НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BY2000
Код товару: 105894
VishayДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 2000 V
Iвипр., A: 3 A
Монтаж: THT
у наявності 145 шт:
90 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+10 грн
10+ 8.9 грн
100+ 7.2 грн
BY2000Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY2000Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 2000V 3A DO201
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2000 V
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.36 грн
11+ 25.94 грн
100+ 18.04 грн
500+ 13.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 35
BY2000Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 2000V, 3A
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.2 грн
10+ 32.73 грн
100+ 17.06 грн
500+ 16.93 грн
1000+ 16.34 грн
1700+ 12.65 грн
8500+ 10.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY2000Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
636+18.36 грн
745+ 15.68 грн
1000+ 15.22 грн
2500+ 14.26 грн
Мінімальне замовлення: 636
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY2000Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 2000V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2000 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY2000Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+31.66 грн
545+ 21.45 грн
667+ 17.52 грн
1000+ 16.72 грн
Мінімальне замовлення: 369
BY2000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 2kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+21.29 грн
25+ 15.39 грн
85+ 11.28 грн
231+ 10.71 грн
1000+ 10.54 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY2000DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 2kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+17.74 грн
28+ 12.35 грн
85+ 9.4 грн
231+ 8.92 грн
1000+ 8.78 грн
Мінімальне замовлення: 21
BY2000Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY2000Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 2KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+34.21 грн
20+ 29.36 грн
100+ 19.88 грн
500+ 15.66 грн
1000+ 14.35 грн
Мінімальне замовлення: 17
BY2000-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 2KV 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
товар відсутній
BY20195/96/97
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY203-12
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY203-12STAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.2KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 700 V
товар відсутній
BY203-12STAPVishayRectifier Diode Switching 1.2KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 Ammo
товар відсутній
BY203-12STAPVishay SemiconductorsRectifiers 1200 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
товар відсутній
BY203-12STRVishayRectifier Diode Switching 1.2KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY203-12STRVishay SemiconductorsRectifiers 1200 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
товар відсутній
BY203-12STRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.2KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 700 V
товар відсутній
BY203-16STAPVishayRectifier Diode Switching 1.6KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 Ammo
товар відсутній
BY203-16STAPVishay SemiconductorsRectifiers 1600 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
товар відсутній
BY203-16STAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.25A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 20A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 2.4V
Leakage current: 2µA
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
BY203-16STAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
товар відсутній
BY203-16STAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.25A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 20A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 2.4V
Leakage current: 2µA
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BY203-16STRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1000 V
товар відсутній
BY203-16STRVishayRectifier Diode Switching 1.6KV 0.25A 300ns 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY203-16STRVishay SemiconductorsRectifiers 1600 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
товар відсутній
BY203-20S-TRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.8 грн
10000+ 20.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY203-20S-TRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.17 грн
10000+ 19.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY203-20S-TRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 4709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+32.04 грн
397+ 29.47 грн
409+ 28.57 грн
500+ 26.5 грн
1000+ 23.65 грн
Мінімальне замовлення: 365
BY203-20S-TRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 25349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+57.81 грн
12+ 49.73 грн
25+ 49.24 грн
100+ 32.85 грн
250+ 30.11 грн
500+ 24.02 грн
1000+ 18.06 грн
3000+ 17.14 грн
6000+ 17.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY203-20S-TRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 25349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+53.55 грн
221+ 53.03 грн
319+ 36.69 грн
322+ 35.02 грн
500+ 26.94 грн
1000+ 19.45 грн
3000+ 18.45 грн
Мінімальне замовлення: 218
BY203-20STAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 0.25A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Type of diode: rectifying
Case: SOD57
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 2µA
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching
Max. off-state voltage: 2kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 6962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.88 грн
10+ 37.06 грн
25+ 33.35 грн
30+ 26.08 грн
83+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY203-20STAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 0.25A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Type of diode: rectifying
Case: SOD57
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 2µA
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching
Max. off-state voltage: 2kV
Max. forward voltage: 2.4V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6962 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.05 грн
6+ 46.18 грн
25+ 40.03 грн
30+ 31.3 грн
83+ 29.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY203-20STAPVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
BY203-20STAPVishay SemiconductorsRectifiers 2000 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
на замовлення 62234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.65 грн
10+ 46.67 грн
100+ 29.78 грн
500+ 25.17 грн
1000+ 19.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY203-20STAPVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo
товар відсутній
BY203-20STAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 2KV 250MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 5497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.17 грн
10+ 44.95 грн
100+ 31.11 грн
500+ 24.39 грн
1000+ 20.76 грн
2000+ 18.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY203-20STAPVISHAYDescription: VISHAY - BY203-20STAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 2 kV, 250 mA, Einfach, 2.4 V, 300 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 2.4V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY203
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 74147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.04 грн
14+ 54.4 грн
100+ 34.74 грн
500+ 27.25 грн
1000+ 22.62 грн
5000+ 20.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
BY203-20STAP
Код товару: 28539
VishayДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-57
Uзвор., V: 2000 V
Iвипр., A: 0,25 A
Опис: Швидкий
Падіння напруги Vf: 2,4 V
товар відсутній
BY203-20STAPVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 26560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.72 грн
13+ 46.52 грн
25+ 46.1 грн
100+ 32.54 грн
250+ 29.82 грн
500+ 24.02 грн
1000+ 18.07 грн
3000+ 18.03 грн
6000+ 17.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY203-20STAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 2KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товар відсутній
BY203-20STAPVishay SemiconductorВипрямний ультрашвидкий лавинноподібний діод вивідний; Ur, В = 1 200; Io, А = 0,25; If, A = 0,2; Uf (max), В = 2,4; I, мкА @ Ur, В = 2 @ 1200; trr, нс = 300; Тексп, °С = -55...+150; SOD-57
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+62.4 грн
100+ 18.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY203-20STAPVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 26560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+50.1 грн
236+ 49.64 грн
322+ 36.34 грн
325+ 34.69 грн
500+ 26.95 грн
1000+ 19.46 грн
3000+ 19.42 грн
6000+ 19.38 грн
15000+ 19.34 грн
Мінімальне замовлення: 233
BY203-20STRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 2KV 250MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 86083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.49 грн
10+ 31.57 грн
100+ 21.87 грн
500+ 17.15 грн
1000+ 16.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY203-20STRVishayDiode Switching 2KV 0.25A 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY203-20STRVishay SemiconductorsRectifiers 2000 Volt 0.25 Amp 20 Amp IFSM
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.65 грн
10+ 49.93 грн
100+ 30.11 грн
500+ 25.17 грн
1000+ 19.9 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY203-20STRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 2KV 250MA SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY203-20STR(диод)
Код товару: 54247
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
BY203/20
Код товару: 56225
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
BY206GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 300V 400MA DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 400mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 300 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5500+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 5500
BY206GP-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 1.0 Amp 350 Volt
на замовлення 5868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.9 грн
16+ 19.4 грн
100+ 7.51 грн
1000+ 5.27 грн
2500+ 5.14 грн
5500+ 4.55 грн
22000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
BY206GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 300V 400MA DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 400mA
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 300 V
на замовлення 9170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.66 грн
16+ 17.23 грн
100+ 8.69 грн
500+ 7.23 грн
1000+ 5.62 грн
2000+ 5.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
BY206GP-E3/54VISHAYDescription: VISHAY - BY206GP-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 350 V, 400 mA, Einfach, 1.5 V, 1 µs, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 1µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 400mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 350V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY206
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 20085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.67 грн
33+ 22.84 грн
100+ 21.36 грн
