Продукція > DMN
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN-8000DO | LSI | BGA | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8100 C0 | LSILOGIC | 02+ | на замовлення 135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8100 C0 | LSILOGIC | 02+ | на замовлення 135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8100CO | LSI | BGA | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8100CO | LSI | BGA | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8600 | LSILOGIC | N/A | на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8600 | LSI | 04+ QFP | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8600 BO | LSI | BGA | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8600 BO | LSI | BGA | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8600 D0 | LSI | BGA | на замовлення 767 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8600DU | LSI | 03+ | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8602 | LSI | 06+ PBGA308; | на замовлення 166 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8602 | LSILOGIC | BGA 04+ | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8602 BO | LSI | 03+ | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8602 BO | LSILOGIC | BGA | на замовлення 325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8602 BO | LSI | BGA | на замовлення 160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8602-BO | на замовлення 532 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
DMN-8602B0 | LSILOGIG | 0614+ | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8602BO | LSI | QFP | на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8602BO | LSI | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
DMN-8602BO | LSI | 05+ | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8602BO | LSI | QFP | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8603 | на замовлення 269 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
DMN-8603B1 | на замовлення 271 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
DMN-8623 | на замовлення 738 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
DMN-8652 | на замовлення 439 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
DMN-8652 BO | LSI | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
DMN-8652B0 | LSI | 2005 BGA | на замовлення 399 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8652BO | LSI | BGA | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8652BO | LSILOGIC | 06PB | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8652BO | LSI | BGA | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN-8802BO | LSI | BGA | на замовлення 230 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN100 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
DMN100 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN100-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN100-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN100-7-F | Diodes Incorporated | MOSFET N-Channel | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN100-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN100-7-F | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN100-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3 | на замовлення 43263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN100-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1001UCA10-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 1656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1001UCA10-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1001UCA10-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W Mounting: SMD Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 90A Case: X2-TSN1820-10 Drain-source voltage: 12V Drain current: 16A On-state resistance: 6.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1001UCA10-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W Mounting: SMD Power dissipation: 2.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 29nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 90A Case: X2-TSN1820-10 Drain-source voltage: 12V Drain current: 16A On-state resistance: 6.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1001UCA10-7 | Diodes Inc | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1001UCA10-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA Supplier Device Package: X2-TSN1820-10 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1002UCA6-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1002UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V Supplier Device Package: X4-DSN3118-6 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN1002UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1002UCA6-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1002UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V Supplier Device Package: X4-DSN3118-6 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1003UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.67W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X3-DSN3518-6 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1003UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V | на замовлення 2409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1003UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.67W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X3-DSN3518-6 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN1003UCA6-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1003UCA6-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1003UFDE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2551 pF @ 6 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1003UFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1003UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1004UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1004UFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1004UFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1004UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.0041 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V | на замовлення 11990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1004UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.0041 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFDF-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1004UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V | на замовлення 11681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 12A; Idm: 70A; 2.1W Power dissipation: 2.1W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 70A Drain-source voltage: 12V Drain current: 12A On-state resistance: 7mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1004UFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 12A; Idm: 70A; 2.1W Power dissipation: 2.1W Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 70A Drain-source voltage: 12V Drain current: 12A On-state resistance: 7mΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1004UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFV-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1004UFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1004UFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V | на замовлення 92885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFV-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Drain-source voltage: 12V Drain current: 50A On-state resistance: 5.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1004UFV-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Drain-source voltage: 12V Drain current: 50A On-state resistance: 5.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Gate charge: 47nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1004UFV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1004UFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 900mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V | на замовлення 75352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 900mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFV-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1004UFV-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1004UFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 1703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V | на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8 Power dissipation: 0.9W Case: PowerDI®3333-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Drain current: 55A On-state resistance: 5.1mΩ | на замовлення 1862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1004UFV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8 Power dissipation: 0.9W Case: PowerDI®3333-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 12V Drain current: 55A On-state resistance: 5.1mΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1862 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1006UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X3-DSN2718-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1006UCA6-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1006UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1006UCA6-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 13.2A; Idm: 80A; 2.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 13.2A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.4W Case: X3-DSN2718-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1006UCA6-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 13.2A; Idm: 80A; 2.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 13.2A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 2.4W Case: X3-DSN2718-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1006UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.4W Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X3-DSN2718-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1006UCA6-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1006UCA6-7-01 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1008UFDF-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 12V Drain current: 9.8A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Gate charge: 23.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 60A Case: U-DFN2020-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1008UFDF-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 12V Drain current: 9.8A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Gate charge: 23.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 60A Case: U-DFN2020-6 кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1008UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 590000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1008UFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1008UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1008UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 599900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1008UFDF-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 1250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1008UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 167535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1008UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1008UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 100376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1008UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1008UFDF-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1008UFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 12V Drain current: 9.8A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Gate charge: 23.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 60A Case: U-DFN2020-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1008UFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 12V Drain current: 9.8A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Gate charge: 23.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 60A Case: U-DFN2020-6 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1008UFDFQ-13 | Diodes Inc | MOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1008UFDFQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 12V Drain current: 9.8A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Gate charge: 23.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 60A Case: U-DFN2020-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1008UFDFQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6 Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 12V Drain current: 9.8A On-state resistance: 12.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Kind of package: reel; tape Gate charge: 23.