Продукція > DXT

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

DXT13003DG-13

Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

DXT13003DG-13

Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.43 грн
5000+	9.53 грн
12500+	8.85 грн
25000+	8.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT13003DG-13

Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

DXT13003DG-13

Description: DIODES INC. - DXT13003DG-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 1.3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 5hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.4 грн
22+	33.7 грн
100+	22.64 грн
500+	16.49 грн
1000+	11.73 грн

Мінімальне замовлення: 19

DXT13003DG-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 450V Trans 1.3A 3W 4MHz 400mV

на замовлення 2042 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.72 грн
12+	25.97 грн
100+	16.09 грн
500+	12.78 грн
1000+	10.38 грн
2500+	9.34 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT13003DG-13

Description: TRANS NPN 450V 1.3A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 700 mW

на замовлення 25329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.88 грн
11+	25.48 грн
100+	17.7 грн
500+	12.97 грн
1000+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT13003DG-13

Trans GP BJT NPN 450V 1.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXT13003DG-7

Description: IC TRANSISTOR ARRAY SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

DXT13003DK-13

Description: TRANS NPN 450V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V
Power - Max: 1.6 W

товар відсутній

DXT13003DK-13

Bipolar Transistors - BJT 450V NPN High Volt TO252 450V 700V

на замовлення 2108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.94 грн
10+	40.74 грн
100+	27.19 грн
500+	21.48 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXT13003DK-13

TRANS NPN 450V 1.5A TO252

товар відсутній

DXT13003EK-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN 460V Trans 1.5A 3W 4MHz 400mV

на замовлення 6298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	50.72 грн
10+	42.76 грн
100+	27.77 грн
500+	21.8 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXT13003EK-13

Trans GP BJT NPN 460V 1.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

DXT13003EK-13

Description: TRANS NPN 460V 1.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 1A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 300mA, 2V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V
Power - Max: 1.6 W

товар відсутній

DXT2010P5-13

Trans GP BJT NPN 60V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товар відсутній

DXT2010P5-13

Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.14 грн
10000+	12.61 грн
25000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT2010P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.2
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	51.25 грн
18+	42.07 грн
100+	31.01 грн
500+	23.93 грн

Мінімальне замовлення: 15

DXT2010P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 60V,6A

на замовлення 4908 шт:

термін постачання 77-86 дні (днів)

8+	42.92 грн
10+	36.42 грн
100+	22 грн
500+	18.36 грн
1000+	13.95 грн
5000+	13.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2010P5-13

Description: TRANS NPN 60V 6A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 30217 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.31 грн
10+	32.78 грн
100+	22.69 грн
500+	17.79 грн
1000+	15.14 грн
2000+	13.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2010P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2010P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), POWERDI®5, NPN, 60 V, 6 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.2
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 4920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.01 грн
500+	23.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT2011P5-13

Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 58457 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.31 грн
10+	32.78 грн
100+	22.69 грн
500+	17.79 грн
1000+	15.14 грн
2000+	13.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2011P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A

на замовлення 43101 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.92 грн
10+	36.42 грн
100+	22 грн
500+	18.36 грн
1000+	13.95 грн
2500+	13.89 грн
5000+	13.11 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2011P5-13

Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.14 грн
10000+	12.61 грн
25000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT2011P5-13

Trans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товар відсутній

DXT2011P5Q-13

Trans GP BJT NPN 100V 6A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товар відсутній

DXT2011P5Q-13

на замовлення 38773 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.92 грн
10+	37.45 грн
100+	25.94 грн
500+	20.34 грн
1000+	17.31 грн
2000+	15.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXT2011P5Q-13

Description: TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	16.16 грн
10000+	14.41 грн
25000+	14.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT2011P5Q-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Pwr Low Sat. Transistor

товар відсутній

DXT2012P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2012P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	47.24 грн
19+	39.96 грн
100+	25.99 грн
500+	19.67 грн
1000+	16.35 грн

Мінімальне замовлення: 16

DXT2012P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 60V,-5.5A

на замовлення 6132 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.92 грн
10+	36.42 грн
100+	22 грн
500+	18.36 грн
1000+	13.95 грн
5000+	13.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2012P5-13

Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 2384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.31 грн
10+	32.78 грн
100+	22.69 грн
500+	17.79 грн
1000+	15.14 грн
2000+	13.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2012P5-13

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.99 грн
500+	19.67 грн
1000+	16.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT2012P5-13

Trans GP BJT PNP 60V 5.5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товар відсутній

DXT2012P5-13

Description: TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3.2 W

товар відсутній

DXT2013P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -100V,-5A

на замовлення 7960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.24 грн
10+	36.94 грн
100+	21.93 грн
500+	18.3 грн
1000+	15.57 грн
2500+	14.15 грн
5000+	13.82 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2013P5-13

Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 140000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.14 грн
10000+	12.61 грн
25000+	12.48 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT2013P5-13

Description: DIODES INC. - DXT2013P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 5 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.68 грн
500+	19.13 грн
1000+	13.41 грн
5000+	12.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT2013P5-13

Trans GP BJT PNP 100V 5A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товар відсутній

DXT2013P5-13

Description: TRANS PNP 100V 5A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 144218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.31 грн
10+	32.78 грн
100+	22.69 грн
500+	17.79 грн
1000+	15.14 грн
2000+	13.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT2013P5-13

