5.86 грн
2014+ 5.8 грн
2239+ 5.03 грн
3000+ 4.14 грн
6000+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 1974
BSS123,215NXP SemiconductorsN-кан. MOSFET SOT-23
на замовлення 289 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BSS123,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 23188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
49+7.77 грн
101+ 3.44 грн
112+ 3.11 грн
325+ 2.48 грн
892+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 49
BSS123,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+1.9 грн
Мінімальне замовлення: 164
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1890000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3969+2.94 грн
9000+ 2.44 грн
24000+ 2.3 грн
45000+ 2.07 грн
99000+ 1.79 грн
Мінімальне замовлення: 3969
BSS123,215NexperiaMOSFET BSS123/SOT23/TO-236AB
на замовлення 91715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.2 грн
23+ 13.71 грн
100+ 4.86 грн
1000+ 3.26 грн
3000+ 2.53 грн
9000+ 2.13 грн
24000+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 16
BSS123,215NXPN-MOSFET 100V 150mA 6Ω 250mW BSS123,215 BSS123 NXP TBSS123 NXP
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1890000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.74 грн
9000+ 2.28 грн
24000+ 2.14 грн
45000+ 1.93 грн
99000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 138967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.05 грн
59+ 12.85 грн
113+ 6.66 грн
500+ 3.96 грн
1500+ 3.59 грн
Мінімальне замовлення: 40
BSS123,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 327000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.15 грн
6000+ 2.81 грн
9000+ 2.33 грн
30000+ 2.15 грн
75000+ 1.93 грн
150000+ 1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.91 грн
9000+ 2.46 грн
24000+ 2.25 грн
45000+ 2.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1890000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS123,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 138967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.96 грн
1500+ 3.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS123,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+20.59 грн
42+ 13.97 грн
102+ 5.69 грн
1000+ 3.64 грн
Мінімальне замовлення: 29
BSS123-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123-13PMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
BSS123-13PMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123-7Diodes IncorporatedMOSFET 100V 360mW
товар відсутній
BSS123-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+6.2 грн
160+ 2.3 грн
Мінімальне замовлення: 70
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.72 грн
9000+ 2.11 грн
24000+ 2.09 грн
45000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1404000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4190+2.79 грн
9000+ 2.16 грн
24000+ 2.14 грн
45000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 4190
BSS123-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 344725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.4 грн
1500+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2193+5.32 грн
2260+ 5.17 грн
Мінімальне замовлення: 2193
BSS123-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 198965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+18.01 грн
24+ 11.65 грн
100+ 5.7 грн
500+ 4.46 грн
1000+ 3.1 грн
Мінімальне замовлення: 16
BSS123-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 100V 360mW
на замовлення 332681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.5 грн
24+ 12.94 грн
100+ 4.66 грн
1000+ 3.2 грн
3000+ 2.53 грн
9000+ 2.13 грн
24000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 16
BSS123-7-FDiodes INC.N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 170 мА; Ptot, Вт = 0,3; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25; Rds = 6 Ом @ 170 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
на замовлення 47 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
47+13.28 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 47
BSS123-7-F
Код товару: 148378
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 756000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.52 грн
9000+ 1.96 грн
24000+ 1.94 грн
45000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.11 грн
51+ 11.52 грн
71+ 8.24 грн
107+ 5.23 грн
250+ 4.41 грн
500+ 4.11 грн
1000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 36
BSS123-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 344725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.64 грн
73+ 10.23 грн
129+ 5.8 грн
500+ 3.4 грн
1500+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 52
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.52 грн
9000+ 1.96 грн
24000+ 1.94 грн
45000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 756000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.72 грн
9000+ 2.11 грн
24000+ 2.09 грн
45000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSS123-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1404400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 198965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.97 грн
6000+ 2.65 грн
9000+ 2.2 грн
30000+ 2.03 грн
75000+ 1.82 грн
150000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.44 грн
100+ 2.87 грн
470+ 2.07 грн
1290+ 1.96 грн
3000+ 1.93 грн
12000+ 1.88 грн
Мінімальне замовлення: 40
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1404000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.59 грн
9000+ 2.01 грн
24000+ 1.99 грн
45000+ 1.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123-7-F .K23DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS123-13-F BSS123-7-F DIODES TBSS123-7-F Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
BSS123-7-F .K23DIODES/ZETEXTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS123-13-F BSS123-7-F DIODES TBSS123-7-F Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
BSS123-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123-E6327
Код товару: 98887
SiemensТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,17 A
Rds(on), Ohm: 6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 55/1.78
Монтаж: SMD
у наявності 2574 шт:
451 шт - РАДІОМАГ-Львів
732 шт - РАДІОМАГ-Харків
1011 шт - РАДІОМАГ-Одеса
380 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+4.5 грн
10+ 4.1 грн
100+ 3.7 грн
1000+ 3.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSS123-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123-F169onsemionsemi N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 100V, 170 mA, 6O
товар відсутній
BSS123-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
товар відсутній
BSS123-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 100V 0.2A SOT-23-3L
товар відсутній
BSS123-GonsemiDescription: FET 100V 6.0 MOHM SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123-GON SemiconductorFET 100V 6.0 MOHM SOT23
товар відсутній
BSS123-GonsemiMOSFET FET 100V 6.0 MOHM
на замовлення 11044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.02 грн
100+ 19.58 грн
1000+ 7.39 грн
3000+ 6.66 грн
9000+ 6.46 грн
24000+ 5.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSS123-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123-GonsemiDescription: FET 100V 6.0 MOHM SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 34µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123-MLMOSLEADERDescription: 0.35W 100V 0.17A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.63 грн
6000+ 2.46 грн
9000+ 2.38 грн
15000+ 2.13 грн
30000+ 1.99 грн
75000+ 1.81 грн
150000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123-R1-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-100TMN
товар відсутній
BSS123-R2-00001PanjitMOSFET
товар відсутній
BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.23 грн
9000+ 1.55 грн
24000+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.13 грн
28+ 10.13 грн
100+ 4.93 грн
500+ 3.85 грн
1000+ 2.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BSS123-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W
на замовлення 10668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+16.63 грн
28+ 11.26 грн
100+ 4 грн
1000+ 2.8 грн
3000+ 2.2 грн
9000+ 2.06 грн
24000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4855+2.4 грн
9000+ 1.67 грн
24000+ 1.59 грн
Мінімальне замовлення: 4855
BSS123-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.35W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSS123-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123.215
Код товару: 49331
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,15 A
Rds(on), Ohm: 6 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
BSS123/LF1RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 120mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123AZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS123ATADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123ATADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123ATADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123ATCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123E6327
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS123E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123E6327Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
BSS123IXTMA1Infineon TechnologiesDescription: 100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
товар відсутній
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
на замовлення 13515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.61 грн
20+ 14.01 грн
100+ 6.83 грн
500+ 5.35 грн
1000+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.84 грн
6000+ 3.59 грн
9000+ 2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123IXTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+4.93 грн
110+ 3.36 грн
250+ 2.98 грн
320+ 2.57 грн
860+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 80
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23
товар відсутній
BSS123IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+18.97 грн
57+ 13.15 грн
102+ 7.34 грн
500+ 4.44 грн
1500+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 40
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.56 грн
6000+ 3.18 грн
9000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1292+9.03 грн
1416+ 8.25 грн
1717+ 6.8 грн
2000+ 6.19 грн
3000+ 4.34 грн
6000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 1292
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 40448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.15 грн
20+ 15.62 грн
100+ 5.53 грн
1000+ 3.86 грн
3000+ 3.06 грн
9000+ 2.53 грн
24000+ 2.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSS123IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.15 грн
102+ 7.34 грн
500+ 4.44 грн
1500+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS123IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3-Pin SOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.14 грн
6000+ 3.87 грн
9000+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123IXTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+5.92 грн
70+ 4.18 грн
250+ 3.57 грн
320+ 3.09 грн
860+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSS123K-13Diodes IncorporatedMOSFET BSS Family SOT23 T&R 10K
товар відсутній
BSS123K-13Diodes IncorporatedDescription: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V
товар відсутній
BSS123K-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
BSS123K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 230MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 50 V
товар відсутній
BSS123K-7Diodes IncorporatedMOSFET BSS Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
9+36.83 грн
11+ 29.48 грн
100+ 17.51 грн
1000+ 9.86 грн
3000+ 8.19 грн
9000+ 7.39 грн
24000+ 7.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSS123K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.42 грн
9000+ 2.01 грн
24000+ 1.84 грн
45000+ 1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123K-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W
на замовлення 24836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.33 грн
27+ 11.72 грн
100+ 4.13 грн
1000+ 2.93 грн
3000+ 2.73 грн
9000+ 2.33 грн
24000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSS123K-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.67 грн
6000+ 2.39 грн
9000+ 1.98 грн
30000+ 1.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123K-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 41143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+15.85 грн
27+ 10.47 грн
100+ 5.13 грн
500+ 4.01 грн
1000+ 2.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSS123K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.28A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.61 грн