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 60A Case: U-DFN2020-6 кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1008UFDFQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1008UFDFQ-13 | Diodes Zetex | DMN1008UFDFQ-13 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1008UFDFQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1008UFDFQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V | на замовлення 237000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1008UFDFQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1008UFDFQ-7 | Diodes Inc | MOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1014UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1014UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1014UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1014UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1016UCB6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 920mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-WLB1510-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1016UCB6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12Vdss 8Vgss 30A | на замовлення 849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1016UCB6-7 | Diodes Inc | N-Channel Enhancement Mode Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1016UCB6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 920mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-WLB1510-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V | на замовлення 3520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1017UCP3-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1017UCP3-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R | на замовлення 2146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | на замовлення 27950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.17W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V | на замовлення 1792861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R | на замовлення 2146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.17W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 690mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V | на замовлення 1791000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R | на замовлення 495000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5A; 0.69W; U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 12V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: U-DFN2020-6 On-state resistance: 41mΩ Power dissipation: 0.69W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5A; 0.69W; U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 12V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: U-DFN2020-6 On-state resistance: 41mΩ Power dissipation: 0.69W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 5A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019USN | Diodes Incorporated | Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V SC59 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019USN-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019USN-13 Код товару: 121899 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
DMN1019USN-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019USN-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 8.8A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 0.83W Case: SC59 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019USN-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W | на замовлення 71234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 8.8A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 0.83W Case: SC59 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019USN-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 680mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV euEccn: NLR Verlustleistung: 680mW Bauform - Transistor: SC-59 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 42698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 680mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V | на замовлення 59248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 8375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV euEccn: NLR Verlustleistung: 680mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 42698 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 680mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 8375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC | на замовлення 57650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 680mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm | на замовлення 10440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 680mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019USN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 680mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 680mW Bauform - Transistor: SC-59 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm | на замовлення 10440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019USN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 680mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 680mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V | на замовлення 363721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 357000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USNQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 680mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USNQ-13 | Diodes Zetex | 12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USNQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019USNQ-7 | Diodes Zetex | 12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019USNQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019USNQ-7 | Diodes Zetex | 12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019USNQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 680mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UVT-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 10.1A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 1.11W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019UVT-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 10.1A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 1.11W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019UVT-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019UVT-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 12V Enh Mode FET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019UVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V | на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UVT-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019UVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 12V Enh Mode FET | на замовлення 19588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019UVT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 10.1A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 1.11W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019UVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V | на замовлення 149711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1019UVT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 10.1A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 1.11W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019UVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1019UVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1023UCB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1023UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: U-WLB1010-4 (Type C) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 6 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1025UFDB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 1.7W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1025UFDB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 1.7W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2690 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1025UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W | на замовлення 5203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1025UFDB-7 | Diodes Inc | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1029UFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1029UFDB-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1029UFDB-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5.8A; Idm: 20A; 2.2W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 5.8A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1029UFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1029UFDB-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5.8A; Idm: 20A; 2.2W Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 5.8A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Kind of package: reel; tape Gate charge: 19.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1029UFDB-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1029UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active | на замовлення 179922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1029UFDB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 3.7A; 1.4W; U-DFN2020-6 Mounting: SMD Drain current: 3.7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 12V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: U-DFN2020-6 On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1029UFDB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 3.7A; 1.4W; U-DFN2020-6 Mounting: SMD Drain current: 3.7A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 12V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±8V Kind of package: reel; tape Case: U-DFN2020-6 On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1029UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1029UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC | на замовлення 16200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1032UCB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1032UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 | на замовлення 48049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN1032UCB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W | на замовлення 16939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN1032UCB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1032UCB4-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1032UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN1032UCP4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010- Packaging: Bulk Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 790mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type B) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1033UCB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A | на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN1033UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4 | на замовлення 5174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1033UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1033UCB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 5.5A 4-Pin UWLP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1045UFR4-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3 Case: X2-DFN1010-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.26W Polarisation: unipolar Drain current: 3.