НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DN30-20P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-20P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
DN30-26P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
DN30-26P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-36P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-36P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
DN30-36P(51)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-36P(51)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
DN30-36PBHirose ConnectorBench Top Tools
товар відсутній
DN30-50P(50)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN30-50P(50)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG 50POS IDC
Features: Feed Through
Packaging: Tray
Connector Type: Plug, Male Pins
Contact Finish: Gold
Current Rating (Amps): 3A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 50
Number of Rows: 2
Contact Type: Signal
Termination: IDC, Ribbon Cable
Connector Style: D-Type
Contact Finish Thickness: 11.8µin (0.30µm)
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Shell Material, Finish: Aluminum, Silver Plated
Shell Size, Connector Layout: 0.100 Pitch x 0.100 Row to Row
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1439.17 грн
20+ 1201.14 грн
DN30-50P(51)Hirose Electric Co LtdDescription: CONN D-TYPE PLUG STR IDC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
DN30-50P(51)Hirose ConnectorD-Sub High Density Connectors
товар відсутній
DN3020MolexConn Mini-C Adapter M/M/F 5/5/5 POS T Style 3 Port Mini-Change®
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4570.83 грн
5+ 4479.34 грн
10+ 4233.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN3020CAPMolexMC 5P Tee Passive
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5179.25 грн
4+ 5074.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN3020PM-1MolexConn Mini-C PIN/SKT 15 POS T Style 3 Port Mini-Change®
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11204.82 грн
3+ 10757.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
DN3020PM-3MolexConn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11204.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
DN3020PM-3MolexConn Power M/F/M 15 POS Solder T Style Cable Mount 15 Terminal 3 Port
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+11204.82 грн
3+ 10757.27 грн
10+ 10327.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
DN3022MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DN3030-PT-1MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4799.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN3030-PT-1MolexMini-Change Drop Tee Adapter and Splitters
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4799.56 грн
4+ 4703.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN3135K1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3135K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DN3135K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.72 грн
16+ 51.53 грн
43+ 48.78 грн
100+ 48.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+55.03 грн
1000+ 53.71 грн
3000+ 52.31 грн
6000+ 49.15 грн
9000+ 44.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
DN3135K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3135K1-GMicrochip TechnologyMOSFET 350V 35Ohm
на замовлення 36904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.4 грн
25+ 40.89 грн
100+ 32.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+53.62 грн
Мінімальне замовлення: 214
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DN3135K1-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 360mW; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+78.14 грн
5+ 71.92 грн
16+ 61.84 грн
43+ 58.54 грн
100+ 57.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
DN3135K1-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135K1-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 72 mA, 35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.64 грн
25+ 44.03 грн
100+ 39.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
DN3135K1-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 129576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.67 грн
25+ 36.8 грн
100+ 33.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
DN3135K1-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+48.57 грн
25+ 47.74 грн
50+ 45.23 грн
100+ 41.14 грн
250+ 38.78 грн
500+ 38.07 грн
1000+ 37.36 грн
3000+ 36.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
DN3135N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3135N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 350V 35Ohm
на замовлення 11175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.95 грн
25+ 48.7 грн
100+ 37.4 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+63.01 грн
4000+ 61.39 грн
6000+ 59.73 грн
8000+ 56.16 грн
10000+ 50.62 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+40.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+53.03 грн
25+ 52.21 грн
100+ 49.56 грн
250+ 45.15 грн
500+ 42.65 грн
1000+ 41.94 грн
3000+ 41.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
DN3135N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DN3135N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.31 грн
25+ 48.02 грн
100+ 42.4 грн
2000+ 38.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+60.34 грн
Мінімальне замовлення: 190
DN3135N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
товар відсутній
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3135N8-GSUPERTEX
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3135N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 16982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.51 грн
25+ 43.78 грн
100+ 38.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3135N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
на замовлення 3794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.4 грн
2000+ 38.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3135N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.6 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3145N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+69.11 грн
Мінімальне замовлення: 166
DN3145N8-gMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.12A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Pulsed drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DN3145N8-gMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.12A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Pulsed drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