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	47.24 грн
19+	39.31 грн
100+	24.68 грн
500+	19.13 грн
1000+	13.41 грн
5000+	12.92 грн

Мінімальне замовлення: 16

DXT2014P5-13

Trans GP BJT PNP 140V 4A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товар відсутній

DXT2014P5-13

Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 265000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.02 грн
10000+	13.4 грн
25000+	13.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT2014P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP -140V,-4A

на замовлення 6401 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	44.36 грн
10+	39.25 грн
100+	23.3 грн
500+	19.4 грн
1000+	16.55 грн
2500+	14.99 грн
5000+	14.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXT2014P5-13

Description: TRANS PNP 140V 4A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 275684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	41.41 грн
10+	34.81 грн
100+	24.11 грн
500+	18.91 грн
1000+	16.09 грн
2000+	14.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXT2222A

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

DXT2222A

onsemi

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

DXT2222A-13

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 179983 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	23.87 грн
15+	18.18 грн
100+	10.89 грн
500+	9.47 грн
1000+	6.44 грн

Мінімальне замовлення: 12

DXT2222A-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	20.62 грн
35+	16.68 грн
37+	15.46 грн
100+	9.51 грн
250+	8.72 грн
500+	7.76 грн
1000+	4.88 грн

Мінімальне замовлення: 28

DXT2222A-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo

на замовлення 15745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	25.36 грн
16+	19.1 грн
100+	8.82 грн
1000+	6.49 грн
2500+	5.84 грн
10000+	5.58 грн

Мінімальне замовлення: 12

DXT2222A-13

Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 177500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	6.56 грн
5000+	6.05 грн
12500+	5.45 грн
25000+	5.04 грн
62500+	4.73 грн
125000+	4.69 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT2222A-13

Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 40V
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 4305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.63 грн
500+	7.98 грн
1000+	5.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT2222A-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT2222A-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1065 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

518+	22.21 грн

Мінімальне замовлення: 518

DXT2222A-13

Description: DIODES INC. - DXT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 750 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Anzahl der Pins: 3Pins
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 4305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	27.95 грн
35+	21.4 грн
100+	10.63 грн
500+	7.98 грн
1000+	5.62 грн

Мінімальне замовлення: 27

DXT2907A

onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

DXT2907A

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

DXT2907A-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -60Vceo

на замовлення 2559 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.08 грн
12+	25.3 грн
100+	12.2 грн
1000+	8.31 грн
2500+	7.2 грн
10000+	6.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT2907A-13

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 88097 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
12+	22.71 грн
100+	13.62 грн
500+	11.83 грн
1000+	8.05 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 22500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	7.66 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT2907A-13

Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 85000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.2 грн
5000+	7.57 грн
12500+	6.81 грн
25000+	6.29 грн
62500+	5.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT2907A-13

Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT3150

onsemi / Fairchild

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

DXT3150

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

DXT3150-13

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	29.31 грн
24+	24.58 грн
27+	21.54 грн
50+	19.41 грн

Мінімальне замовлення: 20

DXT3150-13

Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3

товар відсутній

DXT3150-13

onsemi

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

DXT3150-13

Trans GP BJT NPN 25V 5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT3150-13

Description: TRANS NPN 25V 5A SOT89-3

товар відсутній

DXT3150-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 25Vceo

товар відсутній

DXT3904-13

Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 1338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	30.21 грн
30+	24.6 грн
100+	16.74 грн
500+	11.69 грн
1000+	8.11 грн

Мінімальне замовлення: 25

DXT3904-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 40Vceo

на замовлення 3925 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.08 грн
13+	24.18 грн
100+	11.62 грн
1000+	7.98 грн
2500+	7.33 грн
10000+	6.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT3904-13

Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT3904-13

Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 91538 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
12+	22.71 грн
100+	13.62 грн
500+	11.83 грн
1000+	8.05 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT3904-13

Description: DIODES INC. - DXT3904-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 1
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 1338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.74 грн
500+	11.69 грн
1000+	8.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT3904-13

Description: TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 85000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.2 грн
5000+	7.57 грн
12500+	6.81 грн
25000+	6.29 грн
62500+	5.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT3906-13

Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 177500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.2 грн
5000+	7.57 грн
12500+	6.81 грн
25000+	6.29 грн
62500+	5.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT3906-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -40Vceo

на замовлення 17089 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.48 грн
15+	20.67 грн
100+	8.7 грн
1000+	6.81 грн
2500+	6.23 грн

Мінімальне замовлення: 12

DXT3906-13

Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 188537 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
12+	22.71 грн
100+	13.62 грн
500+	11.83 грн
1000+	8.05 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT3906-13

Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	9.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT458P5-13

Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 15hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.96 грн
22+	33.48 грн
100+	22.35 грн
500+	16.36 грн
1000+	10.61 грн

Мінімальне замовлення: 19

DXT458P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 400V,300mA

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	34.52 грн
12+	27.09 грн
100+	17.46 грн
500+	13.56 грн
1000+	9.93 грн
5000+	9.34 грн
10000+	8.7 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXT458P5-13

Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 480000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	9.99 грн
10000+	8.93 грн
25000+	8.72 грн
50000+	7.98 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 350000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товар відсутній

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 350000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT458P5-13

Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	9.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT458P5-13

Description: DIODES INC. - DXT458P5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 300 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.35 грн
500+	16.36 грн
1000+	10.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT458P5-13

Description: TRANS NPN 400V 0.3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 487033 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	31.59 грн
11+	25.75 грн
100+	17.86 грн
500+	13.09 грн
1000+	10.64 грн
2000+	9.51 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXT5401

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

DXT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT5401-13

Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 187470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.78 грн
12+	23.93 грн
100+	16.65 грн
500+	12.2 грн
1000+	9.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT5401-13

Bipolar Transistors - BJT 1W -150V

на замовлення 4524 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	28.84 грн
13+	24.03 грн
100+	14.92 грн
500+	11.62 грн
1000+	9.47 грн
2500+	7.4 грн
25000+	7.33 грн

Мінімальне замовлення: 11

DXT5401-13

Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 185000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.81 грн
5000+	8.96 грн
12500+	8.32 грн
25000+	7.63 грн
62500+	7.44 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT5401-13

Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 185000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.99 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT5551-13

Bipolar Transistors - BJT 1W 160V

на замовлення 8023 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.4 грн
16+	19.03 грн
100+	11.55 грн
1000+	7.33 грн
2500+	6.55 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	33.12 грн
22+	26.39 грн
25+	25.62 грн
100+	15.89 грн
250+	13.76 грн
500+	10.41 грн

Мінімальне замовлення: 18

DXT5551-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 645922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
12+	22.71 грн
100+	13.62 грн
500+	11.83 грн
1000+	8.05 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT5551-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 642500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.2 грн
5000+	7.57 грн
12500+	6.81 грн
25000+	6.29 грн
62500+	5.92 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT5551-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	13.29 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	10.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	9.96 грн
10000+	9.25 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товар відсутній

DXT5551P5-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W

на замовлення 1057229 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	21.76 грн
15+	18.25 грн
100+	12.67 грн
500+	9.29 грн
1000+	8.05 грн

Мінімальне замовлення: 13

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	10.71 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT5551P5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 160V, 600mA

на замовлення 46381 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	34.52 грн
11+	28.88 грн
100+	17.46 грн
500+	13.63 грн
1000+	9.93 грн
5000+	8.82 грн
10000+	8.63 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	8.93 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT5551P5-13

Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 2250mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	10.89 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT5551P5-13

Description: TRANS NPN 160V 0.6A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2.25 W

на замовлення 1052000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	8.91 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT5551P5Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5

товар відсутній

DXT5551P5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K

товар відсутній

DXT651

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

DXT651-13

Description: DIODES INC. - DXT651-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.38 грн
500+	15.07 грн
1000+	9.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 847500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.61 грн
5000+	9.51 грн
12500+	9.41 грн
25000+	8.99 грн
62500+	8.24 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT651-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 5699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.69 грн
10+	27.98 грн
100+	19.47 грн
500+	14.26 грн
1000+	11.59 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT651-13

на замовлення 2420 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	35.67 грн
25+	30.28 грн
100+	20.38 грн
500+	15.07 грн
1000+	9.11 грн

Мінімальне замовлення: 21

DXT651-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN

на замовлення 7490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.72 грн
11+	27.31 грн
100+	17.59 грн
500+	14.15 грн
1000+	11.03 грн
2500+	9.47 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 847500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	12.67 грн
212500+	11.57 грн
425000+	10.77 грн
637500+	9.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT651-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT651-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT651Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	30.96 грн
12+	26.27 грн
100+	15.9 грн
500+	12.39 грн
1000+	10.06 грн
2500+	8.63 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT651Q-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 19878 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.08 грн
12+	23.32 грн
100+	16.22 грн
500+	11.89 грн
1000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT651Q-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT651Q-13

Description: TRANS NPN 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.56 грн
5000+	8.74 грн
12500+	8.11 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT651Q-13

Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT690BP5

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

DXT690BP5-13

Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	14.14 грн
10000+	12.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT690BP5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 45V,3A

на замовлення 13188 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.92 грн
10+	36.42 грн
100+	22 грн
500+	18.36 грн
1000+	14.21 грн
2500+	14.02 грн
5000+	12.59 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT690BP5-13

Description: DIODES INC. - DXT690BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	47.24 грн
19+	39.96 грн
100+	26.79 грн
500+	20.01 грн
1000+	13.85 грн
5000+	13.29 грн

Мінімальне замовлення: 16

DXT690BP5-13

Trans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товар відсутній

DXT690BP5-13

Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW

на замовлення 10941 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.31 грн
10+	32.78 грн
100+	22.69 грн
500+	17.79 грн
1000+	15.14 грн
2000+	13.49 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT690BP5-13

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.79 грн
500+	20.01 грн
1000+	13.85 грн
5000+	13.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT690BP5Q-13

Trans GP BJT NPN 45V 3A 3200mW Automotive 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товар відсутній

DXT690BP5Q-13

Description: TRANS NPN 45V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 740 mW

товар відсутній

DXT690BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT 45V NPN High Gain 3A Curr 6A ICM

на замовлення 4790 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.52 грн
10+	46.27 грн
100+	27.45 грн
500+	22.91 грн
1000+	19.53 грн
2500+	17.65 грн
5000+	16.16 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXT696BK-13

Bipolar Transistors - BJT 180V NPN Med Pwr 200mV 3.9W 70MHz

на замовлення 5619 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.92 грн
10+	36.04 грн
100+	21.87 грн
500+	17 грн
1000+	13.89 грн
2500+	10.77 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT696BK-13

Description: TRANS NPN 180V 0.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.61 грн
5000+	12.44 грн
12500+	11.55 грн
25000+	10.59 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT696BK-13

Trans GP BJT NPN 180V 0.5A 3900mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

товар відсутній

DXT696BK-13

Description: TRANS NPN 180V 0.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 3.9 W

на замовлення 59900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	40.71 грн
10+	33.19 грн
100+	23.1 грн
500+	16.93 грн
1000+	13.76 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXT751

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

DXT751-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 177500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.59 грн
5000+	10.59 грн
12500+	9.83 грн
25000+	9.02 грн
62500+	8.79 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1000000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.61 грн
50000+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT751-13

Description: DIODES INC. - DXT751-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.4 грн
500+	15.48 грн
1000+	9.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 1000000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	10.95 грн
250000+	10.01 грн
500000+	9.31 грн
750000+	8.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT751-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR PNP

на замовлення 7432 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.32 грн
10+	31.42 грн
100+	19.01 грн
500+	14.86 грн
1000+	12.07 грн
2500+	9.47 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXT751-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 177500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.39 грн
10+	28.25 грн
100+	19.67 грн
500+	14.41 грн
1000+	11.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXT751-13

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.13 грн
22+	34.14 грн
100+	21.4 грн
500+	15.48 грн
1000+	9.11 грн

Мінімальне замовлення: 18

DXT751-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	11.5 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT751Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 849 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	30.96 грн
12+	26.27 грн
100+	15.9 грн
500+	12.39 грн
1000+	10.06 грн
2500+	8.63 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT751Q-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 175000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.66 грн
5000+	8.83 грн
12500+	8.19 грн
25000+	7.51 грн
62500+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT751Q-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT751Q-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

на замовлення 175000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	9.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXT751Q-13

Description: TRANS PNP 60V 3A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 177322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.78 грн
12+	23.59 грн
100+	16.39 грн
500+	12.01 грн
1000+	9.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXT751Q-13

Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

товар відсутній

DXT790AP5

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

DXT790AP5-13

Description: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 73814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.52 грн
10+	36.77 грн
100+	28.18 грн
500+	20.91 грн
1000+	16.73 грн
2000+	15.16 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXT790AP5-13

Description: DIODES INC. - DXT790AP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.68 грн
500+	19.13 грн
1000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXT790AP5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP 40V,3A

на замовлення 9416 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.92 грн
10+	36.42 грн
100+	22 грн
500+	18.36 грн
1000+	13.95 грн
2500+	13.89 грн
5000+	13.17 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXT790AP5-13

Description: TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 65000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.62 грн
10000+	14.48 грн
25000+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXT790AP5-13

Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товар відсутній

DXT790AP5-13

на замовлення 4978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	47.24 грн
19+	39.31 грн
100+	24.68 грн
500+	19.13 грн
1000+	16.04 грн

Мінімальне замовлення: 16

DXT790AP5-13

Trans GP BJT PNP 40V 3A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товар відсутній

DXTA42-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW 300Vceo

на замовлення 3705 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DXTA42-13

Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	28.75 грн
30+	24.53 грн
100+	18.34 грн
500+	13.32 грн
1000+	8.61 грн

Мінімальне замовлення: 26

DXTA42-13

DXTA42-13 NPN SMD transistors

товар відсутній

DXTA42-13

Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3

товар відсутній

DXTA42-13

Description: DIODES INC. - DXTA42-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.34 грн
500+	13.32 грн
1000+	8.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTA92-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 1W; SOT89
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 300V
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 0.5A
кількість в упаковці: 5 шт

товар відсутній

DXTA92-13

Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.34 грн
500+	13.32 грн
1000+	8.61 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTA92-13

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 200000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	8.6 грн
5000+	7.86 грн
12500+	7.3 грн
25000+	6.69 грн
62500+	6.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXTA92-13

Description: DIODES INC. - DXTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	28.75 грн
30+	24.53 грн
100+	18.34 грн
500+	13.32 грн
1000+	8.61 грн

Мінімальне замовлення: 26

DXTA92-13

Bipolar Transistors - BJT 1000mW -300Vceo

на замовлення 18412 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	22.56 грн
15+	20.67 грн
100+	12.72 грн
500+	9.47 грн
1000+	7.92 грн
2500+	7.79 грн

Мінімальне замовлення: 14

DXTA92-13

Description: TRANS PNP 300V 0.5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W

на замовлення 202122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	25.97 грн
13+	21.02 грн
100+	14.6 грн
500+	10.7 грн
1000+	8.7 грн

Мінімальне замовлення: 11

DXTA92-13

товар відсутній

DXTC3C100PD-13

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506

товар відсутній

DXTC3C100PDQ-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

на замовлення 2401 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.13 грн
10+	51.12 грн
100+	30.37 грн
500+	25.37 грн
1000+	22.19 грн
2500+	18.82 грн
5000+	18.1 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTC3C100PDQ-13

DXTC3C100PDQ-13

на замовлення 35000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.18 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXTC3C100PDQ-13

Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V / 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz, 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.96 грн
10+	49.07 грн
100+	33.96 грн
500+	26.63 грн
1000+	22.66 грн
2000+	20.19 грн
5000+	18.81 грн
10000+	17.42 грн

