Продукція > C3M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
C3MSwitchcraftXLR Connectors 3 PIN MALE RECEPT
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
C3MSWITCHCRAFT/CONXALLDescription: SWITCHCRAFT/CONXALL - C3M - CONNECTOR, XLR, PLUG, 3 POSITION
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
Kontaktüberzug: Nickel Plated Contacts
rohsCompliant: YES
Ausführung: Plug
Anzahl der Kontakte: 3Contacts
euEccn: NLR
Steckverbindermaterial: Metal Body
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: C Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+878.78 грн
10+ 799.9 грн
25+ 715.12 грн
C3MSwitchcraft Inc.Description: CONN RCPT MALE XLR 3P SOLDER CUP
Packaging: Bulk
Features: Ground
Connector Type: Receptacle, Male Pins
Color: Silver
Voltage Rating: 125VAC
Current Rating (Amps): 15A
Mounting Type: Panel Mount
Number of Positions: 3
Orientation: Keyed
Shell Size - Insert: XLR
Fastening Type: Latch Lock
Termination: Solder Cup
Mounting Feature: Flange
Contact Finish - Mating: Silver
Part Status: Active
Shell Material: Zinc
Shell Finish: Nickel
Primary Material: Metal
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+723.7 грн
25+ 593.91 грн
100+ 538.49 грн
C3M-000000000000-NAAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+89212.8 грн
5+ 84374.49 грн
C3M-000000000000-NBAdvanced EnergyDescription: CONFIG DC PWR MOD 3000W
Packaging: Bulk
Type: DC Output Module
Approval Agency: IEC
Part Status: Active
Power (Watts): 3000 W
Standard Number: 60601-1; 60601-1-2
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+89212.8 грн
5+ 84374.49 грн
C3M0010090DWolfspeedC3M0010090D
товар відсутній
C3M0010090KWolfspeedC3M0010090K
товар відсутній
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3620.9 грн
10+ 3203.6 грн
25+ 3045.76 грн
50+ 2840.38 грн
100+ 2398.97 грн
500+ 2279.53 грн
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+3899.43 грн
10+ 3450.03 грн
25+ 3280.05 грн
50+ 3058.87 грн
100+ 2583.5 грн
500+ 2454.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
C3M0015065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3341.96 грн
30+ 2696.84 грн
120+ 2517.06 грн
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2196.66 грн
60+ 1910.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2745.94 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3434.92 грн
10+ 3005.7 грн
30+ 2550.56 грн
60+ 2317.91 грн
120+ 2315.94 грн
270+ 2308.71 грн
510+ 2307.4 грн
C3M0015065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2957.17 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3341.96 грн
30+ 2696.84 грн
120+ 2517.06 грн
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2549.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2507.38 грн
10+ 2355.31 грн
25+ 2351.71 грн
50+ 2232.97 грн
100+ 1939.51 грн
500+ 1850.81 грн
C3M0015065KWolfspeedC3M0015065K
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1946.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2726.65 грн
10+ 2560.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 15mohm, 650V, TO-247-4, Industrial, Gen 3
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3427.25 грн
10+ 3029.88 грн
30+ 2551.22 грн
60+ 2370.49 грн
120+ 2329.09 грн
270+ 2287.03 грн
510+ 2237.74 грн
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 3334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2700.26 грн
10+ 2536.49 грн
25+ 2532.61 грн
50+ 2404.74 грн
100+ 2088.7 грн
500+ 1993.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2531.89 грн
10+ 2377.66 грн
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4587.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 418A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0015065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 120A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2172.55 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0015065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 57220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2549.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
C3M0015065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 96A; Idm: 418A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 418A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0015065K-MWolfspeed, Inc.Description: MVF 200MM QUALIFIED MATERIAL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5011 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0016120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 15mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5397.73 грн
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+4996.03 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0016120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 1559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4777.99 грн
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4250.09 грн
10+ 4168.64 грн
25+ 4111.71 грн
50+ 3964.17 грн
100+ 3664.73 грн
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4577.02 грн
10+ 4489.31 грн
25+ 4427.99 грн
50+ 4269.1 грн
100+ 3946.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5380.34 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0016120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+3426.49 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 556W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 28.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 211nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+5023.42 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 556W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 28.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 211nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0016120KWolfspeedMOSFET SiC MOSFET G3 1200V 16mOhms
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6498.75 грн
10+ 5848.15 грн
30+ 4851.39 грн
60+ 4744.27 грн
120+ 4626.63 грн
C3M0016120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.3mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 1000 V
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5984.39 грн
30+ 5018.96 грн
120+ 4758.71 грн
C3M0016120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0016120K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 115 A, 1.2 kV, 0.0223 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0223ohm
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6248.8 грн
5+ 5845.53 грн
10+ 5442.26 грн
50+ 4819.4 грн
C3M0016120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 115A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2040.36 грн
10+ 1919.28 грн
25+ 1885.4 грн
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0021120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2924.28 грн
10+ 2568.11 грн
30+ 2100.38 грн
60+ 2030.06 грн
120+ 1960.4 грн
270+ 1890.08 грн
510+ 1802.68 грн
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2134.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0021120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2692.91 грн
30+ 2173 грн
120+ 2028.13 грн
C3M0021120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 469W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2757.26 грн
5+ 2668.05 грн