500+ 18.46 грн
1000+ 15.77 грн
2500+ 14.57 грн
5500+ 13.24 грн
11000+ 12.04 грн
Мінімальне замовлення: 23
BY206GP-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 1.0 Amp 350 Volt
на замовлення 10144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.05 грн
13+ 25.15 грн
100+ 14.89 грн
500+ 11.13 грн
1000+ 8.7 грн
3000+ 7.31 грн
9000+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY206GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 300V 400MA DO204AL
товар відсутній
BY206GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 300V 400MA DO204AL
товар відсутній
BY206GPHE3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 300V 400MA DO204AL
товар відсутній
BY224PHILIPS
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY224PHILIPSSIP-4
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY227MGP-E3/54Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.25KV 2A DO204AC
товар відсутній
BY227MGPHE3/54Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.25KV 2A DO204AC
товар відсутній
BY228
Код товару: 66877
NXPДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-64
Uзвор., V: 1500 V
Iвипр., A: 3 A
Монтаж: THT
товар відсутній
BY228DiotecBY228G Диод выпрямительный, 1,5кВ, 3А, DO201
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BY228NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BY228-13TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
BY228-13TAPVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt 50 Amp IFSM
товар відсутній
BY228-13TAPVishayRectifier Diode Switching 1KV 3A 20000ns 2-Pin SOD-64 Ammo
товар відсутній
BY228-13TAPVishayRectifier Diode Switching 1KV 3A 20000ns 2-Pin SOD-64 Ammo
товар відсутній
BY228-13TRVishayRectifier Diode Switching 1KV 3A 20000ns 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228-13TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
BY228-13TRVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt 50 Amp IFSM
товар відсутній
BY228-15TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.27 грн
10+ 56 грн
100+ 43.55 грн
500+ 34.64 грн
1000+ 28.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228-15TAPVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
товар відсутній
BY228-15TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64; 20us
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 140µA
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: SOD64
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 20µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BY228-15TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.4 грн
5000+ 26.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BY228-15TAPVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM
на замовлення 20425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+76.87 грн
10+ 62.28 грн
100+ 42.17 грн
500+ 35.71 грн
1000+ 29.12 грн
2500+ 27.41 грн
5000+ 26.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228-15TAPVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
товар відсутній
BY228-15TAPVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
товар відсутній
BY228-15TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64; 20us
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 140µA
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: SOD64
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 20µs
товар відсутній
BY228-15TRVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM
на замовлення 7294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+76.87 грн
10+ 62.28 грн
100+ 42.17 грн
500+ 35.71 грн
1000+ 29.12 грн
2500+ 27.41 грн
5000+ 26.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228-15TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 17998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.27 грн
10+ 56 грн
100+ 43.55 грн
500+ 34.64 грн
1000+ 28.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228-15TRVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228-15TRVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228-15TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.2KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.4 грн
5000+ 26.96 грн
12500+ 25.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BY228-15TRVishayDiode Switching 1.2KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228G
Код товару: 117012
DiotecДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1500 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямляючий
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,3 V
товар відсутній
BY228GDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
Type of diode: rectifying
Case: DO201
Max. off-state voltage: 1.5kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+17 грн
26+ 13.59 грн
81+ 9.88 грн
222+ 9.33 грн
1000+ 9.13 грн
Мінімальне замовлення: 22
BY228GDiotec SemiconductorВипрямний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 500; Uf (max), В = 1,3; If, А = 3; Тексп, °C = -50...+150; I, мкА @ Ur, В = 5 @ 1500; DO-201
на замовлення 140 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
34+18.81 грн
37+ 16.94 грн
100+ 15.05 грн
Мінімальне замовлення: 34
BY228GDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1500V 3A DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
товар відсутній
BY228GDiotec ElectronicsStandard Recovery Rectifiers
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
597+19.58 грн
703+ 16.62 грн
1000+ 16.14 грн
2500+ 15.11 грн
Мінімальне замовлення: 597
BY228GDiotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 1500V, 3A
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.58 грн
10+ 33.87 грн
100+ 17.66 грн
500+ 17.53 грн
1000+ 17 грн
1700+ 12.65 грн
3400+ 11.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY228GDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
Type of diode: rectifying
Case: DO201
Max. off-state voltage: 1.5kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+20.4 грн
25+ 16.93 грн
81+ 11.86 грн
222+ 11.2 грн
1000+ 10.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
BY228GDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1500V 3A DO201
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
товар відсутній
BY228GDiotec SemiconductorDiode, DO-201, 1500V, 3A
товар відсутній
BY228GPVishay SemiconductorsRectifiers 2.5A,1500V,SUPER RECT.DO-201AD
товар відсутній
BY228GP-E3/54VishayDiode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2800+42.15 грн
4200+ 41.48 грн
7000+ 41.06 грн
Мінімальне замовлення: 2800
BY228GP-E3/54VishayDiode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+45.26 грн
4200+ 44.55 грн
7000+ 44.1 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY228GP-E3/54VishayDiode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2800+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 2800
BY228GP-E3/54VISHAYDescription: VISHAY - BY228GP-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.5 kV, 2.5 A, Einfach, 1.6 V, 2 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.6V
Sperrverzögerungszeit: 2µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.5kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SUPERECTIFIER
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.26 грн
10+ 90.91 грн
100+ 69.4 грн
500+ 54.29 грн
1000+ 39.15 грн
5000+ 38.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY228GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 1.5KV 2.5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 6749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.78 грн
10+ 80.02 грн
100+ 63.73 грн
500+ 50.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY228GP-E3/54VishayDiode Switching 1.5KV 2.5A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY228GP-E3/54
Код товару: 155570
VishayДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201AD
Uзвор., V: 1500 V
Iвипр., A: 2,5 A
Опис: Выпрямительный
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,6 V
у наявності 611 шт:
231 шт - склад
104 шт - РАДІОМАГ-Київ
186 шт - РАДІОМАГ-Харків
90 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 50 шт:
50 шт - очікується
1+15.5 грн
10+ 13.8 грн
100+ 12.4 грн
BY228GP-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 2.5 Amp 1500 Volt
на замовлення 28416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.38 грн
10+ 89.41 грн
100+ 61.87 грн
500+ 52.12 грн
1400+ 43.02 грн
2800+ 40.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY228GP-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 2.5A; Ifsm: 50A; DO201AD; Ufmax: 1.6V
Capacitance: 40pF
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.2mA
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: DO201AD
Max. off-state voltage: 1.5kV
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 2.5A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 20µs
товар відсутній
BY228GP-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 2.5A; Ifsm: 50A; DO201AD; Ufmax: 1.6V
Capacitance: 40pF
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.2mA
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: DO201AD
Max. off-state voltage: 1.5kV
Max. load current: 10A
Max. forward voltage: 1.6V
Load current: 2.5A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 20µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BY228GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 1.5KV 2.5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+47.51 грн
2800+ 43.47 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY228GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 1.5KV 2.5A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
товар відсутній
BY228GP-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 2.5A,1500V,SUPER RECT.DO-201AD
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.06 грн
10+ 103.04 грн
100+ 71.81 грн
500+ 60.28 грн
1000+ 51.13 грн
2000+ 48.56 грн
5000+ 47.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY228GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 1.5KV 2.5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.17 грн
10+ 92.51 грн
100+ 73.64 грн
500+ 58.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY228GP-E3/73VishayRectifier Diode Switching 1.5KV 2.5A 20000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY228GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GP 1.5KV 2.5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
товар відсутній
BY228GPHE3/54VishayRectifier Diode Switching 1.5KV 2.5A 20000ns Automotive 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY228TAPVishay SemiconductorВипрямний лавиноподібний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 500; Uf (max), В = 1,5; If, А = 5; trr, нс = 20 000; Тексп, °С = -55...+175; I, мкА @ Ur, В = 5 @ 1500; SOD-64
на замовлення 836 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
19+33.1 грн
21+ 29.8 грн
100+ 26.47 грн
Мінімальне замовлення: 19
BY228TAPVISHAYDescription: VISHAY - BY228TAP - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.65 kV, 3 A, Einfach, 1.5 V, 20 µs, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-64
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 20µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.65kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 140°C
на замовлення 22089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.26 грн
12+ 63.04 грн
100+ 47.23 грн
500+ 37.13 грн
1000+ 25.47 грн
5000+ 24.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 31329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.68 грн
13+ 47.55 грн
100+ 40.83 грн
500+ 34.47 грн
1000+ 27 грн
2500+ 24.88 грн
5000+ 23.96 грн
12500+ 23.55 грн
25000+ 23 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 31329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 15
BY228TAP
Код товару: 38478
EICДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOD-64
Uзвор., V: 1500 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: демпферний діод
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,5 V
у наявності 52 шт:
40 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+22.5 грн
10+ 19.8 грн
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+68.09 грн
196+ 59.82 грн
222+ 52.62 грн
233+ 48.49 грн
500+ 42.47 грн
1000+ 38.68 грн
2000+ 36.77 грн
2500+ 35.85 грн
Мінімальне замовлення: 172
BY228TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 50A
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: SOD64
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 6015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.34 грн
10+ 36.37 грн
25+ 34.25 грн
26+ 30.88 грн
72+ 28.82 грн
500+ 27.8 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY228TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.5kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 50A; SOD64
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 50A
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: SOD64
Max. off-state voltage: 1.5kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6015 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+73.61 грн
6+ 45.33 грн
25+ 41.1 грн
26+ 37.06 грн
72+ 34.59 грн
500+ 33.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.27 грн
10+ 56 грн
100+ 43.55 грн
500+ 34.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 31329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+51.06 грн
267+ 43.85 грн
500+ 38.38 грн
1000+ 31.31 грн
2500+ 27.82 грн
5000+ 25.73 грн
12500+ 25.28 грн
25000+ 24.7 грн
Мінімальне замовлення: 229
BY228TAPVishayДиод БМ SOD-64 U=1500 V I=3 A trr=20000 ns
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+33.35 грн
10+ 25.8 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY228TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.4 грн
5000+ 26.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BY228TAPVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 Ammo
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+30.2 грн
Мінімальне замовлення: 7500
BY228TAPVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM
на замовлення 27748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+76.87 грн
10+ 59.93 грн
100+ 42.17 грн
500+ 35.71 грн
1000+ 29.12 грн
2500+ 26.82 грн
5000+ 25.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.4 грн
5000+ 26.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BY228TRVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY228TRVishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1500 Volt 50 Amp IFSM
на замовлення 20455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.65 грн
10+ 50.84 грн
100+ 34.33 грн
500+ 29.12 грн
1000+ 26.68 грн
5000+ 25.37 грн
12500+ 24.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
BY228TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1.5KV 3A SOD64
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-64, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-64
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1500 V
на замовлення 12297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.27 грн
10+ 56 грн
100+ 43.55 грн
500+ 34.64 грн
1000+ 28.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY228TRVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228TRVishayRectifier Diode Switching 1.65KV 3A 20000ns 2-Pin SOD-64 T/R
товар відсутній
BY228TRVishayDiode Switching 1.65KV 3A 2-Pin SOD-64 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000
BY229-1000R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY229-200-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching `A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-200-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229-200-E3/45VishayRectifier Diode Switching 200V 8A 145ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній
BY229-200-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 200 Volt
товар відсутній
BY229-200HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-200HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229-400-E3/45VishayDiode Switching 400V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній
BY229-400-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers
товар відсутній
BY229-600NXP SemiconductorsRectifiers RAIL REC-DD
товар відсутній
BY229-600Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-600
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY229-600,127NXP USA Inc.Description: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 500 V
товар відсутній
BY229-600,127NXP SemiconductorsRectifier Diode Switching 600V 8A 135ns 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Rail
товар відсутній
BY229-600-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-600-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229-600-E3/45VishayDiode Switching 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній
BY229-600-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 600 Volt
товар відсутній
BY229-600HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-600HE3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 600 Volt 8.0A 145ns Glass Passivated
товар відсутній
BY229-600HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229-600HE3/45VishayRectifier Diode Switching 600V 8A 145ns Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній
BY229-800Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-800PH09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY229-800,127NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товар відсутній
BY229-800-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-800-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229-800-E3/45VishayDiode Switching 800V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товар відсутній
BY229-800-E3/45Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8.0 Amp 600 Volt
товар відсутній
BY229-800HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229-800HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229B-200Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-200-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-200-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 200 Volt
товар відсутній
BY229B-200-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229B-200-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229B-200-E3/81Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 200 Volt
товар відсутній
BY229B-200HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-200HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229B-200HE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229B-200HE3/81VishayDiode Switching 200V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
BY229B-400Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-400-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-400-E3/31Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 400 Volt
товар відсутній
BY229B-400-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229B-400-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229B-400-E3/81Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 200 Volt
товар відсутній
BY229B-400HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-400HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229B-400HE3/81Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0A 400 Volt 145ns 100 Amp IFSM
товар відсутній
BY229B-400HE3/81VishayRectifier Diode Switching 400V 8A 145ns Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
BY229B-400HE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229B-600Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-600-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-600-E3/45VishayRectifier Diode Switching 600V 8A 145ns 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
товар відсутній
BY229B-600-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229B-600-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 600 Volt
товар відсутній
BY229B-600-E3/81Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 600 Volt
товар відсутній
BY229B-600-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229B-600HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-600HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229B-600HE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229B-800Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-800-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-800-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229B-800-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 800 Volt
товар відсутній
BY229B-800-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229B-800-E3/81VishayRectifier Diode Switching 800V 8A 145ns 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
BY229B-800HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229B-800HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229B-800HE3/81VishayDiode Switching 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R
товар відсутній
BY229B-800HE3/81Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229B-800HE3/81Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8.0A 800 Volt 145ns 100 Amp IFSM
товар відсутній
BY229F-600
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY229X-200NXP SemiconductorsRectifiers RAIL REC-DD
товар відсутній
BY229X-200,127NXP USA Inc.Description: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 150 V
товар відсутній
BY229X-200-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-200-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229X-200-E3/45VishayDiode Switching 200V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube
товар відсутній
BY229X-200HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,200V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-200HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY229X-400-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-400-E3/45VishayDiode Switching 400V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube
товар відсутній
BY229X-400-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229X-400HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,400V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-400HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY229X-600NXP SemiconductorsRectifiers RAIL REC-DD
товар відсутній
BY229X-600,127NXP USA Inc.Description: DIODE GEN PURP 500V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 500 V
товар відсутній
BY229X-600-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-600-E3/45VishayDiode Switching 600V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube
товар відсутній
BY229X-600-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229X-600-E3/45Vishay SemiconductorsRectifiers 8.0 Amp 600 Volt
товар відсутній
BY229X-600HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,600V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-600HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229X-600HE3/45Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8.0A 600 Volt 145ns 100 Amp IFSM
