Продукція > DI1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DI100N04D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 450A; 69W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 143nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 5mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI100N04D1Diotec SemiconductorDiotec Semiconductor MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N
товар відсутній
DI100N04D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 63A; Idm: 450A; 69W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 143nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 5mΩ
товар відсутній
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFET, DPAK, 40V, 100A, N, 69W
товар відсутній
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
товар відсутній
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DI100N04D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 450A; 69W
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 143nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 4mΩ
товар відсутній
DI100N04D1-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, DPAK, 40V, 100A, 0, 69W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A
Power Dissipation (Max): 69W
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.35 грн
10+ 84.2 грн
100+ 65.49 грн
500+ 52.09 грн
1000+ 42.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI100N04D1-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 450A; 69W
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 69W
Gate charge: 143nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI100N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 100A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.98 грн
10+ 95.98 грн
100+ 50.21 грн
500+ 49.68 грн
1000+ 48.11 грн
2500+ 42.52 грн
5000+ 40.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI100N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 400A; 250W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.2 грн
16+ 52.03 грн
43+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI100N10PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N
на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.42 грн
10+ 173.83 грн
100+ 90.69 грн
500+ 89.38 грн
1000+ 86.75 грн
2500+ 76.23 грн
5000+ 72.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI100N10PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 95A; Idm: 400A; 250W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 250W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+101.74 грн
5+ 88.72 грн
16+ 62.43 грн
43+ 59.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товар відсутній
DI100N10PQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250W
товар відсутній
DI100N10PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товар відсутній
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товар відсутній
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 100A, 0, 250WAutomotive AEC-Q101 qualification
товар відсутній
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 30 V
товар відсутній
DI100N10PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.79 грн
10+ 213.88 грн
100+ 111.07 грн
500+ 109.75 грн
1000+ 106.47 грн
2500+ 93.98 грн
5000+ 88.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI100SPANJIT09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI100SPANJIT
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI100S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI100S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товар відсутній
DI100S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI100S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товар відсутній
DI1010SPANJIT08+ TQFP68
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI1010ST/PPanjitДиодный мост SDIP-4 U=1000V I=1A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+138.6 грн
10+ 25.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI1010S_R2_00001PanJit SemiconductorDI1010S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товар відсутній
DI1010S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI1010S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI1010S_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Case: SDIP 4L
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+10.76 грн
45+ 8.42 грн
100+ 7.39 грн
125+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 35
DI1010S_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Case: SDIP 4L
Kind of package: tube
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+10.49 грн
100+ 8.87 грн
125+ 7.97 грн
335+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 25
DI1010_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.7 грн
50+ 23.22 грн
100+ 14.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
DI1010_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI101S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI101S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товар відсутній
DI101S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI101S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товар відсутній
DI102S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI102S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товар відсутній
DI102S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI102S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товар відсутній
DI102_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI102/TP//HF/0.05K/DIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10H/DI10-QI27/PJ///
товар відсутній
DI1040-3000 (84200411-Bopla)
Код товару: 81588		BoplaКорпусні та встановлювальні вироби > Корпуси
Опис: Ущільнювач 109х45мм
Вид, тип, група: Корпусні елемети
Колір: червоний
у наявності 20 шт:
18 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+7 грн
10+ 5.2 грн
DI104S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI104S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товар відсутній
DI104S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI104S/TP//HF/0.05K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH/DI10S-QI17/PJ///
товар відсутній
DI105N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 520A; 83W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 83W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.14 грн
10+ 47.99 грн
100+ 37.34 грн
500+ 29.7 грн
1000+ 24.2 грн
2000+ 22.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI105N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; Idm: 520A; 83W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 83W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 105A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.87 грн
10+ 83.89 грн
100+ 43.83 грн
500+ 43.37 грн
1000+ 42.06 грн
2500+ 37.13 грн
5000+ 27.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0026OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3033 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI105N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 0, 56W Automotive
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI106PanJitДіодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+312 грн
10+ 62.4 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI106S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI106S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI106_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.29 грн
14+ 22.52 грн
100+ 13.34 грн
500+ 9.99 грн
1000+ 7.43 грн
2500+ 6.83 грн
5000+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
DI106_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 1A; Ifsm: 30A; DIP4
Case: DIP4
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: THT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 30A
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DI106_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 1A; Ifsm: 30A; DIP4
Case: DIP4
Max. off-state voltage: 0.6kV
Kind of package: tube
Electrical mounting: THT
Features of semiconductor devices: glass passivated
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward impulse current: 30A
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
товар відсутній
DI108 _T0 _10001PanJitДіодний міст вивідний; Uзвор, В = 800; Ir = 5 мкА; If, A = 1; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+150; Тип мосту = однофазний; DIP-4
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
62+10.14 грн
69+ 9.13 грн
100+ 8.11 грн
Мінімальне замовлення: 62
DI108-T0-00001PanjitPanjit
товар відсутній
DI108S-R2-00001PanjitPanjit SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
товар відсутній
DI108S-T0-00001PanjitPanjit SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-10SH
товар відсутній
DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товар відсутній
DI108S_R2_00001Panjit International Inc.Description: SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.57 грн
12+ 23 грн
100+ 13.82 грн
500+ 12.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI108S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
на замовлення 5803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.2 грн
12+ 25.92 грн
100+ 13.54 грн
500+ 12.55 грн
1000+ 8.54 грн
1500+ 7.82 грн
9000+ 6.7 грн
Мінімальне замовлення: 9
DI108S_R2_00001PanJit SemiconductorDI108S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товар відсутній
DI108S_T0_00001Panjit International Inc.Description: SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED S
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-SDIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.57 грн
50+ 22.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI108S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER 800V 1A SDIP
товар відсутній
DI108S_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товар відсутній
DI108S_T0_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 1A; Ifsm: 30A; SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 30A
Case: SDIP 4L
Electrical mounting: SMT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DI108_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 1 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.57 грн
12+ 23 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI108_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товар відсутній
DI110N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 74A; Idm: 92A; 56W; QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 56W
Pulsed drain current: 92A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 74A
On-state resistance: 2.65mΩ
Gate charge: 14nC
Case: QFN5x6
товар відсутній
DI110N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 74A; Idm: 92A; 56W; QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 56W
Pulsed drain current: 92A
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 74A
On-state resistance: 2.65mΩ
Gate charge: 14nC
Case: QFN5x6
товар відсутній
DI110N03PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, 30V, 110A, 56W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7462 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+152.02 грн
2500+ 92.05 грн
5000+ 63.58 грн
Мінімальне замовлення: 1250
DI110N03PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N
товар відсутній
DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 30V, 110A,
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+87.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
DI110N03PQ-AQDiotec SemiconductorDiotec Semiconductor MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
товар відсутній
DI110N03PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 420A; 35W; QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 35W
Pulsed drain current: 420A
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
On-state resistance: 2.5mΩ
Gate charge: 163nC
Case: QFN5x6
товар відсутній
DI110N03PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; Idm: 420A; 35W; QFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 35W
Pulsed drain current: 420A
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
On-state resistance: 2.5mΩ
Gate charge: 163nC
Case: QFN5x6
товар відсутній
DI110N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 42W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI110N04PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 42W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
DI110N04PQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 0, 42W
товар відсутній
DI110N04PQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
товар відсутній
DI110N04PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N
товар відсутній
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товар відсутній
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.85 грн
10+ 48.6 грн
100+ 37.81 грн
500+ 30.08 грн
1000+ 24.5 грн
2000+ 23.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.41 грн
10+ 85.4 грн
100+ 44.36 грн
500+ 43.97 грн
1000+ 42.52 грн
2500+ 37.66 грн
5000+ 35.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI110N04PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, POWERQFN 5X6, 40V, 110A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DI110N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 42W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
DI110N04PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 110A; Idm: 400A; 42W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 42W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
DI110N06D1Diotec Semiconductor AGDescription: MOSFET, DPAK, N, 65V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 30 V
товар відсутній
DI110N06D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 70A; Idm: 550A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI110N06D1DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 70A; Idm: 550A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK; TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI110N06D1Diotec SemiconductorMOSFET MOSFET, DPAK, 65V, 110A, 150C, N
товар відсутній
DI110N06D1-AQDiotec SemiconductorN-Channel Power MOSFETN-Kanal Leistungs-MOSFETAEC-Q101 qualification
товар відсутній
DI110N06D2Diotec Semiconductor AGDescription: MOSFET, D2PAK, N, 60V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4597 pF @ 25 V
товар відсутній
DI110N06D2DIOTEC SEMICONDUCTORDI110N06D2-DIO SMD N channel transistors
товар відсутній
DI110N06D2Diotec SemiconductorMOSFET MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C, N
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.51 грн
10+ 166.27 грн
25+ 136.04 грн
100+ 111.07 грн
500+ 88.06 грн
800+ 82.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI110N15PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; Idm: 145A; 56W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 56W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI110N15PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N
товар відсутній
DI110N15PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 110A 8QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V
товар відсутній
DI110N15PQDiotec SemiconductorMOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 0, 56W
товар відсутній
DI110N15PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, 150V, 110A, 56W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V
товар відсутній
DI110N15PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; Idm: 145A; 56W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 56W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
DI110N15PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; Idm: 145A; 62W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 62W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI110N15PQ-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; Idm: 145A; 62W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 62W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
DI110N15PQ-AQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150C, N, AEC-Q101
товар відсутній
DI110N15PQ-AQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 75 V
товар відсутній
DI110N15PQ-QDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; Idm: 145A; 62W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 62W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній
DI110N15PQ-QDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; Idm: 145A; 62W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 62W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI114N06PQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 30 V
товар відсутній
DI114N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DI114N06PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 72.5A; Idm: 480A; 63.8W; QFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 72.5A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 63.8W
Case: QFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI13001DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 0.25A; 0.8W; SOT23
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 10...40
Collector current: 0.25A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.8W
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DI13001Diotec SemiconductorBipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 700V, 250mA, NPN
на замовлення 2858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.67 грн
14+ 21.62 грн
100+ 13.08 грн
500+ 11.5 грн
1000+ 10.71 грн
3000+ 7.89 грн
9000+ 5.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI13001DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 700V; 0.25A; 0.8W; SOT23
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 700V
Current gain: 10...40
Collector current: 0.25A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.8W
товар відсутній
DI13001Diotec SemiconductorTrans GP BJT NPN 450V 0.25A 800mW T/R
товар відсутній
DI13001Diotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
DI150N03PQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7460 pF @ 15 V
товар відсутній
DI150N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 350A; 80W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 80W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1607nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
DI150N03PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 150A, 150C, N
товар відсутній
DI150N03PQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 350A; 80W; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 80W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1607nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI150N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0014OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DI150N04PQDiotec SemiconductorMOSFET MOSFET, PowerQFN 5x6, 40V, 150A, 150C, N
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.45 грн
10+ 183.65 грн
100+ 95.29 грн
500+ 94.64 грн
1000+ 92.01 грн
2500+ 80.83 грн
5000+ 76.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
DI150N04PQDiotec SemiconductorDescription: MOSFET PWRQFN 5X6 40V 0.0014OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DI150S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI150S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товар відсутній
DI150S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI150_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товар відсутній
DI1510-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товар відсутній
DI1510S
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI1510S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товар відсутній
DI1510S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
12+ 27.28 грн
100+ 16.5 грн
500+ 12.88 грн
1000+ 10.45 грн
1500+ 9.27 грн
9000+ 8.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI1510S_R2_00001PanJit SemiconductorDI1510S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товар відсутній
DI1510S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI1510_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.13 грн
12+ 27.28 грн
100+ 16.43 грн
500+ 12.82 грн
1000+ 9.27 грн
2500+ 8.87 грн
10000+ 8.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI1510_T0_00001Panjit International Inc.Description: DIP, GENERAL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-EDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: 4-DIP
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 1.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.15 грн
12+ 24.23 грн
100+ 16.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
DI151S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI151S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товар відсутній
DI151S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI151_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI152S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers PEC/DI152S/TR/13"/HF/1.5K/SDIP/GPP/BRIDGE/LGDI-15SH/DI15S-QI07/PJ///
товар відсутній
DI152S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI152_T0_00001PanJit SemiconductorDI152-T0 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товар відсутній
DI152_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товар відсутній
DI154SPANJIT09+ sop
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI154S-LPANJIT0829+
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI154S-LPANJIT08+ SOP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI154S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers Surface Mount Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.98 грн
13+ 24.86 грн
100+ 15.05 грн
500+ 11.76 грн
1000+ 9.53 грн
1500+ 8.48 грн
9000+ 7.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
DI154S_R2_00001PanJit SemiconductorDI154S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товар відсутній
DI154S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI154_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товар відсутній
DI15530-9HARRISDIP
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI156PanJitДіодний міст вивідний; Uзвор, В = 600; Ir = 5 мкА; If, A = 1,5; Uf, В = 1,1; Тексп, °С = -55...+125; Тип мосту = однофазний; DIP-4
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+207.99 грн
10+ 62.4 грн
100+ 7.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
DI156S-AU_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI156S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.98 грн
13+ 24.86 грн
100+ 15.05 грн
500+ 11.76 грн
1000+ 9.53 грн
1500+ 8.48 грн
9000+ 7.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
DI156S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI156_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товар відсутній
DI158S-R2-00001PanjitBridge Rectifiers
товар відсутній
DI158S-T0-00001PanjitBridge Rectifiers
товар відсутній
DI158S_R2_00001PanJit SemiconductorDI158S-R2 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
товар відсутній
DI158S_R2_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI158S_T0_00001PanjitBridge Rectifiers SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
товар відсутній
DI158_T0_00001PanjitBridge Rectifiers DUAL-IN-LINE GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTITFIER
товар відсутній
DI170N03PQDiotec SemiconductorDescription: IC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-QFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
товар відсутній