НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN-8000DOLSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8100 C0LSILOGIC02+
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8100 C0LSILOGIC02+
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8100COLSIBGA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8100COLSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8600LSILOGICN/A
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8600LSI04+ QFP
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8600 BOLSIBGA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8600 BOLSIBGA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8600 D0LSIBGA
на замовлення 767 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8600DULSI03+
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8602LSI06+ PBGA308;
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8602LSILOGICBGA 04+
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8602 BOLSI03+
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8602 BOLSILOGICBGA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8602 BOLSIBGA
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8602-BO
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8602B0LSILOGIG0614+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8602BOLSIQFP
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8602BOLSI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8602BOLSI05+
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8602BOLSIQFP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8603
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8603B1
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8623
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8652
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8652 BOLSI
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8652B0LSI2005 BGA
на замовлення 399 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8652BOLSIBGA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8652BOLSILOGIC06PB
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8652BOLSIBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN-8802BOLSIBGA
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN100
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN100Diodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMN100-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
товар відсутній
DMN100-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.34 грн
6000+ 14.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN100-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-Channel
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMN100-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+39.2 грн
295+ 38.81 грн
381+ 30.06 грн
400+ 27.59 грн
512+ 19.97 грн
1000+ 15.06 грн
Мінімальне замовлення: 292
DMN100-7-FDiodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMN100-7-FDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
на замовлення 43263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.38 грн
10+ 38.06 грн
100+ 28.43 грн
500+ 20.96 грн
1000+ 16.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN100-7-FDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+42.97 грн
16+ 37.08 грн
25+ 36.4 грн
50+ 34.75 грн
100+ 24.92 грн
250+ 22.77 грн
500+ 17.8 грн
1000+ 13.99 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMN1001UCA10-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.57 грн
10+ 52.26 грн
100+ 34.1 грн
500+ 30.47 грн
1000+ 25.72 грн
3000+ 21.77 грн
6000+ 20.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMN1001UCA10-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1001UCA10-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 90A
Case: X2-TSN1820-10
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 16A
On-state resistance: 6.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
товар відсутній
DMN1001UCA10-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 90A
Case: X2-TSN1820-10
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 16A
On-state resistance: 6.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN1001UCA10-7Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN1001UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2865pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN1820-10
товар відсутній
DMN1002UCA6-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R
товар відсутній
DMN1002UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN1002UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN1002UCA6-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 24.4A 6-Pin X4-DSN T/R
товар відсутній
DMN1002UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X4-DSN3118-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6nC @ 4V
Supplier Device Package: X4-DSN3118-6
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.76 грн
6000+ 21.79 грн
9000+ 20.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1003UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.36 грн
6000+ 22.34 грн
9000+ 21.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1003UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+61.56 грн
10+ 50.14 грн
100+ 33.9 грн
500+ 28.76 грн
1000+ 23.42 грн
3000+ 22.03 грн
6000+ 20.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMN1003UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3315pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN3518-6
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN1003UCA6-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R
товар відсутній
DMN1003UCA6-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 23.6A 6-Pin X3-DSN T/R
товар відсутній
DMN1003UFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2551 pF @ 6 V
товар відсутній
DMN1003UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMN1003UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMN1004UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN1004UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN1004UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN1004UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN1004UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
товар відсутній
DMN1004UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.0041 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.68 грн
500+ 17.8 грн
1000+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN1004UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.39 грн
10+ 29.75 грн
100+ 20.72 грн
500+ 15.18 грн
1000+ 12.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN1004UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN1004UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1004UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 15 A, 0.0041 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.51 грн
22+ 33.96 грн
100+ 23.68 грн
500+ 17.8 грн
1000+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMN1004UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN1004UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.2 грн
6000+ 11.15 грн
9000+ 10.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1004UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+38.63 грн
10+ 32.31 грн
100+ 19.59 грн
500+ 15.3 грн
1000+ 12.47 грн
3000+ 11.61 грн
9000+ 10.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN1004UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 12A; Idm: 70A; 2.1W
Power dissipation: 2.1W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 70A
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 12A
On-state resistance: 7mΩ
товар відсутній
DMN1004UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 12A; Idm: 70A; 2.1W
Power dissipation: 2.1W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 70A
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 12A
On-state resistance: 7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN1004UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 15A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1004UFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1004UFV-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN1004UFV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN1004UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 92885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.53 грн
10+ 31.61 грн
100+ 21.98 грн
500+ 16.1 грн
1000+ 13.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN1004UFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMN1004UFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN1004UFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN1004UFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.95 грн
6000+ 11.84 грн
9000+ 10.99 грн
30000+ 10.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1004UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.82 грн
500+ 14.57 грн
2000+ 11.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN1004UFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMN1004UFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 75352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.82 грн
10+ 30.85 грн
100+ 21.44 грн
500+ 15.71 грн
1000+ 12.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN1004UFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1004UFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 70 A, 0.0028 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.88 грн
20+ 38.4 грн
100+ 25.82 грн
500+ 14.57 грн
2000+ 11.48 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMN1004UFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN1004UFV-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN1004UFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.79 грн
10+ 34.29 грн
100+ 20.71 грн
500+ 16.23 грн
1000+ 13.19 грн
2000+ 11.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN1004UFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2385 pF @ 6 V
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.63 грн
6000+ 11.55 грн
10000+ 10.72 грн
50000+ 9.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMN1004UFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Power dissipation: 0.9W
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
On-state resistance: 5.1mΩ
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+21.01 грн
25+ 17.52 грн
57+ 14.02 грн
157+ 13.26 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMN1004UFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8
Power dissipation: 0.9W
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
On-state resistance: 5.1mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+25.22 грн
25+ 21.83 грн
57+ 16.83 грн
157+ 15.91 грн
2000+ 15.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN1006UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
товар відсутній
DMN1006UCA6-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R
товар відсутній
DMN1006UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.79 грн
10+ 48.62 грн
100+ 28.82 грн
500+ 24.08 грн
1000+ 20.51 грн
3000+ 18.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMN1006UCA6-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 13.2A; Idm: 80A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 13.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.4W
Case: X3-DSN2718-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN1006UCA6-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 13.2A; Idm: 80A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 13.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.4W
Case: X3-DSN2718-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN1006UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X3-DSN2718-6
товар відсутній
DMN1006UCA6-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 16.6A 6-Pin X3-DSN T/R
товар відсутній
DMN1006UCA6-7-01Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN1008UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMN1008UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN1008UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 590000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.29 грн
30000+ 6.91 грн
50000+ 6.5 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN1008UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN1008UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN1008UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 599900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.39 грн
12+ 23.36 грн
100+ 14.04 грн
500+ 12.2 грн
1000+ 8.29 грн
2000+ 7.64 грн
5000+ 7.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1008UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 1250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.16 грн
20000+ 7.1 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN1008UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 167535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.39 грн
12+ 23.36 грн
100+ 14.04 грн
500+ 12.2 грн
1000+ 8.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1008UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN1008UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 100376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.09 грн
14+ 22.76 грн
100+ 12.33 грн
1000+ 8.64 грн
3000+ 7.12 грн
9000+ 6.86 грн
24000+ 6.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN1008UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.45 грн
6000+ 7.8 грн
9000+ 7.02 грн
30000+ 6.49 грн
75000+ 6.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1008UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN1008UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMN1008UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN1008UFDFQ-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMN1008UFDFQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMN1008UFDFQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN1008UFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
товар відсутній
DMN1008UFDFQ-13Diodes ZetexDMN1008UFDFQ-13
товар відсутній
DMN1008UFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMN1008UFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 995 pF @ 6 V
на замовлення 237000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.93 грн
6000+ 7.32 грн
9000+ 6.58 грн
30000+ 6.09 грн
75000+ 5.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1008UFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMN1008UFDFQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMN1014UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6
товар відсутній
DMN1014UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN1014UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6
товар відсутній
DMN1014UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.09 грн
12+ 25.87 грн
100+ 13.98 грн
1000+ 7.39 грн
3000+ 6.2 грн
9000+ 5.67 грн
24000+ 5.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN1016UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V
товар відсутній
DMN1016UCB6-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 12Vdss 8Vgss 30A
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.17 грн
10+ 43.77 грн
100+ 28.36 грн
500+ 22.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN1016UCB6-7Diodes IncN-Channel Enhancement Mode Mosfet
товар відсутній
DMN1016UCB6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1510-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 423 pF @ 6 V
на замовлення 3520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.67 грн
10+ 37.86 грн
100+ 28.28 грн
500+ 20.85 грн
1000+ 16.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN1017UCP3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010
товар відсутній
DMN1017UCP3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.48 грн
10+ 41.11 грн
100+ 26.71 грн
500+ 20.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN1019UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
463+24.73 грн
592+ 19.32 грн
599+ 19.12 грн
762+ 14.48 грн
1000+ 11.56 грн
Мінімальне замовлення: 463
DMN1019UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 27950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.78 грн
12+ 25.56 грн
100+ 16.36 грн
500+ 12.86 грн
1000+ 10.75 грн
3000+ 9.17 грн
9000+ 8.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1019UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.17W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.57 грн
500+ 16.42 грн
1000+ 11.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN1019UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V
на замовлення 1792861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.68 грн
11+ 25.63 грн
100+ 17.81 грн
500+ 13.05 грн
1000+ 10.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1019UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+27.36 грн
25+ 22.96 грн
100+ 17.3 грн
250+ 15.85 грн
500+ 11.95 грн
1000+ 10.3 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMN1019UFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019UFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 11 A, 0.007 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.17W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.25 грн
22+ 33.67 грн
100+ 22.57 грн
500+ 16.42 грн
1000+ 11.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMN1019UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 10 V
на замовлення 1791000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.49 грн
6000+ 9.59 грн
9000+ 8.91 грн
30000+ 8.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019UFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
на замовлення 495000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019UFDE-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 11A 6-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMN1019UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5A; 0.69W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 0.69W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 5A