товар відсутній
BY229X-800NXP SemiconductorsRectifiers RAIL REC-DD
товар відсутній
BY229X-800
на замовлення 10600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY229X-800
Код товару: 111591
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
товар відсутній
BY229X-800,127NXP SemiconductorsRectifiers RAIL REC-DD
товар відсутній
BY229X-800,127NXP USA Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 600 V
товар відсутній
BY229X-800-E3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-800-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY229X-800-E3/45VishayDiode Switching 800V 8A 2-Pin(2+Tab) ITO-220AC Tube
товар відсутній
BY229X-800HE3Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 8A,800V,145NS,FS PLASTIC RECT
товар відсутній
BY229X-800HE3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 8A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: ITO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товар відсутній
BY251Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 159800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY251DC COMPONENTSBY251-DC THT universal diodes
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
17+15.76 грн
390+ 2.48 грн
1065+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 17
BY251Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 200V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY251Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,200V,Std SILASTIC Rect
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.9 грн
15+ 21.14 грн
100+ 10.41 грн
500+ 6.92 грн
1250+ 5.34 грн
2500+ 4.61 грн
10000+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY251Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+17.3 грн
50+ 12.34 грн
100+ 10.64 грн
250+ 7.12 грн
500+ 5.93 грн
1000+ 5.22 грн
1500+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY251EICDiode 200V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY251DIOTEC SEMICONDUCTORBY251-DIO THT universal diodes
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.84 грн
315+ 3.09 грн
860+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY251Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 200V, 3A
на замовлення 4855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.78 грн
10+ 30.76 грн
100+ 19.17 грн
500+ 13.97 грн
1000+ 13.37 грн
1700+ 12.32 грн
3400+ 10.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
BY251 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,200V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY251 R0Taiwan SemiconductorDiode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251 R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A,200V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY251 X0Taiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY251 X0GTaiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY251-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+17.3 грн
50+ 12.34 грн
100+ 10.64 грн
250+ 7.12 грн
500+ 5.93 грн
1000+ 5.22 грн
1500+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY251GTaiwan SemiconductorDiode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251GTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - BY251G - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 1 V, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.75 грн
16+ 48.34 грн
100+ 29.05 грн
500+ 19.7 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY251G A0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY251G A0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A, 200V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
BY251G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A 200V Standard Rec overy Rectifier
товар відсутній
BY251G R0GTaiwan SemiconductorDiode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251G R0GTaiwan SemiconductorDiode 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251GP-E3/54VishayRectifier Diode Switching 200V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY251GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.8 грн
14+ 20.59 грн
100+ 17.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
BY251GP-E3/73VishayDiode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY251GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY251GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY251GPHE3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY251P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+11.65 грн
2800+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY251P-E3/54VishayDiode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251P-E3/54VishayDiode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251P-E3/54VISHAYBY251P-E3/54 THT universal diodes
товар відсутній
BY251P-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 200 Volt
на замовлення 7509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.9 грн
11+ 27.58 грн
100+ 16.67 грн
500+ 13.05 грн
1400+ 10.48 грн
2800+ 9.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY251P-E3/54VishayDiode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY251P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.36 грн
11+ 25.39 грн
100+ 17.67 грн
500+ 12.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY251P-E3/73VishayDiode Switching 200V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY251P-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 3A,200V,STD,PLASTIC RECT,DO-201AD
товар відсутній
BY251P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY252DC COMPONENTSBY252-DC THT universal diodes
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY252Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY252Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,400V,Std SILASTIC Rect
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY252DIOTEC SEMICONDUCTORBY252-DIO THT universal diodes
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.93 грн
330+ 2.95 грн
900+ 2.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY252Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY252Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 400V, 3A
на замовлення 5023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.19 грн
11+ 29.47 грн
100+ 18.38 грн
500+ 13.37 грн
1000+ 12.78 грн
1700+ 8.1 грн
3400+ 6.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY252Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 400V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY252EIC SemiconductorRectifier Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY252 R0Taiwan SemiconductorDiode 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,400V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY252 R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A,400V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY252 R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode Switching Si 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252 X0Taiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY252 X0GTaiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY252-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+42.55 грн
850+ 17.51 грн
1700+ 5.66 грн
3400+ 5.26 грн
Мінімальне замовлення: 425
BY252GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A, 400V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
BY252GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 3A, 400V, STANDARD RECOVERY RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A 400V Standard Rec overy Rectifier
товар відсутній
BY252GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252GP-E3/73VishayDiode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY252GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY252P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+13.31 грн
2800+ 11.73 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY252P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+12.33 грн
2800+ 11.16 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY252P-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 400 Volt
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.9 грн
11+ 27.58 грн
100+ 16.67 грн
500+ 13.05 грн
1400+ 10.61 грн
2800+ 8.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY252P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY252P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY252P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.5 грн
10+ 27.45 грн
100+ 20.51 грн
500+ 15.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY252P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+12.06 грн
2800+ 10.91 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY252P-E3/73VishayRectifier Diode Switching 400V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY253EICDiode 600V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY253DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 600V
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 3A
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+13.05 грн
120+ 2.86 грн
136+ 2.53 грн
345+ 2.17 грн
950+ 2.05 грн
Мінімальне замовлення: 29
BY253Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 600V, 3A
на замовлення 1694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.88 грн
10+ 30.46 грн
100+ 18.97 грн
500+ 13.84 грн
1000+ 13.24 грн
1700+ 8.37 грн
3400+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY253Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 600V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY253DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Max. off-state voltage: 600V
Case: DO27
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 3A
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
17+15.66 грн
72+ 3.57 грн
100+ 3.04 грн
345+ 2.6 грн
950+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
BY253Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 368900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+39.19 грн
850+ 16.12 грн
1700+ 5.21 грн
3400+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 425
BY253
Код товару: 189078
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
BY253Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 600V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 117
BY253DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 1.5us
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 100A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 5µA
Case: DO201
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 3A
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+11.01 грн
97+ 3.57 грн
120+ 2.87 грн
310+ 2.44 грн
845+ 2.31 грн
Мінімальне замовлення: 34
BY253DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 1.5us
Kind of package: Ammo Pack
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 100A
Max. off-state voltage: 600V
Leakage current: 5µA
Case: DO201
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 3A
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
21+13.22 грн
58+ 4.45 грн
100+ 3.44 грн
310+ 2.92 грн
845+ 2.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
BY253Diotec SemiconductorDiode Switching 600V 3A Automotive 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 129