Мінімальне замовлення: 5

DXTN03060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.81 грн
10+	41.79 грн
100+	27.06 грн
500+	21.28 грн
1000+	16.48 грн
2000+	14.92 грн
4000+	13.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTN06080BFG-7

NPN Medium Power Transistor

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	6.59 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTN06080BFG-7

NPN Medium Power Transistor

товар відсутній

DXTN07025BFG-7

Description: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW

товар відсутній

DXTN07025BFG-7

Trans GP BJT NPN 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DXTN07025BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.47 грн
10+	31.27 грн
100+	18.95 грн
500+	14.79 грн
1000+	12 грн
2000+	10.19 грн
10000+	9.41 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXTN07025BFG-7

Description: TRANS NPN 25V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 240MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 900 mW

товар відсутній

DXTN07045DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 8875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTN07045DFG-7

DXTN07045DFG-7 NPN SMD transistors

товар відсутній

DXTN07045DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTN07045DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 2016 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	43.91 грн
10+	36.86 грн
100+	23.94 грн
500+	18.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTN07060BFG-7

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DXTN07060BFG-7

Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: 40
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 175
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	41.27 грн
21+	35.52 грн
100+	26.5 грн
500+	19.33 грн

Мінімальне замовлення: 18

DXTN07060BFG-7

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar

товар відсутній

DXTN07060BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 1512 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTN07060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 520 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	40.58 грн
10+	34.48 грн
100+	22.32 грн
500+	17.59 грн
1000+	13.63 грн
2000+	12.33 грн
4000+	11.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN07060BFG-7

Description: DIODES INC. - DXTN07060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3.1 W, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 3.1
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.5 грн
500+	19.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTN07060BFG-7

Trans GP BJT NPN 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DXTN07060BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

товар відсутній

DXTN07100BFG-7

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD

товар відсутній

DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	11.81 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DXTN07100BFG-7

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	11.78 грн
6000+	10.77 грн
10000+	10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTN07100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 5689 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	38.76 грн
10+	32.31 грн
100+	19.53 грн
500+	15.25 грн
1000+	12.46 грн
2000+	10.19 грн
10000+	9.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN07100BFG-7

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DXTN07100BFG-7

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 13127 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	35.1 грн
10+	28.79 грн
100+	20.01 грн
500+	14.66 грн
1000+	11.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN07100BFG-7

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DXTN07100BP5-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.02 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXTN07100BP5-13

DXTN07100BP5-13 NPN SMD transistors

товар відсутній

DXTN07100BP5-13

Trans GP BJT NPN 100V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товар відсутній

DXTN07100BP5-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN TRANSISTOR 3.2W Ic 2A Icm 6A

на замовлення 3888 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.04 грн
10+	38.73 грн
100+	23.36 грн
500+	19.47 грн
1000+	14.79 грн
5000+	13.95 грн
10000+	13.3 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTN07100BP5-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 740 mW

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	41.41 грн
10+	34.81 грн
100+	24.11 грн
500+	18.91 грн
1000+	16.09 грн
2000+	14.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTN07100BP5Q-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.75 грн
10+	46.1 грн
100+	31.91 грн
500+	25.03 грн
1000+	21.3 грн
2000+	18.97 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTN07100BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

товар відсутній

DXTN07100BP5Q-13

Description: TRANS NPN 100V 2A POWERDI5 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 3.2 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.88 грн
10000+	17.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXTN07100BP5Q-13

DXTN07100BP5Q-13

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.56 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXTN10060DFJBQ-7

60V NPN Low Saturation Transistor

товар відсутній

DXTN10060DFJBQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 40449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	31.59 грн
12+	23.32 грн
100+	14 грн
500+	12.17 грн
1000+	8.27 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXTN10060DFJBQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.43 грн
6000+	7.78 грн
9000+	7 грн
30000+	6.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DXTN10060DFJBQ-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

на замовлення 11445 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
11+	25.08 грн
100+	18.73 грн
500+	13.81 грн
1000+	10.67 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXTN10060DFJBWQ-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

на замовлення 2441 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.34 грн
12+	26.57 грн
100+	16.09 грн
500+	12.59 грн
1000+	10.25 грн
3000+	9.08 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXTN10060DFJBWQ-7

SS Low Sat Transistor W-DFN2020-3/SWP T&R 3K

товар відсутній

DXTN10060DFJBWQ-7

Description: TRANS NPN 60V 4A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: W-DFN2020-3 (Type A)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.8 W

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.77 грн
6000+	9.7 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DXTN22040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.29 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTN22040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товар відсутній

DXTN22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 2.3
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.6 грн
500+	18.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTN22040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.79 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTN22040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товар відсутній

DXTN22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
DC-Stromverstärkung hFE: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	36.54 грн
23+	31.66 грн
100+	24.6 грн
500+	18.25 грн

Мінімальне замовлення: 20

DXTN22040DFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.29 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTN22040DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товар відсутній

DXTN22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 2.3
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	24.6 грн
500+	18.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTN22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.79 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTN22040DFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товар відсутній

DXTN22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTN22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 2 A, 2.3 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2.3
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 198
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	36.54 грн
23+	31.66 грн
100+	24.6 грн
500+	18.25 грн

Мінімальне замовлення: 20

DXTN26070CY

Bipolar Transistors - BJT

товар відсутній

DXTN26070CY-13

Bipolar Transistors - BJT 70V NPN Transistor 2A Bipolar BJT

на замовлення 37 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	33.76 грн
12+	26.34 грн
100+	12.2 грн
1000+	8.31 грн
2500+	7.46 грн
10000+	7.01 грн
25000+	6.94 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXTN26070CY-13

Description: TRANS NPN 70V 2A SOT89-3

товар відсутній

DXTN3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

товар відсутній

DXTN3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	40.71 грн
10+	34.07 грн
100+	23.59 грн
500+	18.5 грн
1000+	15.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTN3C100PDQ-13

Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.47W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.35 грн
10+	44.54 грн
100+	30.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTN3C100PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 2537 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.92 грн
10+	36.71 грн
100+	23.81 грн
500+	18.75 грн
1000+	14.47 грн
2500+	13.24 грн
10000+	12.07 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN3C100PSQ-13

Description: TRANS NPN 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.52 грн
5000+	12.36 грн
12500+	11.47 грн
25000+	10.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXTN3C100PSQ-13

DXTN3C100PSQ-13 NPN SMD transistors

товар відсутній

DXTN3C60PS-13

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W

на замовлення 17480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	56.15 грн
10+	47.32 грн
100+	32.74 грн
500+	25.67 грн
1000+	21.85 грн

Мінімальне замовлення: 5

DXTN3C60PS-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor

товар відсутній

DXTN3C60PS-13

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2.25 W

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.53 грн
5000+	19.64 грн
12500+	18.19 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXTN3C60PSQ-13

DXTN3C60PSQ-13 NPN SMD transistors

товар відсутній

DXTN3C60PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 60V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 11027 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	44.29 грн
10+	37.39 грн
100+	24.27 грн
500+	19.08 грн
1000+	14.79 грн
2500+	11.81 грн
5000+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTN58100CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 2340 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	35.1 грн
10+	28.73 грн
100+	19.96 грн
500+	14.62 грн
1000+	11.89 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTN58100CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

товар відсутній

DXTN5820DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.39 грн
10+	28.05 грн
100+	19.47 грн
500+	14.27 грн
1000+	11.6 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXTN5820DFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

товар відсутній

DXTN5820DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DXTN5840CFDB-7

Description: DIODES INC. - DXTN5840CFDB-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 5 A, 1.25 W, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

28+	26.06 грн
39+	19 грн
100+	13.39 грн
500+	10.75 грн
1000+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 28

DXTN5840CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.39 грн
10+	28.05 грн
100+	19.47 грн
500+	14.27 грн
1000+	11.6 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXTN5840CFDB-7

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	13.39 грн
500+	10.75 грн
1000+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTN5840CFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 30mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.47 грн
6000+	10.49 грн
9000+	9.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

товар відсутній

DXTN5860DFDB-7

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist

товар відсутній

DXTN5860DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.47 грн
6000+	10.49 грн
9000+	9.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

DXTN5860DFDB-7

60V NPN Low Saturation Transistor

товар відсутній

DXTN5860DFDB-7

Description: SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 315mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 115MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.39 грн
10+	28.05 грн
100+	19.47 грн
500+	14.27 грн
1000+	11.6 грн

Мінімальне замовлення: 9

DXTP03060BFG-7

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 10...300
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DXTP03060BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP03060BFG-7

Description: DIODES INC. - DXTP03060BFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	25.11 грн
33+	22.13 грн
100+	16.96 грн

Мінімальне замовлення: 29

DXTP03060BFG-7

товар відсутній

DXTP03060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товар відсутній

DXTP03060BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500mA, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.9 грн
10+	32.04 грн
100+	22.17 грн
500+	17.38 грн
1000+	14.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP03060CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.9 грн
10+	31.7 грн
100+	21.95 грн
500+	17.21 грн
1000+	14.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP03060CFG-7

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 45...800
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Frequency: 120MHz

товар відсутній

DXTP03060CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.43 грн
6000+	13.17 грн
10000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP03060CFG-7

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 5.5A; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 45...800
Collector current: 5.5A
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
Frequency: 120MHz
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DXTP03060CFG-7

Description: DIODES INC. - DXTP03060CFG-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 5.5 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 45hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	25.11 грн
33+	22.13 грн
100+	16.96 грн

Мінімальне замовлення: 29

DXTP03100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transist

товар відсутній

DXTP03100BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.9 грн
10+	32.04 грн
100+	22.17 грн
500+	17.38 грн
1000+	14.79 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP03100BFG-7

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 5A; PowerDI®3333-8
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Case: PowerDI®3333-8
Current gain: 5...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DXTP03100BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.58 грн
6000+	13.3 грн
10000+	12.32 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP03100BFG-7

товар відсутній

DXTP03100CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.9 грн
10+	31.7 грн
100+	21.95 грн
500+	17.21 грн
1000+	14.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP03100CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товар відсутній

DXTP03100CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 380mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.43 грн
6000+	13.17 грн
10000+	12.19 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP03140BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	12.07 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP03140BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товар відсутній

DXTP03140BFG-7

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 3980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	35.8 грн
10+	29.47 грн
100+	20.49 грн
500+	15.01 грн
1000+	12.2 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP03200BP5-13

Bipolar Transistors - BJT 200V PNP High Volt Vceo -200V 3.2W

на замовлення 3913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.52 грн
10+	45.52 грн
100+	27.45 грн
500+	22.91 грн
1000+	17.39 грн
5000+	16.42 грн
10000+	15.7 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTP03200BP5-13