товар відсутній
DMN1019UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5A; 0.69W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 0.69W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 5A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN1019USNDiodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 8V 24V SC59 T&R 10K
товар відсутній
DMN1019USN-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMN1019USN-13
Код товару: 121899
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DMN1019USN-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN1019USN-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMN1019USN-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 0.83W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN1019USN-13Diodes IncorporatedMOSFET 12V N-Ch Enh Mode FET 8Vgss 0.68W
на замовлення 71234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.24 грн
13+ 24.73 грн
100+ 11.94 грн
1000+ 7.45 грн
2500+ 7.19 грн
10000+ 7.12 грн
100000+ 6.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1019USN-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 0.83W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN1019USN-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 42698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.68 грн
500+ 12.3 грн
1000+ 7.8 грн
2500+ 7.36 грн
5000+ 7.1 грн
10000+ 6.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN1019USN-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
на замовлення 59248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.68 грн
13+ 22.74 грн
100+ 13.64 грн
500+ 11.85 грн
1000+ 8.06 грн
2000+ 7.42 грн
5000+ 6.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1019USN-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
602+19 грн
870+ 13.15 грн
880+ 13.01 грн
888+ 12.43 грн
1301+ 7.85 грн
3000+ 7.37 грн
6000+ 6.86 грн
Мінімальне замовлення: 602
DMN1019USN-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019USN-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 530mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 42698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37 грн
26+ 28.93 грн
100+ 17.68 грн
500+ 12.3 грн
1000+ 7.8 грн
2500+ 7.36 грн
5000+ 7.1 грн
10000+ 6.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMN1019USN-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.08 грн
30000+ 6.72 грн
50000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN1019USN-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 8375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.34 грн
28+ 20.68 грн
33+ 17.64 грн
100+ 11.78 грн
250+ 10.78 грн
500+ 10.26 грн
1000+ 7 грн
3000+ 6.85 грн
6000+ 6.37 грн
Мінімальне замовлення: 23
DMN1019USN-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019USN-7Diodes IncorporatedMOSFET 12V N-Ch Enh FET 2426pF 27.3nC
на замовлення 57650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.24 грн
13+ 24.73 грн
100+ 11.74 грн
1000+ 8.11 грн
3000+ 6.79 грн
9000+ 6.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1019USN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
на замовлення 10440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.01 грн
50+ 20.13 грн
100+ 13.17 грн
500+ 8.45 грн
1500+ 7.67 грн
Мінімальне замовлення: 28
DMN1019USN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.01 грн
6000+ 7.39 грн
9000+ 6.65 грн
30000+ 6.15 грн
75000+ 5.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019USN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMN1019USN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 680mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
на замовлення 10440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.17 грн
500+ 8.45 грн
1500+ 7.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN1019USN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.47 грн
6000+ 7.74 грн
12000+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019USN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMN1019USN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1019USN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 9.3 A, 0.007 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 680mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019USN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
на замовлення 363721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.97 грн
13+ 22.19 грн
100+ 13.3 грн
500+ 11.56 грн
1000+ 7.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1019USN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019USN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.18 грн
9000+ 6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019USNQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN1019USNQ-13Diodes Zetex12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN1019USNQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 10K
товар відсутній
DMN1019USNQ-7Diodes Zetex12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019USNQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
товар відсутній
DMN1019USNQ-7Diodes Zetex12V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMN1019USNQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SC59 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 680mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.6 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2426 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.89 грн
6000+ 8.21 грн
9000+ 7.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.11W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN1019UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.11W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN1019UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMN1019UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V
товар відсутній
DMN1019UVT-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMN1019UVT-13Diodes IncorporatedMOSFET 12V Enh Mode FET
товар відсутній
DMN1019UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.93 грн
15000+ 7.24 грн
30000+ 6.74 грн
45000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
6000+ 7.28 грн
9000+ 6.55 грн
30000+ 6.06 грн
75000+ 5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019UVT-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMN1019UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.41 грн
9000+ 6.66 грн
24000+ 6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET 12V Enh Mode FET
на замовлення 19588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.24 грн
13+ 24.65 грн
100+ 11.68 грн
1000+ 8.11 грн
3000+ 7.12 грн
24000+ 6.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1019UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMN1019UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.11W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN1019UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1019UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.73W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2588 pF @ 10 V
на замовлення 149711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.25 грн
13+ 21.85 грн
100+ 13.1 грн
500+ 11.38 грн
1000+ 7.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1019UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 10.1A; Idm: 70A; 1.11W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 1.11W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN1019UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMN1019UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMN1023UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN1023UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 5.1A U-WLB1010-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-UFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-WLB1010-4 (Type C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 6 V
товар відсутній
DMN1025UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.7W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+12.43 грн
40+ 9.14 грн
100+ 8.11 грн
120+ 6.73 грн
330+ 6.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMN1025UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.7W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.92 грн
25+ 11.39 грн
100+ 9.73 грн
120+ 8.08 грн
330+ 7.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMN1025UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W
на замовлення 5203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.63 грн
14+ 22.53 грн
100+ 13.39 грн
1000+ 7.52 грн
3000+ 6.27 грн
9000+ 6 грн
24000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN1025UFDB-7Diodes IncDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN1029UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC
товар відсутній
DMN1029UFDB-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN1029UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5.8A; Idm: 20A; 2.2W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
товар відсутній
DMN1029UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN1029UFDB-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 5.8A; Idm: 20A; 2.2W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 19.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN1029UFDB-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN1029UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 179922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.97 грн
13+ 22.47 грн
100+ 13.49 грн
500+ 11.73 грн
1000+ 7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1029UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 3.7A; 1.4W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 12V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
DMN1029UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 3.7A; 1.4W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 12V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN2020-6
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN1029UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 914pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.12 грн
6000+ 7.5 грн
9000+ 6.75 грн
30000+ 6.24 грн
75000+ 5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1029UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgs 914pF 10.5nC
на замовлення 16200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.94 грн
14+ 22.3 грн
100+ 11.74 грн
1000+ 8.31 грн
3000+ 7.32 грн
9000+ 6.6 грн
24000+ 6.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1032UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMN1032UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
на замовлення 48049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN1032UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W
на замовлення 16939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMN1032UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+42.11 грн
16+ 36.01 грн
25+ 33.49 грн
100+ 26.15 грн
250+ 23.97 грн
500+ 16.12 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMN1032UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 4.8A 4-Pin U-WLB T/R
товар відсутній
DMN1032UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN1032UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DSN1010-4 (Type B)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 6 V
товар відсутній
DMN1033UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 26mOhm4.5V 5.5A
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMN1033UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
на замовлення 5174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.09 грн
10+ 39.65 грн
100+ 30.36 грн
500+ 22.52 грн
1000+ 18.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN1033UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1033UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 5.5A 4-Pin UWLP T/R
товар відсутній
DMN1045UFR4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3
Case: X2-DFN1010-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
товар відсутній
DMN1045UFR4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3
Case: X2-DFN1010-3
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN1045UFR4-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 3.2A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMN1045UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V
на замовлення 73541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.97 грн
14+ 20.48 грн
100+ 10.35 грн
500+ 8.61 грн
1000+ 6.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1045UFR4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.29 грн
500+ 7.49 грн
1000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN1045UFR4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 12V 3.2A 8Vgss
на замовлення 14322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.94 грн
14+ 22.76 грн
100+ 8.9 грн
1000+ 6.93 грн
3000+ 5.21 грн
9000+ 4.75 грн
24000+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1045UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 375 pF @ 10 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.64 грн
6000+ 6.25 грн
9000+ 5.53 грн
30000+ 5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1045UFR4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN1045UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 3.2 A, 0.025 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.26 грн
30+ 24.94 грн
100+ 10.29 грн
500+ 7.49 грн
1000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMN1053UCP4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V
на замовлення 30789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.09 грн
12+ 26.4 грн
100+ 17.08 грн
500+ 13.46 грн
1000+ 10.42 грн
3000+ 9.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1053UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.11 грн
13+ 22.47 грн
100+ 15.62 грн
500+ 11.45 грн
1000+ 9.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN1053UCP4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.34W
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X3-DSN0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.21 грн
6000+ 8.41 грн
9000+ 7.81 грн
30000+ 7.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1054UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V
на замовлення 969000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.93 грн
6000+ 14.53 грн
9000+ 13.46 грн
30000+ 12.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1054UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-WLB0808-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 908 pF @ 6 V
на замовлення 972150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.1 грн
10+ 34.97 грн
100+ 24.23 грн
500+ 18.99 грн
1000+ 16.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN1054UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Case: X1-WLB0808-4
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMN1054UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Case: X1-WLB0808-4
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.34W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN1054UCB4-7Diodes IncN-Channel Enhancement Mode Mosfet
товар відсутній
DMN1054UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 8Vdss 5Vgss 15A
на замовлення 5976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMN10H099SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN10H099SFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Power dissipation: 1.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
товар відсутній
DMN10H099SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN10H099SFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Power dissipation: 1.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN10H099SFG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H099SFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.25 грн
10+ 40.81 грн
100+ 24.14 грн
500+ 20.25 грн
1000+ 17.22 грн
3000+ 13.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN10H099SFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh Mode 1127pF 25.2nC
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.25 грн
10+ 40.13 грн
100+ 24.14 грн
500+ 20.25 грн
1000+ 17.22 грн
2000+ 15.3 грн
4000+ 14.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN10H099SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.67 грн
10+ 38.68 грн
100+ 29.67 грн
500+ 22.01 грн
1000+ 17.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN10H099SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 980mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMN10H099SFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Power dissipation: 1.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
товар відсутній
DMN10H099SFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 20A; 1.18W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Power dissipation: 1.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN10H099SFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN10H099SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.34 грн
5000+ 13.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN10H099SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 20A; 22W; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Power dissipation: 22W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
товар відсутній
DMN10H099SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 13A; Idm: 20A; 22W; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
Power dissipation: 22W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMN10H099SK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMN10H099SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgs 1172pF 25.2nC
на замовлення 4958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.25 грн
10+ 36.94 грн
100+ 24.67 грн
500+ 19.46 грн
1000+ 15.63 грн
