НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DI4DBXDescription: DBX - DI4 - DI-Box DI4 aktiv 4 Kanäle mit Line-Mischer
tariffCode: 85184080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
Netzsteckertyp: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8583.37 грн
DI4008ADI
на замовлення 6775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI402SIAIXYS09+ SOP8
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI409SIIXYS09+
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DI4A7P06SQ2Diotec SemiconductorMOSFET MOSFET, SO-8, -60V, -4.7A, 150C, P
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+76.95 грн
10+ 59.7 грн
100+ 31.13 грн
500+ 30.8 грн
1000+ 29.81 грн
2000+ 26.38 грн
4000+ 24.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
DI4A7P06SQ2DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -30A; 3W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DI4A7P06SQ2DIOTEC SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -30A; 3W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній