НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4770.4 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0025120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2788 pF @ 1000 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6479.47 грн
30+ 5434.47 грн
120+ 5152.69 грн
C2M0025120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M0025120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; 463W; TO247-3; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C2M0025120DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7036.71 грн
10+ 6332.38 грн
30+ 5253.78 грн
60+ 5137.03 грн
120+ 5009.73 грн
C2M0025120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0025120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6766.06 грн
5+ 6330.24 грн
10+ 5893.67 грн
50+ 5218.47 грн
C2M0025120D
Код товару: 117277
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0025120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; 463W; TO247-3; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 90A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 45ns
товар відсутній
C2M0025120D-AWolfspeedC2M0025120D-A
товар відсутній
C2M0025120KWolfspeedC2M0025120K
товар відсутній
C2M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 54ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3201.89 грн
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+2971.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3095.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2352.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0040120DWolfspeedMOSFET SiC Power MOSFET 1200V, 60A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3662.26 грн
10+ 3281.49 грн
30+ 2757.82 грн
60+ 2662.84 грн
120+ 2567.86 грн
270+ 2472.87 грн
510+ 2449.13 грн
C2M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3521.4 грн
5+ 3307.56 грн
10+ 3093.71 грн
50+ 2674.85 грн
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2526.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0040120D
Код товару: 173103
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0040120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 60A; 330W; TO247-3; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 60A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 54ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2668.24 грн
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2766.87 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3168.92 грн
10+ 2948.03 грн
25+ 2860.24 грн
50+ 2723.95 грн
C2M0040120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3372.09 грн
30+ 2853.47 грн
120+ 2656.68 грн
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3412.68 грн
10+ 3174.8 грн
25+ 3080.26 грн
50+ 2933.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3095.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
C2M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2759.08 грн
C2M0045170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
товар відсутній
C2M0045170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C2M0045170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; 520W; TO247-3; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C2M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 48A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C2M0045170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5836.99 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0045170DWolfspeedMOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7332.21 грн
10+ 6854.26 грн
30+ 5797.96 грн
60+ 5797.3 грн
120+ 5392.3 грн
270+ 5271.59 грн
C2M0045170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8072.81 грн
5+ 7911.5 грн
10+ 7750.19 грн
C2M0045170D
Код товару: 125314
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0045170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 48A; 520W; TO247-3; 70ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C2M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 48A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
товар відсутній
C2M0045170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C2M0045170PWolfspeedMOSFET DMOSFET 1.7kV 45mOHMS 4PLUS
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6726.58 грн
10+ 6289.14 грн
30+ 5319.08 грн
60+ 5318.42 грн
120+ 4947.07 грн
270+ 4836.25 грн
C2M0045170PWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0045170P - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6378.33 грн
5+ 6131.19 грн
10+ 5884.79 грн
50+ 5106.47 грн
C2M0045170PWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
товар відсутній
C2M0045170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 72A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товар відсутній
C2M0080120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0080120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2051.13 грн
5+ 1875.76 грн
10+ 1700.4 грн
50+ 1530.84 грн
100+ 1385.81 грн
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1814.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
C2M0080120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 32ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C2M0080120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1926.5 грн
30+ 1537.94 грн
120+ 1441.81 грн
510+ 1154.63 грн
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1814.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
C2M0080120D
Код товару: 166109
Транзистори > Польові N-канальні
у наявності 3 шт:
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
C2M0080120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 32ns
товар відсутній
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M0080120DCree/WolfspeedN-канальний ПТ SIC MOSFET; Udss, В = 1 200; Id = 31,6 А; Ptot, Вт = 208; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000; Qg, нКл = 49,2 @ 20; Rds = 98 мОм @ 20А, 20В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА; TO-247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+1484.85 грн
10+ 1385.87 грн
100+ 1286.88 грн
C2M0080120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M0080120DWolfspeedMOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
на замовлення 2334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2091.62 грн
10+ 1831.9 грн
30+ 1486.1 грн
60+ 1440.59 грн
120+ 1393.75 грн
270+ 1300.75 грн
510+ 1196.53 грн
C2M0080170DWolfspeed / CreeMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 80OHM
товар відсутній
C2M0080170PCree/WolfspeedDescription: SICFET N-CH 1700V 40A TO247-4
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C2M0080170P
Код товару: 162267
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0080170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товар відсутній
C2M0080170PWolfspeed / CreeMOSFET DMOSFET 1.7kV 80mOHMS 4PLUS
товар відсутній
C2M0080170PWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Bulk
товар відсутній
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+693.9 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 196mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 23ns
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1046.28 грн
2+ 706.33 грн
4+ 667.85 грн
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+522.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+673.39 грн
C2M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 17.7A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 17.7A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 196mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 23ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1255.54 грн