товар відсутній
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3145N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.76 грн
25+ 55.63 грн
100+ 53.52 грн
250+ 49.44 грн
500+ 47.35 грн
1000+ 47.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
DN3145N8-gSUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3145N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 1.3
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 60
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+70 грн
4000+ 66.9 грн
6000+ 63.91 грн
8000+ 59.53 грн
10000+ 53.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3145N8-gMicrochip TechnologyMOSFET 450V 60Ohm
на замовлення 77814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.26 грн
10+ 60.68 грн
25+ 46.63 грн
100+ 42.35 грн
4000+ 40.5 грн
10000+ 40.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3145N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 450V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3145N8-gMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 100MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60Ohm @ 100mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 92915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.22 грн
25+ 48.21 грн
100+ 43.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3145N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3145N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 100 mA, 60 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 450
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.3
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
DN3200MolexConn Circular Adapter M/F 5 POS T Style 5 Terminal 3 Port
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4788.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN32CH432G50BTKYOCERA05+NOP
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN32W5R104K100BTKYOCERA05+NOP
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN32W5R124K25BT
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN350T05-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 97929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.69 грн
16+ 17.18 грн
100+ 8.68 грн
500+ 6.64 грн
1000+ 4.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
DN350T05-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+29.97 грн
40+ 18.87 грн
100+ 7.92 грн
500+ 5.81 грн
1000+ 3.93 грн
Мінімальне замовлення: 25
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.02 грн
36+ 15.85 грн
100+ 7.14 грн
1000+ 4.44 грн
3000+ 2.62 грн
9000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 23
DN350T05-7Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
на замовлення 5586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.16 грн
18+ 17.14 грн
100+ 6.66 грн
1000+ 5.08 грн
3000+ 4.09 грн
9000+ 3.36 грн
24000+ 3.3 грн
Мінімальне замовлення: 12
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3650+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 3650
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DN350T05-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.59 грн
6000+ 4.22 грн
9000+ 3.65 грн
30000+ 3.36 грн
75000+ 2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3589+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3589
DN350T05-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DN350T05-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+7.92 грн
500+ 5.81 грн
1000+ 3.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3334+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3334
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+17.71 грн
44+ 12.93 грн
45+ 12.84 грн
105+ 5.24 грн
250+ 4.8 грн
500+ 4.56 грн
1000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 32
DN350T05-7Diodes IncTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
DN350T05-7Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DN3525N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3525N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.3A
Case: SOT89-3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+63.6 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3525N8-G
Код товару: 165361
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+59.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3525N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 10875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.8 грн
25+ 46.31 грн
100+ 41.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3525N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.15 грн
25+ 54.88 грн
100+ 52.65 грн
250+ 48.5 грн
500+ 46.33 грн
1000+ 46.09 грн
3000+ 45.85 грн
6000+ 45.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+66.73 грн
Мінімальне замовлення: 172
DN3525N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3525N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 250V 6Ohm
на замовлення 139369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.95 грн
25+ 51.51 грн
100+ 39.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3525N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
On-state resistance:
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.3A
Case: SOT89-3
товар відсутній
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3525N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3525N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
на замовлення 1748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.38 грн
25+ 50.09 грн
100+ 44.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
DN3525NDMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3535N8Microchip TechnologyMOSFET 350V 10Ohm
товар відсутній
DN3535N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 350V 10Ohm
на замовлення 22615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.41 грн
25+ 53.63 грн
100+ 42.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+63.27 грн
10+ 59.27 грн
25+ 58.43 грн
100+ 55.54 грн
250+ 50.69 грн
500+ 47.95 грн
1000+ 47.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
DN3535N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+67.41 грн
180+ 63.81 грн
182+ 62.92 грн
185+ 59.81 грн
250+ 54.58 грн
500+ 51.63 грн
1000+ 50.88 грн
Мінімальне замовлення: 170
DN3535N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Case: SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.43 грн
6+ 58.4 грн
10+ 50.16 грн
17+ 48.78 грн
45+ 46.72 грн
100+ 46.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3535N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 6845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.22 грн