2500+ 14.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN10H099SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.67 грн
10+ 33.67 грн
100+ 23.31 грн
500+ 18.28 грн
1000+ 15.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN10H100SK3-13DIODES INCORPORATEDDMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN10H100SK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMN10H100SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 100mOhm 3V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.41 грн
10+ 46.2 грн
100+ 27.77 грн
500+ 23.22 грн
1000+ 19.79 грн
2500+ 15.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMN10H100SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.68 грн
5000+ 17.04 грн
12500+ 15.78 грн
25000+ 14.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN10H100SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 18A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1172 pF @ 50 V
на замовлення 49728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.23 грн
10+ 41.02 грн
100+ 28.4 грн
500+ 22.27 грн
1000+ 18.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMN10H120SE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.4A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN10H120SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 977500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.72 грн
5000+ 12.54 грн
12500+ 11.65 грн
25000+ 10.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN10H120SE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.4A; 1.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN10H120SE-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 549pF 10nC
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.4 грн
10+ 37.24 грн
100+ 22.56 грн
500+ 17.61 грн
1000+ 14.31 грн
2500+ 12.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN10H120SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN10H120SE-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DMN10H120SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 978275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.67 грн
10+ 33.53 грн
100+ 23.29 грн
500+ 17.07 грн
1000+ 13.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN10H120SFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.28 грн
18+ 42.55 грн
100+ 26.71 грн
500+ 20.68 грн
1000+ 16.55 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMN10H120SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 1019848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.81 грн
10+ 35.52 грн
100+ 24.61 грн
500+ 19.3 грн
1000+ 16.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN10H120SFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN10H120SFG-13Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.56 грн
10+ 39.52 грн
100+ 23.81 грн
500+ 19.85 грн
1000+ 16.95 грн
3000+ 15.37 грн
6000+ 14.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN10H120SFG-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1017000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H120SFG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN10H120SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 1017000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.19 грн
6000+ 14.77 грн
9000+ 13.67 грн
30000+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H120SFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN10H120SFG-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.71 грн
500+ 20.68 грн
1000+ 16.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H120SFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMN10H120SFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN10H120SFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN10H120SFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.71 грн
500+ 20.75 грн
1000+ 16.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H120SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 204000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+16.19 грн
6000+ 14.77 грн
10000+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMN10H120SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 549 pF @ 50 V
на замовлення 210281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.81 грн
10+ 35.52 грн
100+ 24.61 грн
500+ 19.3 грн
1000+ 16.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN10H120SFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.2A; Idm: 20A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.5W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.122Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN10H120SFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H120SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 3.8 A, 0.068 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.28 грн
18+ 42.55 грн
100+ 26.71 грн
500+ 20.75 грн
1000+ 16.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMN10H120SFG-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF
на замовлення 5797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.79 грн
10+ 39.52 грн
100+ 23.75 грн
500+ 19.85 грн
1000+ 16.89 грн
2000+ 13.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN10H170SFDE-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
товар відсутній
DMN10H170SFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
товар відсутній
DMN10H170SFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.23 грн
500+ 16.97 грн
1000+ 12.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H170SFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
на замовлення 288015000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN10H170SFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.48 грн
10+ 30.72 грн
100+ 18.67 грн
500+ 14.51 грн
1000+ 11.81 грн
3000+ 10.88 грн
9000+ 10.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN10H170SFDE-7DIODES INCORPORATEDDMN10H170SFDE-7 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN10H170SFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H170SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.9 A, 0.116 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.03W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.116ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.116ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+43.8 грн
21+ 35.3 грн
100+ 23.68 грн
500+ 17.66 грн
1000+ 12.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMN10H170SFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN10H170SFDE-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN10H170SFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
на замовлення 288015000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN10H170SFG-13DIODES INCORPORATEDDMN10H170SFG-13 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN10H170SFG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN10H170SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H170SFG-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
на замовлення 10300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.48 грн
10+ 32.77 грн
100+ 21.17 грн
500+ 17.94 грн
1000+ 13.85 грн
3000+ 11.81 грн
9000+ 11.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN10H170SFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.1 грн
10+ 34.84 грн
25+ 32.51 грн
100+ 24.42 грн
250+ 22.67 грн
500+ 19.18 грн
1000+ 14.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN10H170SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.1 грн
10+ 34.84 грн
25+ 32.51 грн
100+ 24.42 грн
250+ 22.67 грн
500+ 19.18 грн
1000+ 14.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN10H170SFG-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
на замовлення 1486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.48 грн
10+ 32.77 грн
100+ 21.17 грн
500+ 17.94 грн
1000+ 13.85 грн
2000+ 11.81 грн
10000+ 11.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN10H170SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 940mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870.7 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMN10H170SFG-7DIODES INCORPORATEDDMN10H170SFG-7 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN10H170SFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN10H170SFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
товар відсутній
DMN10H170SFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN10H170SFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMN10H170SK3-13DIODES INCORPORATEDDMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN10H170SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 230000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN10H170SK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMN10H170SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-CH MOSFET 100V 12A
на замовлення 39906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.86 грн
10+ 35.5 грн
100+ 23.68 грн
500+ 18.73 грн
1000+ 14.97 грн
2500+ 13.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN10H170SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 232300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.83 грн
12+ 23.02 грн
100+ 15.96 грн
500+ 12.52 грн
1000+ 11.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN10H170SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 727500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.94 грн
5000+ 15.46 грн
12500+ 14.31 грн
25000+ 13.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN10H170SK3Q-13Diodes Inc100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMN10H170SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V
товар відсутній
DMN10H170SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 12A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 732505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.24 грн
10+ 37.17 грн
100+ 25.76 грн
500+ 20.2 грн
1000+ 17.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN10H170SK3Q-13DIODES INCORPORATEDDMN10H170SK3Q-13 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN10H170SVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
товар відсутній
DMN10H170SVT-13DIODES INCORPORATEDDMN10H170SVT-13 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN10H170SVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMN10H170SVT-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMN10H170SVT-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
товар відсутній
DMN10H170SVT-7DIODES INCORPORATEDDMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN10H170SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMN10H170SVT-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMN10H170SVT-7Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W
на замовлення 50763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.48 грн
10+ 30.72 грн
100+ 18.67 грн
500+ 14.51 грн
1000+ 11.81 грн
3000+ 10.03 грн
9000+ 9.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN10H170SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
товар відсутній
DMN10H170SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
товар відсутній
DMN10H170SVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
товар відсутній
DMN10H170SVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
товар відсутній
DMN10H170SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.81 грн
10+ 35.18 грн
100+ 26.26 грн
500+ 19.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN10H170SVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 160mOhm 10Vgs 2.6A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMN10H170SVTQ-7DIODES INCORPORATEDDMN10H170SVTQ-7 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN10H170SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 25 V
товар відсутній
DMN10H170SVTQ-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN10H170SVTQ-7Diodes Inc100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN10H220LDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMN10H220L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN10H220L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN10H220L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN10H220L-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMN10H220L-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
на замовлення 8884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.09 грн
12+ 25.49 грн
100+ 16.56 грн
500+ 12.99 грн
1000+ 10.09 грн
2500+ 9.23 грн
10000+ 7.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN10H220L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN10H220L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.15 грн
30000+ 7.67 грн
50000+ 7.47 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.99 грн
9000+ 8.36 грн
45000+ 7.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.34 грн
6000+ 8.54 грн
9000+ 7.93 грн
30000+ 7.27 грн
75000+ 7.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220L-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.68 грн
9000+ 9 грн
45000+ 8.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220L-7Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 16Vgs 1.6A 1.3W
на замовлення 174249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.32 грн
13+ 24.35 грн
100+ 15.37 грн
500+ 11.87 грн
1000+ 9.56 грн
3000+ 8.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN10H220L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.58 грн
9000+ 8.44 грн
24000+ 8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.87 грн
9000+ 7.19 грн
18000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+16.72 грн
44+ 7.83 грн
50+ 6.94 грн
100+ 6.18 грн
133+ 6 грн
Мінімальне замовлення: 23
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.28 грн
9000+ 7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+27.67 грн
26+ 22.4 грн
100+ 16.15 грн
250+ 14.8 грн
500+ 11.11 грн
1000+ 6.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMN10H220L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 336043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.83 грн
13+ 22.81 грн
100+ 15.86 грн
500+ 11.62 грн
1000+ 9.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN10H220L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 58657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+26.79 грн
50+ 22.2 грн
100+ 17.61 грн
500+ 10.38 грн
1500+ 9.39 грн
Мінімальне замовлення: 28
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+24.12 грн
635+ 18.03 грн
641+ 17.86 грн
820+ 13.46 грн
1383+ 7.39 грн
Мінімальне замовлення: 475
DMN10H220L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+20.07 грн
27+ 9.76 грн
30+ 8.33 грн
100+ 7.42 грн
133+ 7.2 грн
365+ 6.81 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMN10H220L-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
на замовлення 58657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.61 грн
500+ 10.38 грн
1500+ 9.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H220L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товар відсутній
DMN10H220LDV-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 3K
товар відсутній
DMN10H220LDV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.44 грн
28+ 26.93 грн
100+ 19.76 грн
500+ 16.56 грн
1000+ 11.48 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMN10H220LDV-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMN10H220LDV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K
товар відсутній
DMN10H220LDV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 10.5 A, 10.5 A, 0.17 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.17ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 40W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.17ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 40W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.76 грн
500+ 16.56 грн
1000+ 11.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H220LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta), 40W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+10.1 грн
6000+ 9.24 грн
10000+ 8.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMN10H220LE-13Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 61V 100V N-Ch 3A 401pF 8.3nC
на замовлення 8888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.94 грн
10+ 36.49 грн
100+ 21.96 грн
500+ 18.4 грн
1000+ 15.63 грн
2500+ 13.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN10H220LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DMN10H220LE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.64 грн
500+ 19.17 грн
1000+ 13.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H220LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN10H220LE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; Idm: 8A; 1.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN10H220LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 216941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.24 грн
10+ 32.5 грн
100+ 22.47 грн
500+ 17.63 грн
1000+ 15 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN10H220LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DMN10H220LE-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN10H220LE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LE-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.2 A, 0.155 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.28 грн
19+ 39.44 грн
100+ 24.64 грн
500+ 19.17 грн
1000+ 13.26 грн
Мінімальне замовлення: 16
DMN10H220LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN10H220LE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.9 грн
5000+ 7.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN10H220LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 215000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.78 грн
5000+ 13.49 грн
12500+ 12.49 грн
25000+ 11.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN10H220LE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; Idm: 8A; 1.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN10H220LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