9000+ 2.16 грн
24000+ 1.98 грн
45000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSS123K-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123KHE3-TPMicro Commercial ComponentsBSS123KHE3-TP
товар відсутній
BSS123KHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
BSS123KHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123LONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.21 грн
9000+ 2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
на замовлення 133490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.17 грн
21+ 13.39 грн
100+ 6.52 грн
500+ 5.1 грн
1000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4778+2.44 грн
6000+ 2.41 грн
9000+ 2.3 грн
15000+ 2.15 грн
Мінімальне замовлення: 4778
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.27 грн
6000+ 2.24 грн
9000+ 2.13 грн
15000+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123Lonsemi / FairchildMOSFET Small Signal MOSFET 100V 170mA 6 Ohm Single N-Channel SOT-23
на замовлення 773639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.68 грн
24+ 13.1 грн
100+ 5.26 грн
1000+ 3.66 грн
3000+ 2.4 грн
9000+ 2.13 грн
24000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSS123LONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm
на замовлення 45574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.91 грн
46+ 16.36 грн
118+ 6.38 грн
500+ 5.81 грн
Мінімальне замовлення: 32
BSS123LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 25 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.4 грн
6000+ 3.04 грн
9000+ 2.52 грн
30000+ 2.32 грн
75000+ 2.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
45+6.01 грн
100+ 4.5 грн
295+ 3.32 грн
800+ 3.14 грн
3000+ 3.1 грн
Мінімальне замовлення: 45
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3049+3.83 грн
9000+ 3.5 грн
18000+ 3.26 грн
Мінімальне замовлення: 3049
BSS123LONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 2.98 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.405V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.98ohm
на замовлення 45574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1906+6.12 грн
2022+ 5.77 грн
2246+ 5.2 грн
3081+ 3.65 грн
3606+ 2.89 грн
6000+ 2.45 грн
15000+ 2.11 грн
Мінімальне замовлення: 1906
BSS123LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
75+5.01 грн
100+ 3.61 грн
295+ 2.77 грн
800+ 2.62 грн
3000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 75
BSS123LONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSS123LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+17.02 грн
58+ 10.09 грн
65+ 8.92 грн
102+ 5.48 грн
250+ 4.79 грн
500+ 4.14 грн
1000+ 3.02 грн
3000+ 2.58 грн
6000+ 2.27 грн
Мінімальне замовлення: 34
BSS123L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123L6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123L6433HTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123L6433HTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123L6433XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123L7874XTInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 69 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123LGonsemiMOSFET
товар відсутній
BSS123LT1ON
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS123LT1onsemiMOSFET 100V 170mA N-Channel
товар відсутній
BSS123LT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123LT1ONSOT23
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 141
BSS123LT1GONSТранз. Пол. ММ N-MOSFET SOT23 Udss=100V; Id=0,15A; Pdmax=0,25W; Rds=6 Ohm
на замовлення 67 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
25+11.12 грн
28+ 9.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+23.39 грн
37+ 15.69 грн
100+ 6.64 грн
1000+ 4.4 грн
3000+ 2.2 грн
9000+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSS123LT1GonsemiMOSFET 100V 170mA N-Channel
на замовлення 347463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.33 грн
18+ 17.31 грн
100+ 9.52 грн
1000+ 4.26 грн
2500+ 3.66 грн
10000+ 2.86 грн
30000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS123LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 84025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+27.94 грн
40+ 19.05 грн
100+ 10.98 грн
500+ 9.99 грн
Мінімальне замовлення: 27
BSS123LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 172257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.77 грн
18+ 15.61 грн
100+ 7.63 грн
500+ 5.97 грн
1000+ 4.15 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS123LT1GON-SemicoductorN-MOSFET 170mA 100V 360mW 6Ω BSS123, BSS123L6327, BSS123LT1G, BSS123-7-F BSS123 smd TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123LT1Gn-канальний польовий транзистор SOT-23-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
20+13.1 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSS123LT1G
Код товару: 42430
ONТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 0,17 A
Ciss, pF/Qg, nC: 20/
Монтаж: SMD
у наявності 3007 шт:
2786 шт - склад
9 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
202 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+3 грн
10+ 2.5 грн
100+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSS123LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 45829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
80+4.67 грн
100+ 3.92 грн
260+ 3.12 грн
710+ 2.96 грн
12000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 80
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 981000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 84025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+9.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS123LT1GON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 0,2; Ptot, Вт = 0,2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 20 @ 25; Rds = 6 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,8 В @ 1000 мкА; SOT-23-3
на замовлення 452 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
236+2.65 грн
254+ 2.46 грн
273+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 236
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 981000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.56 грн
9000+ 2.38 грн
24000+ 2.36 грн
45000+ 2.1 грн
99000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123LT1GON-SemicoductorN-MOSFET 170mA 100V 360mW 6Ω BSS123, BSS123L6327, BSS123LT1G, BSS123-7-F BSS123 smd TBSS123
на замовлення 12470 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
BSS123LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10VDC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.11 грн
9000+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 171975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.98 грн
6000+ 3.55 грн
9000+ 2.95 грн
30000+ 2.72 грн
75000+ 2.44 грн
150000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123LT1GON-SemicoductorN-MOSFET 170mA 100V 360mW 6Ω BSS123, BSS123L6327, BSS123LT1G, BSS123-7-F BSS123 smd TBSS123
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45829 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
50+5.6 грн
100+ 4.88 грн
260+ 3.75 грн
710+ 3.55 грн
12000+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSS123LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 996000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4250+2.75 грн
9000+ 2.56 грн
24000+ 2.54 грн
45000+ 2.26 грн
99000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 4250
BSS123LT3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123LT3GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123LT7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123LT7GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 15UA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BSS123LT7GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123LT7GonsemiMOSFET NFET SOT23 100V 170MA 6.0
на замовлення 24496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSS123N H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+23.66 грн
512+ 22.81 грн
1000+ 22.06 грн
2500+ 20.65 грн
5000+ 18.61 грн
10000+ 17.42 грн
Мінімальне замовлення: 494
BSS123N H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 818534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.73 грн
16+ 19.68 грн
100+ 9.66 грн
1000+ 4.93 грн
3000+ 4.2 грн
9000+ 3.4 грн
24000+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS123N H6327Infineon
на замовлення 546000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS123N H6433Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 37258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.43 грн
16+ 19.91 грн
100+ 9.86 грн
1000+ 4.99 грн
2500+ 4.33 грн
10000+ 3.4 грн
20000+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS123NH6327Infineon technologies
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS123NH6327XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
товар відсутній
BSS123NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 35688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+21.66 грн
25+ 14.43 грн
35+ 9.96 грн
100+ 5.47 грн
250+ 5.17 грн
279+ 2.88 грн
767+ 2.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSS123NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 169960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.05 грн
55+ 13.75 грн
100+ 8.37 грн
500+ 5.8 грн
1500+ 5.24 грн
Мінімальне замовлення: 40
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 744236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.73 грн
19+ 16.77 грн
100+ 6.39 грн
1000+ 4.86 грн
3000+ 3.93 грн
9000+ 3.4 грн
24000+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.55 грн
9000+ 3.95 грн
24000+ 3.82 грн
45000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 230800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.49 грн
17+ 16.58 грн
100+ 8.39 грн
500+ 6.42 грн
1000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.23 грн
9000+ 3.68 грн
24000+ 3.55 грн
45000+ 2.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.54 грн
37+ 15.76 грн
100+ 6.49 грн
250+ 5.94 грн
500+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 23
BSS123NH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 169960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.37 грн
500+ 5.8 грн
1500+ 5.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS123NH6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35688 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+26 грн
15+ 17.98 грн
25+ 11.95 грн
100+ 6.57 грн
250+ 6.21 грн
279+ 3.45 грн
767+ 3.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 44950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1364+8.56 грн
1596+ 7.31 грн
1684+ 6.93 грн
2000+ 6.26 грн
15000+ 4.99 грн
30000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 1364
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.75 грн
9000+ 4.26 грн
24000+ 4 грн
45000+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.43 грн
6000+ 4.08 грн
9000+ 3.53 грн
30000+ 3.25 грн
75000+ 2.69 грн
150000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.41 грн
9000+ 3.95 грн
24000+ 3.71 грн
45000+ 2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123NH6327XTSA1
Код товару: 198093
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.72 грн
30000+ 3.51 грн
50000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1684+6.93 грн
1741+ 6.71 грн
2500+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 1684
BSS123NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.31 грн
73+ 10.23 грн
250+ 7.84 грн
1000+ 5.09 грн
5000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 33
BSS123NH6433XTMA1Infineon
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.9 pF @ 25 V
на замовлення 228132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.21 грн
17+ 16.86 грн
100+ 8.5 грн
500+ 6.51 грн
1000+ 4.83 грн
2000+ 4.06 грн
5000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS123NH6433XTMA1
Код товару: 190235
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSS123NH6433XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.38 грн
100+ 4.48 грн
235+ 3.43 грн
645+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 70
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.9 грн
17+ 18.76 грн
100+ 6.99 грн
1000+ 4.2 грн
2500+ 4 грн
10000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1408+8.29 грн
1647+ 7.09 грн
1737+ 6.72 грн
2000+ 6.06 грн
10000+ 5.2 грн
20000+ 4.66 грн
Мінімальне замовлення: 1408
BSS123NH6433XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS123NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.23 грн
250+ 7.84 грн
1000+ 5.09 грн
5000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS123NH6433XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
45+6.45 грн
100+ 5.58 грн
235+ 4.12 грн
645+ 3.89 грн
Мінімальне замовлення: 45
BSS123NH6433XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 0.19A Automotive 3-Pin SOT-23
на замовлення 903999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS123Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.51 грн
53+ 14.27 грн
100+ 8.44 грн
500+ 5.38 грн
1000+ 2.69 грн
5000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 35
BSS123Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
BSS123Q-13Diodes IncorporatedDescription: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+17.29 грн
24+ 11.58 грн
100+ 5.66 грн
500+ 4.43 грн
1000+ 3.08 грн
2000+ 2.67 грн
5000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSS123Q-13Diodes IncorporatedMOSFET BSS Family SOT23 T&R 10K
на замовлення 56700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18.8 грн
24+ 12.87 грн
100+ 4.59 грн
1000+ 2.8 грн
2500+ 2.6 грн
10000+ 1.8 грн
20000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSS123Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.38 грн
1000+ 2.69 грн
5000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS123Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 680mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
BSS123Q-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123Q-13Diodes IncorporatedDescription: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS123Q-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
на замовлення 6810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.5 грн
24+ 12.87 грн
100+ 7.13 грн
1000+ 3.2 грн
3000+ 2.53 грн
9000+ 2.13 грн
24000+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 16
BSS123Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.44 грн
80+ 3.28 грн
100+ 2.84 грн
400+ 2.46 грн
1080+ 2.32 грн
3000+ 2.26 грн
Мінімальне замовлення: 40
BSS123Q-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSS123Q-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123Q-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+6.2 грн
140+ 2.64 грн
150+ 2.37 грн
400+ 2.05 грн
Мінімальне замовлення: 70
BSS123Q-7Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 FAMILY SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.95 грн
6000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123Q-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS123T-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123T-HFComchip TechnologyMOSFET 100V 0.19A SOT-23
на замовлення 5898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.78 грн
14+ 23.05 грн
100+ 11.32 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 4.93 грн
9000+ 4 грн
24000+ 3.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS123T-HFComchip Technology100 V, N Channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 294000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.95 грн
6000+ 6.54 грн
9000+ 5.8 грн
30000+ 5.37 грн
75000+ 4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 285000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123TADiodes IncorporatedMOSFET N-Chnl 100V
на замовлення 78152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.33 грн
18+ 17.84 грн
100+ 6.86 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 5.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS123TADIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.4 грн
105+ 7.13 грн
500+ 5.13 грн
1500+ 4.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS123TADiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.1 грн
80+ 4.38 грн
100+ 3.75 грн
250+ 3.24 грн
685+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 35
BSS123TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 29
BSS123TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123TADIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+17.7 грн
61+ 12.4 грн
105+ 7.13 грн
500+ 5.13 грн
1500+ 4.64 грн
Мінімальне замовлення: 43
BSS123TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
на замовлення 297303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.98 грн
13+ 21.5 грн
100+ 10.84 грн
500+ 9.02 грн
1000+ 7.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS123TADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.52 грн
50+ 5.46 грн
100+ 4.5 грн
250+ 3.89 грн
685+ 3.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSS123TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+12.7 грн
62+ 9.39 грн
148+ 3.92 грн
Мінімальне замовлення: 46
BSS123WONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123WTaiwan SemiconductorMOSFET 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
BSS123WONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSS123WonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123WYY100V 200mA 3?@10V,200mA 150mW 1.8V@250uA 7pF@50V; N Channel; 32pF@50V;; -55C~+150C; SOT-323 MOSFETs BSS123W TBSS123W YY
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
товар відсутній
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123WYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1157+10.09 грн
2768+ 4.22 грн
Мінімальне замовлення: 1157
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSS123Wonsemi / FairchildMOSFET 100V NCH ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR
товар відсутній
BSS123WONSEMIDescription: ONSEMI - BSS123W - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 1.39 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.39ohm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSS123WonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 71 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123WYANGJIE TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.16A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BSS123WON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 15819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSS123WTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
BSS123WONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; Idm: 0.68A; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSS123W RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123W RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
BSS123W RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 0.16A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
BSS123W RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 100V, 0.16A, SINGLE N-CHANNEL PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 160mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 50 V
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+17.29 грн
25+ 11.52 грн
100+ 5.63 грн
500+ 4.4 грн
1000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSS123W RFGTaiwan SemiconductorMOSFET 100V, 0.16A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+17.33 грн
26+ 11.87 грн
100+ 6.53 грн
1000+ 3.66 грн
9000+ 1.93 грн
24000+ 1.8 грн
45000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSS123W-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123W-7Diodes IncorporatedMOSFET 100V 200mW
товар відсутній
BSS123W-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123W-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+7.69 грн
500+ 5.24 грн
1500+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS123W-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 740 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+11.83 грн
55+ 4.81 грн
100+ 3.96 грн
285+ 3.43 грн
775+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSS123W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.97 грн
9000+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 100V 200mW
на замовлення 51680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.15 грн
20+ 15.62 грн
100+ 6.19 грн
1000+ 4.93 грн
3000+ 4 грн
9000+ 3.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSS123W-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+9.86 грн
90+ 3.86 грн
110+ 3.3 грн
285+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 40
BSS123W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1554000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.64 грн
6000+ 4.27 грн
9000+ 3.7 грн
30000+ 3.4 грн
75000+ 2.82 грн
150000+ 2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.27 грн
9000+ 3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123W-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123W-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.08 грн
58+ 12.92 грн
100+ 7.69 грн
500+ 5.24 грн
1500+ 4.74 грн
Мінімальне замовлення: 42
BSS123W-7-FDIODES/ZETEXN-MOSFET 100V 170mA 6Ω 200mW BSS123W-7-F Diodes TBSS123w
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 200
BSS123W-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
BSS123W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1092000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3364+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3364
BSS123W-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSS123W-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 1556524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.93 грн
16+ 17.34 грн
100+ 8.78 грн
500+ 6.72 грн
1000+ 4.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS123W-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BSS123W-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
BSS123W-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123W-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Channel Mosfets
товар відсутній
BSS123W-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSS123W-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
BSS123WQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123WQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 260900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.91 грн
6000+ 3.49 грн
9000+ 2.89 грн
30000+ 2.67 грн
75000+ 2.4 грн
150000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123WQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 8233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+17.93 грн
60+ 12.63 грн
103+ 7.27 грн
500+ 4.38 грн
1500+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 42
BSS123WQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
на замовлення 186709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.55 грн
19+ 16.24 грн
100+ 5.93 грн
1000+ 4.13 грн
3000+ 3.33 грн
9000+ 2.8 грн
24000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS123WQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.36 грн
75+ 4.72 грн
100+ 4.24 грн
250+ 3.25 грн
500+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 35
BSS123WQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.31 грн
49+ 12.04 грн
93+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 36
BSS123WQ-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3068+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 3068
BSS123WQ-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 264490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.05 грн
19+ 15.33 грн
100+ 7.48 грн
500+ 5.86 грн
1000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS123WQ-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS123WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 mA, 6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 8233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.63 грн
103+ 7.27 грн
500+ 4.38 грн
1500+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS123WQ-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 645 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.63 грн
45+ 5.88 грн
100+ 5.09 грн
250+ 3.9 грн
500+ 3.89 грн
685+ 3.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSS123WQ-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.17A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS123_Qonsemi / FairchildMOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
товар відсутній
BSS123_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
65+4.19 грн
100+ 3.28 грн
415+ 2.34 грн
1135+ 2.21 грн
9000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 65
BSS123_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 12095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+13.69 грн
30+ 9.5 грн
100+ 4.61 грн
500+ 3.61 грн
1000+ 2.51 грн
Мінімальне замовлення: 22
BSS123_R1_00001PanjitMOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 9524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.15 грн
29+ 10.57 грн
100+ 3.73 грн
1000+ 2.6 грн
3000+ 2.06 грн
9000+ 1.66 грн
24000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 21
BSS123_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.41 грн
6000+ 2.15 грн
9000+ 1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS123_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 170mA; Idm: 0.68A; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.17A
Pulsed drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
110+3.49 грн
135+ 2.64 грн
415+ 1.95 грн
1135+ 1.84 грн
Мінімальне замовлення: 110
BSS123_R2_00001PanjitMOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
товар відсутній
BSS124
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS125
Код товару: 51591
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 600 V
Idd,A: 0,1 A
Rds(on), Ohm: 45 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
BSS125CSEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 125mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.125MXP; 179020.0,125; 0034.1507 Fuse: fast-acting; 125mA Bss125
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 400
BSS125
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS126 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS126 E6327Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
BSS126 E6906Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
BSS126 E6906Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS126 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
535+21.83 грн
555+ 21.04 грн
1000+ 20.36 грн
2500+ 19.05 грн
5000+ 17.17 грн
Мінімальне замовлення: 535
BSS126 H6327InfineonN-MOSFET 600V 0.021A 500Ω 500mW BSS126H6327XTSA2 BSS126H6327 Infineon TBSS126
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS126 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.25 грн
11+ 27.95 грн
100+ 18.18 грн
500+ 14.32 грн
1000+ 11.39 грн
3000+ 9.66 грн
9000+ 8.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS126 H6906Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
товар відсутній
BSS126 H6906Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
на замовлення 8814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47 грн
10+ 41.2 грн
100+ 24.37 грн
500+ 20.38 грн
1000+ 17.31 грн
3000+ 15.72 грн
6000+ 15.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSS126 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
товар відсутній
BSS126 L6906Infineon TechnologiesMOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 600V
товар відсутній
BSS126 транзистор
Код товару: 61604
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
BSS126H
Код товару: 113030
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSS126H6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS126H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.1 грн
6000+ 8.8 грн
9000+ 8.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
на замовлення 120119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.26 грн
12+ 25.11 грн
100+ 17.46 грн
500+ 12.79 грн
1000+ 10.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.77 грн
6000+ 9.46 грн
9000+ 9.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
на замовлення 19610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.25 грн
11+ 27.95 грн
100+ 16.91 грн
500+ 13.19 грн
1000+ 10.72 грн
3000+ 8.66 грн
9000+ 8.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS126H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+23.76 грн
50+ 20.49 грн
64+ 15.15 грн
176+ 14.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS126H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.56 грн
23+ 33.69 грн
100+ 21.07 грн
500+ 15.26 грн
1000+ 9.16 грн
5000+ 8.9 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
543+21.5 грн
546+ 21.4 грн
671+ 17.41 грн
1000+ 15.76 грн
2000+ 14.42 грн
3000+ 13.09 грн
6000+ 12.34 грн
Мінімальне замовлення: 543
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.29 грн
6000+ 9.4 грн
9000+ 8.73 грн
30000+ 8 грн
75000+ 7.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+19.8 грн
50+ 16.44 грн
64+ 12.63 грн
176+ 11.93 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
806+14.5 грн
811+ 14.4 грн
876+ 13.33 грн
1000+ 12.48 грн
2000+ 11.46 грн
6000+ 10.5 грн
Мінімальне замовлення: 806
BSS126H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS126H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS126H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.07 грн
500+ 15.26 грн
1000+ 9.16 грн
5000+ 8.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+89.29 грн
268+ 43.57 грн
293+ 39.88 грн
295+ 38.27 грн
500+ 28.83 грн
1000+ 25.84 грн
2000+ 25.68 грн
3000+ 24.34 грн
6000+ 22.93 грн
Мінімальне замовлення: 131
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 45000
BSS126H6906XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
на замовлення 39773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.19 грн
500+ 16.58 грн
1500+ 14.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 43413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
671+17.41 грн
708+ 16.5 грн
715+ 16.33 грн
717+ 15.7 грн
1000+ 14.5 грн
3000+ 13.87 грн
6000+ 13.83 грн
15000+ 13.79 грн
30000+ 13.75 грн
Мінімальне замовлення: 671
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
на замовлення 7008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.94 грн
10+ 36.49 грн
100+ 25.27 грн
500+ 19.81 грн
1000+ 16.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.73 грн
6000+ 16.02 грн
9000+ 15.04 грн
24000+ 14.47 грн
30000+ 13.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.72 грн
6000+ 12.53 грн
9000+ 12.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126H6906XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
на замовлення 39773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.35 грн
50+ 27.27 грн
100+ 22.19 грн
500+ 16.58 грн
1500+ 14.98 грн
Мінімальне замовлення: 24
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.69 грн
6000+ 13.49 грн
9000+ 13.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.97 грн
6000+ 17.2 грн
9000+ 16.16 грн
24000+ 15.55 грн
30000+ 14.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 43413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+16.58 грн
36+ 16.17 грн
100+ 14.78 грн
250+ 13.54 грн
500+ 12.96 грн
1000+ 12.93 грн
3000+ 12.88 грн
6000+ 12.84 грн
Мінімальне замовлення: 35
BSS126H6906XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
на замовлення 42228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.25 грн
11+ 28.8 грн
100+ 18.98 грн
500+ 16.85 грн
1000+ 15.25 грн
3000+ 14.32 грн
6000+ 13.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.22 грн
6000+ 7.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.61 грн
26+ 29.58 грн
100+ 18.08 грн
500+ 12.76 грн
1000+ 8 грн
Мінімальне замовлення: 21
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
326+35.89 грн
603+ 19.36 грн
746+ 15.66 грн
1000+ 13.04 грн
2000+ 11.98 грн
3000+ 9.67 грн
Мінімальне замовлення: 326
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 10602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.38 грн
14+ 23.51 грн
100+ 11.39 грн
1000+ 7.72 грн
3000+ 6.73 грн
9000+ 6.33 грн
24000+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
на замовлення 4165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.09 грн
14+ 21.16 грн
100+ 12.67 грн
500+ 11 грн
1000+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.28 грн
6000+ 7.93 грн
9000+ 7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS126IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 280 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 280ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 280ohm
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.08 грн
500+ 12.76 грн
1000+ 8 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-5
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.92 грн
6000+ 8.54 грн
9000+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS126L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS126L6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS126L6906HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS126SK-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 10K
товар відсутній
BSS126SK-13Diodes IncorporatedDescription: DIODE GP SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS126SK-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SOT23 T&R 3K
товар відсутній
BSS126SK-7Diodes IncorporatedDescription: DIODE GP SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.9 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS127Infineon TechnologiesMOSFET N-Channel Small Signal MOSFETs (20 V to 800 V)
товар відсутній
BSS127Rectron USADescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 21MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS127
Код товару: 40606
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSS127N/ASOT-23 05+
на замовлення 208500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS127 E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS127 E6327Infineon TechnologiesInfineon
товар відсутній
BSS127 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
на замовлення 25951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.25 грн
13+ 24.81 грн
100+ 13.45 грн
1000+ 7.26 грн
3000+ 6.13 грн
9000+ 5.46 грн
24000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS127 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+19.27 грн
629+ 18.57 грн
1000+ 17.97 грн
2500+ 16.81 грн
5000+ 15.15 грн
10000+ 14.19 грн
Мінімальне замовлення: 606
BSS127 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 210mA SOT-23-3
товар відсутній
BSS127E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS127H6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS127H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS127H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 500Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
49+7.77 грн
54+ 6.45 грн
143+ 5.62 грн
391+ 5.34 грн
1000+ 5.13 грн
Мінімальне замовлення: 49
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 9000
BSS127H6327XTSA2InfineonN-MOSFET 600V 21mA 500Ω 500mW BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327 Infineon TBSS127
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.46 грн
9000+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.77 грн
6000+ 6.37 грн
9000+ 5.65 грн
30000+ 5.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.63 грн
9000+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS127H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
на замовлення 13865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.21 грн
500+ 6.94 грн
1500+ 6.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.87 грн
9000+ 5.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS127H6327XTSA2INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.021A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 500Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
29+9.32 грн
50+ 8.04 грн
143+ 6.74 грн
391+ 6.41 грн
1000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 29
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1122+10.41 грн
1299+ 8.99 грн
1321+ 8.84 грн
2000+ 7.95 грн
9000+ 6.31 грн
18000+ 6.02 грн
36000+ 6 грн
Мінімальне замовлення: 1122
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
на замовлення 17625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.25 грн
14+ 23.28 грн
100+ 9.12 грн
1000+ 7.06 грн
3000+ 5.66 грн
9000+ 4.99 грн
45000+ 4.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
на замовлення 59494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.26 грн
14+ 20.95 грн
100+ 10.56 грн
500+ 8.78 грн
1000+ 6.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS127H6327XTSA2INFINEONDescription: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
на замовлення 13865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.26 грн
50+ 16.73 грн
100+ 11.21 грн
500+ 6.94 грн
1500+ 6.28 грн
Мінімальне замовлення: 34
BSS127H6327XTSA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.23 грн
9000+ 4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
на замовлення 6456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.81 грн
15+ 19.15 грн
100+ 9.66 грн
500+ 7.4 грн
1000+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS127IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
на замовлення 8405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.89 грн
500+ 6.45 грн
1000+ 4.35 грн
5000+ 4.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V SOT-23 T/RRDS(on)max.@ V GS=10V: 500 Ohm
товар відсутній
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 15834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.08 грн
16+ 19.83 грн
100+ 7.59 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 4.53 грн
9000+ 3.93 грн
24000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS127IXTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
на замовлення 8405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.69 грн
33+ 23.31 грн
100+ 8.89 грн
500+ 6.45 грн
1000+ 4.35 грн
5000+ 4.03 грн
Мінімальне замовлення: 23
BSS127IXTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS127L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 8µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS127L6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 0.021A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 348000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS127S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.31 грн
6000+ 5.94 грн
9000+ 5.26 грн
30000+ 4.88 грн
75000+ 4.14 грн
150000+ 3.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1103+10.58 грн
1170+ 9.98 грн
1183+ 9.87 грн
2263+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 1103
BSS127S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.08 грн
50+ 16.43 грн
100+ 9.79 грн
500+ 6.52 грн
1500+ 5.9 грн
Мінімальне замовлення: 33
BSS127S-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.73 грн
28+ 20.86 грн
34+ 17.01 грн
100+ 9.48 грн
250+ 8.28 грн
500+ 7.86 грн
1000+ 4.11 грн
Мінімальне замовлення: 21
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 348000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3185+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 3185
BSS127S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70mA
Power dissipation: 0.61W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSS127S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.07A; 0.61W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 70mA
Power dissipation: 0.61W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 160Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BSS127S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
на замовлення 278857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.81 грн
15+ 19.56 грн
100+ 9.85 грн
500+ 8.19 грн
1000+ 6.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS127S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 610mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 80ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
на замовлення 10465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.79 грн
500+ 6.52 грн
1500+ 5.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS127S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS127S-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 600V 160Ohm 70mA
на замовлення 37716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.08 грн
15+ 20.98 грн
100+ 8.39 грн
1000+ 6.13 грн
3000+ 5.19 грн
9000+ 4.79 грн
24000+ 4.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS127S-7-50Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS127S-7-50Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Field MOSFET
товар відсутній
BSS127SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS127SSN-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
BSS127SSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.61 грн
30+ 25.62 грн
100+ 10.53 грн
500+ 8.05 грн
1000+ 5.76 грн
Мінімальне замовлення: 21
BSS127SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+28.92 грн
32+ 18.14 грн
33+ 17.86 грн
100+ 8.91 грн
250+ 7.93 грн
500+ 7.48 грн
1000+ 6.14 грн
3000+ 3.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSS127SSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40mA; Idm: 0.16A; 0.61W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40mA
Pulsed drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 190Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.08nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSS127SSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40mA; Idm: 0.16A; 0.61W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40mA
Pulsed drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 190Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.08nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BSS127SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1173+9.95 грн
1221+ 9.56 грн
1243+ 9.39 грн
1513+ 7.44 грн
3000+ 4.16 грн
Мінімальне замовлення: 1173
BSS127SSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS127SSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 mA, 80 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.53 грн
500+ 8.05 грн
1000+ 5.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS127SSN-7Diodes IncorporatedMOSFET BSS Family,SC59 Family,SC59,3K
на замовлення 12037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.25 грн
16+ 19.45 грн
100+ 9.12 грн
1000+ 7.06 грн
3000+ 5.99 грн
9000+ 5.46 грн
24000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS127SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
на замовлення 57765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.26 грн
14+ 21.02 грн
100+ 10.6 грн
500+ 8.82 грн
1000+ 6.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS127SSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 600V 0.07A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
BSS127SSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.08 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.8 pF @ 25 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.79 грн
6000+ 6.4 грн
9000+ 5.67 грн
30000+ 5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS129SIEMENSSMD
на замовлення 101000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS129VishayTrans MOSFET N-CH Si 230V 0.15A 3-Pin TO-92
товар відсутній
BSS129PHI
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS13PHI/MOT
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS131YFWTransistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 200
BSS131SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 SLKOR TBSS131 SLK
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 200
BSS131HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327; BSS131 TBSS131 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 200
BSS131JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 4,5Ohm; 100mA; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 JSMICRO TBSS131 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 200
BSS131 (SOT-23)
Код товару: 33823
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSS131 E6327Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
BSS131 H6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+31.76 грн
383+ 30.49 грн
500+ 29.39 грн
1000+ 27.42 грн
2500+ 24.64 грн
5000+ 23.02 грн
10000+ 22.45 грн
25000+ 21.95 грн
Мінімальне замовлення: 368
BSS131 H6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
на замовлення 29843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.43 грн
16+ 20.22 грн
100+ 10.99 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 5.13 грн
9000+ 4.46 грн
24000+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS131 L6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS131 L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 240V 110mA SOT-23-3
товар відсутній
BSS131E6327Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS131E6327Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS131H6327Infineon TechnologiesBSS131 МОП-транзистор N-Channel 240V 100mA 360mW SOT23
на замовлення 51 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BSS131H6327
Код товару: 122768
InfineonТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 240 V
Idd,A: 0,11 A
Rds(on), Ohm: 14 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 58/2,1
Монтаж: SMD
у наявності 485 шт:
485 шт - склад
1+5.5 грн
10+ 5 грн
100+ 4.5 грн
BSS131H6327INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSS131H6327XTInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
на замовлення 18041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.43 грн
16+ 20.22 грн
100+ 10.99 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 5.13 грн
9000+ 4.46 грн
24000+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.07 грн
9000+ 4.57 грн
45000+ 3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.99 грн
9000+ 6.21 грн
45000+ 5.52 грн
99000+ 5.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1143+10.22 грн
1206+ 9.68 грн
1265+ 9.23 грн
1615+ 6.97 грн
3000+ 5.78 грн
6000+ 4.72 грн
Мінімальне замовлення: 1143
BSS131H6327XTSA1InfineonN-MOSFET 110mA 240V 360mW 14Ω BSS131 TBSS131
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 345 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 200
BSS131H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 7.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 71288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.01 грн
500+ 6.86 грн
1500+ 6.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
на замовлення 15147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.21 грн
17+ 17.13 грн
100+ 8.63 грн
500+ 7.18 грн
1000+ 5.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS131H6327XTSA1SHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD.BSS131H6327XTSA1
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.84 грн
6000+ 13.58 грн
9000+ 12.9 грн
12000+ 11.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.39 грн
32+ 18.29 грн
36+ 16.44 грн
100+ 9.15 грн
250+ 8.03 грн
500+ 7.35 грн
1000+ 5.75 грн
3000+ 5.15 грн
6000+ 4.38 грн
Мінімальне замовлення: 22
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS131H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 12469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
61+6.13 грн
70+ 4.99 грн
211+ 3.82 грн
578+ 3.61 грн
3000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 61
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
на замовлення 181335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.43 грн
17+ 18.99 грн
100+ 7.46 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 4.53 грн
9000+ 4 грн
24000+ 3.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.21 грн
9000+ 4.7 грн
45000+ 3.51 грн
99000+ 3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS131H6327XTSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12469 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
37+7.35 грн
50+ 6.22 грн
211+ 4.58 грн
578+ 4.33 грн
3000+ 4.25 грн
Мінімальне замовлення: 37
BSS131H6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS131H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 110 mA, 7.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 240V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 71288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+20.77 грн
50+ 15.39 грн
100+ 10.01 грн
500+ 6.86 грн
1500+ 6.2 грн
Мінімальне замовлення: 36
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.53 грн
6000+ 5.21 грн
9000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.85 грн
9000+ 4.37 грн
45000+ 3.27 грн
99000+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS131H6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 35649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1112+10.5 грн
1258+ 9.28 грн
1315+ 8.88 грн
2000+ 8.07 грн
9000+ 7.09 грн
18000+ 6.11 грн
Мінімальне замовлення: 1112
BSS131L6327HTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 56µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 77 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS131L6327XTInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 240V 0.11A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS131L6327XTINFINEON09+ MSOP8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS134NINFINEONSOT-23
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS135
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS135
Код товару: 77919
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSS138SLKORTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 SLKOR TBSS138 SL
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138GALAXYTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 GALAXY TB
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 333242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3172+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 3172
BSS138onsemi / FairchildMOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
на замовлення 285828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.33 грн
18+ 17.23 грн
100+ 9.46 грн
1000+ 4.2 грн
2500+ 3.66 грн
10000+ 2.8 грн
30000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
на замовлення 85217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.05 грн
18+ 15.54 грн
100+ 7.6 грн
500+ 5.95 грн
1000+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS138Taiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138ON-SemicoductorN-MOSFET 200mA 50V 360mW 3.5? BSS138L BSS138 BSS138TA BSS138LT3G BSS138-YAN BSS138-TP [BSS138LT7G(2.75V,5V)] BSS138LT1G smd TBSS138L
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 715 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JSMICRO TBSS138
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138AnBonN-Channel 50V 220mA 1.6V @ 1mA 3.5? @ 220mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET BSS138 TBSS138 ANB
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138Diodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
BSS138HT Jinyu SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
на замовлення 711000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11905+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 11905
BSS138
Код товару: 144172
YJТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
товар відсутній
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 476440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138LGETransistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS138ON-SemicoductorN-MOSFET 50V 220mA 3.5Ω 360mW BSS138 Fairchild TBSS138 FAI
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 300
BSS138ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
на замовлення 333242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.28 грн
38+ 19.87 грн
100+ 11.13 грн
500+ 10.13 грн
Мінімальне замовлення: 26
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
на замовлення 85179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.96 грн
6000+ 3.54 грн
9000+ 2.94 грн
30000+ 2.71 грн
75000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138Yangjie Electronic TechnologyTrans MOSFET N-CH 50V 0.34A 3-Pin SOT-23
на замовлення 933000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16484+0.71 грн
Мінімальне замовлення: 16484
BSS138UMWTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 300mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 UMW TBSS1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS138HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 HXY MOSFET TBSS1
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS138YYTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 220mA; 360mW; 6 Ohm; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-FAI; BSS138P,215; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS1
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138Microdiode ElectronicsBSS138
на замовлення 324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6945+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 6945
BSS138Taiwan SemiconductorMOSFET 50V, 0.26A, Single N-Channel Small-signal MOSFETs
товар відсутній
BSS138Microdiode ElectronicsBSS138
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6945+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 6945
BSS138Taiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138JUXINGTransistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS138P,215; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138-7-F; BSS138-13-F; BSS138TA; BSS138-TP; BSS138 RFG; BSS138 JUXING TBSS138 J
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BSS138AnBonN-Channel 50V 220mA 1.6V @ 1mA 3.5? @ 220mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET BSS138 TBSS138 ANB
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.09 грн
9000+ 3.47 грн
24000+ 3.4 грн
45000+ 3.2 грн
99000+ 2.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138ONSEMIDescription: ONSEMI - BSS138 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 220 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.19 грн
9000+ 3.5 грн
24000+ 3.43 грн
45000+ 2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4133+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 4133
BSS138
Код товару: 197212
UMWТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
у наявності 7675 шт:
6685 шт - склад
990 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2+2.5 грн
10+ 1.9 грн
100+ 1.4 грн
1000+ 0.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSS138ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138Good-ArkGood-Ark Semiconductor BSS138. Single configuration 50 V N-Channel MOSFET
товар відсутній
BSS138Good-Ark ElectronicsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138 (CET)
Код товару: 26318
CETТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
товар відсутній
BSS138 (CJ, SOT-23)
Код товару: 186257
CJТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 27/
Монтаж: SMD
у наявності 10665 шт:
10284 шт - склад
70 шт - РАДІОМАГ-Київ
107 шт - РАДІОМАГ-Львів
80 шт - РАДІОМАГ-Харків
34 шт - РАДІОМАГ-Одеса
90 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4+1.5 грн
10+ 1.3 грн
100+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSS138 (Diodes, SOT-23)
Код товару: 125280
DiodesТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
товар відсутній
BSS138 (ON, SOT-23)
Код товару: 161156
ONТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
товар відсутній
BSS138 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 55298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.05 грн
18+ 15.89 грн
100+ 8.01 грн
500+ 6.14 грн
1000+ 4.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS138 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138 RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.26A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 50V, 0.26A, SINGLE N-CHANNEL POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 260mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 25 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.24 грн
6000+ 3.9 грн
9000+ 3.37 грн
30000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138 RFGTaiwan SemiconductorMOSFET 50V, 0.26A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 21533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.33 грн
18+ 17.69 грн
100+ 6.39 грн
1000+ 4.73 грн
3000+ 3.73 грн
9000+ 3.2 грн
24000+ 3.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS138 SOT23LGETransistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138 SOT23 LGE TBSS138 LGE
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
BSS138(G9-49)NS2000
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS138(SS)FAIRCHILD00+ SOT-23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 640000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8620000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 680000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.34 грн
1000+ 2.69 грн
5000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8620000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 7620000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 550000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 650000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes IncorporatedMOSFET BSS Family
на замовлення 773754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+18.8 грн
24+ 12.79 грн
100+ 7.06 грн
1000+ 3.13 грн
2500+ 2.8 грн
10000+ 2 грн
20000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 17
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 280000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.3 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-13-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+20.77 грн
53+ 14.19 грн
100+ 8.37 грн
500+ 5.34 грн
1000+ 2.69 грн
5000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 36
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8620000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 640000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 650000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 8640000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.26 грн
30000+ 2.14 грн
50000+ 1.92 грн
100000+ 1.6 грн
250000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8620000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BSS138-13PMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS138-13PMicro Commercial ComponentsN-Channel MOSFET
товар відсутній
BSS138-13PMicro Commercial ComponentsBSS138-13P
товар відсутній
BSS138-7Diodes IncorporatedMOSFET 60V 360mW
товар відсутній
BSS138-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
BSS138-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
BSS138-7-FMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3, FULL REEL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 0
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 0
Produktpalette: Multicomp Pro Field Effect Transistors N-Channel
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.29 грн
6000+ 2.98 грн
9000+ 2.38 грн
15000+ 1.99 грн
30000+ 1.5 грн
60000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.12 грн
9000+ 1.76 грн
24000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.46 грн
9000+ 2 грн
45000+ 1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1071000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.08 грн
6000+ 2.06 грн
9000+ 1.65 грн
30000+ 1.46 грн
45000+ 1.28 грн
75000+ 1.08 грн
150000+ 0.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSS138-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.35 грн
6000+ 2.1 грн
9000+ 1.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.3 грн
9000+ 1.87 грн
45000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5320+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 5320
BSS138-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4588+2.54 грн
9000+ 2.11 грн
24000+ 2.08 грн
45000+ 1.79 грн
99000+ 1.45 грн
Мінімальне замовлення: 4588
BSS138-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 509386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.83 грн
1500+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9260+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 9260
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5435+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 5435
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1071000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.22 грн
9000+ 1.78 грн
30000+ 1.63 грн
45000+ 1.49 грн
75000+ 1.22 грн
150000+ 1.01 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSS138-7-FDiodes IncorporatedN-кан. MOSFET 50V, 0.2A, 0.225Вт, 3.5Ом, SOT-23 (SMD)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 663000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4588+2.54 грн
9000+ 2.11 грн
24000+ 2.06 грн
45000+ 1.79 грн
99000+ 1.37 грн
Мінімальне замовлення: 4588
BSS138-7-FDiodes IncorporatedMOSFET 300mW 50V DSS
на замовлення 488481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.15 грн
36+ 8.65 грн
100+ 3.66 грн
1000+ 2.53 грн
3000+ 2 грн
9000+ 1.6 грн
24000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 21
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1803000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.08 грн
9000+ 1.62 грн
45000+ 1.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1491000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8065+1.45 грн
372000+ 1.32 грн
744000+ 1.23 грн
1116000+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 8065
BSS138-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - BSS138-7-F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 509386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+11.36 грн
92+ 8.14 грн
154+ 4.86 грн
500+ 2.83 грн
1500+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 66
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1491000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
6000+ 2.12 грн
9000+ 1.76 грн
24000+ 1.69 грн
30000+ 1.54 грн
45000+ 1.37 грн
75000+ 1.33 грн
99000+ 1.06 грн
150000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 29525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+13.69 грн
31+ 9.23 грн
100+ 4.5 грн
500+ 3.52 грн
1000+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 22
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1803000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.24 грн
9000+ 1.74 грн
45000+ 1.25 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSS138-7-F .K38DIODES/ZETEXN-MOSFET 50V 200mA 3.5mΩ 300mW BSS138-7-F Diodes TBSS138 DIO
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
BSS138-7-F .K38DIODES/ZETEXN-MOSFET 50V 200mA 3.5mΩ 300mW BSS138-7-F Diodes TBSS138 DIO
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 505 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138-7-F-50Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
BSS138-7-F-50Diodes IncBSS Family SOT23 T&R 3K
товар відсутній
BSS138-7-F-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138-7-F-52Diodes IncorporatedDescription: BSS Family SOT23 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
BSS138-7-F-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138-7-F-79Diodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
BSS138-7-F.MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138-7-F. - MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET N Channel Transistors
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+14.12 грн
64+ 11.8 грн
146+ 5.12 грн
208+ 3.34 грн
500+ 2.29 грн
1000+ 1.97 грн
Мінімальне замовлення: 53
BSS138-AU-R2-000A1PanjitMOSFET
товар відсутній
BSS138-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138-E6327
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS138-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS138-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS138-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET SINGLE NCH LOG LEVEL FIELD EFFECT XTOR
на замовлення 5297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSS138-F169onsemiDescription: 50V N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANC
товар відсутній
BSS138-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L
товар відсутній
BSS138-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdDescription: N-CH MOSFET 50V 0.34A SOT-23-3L
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.89 грн
17+ 16.51 грн
100+ 8.78 грн
500+ 5.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSS138-GComchip TechnologyMOSFET 50V 0.22A SOT-23
на замовлення 27175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.33 грн
19+ 16.85 грн
100+ 9.32 грн
1000+ 4.13 грн
3000+ 3.6 грн
9000+ 2.73 грн
24000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS138-GonsemiDescription: FET 50V 3.5 OHM SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.2 грн
6000+ 6.78 грн
9000+ 6.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138-GON SemiconductorN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
товар відсутній
BSS138-GonsemiMOSFET FET 50V 3.5 OHM
на замовлення 861318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.43 грн
12+ 26.34 грн
100+ 14.25 грн
1000+ 6.93 грн
3000+ 6.13 грн
9000+ 5.19 грн
24000+ 5.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSS138-GComchip TechnologyN-Channel MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.32 грн
6000+ 4.86 грн
12000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-GonsemiDescription: FET 50V 3.5 OHM SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
на замовлення 10741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.42 грн
13+ 22.27 грн
100+ 11.24 грн
500+ 9.35 грн
1000+ 7.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSS138-HFComchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220A, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-HFComchip TechnologyMOSFET MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT-23
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.33 грн
19+ 16.85 грн
100+ 9.32 грн
1000+ 4.13 грн
3000+ 3.6 грн
9000+ 2.73 грн
24000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS138-MLMOSLEADERDescription: 0.35W 50V 0.22A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.46 грн
6000+ 1.37 грн
9000+ 1.32 грн
15000+ 1.18 грн
30000+ 1.1 грн
75000+ 1 грн
150000+ 0.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-NL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS138-R1-00001PanjitMOSFET
товар відсутній
BSS138-R2-00001PanjitMOSFET
товар відсутній
BSS138-SB9G001ON SemiconductorBSS 138 SOT23 FSC
товар відсутній
BSS138-TonsemiDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1494000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4747+2.46 грн
6000+ 2.33 грн
9000+ 1.98 грн
30000+ 1.76 грн
75000+ 1.42 грн
150000+ 1.13 грн
Мінімальне замовлення: 4747
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.94 грн
24000+ 1.37 грн
Мінімальне замовлення: 9000
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4505+2.59 грн
6000+ 2.37 грн
15000+ 2.06 грн
30000+ 1.79 грн
75000+ 1.47 грн
150000+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 4505
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2637000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 12000
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7576+1.54 грн
30000+ 1.41 грн
60000+ 1.32 грн
90000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 7576
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2625000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5377+2.17 грн
9000+ 1.94 грн
24000+ 1.43 грн
45000+ 1.26 грн
Мінімальне замовлення: 5377
BSS138-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 53550 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
65+4.35 грн
100+ 3.25 грн
500+ 1.88 грн
620+ 1.56 грн
1700+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 65
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2574000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11195+1.04 грн
639000+ 0.95 грн
1278000+ 0.89 грн
1917000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 11195
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1530000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11195+1.04 грн
381000+ 0.95 грн
762000+ 0.89 грн
1143000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 11195
BSS138-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 50158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.97 грн
31+ 9.23 грн
100+ 4.98 грн
500+ 3.67 грн
1000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 23
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1254000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 759000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+1.94 грн
24000+ 1.37 грн
45000+ 1.35 грн
99000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 9000
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 390000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7576+1.54 грн
96000+ 1.41 грн
192000+ 1.32 грн
288000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 7576
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2988000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5618+2.08 грн
9000+ 1.94 грн
24000+ 0.95 грн
45000+ 0.91 грн
99000+ 0.83 грн
Мінімальне замовлення: 5618
BSS138-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 BSS138-TP SOT23-3 MCC TBSS138-TP
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8288+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 8288
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.15 грн
9000+ 1.8 грн
24000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 513000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
6000+ 2.16 грн
9000+ 1.84 грн
30000+ 1.64 грн
75000+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W
на замовлення 134018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+14.45 грн
30+ 10.26 грн
100+ 3.86 грн
1000+ 2.66 грн
3000+ 2.06 грн
9000+ 1.73 грн
24000+ 1.6 грн
Мінімальне замовлення: 22
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1101000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6225+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 6225
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5051+2.31 грн
9000+ 1.94 грн
24000+ 1.37 грн
45000+ 1.31 грн
99000+ 1.11 грн
Мінімальне замовлення: 5051
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+0.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8288+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 8288
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2268000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11195+1.04 грн
18000+ 0.95 грн
36000+ 0.89 грн
54000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 11195
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 642000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4717+2.47 грн
9000+ 2.08 грн
24000+ 1.47 грн
45000+ 1.4 грн
99000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 4717
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1035000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4505+2.59 грн
6000+ 2.37 грн
15000+ 2.06 грн
30000+ 1.79 грн
75000+ 1.47 грн
150000+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 4505
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8065+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 8065
BSS138-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 53550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
105+3.62 грн
135+ 2.61 грн
500+ 1.57 грн
620+ 1.3 грн
1700+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 105
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.15 грн
9000+ 1.8 грн
24000+ 1.27 грн
45000+ 1.21 грн
99000+ 1.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5051+2.31 грн
9000+ 1.94 грн
24000+ 1.82 грн
45000+ 1.49 грн
99000+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 5051
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1101000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5245+2.23 грн
9000+ 2.08 грн
24000+ 1.02 грн
45000+ 0.97 грн
99000+ 0.89 грн
Мінімальне замовлення: 5245
BSS138-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 BSS138-TP SOT23-3 MCC TBSS138-TP
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8197+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 8197
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 276000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.15 грн
9000+ 1.8 грн
24000+ 1.27 грн
45000+ 1.21 грн
99000+ 1.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.34 грн
6000+ 2.13 грн
9000+ 1.81 грн
30000+ 1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1254000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4505+2.59 грн
6000+ 2.28 грн
15000+ 2 грн
30000+ 1.8 грн
75000+ 1.49 грн
150000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 4505
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 753000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4505+2.59 грн
6000+ 2.37 грн
15000+ 2.06 грн
30000+ 1.79 грн
75000+ 1.47 грн
150000+ 1.41 грн
Мінімальне замовлення: 4505
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3594000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
6000+ 2.16 грн
9000+ 1.84 грн
30000+ 1.64 грн
75000+ 1.32 грн
150000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138-TP
Код товару: 189195
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6977+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 6977
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6977+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 6977
BSS138-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 BSS138-TP SOT23-3 MCC TBSS138-TP
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2037000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5051+2.31 грн
6000+ 2.09 грн
9000+ 1.78 грн
30000+ 1.4 грн
75000+ 1.29 грн
150000+ 1.05 грн
Мінімальне замовлення: 5051
BSS138-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2268000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSS138/SS
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSS138; 0,22A; 50V; 0,32W; N-MOSFET; Корпус: SOT-23; MCC
на замовлення 25 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
25+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 25
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4808+2.43 грн
9000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 4808
BSS138A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET N-Ch Enh FET 50Vds 0.22A 20Vgs 0.35W
на замовлення 7880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+16.63 грн
29+ 10.87 грн
100+ 5.99 грн
1000+ 2.73 грн
3000+ 2.06 грн
9000+ 1.73 грн
24000+ 1.66 грн
Мінімальне замовлення: 19
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1572000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.96 грн
9000+ 1.7 грн
24000+ 1.64 грн
45000+ 1.52 грн
99000+ 1.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1578000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8772+1.33 грн
393000+ 1.21 грн
786000+ 1.13 грн
1179000+ 1.03 грн
Мінімальне замовлення: 8772
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1632000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.26 грн
6000+ 2.17 грн
9000+ 1.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
BSS138A-TPMicro Commercial Components Corp.Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 1,6Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C; BSS138A-TP TBSS138A-TP
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 300
BSS138A-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8 pF @ 25 V
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.41 грн
29+ 9.78 грн
100+ 4.79 грн
500+ 3.74 грн
1000+ 2.6 грн
2000+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4808+2.43 грн
9000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 4808
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8334+1.4 грн
Мінімальне замовлення: 8334
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3723+3.14 грн
6000+ 2.87 грн
12000+ 2.67 грн
18000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3723
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4808+2.43 грн
9000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 4808