25+ 48.21 грн
100+ 43.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3535N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+61.71 грн
25+ 52.17 грн
100+ 51.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.51 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3535N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Case: SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+94.12 грн
4+ 72.78 грн
10+ 60.19 грн
17+ 58.54 грн
45+ 56.07 грн
100+ 55.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
DN3535N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3535N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3545N3Microchip TechnologyMOSFET 450V 20Ohm
товар відсутній
DN3545N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 740mW; TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Case: TO92
On-state resistance: 20Ω
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 450V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.6 грн
7+ 54.97 грн
18+ 46.72 грн
48+ 43.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+57.17 грн
25+ 55.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
DN3545N3-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 136MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 1428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.51 грн
25+ 47.74 грн
100+ 43.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3545N3-GMicrochip TechnologyMOSFET 450V 20Ohm
на замовлення 4642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.41 грн
100+ 53.63 грн
500+ 42.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+78.68 грн
250+ 70.63 грн
500+ 68.29 грн
1000+ 63.68 грн
3000+ 55 грн
Мінімальне замовлення: 146
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
DN3545N3-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 740mW; TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Case: TO92
On-state resistance: 20Ω
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 450V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+79.91 грн
5+ 68.5 грн
18+ 56.07 грн
48+ 52.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
DN3545N3-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.136A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+69.11 грн
Мінімальне замовлення: 166
DN3545N3-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 136 mA, 20 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+61.71 грн
25+ 52.17 грн
100+ 47.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
DN3545N3-G P002Microchip TechnologyMOSFET
товар відсутній
DN3545N3-G P003Microchip TechnologyMOSFET N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
товар відсутній
DN3545N3-G P005Microchip TechnologyMOSFET 3L TO-92
товар відсутній
DN3545N3-G P013Microchip TechnologyMOSFET
товар відсутній
DN3545N3-G P014Microchip TechnologyMOSFET N-Channel MOSFET 450V 0.136A 3P TO-92
товар відсутній
DN3545N8Microchip TechnologyMOSFET 450V 20Ohm
товар відсутній
DN3545N8SUPER
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+77.83 грн
2000+ 76.04 грн
4000+ 74.51 грн
6000+ 69.95 грн
8000+ 63.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3545N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 34976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.93 грн
25+ 51.39 грн
100+ 47.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3545N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 6353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.15 грн
25+ 62.75 грн
100+ 57.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
DN3545N8-GMicrochip TechnologyMOSFET 450V 20Ohm
на замовлення 18015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.87 грн
100+ 57.12 грн
500+ 46.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+66.34 грн
10+ 64.06 грн
25+ 63.36 грн
100+ 60.43 грн
250+ 55.32 грн
500+ 52.52 грн
1000+ 51.92 грн
3000+ 51.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
DN3545N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DN3545N8-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 450V
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
товар відсутній
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+75.08 грн
Мінімальне замовлення: 153
DN3545N8-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3545N8-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3545N8-G
Код товару: 176174
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DN3545N8-GMICROCHIPDescription: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 450V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm
на замовлення 6353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3687GFPVRENESASQFP 07+
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3687GFPVRenesasMCU 16-bit H8/300H CISC 56KB ROM 3.3V/5V 64-Pin LFQFP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+979.49 грн
10+ 898.29 грн
DN3687GFPVRenesas Electronics AmericaDescription: IC MCU 16BIT 56KB FLASH 64LQFP
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DN3687GFPVRenesas Electronics16-bit Microcontrollers - MCU MCU 3/5V 56K Pb-free 64-LQFP
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DN3694GFPVRenesas Electronics AmericaDescription: IC MCU 16BIT 32KB FLASH 64LQFP
товар відсутній
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DN3765K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+163.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3765K4-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 0.2A; 2.5W; TO252
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
On-state resistance:
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
товар відсутній
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DN3765K4-GMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 650V 0.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DN3765K4-GMicrochip TechnologyMOSFET NCh DEPLETION-MODE VERTICAL DMOS FET
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.64 грн
25+ 199.5 грн
100+ 160.94 грн
4000+ 160.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
DN3765K4-GMICROCHIP TECHNOLOGYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 0.2A; 2.5W; TO252
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 0.2A
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO252
On-state resistance:
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DN3765K4-GMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 3653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.77 грн
25+ 173.48 грн
100+ 157.14 грн
Мінімальне замовлення: 2