BY253Diotec Semiconductor AGDescription: Diode, DO-201, 600V, 3A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 368900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY253 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,600V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY253 R0Taiwan SemiconductorDiode 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253 R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A,600V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY253 X0Taiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY253 X0GTaiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY253-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 382500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
425+39.19 грн
850+ 16.12 грн
1700+ 5.21 грн
3400+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 425
BY253GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A, 600V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
BY253GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 3A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
BY253G A0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY253G A0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A 600V Standard Rec overy Rectifier
товар відсутній
BY253G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A 600V Standard Rec overy Rectifier
товар відсутній
BY253G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 600V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253GP-E3/54VishayRectifier Diode Switching 600V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
BY253GP-E3/73VishayDiode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY253GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
BY253GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
BY253P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 5411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.93 грн
12+ 24.78 грн
100+ 18.52 грн
500+ 13.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY253P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 600V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+11.68 грн
2800+ 10.25 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY253P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 600V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 600V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY253P-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 600 Volt
на замовлення 5563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.9 грн
11+ 27.58 грн
100+ 16.67 грн
500+ 13.05 грн
1400+ 10.61 грн
2800+ 8.89 грн
9800+ 8.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY253P-E3/73VishayDiode Switching 600V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY253P-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 600 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
товар відсутній
BY253P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товар відсутній
BY254DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 1.5us
Mounting: THT
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Case: DO201
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.42 грн
55+ 4.98 грн
100+ 3.85 грн
305+ 3.17 грн
830+ 3 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY254Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 800V, 3A
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.04 грн
10+ 31.75 грн
100+ 19.77 грн
500+ 14.43 грн
1000+ 13.77 грн
1700+ 8.76 грн
3400+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY254Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+4.85 грн
8500+ 4.37 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY254DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Case: DO27
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.1 грн
120+ 2.88 грн
140+ 2.54 грн
370+ 2.18 грн
1010+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 30
BY254MULTICOMPDescription: MULTICOMP - BY254 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 840 mV, 150 A
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 150
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 840
Sperrverzögerungszeit: -
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: BY254
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товар відсутній
BY254Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+15.76 грн
50+ 11.79 грн
100+ 10.16 грн
250+ 6.81 грн
500+ 5.67 грн
1000+ 4.99 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY254Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2370+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 2370
BY254EIC SemiconductorDiode 800V 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY254DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 200A
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Case: DO27
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.72 грн
75+ 3.58 грн
100+ 3.05 грн
370+ 2.61 грн
1010+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY254Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY254Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY254Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,800V,Std SILASTIC Rect
товар відсутній
BY254Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2243+5.21 грн
8500+ 4.69 грн
Мінімальне замовлення: 2243
BY254DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201; 1.5us
Mounting: THT
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 100A
Leakage current: 5µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Case: DO201
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.35 грн
90+ 3.99 грн
110+ 3.21 грн
305+ 2.64 грн
830+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 40
BY254Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 10201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY254Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 800V 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY254
Код товару: 187762
DC COMPONENTSДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201AD(DO-27)
Uзвор., V: 800 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності 3 шт:
3 шт - склад
1+11 грн
BY254 R0Taiwan SemiconductorDiode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,800V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY254 R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode Switching Si 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254 R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A,800V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY254 X0Taiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY254 X0GTaiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY254-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+17.3 грн
50+ 12.93 грн
100+ 11.15 грн
250+ 7.47 грн
500+ 6.22 грн
1000+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY254GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 3A, 800V, STANDARD RECOVERY RECT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.52 грн
16+ 17.29 грн
100+ 10.38 грн
500+ 9.01 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY254GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 3A, 800V, STANDARD RECOVERY RECT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 1250
BY254GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A, 800V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
BY254G A0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A, 800V, Standard Recovery Rectifier
товар відсутній
BY254G A0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY254G R0GTaiwan SemiconductorRectifiers 3A 800V Standard Rec overy Rectifier
на замовлення 4806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BY254G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254G R0GTaiwan SemiconductorRectifier Diode 800V 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254GP-E3/54VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
BY254GP-E3/73VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY254GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
BY254GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
BY254P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+11.22 грн
2800+ 9.66 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY254P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254P-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 800 Volt
на замовлення 25299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.9 грн
11+ 27.58 грн
100+ 16.67 грн
500+ 13.05 грн
1400+ 10.61 грн
2800+ 8.43 грн
9800+ 8.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY254P-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; reel,tape; Ifsm: 150A; DO201AD
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: DO201AD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+29.56 грн
14+ 25.53 грн
15+ 23.33 грн
25+ 21.55 грн
87+ 9.27 грн
237+ 8.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY254P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.93 грн
12+ 24.43 грн
100+ 17.03 грн
500+ 12.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY254P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254P-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 3A; reel,tape; Ifsm: 150A; DO201AD
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Case: DO201AD
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+35.48 грн
9+ 31.81 грн
10+ 28 грн
25+ 25.86 грн
87+ 11.12 грн
237+ 10.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY254P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY254P-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 800 Volt
товар відсутній
BY254P-E3/73VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY254P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
BY254P-E3/73VishayRectifier Diode Switching 800V 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY255DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
товар відсутній
BY255Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+8.97 грн
90+ 6.42 грн
91+ 6.36 грн
Мінімальне замовлення: 65
BY255LGE3A; 1300V; packaging: ammo; BY255 diode rectifying DP BY255 q
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1250+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 1250
BY255Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,1300V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY255DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 200A; DO27
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BY255LUGUANG ELECTRONICCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
товар відсутній
BY255Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1300V 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY255EIC SemiconductorRectifier Diode 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 66
BY255LUGUANG ELECTRONICCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ifsm: 150A; DO201AD; Ufmax: 1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BY255Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY255MIC3A; 1300V; packaging: ammo; BY255 diode rectifying DP BY255
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 6760 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1250+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 1250
BY255
Код товару: 34884
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-27
Uзвор., V: 1300 V
Iвипр., A: 3 A
у наявності 32 шт:
32 шт - РАДІОМАГ-Київ
2+3 грн
10+ 2.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
BY255Diotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 1300V, 3A
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+16.45 грн
27+ 11.59 грн
100+ 8.89 грн
1700+ 6.92 грн
8500+ 3.36 грн
23800+ 3.23 грн
49300+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 19
BY255DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
на замовлення 18775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+10.79 грн
95+ 3.68 грн
120+ 2.94 грн
315+ 2.55 грн
855+ 2.41 грн
Мінімальне замовлення: 35
BY255Diotec ElectronicsRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 18775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2460+4.75 грн
2591+ 4.51 грн
Мінімальне замовлення: 2460
BY255LGE3A; 1300V; packaging: ammo; BY255 diode rectifying DP BY255 q
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1250+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 1250
BY255DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 18775 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.95 грн
60+ 4.58 грн
100+ 3.52 грн
315+ 3.06 грн
855+ 2.89 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY255YANGJIE TECHNOLOGYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.09 грн
45+ 7.82 грн
100+ 6.93 грн
135+ 5.95 грн
370+ 5.62 грн
Мінімальне замовлення: 35
BY255Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY255Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1300V 3A DO201
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.66 грн
17+ 17.09 грн
100+ 8.33 грн
500+ 6.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
BY255EIC SemiconductorRectifier Diode 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1412+8.27 грн
Мінімальне замовлення: 1412
BY255YANGJIE TECHNOLOGYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; tape; Ifsm: 200A; DO27; Ufmax: 1.1V
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 200A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 830 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.3 грн
30+ 9.75 грн
100+ 8.32 грн
135+ 7.14 грн
370+ 6.75 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY255 R0Taiwan SemiconductorDiode 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 3A,1300V,STD.SILASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY255 X0Taiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY255 X0GTaiwan SemiconductorRectifiers
товар відсутній
BY255-AQDiotec SemiconductorBY255-AQ
товар відсутній
BY255-AQDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.3 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY255-AQDiotec SemiconductorRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 1500ns Automotive AEC-Q101 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY255-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BY255-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 100A; DO201
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 100A
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.1V
Leakage current: 5µA
Reverse recovery time: 1.5µs
товар відсутній
BY255-AQDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1300V 3A DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
BY255-AQDiotec SemiconductorRectifiers Diode, DO-201, 1300V, 3A, AEC-Q101
товар відсутній
BY255-AQ-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.3 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3
товар відсутній
BY255-CTDiotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201
Packaging: Strip
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.5 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1.3 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.3
товар відсутній
BY255GYangjie TechnologyDescription: DO-201AD 1300V 3.0A Diodes Rec
Packaging: Tape & Box (TB)
Part Status: Active
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+7.98 грн
6250+ 7.27 грн
12500+ 6.79 грн
25000+ 5.99 грн
50000+ 5.41 грн
125000+ 5.02 грн
Мінімальне замовлення: 1250
BY255GYangjie Electronic TechnologyGeneral Purpose Rectifier
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1729+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 1729
BY255GPVishay SemiconductorsRectifiers 3A,1300V, STD SUPERECT,DO-201AD
товар відсутній
BY255GP-7000HE3/54Vishay SemiconductorsVishay
товар відсутній
BY255GP-E3Vishay SemiconductorsRectifiers 3A,1300V, STD SUPERECT,DO-201AD
товар відсутній
BY255GP-E3/1Vishay SemiconductorsRectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
товар відсутній
BY255GP-E3/23Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-BY255GP-E3
товар відсутній
BY255GP-E3/4Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GP-E3/51Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GP-E3/54Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
товар відсутній
BY255GP-E3/54VishayDiode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255GP-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255GP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
товар відсутній
BY255GP-E3/73Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GP/1Vishay SemiconductorsRectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
товар відсутній
BY255GP/23Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-BY255GP-E3
товар відсутній
BY255GP/4Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GP/54Vishay SemiconductorsRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
товар відсутній
BY255GPHE3Vishay SemiconductorsRectifiers 3A,1300V, STD SUPERECT,DO-201AD
товар відсутній
BY255GPHE3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns Automotive 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255GPHE3/54Vishay SemiconductorsRectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
товар відсутній
BY255GPHE3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
товар відсутній
BY255GPHE3/73Vishay SemiconductorsRectifiers 1300 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
товар відсутній
BY255GPHE3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
товар відсутній
BY255GPHE3/73VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns Automotive 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY255P
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
727+16.07 грн
808+ 14.45 грн
824+ 14.18 грн
910+ 12.37 грн
1177+ 8.86 грн
Мінімальне замовлення: 727
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY255P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 26402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.93 грн
12+ 24.78 грн
100+ 17.25 грн
500+ 12.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY255P-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; reel,tape; Ifsm: 150A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+33.7 грн
9+ 30.19 грн
10+ 26.6 грн
25+ 24.54 грн
86+ 11.12 грн
236+ 10.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY255P-E3/54Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
на замовлення 9109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.44 грн
13+ 25.23 грн
100+ 16.41 грн
500+ 13.05 грн
1400+ 9.69 грн
2800+ 9.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+16.58 грн
38+ 15.3 грн
39+ 14.92 грн
100+ 12.94 грн
250+ 11.75 грн
500+ 10.21 грн
1000+ 7.9 грн
Мінімальне замовлення: 35
BY255P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1400+11.36 грн
2800+ 9.78 грн
7000+ 9.28 грн
9800+ 8.09 грн
Мінімальне замовлення: 1400
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.26 грн
25+ 23.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY255P-E3/54VISHAYDescription: VISHAY - BY255P-E3/54 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.3 kV, 3 A, Einfach, 1.1 V, 3 µs, 150 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.3kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY255
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.55 грн
27+ 28.38 грн
100+ 18.85 грн
500+ 14.34 грн
1000+ 9.95 грн
5000+ 9 грн
Мінімальне замовлення: 21
BY255P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY255P-E3/54VISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.3kV; 3A; reel,tape; Ifsm: 150A; DO201AD
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.3kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.1V
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.09 грн
15+ 24.23 грн
16+ 22.17 грн
25+ 20.45 грн
86+ 9.27 грн
236+ 8.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
BY255P-E3/73Vishay General SemiconductorRectifiers 3.0 Amp 1300 Volt
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.43 грн
10+ 30.61 грн
100+ 18.51 грн
500+ 14.43 грн
1000+ 11.73 грн
2000+ 11.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY255P-E3/73VishayDiode Switching 1.3KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY255P-E3/73VishayRectifier Diode Switching 1.3KV 3A 3000ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
BY255P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.5 грн
10+ 27.52 грн
100+ 19.1 грн
500+ 14 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY255P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.3KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 3 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1300
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+12.59 грн
2000+ 10.84 грн
5000+ 10.28 грн
10000+ 8.96 грн
25000+ 8.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
BY25Q128ASFIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ASSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ASSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ASSJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ASSJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ASWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7.5 ns
Memory Organization: 16M x 8
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.86 грн
10+ 57.1 грн
25+ 56.39 грн
50+ 52.58 грн
100+ 47.02 грн
250+ 46.62 грн
500+ 45.18 грн
1000+ 43.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
BY25Q128ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7.5 ns
Memory Organization: 16M x 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BY25Q128ESSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7.5 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7.5 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q128ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 128Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7.5 ns
Memory Organization: 16M x 8
товар відсутній
BY25Q16AWSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16AWTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16AWXIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BLMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BLMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BLSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BLTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 8 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSSJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSSJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSTIG(R)BOYAMICROFLASH 16MBIT 133MHZ SOIC-8
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
BY25Q16BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSTJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16BSUJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOP
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q16ESUJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 2M x 8
товар відсутній
BY25Q20AWTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20AWUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20AWUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLAIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 6-USON (1.2x1.2)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLRIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 6-USON (1.2x1.2)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLRIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 6-USON (1.2x1.2)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLYIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (1.5x1.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLYIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (1.5x1.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q20BLZIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 2 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 6-USON (1.2x0.85)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 256K x 8
товар відсутній
BY25Q256FSEIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (8x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSEIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (8x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSFIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q256FSWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 32M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSHIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSHJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSSIGBOYAMICRO32Mb-FLASH Memory IC; x8-bit; 2,7~3,6V; 108MHz; Quad SPI; -40?85°C; Replacement for: W25Q32BVSSIG; W25Q32FVSSIG, W25Q32JVSSIQ, GD25Q32BSIG, EN25Q32B-104HIP BY25Q32BSSIG PEF25q32bssig BY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY25Q32BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSTJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32BSWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSHJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSKIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSKJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSTJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32CSWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32ESHIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BY25Q32ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+21.34 грн
25+ 19.85 грн
50+ 18.54 грн
100+ 16.45 грн
250+ 16.24 грн
500+ 15.74 грн
1000+ 15.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY25Q32ESSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+21.34 грн
25+ 19.85 грн
95+ 16.45 грн
285+ 16.24 грн
570+ 16 грн
1045+ 15.32 грн
5035+ 13.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY25Q32ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32ESTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
на замовлення 9985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+21.28 грн
25+ 19.74 грн
50+ 18.43 грн
100+ 16.37 грн
300+ 16.17 грн
500+ 15.66 грн
1000+ 15.24 грн
5000+ 13.7 грн
Мінімальне замовлення: 13
BY25Q32ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q32ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 32 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 4M x 8
товар відсутній
BY25Q40AWOIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40AWTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BLSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BLUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BLUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSTJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40BSTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GLSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GLUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GLUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, 1.8V (1.65V TO 2.0V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 50 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms, 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GWSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GWSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GWTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 4 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q40GWUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 4MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 85 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 17 ns
Memory Organization: 512K x 8
товар відсутній
BY25Q64ASHIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ASSIGBOYAMICRO64Mb-FLASH Memory IC; x8-bit; 2,7~3,6V; 120MHz; Quad SPI; -40?85°C; Replacement for: W25Q64CVSSIG, W25Q64FVSSIG, W25Q64JVSSIQ, GD25Q64BSIG, EN25Q64-104HIP BY25Q64ASSIG PEF25q64assig BY
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY25Q64ASSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ASSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ASTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ASTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ASWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESHIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESHIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (4x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.47 грн
10+ 37.95 грн
25+ 37.53 грн
50+ 35 грн
100+ 31.28 грн
250+ 31.02 грн
500+ 30.06 грн
1000+ 28.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY25Q64ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+31.69 грн
Мінімальне замовлення: 2000
BY25Q64ESSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q64ESWIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-WSON (5x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 11.5 ns
Memory Organization: 8M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWUIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWXIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80AWYIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, WIDE VCC (1.7V TO 3.6V),
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (1.5x1.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 3ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 50µs, 2.4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSTJG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80BSTJG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 108 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 60µs, 4ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESMIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-USON (2x3)
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESSIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESSIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESTIG(R)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY25Q80ESTIG(T)BYTe SemiconductorDescription: 8 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 120 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOP
Write Cycle Time - Word, Page: 55µs, 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 7 ns
Memory Organization: 1M x 8
товар відсутній
BY268TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
товар відсутній
BY268TAPVishayDiode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo
товар відсутній
BY268TAPVishay SemiconductorsRectifiers FAST AVALANCHE 1400V
товар відсутній
BY268TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY268TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.05 грн
10+ 34.93 грн
100+ 24.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
BY268TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 24453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
679+17.21 грн
689+ 16.95 грн
700+ 16.68 грн
711+ 15.84 грн
1000+ 14.43 грн
3000+ 13.63 грн
6000+ 13.41 грн
15000+ 13.18 грн
Мінімальне замовлення: 679
BY268TRVishay SemiconductorsRectifiers FAST AVALANCHE 1400V
на замовлення 23664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.74 грн
10+ 30.61 грн
100+ 19.7 грн
500+ 17.2 грн
1000+ 14.76 грн
2500+ 14.03 грн
5000+ 13.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY268TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
товар відсутній
BY268TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 24453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+16.22 грн
37+ 15.98 грн
100+ 15.17 грн
250+ 13.83 грн
500+ 13.07 грн
1000+ 12.86 грн
3000+ 12.66 грн
6000+ 12.45 грн
Мінімальне замовлення: 36
BY268TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY268V
на замовлення 12180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY269
Код товару: 72040
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
BY269VISHAY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY269TAPVishayDiode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 17802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.11 грн
17+ 35 грн
100+ 26.65 грн
500+ 22.15 грн
1000+ 16.3 грн
2500+ 15.43 грн
5000+ 14.63 грн
10000+ 13.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
BY269TAPVishay SemiconductorsRectifiers 1600 Volt 0.8 Amp 20 Amp IFSM
на замовлення 22917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.19 грн
10+ 44.4 грн
100+ 26.75 грн
500+ 22.34 грн
1000+ 17 грн
2500+ 16.93 грн
5000+ 16.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY269TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.8A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Mounting: THT
Load current: 0.8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 400ns
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 15µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; high voltage
Case: SOD57
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.25V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+54.99 грн
6+ 48.15 грн
10+ 43.81 грн
25+ 35.25 грн
44+ 21.99 грн
121+ 20.84 грн
1000+ 20.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
BY269TAPVishayDiode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 17802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 22
BY269TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 800MA SOD57
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.23 грн
10000+ 15.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY269TAPVishayDiode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo
на замовлення 17780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+37.68 грн
407+ 28.7 грн
500+ 24.74 грн
1000+ 18.95 грн
2500+ 17.31 грн
5000+ 15.76 грн
10000+ 14.65 грн
Мінімальне замовлення: 310
BY269TAPVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.8A; Ammo Pack; Ifsm: 20A; SOD57
Mounting: THT
Load current: 0.8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 400ns
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 15µA
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; high voltage
Case: SOD57
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.25V
на замовлення 4712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.64 грн
10+ 36.51 грн
25+ 29.37 грн
44+ 18.32 грн
121+ 17.36 грн
1000+ 16.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY269TAP
Код товару: 140193
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
BY269TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 800MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: 140°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1400 V
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+47.75 грн
10+ 39.94 грн
100+ 27.65 грн
500+ 21.68 грн
1000+ 18.45 грн
2000+ 16.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
BY269TAPVishayDiode Switching 0.8A 2-Pin SOD-57 Ammo