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 12V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.1Ω | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1045UFR4-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3 Case: X2-DFN1010-3 Features of semiconductor devices: ESD protected gate Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.26W Polarisation: unipolar Drain current: 3.2A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 12V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.1Ω кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1045UFR4-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 3.2A 3-Pin X2-DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1045UFR4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1010-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V | на замовлення 73541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1045UFR4-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: X2-DFN1010 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1045UFR4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss | на замовлення 14322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1045UFR4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1010-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1045UFR4-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: X2-DFN1010 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1053UCP4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V | на замовлення 30789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1053UCP4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.34W Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: X3-DSN0808-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1053UCP4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.34W Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: X3-DSN0808-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1054UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: X1-WLB0808-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V | на замовлення 969000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1054UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: X1-WLB0808-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V | на замовлення 972150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1054UCB4-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W Mounting: SMD Case: X1-WLB0808-4 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.34W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: 8A Drain-source voltage: 8V Drain current: 3.2A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1054UCB4-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W Mounting: SMD Case: X1-WLB0808-4 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.34W Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: 8A Drain-source voltage: 8V Drain current: 3.2A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1054UCB4-7 | Diodes Inc | N-Channel Enhancement Mode Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1054UCB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A | на замовлення 5976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN10H099SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN10H099SFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A On-state resistance: 99mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Power dissipation: 1.18W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H099SFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H099SFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A On-state resistance: 99mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Power dissipation: 1.18W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H099SFG-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H099SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC | на замовлення 8040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H099SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC | на замовлення 1971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H099SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 980mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V | на замовлення 11990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H099SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 980mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H099SFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A On-state resistance: 99mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Power dissipation: 1.18W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H099SFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A On-state resistance: 99mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Power dissipation: 1.18W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H099SFG-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H099SK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 20A; 22W; TO252 Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 13A On-state resistance: 99mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: TO252 Power dissipation: 22W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H099SK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 20A; 22W; TO252 Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Drain current: 13A On-state resistance: 99mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: TO252 Power dissipation: 22W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H099SK3-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC | на замовлення 4958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V | на замовлення 5730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H100SK3-13 | DIODES INCORPORATED | DMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H100SK3-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H100SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V | на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H100SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V | на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H100SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 18A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V | на замовлення 49728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SE-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.4A; 1.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.4A Power dissipation: 1.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.122Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H120SE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V | на замовлення 977500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SE-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.4A; 1.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.4A Power dissipation: 1.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.122Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H120SE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC | на замовлення 3739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 975000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SE-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H120SE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V | на замовлення 978275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V | на замовлення 1019848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.5W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.122Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF | на замовлення 3026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 1017000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V | на замовлення 1017000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.5W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.122Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.5W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.122Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V | на замовлення 204000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V | на замовлення 210281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.5W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.122Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H120SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF | на замовлення 5797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SFDE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Anzahl der Pins: 6Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm | на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | на замовлення 288015000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W | на замовлення 2847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SFDE-7 | DIODES INCORPORATED | DMN10H170SFDE-7 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.03W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.116ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 2853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | на замовлення 288015000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN10H170SFG-13 | DIODES INCORPORATED | DMN10H170SFG-13 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SFG-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss | на замовлення 10300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss | на замовлення 1486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 940mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SFG-7 | DIODES INCORPORATED | DMN10H170SFG-7 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SFG-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN10H170SFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SK3-13 | DIODES INCORPORATED | DMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V | на замовлення 230000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SK3-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-CH MOSFET 100V 12A | на замовлення 39906 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V | на замовлення 232300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 727500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SK3Q-13 | Diodes Inc | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 732505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SK3Q-13 | DIODES INCORPORATED | DMN10H170SK3Q-13 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVT-13 | DIODES INCORPORATED | DMN10H170SVT-13 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVT-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVT-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVT-7 | DIODES INCORPORATED | DMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVT-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W | на замовлення 50763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H170SVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 160mOhm 10Vgs 2.6A | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVTQ-7 | DIODES INCORPORATED | DMN10H170SVTQ-7 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVTQ-7 | Diodes Zetex | 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H170SVTQ-7 | Diodes Inc | 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220L | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 800mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN10H220L-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W | на замовлення 8884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 800mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V | на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W | на замовлення 174249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V | на замовлення 336043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm | на замовлення 58657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 160 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm | на замовлення 58657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LDV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W (Ta), 40W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LDV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LDV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 40W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LDV-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LDV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LDV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm Verlustleistung, p-Kanal: 40W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 40W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LDV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W (Ta), 40W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 3A 401pF 8.3nC | на замовлення 8888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 14W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LE-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; Idm: 8A; 1.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V | на замовлення 216941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LE-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LE-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 14W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V | на замовлення 215000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LE-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; Idm: 8A; 1.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.8A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LFDF-7 | Diodes Inc | 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K | на замовлення 5815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Anzahl der Pins: 6Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm | на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.7A; Idm: 8.8A; 1W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.7A Pulsed drain current: 8.8A Power dissipation: 1W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LFDF-7 | Diodes Zetex | 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V | на замовлення 8770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Anzahl der Pins: 6Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm | на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.7A; Idm: 8.8A; 1W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.7A Pulsed drain current: 8.8A Power dissipation: 1W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LFVW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LFVW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LFVW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LFVW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 44A; 2.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 2.4W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LFVW-7 | Diodes Zetex | 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LFVW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 44A; 2.