10+ 2578.84 грн
50+ 2311.81 грн
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 81A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0021120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2197.31 грн
10+ 2066.91 грн
25+ 2030.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0021120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 469W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4818 pF @ 1000 V
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2692.91 грн
30+ 2173 грн
120+ 2028.13 грн
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0021120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1640.02 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0021120KWolfspeedMOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 2703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2924.28 грн
10+ 2568.11 грн
30+ 2100.38 грн
60+ 2030.06 грн
120+ 1960.4 грн
270+ 1890.08 грн
510+ 1802.68 грн
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0025065DWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2251.1 грн
10+ 1972.56 грн
60+ 1499.71 грн
2520+ 1330.16 грн
C3M0025065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
товар відсутній
C3M0025065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1984.86 грн
10+ 1816.21 грн
25+ 1718.92 грн
50+ 1640.15 грн
100+ 1329.47 грн
C3M0025065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1247.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1371.1 грн
Мінімальне замовлення: 9
C3M0025065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 271W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 400 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2082.24 грн
10+ 1782.29 грн
100+ 1558.85 грн
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1920 грн
10+ 1725.4 грн
25+ 1708.11 грн
50+ 1433.05 грн
100+ 1277.99 грн
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2067.69 грн
10+ 1858.13 грн
25+ 1839.5 грн
50+ 1543.28 грн
100+ 1376.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0025065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товар відсутній
C3M0025065J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET 25 mO, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2205.86 грн
10+ 1933.26 грн
25+ 1567.4 грн
50+ 1518.77 грн
100+ 1470.14 грн
250+ 1372.22 грн
500+ 1261.81 грн
C3M0025065J1WolfspeedSiC, MOSFET 25 mΩ, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2005.04 грн
10+ 1785.94 грн
25+ 1767.93 грн
50+ 1467.1 грн
100+ 1305.66 грн
500+ 1147.8 грн
C3M0025065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 80A T/R
товар відсутній
C3M0025065KWolfspeedC3M0025065K
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1140.88 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1442.88 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1339.82 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1442.11 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065KWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 25mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2205.86 грн
10+ 1933.26 грн
30+ 1567.4 грн
60+ 1518.77 грн
120+ 1470.14 грн
270+ 1372.22 грн
510+ 1261.81 грн
C3M0025065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1645.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0025065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 600 V
товар відсутній
C3M0025065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 97A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1339.1 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0025065L-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 25mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2281.77 грн
10+ 1998.26 грн
25+ 1621.29 грн
50+ 1570.69 грн
100+ 1520.08 грн
250+ 1418.88 грн
500+ 1304.53 грн
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0025065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 25M, 650V, TOLL, T&
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 400 V
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2101.43 грн
10+ 1866.08 грн
25+ 1782.19 грн
100+ 1495.43 грн
250+ 1426.56 грн
C3M0030090KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0030090K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 149W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: C3M
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3273.32 грн
5+ 3094.91 грн
10+ 2915.76 грн
C3M0030090KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3383.06 грн
10+ 2993.87 грн
25+ 2846.84 грн
50+ 2655.52 грн
100+ 2322.39 грн
500+ 2207.26 грн
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3643.3 грн
10+ 3224.17 грн
25+ 3065.83 грн
50+ 2859.79 грн
100+ 2501.04 грн
500+ 2377.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
C3M0030090K
Код товару: 143865		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0030090KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 73A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 35A, 15V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 11mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1503 pF @ 600 V
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3132.96 грн
30+ 2528.29 грн
120+ 2359.74 грн
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1866.97 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0030090KWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 30mOhm
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3402.72 грн
10+ 2988.32 грн
30+ 2444.1 грн
60+ 2361.95 грн
120+ 2281.11 грн
270+ 2199.62 грн
510+ 2097.76 грн
C3M0030090KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 62ns
товар відсутній
C3M0030090KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 73A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+3224.14 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0032120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2376.55 грн
30+ 1896.98 грн
120+ 1778.43 грн
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2240 грн
10+ 2038.97 грн
25+ 1985.42 грн
50+ 1877.09 грн
100+ 1582.12 грн
500+ 1505.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0032120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2193.6 грн
10+ 2064.01 грн
30+ 1598.95 грн
60+ 1588.43 грн
120+ 1536.51 грн
270+ 1475.39 грн
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1746.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
C3M0032120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1985.37 грн
5+ 1815.81 грн
10+ 1645.51 грн
50+ 1480.73 грн
100+ 1322.6 грн
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2080 грн
10+ 1893.33 грн
25+ 1843.6 грн
50+ 1743.01 грн
100+ 1469.11 грн
500+ 1397.99 грн
C3M0032120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1746.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2063.42 грн
10+ 1871.71 грн
25+ 1830.63 грн
50+ 1729.81 грн
100+ 1440.15 грн
500+ 1342.39 грн
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2066.91 грн
10+ 1905.47 грн
25+ 1870.55 грн
50+ 1773.05 грн
100+ 1499.65 грн
500+ 1403.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3141.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
C3M0032120J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1919.28 грн