Trans GP BJT PNP 200V 2A 3200mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товар відсутній

DXTP03200BP5-13

Description: DIODES INC. - DXTP03200BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 200 V, 2 A, 3.2 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 200V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 105MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	58.89 грн
15+	48.7 грн
100+	30.79 грн
500+	23.86 грн
1000+	16.72 грн

Мінімальне замовлення: 13

DXTP03200BP5-13

Description: TRANS PNP 200V 2A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.68 грн
10000+	15.76 грн
25000+	15.6 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXTP03200BP5-13

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.79 грн
500+	23.86 грн
1000+	16.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTP03200BP5-13

Description: TRANS PNP 200V 2A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 3.2 W

на замовлення 107622 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.13 грн
10+	40.96 грн
100+	28.37 грн
500+	22.24 грн
1000+	18.93 грн
2000+	16.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTP03200BP5Q-13

Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 105MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 740 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.31 грн
10000+	13.65 грн
25000+	13.51 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXTP03200BP5Q-13

Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor PDI5 T&R 5K

товар відсутній

DXTP06080BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	7.63 грн
6000+	7.05 грн
10000+	6.34 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP06080BFG-7

DXTP06080BFG-7

товар відсутній

DXTP06080BFG-7

DXTP06080BFG-7

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	6.59 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP06080BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.08 грн
13+	21.16 грн
100+	12.68 грн
500+	11.02 грн
1000+	7.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXTP07025BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

товар відсутній

DXTP07025BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

товар відсутній

DXTP07025BFG-7

Trans GP BJT PNP 25V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DXTP07025BFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 1890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTP07040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTP07040CFG-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

товар відсутній

DXTP07040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 1059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	38.76 грн
10+	32.39 грн
100+	21.09 грн
500+	16.55 грн
1000+	12.78 грн
2000+	10.51 грн
10000+	9.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP07040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTP07040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 2389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.92 грн
10+	36.19 грн
100+	23.55 грн
500+	18.56 грн
1000+	14.28 грн
2000+	11.68 грн
10000+	10.84 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP07040CFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

товар відсутній

DXTP07060BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 7990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	40.58 грн
10+	34.48 грн
100+	22.32 грн
500+	17.59 грн
1000+	13.63 грн
2000+	12.33 грн
4000+	11.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP07060BFG-7

Trans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DXTP07060BFG-7

Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 7985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.9 грн
10+	31.23 грн
100+	23.33 грн
500+	17.21 грн
1000+	13.3 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP07060BFG-7

Description: TRANS PNP 60V 3A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 900 mW

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	13.42 грн
6000+	12.08 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP07060BFG-7

Trans GP BJT PNP 60V 3A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	11.81 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP07100BFG-7

Description: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	11.78 грн
6000+	10.77 грн
10000+	10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP07100BFG-7

Trans GP BJT PNP 100V 2A 3100mW 8-Pin PowerDI EP T/R

товар відсутній

DXTP07100BFG-7

Description: TRANS PNP 100V 2A POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 900 mW
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	35.1 грн
10+	28.79 грн
100+	20.01 грн
500+	14.66 грн
1000+	11.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP07100BFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	38.76 грн
10+	32.31 грн
100+	19.53 грн
500+	15.25 грн
1000+	12.46 грн
2000+	9.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP07100BFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	13.85 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP07100BFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.1 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	36.5 грн
10+	30.42 грн
100+	21.06 грн
500+	16.51 грн
1000+	14.05 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP19020DP5-13

Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS,PNP

на замовлення 29700 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	40.8 грн
10+	34.1 грн
100+	20.63 грн
500+	16.09 грн
1000+	11.68 грн
5000+	11.03 грн
10000+	10.25 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP19020DP5-13

Description: TRANS PNP 20V 8A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.79 грн
10000+	10.55 грн
25000+	10.3 грн
50000+	9.42 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXTP19020DP5-13

Description: TRANS PNP 20V 8A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 176MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 3 W

на замовлення 59120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.2 грн
10+	30.35 грн
100+	21.09 грн
500+	15.45 грн
1000+	12.56 грн
2000+	11.23 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP22040CFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товар відсутній

DXTP22040CFGQ-7

DXTP22040CFGQ-7

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	14.37 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
DC-Stromverstärkung hFE: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	37.49 грн
23+	32.47 грн

Мінімальне замовлення: 20

DXTP22040CFGQ-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товар відсутній

DXTP22040CFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040CFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 3.4
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTP22040DFG-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товар відсутній

DXTP22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.01 грн
10+	33.26 грн
100+	23.04 грн
500+	18.07 грн
1000+	15.38 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.4
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

DXTP22040DFGQ-7

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 340 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.07 W

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	15.15 грн
6000+	13.82 грн
10000+	12.8 грн

Мінімальне замовлення: 2000

DXTP22040DFGQ-7

Description: DIODES INC. - DXTP22040DFGQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 2 A, 3.4 W, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 3.4
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

DXTP3C100PD-13

Description: PWR LOW SAT TRANSISTOR POWERDI50

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	18.2 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXTP3C100PDQ-13

Description: SS Low Sat Transistor PowerDI506
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Power - Max: 1.76W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 325mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.75 грн
10+	46.03 грн
100+	31.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTP3C100PSQ-13