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 2.4W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LFVW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LFVW-7 | Diodes Inc | 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LFVW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K | на замовлення 17889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V | на замовлення 56467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.7A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 7.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2497 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 18.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LK3-13 | Diodes Inc | High Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V | на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.7A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 7.5W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 18.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LK3-13 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LPDW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LPDW-13 | Diodes Inc | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LPDW-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.4A; Idm: 32A; 2.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.4A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 2.2W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LPDW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LPDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS61V-100V | на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LPDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 100V 8A POWERDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LPDW-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.4A; Idm: 32A; 2.2W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.4A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 2.2W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V | на замовлення 548640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2945 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V | на замовлення 543000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 495000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 3K | на замовлення 164154 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs | на замовлення 2635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LVT-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LVT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.79A; Idm: 6.6A; 1.07W Mounting: SMD Case: TSOT26 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 6.6A Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.79A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.07W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H220LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V | на замовлення 26779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H220LVT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.79A; Idm: 6.6A; 1.07W Mounting: SMD Case: TSOT26 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 6.6A Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.79A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.07W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H6D2LFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H6D2LFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H6D2LFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H6D2LFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H6D2LFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H6D2LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 3.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 270mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H6D2LFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H6D2LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 3.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 270mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H700S-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V | на замовлення 9976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H700S-13 | DIODES INCORPORATED | DMN10H700S-13 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H700S-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H700S-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 6816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H700S-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H700S-7 | DIODES INCORPORATED | DMN10H700S-7 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN10H700S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm | на замовлення 17366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H700S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V | на замовлення 24790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H700S-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H700S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V | на замовлення 31696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H700S-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm | на замовлення 17366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN10H700S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1150UFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V | на замовлення 257659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1150UFB-7B | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW Mounting: SMD Case: X1-DFN1006-3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.3W Drain-source voltage: 12V Drain current: 1.15A On-state resistance: 0.21Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 7A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1150UFB-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V | на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1150UFB-7B | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW Mounting: SMD Case: X1-DFN1006-3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.3W Drain-source voltage: 12V Drain current: 1.15A On-state resistance: 0.21Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 7A кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1150UFB-7B | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH MOSFET 12V | на замовлення 19099 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1150UFL3-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 390mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1150UFL3-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6 Mounting: SMD Case: X2-DFN1310-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W Drain-source voltage: 12V Drain current: 1.6A On-state resistance: 0.21Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1150UFL3-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 5890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN1150UFL3-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1150UFL3-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6 Mounting: SMD Case: X2-DFN1310-6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.9W Drain-source voltage: 12V Drain current: 1.6A On-state resistance: 0.21Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1150UFL3-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 390mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1150UFL3-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN11M2UCA14-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V 34A X2-TSN3027 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 950mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6083pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 9.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA Supplier Device Package: X2-TSN3027-14 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1250UFEL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 660mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-QFN1515-12 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1250UFEL-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss | на замовлення 2157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1250UFEL-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x8; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 10A; 1.25W Mounting: SMD Case: U-QFN1515-12 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.25W Drain-source voltage: 12V Drain current: 1.6A On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: N-MOSFET x8 Polarisation: unipolar Gate charge: 1.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 10A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1250UFEL-7 | Diodes Inc | N-Channel Enhancement Mode Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1250UFEL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 660mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-QFN1515-12 Part Status: Active | на замовлення 7552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1250UFEL-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x8; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 10A; 1.25W Mounting: SMD Case: U-QFN1515-12 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.25W Drain-source voltage: 12V Drain current: 1.6A On-state resistance: 0.55Ω Type of transistor: N-MOSFET x8 Polarisation: unipolar Gate charge: 1.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 10A кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1260UFA-7B | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin X2-DFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1260UFA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V | на замовлення 350000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1260UFA-7B | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.36W Case: X2-DFN0806-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 960pC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN1260UFA-7B | Diodes Incorporated | MOSFET 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC | на замовлення 15780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1260UFA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V | на замовлення 372445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN1260UFA-7B | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 0.5A Pulsed drain current: 1.5A Power dissipation: 0.36W Case: X2-DFN0806-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 960pC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN12M3UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN3118-6 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN12M7UCA10-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 10.8A; Idm: 80A; 1.73W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 1.73W Case: X4-DSN3015-10 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 6.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN12M7UCA10-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015- | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN12M7UCA10-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 10.8A; Idm: 80A; 1.73W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 10.8A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 1.73W Case: X4-DSN3015-10 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 6.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 35.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN12M7UCA10-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015-10 T&R 5K | на замовлення 4985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN12M8UCA10-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN13H750S-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN13H750S-13 | DIODES INCORPORATED | DMN13H750S-13 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN13H750S-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN13H750S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V | на замовлення 14096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN13H750S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN13H750S-7 | DIODES INCORPORATED | DMN13H750S-7 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN13H750S-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN13H750S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss | на замовлення 3399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN13H750S-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN13H750S-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN13M9UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN14M8UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN15H310SE-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.2W Gate charge: 8.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 1.