10+ 1769.37 грн
25+ 1736.94 грн
50+ 1646.41 грн
100+ 1392.53 грн
500+ 1303.47 грн
C3M0032120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2376.55 грн
50+ 1896.98 грн
100+ 1778.43 грн
C3M0032120J1WolfspeedC3M0032120J1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0032120J1Wolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2222.15 грн
10+ 2015.69 грн
25+ 1971.45 грн
50+ 1862.87 грн
100+ 1550.93 грн
500+ 1445.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0032120J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2580.79 грн
10+ 2260.51 грн
25+ 1833.56 грн
50+ 1777.05 грн
100+ 1719.21 грн
250+ 1604.2 грн
500+ 1475.39 грн
C3M0032120J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
C3M0032120J1-TRWolfspeedC3M0032120J1-TR
товар відсутній
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1330.27 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0032120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0032120K - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 63 A, 1.2 kV, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2481.53 грн
5+ 2269.21 грн
10+ 2056.88 грн
50+ 1851.09 грн
100+ 1653.09 грн
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1877.48 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0032120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 283W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3357 pF @ 1000 V
товар відсутній
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 71230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1746.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
C3M0032120KWolfspeedMOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2580.79 грн
10+ 2260.51 грн
30+ 1833.56 грн
60+ 1777.05 грн
120+ 1719.21 грн
270+ 1604.2 грн
510+ 1475.39 грн
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0032120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2021.9 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0040120DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-3, Industrial
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1926.01 грн
10+ 1686.88 грн
30+ 1368.27 грн
60+ 1325.56 грн
120+ 1282.84 грн
270+ 1197.4 грн
510+ 1101.45 грн
C3M0040120D
Код товару: 198825		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0040120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2073 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120DWolfspeedC3M0040120D
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+896.3 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0040120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1839.4 грн
C3M0040120DWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1773.71 грн
30+ 1415.84 грн
120+ 1327.36 грн
C3M0040120D-MVFWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
товар відсутній
C3M0040120J1Wolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1773.71 грн
50+ 1415.85 грн
100+ 1327.36 грн
500+ 1062.97 грн
C3M0040120J1WolfspeedC3M0040120J1
товар відсутній
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0040120J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1926.01 грн
10+ 1686.88 грн
25+ 1454.36 грн
50+ 1235.52 грн
250+ 1197.4 грн
500+ 1101.45 грн
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+891.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0040120J1WolfspeedSiC, MOSFET, 40mΩ, 1200V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0040120J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 511-520 дні (днів)
1+1926.01 грн
10+ 1686.88 грн
25+ 1368.27 грн
50+ 1325.56 грн
100+ 1282.84 грн
250+ 1197.4 грн
500+ 1101.45 грн
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1817.78 грн
10+ 1555.63 грн
100+ 1360.56 грн
C3M0040120J1-TRWolfspeedSiC, MOSFET, 40m, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1792.09 грн
10+ 1625.92 грн
25+ 1539.13 грн
50+ 1341.51 грн
C3M0040120J1-TRWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1205.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0040120J1-TRWolfspeedC3M0040120J1-TR
товар відсутній
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+992.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+880.97 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0040120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0040120KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4, Industrial, Gen 3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1926.01 грн
10+ 1686.88 грн
30+ 1368.27 грн
60+ 1325.56 грн
120+ 1282.84 грн
270+ 1197.4 грн
510+ 1101.45 грн
C3M0040120KWolfspeed, Inc.Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1773.71 грн
30+ 1415.84 грн
120+ 1327.36 грн
510+ 1062.97 грн
C3M0040120KWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2094.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065DWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1402.34 грн
10+ 1218.3 грн
30+ 1030.48 грн
60+ 973.3 грн
120+ 916.12 грн
270+ 887.21 грн
510+ 830.03 грн
C3M0045065DWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1278.92 грн
30+ 996.97 грн
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+709.04 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0045065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065J1WolfspeedMOSFET SiC, MOSFET 45mO, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1402.34 грн
10+ 1218.3 грн
25+ 1030.48 грн
50+ 973.3 грн
100+ 916.12 грн
250+ 887.21 грн
500+ 830.03 грн
C3M0045065J1Wolfspeed, Inc.Description: 650V 45 M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1278.92 грн
50+ 996.97 грн
100+ 938.33 грн
500+ 798.03 грн
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+781.12 грн
100+ 754.74 грн
C3M0045065J1WolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товар відсутній
C3M0045065J1MACOMMOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1402.34 грн
10+ 1218.3 грн
25+ 1030.48 грн
50+ 973.3 грн
100+ 916.12 грн
250+ 887.21 грн
500+ 830.03 грн
C3M0045065J1WolfspeedSiC, MOSFET 45mΩ, 650V, TO-263-7XL, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0045065J1-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
C3M0045065J1-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET 45mohm, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1402.34 грн
10+ 1218.3 грн
25+ 1030.48 грн
50+ 973.3 грн
100+ 916.12 грн
250+ 887.21 грн
500+ 830.03 грн
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0045065J1-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET 45M, 650V TO-263-7XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+803.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0045065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1300.07 грн
11+ 1160.67 грн
25+ 1149.1 грн
50+ 1093.92 грн
100+ 900.97 грн
500+ 794.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
C3M0045065KMACOMMOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1358.63 грн
10+ 1182.02 грн
30+ 1008.79 грн
60+ 897.07 грн
120+ 863.55 грн
270+ 847.78 грн
1020+ 751.17 грн
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 6567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1207.21 грн
10+ 1077.76 грн
25+ 1067.03 грн
50+ 1015.78 грн
100+ 836.61 грн
500+ 737.79 грн