Description: DIODES INC. - DXTP3C100PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 125MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.34 грн
500+	21.36 грн
1000+	15.29 грн
2500+	13.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTP3C100PSQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 5W; PowerDI®5060-8
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Power dissipation: 5W
Case: PowerDI®5060-8
Pulsed collector current: 8A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 125MHz

товар відсутній

DXTP3C100PSQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 64770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.01 грн
10+	32.99 грн
100+	22.94 грн
500+	16.81 грн
1000+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 8

DXTP3C100PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 100V PNP High Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 799 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	43.68 грн
10+	36.71 грн
100+	22.19 грн
500+	17.33 грн
1000+	14.15 грн
2500+	12.07 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTP3C100PSQ-13

Pwr Low Sat Transistor PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товар відсутній

DXTP3C100PSQ-13

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	52.48 грн
17+	43.31 грн
100+	29.34 грн
500+	21.36 грн
1000+	15.29 грн
2500+	13.85 грн

Мінімальне замовлення: 14

DXTP3C100PSQ-13

Description: TRANS PNP 100V 3A POWERDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 5 W
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.52 грн
5000+	12.36 грн
12500+	11.47 грн
25000+	10.52 грн

Мінімальне замовлення: 2500

DXTP3C100PSQ-13

товар відсутній

DXTP3C60PS-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD

товар відсутній

DXTP3C60PS-13

Description: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTP3C60PS-13

Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor

на замовлення 2165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.42 грн
10+	39.18 грн
100+	26.15 грн
500+	20.63 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTP3C60PS-13

Description: DIODES INC. - DXTP3C60PS-13 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 60 V, 3 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 5W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3A
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 35hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.22 грн
500+	19.94 грн
1000+	14.79 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTP3C60PS-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DXTP3C60PS-13

Description: TRANS PNP 60VPOWERDI5060-8

на замовлення 9265 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

DXTP3C60PS-13

на замовлення 1330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	46.37 грн
19+	39.38 грн
100+	27.22 грн
500+	19.94 грн
1000+	14.79 грн

Мінімальне замовлення: 16

DXTP3C60PSQ-13

Description: DIODES INC. - DXTP3C60PSQ-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 5 W, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 135MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 4974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.34 грн
500+	21.36 грн
1000+	15.29 грн
2500+	13.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

DXTP3C60PSQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

DXTP3C60PSQ-13

на замовлення 4974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	52.48 грн
17+	43.31 грн
100+	29.34 грн
500+	21.36 грн
1000+	15.29 грн
2500+	13.85 грн

Мінімальне замовлення: 14

DXTP3C60PSQ-13

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD

товар відсутній

DXTP3C60PSQ-13

Bipolar Transistors - BJT 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor

на замовлення 37295 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	43.68 грн
10+	36.71 грн
100+	22.19 грн
500+	17.33 грн
1000+	14.15 грн
2500+	11.94 грн
10000+	11.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

DXTP560BP5-13

Trans GP BJT PNP 500V 0.15A 2800mW 3-Pin(3+Tab) PowerDI 5 T/R

товар відсутній

DXTP560BP5-13

Description: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 180000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.68 грн
10000+	15.76 грн
25000+	15.6 грн

Мінімальне замовлення: 5000

DXTP560BP5-13

Bipolar Transistors - BJT PNP - 500 -150mA IC VCEO - 500 ICM - 500

на замовлення 18850 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.52 грн
10+	45.52 грн
100+	27.45 грн
500+	22.91 грн
1000+	17.39 грн
5000+	15.7 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTP560BP5-13

Description: DIODES INC. - DXTP560BP5-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 500 V, 150 mA, 2.8 W, PowerDI5, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 15
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8
Bauform - Transistor: PowerDI5
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: DXT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 500
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	54.08 грн
16+	47.9 грн
100+	36.76 грн
500+	26.97 грн
1000+	18.09 грн
5000+	16.97 грн

Мінімальне замовлення: 14

DXTP560BP5-13

Description: TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 2.8 W

на замовлення 189843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.13 грн
10+	40.96 грн
100+	28.37 грн
500+	22.24 грн
1000+	18.93 грн
2000+	16.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

DXTP58100CFDB-7

Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
11+	24.81 грн
100+	18.52 грн
500+	13.66 грн
1000+	10.55 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXTP58100CFDB-7

Description: TRANS PNP 100V 2A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 185mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 135MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 690 mW

товар відсутній

DXTP58100CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

на замовлення 2695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.98 грн
12+	25.37 грн
100+	16.48 грн
500+	12.98 грн
1000+	10.06 грн
3000+	9.08 грн

Мінімальне замовлення: 11

DXTP5820CFDB-7

Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 6A; 690mW; U-DFN2020-3
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 8A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.69W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-3
Frequency: 140MHz

товар відсутній

DXTP5820CFDB-7

Description: TRANS PNP 20V 6A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.48 грн
12+	24.27 грн
100+	16.86 грн
500+	12.36 грн
1000+	10.04 грн

Мінімальне замовлення: 10

DXTP5820CFDB-7

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

на замовлення 13837 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.6 грн
12+	24.92 грн
100+	15.12 грн
500+	11.74 грн
1000+	9.54 грн
3000+	7.46 грн
9000+	7.4 грн

Мінімальне замовлення: 11

DXTP5820CFDB-7

Description: TRANS PNP 20V 6A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-3 (Type B)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 690 mW

товар відсутній

DXTP5820CFDB-7