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.33Ω | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN15H310SE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V | на замовлення 349123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN15H310SE-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN15H310SE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A | на замовлення 3176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN15H310SE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V | на замовлення 342500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN15H310SE-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 1.2W Gate charge: 8.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 1.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 150V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.33Ω кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN15H310SK3 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN15H310SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN15H310SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN15H310SK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 12W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A Drain-source voltage: 150V Drain current: 5.2A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN15H310SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN15H310SK3-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 12W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A Drain-source voltage: 150V Drain current: 5.2A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN15H310SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 150V N-Ch Enh FET 310mOhm 10V 8.3A | на замовлення 1508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN15H310SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN15H310SK3-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN15M3UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN2718-6 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN15M5UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2117-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6nC @ 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 840µA Supplier Device Package: X4-DSN2117-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN16M0UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X4-DSN2112-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN16M0UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN16M9UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN16M9UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004DMK | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Channel | на замовлення 38268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004DMK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 1223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004DMK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 225mW; SOT26 Case: SOT26 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Drain current: 0.39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 225mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | на замовлення 352942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004DMK-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004DMK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 1223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004DMK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 225mW; SOT26 Case: SOT26 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.225W Polarisation: unipolar Drain current: 0.39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004DMK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004DMK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 225mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | на замовлення 352481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004DWK | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
DMN2004DWK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 282000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004DWK-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Channel | на замовлення 27327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004DWK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 287641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004DWK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363 Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Gate charge: 0.95nC Polarisation: unipolar Drain current: 0.39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004DWK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363 Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Gate charge: 0.95nC Polarisation: unipolar Drain current: 0.39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004DWK-7-R | DIODES/ZETEX | 2NxMOSFET 20V 0.54A 550mΩ 200mW DMN2004DWK-7 Diodes TDMN2004dwk кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004DWKQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363 Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Gate charge: 0.95nC Polarisation: unipolar Drain current: 0.39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004DWKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004DWKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 200mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004DWKQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363 Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Gate charge: 0.95nC Polarisation: unipolar Drain current: 0.39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004DWKQ-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004K | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
DMN2004K | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004K-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 0.45A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V | на замовлення 3355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004K-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 0.45A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 3355 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004K-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004K-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 34154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V 540mA | на замовлення 89429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V | на замовлення 29900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004K-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN2004K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004K-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 350mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 34154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004K-7 NAB | DIODES/ZETEX | N-MOSFET 20V 630mA 550mΩ 350mW DMN2004K-7 Diodes TDMN2004k кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004K-7-F | 10+ROHS SOT-23 | на замовлення 39000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||||||
DMN2004L | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-CHANNEL | на замовлення 224241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V | на замовлення 741000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004TK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 150mW; SOT523 Case: SOT523 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.15W Polarisation: unipolar Drain current: 0.39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004TK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 150mW; SOT523 Case: SOT523 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.15W Polarisation: unipolar Drain current: 0.39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004TK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V | на замовлення 742402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004TK-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004VK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.39A; 0.25W; SOT563 Case: SOT563 Mounting: SMD On-state resistance: 0.4Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.25W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 0.39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004VK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.39A; 0.25W; SOT563 Case: SOT563 Mounting: SMD On-state resistance: 0.4Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.25W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 0.39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±8V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004VK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 1539000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004VK-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004VK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V 540mA | на замовлення 14274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004VK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 1542832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004VK-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004VK-7B | Diodes Inc | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004VK-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 8.0K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004VK-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004WK | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
DMN2004WK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6203656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004WK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Drain current: 0.39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004WK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6201000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004WK-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Channel | на замовлення 46195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004WK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Drain current: 0.39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004WK-7 Код товару: 183759 | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-323 Uds,V: 20 V Idd,A: 0,54 A Rds(on), Ohm: 0,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 150/ Монтаж: SMD | товар відсутній | ||||||||||||||||||||
DMN2004WK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004WK-7-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004WKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004WKQ-7 | Diodes Inc | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004WKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004WKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 11611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2004WKQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Drain current: 0.39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004WKQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2004WKQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD On-state resistance: 0.9Ω Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.2W Polarisation: unipolar Drain current: 0.39A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005DLP4K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Channel | на замовлення 23783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005DLP4K-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1310-6 Mounting: SMD Case: X2-DFN1310-6 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 400mW Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 350mA Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 3.5Ω Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005DLP4K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B) | на замовлення 21730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005DLP4K-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1310-6 Mounting: SMD Case: X2-DFN1310-6 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 400mW Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 350mA Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 3.5Ω Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005DLP4K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005K | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||||||
DMN2005K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | на замовлення 777270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Channel | на замовлення 13577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN2005K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | на замовлення 777000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005K-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005LP4K-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V 300mA | на замовлення 74413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005LP4K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005LP4K-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1006-3 Mounting: SMD Case: X2-DFN1006-3 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 400mW Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 350mA Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 3.5Ω Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005LP4K-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1006-3 Mounting: SMD Case: X2-DFN1006-3 Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 400mW Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 350mA Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 3.5Ω Polarisation: unipolar | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005LP4K-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005LP4K-7-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006- Packaging: Bulk Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005LPK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | на замовлення 356157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005LPK-7 | DIODES INCORPORATED | DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors | на замовлення 1175 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005LPK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 450mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V | на замовлення 354000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005LPK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V 200mA | на замовлення 836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN2005UFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W Mounting: SMD Power dissipation: 1.05W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 130A Case: PowerDI®3333-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 40A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W | на замовлення 4228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005UFG-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V | на замовлення 300047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005UFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V | на замовлення 297000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005UFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W Mounting: SMD Power dissipation: 1.05W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 130A Case: PowerDI®3333-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 40A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UFG-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005UFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W Mounting: SMD Power dissipation: 2.27W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 164nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 130A Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 14A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V | на замовлення 23446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005UFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W Mounting: SMD Power dissipation: 2.27W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 164nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 130A Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 14A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC | на замовлення 5065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005UFGQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W Mounting: SMD Power dissipation: 2.27W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 164nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 130A Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 14A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UFGQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UFGQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W Mounting: SMD Power dissipation: 2.27W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 164nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 130A Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 14A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UFGQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UFGQ-13 | Diodes Inc | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UFGQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UFGQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN2005UPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W Gate charge: 142nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 150A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 15A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005UPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2005UPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W Gate charge: 142nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 150A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 15A On-state resistance: 8.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2005UPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A | на замовлення 2474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2008LFU-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2008LFU-13 | DIODES INCORPORATED | DMN2008LFU-13 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2008LFU-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2008LFU-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2008LFU-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2008LFU-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2008LFU-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2008LFU-7 | DIODES INCORPORATED | DMN2008LFU-7 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2008LFU-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 9489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2009LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V | на замовлення 31957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2009LSS-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2009LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2009LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.6A; Idm: 42A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 12mΩ Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Power dissipation: 2W Drain current: 9.6A Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 42A Gate-source voltage: ±12V Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 58.3nC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2009LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A | на замовлення 5979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN2009LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.6A; Idm: 42A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 12mΩ Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Power dissipation: 2W Drain current: 9.6A Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 42A Gate-source voltage: ±12V Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 58.3nC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2009UCA4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN1717-4 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2009USS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 100A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 12mΩ Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Power dissipation: 2W Drain current: 9.7A Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 100A Gate-source voltage: ±12V Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 34nC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2009USS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 100A; 2W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape On-state resistance: 12mΩ Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Power dissipation: 2W Drain current: 9.7A Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 100A Gate-source voltage: ±12V Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 34nC | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2009USS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V | на замовлення 1732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2009USS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2009USS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 6594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2010UDZ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 24V 8Vgss 0.7W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2010UDZ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6 | на замовлення 10644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN2010UDZ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN2011UFDE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3372 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2011UFDE-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2011UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V | на замовлення 131560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2011UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W | на замовлення 75295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2011UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2011UFDE-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.27W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 20V Drain current: 11.4A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.27W Polarisation: unipolar Gate charge: 84nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2011UFDE-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.27W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 20V Drain current: 11.4A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.27W Polarisation: unipolar Gate charge: 84nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2011UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2011UFDF-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 20V Drain current: 11.4A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2011UFDF-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 20V Drain current: 11.4A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2011UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V | на замовлення 29786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2011UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2011UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2011UFDF-7 | Diodes Inc | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2011UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2011UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2011UFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 20V Drain current: 11.4A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2011UFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 20V Drain current: 11.4A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2011UFX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN2050-4 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2011UFX-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF | на замовлення 5945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2011UFX-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.8A; Idm: 80A; 2.1W Mounting: SMD Case: V-DFN2050-4 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.8A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2011UFX-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.8A; Idm: 80A; 2.1W Mounting: SMD Case: V-DFN2050-4 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.8A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 56nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2011UFX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN2050-4 Part Status: Active | на замовлення 7101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2011UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2011UTS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2011UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP | на замовлення 12723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2012UCA6-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2012UCA6-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V X3-DSN2718- | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2013UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | на замовлення 2167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2013UFDE-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W Mounting: SMD Power dissipation: 1.31W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 80A Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 10A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2013UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2013UFDE-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W Mounting: SMD Power dissipation: 1.31W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 25.