товар відсутній
DMN10H220LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMN10H220LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.61 грн
6000+ 6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220LFDF-7Diodes Inc100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN10H220LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.78 грн
13+ 24.5 грн
100+ 13.26 грн
1000+ 9.63 грн
3000+ 8.18 грн
9000+ 7.12 грн
24000+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN10H220LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.91 грн
500+ 8.93 грн
1000+ 6.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H220LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.7A; Idm: 8.8A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN10H220LFDF-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.97 грн
14+ 20.48 грн
100+ 10.32 грн
500+ 8.58 грн
1000+ 6.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN10H220LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.2 A, 0.174 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Anzahl der Pins: 6Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.174ohm
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.52 грн
35+ 21.46 грн
100+ 11.91 грн
500+ 8.93 грн
1000+ 6.28 грн
Мінімальне замовлення: 24
DMN10H220LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.7A; Idm: 8.8A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN10H220LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V
товар відсутній
DMN10H220LFVW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товар відсутній
DMN10H220LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.81 грн
30+ 24.94 грн
100+ 15.83 грн
500+ 12.64 грн
1000+ 9.7 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMN10H220LFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 44A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN10H220LFVW-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMN10H220LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товар відсутній
DMN10H220LFVW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 44A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN10H220LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11 A, 0.164 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.164ohm
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.83 грн
500+ 12.64 грн
1000+ 9.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H220LFVW-7Diodes Inc100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN10H220LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 366 pF @ 50 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.6 грн
6000+ 7.94 грн
10000+ 7.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMN10H220LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 17889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.47 грн
12+ 26.4 грн
100+ 16.03 грн
500+ 12.53 грн
1000+ 10.09 грн
2500+ 7.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN10H220LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 56467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.54 грн
12+ 23.5 грн
100+ 16.34 грн
500+ 11.97 грн
1000+ 9.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN10H220LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+21.49 грн
16+ 16.35 грн
30+ 13.93 грн
81+ 11.8 грн
223+ 11.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
DMN10H220LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.98 грн
500+ 13.05 грн
1000+ 10.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H220LK3-13Diodes IncHigh Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN10H220LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 18.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384 pF @ 25 V
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.63 грн
5000+ 8.8 грн
12500+ 8.17 грн
25000+ 7.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN10H220LK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+17.91 грн
27+ 13.12 грн
30+ 11.61 грн
81+ 9.83 грн
223+ 9.3 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMN10H220LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.179 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.179ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.7 грн
26+ 28.78 грн
100+ 17.98 грн
500+ 13.05 грн
1000+ 10.08 грн
Мінімальне замовлення: 22
DMN10H220LK3-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN10H220LPDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.23 грн
500+ 20.75 грн
1000+ 13.13 грн
5000+ 12.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H220LPDW-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN10H220LPDW-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.4A; Idm: 32A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.4A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN10H220LPDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 8 A, 8 A, 0.168 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.168ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pins
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.168ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 2.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.61 грн
19+ 39.37 грн
100+ 27.23 грн
500+ 20.75 грн
1000+ 13.13 грн
5000+ 12.88 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMN10H220LPDW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS61V-100V
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.1 грн
10+ 35.73 грн
100+ 23.81 грн
500+ 19.52 грн
1000+ 15.83 грн
2500+ 13.39 грн
10000+ 13.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN10H220LPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 8A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 384pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
товар відсутній
DMN10H220LPDW-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.4A; Idm: 32A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.4A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN10H220LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMN10H220LQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 10K
товар відсутній
DMN10H220LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN10H220LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN10H220LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.97 грн
14+ 20.06 грн
100+ 10.12 грн
500+ 7.75 грн
1000+ 5.75 грн
2000+ 4.84 грн
5000+ 4.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN10H220LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 548640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.97 грн
14+ 20.06 грн
100+ 10.12 грн
500+ 7.75 грн
1000+ 5.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN10H220LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.26 грн
30+ 24.71 грн
100+ 9.18 грн
500+ 7.21 грн
1000+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMN10H220LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMN10H220LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.65 грн
35+ 8.39 грн
100+ 7.17 грн
160+ 6.04 грн
435+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMN10H220LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 543000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.35 грн
6000+ 4.93 грн
9000+ 4.26 грн
30000+ 3.92 грн
75000+ 3.25 грн
150000+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.18 грн
500+ 7.21 грн
1000+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H220LQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMN10H220LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 495000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220LQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 3K
на замовлення 164154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.94 грн
14+ 22.53 грн
100+ 7.85 грн
1000+ 6 грн
3000+ 4.29 грн
9000+ 3.76 грн
24000+ 3.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN10H220LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.21 грн
55+ 6.73 грн
100+ 5.98 грн
160+ 5.03 грн
435+ 4.76 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMN10H220LVT-13Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
товар відсутній
DMN10H220LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
товар відсутній
DMN10H220LVT-7Diodes IncorporatedMOSFET 100V N-Ch Enh FET 220mOhm 16Vgs
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.09 грн
10+ 33.6 грн
100+ 20.32 грн
500+ 15.9 грн
1000+ 12.86 грн
3000+ 10.95 грн
9000+ 10.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN10H220LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220LVT-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R
товар відсутній
DMN10H220LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.24 грн
6000+ 11.19 грн
9000+ 10.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.79 грн
500+ 16.56 грн
1000+ 12.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H220LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220LVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.79A; Idm: 6.6A; 1.07W
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 6.6A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.79A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.07W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
товар відсутній
DMN10H220LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H220LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.24 A, 0.172 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.172ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.17 грн
21+ 36.41 грн
100+ 22.79 грн
500+ 16.56 грн
1000+ 12.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMN10H220LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 2.24A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H220LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.87A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.67W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 401 pF @ 25 V
на замовлення 26779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.39 грн
10+ 29.89 грн
100+ 20.78 грн
500+ 15.23 грн
1000+ 12.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN10H220LVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.79A; Idm: 6.6A; 1.07W
Mounting: SMD
Case: TSOT26
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 6.6A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.79A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.07W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN10H6D2LFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товар відсутній
DMN10H6D2LFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMN10H6D2LFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товар відсутній
DMN10H6D2LFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMN10H6D2LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H6D2LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 3.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 270mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.32 грн
500+ 6.53 грн
1000+ 4.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H6D2LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H6D2LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 270 mA, 270 mA, 3.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 270mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.9 грн
44+ 17.17 грн
100+ 9.32 грн
500+ 6.53 грн
1000+ 4.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
DMN10H700S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 9976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.68 грн
13+ 21.85 грн
100+ 12.35 грн
500+ 7.68 грн
1000+ 5.89 грн
2000+ 5.12 грн
5000+ 4.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN10H700S-13DIODES INCORPORATEDDMN10H700S-13 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN10H700S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
товар відсутній
DMN10H700S-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 6816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.55 грн
13+ 24.05 грн
100+ 11.87 грн
500+ 7.92 грн
1000+ 5.87 грн
2500+ 5.41 грн
5000+ 4.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN10H700S-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMN10H700S-7DIODES INCORPORATEDDMN10H700S-7 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN10H700S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 17366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+33.89 грн
32+ 23.53 грн
100+ 8.73 грн
500+ 6.32 грн
1000+ 4.19 грн
5000+ 3.74 грн
Мінімальне замовлення: 22
DMN10H700S-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 24790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.86 грн
14+ 22.6 грн
100+ 11.61 грн
500+ 7.72 грн
1000+ 5.87 грн
3000+ 5.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN10H700S-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN10H700S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 31696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.97 грн
13+ 21.57 грн
100+ 12.23 грн
500+ 7.6 грн
1000+ 5.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN10H700S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN10H700S-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 17366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.73 грн
500+ 6.32 грн
1000+ 4.19 грн
5000+ 3.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN10H700S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.61 грн
6000+ 4.86 грн
15000+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1150UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V
на замовлення 257659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.54 грн
15+ 18.96 грн
100+ 9.59 грн
500+ 7.35 грн
1000+ 5.45 грн
2000+ 4.58 грн
5000+ 4.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN1150UFB-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1006-3
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.15A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 7A
товар відсутній
DMN1150UFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.41A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 106 pF @ 10 V
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.19 грн
30000+ 3.96 грн
50000+ 3.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN1150UFB-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1006-3
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.15A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 7A
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN1150UFB-7BDiodes IncorporatedMOSFET N-CH MOSFET 12V
на замовлення 19099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.32 грн
20+ 15.63 грн
100+ 6.73 грн
1000+ 4.55 грн
2500+ 4.35 грн
10000+ 3.89 грн
20000+ 3.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN1150UFL3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMN1150UFL3-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN1150UFL3-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMN1150UFL3-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMN1150UFL3-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±6V
товар відсутній
DMN1150UFL3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 390mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMN1150UFL3-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 2A 6-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMN11M2UCA14-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 34A X2-TSN3027
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6083pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 9.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 870µA
Supplier Device Package: X2-TSN3027-14
товар відсутній
DMN1250UFEL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN1250UFEL-7Diodes IncorporatedMOSFET 8 N-Ch FET 4.5V 280mOhm 12Vdss
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.1 грн
10+ 48.47 грн
100+ 32.85 грн
500+ 27.77 грн
1000+ 22.69 грн
3000+ 22.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMN1250UFEL-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x8; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 10A; 1.25W
Mounting: SMD
Case: U-QFN1515-12
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.25W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET x8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 10A
товар відсутній
DMN1250UFEL-7Diodes IncN-Channel Enhancement Mode Mosfet
товар відсутній
DMN1250UFEL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 8N-CH 12V 2A U-QFN1515
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 8 N-Channel, Common Gate, Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 660mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-QFN1515-12
Part Status: Active
на замовлення 7552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.08 грн
10+ 44.8 грн
100+ 34.84 грн
500+ 27.71 грн
1000+ 22.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMN1250UFEL-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x8; unipolar; 12V; 1.6A; Idm: 10A; 1.25W
Mounting: SMD
Case: U-QFN1515-12
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.25W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: N-MOSFET x8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN1260UFA-7BDiodes IncTrans MOSFET N-CH 12V 0.5A 3-Pin X2-DFN T/R
товар відсутній
DMN1260UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 350000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.8 грн
30000+ 3.59 грн
50000+ 2.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN1260UFA-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: X2-DFN0806-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 960pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN1260UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFET 12V N-Ch Enh FET 8 VGS 60pF 0.92nC
на замовлення 15780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.47 грн
16+ 19.72 грн