C3M0045065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0045065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+873.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
C3M0045065KWolfspeedMOSFET 650V MOSFET 45mOHMS SiC MOSFET
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1370.9 грн
10+ 1192.61 грн
30+ 1011.42 грн
60+ 916.12 грн
120+ 885.24 грн
270+ 851.72 грн
510+ 807.69 грн
C3M0045065KWolfspeed, Inc.Description: GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 600 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1291.71 грн
C3M0045065LWolfspeedMOSFET
товар відсутній
C3M0045065LWolfspeedC3M0045065L
товар відсутній
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1111.14 грн
10+ 942.32 грн
100+ 814.98 грн
500+ 693.12 грн
C3M0045065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1621 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0045065L-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 45mO, 650V, TOLL, T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1218.32 грн
10+ 1058.08 грн
25+ 895.09 грн
50+ 845.15 грн
100+ 795.86 грн
250+ 770.89 грн
500+ 720.94 грн
C3M0045065L-TRWolfspeedC3M0045065L-TR
товар відсутній
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+743.93 грн
900+ 683.24 грн
4500+ 683.1 грн
9000+ 658.56 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+641.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+604.24 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+706.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
C3M0060065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1180.75 грн
10+ 1025.58 грн
30+ 867.49 грн
60+ 818.86 грн
120+ 770.89 грн
270+ 746.57 грн
510+ 698.59 грн
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+690.39 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+661.84 грн
10+ 633.15 грн
25+ 626.81 грн
50+ 598.38 грн
100+ 533.01 грн
C3M0060065DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
C3M0060065DWolfspeedC3M0060065D
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+539.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+791.63 грн
2700+ 737.62 грн
5400+ 696.7 грн
8100+ 641.19 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0060065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+561.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0060065DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1077.73 грн
30+ 839.77 грн
120+ 790.39 грн
510+ 672.21 грн
C3M0060065DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0060065DWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+712.75 грн
18+ 681.86 грн
25+ 675.03 грн
50+ 644.41 грн
100+ 574.01 грн
Мінімальне замовлення: 17
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+860.47 грн
100+ 809.3 грн
250+ 792.14 грн
500+ 693.87 грн
1000+ 584.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0060065JWolfspeedC3M0060065J
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+597.28 грн
100+ 541.8 грн
200+ 514.75 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+926.66 грн
100+ 871.55 грн
250+ 853.08 грн
500+ 747.24 грн
1000+ 629.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 36A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1087.68 грн
50+ 847.68 грн
100+ 797.82 грн
500+ 678.53 грн
C3M0060065JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 99A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 136W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+791.57 грн
100+ 752 грн
250+ 738.67 грн
500+ 656.27 грн
1000+ 560.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+706.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
C3M0060065JWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+852.46 грн
100+ 809.85 грн
250+ 795.49 грн
500+ 706.75 грн
1000+ 603.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0060065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 36A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 Tube
товар відсутній
C3M0060065JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mO, 650V, TO-263-7, Industrial, Gen 3
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1180.75 грн
10+ 1026.34 грн
25+ 868.15 грн
50+ 723.57 грн
100+ 667.05 грн
250+ 662.45 грн
500+ 620.39 грн
C3M0060065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0060065J-TRWolfspeedC3M0060065J-TR
товар відсутній
C3M0060065KMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial, Gen 3
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1181.52 грн
10+ 1026.34 грн
30+ 837.92 грн
60+ 746.57 грн
120+ 706.48 грн
C3M0060065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1023.76 грн
13+ 925.18 грн
25+ 922.47 грн
50+ 834.36 грн
100+ 675.4 грн
Мінімальне замовлення: 12
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A Automotive Tube
товар відсутній
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
C3M0060065KWolfspeed650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+706.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
C3M0060065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0060065KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 600 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1077.73 грн
30+ 839.77 грн
C3M0060065KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 27A; Idm: 99A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 99A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0060065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+950.63 грн
10+ 859.1 грн
25+ 856.58 грн
50+ 774.76 грн
100+ 627.16 грн
C3M0060065LWolfspeedMOSFET
товар відсутній
C3M0060065LWolfspeedC3M0060065L
товар відсутній
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+930.57 грн
10+ 789.38 грн
100+ 682.7 грн
500+ 580.62 грн
1000+ 532.57 грн
C3M0060065L-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 60mohm, 650V, TOLL,T&R, Industrial, Gen 3
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+985.24 грн
10+ 856.29 грн
25+ 724.23 грн
50+ 684.14 грн
100+ 643.39 грн
250+ 623.67 грн
500+ 582.93 грн
C3M0060065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.64mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0060065L-TRWolfspeedC3M0060065L-TR
товар відсутній
C3M0065065DWolfspeedC3M0065065D
товар відсутній
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1052.77 грн
3+ 924.18 грн
30+ 888.58 грн
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+900.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
C3M0065090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1220.86 грн
5+ 1119.12 грн
10+ 1017.38 грн
50+ 878.31 грн
100+ 783.57 грн
250+ 780.41 грн
C3M0065090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1263.32 грн
3+ 1151.66 грн
30+ 1066.29 грн
C3M0065090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.4 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1271.1 грн
30+ 990.83 грн
120+ 932.55 грн
510+ 793.11 грн
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+692.35 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0065090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0065090D
Код товару: 182273		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0065090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1336.4 грн
10+ 1222.84 грн
30+ 962.13 грн
60+ 917.44 грн
120+ 869.46 грн
270+ 856.32 грн
510+ 812.29 грн
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1262.81 грн
11+ 1162.3 грн
25+ 1150.66 грн
50+ 1087.56 грн
100+ 879 грн
Мінімальне замовлення: 10
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1126.2 грн
3+ 1026.26 грн
C3M0065090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1295.27 грн
50+ 1009.39 грн
100+ 950.03 грн
500+ 807.98 грн
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
C3M0065090J
Код товару: 148769		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
C3M0065090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 15690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1162.35 грн
10+ 1109.47 грн
25+ 963.44 грн
50+ 856.32 грн
100+ 786 грн
500+ 744.6 грн
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1246.39 грн
100+ 1233.79 грн
250+ 1221.2 грн
500+ 1165.43 грн
1000+ 1067.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0065090JCREEN-MOSFET 900V 35A C3M0065090J Cree/Wolfspeed TC3M0065090J
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+852.07 грн
C3M0065090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+938.5 грн
3+ 823.54 грн
C3M0065090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1172.61 грн
10+ 1079.28 грн
25+ 1068.47 грн
50+ 1009.88 грн
100+ 816.22 грн
C3M0065090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1170.73 грн
5+ 1135.34 грн
10+ 1099.95 грн
50+ 918.7 грн
100+ 784.84 грн
250+ 784.21 грн
C3M0065090J-TRWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
на замовлення 2709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1406.17 грн
10+ 1220.57 грн
25+ 1033.11 грн
50+ 975.27 грн
100+ 918.1 грн
250+ 889.18 грн
500+ 832 грн
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065090J-TRWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1295.27 грн
10+ 1098.47 грн
100+ 950.03 грн
C3M0065090J-TRWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+894.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0065090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+696.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0065100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1435.32 грн
10+ 1227.85 грн
100+ 1073.92 грн
500+ 860.02 грн
C3M0065100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; D2PAK-7; 14ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
Power dissipation: 113.5W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 14ns
товар відсутній
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1384.59 грн
10+ 1246.67 грн
25+ 1218.03 грн
50+ 1146.01 грн
100+ 944.07 грн
500+ 837.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0065100JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+920.81 грн
5+ 908.27 грн
10+ 895 грн
50+ 734.55 грн
100+ 668.57 грн
C3M0065100JWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1399.27 грн
10+ 1230.39 грн
25+ 1060.71 грн
50+ 1048.22 грн
100+ 921.38 грн
500+ 868.81 грн
C3M0065100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1285.69 грн
10+ 1157.62 грн
25+ 1131.03 грн
50+ 1064.15 грн
100+ 876.64 грн
500+ 777.7 грн
C3M0065100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; D2PAK-7; 14ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
Power dissipation: 113.5W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 14ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065100J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 35A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0065100J-TRWolfspeedMOSFET 1000V 65mOhm G3 SiC MOSFET
товар відсутній
C3M0065100J-TRCree/WolfspeedDescription: SICFET N-CH 1000V 35A TO263-7
товар відсутній
C3M0065100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.5W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1169.25 грн
5+ 1068.99 грн
10+ 968.73 грн
50+ 872.15 грн
100+ 779.15 грн
250+ 726.7 грн
C3M0065100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 600 V
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1400.48 грн
30+ 1117.55 грн
120+ 1047.71 грн
510+ 839.03 грн
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0065100KMACOMMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1520.41 грн
10+ 1330.91 грн
30+ 1079.77 грн
60+ 1046.25 грн
120+ 1012.73 грн
270+ 945.04 грн
510+ 868.81 грн
C3M0065100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns
Reverse recovery time: 14ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113.5W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 35nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0065100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113.5W; TO247-4; 14ns
Reverse recovery time: 14ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 35A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113.5W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 35nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-4
товар відсутній
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.99 грн
C3M0065100KWolfspeedMOSFET 1000V 65 mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
товар відсутній
C3M0065100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 32A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1094.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
C3M0065100K
Код товару: 126113		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+970.74 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1466.8 грн
2+ 952.04 грн
3+ 866.67 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+917.42 грн
14+ 864.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
C3M0075120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1222.33 грн
2+ 763.99 грн
3+ 722.23 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+667.05 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1045.41 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+851.89 грн
10+ 802.52 грн
C3M0075120DMACOMMOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1402.34 грн
10+ 1218.3 грн
30+ 1030.48 грн
60+ 973.3 грн
120+ 916.12 грн
270+ 887.21 грн
510+ 830.03 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+970.67 грн
900+ 961.3 грн
4500+ 951.49 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0075120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1348.4 грн
5+ 1252.56 грн
10+ 1155.98 грн
50+ 1013.85 грн
C3M0075120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+980.31 грн
1350+ 913.43 грн
2700+ 862.76 грн
4050+ 794.01 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0075120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1291.71 грн
30+ 1007.21 грн
120+ 947.98 грн
510+ 806.24 грн
C3M0075120DWolfspeedMOSFET 1.2kV 75mOHMS G3 SiC MOSFET
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1402.34 грн
10+ 1218.3 грн
30+ 1030.48 грн
60+ 973.3 грн
120+ 916.12 грн
270+ 887.21 грн
510+ 830.03 грн
C3M0075120D-AWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1402.34 грн
10+ 1299.92 грн
30+ 960.16 грн
120+ 916.12 грн
270+ 887.21 грн
510+ 830.03 грн
1020+ 761.68 грн
C3M0075120D-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1291.71 грн
30+ 1007.21 грн
120+ 947.98 грн
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+850.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
C3M0075120D-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial, Gen 3
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1402.34 грн
10+ 1218.3 грн
30+ 1030.48 грн
60+ 973.3 грн
120+ 916.12 грн
C3M0075120D-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+789.71 грн
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0075120JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1246.66 грн
5+ 1198.74 грн
10+ 1150.82 грн
50+ 979.63 грн
100+ 829.07 грн
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+844.04 грн
2000+ 843.89 грн
5000+ 843.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
C3M0075120JWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1065.75 грн
10+ 1042.21 грн
25+ 905.61 грн
50+ 802.43 грн
100+ 770.89 грн
500+ 737.37 грн
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+980.31 грн
2000+ 913.43 грн
4000+ 862.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1068.03 грн
100+ 966.27 грн
250+ 960.43 грн
500+ 852.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0075120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
товар відсутній
C3M0075120JWolfspeedC3M0075120J
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+671.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0075120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1150.19 грн
100+ 1040.6 грн
250+ 1034.31 грн
500+ 917.74 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0075120JMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm TO-263-7
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1212.19 грн
10+ 1075.46 грн
25+ 929.93 грн
50+ 914.81 грн
100+ 826.09 грн
250+ 821.49 грн
500+ 755.11 грн
C3M0075120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 5562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1291.71 грн
50+ 1007.23 грн
100+ 947.99 грн
500+ 806.24 грн
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
товар відсутній
C3M0075120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
товар відсутній
C3M0075120J1WolfspeedC3M0075120J1
товар відсутній
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1506.45 грн
10+ 1329.79 грн
25+ 1301.23 грн
50+ 1102.15 грн
100+ 919.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0075120KWolfspeedMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1402.34 грн
10+ 1218.3 грн
30+ 1030.48 грн
60+ 973.3 грн
120+ 916.12 грн
270+ 887.21 грн
510+ 830.03 грн
C3M0075120KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 1000 V
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1376.31 грн
30+ 1099.08 грн
120+ 1030.38 грн
510+ 825.14 грн
C3M0075120KWolfspeed1200V, 75 mOhm, G3 SiC MOSFET
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+665.52 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0075120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+873.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
C3M0075120KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 18ns
товар відсутній
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1398.85 грн
10+ 1234.81 грн
25+ 1208.29 грн
50+ 1023.43 грн
100+ 853.8 грн
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1390.2 грн
10+ 1228.03 грн
25+ 1201.8 грн
50+ 1018.56 грн
100+ 850.19 грн
500+ 765.78 грн
C3M0075120KMACOMMOSFET SIC MOSFET 1200V 75 mOhm
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1431.47 грн
10+ 1243.24 грн
60+ 935.18 грн
270+ 830.69 грн
510+ 801.77 грн
1020+ 778.11 грн
C3M0075120KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1497.14 грн
10+ 1322.5 грн
25+ 1294.25 грн
50+ 1096.91 грн
100+ 915.59 грн
500+ 824.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0075120KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 3408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1422.86 грн
5+ 1304.9 грн
10+ 1186.21 грн
50+ 1036.45 грн
100+ 919.44 грн
250+ 861.93 грн
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1503.34 грн
10+ 1315.51 грн
25+ 1267.93 грн
50+ 1144.96 грн
100+ 958.21 грн
500+ 852.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
C3M0075120K-AWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial, G3
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1402.34 грн
10+ 1218.3 грн
30+ 1030.48 грн
60+ 973.3 грн
120+ 916.12 грн
270+ 887.21 грн
510+ 830.03 грн
C3M0075120K-AWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 32A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1395.96 грн
10+ 1221.55 грн
25+ 1177.37 грн
50+ 1063.18 грн
100+ 889.77 грн
500+ 791.6 грн
C3M0075120K-AWolfspeed, Inc.Description: 75M 1200V 175C SIC FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 1000 V
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1324.41 грн
10+ 1123.52 грн
C3M0075120K-AWolfspeedC3M0075120K-A
товар відсутній
C3M0075120K-AMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial, G3
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1402.34 грн
10+ 1218.3 грн
30+ 1030.48 грн
60+ 973.3 грн
120+ 916.12 грн
270+ 887.21 грн
510+ 830.03 грн
C3M0120065DWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.49 грн
10+ 538.08 грн
30+ 513.07 грн
120+ 418.08 грн
270+ 399.29 грн
C3M0120065DWolfspeedC3M0120065D
товар відсутній
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+416.22 грн
10+ 394.16 грн
25+ 382.7 грн
50+ 367.09 грн
100+ 307.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120065D
Код товару: 178862		Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
C3M0120065DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+671.65 грн
10+ 567.58 грн
30+ 447.55 грн
120+ 410.74 грн
270+ 387.09 грн
510+ 362.11 грн
1020+ 326.62 грн
C3M0120065DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+390.77 грн
10+ 371.31 грн
25+ 361.15 грн
50+ 346.52 грн
100+ 291.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120065JWolfspeedC3M0120065J
товар відсутній
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120065JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7, Industrial, Gen 3
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+671.65 грн
10+ 567.58 грн
50+ 447.55 грн
100+ 410.74 грн
250+ 387.09 грн
500+ 362.11 грн
1000+ 326.62 грн
C3M0120065JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+405.19 грн
10+ 383.06 грн
25+ 380.97 грн
50+ 363.06 грн
100+ 303.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120065JWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.53 грн
10+ 529.24 грн
25+ 504.59 грн
100+ 411.18 грн
250+ 392.7 грн
500+ 358.05 грн
C3M0120065J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120065J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+393.44 грн
900+ 337.87 грн
1800+ 331.03 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0120065KWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 120mohm, 650V, TO-247-4, Industrial, Gen 3
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+610.31 грн
10+ 543.4 грн
30+ 450.18 грн
120+ 391.03 грн
270+ 373.94 грн
510+ 340.43 грн
1020+ 292.45 грн
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120065KWolfspeed, Inc.Description: 650V 120M SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.49 грн
10+ 538.08 грн
30+ 513.07 грн
120+ 418.08 грн
270+ 399.29 грн
510+ 364.05 грн