2+ 880.2 грн
4+ 801.42 грн
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+725.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+562.91 грн
Мінімальне замовлення: 21
C2M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C2M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+919.01 грн
5+ 867.22 грн
10+ 814.68 грн
50+ 702.9 грн
100+ 646.29 грн
250+ 629.8 грн
C2M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1048.16 грн
30+ 817.02 грн
120+ 768.96 грн
510+ 653.99 грн
C2M0160120D
Код товару: 84501
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+568.69 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0160120DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 160 mOhm
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1138.15 грн
10+ 988.39 грн
30+ 836.38 грн
60+ 789.55 грн
120+ 742.72 грн
270+ 719.63 грн
510+ 673.46 грн
C2M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+644.33 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0160120DCREEN-MOSFET 1200V 17.7A C2M0160120D Cree/Wolfspeed TC2M0160120D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+570.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M0280120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M0280120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 10 A, 1.2 kV, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+614.15 грн
5+ 586.78 грн
10+ 560.14 грн
50+ 494.71 грн
100+ 433.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M0280120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259 pF @ 1000 V
на замовлення 14415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+722.08 грн
30+ 555.19 грн
120+ 496.75 грн
510+ 411.34 грн
1020+ 370.2 грн
C2M0280120D
Код товару: 173651
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+369.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0280120DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+580.24 грн
10+ 543.12 грн
30+ 423.47 грн
120+ 422.15 грн
270+ 385.21 грн
510+ 366.74 грн
1020+ 366.08 грн
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+454.95 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M0280120DCREEN-MOSFET 1200V 10A C2M0280120D Wolfspeed TC2M0280120D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+369.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C2M0280120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+400.5 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+817.56 грн
16+ 732.48 грн
25+ 651.43 грн
50+ 621.84 грн
Мінімальне замовлення: 14
C2M1000170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 69W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+698.8 грн
2+ 555.69 грн
3+ 534.28 грн
5+ 505.43 грн
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+718.32 грн
10+ 649.78 грн
25+ 583.23 грн
50+ 557.22 грн
100+ 428.39 грн
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 71100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+544.84 грн
Мінімальне замовлення: 450
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+476.52 грн
Мінімальне замовлення: 24
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 71550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+453.18 грн
1800+ 453.11 грн
4500+ 453.04 грн
9000+ 436.79 грн
45000+ 400.83 грн
Мінімальне замовлення: 450
C2M1000170DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4.9A; 69W; TO247-3; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 69W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 20ns
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+582.34 грн
2+ 445.92 грн
3+ 445.24 грн
5+ 421.19 грн
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+773.57 грн
17+ 699.77 грн
25+ 628.1 грн
50+ 600.08 грн
100+ 497.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+759.17 грн
10+ 680.16 грн
25+ 604.9 грн
50+ 577.42 грн
C2M1000170DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.9 A, 1.7 kV, 0.95 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.52 грн
5+ 717.01 грн
10+ 607.5 грн
50+ 541.43 грн
100+ 478.85 грн
250+ 450.94 грн
C2M1000170DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+749.19 грн
30+ 575.9 грн
120+ 515.27 грн
510+ 426.67 грн
1020+ 384.01 грн
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+359.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
C2M1000170DWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+813.41 грн
10+ 687.25 грн
30+ 541.54 грн
120+ 498 грн
270+ 468.98 грн
510+ 439.3 грн
1020+ 395.11 грн
C2M1000170DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+476.52 грн
Мінімальне замовлення: 24
C2M1000170D 1700V 4.9A TO247
Код товару: 82643
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+602 грн
100+ 529.14 грн
250+ 522.14 грн
500+ 445.19 грн
1000+ 359.81 грн
Мінімальне замовлення: 50
C2M1000170JMACOMMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 5927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+762.62 грн
10+ 662.21 грн
25+ 560.67 грн
50+ 529.67 грн
100+ 498 грн
250+ 482.83 грн
500+ 451.17 грн
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+557.12 грн
25+ 533.18 грн
50+ 512.87 грн
100+ 477.78 грн
250+ 428.97 грн
500+ 400.6 грн
Мінімальне замовлення: 21
C2M1000170JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.3A; 78W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.99 грн
2+ 516.01 грн
5+ 487.84 грн
50+ 479.59 грн
C2M1000170JCREEN-MOSFET 1700V 5.3A C2M1000170J-TR C2M1000170J Cree/Wolfspeed TC2M1000170J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+383.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M1000170JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C2M1000170J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+753.26 грн
5+ 685.19 грн
10+ 616.37 грн
50+ 558.61 грн
100+ 453.48 грн
250+ 450.94 грн
C2M1000170JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+702.82 грн
50+ 547.96 грн
100+ 515.72 грн
500+ 438.61 грн
1000+ 402.31 грн
C2M1000170J
Код товару: 144493
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+384.77 грн
Мінімальне замовлення: 50
C2M1000170JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.07 грн
10+ 678.9 грн
25+ 580.46 грн
50+ 517.13 грн
100+ 468.32 грн
250+ 467.66 грн
500+ 401.04 грн
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+648.3 грн
100+ 569.85 грн
250+ 562.3 грн
500+ 479.43 грн
1000+ 387.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
C2M1000170JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 5.3A; 78W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 78W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+795.59 грн
2+ 643.02 грн
5+ 585.4 грн
50+ 575.51 грн
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+453.23 грн
Мінімальне замовлення: 26
C2M1000170JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
C2M1000170J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+480.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+420.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+378.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
C2M1000170J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.3A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
C2M1000170J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm
на замовлення 3879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+762.62 грн
10+ 662.21 грн
25+ 560.67 грн
50+ 529.67 грн
100+ 498 грн
250+ 482.83 грн
500+ 451.17 грн
C2M10028ASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
C2M6028RASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
C2M7028RASI
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)