100+ 9.7 грн
1000+ 4.88 грн
2500+ 4.29 грн
10000+ 3.43 грн
20000+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN1260UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
на замовлення 372445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.69 грн
16+ 17.18 грн
100+ 8.68 грн
500+ 6.64 грн
1000+ 4.93 грн
2000+ 4.15 грн
5000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN1260UFA-7BDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: X2-DFN0806-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 960pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN12M3UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN3118-6 T&R 3K
товар відсутній
DMN12M7UCA10-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 10.8A; Idm: 80A; 1.73W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.73W
Case: X4-DSN3015-10
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
DMN12M7UCA10-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015-
товар відсутній
DMN12M7UCA10-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 10.8A; Idm: 80A; 1.73W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 10.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.73W
Case: X4-DSN3015-10
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN12M7UCA10-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN3015-10 T&R 5K
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.26 грн
10+ 58.71 грн
100+ 34.83 грн
500+ 29.15 грн
1000+ 22.43 грн
2500+ 22.29 грн
5000+ 20.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMN12M8UCA10-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN3015-10 T&R 5K
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.1 грн
10+ 43.31 грн
100+ 25.72 грн
500+ 21.5 грн
1000+ 18.27 грн
2500+ 17.28 грн
5000+ 14.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN13H750S-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
товар відсутній
DMN13H750S-13DIODES INCORPORATEDDMN13H750S-13 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN13H750S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
товар відсутній
DMN13H750S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 14096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.96 грн
10+ 32.77 грн
100+ 24.48 грн
500+ 18.05 грн
1000+ 13.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN13H750S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+34.78 грн
20+ 28.4 грн
25+ 28.14 грн
100+ 19.68 грн
250+ 18.04 грн
500+ 14.02 грн
1000+ 11.38 грн
3000+ 10.4 грн
Мінімальне замовлення: 17
DMN13H750S-7DIODES INCORPORATEDDMN13H750S-7 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN13H750S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 130 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.07 грн
6000+ 12.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN13H750S-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 130Vdss 20Vgss
на замовлення 3399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.25 грн
10+ 35.35 грн
100+ 23.02 грн
500+ 18.07 грн
1000+ 13.98 грн
3000+ 12.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN13H750S-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.23 грн
6000+ 9.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN13H750S-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMN13M9UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.72 грн
10+ 59.7 грн
100+ 40.37 грн
500+ 34.23 грн
1000+ 27.9 грн
3000+ 27.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMN14M8UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.94 грн
10+ 31.86 грн
100+ 20.71 грн
500+ 16.29 грн
1000+ 12.99 грн
3000+ 10.95 грн
9000+ 9.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN15H310SE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 8.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
товар відсутній
DMN15H310SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
на замовлення 349123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.92 грн
10+ 59.36 грн
100+ 46.19 грн
500+ 36.75 грн
1000+ 29.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMN15H310SE-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 150V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DMN15H310SE-13Diodes IncorporatedMOSFET 150V N-Ch Enh Fet 310mOhm 10Vgs 2.0A
на замовлення 3176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.34 грн
10+ 66.68 грн
100+ 45.12 грн
500+ 38.19 грн
1000+ 31.13 грн
2500+ 27.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMN15H310SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 2A/7.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
на замовлення 342500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.18 грн
5000+ 28.6 грн
12500+ 27.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN15H310SE-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 8.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMN15H310SK3Diodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMN15H310SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMN15H310SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN15H310SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMN15H310SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.24 грн
10+ 32.5 грн
100+ 22.5 грн
500+ 17.64 грн
1000+ 15.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN15H310SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMN15H310SK3-13Diodes IncorporatedMOSFET 150V N-Ch Enh FET 310mOhm 10V 8.3A
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.94 грн
10+ 37.02 грн
100+ 21.96 грн
500+ 18.4 грн
1000+ 15.63 грн
2500+ 13.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN15H310SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 150V 8.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMN15H310SK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 150V 8.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMN15M3UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X3-DSN2718-6 T&R 3K
товар відсутній
DMN15M5UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V X4-DSN2117-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 59pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 840µA
Supplier Device Package: X4-DSN2117-6
товар відсутній
DMN16M0UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 12V 17A X4-DSN2112
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN2112-6
товар відсутній
DMN16M0UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN16M9UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN2718-6
товар відсутній
DMN16M9UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.57 грн
10+ 57.73 грн
100+ 34.23 грн
500+ 28.63 грн
1000+ 24.34 грн
3000+ 21.64 грн
6000+ 21.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMN2004DMK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN2004DMK-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Channel
на замовлення 38268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.32 грн
13+ 24.8 грн
100+ 16.23 грн
500+ 12.73 грн
1000+ 9.89 грн
3000+ 8.44 грн
9000+ 8.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+49.76 грн
15+ 38.54 грн
25+ 36.87 грн
100+ 27.33 грн
250+ 23.09 грн
500+ 19.59 грн
1000+ 16.2 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN2004DMK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 225mW; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
товар відсутній
DMN2004DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 352942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.11 грн
13+ 22.47 грн
100+ 15.6 грн
500+ 11.43 грн
1000+ 9.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN2004DMK-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
товар відсутній
DMN2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+39.71 грн
375+ 30.52 грн
411+ 27.84 грн
500+ 23.73 грн
1000+ 18.18 грн
Мінімальне замовлення: 289
DMN2004DMK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 225mW; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-26 T/R
товар відсутній
DMN2004DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 225mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 352481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.19 грн
6000+ 8.4 грн
9000+ 7.8 грн
30000+ 7.15 грн
75000+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004DWK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.75 грн
6000+ 8.07 грн
9000+ 7.27 грн
30000+ 6.72 грн
75000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004DWK-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004DWK-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Channel
на замовлення 27327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.32 грн
12+ 25.79 грн
100+ 12.53 грн
1000+ 8.84 грн
3000+ 7.78 грн
9000+ 7.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 287641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.11 грн
12+ 24.25 грн
100+ 14.54 грн
500+ 12.63 грн
1000+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN2004DWK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Gate charge: 0.95nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2004DWK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Gate charge: 0.95nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
товар відсутній
DMN2004DWK-7-RDIODES/ZETEX2NxMOSFET 20V 0.54A 550mΩ 200mW DMN2004DWK-7 Diodes TDMN2004dwk
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 200
DMN2004DWKQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Gate charge: 0.95nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2004DWKQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN2004DWKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMN2004DWKQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Gate charge: 0.95nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
товар відсутній
DMN2004DWKQ-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
товар відсутній
DMN2004K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN2004KDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.44 грн
30+ 19.29 грн
100+ 12.01 грн
Мінімальне замовлення: 23
DMN2004K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 0.45A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.14 грн
55+ 6.57 грн
100+ 5.81 грн
165+ 4.77 грн
455+ 4.51 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 0.45A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.76 грн
35+ 8.19 грн
100+ 6.97 грн
165+ 5.73 грн
455+ 5.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMN2004K-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMN2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+28.49 грн
35+ 21.38 грн
100+ 12.36 грн
500+ 8.04 грн
1000+ 5.89 грн
5000+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 26
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004K-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V 540mA
на замовлення 89429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.47 грн
17+ 17.9 грн
100+ 7.32 грн
1000+ 5.61 грн
3000+ 4.82 грн
9000+ 4.42 грн
24000+ 4.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 29900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.97 грн
17+ 16.97 грн
100+ 8.57 грн
500+ 7.13 грн
1000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.49 грн
6000+ 5.17 грн
9000+ 4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2004K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 34154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.36 грн
500+ 8.04 грн
1000+ 5.89 грн
5000+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN2004K-7 NABDIODES/ZETEXN-MOSFET 20V 630mA 550mΩ 350mW DMN2004K-7 Diodes TDMN2004k
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.2 грн
Мінімальне замовлення: 300
DMN2004K-7-F10+ROHS SOT-23
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN2004L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN2004TK-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-CHANNEL
на замовлення 224241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.48 грн
11+ 28.67 грн
100+ 13.85 грн
1000+ 9.43 грн
3000+ 7.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 741000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.22 грн
6000+ 6.66 грн
9000+ 5.99 грн
30000+ 5.54 грн
75000+ 5.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004TK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 150mW; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2004TK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 150mW; SOT523
Case: SOT523
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.15W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
товар відсутній
DMN2004TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 742402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.25 грн
11+ 25.49 грн
100+ 15.29 грн
500+ 13.29 грн
1000+ 9.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN2004TK-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-523 T/R
товар відсутній
DMN2004VK-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.39A; 0.25W; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 0.39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN2004VK-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.39A; 0.25W; SOT563
Case: SOT563
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Drain current: 0.39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMN2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 1539000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.58 грн
6000+ 7 грн
9000+ 6.3 грн
30000+ 5.82 грн
75000+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004VK-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004VK-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V 540mA
на замовлення 14274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.78 грн
14+ 22.91 грн
100+ 10.75 грн
1000+ 7.39 грн
3000+ 6.2 грн
9000+ 6.07 грн
24000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 1542832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.83 грн
14+ 21.03 грн
100+ 12.59 грн
500+ 10.95 грн
1000+ 7.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN2004VK-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.11 грн
16+ 17.86 грн
100+ 9.02 грн
500+ 6.91 грн
1000+ 5.12 грн
2000+ 4.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN2004VK-7BDiodes IncDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN2004VK-7BDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 8.0K
товар відсутній
DMN2004VK-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.56 грн
16000+ 3.8 грн
24000+ 3.73 грн
56000+ 2.9 грн
Мінімальне замовлення: 8000
DMN2004WK
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6203656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.54 грн
15+ 19.38 грн
100+ 9.76 грн
500+ 8.11 грн
1000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2004WK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN2004WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.25 грн
6000+ 5.89 грн
9000+ 5.21 грн
30000+ 4.83 грн
75000+ 4.1 грн
150000+ 3.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004WK-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2004WK-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel
на замовлення 46195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.09 грн
15+ 21.24 грн
100+ 8.31 грн
1000+ 6.33 грн
3000+ 5.54 грн
9000+ 5.01 грн
24000+ 4.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN2004WK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
товар відсутній
DMN2004WK-7
Код товару: 183759
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Uds,V: 20 V
Idd,A: 0,54 A
Rds(on), Ohm: 0,7 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 150/
Монтаж: SMD
товар відсутній
DMN2004WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 3-Pin SOT-323 T/R
товар відсутній
DMN2004WK-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
товар відсутній
DMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.39 грн
13+ 21.44 грн
100+ 10.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2004WKQ-7Diodes IncN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMN2004WKQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 11611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.24 грн
14+ 23.06 грн
100+ 9.37 грн
1000+ 7.26 грн
3000+ 6.6 грн
9000+ 5.87 грн
24000+ 5.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2004WKQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
товар відсутній
DMN2004WKQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN2004WKQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.39A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel
на замовлення 23783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.09 грн
12+ 26.93 грн
100+ 12.14 грн
1000+ 8.9 грн
3000+ 7.52 грн
9000+ 6.99 грн
24000+ 6.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN2005DLP4K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1310-6
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 400mW
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 350mA
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Polarisation: unipolar
товар відсутній
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
на замовлення 21730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.96 грн
11+ 27.41 грн
100+ 18.65 грн
500+ 13.13 грн
1000+ 9.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN2005DLP4K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1310-6
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 400mW
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 350mA
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Polarisation: unipolar
товар відсутній
DMN2005DLP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.99 грн
6000+ 9.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2005K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DMN2005K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 777270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.97 грн
15+ 18.96 грн
100+ 11.37 грн
500+ 9.88 грн
1000+ 6.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN2005K-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel
на замовлення 13577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMN2005K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 2.7V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 777000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
6000+ 6.17 грн
9000+ 5.46 грн
30000+ 5.06 грн
75000+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2005K-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V 300mA
на замовлення 74413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.78 грн
16+ 19.65 грн
100+ 8.44 грн
1000+ 6.53 грн
3000+ 5.8 грн
9000+ 5.54 грн
24000+ 5.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
товар відсутній
DMN2005LP4K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1006-3
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1006-3
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 400mW
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 350mA
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Polarisation: unipolar
товар відсутній
DMN2005LP4K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1006-3
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1006-3
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 400mW
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 350mA
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3.5Ω
Polarisation: unipolar
товар відсутній
DMN2005LP4K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
товар відсутній
DMN2005LP4K-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 100µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 10 V
товар відсутній
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 356157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.68 грн
14+ 21.09 грн
100+ 10.64 грн
500+ 8.85 грн
1000+ 6.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2005LPK-7DIODES INCORPORATEDDMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
27+9.94 грн
139+ 6.93 грн
382+ 6.6 грн
3000+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 27
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.82 грн
6000+ 6.42 грн
9000+ 5.69 грн
30000+ 5.27 грн
75000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2005LPK-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V 200mA
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMN2005UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.05W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 130A
Case: PowerDI®3333-8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.09 грн
12+ 25.87 грн
100+ 17.15 грн
500+ 15.04 грн
1000+ 13.32 грн
3000+ 12.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN2005UFG-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
на замовлення 300047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.53 грн
10+ 32.22 грн
100+ 22.34 грн
500+ 17.52 грн
1000+ 14.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN2005UFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.7 грн
6000+ 13.41 грн
9000+ 12.41 грн
30000+ 11.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2005UFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.05W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 130A
Case: PowerDI®3333-8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2005UFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.7 грн
6000+ 13.41 грн
10000+ 12.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN2005UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 164nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 130A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6495 pF @ 10 V
на замовлення 23446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.53 грн
10+ 32.22 грн
100+ 22.34 грн
500+ 17.52 грн
1000+ 14.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN2005UFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN2005UFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 164nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 130A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMN2005UFG-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC
на замовлення 5065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.09 грн
10+ 34.29 грн
100+ 20.65 грн
500+ 17.61 грн
1000+ 12.66 грн
2000+ 12.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN2005UFGQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 164nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 130A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN2005UFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
товар відсутній
DMN2005UFGQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 164nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 130A
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMN2005UFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN2005UFGQ-13Diodes Inc20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8
товар відсутній
DMN2005UFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN2005UFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN2005UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W
Gate charge: 142nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
DMN2005UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.51 грн
10+ 50.57 грн
100+ 39.4 грн
500+ 30.55 грн
1000+ 24.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMN2005UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 20A POWERDI5060
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN2005UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W
Gate charge: 142nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 150A
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15A
On-state resistance: 8.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMN2005UPS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.1 грн
10+ 48.47 грн
100+ 32.85 грн
500+ 27.77 грн
1000+ 22.69 грн
2500+ 20.65 грн
5000+ 20.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMN2008LFU-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN2008LFU-13DIODES INCORPORATEDDMN2008LFU-13 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN2008LFU-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN2008LFU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товар відсутній
DMN2008LFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товар відсутній
DMN2008LFU-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 14.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN2008LFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1418pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250A
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.24 грн
10+ 37.58 грн
100+ 28.83 грн
500+ 21.39 грн
1000+ 17.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN2008LFU-7DIODES INCORPORATEDDMN2008LFU-7 SMD N channel transistors
товар відсутній
DMN2008LFU-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 9489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.4 грн
10+ 38 грн
100+ 22.89 грн
500+ 19.13 грн
1000+ 16.29 грн
3000+ 14.45 грн
6000+ 13.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN2009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V
на замовлення 31957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+48.52 грн
10+ 40.4 грн
100+ 27.99 грн
500+ 21.95 грн
1000+ 18.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMN2009LSS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOP T/R
товар відсутній
DMN2009LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2555 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.41 грн
5000+ 16.79 грн
12500+ 15.55 грн
25000+ 14.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN2009LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.6A; Idm: 42A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 12mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2W
Drain current: 9.6A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 42A
Gate-source voltage: ±12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 58.3nC
товар відсутній
DMN2009LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 20V 12A
на замовлення 5979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMN2009LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.6A; Idm: 42A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 12mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2W
Drain current: 9.6A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 42A
Gate-source voltage: ±12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 58.3nC
товар відсутній
DMN2009UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN1717-4 T&R 3K
товар відсутній
DMN2009USS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 100A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 12mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2W
Drain current: 9.7A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 100A
Gate-source voltage: ±12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 34nC
товар відсутній
DMN2009USS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.7A; Idm: 100A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 12mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2W
Drain current: 9.7A
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 100A
Gate-source voltage: ±12V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 34nC
товар відсутній
DMN2009USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.67 грн
10+ 33.67 грн
100+ 23.33 грн
500+ 18.29 грн
1000+ 15.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN2009USS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1706 pF @ 10 V
товар відсутній
DMN2009USS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 6594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.94 грн
10+ 37.02 грн
100+ 21.96 грн
500+ 18.4 грн
1000+ 15.63 грн
2500+ 12.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN2010UDZ-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Ch Enh FET 24V 8Vgss 0.7W
товар відсутній
DMN2010UDZ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
на замовлення 10644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN2010UDZ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN2011UFDE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3372 pF @ 10 V
товар відсутній
DMN2011UFDE-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
товар відсутній
DMN2011UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 131560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.38 грн
10+ 34.42 грн
100+ 23.85 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 15.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN2011UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W
на замовлення 75295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.1 грн
10+ 35.8 грн
100+ 23.09 грн
500+ 19.26 грн
1000+ 16.42 грн
3000+ 13.39 грн
6000+ 13.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN2011UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.68 грн
6000+ 14.31 грн
9000+ 13.25 грн
30000+ 12.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2011UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.27W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 11.4A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.27W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN2011UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.27W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 11.4A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.27W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 84nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMN2011UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMN2011UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 11.4A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN2011UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 11.4A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMN2011UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 29786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.97 грн
12+ 24.94 грн
100+ 17.33 грн
500+ 12.7 грн
1000+ 10.32 грн
2000+ 9.23 грн
5000+ 8.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2011UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2011UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
товар відсутній
DMN2011UFDF-7Diodes Inc20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2011UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248 pF @ 10 V
товар відсутній
DMN2011UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.63 грн
11+ 28.6 грн
100+ 18.21 грн
500+ 14.38 грн
1000+ 11.08 грн
3000+ 9.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2011UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 11.4A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2011UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 11.4A; Idm: 80A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 11.4A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMN2011UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.53 грн
6000+ 18.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2011UFX-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Ch Enh FET 20Vds 12Vgs 2248pF
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.41 грн
10+ 50.82 грн
100+ 30.61 грн
500+ 25.59 грн
1000+ 21.77 грн
3000+ 17.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMN2011UFX-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.8A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Case: V-DFN2050-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN2011UFX-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.8A; Idm: 80A; 2.1W
Mounting: SMD
Case: V-DFN2050-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.8A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMN2011UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
Part Status: Active
на замовлення 7101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.23 грн
10+ 45.07 грн
100+ 31.22 грн
500+ 24.48 грн
1000+ 20.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMN2011UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.96 грн
5000+ 12.58 грн
12500+ 11.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN2011UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.09 грн
10+ 33.98 грн
100+ 20.58 грн
500+ 16.09 грн
1000+ 13.06 грн
2500+ 11.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN2011UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 21A 8TSSOP
на замовлення 12723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.96 грн
10+ 32.5 грн
100+ 24.29 грн
500+ 17.91 грн
1000+ 13.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN2012UCA6-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN2012UCA6-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V X3-DSN2718-
товар відсутній
DMN2013UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.48 грн
10+ 33.38 грн
100+ 21.64 грн
500+ 17.41 грн
1000+ 13.46 грн
3000+ 11.94 грн
6000+ 11.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN2013UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 80A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN2013UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
товар відсутній
DMN2013UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 80A
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
DMN2013UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
товар відсутній
DMN2013UFDEQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 10A 0.78W
товар відсутній
DMN2013UFX-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
товар відсутній
DMN2013UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN2014LHAB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товар відсутній
DMN2014LHAB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 T&R 10K
товар відсутній
DMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedMOSFET FET BVDSS 8V 24V N-Ch Dual 20V 1550pF
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.25 грн
10+ 31.4 грн
100+ 19 грн
500+ 14.84 грн
1000+ 12.07 грн
3000+ 10.16 грн
9000+ 9.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товар відсутній
DMN2014LHAB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN2014LHAB-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN2014LHAB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.4A; Idm: 45A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 1.1W
Case: U-DFN2030-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2014LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товар відсутній
DMN2014LHAB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.4A; Idm: 45A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.4A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 1.1W
Case: U-DFN2030-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2014LHAB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.94 грн
10+ 31.63 грн
100+ 19.13 грн
500+ 14.97 грн
1000+ 12.14 грн
3000+ 9.96 грн
9000+ 9.5 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
на замовлення 66015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.1 грн
10+ 30.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN2015UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
на замовлення 66015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.1 грн
10+ 30.58 грн
100+ 22.84 грн
500+ 16.84 грн
1000+ 13.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN2015UFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; Idm: 80A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2015UFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1779 pF @ 10 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.13 грн
6000+ 11.83 грн
15000+ 11.01 грн
30000+ 9.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2015UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN2015UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