C3M0120065KWolfspeedC3M0120065K
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+262.99 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0120065KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+604.9 грн
10+ 542.7 грн
25+ 512.79 грн
50+ 489.54 грн
100+ 373.81 грн
C3M0120065LWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 650V 21A
товар відсутній
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0120065L-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 157mOhm @ 6.76A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1.86mA
Supplier Device Package: TOLL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 400 V
товар відсутній
C3M0120065L-TRWolfspeedC3M0120065L-TR
товар відсутній
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+777.04 грн
2+ 501.79 грн
C3M0120090D
Код товару: 165992		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 14375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+674.23 грн
10+ 624.79 грн
25+ 614.34 грн
50+ 587.54 грн
100+ 474.84 грн
500+ 377.2 грн
C3M0120090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 6822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+804.74 грн
30+ 627.34 грн
120+ 590.45 грн
510+ 502.16 грн
1020+ 460.6 грн
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+435.5 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0120090DCREEN-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+458.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+837.5 грн
5+ 763.77 грн
10+ 689.31 грн
50+ 583.26 грн
100+ 521.96 грн
250+ 491 грн
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+932.45 грн
2+ 625.31 грн
C3M0120090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+465.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0120090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+804.29 грн
10+ 702.11 грн
30+ 542.18 грн
120+ 524.44 грн
270+ 478.44 грн
510+ 459.38 грн
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+980.23 грн
2+ 715.74 грн
4+ 651.44 грн
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+867.93 грн
10+ 751.24 грн
50+ 632.88 грн
100+ 549.41 грн
250+ 541.53 грн
500+ 483.69 грн
1000+ 472.52 грн
C3M0120090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816.86 грн
2+ 574.36 грн
4+ 542.87 грн
C3M0120090JCREEN-MOSFET 900V 22A C3M0120090J-TR C3M0120090J Cree/Wolfspeed TC3M0120090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+466.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+473.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0120090J
Код товару: 126112		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0120090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 6437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.23 грн
50+ 470.15 грн
C3M0120090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+379.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0120090J-TRWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 120 mOhm
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+850.3 грн
10+ 758.04 грн
25+ 658.51 грн
50+ 624.33 грн
100+ 545.47 грн
500+ 532.33 грн
800+ 480.41 грн
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.82 грн
10+ 720.38 грн
100+ 623.02 грн
C3M0120090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0120090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 22A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+586.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0120090J-TRWolfspeedG3 SiC MOSFET 900V, 120 mOhm,
товар відсутній
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+803.59 грн
2+ 592.16 грн
4+ 559.98 грн
C3M0120100JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+964.3 грн
2+ 737.92 грн
4+ 671.98 грн
C3M0120100JMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1080.31 грн
10+ 938.67 грн
25+ 809.66 грн
50+ 796.52 грн
100+ 704.51 грн
250+ 698.59 грн
500+ 638.79 грн
C3M0120100JWolfspeedMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1189.19 грн
10+ 1033.14 грн
25+ 874.06 грн
50+ 825.43 грн
100+ 776.8 грн
250+ 752.48 грн
500+ 703.85 грн
C3M0120100JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+910.67 грн
10+ 772.82 грн
100+ 668.38 грн
C3M0120100JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0120100KWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0120100K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1 kV, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1159.67 грн
5+ 1043.19 грн
10+ 925.97 грн
50+ 809.17 грн
100+ 712.17 грн
250+ 676.78 грн
C3M0120100K
Код товару: 178240		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0120100KWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1123.23 грн
10+ 952.79 грн
100+ 824.06 грн
500+ 700.85 грн
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120100KMACOMMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1033.54 грн
10+ 904.66 грн
30+ 767.6 грн
60+ 683.48 грн
120+ 657.85 грн
270+ 625.65 грн
C3M0120100KWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13.5A
Power dissipation: 83W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
товар відсутній
C3M0120100KWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 13.5A; 83W; TO247-4; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 13.5A
Power dissipation: 83W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 16ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0120100KWolfspeedMOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1189.19 грн
10+ 1033.14 грн
30+ 874.06 грн
60+ 825.43 грн
120+ 776.8 грн
270+ 752.48 грн
510+ 703.85 грн
C3M0160120DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+609.55 грн
10+ 526.02 грн
30+ 410.74 грн
120+ 405.49 грн
270+ 379.2 грн
510+ 367.37 грн
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+410.16 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+318.96 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+441.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+457.93 грн
Мінімальне замовлення: 26
C3M0160120DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: C3M Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+608.96 грн
5+ 555.14 грн
10+ 505.01 грн
50+ 448.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+441.37 грн
900+ 410.09 грн
4500+ 408.58 грн
9000+ 389.95 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0160120D
Код товару: 167206		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0160120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+729.39 грн
30+ 560.44 грн
120+ 501.44 грн
510+ 415.22 грн
1020+ 373.7 грн
C3M0160120DWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 35550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+479.05 грн
8550+ 439.85 грн
17100+ 411.41 грн
25650+ 376.17 грн
Мінімальне замовлення: 450
C3M0160120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+613.04 грн
100+ 514.16 грн
250+ 512.43 грн
500+ 438.39 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0160120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+729.39 грн
50+ 560.43 грн
100+ 501.44 грн
500+ 415.22 грн
1000+ 373.7 грн
C3M0160120JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-263-7, Industrial, Gen 3
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+791.26 грн
10+ 668.1 грн
50+ 527.72 грн
100+ 484.35 грн
250+ 456.09 грн
500+ 427.17 грн
1000+ 384.46 грн
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0160120JWolfspeed1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+660.2 грн
100+ 553.71 грн
250+ 551.85 грн
500+ 472.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0160120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+315.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0160120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0160120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 90W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0160120J-TRWolfspeed, Inc.Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632 pF @ 1000 V
товар відсутній
C3M0160120J-TRWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7 T&R, Industrial, Gen 3
товар відсутній
C3M0160120J-TRWolfspeedC3M0160120J-TR
товар відсутній
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 11.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 3561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+236.15 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0280090DWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+390 грн
5+ 373.04 грн
10+ 356.08 грн
50+ 314.22 грн
100+ 275.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090D
Код товару: 123313		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+323.6 грн
10+ 304.07 грн
25+ 298.09 грн
50+ 285.57 грн
100+ 235.2 грн
500+ 187.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 7.5A; 54W; TO247-3; 20ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+342.08 грн
3+ 280.68 грн
4+ 264.25 грн
9+ 249.87 грн
30+ 240.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 7.5A; 54W; TO247-3; 20ns
Case: TO247-3
Mounting: THT
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+410.49 грн
3+ 349.76 грн
4+ 317.09 грн
9+ 299.84 грн
30+ 288.34 грн
C3M0280090DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.74 грн
10+ 416.5 грн
100+ 347.11 грн
500+ 287.43 грн
1000+ 258.68 грн
2000+ 242.4 грн
C3M0280090DWolfspeedTrans MOSFET N-CH 900V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+241.66 грн
3000+ 241.59 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0280090DWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.47 грн
10+ 396.78 грн
30+ 329.25 грн
120+ 285.22 грн
270+ 272.73 грн
510+ 248.42 грн
1020+ 216.22 грн
C3M0280090JMACOMMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.54 грн
10+ 476.14 грн
50+ 375.26 грн
100+ 345.03 грн
250+ 324.65 грн
500+ 304.28 грн
1000+ 274.05 грн
C3M0280090J
Код товару: 118894		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+382.62 грн
3+ 289.58 грн
8+ 273.83 грн
C3M0280090JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Reverse recovery time: 20ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+459.15 грн
3+ 360.86 грн
8+ 328.6 грн
50+ 316.27 грн
C3M0280090JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.47 грн
10+ 439.22 грн
100+ 366.02 грн
500+ 303.09 грн
1000+ 272.78 грн
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0280090JWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.54 грн
10+ 476.14 грн
50+ 375.26 грн
100+ 345.03 грн
250+ 324.65 грн
500+ 304.28 грн
1000+ 274.05 грн
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+413.48 грн
100+ 344.07 грн
250+ 336.94 грн
500+ 283.83 грн
Мінімальне замовлення: 50
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0280090JCREEN-MOSFET 900V 11A C3M0280090J Cree/Wolfspeed TC3M0280090J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+266.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0280090JWOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - C3M0280090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+588.31 грн
5+ 526.39 грн
10+ 464.46 грн
50+ 408.69 грн
100+ 331.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0280090J-TRWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.47 грн
10+ 439.22 грн
100+ 366.02 грн
C3M0280090J-TRWolfspeedMOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+470 грн
10+ 396.78 грн
25+ 312.82 грн
100+ 287.85 грн
250+ 270.76 грн
500+ 261.56 грн
C3M0280090J-TRWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+335.38 грн
1600+ 290.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
C3M0350120DWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 3244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.55 грн
30+ 373.64 грн
120+ 334.29 грн
510+ 276.81 грн
1020+ 249.13 грн
2010+ 233.45 грн
C3M0350120DWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 350mO,1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 6051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.51 грн
10+ 445.9 грн
30+ 322.68 грн
120+ 322.02 грн
270+ 284.56 грн
510+ 256.3 грн
1020+ 244.48 грн
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5.5A; Idm: 20A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 525mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+303.01 грн
Мінімальне замовлення: 39
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0350120DWolfspeed(CREE)Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5.5A; Idm: 20A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 50W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 525mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
C3M0350120DMACOMMOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial, Gen 3
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.51 грн
10+ 445.9 грн
30+ 322.68 грн
270+ 284.56 грн
510+ 256.3 грн
1020+ 244.48 грн
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+281.37 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0350120DWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+213.15 грн
Мінімальне замовлення: 30
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
C3M0350120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 20A; 40.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 40.8W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 525mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
C3M0350120JWolfspeedMOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial, Gen 3
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.33 грн
10+ 397.54 грн
50+ 342.4 грн
100+ 292.45 грн
500+ 244.48 грн
C3M0350120JWolfspeedTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 7.2A 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній
C3M0350120JWolfspeed, Inc.Description: SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 3.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 40.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 1000 V
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.55 грн
50+ 373.63 грн
100+ 334.3 грн
500+ 276.81 грн
C3M0350120JWolfspeed(CREE)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 5A; Idm: 20A; 40.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 40.8W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 525mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
C3M0350120J-TRWolfspeedC3M0350120J-TR
товар відсутній
C3M0350120J-TRWolfspeedGen 3 1200V 350 m¿ SiC MOSFET, Tape and Reel
товар відсутній
C3M0350120J-TRWolfspeedMOSFET Gen 3 1200V 350 mO SiC MOSFET, Tape and Reel
товар відсутній