товар відсутній
BY269TRVISHAYDescription: VISHAY - BY269TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.8 kV, 800 mA, Einfach, 1.25 V, 400 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 400ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY269
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.09 грн
500+ 21.34 грн
1000+ 15.84 грн
5000+ 15.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
BY269TRVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.8A; reel,tape; Ifsm: 20A; SOD57
Mounting: THT
Load current: 0.8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 400ns
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 15µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; high voltage
Case: SOD57
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.25V
товар відсутній
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 19854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+20.93 грн
29+ 20.1 грн
100+ 17.47 грн
250+ 15.9 грн
500+ 15.01 грн
1000+ 14.76 грн
3000+ 14.5 грн
6000+ 14.24 грн
Мінімальне замовлення: 28
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 19854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
540+21.65 грн
599+ 19.51 грн
609+ 19.18 грн
619+ 18.19 грн
1000+ 16.56 грн
3000+ 15.61 грн
6000+ 15.34 грн
15000+ 15.07 грн
Мінімальне замовлення: 540
BY269TRVISHAYDescription: VISHAY - BY269TR - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.8 kV, 800 mA, Einfach, 1.25 V, 400 ns, 20 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-57
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 400ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BY269
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 16130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.45 грн
19+ 40.06 грн
100+ 26.09 грн
500+ 21.34 грн
1000+ 15.84 грн
5000+ 15.08 грн
Мінімальне замовлення: 16
BY269TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 800MA SOD57
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1600 V
на замовлення 48907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.5 грн
10+ 28.07 грн
100+ 19.44 грн
500+ 15.24 грн
1000+ 14.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 25000
BY269TRVishay SemiconductorsRectifiers 1600 Volt 0.8 Amp 20 Amp IFSM
на замовлення 117822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.43 грн
10+ 31.22 грн
100+ 18.84 грн
500+ 15.75 грн
1000+ 15.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
BY269TRVISHAYCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 0.8A; reel,tape; Ifsm: 20A; SOD57
Mounting: THT
Load current: 0.8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 400ns
Max. forward impulse current: 20A
Leakage current: 15µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; high voltage
Case: SOD57
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. forward voltage: 1.25V
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 9453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+81.41 грн
294+ 39.79 грн
321+ 36.38 грн
323+ 34.89 грн
500+ 26.32 грн
1000+ 23.59 грн
2000+ 23.43 грн
5000+ 20.93 грн
Мінімальне замовлення: 144
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
товар відсутній
BY269TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVAL 1.6KV 800MA SOD57
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-57, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: SOD-57
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1600 V
на замовлення 43967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BY269TRVishayRectifier Diode Switching 0.8A 400ns 2-Pin SOD-57 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 25000
BY296Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY296Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 100V 2A DO201
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY296Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY296Diotec SemiconductorRectifiers Diode, Fast, DO-201, 100V, 2A, 500ns
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BY296DIOTEC SEMICONDUCTORBY296-DIO THT universal diodes
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.67 грн
280+ 3.48 грн
760+ 3.29 грн
Мінімальне замовлення: 20
BY296Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY296EICRectifier Diode Switching 100V 2A 250ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY296Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY296Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 100V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY297Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY297Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
товар відсутній
BY297EICRectifier Diode Switching 200V 2A 250ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY297Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,200V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY297Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY297Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 200V 2A DO201
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
BY297Diotec SemiconductorRectifiers Diode, Fast, DO-201, 200V, 2A, 150C
товар відсутній
BY297DIOTEC SEMICONDUCTORBY297-DIO THT universal diodes
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+10.68 грн
285+ 3.4 грн
780+ 3.21 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY297Diotec SemiconductorRectifier Diode Switching 200V 2A 500ns 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY297 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,200V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY297P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 2A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товар відсутній
BY298DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 2A
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 5µA
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BY298Diotec SemiconductorDiode Switching 400V 2A 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY298Diotec Semiconductor AGDescription: Diode, Fast, DO-201, 400V, 2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY298Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,400V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY298DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; 150ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 2A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO15
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: Ammo Pack
товар відсутній
BY298DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; 150ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 2A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO15
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 70A
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
BY298Diotec SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 400V 2A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-201
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товар відсутній
BY298Diotec SemiconductorRectifiers Diode, Fast, DO-201, 400V, 2A, 150C
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 137-146 дні (днів)
8+43.58 грн
11+ 30.16 грн
100+ 16.34 грн
500+ 15.61 грн
1000+ 14.43 грн
1700+ 8.37 грн
3400+ 6.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
BY298DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 2A
Max. load current: 20A
Reverse recovery time: 0.5µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO201
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 5µA
Kind of package: Ammo Pack
товар відсутній
BY298EICRectifier Diode Switching 400V 2A 250ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
BY298 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,400V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY298 диод
Код товару: 84641
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
BY298P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 400V 2A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товар відсутній
BY299Diotec SemiconductorDiode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY299DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 70A
Case: DO201
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.42 грн
50+ 5.39 грн
100+ 4.13 грн
280+ 3.42 грн
765+ 3.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
BY299Diotec SemiconductorDescription: DIODE FR DO-201 800V 2A
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY299Diotec SemiconductorRectifiers Diode, Fast, DO-201, 800V, 2A, 150C
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.75 грн
10+ 71.98 грн
100+ 38.94 грн
500+ 25.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
BY299DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO201; Ir: 5uA
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 70A
Case: DO201
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Max. load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.35 грн
80+ 4.32 грн
100+ 3.44 грн
280+ 2.85 грн
765+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 40
BY299Diotec SemiconductorDiode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201 Ammo
товар відсутній
BY299DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; 500ns
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 70A
Case: DO15
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 25 шт
товар відсутній
BY299Diotec SemiconductorDiode Switching 800V 2A 2-Pin DO-201 Ammo
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1700+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 1700
BY299EICFast Recovery Rectifier Diodes
товар відсутній
BY299LGE2A; 800V; packaging: ammo; BY299 diode rectifying DP BY299
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
BY299DC COMPONENTSCategory: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ammo Pack; Ifsm: 70A; DO15; 500ns
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 70A
Case: DO15
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward voltage: 1.3V
Features of semiconductor devices: fast switching
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 0.5µs
товар відсутній
BY299
Код товару: 54701
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
товар відсутній
BY299Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,800V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY299 R0Taiwan SemiconductorRectifiers 2A,800V,FASTSWITCH,PLASTIC RECTIFIER
товар відсутній
BY299BULKEIC SEMICONDUCTOR INC.Description: DIODE GEN PURP 800V 2A DO15
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BY299P-E3Vishay SemiconductorsRectifiers 2A,800V,500NS,FS,PLAS RECT,DO-201AD
товар відсутній
BY299P-E3/54VishayRectifier Diode Switching 800V 2A 1000ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
BY299P-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 2A DO201AD
товар відсутній
BY299P-E3/54Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-RGP30K-E3
товар відсутній
BY299P-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 2A DO201AD
товар відсутній
BY299P-E3/73Vishay SemiconductorsRectifiers RECOMMENDED ALT 625-RGP30K-E3/73
товар відсутній
BY29E100
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BY29G1GFSBIG(Y)BYTe SemiconductorDescription: 1 GBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Packaging: Tray
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-TFBGA (11x13)
Memory Interface: CFI
Memory Organization: 128M x 8
товар відсутній