товар відсутній
DMN2015UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.3A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 0.5W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2015UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.47 грн
12+ 26.25 грн
100+ 15.9 грн
500+ 12.4 грн
1000+ 10.09 грн
3000+ 8.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2015UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN2015UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9.3A; Idm: 70A; 0.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 9.3A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 0.5W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2016LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
товар відсутній
DMN2016LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMN2016LFG-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMN2016LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 30A; 770mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.77W
Case: U-DFN3030-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN2016LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
товар відсутній
DMN2016LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.1A; Idm: 30A; 770mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.77W
Case: U-DFN3030-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2016LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній
DMN2016LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CHANNEL DFN DFN3030-8 GREEN 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.79 грн
10+ 38.53 грн
100+ 24.01 грн
500+ 18.73 грн
1000+ 15.24 грн
3000+ 13.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN2016LHAB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; Idm: 45A; 1W; U-DFN2030-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2030-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN2016LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN2016LHAB-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6A; Idm: 45A; 1W; U-DFN2030-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2030-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2016LHAB-7Diodes IncorporatedMOSFET DUAL N-CH MOSFET 20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DMN2016LHAB-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN2016LHAB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.97 грн
6000+ 14.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2016UFX-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET
товар відсутній
DMN2016UFX-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN2016UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4
товар відсутній
DMN2016UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.4 грн
5000+ 12.25 грн
12500+ 11.37 грн
25000+ 10.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN2016UTS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
DMN2016UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
DMN2016UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.58A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1495pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 124015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.24 грн
10+ 32.71 грн
100+ 22.74 грн
500+ 16.66 грн
1000+ 13.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN2016UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
на замовлення 10583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.94 грн
10+ 36.49 грн
100+ 23.68 грн
500+ 18.67 грн
1000+ 14.45 грн
2500+ 12.2 грн
10000+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN2016UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.73A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 0.88W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2016UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.73A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 0.88W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2016UTS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 8.58A 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
DMN2019UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.86 грн
5000+ 8.1 грн
12500+ 7.52 грн
25000+ 6.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN2019UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 24V TSSOP-8 T&R 2.5
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.63 грн
13+ 24.12 грн
100+ 15.7 грн
500+ 12.33 грн
1000+ 9.56 грн
2500+ 8.11 грн
10000+ 7.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN2019UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2019UTS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2019UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 780mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 27789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.4 грн
13+ 21.64 грн
100+ 15.04 грн
500+ 11.02 грн
1000+ 8.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN2020LSN-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMN2020LSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+12.14 грн
45+ 8.52 грн
100+ 7.56 грн
125+ 6.46 грн
340+ 6.11 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMN2020LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
490+23.37 грн
786+ 14.55 грн
819+ 13.97 грн
854+ 12.92 грн
1473+ 6.94 грн
Мінімальне замовлення: 490
DMN2020LSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.46 грн
500+ 12.64 грн
1000+ 8.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN2020LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+30.76 грн
24+ 24.24 грн
27+ 21.7 грн
100+ 13.03 грн
250+ 11.58 грн
500+ 10.66 грн
1000+ 6.18 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMN2020LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
на замовлення 90541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.97 грн
13+ 22.4 грн
100+ 13.46 грн
500+ 11.7 грн
1000+ 7.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2020LSN-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2020LSN-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.013 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.74 грн
27+ 27.75 грн
100+ 17.46 грн
500+ 12.64 грн
1000+ 8.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMN2020LSN-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.9A 3-Pin SC-59 T/R
товар відсутній
DMN2020LSN-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET,N-CHANNEL
на замовлення 19820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.24 грн
13+ 24.73 грн
100+ 11.94 грн
1000+ 8.31 грн
3000+ 7.12 грн
9000+ 6.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2020LSN-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; Idm: 30A; 0.61W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.61W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.56 грн
25+ 10.62 грн
100+ 9.07 грн
125+ 7.75 грн
340+ 7.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMN2020LSN-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149 pF @ 10 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.1 грн
6000+ 7.48 грн
9000+ 6.73 грн
30000+ 6.22 грн
75000+ 5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2020UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R
товар відсутній
DMN2020UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V
на замовлення 48211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.69 грн
13+ 21.51 грн
100+ 14.92 грн
500+ 10.93 грн
1000+ 8.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN2020UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh FET 0.61W 1788pF 21.5nC
на замовлення 9248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.63 грн
13+ 24.2 грн
100+ 14.58 грн
500+ 11.41 грн
1000+ 9.23 грн
3000+ 7.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN2020UFCL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 45A; 610mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.61W
Case: X1-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2020UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R
товар відсутній
DMN2020UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1788 pF @ 10 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.79 грн
6000+ 8.03 грн
9000+ 7.46 грн
30000+ 6.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2020UFCL-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R
товар відсутній
DMN2020UFCL-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 45A; 610mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.61W
Case: X1-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2020UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2022UCA4-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1717-4 T&R 3K
товар відсутній
DMN2022UCA4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1717-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1438pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 1mA
Supplier Device Package: X4-DSN1717-4
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.43 грн
6000+ 12.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2022UCA4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN1717-4 T&R 3K
товар відсутній
DMN2022UDH-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R
товар відсутній
DMN2022UDH-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN2022UDH-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN2022UDH-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V 24V V-DFN3030-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
DMN2022UDH-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10A 8-Pin VQFN T/R
товар відсутній
DMN2022UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN2022UFDF-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN2022UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2022UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
товар відсутній
DMN2022UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.1 грн
30000+ 7.62 грн
50000+ 7.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2022UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; 0.42W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN2022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 77699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.97 грн
13+ 22.47 грн
100+ 13.51 грн
500+ 11.74 грн
1000+ 7.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2022UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN2022UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; 0.42W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній
DMN2022UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.94 грн
500+ 13.26 грн
1000+ 9.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN2022UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET 20V N-Ch Enh Mode 8Vgss 7.9A .66W
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.94 грн
13+ 25.26 грн
100+ 11.94 грн
1000+ 8.31 грн
3000+ 7.32 грн
9000+ 6.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2022UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.13 грн
6000+ 7.5 грн
9000+ 6.75 грн
30000+ 6.24 грн
75000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2022UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2022UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2022UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.44 грн
24+ 31.15 грн
100+ 18.94 грн
500+ 13.26 грн
1000+ 9.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
DMN2022UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN2022UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN2022UNS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
товар відсутній
DMN2022UNS-13Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W
товар відсутній
DMN2022UNS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товар відсутній
DMN2022UNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.75 грн
6000+ 13.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMN2022UNS-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DMN2022UNS-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Ch Enh FET 20V 10Vgss 1.2W
товар відсутній
DMN2022UNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.24 грн
10+ 32.36 грн
100+ 22.42 грн
500+ 17.58 грн
1000+ 14.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN2023LSDDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2023UCB4-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
товар відсутній
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.53 грн
10+ 32.09 грн
100+ 22.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.04 грн
15000+ 18.31 грн
30000+ 17.04 грн
45000+ 15.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2023UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Mounting: SMD
Case: X1-WLB1818-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.45W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3333pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: X1-WLB1818-4
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.67 грн
10+ 33.67 грн
100+ 23.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMN2023UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch 24Vds 12Vgs 6.0A Enh FET 2564pF
товар відсутній
DMN2023UCB4-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 6A 4-Pin X1-WLB T/R
товар відсутній
DMN2023UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Mounting: SMD
Case: X1-WLB1818-4
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
товар відсутній
DMN2024LCA4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V X4-DSN1313-
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.47 грн
6000+ 8.53 грн
15000+ 7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024LCA4-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN1313-4 T&R 3K
товар відсутній
DMN2024LCA4-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V X4-DSN1313-4 T&R 3K
товар відсутній
DMN2024UDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMN2024U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2024U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.39 грн
13+ 21.23 грн
100+ 10.72 грн
500+ 8.91 грн
1000+ 6.93 грн
2000+ 6.21 грн
5000+ 5.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2024U-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET
товар відсутній
DMN2024U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMN2024U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.95 грн
30000+ 5.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2024U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.89 грн
6000+ 6.48 грн
9000+ 5.74 грн
30000+ 5.32 грн
75000+ 4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET
на замовлення 19988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.32 грн
13+ 23.89 грн
100+ 9.3 грн
1000+ 7.45 грн
3000+ 6.6 грн
9000+ 5.8 грн
24000+ 5.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN2024U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; Idm: 45A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 432000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024U-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; Idm: 45A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.68 грн
9000+ 5.92 грн
24000+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 408161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.39 грн
13+ 21.3 грн
100+ 10.75 грн
500+ 8.93 грн
1000+ 6.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DMN2024U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.58 грн
9000+ 5.83 грн
24000+ 5.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024U-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 6.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024U-7-MLMOSLEADERDescription: N 20V 6.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.26 грн
3000+ 2.86 грн
6000+ 2.76 грн
15000+ 2.51 грн
30000+ 2.42 грн
75000+ 2.2 грн
150000+ 2.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
DMN2024UDH-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024UDH-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN2024UDH-7Diodes ZetexDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMN2024UDH-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 950mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN3030-8
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.77 грн
6000+ 11.67 грн
9000+ 10.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 1.67W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.67W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2024UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN2024UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
товар відсутній
DMN2024UFDF-13Diodes Inc20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMN2024UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 1.67W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.67W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN2024UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.35 грн
6000+ 6.78 грн
9000+ 6.11 грн
30000+ 5.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024UFDF-7Diodes Inc20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMN2024UFDF-7Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 0.96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.96W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN2024UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.99 грн
500+ 7.83 грн
1000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN2024UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.6A; Idm: 40A; 0.96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.96W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2024UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.1A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.11 грн
14+ 20.34 грн
100+ 12.21 грн
500+ 10.61 грн
1000+ 7.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN2024UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.09 грн
17+ 18.74 грн
100+ 10.36 грн
1000+ 7.52 грн
3000+ 6.07 грн
9000+ 5.94 грн
24000+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN2024UFDF-7Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMN2024UFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.1 A, 0.015 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.67W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+23.16 грн
54+ 13.84 грн
100+ 9.99 грн
500+ 7.83 грн
1000+ 5.84 грн
Мінімальне замовлення: 32
DMN2024UFU-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 810mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товар відсутній
DMN2024UFU-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 10K
товар відсутній
DMN2024UFU-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2030-6 T&R 3K
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.56 грн
10+ 31.63 грн
100+ 25.59 грн
3000+ 21.77 грн
9000+ 16.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN2024UFU-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 810mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 810mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.24 грн
500+ 14.77 грн
1000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN2024UFU-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 50A; 1.71W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.71W
Case: U-DFN2030-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 23.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2024UFU-7Diodes ZetexDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024UFU-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFU-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 21 A, 21 A, 0.0112 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0112ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 810mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2030
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0112ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 810mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.78 грн
36+ 20.57 грн
100+ 17.24 грн
500+ 14.77 грн
1000+ 12.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMN2024UFU-7Diodes IncDual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN2024UFU-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A/21A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 810mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.2mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.45 грн
6000+ 10.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024UFU-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 50A; 1.71W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.71W
Case: U-DFN2030-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 23.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2024UFX-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024UFX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN2050
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.34 грн
38+ 19.76 грн
100+ 14.35 грн
500+ 12.02 грн
1000+ 8.31 грн
Мінімальне замовлення: 27
DMN2024UFX-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 8A 4VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 920mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN2050-4
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.27 грн
6000+ 11.21 грн
9000+ 10.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024UFX-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V V-DFN2050-4 T&R 3K
товар відсутній
DMN2024UFX-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UFX-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.011ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 920mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN2050
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 920mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.35 грн
500+ 12.02 грн
1000+ 8.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN2024UQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMN2024UQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 10K
товар відсутній
DMN2024UQ-13Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K
товар відсутній
DMN2024UQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; Idm: 45A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN2024UQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.5A; Idm: 45A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2024UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.65 грн
500+ 12.02 грн
1000+ 8.88 грн
3000+ 7.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN2024UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 200010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.83 грн
13+ 21.16 грн
100+ 12.69 грн
500+ 11.03 грн
1000+ 7.5 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN2024UQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.8 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.96 грн
28+ 26.49 грн
100+ 16.65 грн
500+ 12.02 грн
1000+ 8.88 грн
3000+ 7.42 грн
Мінімальне замовлення: 21
DMN2024UQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.64 грн
6000+ 7.05 грн
9000+ 6.35 грн
30000+ 5.87 грн
75000+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024UQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024UQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.24 грн
13+ 24.8 грн
100+ 14.71 грн
1000+ 8.97 грн
3000+ 7.52 грн
9000+ 7.39 грн
24000+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2024UQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 3K
товар відсутній
DMN2024UTS-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN2024UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.82 грн
11+ 27.21 грн
100+ 18.9 грн
500+ 13.85 грн
1000+ 11.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN2024UTS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.48 грн
10+ 30.72 грн
100+ 19.92 грн
500+ 15.7 грн
1000+ 12.14 грн
2500+ 9.96 грн
10000+ 9.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN2024UTS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 890mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.14 грн
5000+ 10.18 грн
12500+ 9.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN2024UVT-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN2024UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 35A; 1.6W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN2024UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 35A; 1.6W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2024UVT-13Diodes IncHigh Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN2024UVT-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN2024UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
товар відсутній
DMN2024UVT-7Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN2024UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
товар відсутній
DMN2024UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN2024UVTQ-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMN2024UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DMN2024UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 10K
товар відсутній
DMN2024UVTQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 35A; 1.6W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2024UVTQ-7Diodes IncMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K
товар відсутній
DMN2024UVTQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній
DMN2024UVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.35 грн
500+ 10.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN2024UVTQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024UVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2024UVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.08 грн
36+ 21.01 грн
100+ 14.35 грн
500+ 10.92 грн
Мінімальне замовлення: 28
DMN2024UVTQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 35A; 1.6W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2024UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 647pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.1 грн
6000+ 8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2024UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
товар відсутній
DMN2025UDiodes IncorporatedDescription: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
товар відсутній
DMN2025U-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
товар відсутній
DMN2025U-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2025U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2025U-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.16 грн
16+ 19.65 грн
100+ 9.7 грн
1000+ 4.95 грн
3000+ 3.96 грн
9000+ 3.36 грн
24000+ 3.17 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN2025U-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN2025U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.26 грн
17+ 16.42 грн
100+ 8.29 грн
500+ 6.35 грн
1000+ 4.71 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN2025U-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3481+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3481
DMN2025U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.39 грн
6000+ 4.04 грн
9000+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2025UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMN2025UFDB-13Diodes ZetexDual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN2025UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
товар відсутній
DMN2025UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товар відсутній
DMN2025UFDB-7Diodes ZetexDual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2025UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.02 грн
6000+ 8.32 грн
9000+ 7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2025UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2025UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.28 грн
500+ 11.82 грн
1000+ 7.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN2025UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 1.4W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2025UFDB-7Diodes IncDual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN2025UFDB-7Diodes ZetexDual 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
DMN2025UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.0185 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0185ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0185ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.43 грн
29+ 26.12 грн
100+ 16.28 грн
500+ 11.82 грн
1000+ 7.8 грн
Мінімальне замовлення: 18
DMN2025UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN2025UFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2025UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товар відсутній
DMN2025UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.1 грн
30000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2025UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.69 грн
15+ 19.58 грн
100+ 11.75 грн
500+ 10.21 грн
1000+ 6.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN2025UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN2025UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 30A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.6W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2025UFDF-7Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DMN2025UFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.32 грн
14+ 23.06 грн
100+ 12.8 грн
1000+ 7.72 грн
3000+ 6.99 грн
9000+ 6.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMN2025UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.07 грн
6000+ 6.53 грн
9000+ 5.88 грн
30000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2025UFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2025UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 30A; 1.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.6W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN2026UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; Idm: 20A; 1.75W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.75W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN2026UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V
товар відсутній
DMN2026UVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; Idm: 20A; 1.75W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.75W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2026UVT-13Diodes IncN-Channel Enhancement Mode Mosfet
товар відсутній
DMN2026UVT-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A
товар відсутній
DMN2026UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; Idm: 20A; 1.75W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.75W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN2026UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.32 грн
6000+ 7.68 грн
9000+ 6.91 грн
30000+ 6.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2026UVT-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Mosfet
товар відсутній
DMN2026UVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.2A; Idm: 20A; 1.75W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.75W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2026UVT-7Diodes IncN-Channel Enhancement Mode Mosfet
товар відсутній
DMN2026UVT-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 10Vgss 20A
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.32 грн
12+ 27.08 грн
100+ 15.11 грн
1000+ 9.1 грн
3000+ 7.45 грн
9000+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN2026UVT-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Mosfet
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN2026UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.68 грн
12+ 23.09 грн
100+ 13.82 грн
500+ 12.01 грн
1000+ 8.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN2027LK3-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 11.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMN2027LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 11.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V
товар відсутній
DMN2027UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 10 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.73 грн
5000+ 14.35 грн
12500+ 13.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN2027UPS-13Diodes ZetexN Channel MOSFET
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.41 грн
5000+ 14.71 грн
12500+ 13.79 грн
25000+ 13.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN2027UPS-13Diodes IncorporatedMOSFET 8V to 24V FET Access Point Min RDSon
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.79 грн
10+ 39.52 грн
100+ 23.42 грн
500+ 19.59 грн
1000+ 16.69 грн
2500+ 15.11 грн
5000+ 14.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN2027UPS-13Diodes ZetexN Channel MOSFET
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN2027UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1091 pF @ 10 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.38 грн
10+ 34.49 грн
100+ 23.92 грн
500+ 18.75 грн
1000+ 15.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMN2027UPS-13Diodes IncN Channel MOSFET
товар відсутній
DMN2027UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 60A; 1.9W
Gate charge: 11.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMN2027UPS-13Diodes ZetexN Channel MOSFET
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.96 грн
7500+ 15.5 грн
15000+ 14.42 грн
22500+ 13.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMN2027UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 60A; 1.9W
Gate charge: 11.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
DMN2027USSDiodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMN2027USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 29090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
904+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 904
DMN2027USS-13Diodes IncTrans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMN2027USS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10.7A; Idm: 45A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DMN2027USS-13Diodes IncorporatedMOSFET
товар відсутній
DMN2027USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 29090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 49
DMN2027USS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10.7A; Idm: 45A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2027USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+17.29 грн
35+ 16.46 грн
36+ 15.91 грн
50+ 14.94 грн
100+ 13.49 грн
1000+ 12.8 грн
Мінімальне замовлення: 33
DMN2027USS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 20V 10.5A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMN2028UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 40A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN2028UFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.45 грн
30000+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2028UFDF-13Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMN2028UFDF-13Diodes Inc20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMN2028UFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 40A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
DMN2028UFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 40A
товар відсутній
DMN2028UFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907 pF @ 10 V
на замовлення 77987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.11 грн
12+ 23.98 грн
100+ 14.4 грн
500+ 12.51 грн
1000+ 8.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
DMN2028UFDF-7Diodes Inc20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMN2028UFDF-7Diodes Zetex20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
товар відсутній
DMN2028UFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; Idm: 40A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній