НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DZT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.33 грн
1000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
DZT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 93669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.38 грн
19+ 14.48 грн
100+ 7.3 грн
500+ 5.59 грн
1000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 14
DZT2222A-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT2222A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+3.86 грн
5000+ 3.55 грн
12500+ 3.07 грн
25000+ 2.83 грн
62500+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT2222A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT2222A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.02 грн
52+ 14.26 грн
110+ 6.76 грн
500+ 5.33 грн
1000+ 4.05 грн
Мінімальне замовлення: 29
DZT2222A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 40V
на замовлення 45858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.6 грн
24+ 12.8 грн
100+ 5.6 грн
1000+ 3.69 грн
2500+ 2.96 грн
10000+ 2.7 грн
25000+ 2.57 грн
Мінімальне замовлення: 14
DZT2907A-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT2907A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT2907A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.97 грн
500+ 9.81 грн
1000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
DZT2907A-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 1W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній
DZT2907A-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -60V
на замовлення 10902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.13 грн
17+ 18.71 грн
100+ 6.72 грн
1000+ 5.53 грн
Мінімальне замовлення: 12
DZT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 101795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.94 грн
17+ 16.88 грн
100+ 8.51 грн
500+ 6.52 грн
1000+ 4.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
DZT2907A-13DIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 1W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DZT2907A-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+4.5 грн
5000+ 4.14 грн
12500+ 3.58 грн
25000+ 3.3 грн
62500+ 2.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT2907A-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT2907A-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.38 грн
33+ 23.06 грн
100+ 13.97 грн
500+ 9.81 грн
1000+ 6.15 грн
Мінімальне замовлення: 27
DZT3150-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 25V 5A
на замовлення 2756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DZT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT3150-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT3150-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 25V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT491-13DIODES09+ BGA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DZT491-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT491-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 60V
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DZT491-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 1A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT5401Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT5401onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.82 грн
5000+ 8.06 грн
12500+ 7.49 грн
25000+ 6.87 грн
62500+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5401-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.26 грн
500+ 11.8 грн
1000+ 7.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5401-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW -150Vceo
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.59 грн
13+ 23.49 грн
100+ 14.49 грн
500+ 11.33 грн
1000+ 9.22 грн
2500+ 7.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5401-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5401-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5401-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.56 грн
29+ 25.72 грн
100+ 16.26 грн
500+ 11.8 грн
1000+ 7.6 грн
Мінімальне замовлення: 24
DZT5401-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 150V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 77252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.37 грн
13+ 21.55 грн
100+ 14.98 грн
500+ 10.97 грн
1000+ 8.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
509+22.94 грн
637+ 18.33 грн
651+ 17.95 грн
785+ 14.35 грн
1047+ 9.96 грн
Мінімальне замовлення: 509
DZT5401-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+27.72 грн
27+ 21.6 грн
28+ 21.3 грн
100+ 16.42 грн
250+ 14.88 грн
500+ 11.85 грн
1000+ 8.87 грн
Мінімальне замовлення: 21
DZT5551Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT5551DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.26 грн
500+ 11.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
DZT5551onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT5551DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.56 грн
29+ 26.02 грн
100+ 16.26 грн
500+ 11.8 грн
Мінімальне замовлення: 24
DZT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+27.85 грн
25+ 23.89 грн
47+ 12.42 грн
Мінімальне замовлення: 21
DZT5551-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+6.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5551-13
Код товару: 131145
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
DZT5551-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1000mW 160Vceo
на замовлення 29376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.59 грн
16+ 19.55 грн
100+ 13.11 грн
500+ 11.07 грн
1000+ 8.89 грн
2500+ 7.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
DZT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.13 грн
5000+ 8.34 грн
10000+ 7.77 грн
15000+ 7.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5551-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 469663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.82 грн
5000+ 8.06 грн
12500+ 7.49 грн
25000+ 6.87 грн
62500+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5551-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600mA
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.26 грн
500+ 11.8 грн
1000+ 8.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
DZT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT5551-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
DZT5551-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT5551-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 469663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.37 грн
13+ 21.55 грн
100+ 14.98 грн
500+ 10.97 грн
1000+ 8.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
DZT5551-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.02 грн
50+ 21.14 грн
100+ 16.26 грн
500+ 11.8 грн
1000+ 8.68 грн
Мінімальне замовлення: 29
DZT5551-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
товар відсутній
DZT5551Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 125384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.78 грн
11+ 26.9 грн
100+ 18.72 грн
500+ 13.72 грн
1000+ 11.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
DZT5551Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.39 грн
23+ 32.52 грн
100+ 20.33 грн
500+ 14.76 грн
Мінімальне замовлення: 19
DZT5551Q-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT5551Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 2 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.03 грн
5000+ 10.08 грн
12500+ 9.36 грн
25000+ 8.58 грн
62500+ 8.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZT5551Q-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT5551Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZT5551Q-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.33 грн