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1572000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.11 грн
9000+ 1.83 грн
24000+ 1.77 грн
45000+ 1.64 грн
99000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 6000
BSS138A-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.25 грн
9000+ 1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3723+3.14 грн
6000+ 2.87 грн
12000+ 2.67 грн
18000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 3723
BSS138A-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)MCC N-Channel Mosfets
товар відсутній
BSS138A-TP-HFMicro Commercial ComponentsN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
товар відсутній
BSS138AHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1941+6.01 грн
1961+ 5.95 грн
2326+ 5.02 грн
3589+ 3.14 грн
Мінімальне замовлення: 1941
BSS138AHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET 50Vds 20Vgs N-Ch FET
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.1 грн
26+ 12.02 грн
100+ 6.66 грн
1000+ 3 грн
3000+ 2.53 грн
9000+ 1.93 грн
24000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSS138AHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+16.98 грн
51+ 11.37 грн
52+ 11.21 грн
53+ 10.7 грн
104+ 4.99 грн
250+ 4.74 грн
500+ 3.99 грн
1000+ 2.59 грн
3000+ 1.47 грн
Мінімальне замовлення: 35
BSS138AHE3-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+16.57 грн
26+ 10.75 грн
100+ 5.27 грн
500+ 4.12 грн
1000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSS138AHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138AHE3-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 620mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138AK-QRNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BSS138AK-QRNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BSS138AK-QRNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.21 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BSS138AK-QRNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BSS138AKA/LF1RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3741+3.12 грн
9000+ 2.84 грн
24000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3741
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3668+3.18 грн
9000+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3668
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.96 грн
9000+ 2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138AKARNEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138AKAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.18 грн
44+ 17.26 грн
111+ 6.74 грн
500+ 4.69 грн
1000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 30
BSS138AKARNEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 24000
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24000+2.1 грн
Мінімальне замовлення: 24000
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4855+2.4 грн
9000+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 4855
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4935+2.37 грн
9000+ 2.34 грн
24000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 4935
BSS138AKARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+20.89 грн
21+ 13.8 грн
100+ 6.72 грн
500+ 5.26 грн
1000+ 3.65 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3723+3.14 грн
9000+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3723
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3837+3.04 грн
9000+ 2.77 грн
24000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 3837
BSS138AKARNexperiaMOSFET BSS138AKA/SOT23/TO-236AB
на замовлення 439140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.38 грн
20+ 15.32 грн
100+ 5.39 грн
1000+ 3.8 грн
3000+ 2.53 грн
9000+ 2.2 грн
24000+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSS138AKARNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.65 грн
75+ 4.72 грн
100+ 4.24 грн
240+ 3.37 грн
655+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 35
BSS138AKARNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.125A; 360mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.125A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.98 грн
45+ 5.88 грн
100+ 5.09 грн
240+ 4.05 грн
655+ 3.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.83 грн
9000+ 2.57 грн
24000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138AKARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 200MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), 1.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.5 грн
6000+ 3.13 грн
9000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138AKARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.9 грн
9000+ 2.64 грн
24000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138AKDW-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138AKDW-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual NPN SIGNAL TRANSISTOR
товар відсутній
BSS138AKDW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSS138AKDW-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22800pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 10626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.53 грн
14+ 20.12 грн
100+ 10.13 грн
500+ 8.43 грн
1000+ 6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS138AKDW-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSS138AKDW-TPQ2Micro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual NPN SIGNAL TRANSISTOR
товар відсутній
BSS138AKDW-TPQ2Micro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.8pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товар відсутній
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+19.45 грн
22+ 12.9 грн
100+ 6.29 грн
500+ 4.92 грн
1000+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET Dual 50Vds 20Vgs N-Ch FET
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.68 грн
22+ 14.32 грн
100+ 7.92 грн
1000+ 3.53 грн
3000+ 3.06 грн
9000+ 2.26 грн
24000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 15
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 50V 0.22A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BSS138AKDWHE3-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.45V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138AKS-QXNexperiaN-channel MOSFET
товар відсутній
BSS138AKS-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
BSS138AKS-QXNexperiaN-channel MOSFET
товар відсутній
BSS138AKS-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.93 грн
17+ 17.06 грн
100+ 8.32 грн
500+ 6.51 грн
1000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS138AKW-QXNexperiaNexperia MOSFET-LOW VOLT SOT323/SC-70
товар відсутній
BSS138AKW-QXNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BSS138AKW-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
BSS138AKW-QXNexperiaN-channel Trench MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
BSS138AKW-QXNexperia USA Inc.Description: MOS DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.13 грн
28+ 10.27 грн
100+ 5.01 грн
500+ 3.92 грн
1000+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSS138B-TPMicro Commercial CoDescription: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
товар відсутній
BSS138B-TPMicro Commercial Components (MCC)MCC
товар відсутній
BSS138BKNexperiaMOSFET
товар відсутній
BSS138BKNexperiaN-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 360 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 42 @ 10; Qg, нКл = 9,6 @ 4,5 В; Rds = 1 Ом @ 0,35 A, 10 В; Ugs(th) = 1.1 В @ 250 мкА; Опис N-канальний ПТ; Р, Вт = 0,42 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 118 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
79+7.94 грн
85+ 7.41 грн
100+ 6.88 грн
Мінімальне замовлення: 79
BSS138BKMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - BSS138BK - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+6.94 грн
135+ 5.55 грн
189+ 3.97 грн
500+ 2.57 грн
1000+ 1.7 грн
5000+ 1.49 грн
Мінімальне замовлення: 108
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.49 грн
9000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 852140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.05 грн
57+ 13.3 грн
100+ 7.55 грн
500+ 4.11 грн
1500+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 40
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+6 грн
2243+ 5.21 грн
2263+ 5.16 грн
3013+ 3.74 грн
4077+ 2.56 грн
6000+ 2.45 грн
15000+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 1946
BSS138BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 498000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.99 грн
6000+ 3.57 грн
9000+ 2.96 грн
30000+ 2.73 грн
75000+ 2.45 грн
150000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138BK,215NEXPERIATrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33373 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+25.1 грн
16+ 16.42 грн
25+ 10.75 грн
100+ 6.46 грн
250+ 5.03 грн
357+ 2.71 грн
981+ 2.56 грн
Мінімальне замовлення: 11
BSS138BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 447000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.69 грн
9000+ 2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4673+2.5 грн
9000+ 2.31 грн
24000+ 2.02 грн
45000+ 1.81 грн
Мінімальне замовлення: 4673
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4348+2.68 грн
9000+ 2.52 грн
Мінімальне замовлення: 4348
BSS138BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 360 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 852140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+7.55 грн
500+ 4.11 грн
1500+ 3.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+22.32 грн
37+ 15.64 грн
38+ 15.33 грн
104+ 5.37 грн
250+ 4.32 грн
500+ 4.11 грн
1000+ 3.08 грн
3000+ 2.28 грн
6000+ 2.27 грн
Мінімальне замовлення: 26
BSS138BK,215NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.36A; 350mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 33373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+20.92 грн
27+ 13.18 грн
39+ 8.96 грн
100+ 5.38 грн
250+ 4.19 грн
357+ 2.25 грн
981+ 2.13 грн
Мінімальне замовлення: 18
BSS138BK,215
Код товару: 131639
NexperiaТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,36 A
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 42/0,6
Монтаж: SMD
товар відсутній
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3341+3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3341
BSS138BK,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS138BK,215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 9000
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.01 грн
9000+ 2.85 грн
24000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138BK,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 350mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.77 грн
18+ 15.68 грн
100+ 7.65 грн
500+ 5.99 грн
1000+ 4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSS138BK,215NXPN-MOSFET 60V 360mA 1.6Ω 350mW BSS138BK,215 BSS138BK NXP TBSS138bk
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 31290 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4386+2.66 грн
9000+ 2.45 грн
24000+ 2.14 грн
Мінімальне замовлення: 4386
BSS138BK,215NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSS138BK,215NexperiaMOSFET BSS138BK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 150398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.03 грн
19+ 17 грн
100+ 6.06 грн
1000+ 3.8 грн
3000+ 2.4 грн
9000+ 2.26 грн
24000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSS138BK-TPMicro Commercial ComponentsBSS138BK-TP
товар відсутній
BSS138BK-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSS138BK-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFET
товар відсутній
BSS138BK-TPMicro Commercial ComponentsBSS138BK-TP
товар відсутній
BSS138BK-TPMicro Commercial CoDescription: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 30 V
на замовлення 3574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+14.41 грн
29+ 9.78 грн
100+ 4.79 грн
500+ 3.74 грн
1000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSS138BK/DG/B2NEXPERIA60 V, 360 MA N-CHANNEL TRENCH MOSFET
товар відсутній
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.7 грн
13+ 21.99 грн
100+ 11.07 грн
500+ 9.21 грн
1000+ 7.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
BSS138BKAHZGT116ROHM SemiconductorMOSFET 60V N-CHANNEL 400MA AUTOMOTIVE
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.65 грн
13+ 24.43 грн
100+ 9.52 грн
1000+ 7.46 грн
3000+ 6.46 грн
9000+ 5.73 грн
24000+ 5.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1507+7.75 грн
1715+ 6.81 грн
1790+ 6.52 грн
2000+ 5.94 грн
3000+ 5.46 грн
Мінімальне замовлення: 1507
BSS138BKAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 400MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000