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 80A Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 10A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2013UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2013UFDEQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2013UFX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN | на замовлення 2828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN2013UFX-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2013UFX-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2013UFX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2013UFX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN | на замовлення 2828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN2014LHAB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2014LHAB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF | на замовлення 2818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2014LHAB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2014LHAB-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2014LHAB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.4A; Idm: 45A; 1.1W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 7.4A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 1.1W Case: U-DFN2030-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2014LHAB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2014LHAB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.4A; Idm: 45A; 1.1W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 7.4A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 1.1W Case: U-DFN2030-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 28mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2014LHAB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2015UFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2015UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V | на замовлення 66015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2015UFDE-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 1.31W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2015UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V | на замовлення 66015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2015UFDE-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 1.31W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2015UFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2015UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2015UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2015UFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.3A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 0.5W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2015UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 2579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2015UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN2015UFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 9.3A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 0.5W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016LFG-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 30A; 770mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.77W Case: U-DFN3030-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 30A; 770mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.77W Case: U-DFN3030-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2016LHAB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; Idm: 45A; 1W; U-DFN2030-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 1W Case: U-DFN2030-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016LHAB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN2016LHAB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; Idm: 45A; 1W; U-DFN2030-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 1W Case: U-DFN2030-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016LHAB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET DUAL N-CH MOSFET 20V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||||||
DMN2016LHAB-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016LHAB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2016UFX-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016UFX-7 | Diodes Zetex | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016UFX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 880mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | на замовлення 122500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2016UTS-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016UTS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 880mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | на замовлення 124015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2016UTS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS | на замовлення 10583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2016UTS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.73A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 0.88W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016UTS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.73A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 0.88W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2016UTS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2019UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 780mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2019UTS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5 | на замовлення 2357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2019UTS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.3A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.78W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2019UTS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.3A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.78W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2019UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 780mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active | на замовлення 27789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2020LSN-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2020LSN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.61W Case: SC59 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate | на замовлення 3095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2020LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 2318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2020LSN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2020LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 2318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2020LSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V | на замовлення 90541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2020LSN-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2020LSN-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2020LSN-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET,N-CHANNEL | на замовлення 19820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2020LSN-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.61W Case: SC59 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 3095 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2020LSN-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2020UFCL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2020UFCL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V | на замовлення 48211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2020UFCL-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC | на замовлення 9248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2020UFCL-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 45A; 610mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 7.1A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 0.61W Case: X1-DFN1616-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2020UFCL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2020UFCL-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2020UFCL-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2020UFCL-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 45A; 610mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 7.1A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 0.61W Case: X1-DFN1616-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2020UFCL-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2022UCA4-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1717-4 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UCA4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel, Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1438pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA Supplier Device Package: X4-DSN1717-4 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2022UCA4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN1717-4 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UDH-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UDH-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UDH-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UDH-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V 24V V-DFN3030-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UDH-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; 0.42W; U-DFN2020-6 Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.2A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V | на замовлення 77699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; 0.42W; U-DFN2020-6 Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.2A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W | на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UNS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UNS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UNS-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UNS-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2022UNS-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2022UNS-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2022UNS-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2023LSD | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2023UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X1-WLB1818-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2023UCB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2023UCB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2023UCB4-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2023UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X1-WLB1818-4 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2023UCB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2023UCB4-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W Mounting: SMD Case: X1-WLB1818-4 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 20A Drain-source voltage: 24V Drain current: 4.8A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.45W Polarisation: unipolar Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 3000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2023UCB4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.45W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: X1-WLB1818-4 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2023UCB4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2023UCB4-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2023UCB4-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W Mounting: SMD Case: X1-WLB1818-4 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 20A Drain-source voltage: 24V Drain current: 4.8A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.45W Polarisation: unipolar Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024LCA4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313- Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024LCA4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN1313-4 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024LCA4-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1313-4 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024U | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024U-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V | на замовлення 408000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET | на замовлення 19988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024U-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; Idm: 45A; 800mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 432000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024U-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; Idm: 45A; 800mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V | на замовлення 408161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024U-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024U-7-ML | MOSLEADER | Description: N 20V 6.