500+ 14.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
DZT5551Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor
на замовлення 4671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.74 грн
11+ 29.93 грн
100+ 18.12 грн
500+ 14.17 грн
1000+ 11.53 грн
2500+ 9.22 грн
10000+ 9.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
DZT5551Q-13-52Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 160V 0.6A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT591CDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT591Consemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT591C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT591C-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 60V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT591C-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -60V
товар відсутній
DZT591C-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT651-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 1W
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DZT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-223
на замовлення 133877500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-223
на замовлення 125007500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT651-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 3A SOT-223
на замовлення 133877500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DZT658Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT658-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.21 грн
10+ 28.21 грн
100+ 21.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
DZT658-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT658-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT NPN 1W
товар відсутній
DZT658-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 400V 0.5A SOT223-3
товар відсутній
DZT658-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT658-13Diodes ZetexTrans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+21.04 грн
35+ 16.83 грн
100+ 11.38 грн
250+ 9.9 грн
500+ 8.02 грн
1000+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 28
DZT658-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 400V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT658-13onsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
DZT751-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT-223
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.36 грн
11+ 26.08 грн
100+ 19.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
DZT751-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP 1W
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DZT751-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 3A SOT-223
товар відсутній
DZT851-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 60V 6A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.51 грн
10+ 34.85 грн
100+ 22.6 грн
500+ 17.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
DZT851-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT851-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT851-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT853-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT853-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT853-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 100V 6A
на замовлення 7330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DZT951-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5A SOT-223
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.47 грн
10+ 36.79 грн
100+ 28.18 грн
500+ 20.91 грн
1000+ 16.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
DZT951-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -60V -5A
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.27 грн
10+ 39.85 грн
100+ 26.62 грн
500+ 21.08 грн
1000+ 16.87 грн
2500+ 15.15 грн
5000+ 14.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
DZT951-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 60V 5A SOT-223
товар відсутній
DZT953-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 100V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZT953-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT953-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT953-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -100V -5A
товар відсутній
DZT955-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZT955-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT PNP 1W
товар відсутній
DZT955-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 140V 4A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
DZTA14PHILIPS
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DZTA42DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.16 грн
34+ 22.1 грн
100+ 16.48 грн
500+ 12.08 грн
1000+ 8.62 грн
Мінімальне замовлення: 29
DZTA42DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZTA42 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.48 грн
500+ 12.08 грн
1000+ 8.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
DZTA42-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W 300V
на замовлення 11986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.97 грн
11+ 28.34 грн
100+ 18.38 грн
500+ 14.49 грн
1000+ 11.2 грн
2500+ 10.15 грн
5000+ 9.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
DZTA42-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 94772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.36 грн
11+ 26.01 грн
100+ 19.41 грн
500+ 14.31 грн
1000+ 11.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
DZTA42-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
товар відсутній
DZTA42-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZTA42-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 0.5A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.16 грн
5000+ 10.05 грн
12500+ 9.36 грн
25000+ 8.33 грн
62500+ 8.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DZTA42-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
товар відсутній
DZTA42Q-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 300V 500MA SOT223
товар відсутній
DZTA42Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товар відсутній
DZTA42Q-13Diodes IncTrans GP BJT NPN 300V 0.5A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZTA42Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Application: automotive industry
товар відсутній
DZTA42Q-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.66 грн
10+ 32.05 грн
100+ 20.82 грн
500+ 16.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
DZTA92-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.66 грн
26+ 29.12 грн
100+ 18.11 грн
500+ 13.11 грн
1000+ 8.43 грн
Мінімальне замовлення: 22
DZTA92-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
товар відсутній
DZTA92-13Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 1W -300V
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
DZTA92-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZTA92-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DZTA92-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 300 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DZT Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.11 грн
500+ 13.11 грн
1000+ 8.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
DZTA92-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+31.86 грн
23+ 26.15 грн
25+ 25.89 грн
100+ 18.25 грн
250+ 10.93 грн
Мінімальне замовлення: 19
DZTA92-13Diodes IncorporatedDescription: TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
товар відсутній
DZTA92-13Diodes IncTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
DZTA92-13Diodes ZetexTrans GP BJT PNP 300V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.4 грн
24+ 24.53 грн
100+ 20.4 грн
Мінімальне замовлення: 22