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UDH-7 | Diodes Zetex | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UDH-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UDH-7 | Diodes Zetex | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UDH-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 950mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN3030-8 Part Status: Active | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UFDF-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 1.67W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.67W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UFDF-13 | Diodes Inc | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UFDF-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 1.67W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.67W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UFDF-7 | Diodes Inc | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UFDF-7 | Diodes Zetex | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 0.96W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 0.96W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 0.96W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.6A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 0.96W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 4546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UFDF-7 | Diodes Zetex | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UFU-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 810mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UFU-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UFU-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 3K | на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UFU-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0112 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112ohm Verlustleistung, p-Kanal: 810mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2030 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 810mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UFU-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 50A; 1.71W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 1.71W Case: U-DFN2030-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 23.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UFU-7 | Diodes Zetex | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UFU-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0112 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112ohm Verlustleistung, p-Kanal: 810mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2030 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 810mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UFU-7 | Diodes Inc | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UFU-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 810mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B) Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UFU-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 50A; 1.71W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 1.71W Case: U-DFN2030-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 23.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UFX-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UFX-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.011 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm Verlustleistung, p-Kanal: 920mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN2050 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 920mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UFX-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 4VDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 920mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN2050-4 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UFX-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UFX-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.011 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm Verlustleistung, p-Kanal: 920mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: V-DFN2050 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 920mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UQ-13 | Diodes Inc | MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; Idm: 45A; 800mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; Idm: 45A; 800mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 200010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K | на замовлення 3413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UQ-7 | Diodes Inc | MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UTS-13 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 890mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UTS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UTS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 890mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVT-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 35A; 1.6W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 1.6W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVT-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 35A; 1.6W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 1.6W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVT-13 | Diodes Inc | High Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVT-13 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVT-7 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVTQ-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVTQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 35A; 1.6W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 1.6W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVTQ-7 | Diodes Inc | MOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVTQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVTQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UVTQ-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UVTQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2024UVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UVTQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 35A; 1.6W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 1.6W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2024UVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2024UVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025U | Diodes Incorporated | Description: DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025U-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025U-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 3002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025U-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025U-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025UFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025UFDB-13 | Diodes Zetex | Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025UFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025UFDB-7 | Diodes Zetex | Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025UFDB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 1.4W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025UFDB-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 35A Power dissipation: 1.4W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025UFDB-7 | Diodes Inc | Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025UFDB-7 | Diodes Zetex | Dual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025UFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025UFDF-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025UFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 30A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.6W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025UFDF-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2025UFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | на замовлення 3096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025UFDF-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2025UFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 30A; 1.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.6W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2026UVT-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; Idm: 20A; 1.75W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.75W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2026UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2026UVT-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; Idm: 20A; 1.75W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.75W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2026UVT-13 | Diodes Inc | N-Channel Enhancement Mode Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2026UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2026UVT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; Idm: 20A; 1.75W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.75W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2026UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2026UVT-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2026UVT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; Idm: 20A; 1.75W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 1.75W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2026UVT-7 | Diodes Inc | N-Channel Enhancement Mode Mosfet | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2026UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A | на замовлення 2889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2026UVT-7 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Mosfet | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2026UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2027LK3-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2027LK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 11.6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2027UPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 10 V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2027UPS-13 | Diodes Zetex | N Channel MOSFET | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2027UPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 8V to 24V FET Access Point Min RDSon | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2027UPS-13 | Diodes Zetex | N Channel MOSFET | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2027UPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 10 V | на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2027UPS-13 | Diodes Inc | N Channel MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2027UPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 60A; 1.9W Gate charge: 11.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 8A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2027UPS-13 | Diodes Zetex | N Channel MOSFET | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2027UPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 60A; 1.9W Gate charge: 11.6nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 20V Drain current: 8A On-state resistance: 19mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2027USS | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2027USS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R | на замовлення 29090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2027USS-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2027USS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10.7A; Idm: 45A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10.7A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2027USS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2027USS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R | на замовлення 29090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2027USS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10.7A; Idm: 45A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10.7A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2027USS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2027USS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2028UFDF-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 40A; 1.31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.31W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2028UFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2028UFDF-13 | Diodes Zetex | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2028UFDF-13 | Diodes Inc | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2028UFDF-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 40A; 1.31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.31W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2028UFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2028UFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V | на замовлення 77987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
DMN2028UFDF-7 | Diodes Inc | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2028UFDF-7 | Diodes Zetex | 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||||||
DMN2028UFDF-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 40A; 1.31W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 7.5A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1.31W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній |