Продукція > EPC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
EPCAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13968.37 грн
EPC-10VestilDescription: VERTICAL 1000 LB. CAPACITY PLATE
Packaging: Box
Capacity: 1000 lbs
Color: Blue
Material: Steel
Type: Plate Clamp
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12150.38 грн
EPC-2020Arbor TechnologyEmbedded Box Computers Programmable Embedded Controller with Intel Atom D525 Platform
товар відсутній
EPC-2030Arbor TechnologyEmbedded Box Computers Programmable Embedded Controller with Intel Atom D525 Platform
товар відсутній
EPC-2032Arbor TechnologyEmbedded Box Computers Programmable Embedded Controller with Intel Atom D525 Platform
товар відсутній
EPC-80VestilDescription: 6600 LB. CAPACITY VERTICAL PLATE
Packaging: Box
Capacity: 6600 lbs
Color: Blue
Material: Steel
Type: Plate Clamp
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+39734.05 грн
EPC-B2278-ABQ0AdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-B5505-AB00000AdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-BP860-5.0X4.0X0.3MMESPROS Photonics AGDescription: EPC-BP860-5.0 X 4.0 X 0.3MM
Packaging: Tape & Reel (TR)
For Use With/Related Products: EPC635
Accessory Type: Filter
Part Status: Active
товар відсутній
EPC-BP860-8.0X8.0X0.3MMESPROS Photonics AGDescription: EPC-BP860-8.0 X 8.0 X 0.3MM
Packaging: Tape & Reel (TR)
For Use With/Related Products: epc660
Accessory Type: Filter
товар відсутній
EPC-BP955-2.0X2.0X0.3MMESPROS Photonics AGDescription: EPC-BP955-2.0 X 2.0 X 0.3MM
Packaging: Tape & Reel (TR)
For Use With/Related Products: EPC611
Accessory Type: Filter
товар відсутній
EPC-BP955-5.0X4.0X0.3MMESPROS Photonics AGDescription: EPC-BP955-5.0 X 4.0 X 0.3MM
Packaging: Tape & Reel (TR)
For Use With/Related Products: EPC635
Accessory Type: Filter
Part Status: Active
товар відсутній
EPC-BP955-8.0X8.0X0.3MMESPROS Photonics AGDescription: EPC-BP955-8.0 X 8.0 X 0.3MM
Packaging: Tape & Reel (TR)
For Use With/Related Products: epc660
Accessory Type: Filter
товар відсутній
EPC-C301C5-S6A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel WK-L Core i5-8365UE 4xGbE, Multiple I/O system,w/8G DRAM, 128G M.2 2280 SATA
товар відсутній
EPC-C301C7-S7A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel WK-L Core i7-8665UE 4xGbE, Multiple I/O system, w/8G DRAM, 128G M.2 2280 SATA
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+131305.25 грн
5+ 123596.19 грн
EPC-C301EVK-S6A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel WK-L Core i5-8365UE 4xGbE, Multiple I/O system, w/ Intel AI Vega-330 module
товар відсутній
EPC-C301EVK-S6A1AdvantechIntel Core i5-8365UE 1.6GHz, Intel EVK system
товар відсутній
EPC-C301EVK-S7A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel WK-L Core i7-8665UE 4xGbE, Multiple I/O system, w/ Intel AI Vega-330 module
товар відсутній
EPC-CM4-70-CM4102016ChipseeChipsee
товар відсутній
EPC-CM4-70-CM4104016ChipseeChipsee
товар відсутній
EPC-CM4-70-CM4104032ChipseeChipsee
товар відсутній
EPC-P30665A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-P3066 STD W/I5-8500 W/O AD,RA,HD,RI
товар відсутній
EPC-P30665A-00YEAdvantechEmbedded Box Computers EPC-P3066 STD W/I5-8500 W/O AD,RA,HD,RI
товар відсутній
EPC-R3220IS-OLA1EAdvantechGateways TI Sitara AM3352 Gateway / 1x Lan 2x USB, 8x GPIO
товар відсутній
EPC-R3220IS-OLA1EAdvantechBox PCs TI Sitara DDR3 1x 1GB
товар відсутній
EPC-R3220IS-OLA1EAdvantech CorpDescription: TI SITARA AM3352 GATEWAY / 1X LA
Packaging: Bulk
Features: Micro SD Card Slot
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail or Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 12 ~ 24VDC
Core Processor: ARM® Cortex®-A8 800MHz
Approval Agency: BSMI, CCC, CE, FCC, UL
Expansion Type: Mini PCIe
Operating System: Linux
Storage: eMMC, 8GB
Memory: DDR3 (1GB Installed)
товар відсутній
EPC-R3430ID-PLA120AdvantechEmbedded Box Computers NXP i.MX6 Dual 1GB DRAM, 2x2 wires RS-232, 1x GbE, 2x USB 2.0
товар відсутній
EPC-R3430ID-PLA140AdvantechEmbedded Box Computers NXP i.MX6 Dual 1GB DRAM, 2x2 wires RS-232, 1x CAN Bus
товар відсутній
EPC-R3710IO-XAA100AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3710IO-XAA120AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3710IO-XAA140AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3710IO-XAA160AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3710NO-XAA100AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3710NO-XAA120AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3710NO-XAA140AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3710NO-XAA160AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA100Advantech CorpDescription: I.MX 8M PLUS BOX COMPUTER WITH U
Features: Micro SD Card Slot
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail or Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex®-A53 1.6GHz, 4 Core
Approval Agency: BSMI, CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 16GB
Memory: LPDDR4 (6GB Installed)
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA120Advantech CorpDescription: I.MX 8M PLUS BOX COMPUTER WITH U
Features: Micro SD Card Slot
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail or Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex®-A53 1.6GHz, 4 Core
Approval Agency: BSMI, CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 16GB
Memory: LPDDR4 (6GB Installed)
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA140Advantech CorpDescription: I.MX 8M PLUS BOX COMPUTER WITH
Features: Micro SD Card Slot
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail or Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex®-A53 1.6GHz, 4 Core
Approval Agency: BSMI, CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 16GB
Memory: LPDDR4 (6GB Installed)
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA160Advantech CorpDescription: I.MX 8M PLUS BOX COMPUTER WITH U
Features: Micro SD Card Slot
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail or Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex®-A53 1.6GHz, 4 Core
Approval Agency: BSMI, CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 16GB
Memory: LPDDR4 (6GB Installed)
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA160Advantechi.MX 8M Plus box computer with UIO-4036, Quad Core, 6GB LPDDR4, 16GB eMMC, -40 to 70C
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA200AdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA220AdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA240AdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA260AdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-R3720IQ-AWA12BAdvantechEmbedded Box Computers NXP i.MX8MPlus Cortex-A53 Edge AI Box Computer
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+35479.56 грн
EPC-R3720IQ-AWA12BAdvantech CorpDescription: EPC-R3720IQ-ALA12B W/ ADAPTER AN
Features: Micro SD Card Slot
Packaging: Box
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail or Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex®-A53 1.6GHz, 4 Core
Approval Agency: BSMI, CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 16GB
Memory: LPDDR4 (6GB Installed)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+31407.08 грн
EPC-R4680CQ-XAA1EAdvantechEmbedded Box Computers Rockchip RK3288 Box Computer
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+24905.94 грн
5+ 21977.9 грн
EPC-R4680CQ-XAA1EAdvantech CorpDescription: ROCKCHIP RK3288 BOX COMPUTER
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex™-A17 1.6GHz, 4 Core
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 8GB
Memory: DDR3L (2GB Installed)
товар відсутній
EPC-R4680WQ-XAA1EAdvantechEmbedded Box Computers Rockchip RK3288 Box Computer Wide Temp
товар відсутній
EPC-R4680WQ-XAA1EAdvantech CorpDescription: ROCKCHIP RK3288 BOX COMPUTER WID
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex™-A17 1.6GHz, 4 Core
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 8GB
Memory: DDR3L (2GB Installed)
товар відсутній
EPC-R4710NO-XAA1EAdvantechEmbedded Box Computers Rockchip RK3399 Box Computer, 0 50C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 99-108 дні (днів)
1+29137.81 грн
EPC-R4710NO-XAA1EAdvantech CorpDescription: ROCKCHIP RK3399 BOX COMPUTER, 0~
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: VESA Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex®-A53 1.8GHz, 4 Core, ARM® Cortex®-A72 1.8GHz, 2 Core
Approval Agency: BSMI, CCC, CE, FCC, UL
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 16GB
Memory: LPDDR4 (2GB Installed)
товар відсутній
EPC-R4760CQ-QNA1EAdvantechBox PCs LPDDR3 1GB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15934.76 грн
EPC-R4760CQ-QNA1EAdvantech CorpDescription: QUAD CORE / 1GB DDR SYSTEM
товар відсутній
EPC-R4760CQ-QNA1EAdvantechEmbedded Box Computers Qualcomm APQ-8016 Box Computer
товар відсутній
EPC-R4760CQ-WNA1EAdvantechEmbedded Box Computers Qualcomm APQ-8016 Box Computer Wide Temp
товар відсутній
EPC-R4760CQ-WNA1EAdvantechBox PCs LPDDR3 2GB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16752.67 грн
EPC-R4760CQ-WNA1EAdvantech CorpDescription: QUALCOMM APQ-8016 ARM BOX COMPUT
товар відсутній
EPC-R6410CD-PAA1EAdvantechEmbedded Box Computers NXP i.MX6 Cortex-A9 RISC Mini-ITX Box Computer
товар відсутній
EPC-R6410CD-PAA1EAdvantech CorpDescription: NXP I.MX6 CORTEX-A9 RISC MINI-IT
Features: Micro SD Card Slot
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: NXP® ARM® Cortex™-A9 i.MX6 1.0GHz, 2 Core
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 8GB
Memory: DDR3 (1GB Installed)
товар відсутній
EPC-R6410CQ-VAA1EAdvantechEmbedded Box Computers NXP i.MX6 Cortex-A9 RISC Mini-ITX Box Computer
товар відсутній
EPC-R6410CQ-VAA1EAdvantech CorpDescription: NXP I.MX6 CORTEX-A9 RISC MINI-IT
Features: Micro SD Card Slot
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: NXP® ARM® Cortex™-A9 i.MX6 1.0GHz, 4 Core
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 8GB
Memory: DDR3 (2GB Installed)
товар відсутній
EPC-R7000IQ-SUA1EAdvantechEmbedded Box Computers NVIDIA JETSON TX2 Edge AI Inference Box Computer
товар відсутній
EPC-R7000IQ-SUA1EAdvantechEPC-R7000 NVIDIA TX2/8GB DDR/32GB eMMC AI system
товар відсутній
EPC-R7000IQ-SUA1EAdvantech CorpDescription: NVIDIA JETSON TX2 EDGE AI INFERE
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -20°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 19VDC
Core Processor: NVIDIA Denver, 2 Core
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Operating System: Linux
Storage: eMMC, 32GB
Memory: LPDDR4 (8GB Installed)
товар відсутній
EPC-R7200IJ-ALA1NNAdvantech CorpDescription: INDUSTRIAL-GRADE NVIDIA JETSON B
Packaging: Bulk
Features: Micro SD Card Slot
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail or Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -20°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 9 ~ 24VDC
Approval Agency: CE, FCC
Expansion Type: M.2
Operating System: Linux
товар відсутній
EPC-R7300IJ-ALA180AdvantechEmbedded Box Computers Industrial-Grade NVIDIA Jetson Orin Nano and NX Barebone Box PC, LAN 6
товар відсутній
EPC-R7300IJ-ALA1NNAdvantechEmbedded Box Computers Industrial-Grade NVIDIA Jetson Orin Nano and NX Barebone Box PC, LAN 2
товар відсутній
EPC-S101AQ-S0A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel Atom E8000 Fanless Embedded Box PC with Multiple I/O Extension Module
товар відсутній
EPC-S101CD-S6A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel Atom Celeron N3060 Fanless Embedded Box PC with Multiple I/O Extension Module, 12-24VDC input
товар відсутній
EPC-S101CQ-S6A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel Atom Celeron N3160 Fanless Embedded Box PC with Multiple I/O Extension Module
товар відсутній
EPC-S201M00-S1A1EAdvantechEmbedded Box Computers Intel Atom N3350 DC BareboneEmbedded SBC Fanless Slim System
товар відсутній
EPC-S201M00-S1A1EAdvantechEmbedded SBC Fan-less Slim System
товар відсутній
EPC-S202E-S8A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel APL E3930, 4G DRAM, 32GBeMMC HDMI, embedded fanless system
товар відсутній
EPC-S202E-U0A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel APL E3950, 4G DRAM, 32GBeMMC HDMI, embedded fanless system
товар відсутній
EPC-T22853A-00Y1EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2285 FANLESS BAREBONE, W/ I3-6100T
товар відсутній
EPC-T22853A-00Y1EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount, VESA Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 45°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: Intel® Core™ i3-6100
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Expansion Type: mini PCIe, PCIe
Operating System: Without Operating System
Storage: Supports SATA, mSATA
Memory: DDR4 SODIMM (32GB Max Capacity)
товар відсутній
EPC-T22853A-00Y3EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 9.843" x 8.850" (250.00mm x 224.79mm)
Speed: 3.3GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 45°C
Core Processor: Intel Core i3-6100
Cooling Type: Fan
Form Factor: mini-ITX
Expansion Site/Bus: Mini-PCIe, mSATA
Video Outputs: DP, HDMI
Ethernet: 10/100/1000 Mbps (1), RJ45 (2)
USB: USB 2.0 (4), USB 3.0 (4)
RS-232 (422, 485): 2
Watchdog Timer: No
Storage Interface: 2.5" HDD/SSD, mSATA
Number of Cores: 1
RAM Capacity/Installed: 32GB/-
Part Status: Active
товар відсутній
EPC-T22855A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2285 barebone,w/ I5-6500TE, w/o AD (Needs Configuration)
товар відсутній
EPC-T22855A-00Y0EAdvantechThin barebone system with desktop low profile Mini-ITX motherboard
товар відсутній
EPC-T22855A-00Y1EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2285 BAREBONE,W/ I5-6500TE, W/O AD
товар відсутній
EPC-T22855A-00Y1EAdvantech CorpDescription: EPC-T2285 BAREBONE,W/ I5-6500TE,
товар відсутній
EPC-T22857A-00Y1EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2285 BAREBONE,W/ I7-6700, W/O ADP,
товар відсутній
EPC-T22857A-00Y1EAdvantech CorpDescription: SBC 1 CORE 32GB/0GB RAM
Packaging: Bulk
Power (Watts): 65.16W
Size / Dimension: 9.840" x 1.740" (249.93mm x 44.19mm)
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Core Processor: Intel® Core™ i7-6700TE
Cooling Type: Fan
Form Factor: 2.5"
Expansion Site/Bus: Mini-PCIe
Video Outputs: DP, HDMI
Ethernet: 10/100/1000 Mbps (2)
USB: USB 2.0 (4)
RS-232 (422, 485): 2
Watchdog Timer: No
Storage Interface: 2.5" HDD, mSATA
Number of Cores: 1
RAM Capacity/Installed: 32GB/0GB
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
EPC-T22857W-00Y0EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
товар відсутній
EPC-T22857W-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2286 STD BAREBONE,W/I5-8500T,W/O A
товар відсутній
EPC-T2285CA-00Y1EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2285 BAREBONE,W/ CPU G3900, W/O AD
товар відсутній
EPC-T2285CA-00Y1EAdvantech CorpDescription: SBC 2.8GHZ 2 CORE 32GB/0GB RAM
Power (Watts): 51W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 9.840" x 1.740" (249.93mm x 44.19mm)
Speed: 2.8GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Core Processor: Celeron G3900
Cooling Type: Fan
Form Factor: 2.5"
Expansion Site/Bus: Mini-PCIe
Video Outputs: DP, HDMI
Ethernet: 10/100/1000 Mbps (2)
USB: USB 2.0 (4)
RS-232 (422, 485): 2
Watchdog Timer: No
Storage Interface: 2.5" HDD, mSATA
Number of Cores: 2
RAM Capacity/Installed: 32GB/0GB
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
EPC-T2285CA-00Y3EAdvantech CorpDescription: EPC-T2285 BAREBONE,W/ CPU G3900,
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 9.843" x 8.850" (250.00mm x 224.79mm)
Speed: 2.8GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 45°C
Core Processor: Celeron G3900
Cooling Type: Fan
Form Factor: mini-ITX
Expansion Site/Bus: Mini-PCIe, mSATA
Video Outputs: DP, HDMI
Ethernet: 10/100/1000 Mbps (1), RJ45 (2)
USB: USB 2.0 (4), USB 3.0 (4)
RS-232 (422, 485): 2
Watchdog Timer: No
Storage Interface: 2.5" HDD/SSD, mSATA
Number of Cores: 1
RAM Capacity/Installed: 32GB/-
Part Status: Active
товар відсутній
EPC-T22863A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2286 STD BAREBONE,W/I3-8100T,W/O A
товар відсутній
EPC-T22863A-00Y0EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
товар відсутній
EPC-T22865A-00Y0EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: Rack Mount, VESA Mount, Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: Intel® Core™ i5-8500T
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2
Operating System: Without Operating System
Storage: Supports SATA
Memory: DDR4 SODIMM (32GB Max Capacity)
товар відсутній
EPC-T22865A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2286 STD BAREBONE,W/I5-8500T,W/O A
товар відсутній
EPC-T22865A-12Y0EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: Rack Mount, VESA Mount, Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: Intel® Core™ i5-8500T
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2
Operating System: Without Operating System
Storage: Supports SATA
Memory: DDR4 SODIMM (32GB Max Capacity)
товар відсутній
EPC-T22865A-12Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2286 STD BAREBONE,W/I5-8500T,ADP W
товар відсутній
EPC-T22865A-12Y1EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
товар відсутній
EPC-T22865A-12Y1EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2286,W/I5-8500T,8GB RAM,256GB SSD,
товар відсутній
EPC-T22867A-00Y1EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
товар відсутній
EPC-T22867A-00Y1EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2286 STD BAREBONE,W/I7-8700,W/O AD
товар відсутній
EPC-T2286SA-00Y0UAdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-T32855A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T3285 ,W/I5 7500, CU HSK,W/O RAM, H
товар відсутній
EPC-T32855A-15Y1EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T3285 ,W/I5-7500, CU HSK, PWB, W/O
товар відсутній
EPC-T4000AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-T42865A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T4286G STD W/I5-8500T, W/O ADP,RAM,
товар відсутній
EPC-T42865A-08Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T4286 barebone, w/CPU I5-8500T, 84W ADP, 4G RAM, 64G SSD
товар відсутній
EPC-U2117E3W-03Y10AdvantechEmbedded Box Computers Emb EPC-U2117 E3930 w/4G RAM/32G eMMC
товар відсутній
EPC-U2117E3W-03Y11AdvantechEmbedded Box Computers EMB EPC-U2117 E3930 W/2G RAM/32G EMMC
товар відсутній
EPC-U2117E3W-03Y20AdvantechEmbedded Box Computers Emb EPC-U2117 E3930 w/4G RAM/64G eMMC
товар відсутній
EPC-U2117E3W-03Y2WAdvantechEmbedded Box Computers EMB EPC-U2117 E3930 W/4G RAM/64G EMMC/W
товар відсутній
EPC-U3233-WC033S0Advantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail, VESA Mount, Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 12 ~ 24VDC
Core Processor: Intel® Core™ i5-8365UE 4.1GHz
Approval Agency: BSMI, CB, CCC, CE, FCC, UL
Expansion Type: M.2, PCIe
Operating System: Supports Windows 10
Storage: SSD, 128GB
Memory: DDR4 SODIMM (8GB Installed)
товар відсутній
EPC-U3233-WF054S0AdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-U3233-WF074SSAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail, VESA Mount, Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 12 ~ 24VDC
Core Processor: Intel® Core™ i5-8365UE 4.1GHz
Approval Agency: BSMI, CB, CCC, CE, FCC, UL
Expansion Type: M.2, PCIe
Operating System: Linux
Storage: SSD, 128GB
Memory: DDR4 SODIMM (8GB Installed)
товар відсутній
EPC-U3233-WR054S0Advantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail, VESA Mount, Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 12 ~ 24VDC
Core Processor: Intel® Core™ i5-8365UE 4.1GHz
Approval Agency: BSMI, CB, CCC, CE, FCC, UL
Expansion Type: M.2, PCIe
Operating System: Supports Windows 10
Storage: SSD, 128GB
Memory: DDR4 SODIMM (8GB Installed)
товар відсутній
EPC-U3233-WR054S0AdvantechEPC-U3233 i5,8G,128GB NVMe,2COMs,60WADP,w10,WiFi
товар відсутній
EPC-U3233-WR054S0AdvantechAdvantech Corporation EPC-U3233 I5, 8GB RAM, 128GB NVME, 2COMS, 60W ADP
товар відсутній
EPC-U32335B-00Y1EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail, VESA Mount, Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 12 ~ 24VDC
Core Processor: Intel® Core™ i5-8365UE 4.1GHz
Approval Agency: BSMI, CB, CCC, CE, FCC, UL
Expansion Type: M.2, PCIe
Operating System: Without Operating System
товар відсутній
EPC-XKIT01-ARW-BF527Unknown Arrow CompanyEPC Starter Kit
товар відсутній
EPC.00.250.NTNLEMODescription: CONN NIMCAMAC RCPT STR 50OHM PCB
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Socket
Contact Termination: Solder
Impedance: 50 Ohms
Mounting Type: Through Hole
Fastening Type: Push-Pull
Ingress Protection: IP50 - Dust Protected
Connector Style: NIM-CAMAC CD/N 549
Housing Color: Silver
Shield Termination: Solder
Center Contact Material: Bronze
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1344.19 грн
10+ 1122.11 грн
25+ 1063.51 грн
50+ 983.6 грн
100+ 867.88 грн
250+ 810.02 грн
EPC.00.250.NTNLEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT SOCKET
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1228.68 грн
10+ 1124.57 грн
25+ 877.3 грн
50+ 852 грн
100+ 752.07 грн
250+ 702.1 грн
500+ 686.53 грн
EPC.0B.304.HLNLEMODescription: CONN RCPT 4SKT R/A PCB
товар відсутній
EPC.0B.305.HLNLEMODescription: CONN RCPT 5SKT R/A PCB
товар відсутній
EPC05BGA
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC05SC36-AETA-USAIsolated DC/DC Converters 75 Watts 5 Volts
товар відсутній
EPC075PE97TE ConnectivityLow Signal Relays - PCB POWER CONTROLLER ELECTRONIC
товар відсутній
EPC0SC06B
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1001EPCDescription: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1001EPCDescription: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1001EPCDescription: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1005EPCDescription: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1005EPCDescription: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1005EPCDescription: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1007EPCDescription: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1007EPCDescription: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1007EPCDescription: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1009EPCDescription: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1009EPCDescription: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1009EPCDescription: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1010EPCDescription: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1010EPCDescription: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1010EPCDescription: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1011EPCDescription: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1011EPCDescription: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1011EPCDescription: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1012EPCDescription: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1012EPCDescription: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1012EPCDescription: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1013EPCDescription: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1013EPCDescription: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1013EPCDescription: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1014EPCDescription: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1014EPCDescription: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1014EPCDescription: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1015EPCDescription: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1015EPCDescription: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1015EPCDescription: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC103G-GNA09+
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC104BFALTERA
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064/LC20ALTERA
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1594.03 грн
25+ 1138.81 грн
100+ 797.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
EPC1064LC20ALTERA97+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064LC20IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 64K-bit 20-Pin PLCC Tray
товар відсутній
EPC1064LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1480.17 грн
25+ 1057.47 грн
100+ 740.08 грн
EPC1064LC20ALTERAPLCC20
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064LC20AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 64K-bit 20-Pin PLCC Tray
товар відсутній
EPC1064LC20ALTERAApr-37
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064LC20AlteraDescription: IC CONFIG DEVICE 20PLCC
товар відсутній
EPC1064LC20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 64Kb 6 MHz
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC1064LI20AlteraDescription: CONFIG MEMORY, 64KX1, SERIAL
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 65kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+421.51 грн
Мінімальне замовлення: 46
EPC1064PC8ALTERA09+
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+920.4 грн
25+ 690.49 грн
100+ 501.97 грн
500+ 467.04 грн
1000+ 418.08 грн
2500+ 394.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
EPC1064PC8ALTERA94+;
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8ALTEPADIP8
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 64K-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1064PC8XILINX09+ DIP
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8ALTERA00+ DIP
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 64Kb 6 MHz
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC1064PC8IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.66 грн
25+ 641.17 грн
100+ 466.11 грн
500+ 433.68 грн
1000+ 388.21 грн
2500+ 366.59 грн
EPC1064PC8ALTERA94+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 64K-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1064PC8ALTERADIP8
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8ALTERA
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 65KBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 65kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 8-PDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1064PI8IntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
товар відсутній
EPC1064PI8Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 64Kb 6 MHz
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC1064PI8IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 65KBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 65kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-PDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1064TC3207+
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064TC32AlteraDescription: CONFIG MEMORY, 64KX1, SERIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 65kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 32-TQFP (7x7)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+153.33 грн
Мінімальне замовлення: 126
EPC1064V-LC2097
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064V-LC20PLCC
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VLC20ALTERAPLCC20
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VLC20ALTERA99+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VLC20AlteraDescription: CONFIG MEMORY, 64KX1, SERIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64KB
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+139.22 грн
Мінімальне замовлення: 139
EPC1064VLC20ALTERA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VPC8ALTERA9713
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VPC8AlteraDescription: CONFIG MEMORY, 64KX1, SERIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 65kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+292.56 грн
Мінімальне замовлення: 66
EPC1064VPC8ALTERADIP8
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VPC8ALTERA
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VPC8ALTERA98+ DIP-8
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VTC32AlteraDescription: CONFIG MEMORY, 64KX1, SERIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64KB
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 32-TQFP (7x7)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+194.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
EPC1064VTC32Altera
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1152EC225-1MURATA06+ 1206-225K 50V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213ALTERAPLCC20
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213ALTERA09+ PLCC
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213-LC200
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC12133059 S R6P1IntelIntel
товар відсутній
EPC1213DM8AlteraDescription: CONFIG MEMORY, 26KX8, SERIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-CDIP
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 208kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 8-CDIP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1213LC20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 212KBIT 20PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 212kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1213LC20ALTERA09+ PLCC
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213LC20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 212Kb 6 MHz
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC1213LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC1213LC20ALTERA03+ SOP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
товар відсутній
EPC1213LC20ALTEPAPLLCC20
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213LI20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+5678.73 грн
10+ 5048.01 грн
50+ 4542.98 грн
100+ 2503.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC1213LI20IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 208K-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1213LI20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5273.1 грн
10+ 4687.44 грн
50+ 4218.48 грн
100+ 2324.86 грн
EPC1213LI20AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 208K-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1213LI20AlteraDescription: IC CONFIG DEVICE 212KBIT 20PLCC
товар відсутній
EPC1213PC8ALTERA97 DIP
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8ALTERA99+;
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 212kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 8-PDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1213PC8ALTERA09+
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 208K-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1213PC8ALTERA09+ DIP-8
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8ALTERA99+
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8ALTERA
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 208K-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1213PC8ALTERADIP8
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8ALTERA09+ DIP
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 212Kb 6 MHz
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC1213PC8AAltera
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8WALTERA00+
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PI8IntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
товар відсутній
EPC1213PI8DIP-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PI8
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PI8AlteraDescription: CONFIGURATION MEMORY, 212942X1,
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 212kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+34113.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
EPC12SC36-AETA-USAIsolated DC/DC Converters 75 Watts 12 Volts
товар відсутній
EPC13-004SMD 05+
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC13-00405+ SMD08
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC137-CSP6-DESPROS Photonics AGDescription: IC PHOTODIODE AMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Digital
Mounting Type: Chassis Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 5.2V
Current - Supply: 800 µA
товар відсутній
EPC138-CSP6-DESPROS Photonics AGDescription: IC PHOTODIODE AMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Digital
Mounting Type: Chassis Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 5.2V
Current - Supply: 800 µA
товар відсутній
EPC1441ALTERAPLCC20
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441ALTERA09+ PLCC
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441-LC20ALTERA99+ PLCC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441-PC8ALTERADIP8
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC14412C20WALTERA00+ PLCC
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20.09+ PLCC
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441LC20HUGHES
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+840.42 грн
25+ 630.5 грн
100+ 458.28 грн
EPC1441LC20ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20ALTERA03+ SOP
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20ALTERAPLCC20
на замовлення 573 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20ALTE09+
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1441LC20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 400KBIT 20PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 440kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC1441LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+905.07 грн
25+ 678.99 грн
100+ 493.54 грн
Мінімальне замовлення: 13
EPC1441LC20ALTERAPLCC20
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20ALTERA09+
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1441LC20NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 440KBIT 20PLCC
товар відсутній
EPC1441LC20NAllegro MicroSystemsSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1441LC20NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1400.47 грн
EPC1441LC20NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441LC20N
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1441LC20NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1508.2 грн
Мінімальне замовлення: 8
EPC1441LC20WNEC09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20WALTERA09+ .
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20WAT
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20WALTERAPLCC20
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LI20IntelConfiguration SRAM for FBGA
товар відсутній
EPC1441LI20ALTERA06+
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LI20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441LI20ALTERA2000 PLCC
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LI20ALTERA
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LI20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC1441LI20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 20PLCC
товар відсутній
EPC1441LI20ALTERA09+
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LI20N
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LI20NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2476.44 грн
25+ 1782.61 грн
100+ 1273.8 грн
500+ 859.81 грн
1000+ 723.69 грн
2500+ 636.8 грн
EPC1441LI20NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1441LI20NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 20PLCC
товар відсутній
EPC1441LI20NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441PCALTERA01+ DIP8
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC-895
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8ALTERADIP8
на замовлення 636 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 400KBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 440kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 8-PDIP
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC1441PC8ALTERA0507+
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8ALTERA09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8ALTERADIP
на замовлення 11647 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8ALTERA01+;
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441PC8IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1441PC8
Код товару: 181149		Мікросхеми > Пам'ять
товар відсутній
EPC1441PC8ALTERAN/A
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8ALTERA09+
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8IntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
товар відсутній
EPC1441PC8ALTERA1043 DIP
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1441PC8-NWALTERADIP8
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8CDA079919ALTERA09+ DIP
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8NIntelConfiguration SRAM for FBGA
товар відсутній
EPC1441PCBALTERA09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PI8ALTERA07+;
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PI8Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441PI8ALTERA09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PI8ALTERADIP
на замовлення 20963 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PI8ALTERA09+
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PI8IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 400KBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 440kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-PDIP
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC1441PI8ALTERA1043 DIP
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PI8ALTERADIP8
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441TC32ALTERAQFP32
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441TC32IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC1441TC32IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 440KBIT 32TQFP
товар відсутній
EPC1441TC32IntelConfiguration SRAM for FBGA
товар відсутній
EPC1441TC32ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441TC32Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441TC32XILNIX04+
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441TC32IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+249.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC1441TC32NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+816.94 грн
25+ 631.92 грн
100+ 463.26 грн
500+ 418.59 грн
1000+ 364.71 грн
EPC1441TC32NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441TC32NALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441TC32NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC1441TC32NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+879.78 грн
25+ 680.53 грн
100+ 498.9 грн
500+ 450.78 грн
1000+ 392.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
EPC1441TC32NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC1441TC32NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 440KBIT 32TQFP
товар відсутній
EPC1441TI32IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+267.46 грн
Мінімальне замовлення: 247
EPC1441TI32IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 32TQFP
товар відсутній
EPC1441TI32IntelConfiguration SRAM for FBGA
товар відсутній
EPC1441TI32Intel / AlteraCypress Semiconductor
товар відсутній
EPC1441TI32IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+351.54 грн
25+ 298.88 грн
100+ 248.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC1441TI32ALTERAQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441TI32IntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
товар відсутній
EPC1441TI32NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 32TQFP
товар відсутній
EPC1441TI32NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC1441TI32NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+436.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC1441TI32NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441TI32N
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441TI32NIntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
товар відсутній
EPC1441TI32NIntelConfiguration SRAM for FBGA
товар відсутній
EPC144IPC8ALTERA00+
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC144ITC32IDT05+ QFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC144ITC32IDT
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC144PC8ALTERA0019+
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC144PC8ALTERA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC15T-N270-2GB-40SS-W7-NLOmron Automation and SafetyDescription: 15" IPC, ATOM, 40GB, WIN7
Packaging: Bulk
товар відсутній
EPC1664PI8ALTERADIP8
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16FS35Q100GN(EPC4)EPC4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 16Mb 33 MHz
товар відсутній
EPC16QC100ALTERAQFP
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100IntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16QC100IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 16MBIT 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14)
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC16QC100.09+ QFP
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100ALTEPA06+
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100DMIntelIntel
товар відсутній
EPC16QC100DMIntelDescription: IC CONFIG DEVICE
Packaging: Tube
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC16QC100IIIntelIntel
товар відсутній
EPC16QC100IIIntelDescription: IC CONFIG DEVICE
товар відсутній
EPC16QC100NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 16MBIT 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC16QC100NALTERAQFP
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100NALTERA
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100NALTERAPQFP
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100NALTERATQFP
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100NALTEPA06+
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16QC100NALTERA08+ QFP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 16Mb 33 MHz
товар відсутній
EPC16QC100SSIntelIntel
товар відсутній
EPC16QC100SSIntelDescription: IC CONFIG DEVICE
товар відсутній
EPC16QC100TALTERA09+
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100ALTERATQFP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 16MBIT 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14)
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC16QI100IntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16QI100ALTERAPQFP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100IntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16QI100NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 16Mb 33 MHz
товар відсутній
EPC16QI100NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16QI100NALTERA06+ SOP28
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100NALTERABGA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16QI100NALTERATQFP
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100NALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100NALTERA09+ QFP100
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100NAlteraDescription: IC CONFIG DEVICE 16MBIT 100QFP
товар відсутній
EPC16QI100NALTERAPQFP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UC88ALTERABGA
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UC88IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 16MBIT 88UBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 88-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 88-UBGA (11x8)
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC16UC88Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 16Mb 33 MHz
товар відсутній
EPC16UC88IntelFlash 3.3V 16M-bit 88-Pin UFBGA Tray
товар відсутній
EPC16UC88ALTERABGA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UC88AAAlteraDescription: IC CONFIG DEVICE 16MBIT 88UBGA
товар відсутній
EPC16UC88ABIntelIntel
товар відсутній
EPC16UC88ABIntelDescription: IC CONFIG DEVICE
товар відсутній
EPC16UC88IIIntelDescription: IC CONFIG DEVICE
товар відсутній
EPC16UC88IIIntelIntel
товар відсутній
EPC16UC88NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16UC88NALTERA09+ BGA
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UC88NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 16Mb 33 MHz
товар відсутній
EPC16UC88NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16UC88NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 16MBIT 88UBGA
товар відсутній
EPC16UC88NAlteraEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16UC88NALTERA937 BGA
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UC88SSIntelIntel
товар відсутній
EPC16UC88SSIntelDescription: IC CONFIG DEVICE
товар відсутній
EPC16UI88ALTERA06+ ORIGINAL
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UI88ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UI88/NALTERABGA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UI88AAIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16UI88AA
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UI88AAIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 88UBGA
товар відсутній
EPC16UI88NAlteraDescription: IC CONFIG DEVICE 88UBGA
товар відсутній
EPC16UI88NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16UI88NALTERABGA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16VC88ALTERA09+
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC175TriplettDescription: PARTICLE COUNTER PM2.5, PM10, CO
Packaging: Retail Package
Type: Air Quality
Includes: Adapter, Battery, USB Cable
For Measuring: Indoor Air Quality (IAQ)
Part Status: Active
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25925.72 грн
EPC1900T-T2500-2GB-40SS-W7-NLOmron Automation and SafetyDescription: 19" IND PC RES TOUCH COREDUO
товар відсутній
EPC19C8
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1C3T144C8ALTERAQFP 01+
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1C3T144C8ALTERA01+ QFP
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1L120ALTERA01+ PLCC20
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1L20ALTERA
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1L20.09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1L20ALTERAPLCC20
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LC20ALTERA09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LC20ALTERAPLCC20
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LC20AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1LC20ALTERA
на замовлення 672 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LC20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC1LC20ALTERA09+
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1941.3 грн
25+ 1649.54 грн
100+ 942.9 грн
EPC1LC20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC1LC20ALTERA2000
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LC20ALTERAPLCC20
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2090.63 грн
25+ 1776.42 грн
100+ 1015.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
EPC1LC20NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 20190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1606.84 грн
25+ 1070.99 грн
100+ 803.42 грн
500+ 619.64 грн
1000+ 521.64 грн
2500+ 483.7 грн
5000+ 467.23 грн
10000+ 459.3 грн
EPC1LC20NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz
товар відсутній
EPC1LC20NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 20190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1730.44 грн
25+ 1153.37 грн
100+ 865.22 грн
500+ 667.31 грн
1000+ 561.77 грн
2500+ 520.91 грн
5000+ 503.17 грн
10000+ 494.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
EPC1LC20NALTERAIC CONFIG DEVICE 1MBIT 20-PLCC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+793.62 грн
EPC1LC20NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1LC20NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC1LC20WALTERA2000
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LI20ALTERA99 PLCC
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LI20IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1LI20IntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5753.45 грн
10+ 4315.26 грн
50+ 3836.34 грн
100+ 1902.16 грн
EPC1LI20AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1LI20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1LI20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC1LI20NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCC
Packaging: Tray
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1LI20NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1P18NALTERADIP8
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1PC8Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz
товар відсутній
EPC1PC8IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC1PC8(микросхема)
Код товару: 47277		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
EPC1PC8CCIntelDescription: IC CONFIG DEVICE
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1PC8CCIntelIntel
товар відсутній
EPC1PC8WDIP8
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1PI8AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1PI8IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+6067.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC1PI8Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz
товар відсутній
EPC1PI8IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5633.9 грн
EPC1PI8IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1PI8NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1PI8NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz
товар відсутній
EPC1PI8NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1PI8NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC1PI8NDIV-; Uживл, В = -; Інтерфейс = -; -
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+803.96 грн
10+ 746.55 грн
100+ 689.16 грн
EPC1PI8NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1SI8ALTERA04+ SOP8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2Automation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16425.12 грн
EPC2
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC20-01007+
на замовлення 22740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC200-CSP5ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR PHOTODIODE 850NM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFBGA, CSPBGA
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 300ns
Viewing Angle: 150°
Spectral Range: 400nm ~ 1030nm
Color - Enhanced: Infrared (NIR)/Red
Responsivity @ nm: 0.61 A/W @ 850nm, 0.43 A/W @ 940nm
Current - Dark (Typ): 5nA
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.22 грн
10+ 71.38 грн
100+ 52.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC200-CSP5ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR PHOTODIODE 850NM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-XFBGA, CSPBGA
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 300ns
Viewing Angle: 150°
Spectral Range: 400nm ~ 1030nm
Color - Enhanced: Infrared (NIR)/Red
Responsivity @ nm: 0.61 A/W @ 850nm, 0.43 A/W @ 940nm
Current - Dark (Typ): 5nA
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+50.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2001EPCDescription: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2001EPCDescription: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2001CEPCDescription: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+157.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2001CEPCDescription: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 107396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.89 грн
10+ 260.91 грн
100+ 211.06 грн
500+ 176.06 грн
1000+ 150.75 грн
EPC2007EPCDescription: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2007EPCDescription: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2007CEPCDescription: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 20496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+146.7 грн
10+ 117.41 грн
100+ 93.42 грн
500+ 74.19 грн
1000+ 62.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2007CEPCDescription: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.17 грн
5000+ 61.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2010EPCDescription: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010EPCDescription: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010CEPCDescription: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.37 грн
10+ 351.08 грн
100+ 292.56 грн
500+ 242.26 грн
1000+ 218.04 грн
EPC2010CEPCDescription: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+226.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2010CENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010CENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010CENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010ENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2012EPCDescription: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товар відсутній
EPC2012EPCDescription: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товар відсутній
EPC2012CEPCDescription: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 10741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.52 грн
10+ 151.34 грн
100+ 120.47 грн
500+ 95.66 грн
1000+ 81.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2012CEPCDescription: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.33 грн
5000+ 79.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2012C
Код товару: 179459		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
EPC2012CENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2012CENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2012CENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2013EPCDescription: TRANS GAN 150V 10MO BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2014EPCDescription: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2014EPCDescription: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2014CEPCDescription: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.89 грн
5000+ 39.34 грн
12500+ 37.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2014CEPCDescription: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 53296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.89 грн
10+ 81.72 грн
100+ 63.54 грн
500+ 50.55 грн
1000+ 41.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2015EPCDescription: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товар відсутній
EPC2015EPCDescription: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товар відсутній
EPC2015CEPCDescription: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 19049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.21 грн
10+ 180.47 грн
100+ 145.97 грн
500+ 133.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2015CEPCDescription: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+148.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2015CENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2015CENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2015CENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2016EPCDescription: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2016EPCDescription: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2016EPCDescription: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2016CEPCDescription: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 107880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.76 грн
10+ 134.38 грн
100+ 106.95 грн
500+ 84.92 грн
1000+ 72.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2016CEPCDescription: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.75 грн
5000+ 70.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2018EPCDescription: GANFET N-CH 150V 12A DIE
товар відсутній
EPC2018EPCDescription: GANFET N-CH 150V 12A DIE
товар відсутній
EPC2019EPCDescription: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 94895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.89 грн
10+ 143.03 грн
100+ 115.67 грн
500+ 106.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2019EPCDescription: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2019ENGEPCDescription: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2019ENGEPCDescription: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2019ENGEPCDescription: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2020EPCDescription: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.76 грн
10+ 439.83 грн
100+ 366.51 грн
EPC2020EPCDescription: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+335.83 грн
1000+ 291.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2020ENGEPCDescription: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2020ENGREPCDescription: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2020ENGREPCDescription: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2020ENGREPCDescription: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2021EPCDescription: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+330.53 грн
2000+ 298.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2021EPCDescription: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 6866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.6 грн
10+ 480.99 грн
100+ 400.81 грн
500+ 331.89 грн
EPC2021ENGEPCDescription: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2021ENGREPCDescription: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
товар відсутній
EPC2022EPCDescription: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.2 грн
10+ 479.64 грн
100+ 399.73 грн
500+ 331 грн
EPC2022EPCDescription: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+329.65 грн
2000+ 297.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2022ENGEPCDescription: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2022ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2022ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2022ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2023EPCDescription: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+336.3 грн
1000+ 291.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2023EPCDescription: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 7683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.47 грн
10+ 440.44 грн
100+ 367.02 грн
EPC2023ENGEPCDescription: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2023ENGREPCDescription: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2023ENGREPCDescription: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2023ENGREPCDescription: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2024EPCDescription: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.55 грн
10+ 435.98 грн
100+ 363.29 грн
EPC2024EPCDescription: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+332.89 грн
1000+ 288.5 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2025EPCDescription: GAN TRANS 300V 150MO BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2025EPCDescription: GAN TRANS 300V 150MO BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2025ENGREPCDescription: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2029EPCDescription: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
на замовлення 46179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.79 грн
10+ 478.49 грн
100+ 398.75 грн
EPC2029EPCDescription: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+365.37 грн
1000+ 316.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2029ENGREPCDescription: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2029ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2029ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2029ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2030EPCDescription: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+297.53 грн
1000+ 257.86 грн
2500+ 241.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2030EPCDescription: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 3568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.7 грн
10+ 389.67 грн
100+ 324.72 грн
EPC2030ENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2030ENGRTEPCDescription: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2030ENGRTEPCDescription: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2031EPCDescription: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+236.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2031EPCDescription: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 14435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.38 грн
10+ 263.95 грн
100+ 227.82 грн
EPC2031ENGREPCDescription: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2031ENGRTEPCDescription: GANFET NCH 60V 31A DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2031ENGRTEPCDescription: GANFET NCH 60V 31A DIE
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2032EPCDescription: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+295.57 грн
1000+ 256.16 грн
2500+ 240.03 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2032EPCDescription: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.59 грн
10+ 387.11 грн
100+ 322.57 грн
EPC2032ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2032ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2032ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2032ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2033EPCDescription: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
на замовлення 5117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+635.95 грн
10+ 524.93 грн
100+ 437.42 грн
EPC2033EPCDescription: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+400.8 грн
1000+ 347.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2033ENGREPCDescription: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2033ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2033ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2033ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2034EPCDescription: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товар відсутній
EPC2034EPCDescription: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товар відсутній
EPC2034CEPCDescription: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.45 грн
10+ 495.12 грн
100+ 412.59 грн
EPC2034CEPCDescription: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+378.06 грн
1000+ 327.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2034ENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2034ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2034ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2034ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2035EPCDescription: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 37276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.14 грн
10+ 69.76 грн
100+ 54.28 грн
500+ 43.18 грн
1000+ 35.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2035EPCDescription: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.64 грн
5000+ 33.6 грн
12500+ 32.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2036Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 100V 1.7A 4-Pin Die T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.96 грн
5000+ 56.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2036EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 15298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.14 грн
10+ 69.76 грн
100+ 54.28 грн
500+ 43.18 грн
1000+ 35.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2036EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.64 грн
5000+ 33.6 грн
12500+ 32.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2037
Код товару: 179458		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
EPC2037EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 22582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.14 грн
10+ 69.76 грн
100+ 54.28 грн
500+ 43.18 грн
1000+ 35.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2037Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 100V 1.7A 4-Pin Die T/R
товар відсутній
EPC2037EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товар відсутній
EPC2037ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2037ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2037ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2038Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 100V 0.5A 4-Pin Die T/R
товар відсутній
EPC2038EPCDescription: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 83063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.14 грн
10+ 69.76 грн
100+ 54.28 грн
500+ 43.18 грн
1000+ 35.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2038EPCDescription: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.64 грн
5000+ 33.6 грн
12500+ 32.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2038ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2038ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2038ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2039EPCDescription: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 43823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.48 грн
10+ 81.86 грн
100+ 65.15 грн
500+ 51.74 грн
1000+ 43.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2039EPCDescription: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.15 грн
5000+ 42.77 грн
12500+ 41.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2039ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2039ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2039ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2040EPCDescription: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 27700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.13 грн
10+ 64.48 грн
100+ 50.18 грн
500+ 39.91 грн
1000+ 32.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2040EPCDescription: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.87 грн
5000+ 31.06 грн
12500+ 29.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2040ENGREPCDescription: TRANS GAN 25V BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2040ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2040ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2040ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2044EPCDescription: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2044EPCDescription: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
на замовлення 7488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+143.19 грн
10+ 124.1 грн
100+ 99.77 грн
500+ 76.93 грн
1000+ 63.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2045EPCDescription: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 47742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.87 грн
10+ 196.36 грн
100+ 158.86 грн
500+ 132.52 грн
1000+ 113.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2045EPCDescription: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+118.23 грн
5000+ 109.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2049ENGRTEPCDescription: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товар відсутній
EPC2049ENGRTEPCDescription: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товар відсутній
EPC2050EPCDescription: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 15910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.64 грн
10+ 305.79 грн
100+ 247.36 грн
500+ 206.35 грн
1000+ 176.69 грн
EPC2050EPCDescription: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+184.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2051EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.96 грн
5000+ 31.14 грн
12500+ 29.7 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2051EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 37669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.13 грн
10+ 64.69 грн
100+ 50.31 грн
500+ 40.02 грн
1000+ 32.6 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2052EPCDescription: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 132500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.4 грн
5000+ 41.15 грн
12500+ 39.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2052Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 100V 8.2A 9-Pin Die T/R
товар відсутній
EPC2052EPCDescription: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 136532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+98.27 грн
10+ 78.75 грн
100+ 62.69 грн
500+ 49.78 грн
1000+ 42.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2053EPCDescription: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 25212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.37 грн
10+ 343.64 грн
100+ 278 грн
500+ 231.91 грн
1000+ 198.57 грн
EPC2053Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 100V 48A Automotive 28-Pin Die T/R
товар відсутній
EPC2053EPCDescription: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+206.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2054EPCDescription: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 14067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.2 грн
10+ 88.01 грн
100+ 70.07 грн
500+ 55.64 грн
1000+ 47.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2054EPCDescription: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2055EPCDescription: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1111 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.93 грн
10+ 126.67 грн
100+ 100.8 грн
500+ 80.04 грн
1000+ 67.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2055EPCDescription: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1111 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
товар відсутній
EPC2059EPCDescription: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+135.12 грн
5000+ 124.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2059EPCTransistor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C; EPC2059 TEPC2059
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+370.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2059EPCDescription: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 28300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.26 грн
10+ 224.48 грн
100+ 181.56 грн
500+ 151.45 грн
1000+ 129.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2065EPCDescription: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+107.62 грн
2000+ 97.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2065EPCDescription: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 3737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.77 грн
10+ 168.31 грн
100+ 136.17 грн
500+ 113.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2066EPCDescription: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.57 грн
10+ 321.47 грн
100+ 267.92 грн
500+ 221.85 грн
EPC2066EPCDescription: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+220.94 грн
2000+ 199.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2067EPCDescription: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+303.23 грн
10+ 245.5 грн
100+ 198.57 грн
500+ 165.65 грн
EPC2067EPCDescription: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+156.95 грн
2000+ 142.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2069EPCDescription: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.86 грн
10+ 347.97 грн
100+ 290 грн
500+ 240.14 грн
EPC2069EPCDescription: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+239.15 грн
2000+ 215.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2070EPCDescription: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 9471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+95.46 грн
10+ 74.89 грн
100+ 58.24 грн
500+ 46.33 грн
1000+ 37.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2070EPCDescription: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.32 грн
5000+ 36.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2071EPCDescription: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товар відсутній
EPC2071EPCDescription: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.28 грн
10+ 347.83 грн
100+ 281.4 грн
500+ 234.75 грн
EPC2088EPCDescription: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 4963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+139.01 грн
2000+ 126.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2088EPCDescription: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 6661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.84 грн
10+ 217.38 грн
100+ 175.88 грн
500+ 146.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2100EPCDescription: GANFET 2N-CH 30V 10A/40A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.72 грн
10+ 515.53 грн
100+ 429.61 грн
EPC2100EPCDescription: GANFET 2N-CH 30V 10A/40A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товар відсутній
EPC2100ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2100ENGRTEPCDescription: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товар відсутній
EPC2100ENGRTEPCDescription: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товар відсутній
EPC2101EPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.72 грн
10+ 515.53 грн
EPC2101EPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товар відсутній
EPC2101ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2101ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
EPC2101ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
EPC2102EPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+593.13 грн
10+ 490.12 грн
100+ 408.39 грн
EPC2102EPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товар відсутній
EPC2102ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2102ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
EPC2102ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
EPC2103EPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 7131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.03 грн
10+ 520.87 грн
100+ 434.02 грн
EPC2103EPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+397.7 грн
1000+ 344.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2103ENGEPCDescription: GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2103ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товар відсутній
EPC2103ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товар відсутній
EPC2104EPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 4472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+593.13 грн
10+ 490.12 грн
100+ 408.39 грн
EPC2104EPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+374.21 грн
1000+ 324.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2104ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2104ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товар відсутній
EPC2104ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товар відсутній
EPC2105EPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+374.21 грн
1000+ 324.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2105EPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+593.13 грн
10+ 490.12 грн
100+ 408.39 грн
EPC2105ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2105ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товар відсутній
EPC2105ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товар відсутній
EPC2106EPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.98 грн
5000+ 50.03 грн
12500+ 48.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2106EPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 72524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.03 грн
10+ 95.71 грн
100+ 76.22 грн
500+ 60.52 грн
1000+ 51.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2106ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товар відсутній
EPC2106ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товар відсутній
EPC2107EPCDescription: GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 5502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.26 грн
10+ 105.04 грн
100+ 83.59 грн
500+ 66.38 грн
1000+ 56.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2107EPCDescription: GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2107ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2107ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2107ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2108EPCDescription: GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.01 грн
10+ 90.17 грн
100+ 71.79 грн
500+ 57.01 грн
1000+ 48.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2108EPCDescription: GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
EPC2108ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2108ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2108ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2110EPCDescription: GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 14435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.02 грн
10+ 122.34 грн
100+ 97.34 грн
500+ 77.3 грн
1000+ 65.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2110EPCDescription: GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.94 грн
5000+ 63.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2110ENGRTEPCDescription: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2110ENGRTEPCDescription: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2111EPCDescription: GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+101.14 грн
5000+ 93.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2111EPCDescription: GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 19872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.77 грн
10+ 167.97 грн
100+ 135.9 грн
500+ 113.37 грн
1000+ 97.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2111ENGRTEPCDescription: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2111ENGRTEPCDescription: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2112ENGRTEPCDescription: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товар відсутній
EPC2112ENGRTEPCDescription: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товар відсутній
EPC2115ENGRTEPCDescription: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товар відсутній
EPC2115ENGRTEPCDescription: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товар відсутній
EPC2152EPCDescription: Linear IC's
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 85mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
товар відсутній
EPC2152ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+313.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2152ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 21194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.96 грн
10+ 368.72 грн
25+ 351.57 грн
100+ 286.48 грн
250+ 283.35 грн
EPC21601EPCDescription: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 18461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.43 грн
10+ 168.04 грн
25+ 158.87 грн
100+ 129.2 грн
250+ 122.58 грн
500+ 109.99 грн
1000+ 91.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC21601EPCDescription: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+97.52 грн
5000+ 90.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC21601ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.35 грн
10+ 172.23 грн
25+ 162.85 грн
100+ 132.44 грн
250+ 125.65 грн
500+ 112.74 грн
1000+ 93.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC21601ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+99.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC21603EPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.43 грн
10+ 168.04 грн
25+ 158.87 грн
100+ 129.2 грн
250+ 122.58 грн
500+ 109.99 грн
1000+ 91.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC21603EPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+97.52 грн
5000+ 90.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC21603ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+97.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC21603ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.43 грн
10+ 168.04 грн
25+ 158.87 грн
100+ 129.2 грн
250+ 122.58 грн
500+ 109.99 грн
1000+ 91.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC21701EPCDescription: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC21701EPCDescription: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 38003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.64 грн
10+ 137.15 грн
25+ 129.62 грн
100+ 105.42 грн
250+ 100.02 грн
500+ 95.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC21702ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.26 грн
10+ 240.02 грн
25+ 226.95 грн
100+ 184.58 грн
250+ 175.11 грн
500+ 157.13 грн
1000+ 130.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC21702ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
EPC21704ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
товар відсутній
EPC21704ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
EPC2202EPCDescription: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.99 грн
10+ 144.51 грн
100+ 116.88 грн
500+ 97.5 грн
1000+ 83.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2202EPCDescription: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.98 грн
5000+ 80.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2203EPCDescription: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.57 грн
5000+ 22.54 грн
12500+ 21.5 грн
25000+ 20.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2203EPCDescription: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.66 грн
10+ 46.84 грн
100+ 36.41 грн
500+ 28.96 грн
1000+ 23.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
EPC2203Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 80V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin Die T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25000+26.1 грн
Мінімальне замовлення: 25000
EPC2204EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2204EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 4038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.53 грн
10+ 125.05 грн
100+ 99.57 грн
500+ 79.07 грн
1000+ 67.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2204AEPCDescription: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.12 грн
10+ 150.12 грн
100+ 119.49 грн
500+ 94.88 грн
1000+ 80.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2204AEPCDescription: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.63 грн
5000+ 78.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2206EPCDescription: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 58266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+419.75 грн
10+ 339.38 грн
100+ 274.6 грн
EPC2206Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 80V 90A 30-Pin Die T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+266.57 грн
1000+ 233.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2206EPCDescription: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 58167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+253.48 грн
1000+ 209 грн
2500+ 196.8 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2206Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 80V 90A 30-Pin Die T/R
товар відсутній
EPC2207EPCDescription: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+117.38 грн
5000+ 108.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2207EPCDescription: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 15102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.46 грн
10+ 195.01 грн
100+ 157.72 грн
500+ 131.57 грн
1000+ 112.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2212EPCDescription: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2212EPCDescription: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 152740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.15 грн
10+ 104.57 грн
100+ 84.55 грн
500+ 77.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2214EPCDescription: GANFET N-CH 80V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.98 грн
5000+ 47.24 грн
12500+ 45.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2214Efficient Power ConversionAutomotive 80 V Enhancement Mode Power Transistor
товар відсутній
EPC2214EPCDescription: GANFET N-CH 80V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V
на замовлення 25355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.01 грн
10+ 90.37 грн
100+ 71.97 грн
500+ 57.15 грн
1000+ 48.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2215EPCDescription: GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+219.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2215EPCDescription: GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 34924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.73 грн
10+ 340.8 грн
100+ 283.99 грн
500+ 235.16 грн
1000+ 211.65 грн
EPC2216EPCDescription: GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 7.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.36 грн
10+ 73.27 грн
100+ 56.99 грн
500+ 45.33 грн
1000+ 36.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2216EPCDescription: GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 7.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.47 грн
5000+ 35.28 грн
12500+ 33.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2218EPCDescription: GANFET N-CH 100V DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 40115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.57 грн
10+ 321.47 грн
100+ 267.92 грн
500+ 221.85 грн
EPC2218EPCDescription: GANFET N-CH 100V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+220.94 грн
2000+ 199.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2218AEPCDescription: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.36 грн
10+ 193.25 грн
100+ 156.34 грн
500+ 143.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2218AEPCDescription: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+158.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2219EPCDescription: TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 59mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.064 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 32.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.53 грн
5000+ 34.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2219EPCDescription: TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 59mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.064 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 32.5 V
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.55 грн
10+ 71.45 грн
100+ 55.6 грн
500+ 44.23 грн
1000+ 36.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2221EPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.1 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2221EPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 5058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.59 грн
10+ 142.15 грн
100+ 113.09 грн
500+ 89.81 грн
1000+ 76.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2252EPCDescription: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
на замовлення 36845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.82 грн
10+ 92.67 грн
100+ 73.76 грн
500+ 58.57 грн
1000+ 49.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2252EPCDescription: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.24 грн
5000+ 48.41 грн
12500+ 46.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2302EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 40649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.18 грн
10+ 353.65 грн
100+ 294.71 грн
500+ 244.04 грн
1000+ 219.63 грн
EPC2302EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+286.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EPC2302ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
товар відсутній
EPC2302ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
товар відсутній
EPC2304ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+289.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EPC2304ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
на замовлення 37956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.4 грн
10+ 450.1 грн
100+ 375.09 грн
500+ 310.59 грн
1000+ 279.53 грн
EPC2305ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V
товар відсутній
EPC2305ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+513.81 грн
10+ 424.35 грн
100+ 353.65 грн
500+ 292.84 грн
1000+ 263.56 грн
EPC2306EPCDescription: TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
товар відсутній
EPC2306EPCDescription: TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
товар відсутній
EPC2306ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.75 грн
10+ 280.51 грн
100+ 226.94 грн
500+ 189.31 грн
1000+ 162.1 грн
EPC2306ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+168.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EPC2307EPCDescription: Linear IC's
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
товар відсутній
EPC2307ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 25385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.57 грн
10+ 321.47 грн
100+ 267.92 грн
500+ 221.85 грн
1000+ 199.67 грн
EPC2307ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+207.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EPC2308ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 51406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.22 грн
10+ 337.36 грн
100+ 281.12 грн
500+ 232.78 грн
1000+ 209.5 грн
EPC2308ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+217.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EPC23101ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 14-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 3.3mOhm
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 65A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 14-QFN (3.5x5)
Fault Protection: ESD, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 7318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.21 грн
10+ 477.07 грн
25+ 454.87 грн
100+ 370.68 грн
250+ 354.01 грн
500+ 322.78 грн
1000+ 276.52 грн
EPC23101ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 14-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 3.3mOhm
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 65A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 14-QFN (3.5x5)
Fault Protection: ESD, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+299.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EPC23102ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+560.84 грн
10+ 487.89 грн
25+ 465.23 грн
100+ 379.1 грн
250+ 362.06 грн
500+ 330.11 грн
1000+ 282.81 грн
EPC23102ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товар відсутній
EPC23103ENGRTEPCDescription: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
товар відсутній
EPC23103ENGRTEPCDescription: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.57 грн
10+ 338.84 грн
25+ 323.09 грн
100+ 263.26 грн
250+ 251.43 грн
500+ 229.25 грн
1000+ 196.39 грн
EPC23104ENGRTEPCDescription: IC GAN EPOWER STAGE 100V 10A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+174.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EPC23104ENGRTEPCDescription: IC GAN EPOWER STAGE 100V 10A
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 7379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.75 грн
10+ 300.11 грн
25+ 283.67 грн
100+ 230.73 грн
250+ 218.89 грн
500+ 196.41 грн
1000+ 162.93 грн
EPC241BPRIGOHDIP24
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2619EPCDescription: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.32 грн
10+ 182.3 грн
100+ 147.52 грн
500+ 123.05 грн
1000+ 105.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2619EPCDescription: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+109.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2619ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 19943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.51 грн
10+ 180 грн
100+ 145.64 грн
500+ 121.49 грн
1000+ 104.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2619ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+108.39 грн
5000+ 100.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2801EPCDescription: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2801EPCDescription: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2801EPCDescription: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2815EPCDescription: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2815EPCDescription: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2815EPCDescription: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2818EPCDescription: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2818EPCDescription: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2818EPCDescription: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2FSAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21057.85 грн
EPC2GAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17548.2 грн
EPC2GBAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20636.69 грн
EPC2GFSAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21057.85 грн
EPC2GFSBAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24778.07 грн
EPC2L120Altera
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2L20ALTERAPLL20
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2L20ALTERAPLCC20
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC2Altera
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20ALTERAPLCC
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20ALTERA04+;
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LC20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC
товар відсутній
EPC2LC20ALTERA09+
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13632.78 грн
10+ 9088.26 грн
50+ 7790.05 грн
100+ 5258.65 грн
500+ 4593.37 грн
1000+ 4249.36 грн
EPC2LC20ALTERALCC
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20ALTERA04+
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20ALTERAPLCC20
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20ALTERA0507
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20ALTEPAPLCC20
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LC20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12659.01 грн
10+ 8439.1 грн
50+ 7233.62 грн
100+ 4883.03 грн
500+ 4265.27 грн
1000+ 3945.83 грн
EPC2LC20ALTERA09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20ALTERAPLCC20
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20
Код товару: 79584		Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00
товар відсутній
EPC2LC20EMIntelIntel
товар відсутній
EPC2LC20EMIntelDescription: IC FPGA
товар відсутній
EPC2LC20NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 28484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1787.59 грн
10+ 1752.01 грн
50+ 1664.48 грн
100+ 1444.46 грн
500+ 1270.75 грн
1000+ 1158.92 грн
2500+ 985.09 грн
5000+ 886.88 грн
10000+ 798.44 грн
EPC2LC20NAlteraІМС PLCC-20 In-system programmable 3,3 or 5V configuration device, 1,6 Megabit Industrial Grate
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+3065.44 грн
EPC2LC20NALTERADescription: ALTERA - EPC2LC20N - FPGA-Konfigurationsspeicher, Flash, 1.6 Mbit, 8 MHz, JTAG, LCC, 20 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: LCC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: JTAG
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Taktfrequenz: 8
Anzahl der Pins: 20
Speichergröße: 1.6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicher: Flash
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
товар відсутній
EPC2LC20NINTELCategory: Programmable circuits
Description: IC: FPGA; SMD; PLCC20; 3.3VDC,5VDC; Kind of ciruit: config device
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
Case: PLCC20
Kind of integrated circuit: config device
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FPGA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
EPC2LC20NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LC20NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1.6Mb
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC2LC20NALTERAКонфиг ПЗУ для APEX и FLEX, IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20-PLCC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+1234.52 грн
EPC2LC20N
Код товару: 200460		Мікросхеми > Пам'ять
товар відсутній
EPC2LC20NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 28484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+1925.1 грн
10+ 1886.78 грн
50+ 1792.52 грн
100+ 1555.57 грн
500+ 1368.5 грн
1000+ 1248.07 грн
2500+ 1060.86 грн
5000+ 955.1 грн
10000+ 859.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
EPC2LC20NAltera/IntelКонфігураційна пам'ять EPROM для сімейства FLEX; Uживл, В = 3,0...3,6, 4,75...5,25; Об'єм RAM = 1,6 Мбайт; Тексп, °C = 0...+70; PLCC-20
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
EPC2LC20NINTELCategory: Programmable circuits
Description: IC: FPGA; SMD; PLCC20; 3.3VDC,5VDC; Kind of ciruit: config device
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
Case: PLCC20
Kind of integrated circuit: config device
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FPGA
товар відсутній
EPC2LC20NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LC20NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2LC20UALTERA02+
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LGAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17127.05 грн
EPC2LI20ALTERA03+;
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20
Код товару: 75619		Мікросхеми > Мікроконтролери
товар відсутній
EPC2LI20AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LI20ALTERA09+
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20AILERA09+ QFP44
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20ALTERAPLCC
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LI20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2LI20ALTERA08+
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1.6Mb
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC2LI20ALTERA09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20ALT
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20ALTERAPLCC20
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2LI20NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC
Packaging: Tray
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1.6Mb
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC2LI20NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LI20NAltera/IntelКонфігураційна пам'ять; Uживл, В = 3,0...3,6; 4,5...5,5; Об'єм RAM = 1,6 Мбайт; Тексп, °C = -40...+85; PLCC-20
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
EPC2LI20N
Код товару: 98948		AlteraМікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: PLCC-20
Короткий опис: FPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
Живлення, В: 3,0 ... 5,25 V
Тип ядра: FPGA
Частота: 10MHz
Робоча температура, °С: -40 ... +85°C
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
1+459 грн
EPC2LI20NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LI20NGAIntelDescription: IC FPGA
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC2LI20NGAIntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
товар відсутній
EPC2LI20UAltera
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2T32ALTERAQFP32
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2T32ALTERA2010+ QFP
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TC32IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC2TC32IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7743.14 грн
10+ 5162.09 грн
50+ 4424.85 грн
100+ 2987.05 грн
500+ 2608.85 грн
1000+ 2413.61 грн
EPC2TC32IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 32TQFP
товар відсутній
EPC2TC32AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC2TC32Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2TC32IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8338.76 грн
10+ 5559.18 грн
50+ 4765.23 грн
100+ 3216.82 грн
500+ 2809.53 грн
1000+ 2599.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2TC32CAF48ALTERA03/04+
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TC32HAF48ALTERA08+
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TC32NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 19027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4178.19 грн
10+ 3418.73 грн
50+ 2506.76 грн
100+ 1813.48 грн
500+ 1343.18 грн
1000+ 1172.53 грн
2500+ 1131.15 грн
5000+ 1093.05 грн
10000+ 1074.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2TC32NINTELCategory: Programmable circuits
Description: IC: FPGA; SMD; TQFP32; 3.3VDC,5VDC; Kind of ciruit: config device
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
Kind of integrated circuit: config device
Case: TQFP32
Type of integrated circuit: FPGA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2306.94 грн
EPC2TC32NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC2TC32NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2TC32NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 19027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3879.75 грн
10+ 3174.54 грн
50+ 2327.71 грн
100+ 1683.95 грн
500+ 1247.24 грн
1000+ 1088.78 грн
2500+ 1050.35 грн
5000+ 1014.97 грн
10000+ 997.89 грн
EPC2TC32NINTELCategory: Programmable circuits
Description: IC: FPGA; SMD; TQFP32; 3.3VDC,5VDC; Kind of ciruit: config device
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
Kind of integrated circuit: config device
Case: TQFP32
Type of integrated circuit: FPGA
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1922.45 грн
EPC2TC32NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC2TC32NALTERADescription: ALTERA - EPC2TC32N - FPGA-Konfigurationsspeicher, Flash, 1.6 Mbit, 8 MHz, JTAG, TQFP, 32 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: JTAG
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Taktfrequenz: 8
Anzahl der Pins: 32
Speichergröße: 1.6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicher: Flash
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
товар відсутній
EPC2TC32NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 32TQFP
товар відсутній
EPC2TC32U-CAF48Altera
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TC32UCAF48Altera
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TI32ALTERA09+ QFP
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TI32
Код товару: 175936		Мікросхеми > Пам'ять
товар відсутній
EPC2TI32AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC2TI32ALTERA08+ QFN36
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TI32IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 32TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 32-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1.6Mb
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 32-TQFP (7x7)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC2TI32ALTERATQFP
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TI32IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC2TI32ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TI32Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2TI32NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC2TI32NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 32TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 32-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1.6Mb
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 32-TQFP (7x7)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC2TI32NAltera/IntelКонфігураційна пам'ять EPROM для сімейства FLEX; Uживл, В = 3,0...3,6; 4,5...5,5; Об'єм RAM = 1,6 Мбіт; Тексп, °C = -40...+85; TQFP-32
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
EPC2TI32NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2TI32NIntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
товар відсутній
EPC2TI32NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC3.3SC36-AETA-USAIsolated DC/DC Converters 50 Watts 3.3 Volts
товар відсутній
EPC300-CSP4-001ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR PHOTODIODE 850NM 4XFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 300ns
Viewing Angle: 150°
Spectral Range: 400nm ~ 1030nm
Color - Enhanced: Infrared (NIR)/Red
Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 850nm
Active Area: 0.86mm²
Current - Dark (Typ): 80pA
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
товар відсутній
EPC300-CSP4-001ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR PHOTODIODE 850NM 4XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 300ns
Viewing Angle: 150°
Spectral Range: 400nm ~ 1030nm
Color - Enhanced: Infrared (NIR)/Red
Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 850nm
Active Area: 0.86mm²
Current - Dark (Typ): 80pA
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
товар відсутній
EPC310-CSP8-001ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR 4 PHOTODIODES 850NM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, CSPBGA
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 300ns
Viewing Angle: 150°
Spectral Range: 400nm ~ 1030nm
Color - Enhanced: Infrared (NIR)/Red
Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 850nm
Active Area: 1.71mm²
Current - Dark (Typ): 160pA
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.08 грн
10+ 168.1 грн
100+ 137.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC310-CSP8-001ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR 4 PHOTODIODES 850NM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, CSPBGA
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 300ns
Viewing Angle: 150°
Spectral Range: 400nm ~ 1030nm
Color - Enhanced: Infrared (NIR)/Red
Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 850nm
Active Area: 1.71mm²
Current - Dark (Typ): 160pA
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
товар відсутній
EPC310DC-2
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC320-CSP16-001ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR 8 PHOTODIODES 850NM
товар відсутній
EPC3205G-6(-LF) Трансформатор
Код товару: 198442		Трансформатори, мережеві фільтри, силові дроселі > Трансформатори інші
товар відсутній
EPC330-CSP32-001ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR 16 PHOTODIODES 850NM
товар відсутній
EPC3408G-LFPCA Electronics, Inc.Description: POE FLYBACK XFM 3.3V, 25W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 250kHz
Type: For DC/DC Converters
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: Flyback Converters
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Intended Chipset: LT42691
Voltage - Primary: 36 ~ 57V
Voltage - Auxiliary: 3.3V
Footprint: 0.550" L x 0.669" W (13.97mm x 17.00mm)
Chipset Manufacturer: Analog Devices
Height - Seated (Max): 0.500" (12.70mm)
Inductance @ Frequency: 37.5µH @ 100kHz
Part Status: Active
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.02 грн
10+ 193.99 грн
25+ 181.83 грн
50+ 157.95 грн
100+ 144.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC3409G-LFPCA Electronics, Inc.Description: POE FLYBACK XFM 5V, 25W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 250kHz
Type: For DC/DC Converters
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: Flyback Converters
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Intended Chipset: LT42691
Voltage - Primary: 36 ~ 57V
Voltage - Auxiliary: 5V
Footprint: 0.550" L x 0.669" W (13.97mm x 17.00mm)
Chipset Manufacturer: Analog Devices
Height - Seated (Max): 0.500" (12.70mm)
Inductance @ Frequency: 39µH @ 100KHz
Part Status: Active
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.17 грн
10+ 185.88 грн
25+ 166.28 грн
50+ 147.8 грн
100+ 117.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC3410G-LFPCA Electronics, Inc.Description: POE FLYBACK XFM 12V, 25W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 250kHz
Type: For DC/DC Converters
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: Flyback Converters
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Intended Chipset: LT42691
Voltage - Primary: 36 ~ 57V
Voltage - Auxiliary: 12V
Footprint: 0.550" L x 0.669" W (13.97mm x 17.00mm)
Chipset Manufacturer: Analog Devices
Height - Seated (Max): 0.500" (12.70mm)
Inductance @ Frequency: 37µH @ 100KHz
Part Status: Active
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.54 грн
10+ 152.08 грн
25+ 123.02 грн
50+ 112.91 грн
100+ 109.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC3472G-LFPCA Electronics, Inc.Description: POE FLYBACK XFM 5V, 25W
Packaging: Tray
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 250kHz
Type: For DC/DC Converters
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: Flyback Converters
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Intended Chipset: LTC4278
Voltage - Primary: 9 ~ 57V
Voltage - Auxiliary: 5V
Footprint: 0.866" L x 1.140" W (22.00mm x 28.96mm)
Chipset Manufacturer: Analog Devices
Height - Seated (Max): 0.453" (11.51mm)
Inductance @ Frequency: 9µH @ 100KHz
Part Status: Active
товар відсутній
EPC3577G-LFPCA Electronics, Inc.Description: POE FORWARD XFM 12V, 90W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200kHz
Type: For DC/DC Converters
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: Forward Converters
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Intended Chipset: LT4276A, LT4295
Voltage - Primary: 33 ~ 57V
Voltage - Auxiliary: 12V
Footprint: 0.830" L x 1.140" W (21.08mm x 28.86mm)
Chipset Manufacturer: Analog Devices
Height - Seated (Max): 0.453" (11.51mm)
Inductance @ Frequency: 180µH @ 100KHz
Part Status: Active
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+748.96 грн
2+ 684.04 грн
5+ 640.78 грн
10+ 521.42 грн
25+ 451.65 грн
50+ 377.43 грн
100+ 306.35 грн
EPC360GESTWINGDescription: ESTWING - EPC360G - Nagelzieher 14" (355mm) Pro-Claw weicher Griffbereich
tariffCode: 82052000
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 355mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Klingenbreite: 25mm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2385.41 грн
EPC3630G-LFPCA Electronics, Inc.Description: POE FLYBACK XFM 24V, 84W
Packaging: Tray
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 250kHz
Type: For DC/DC Converters
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: Flyback Converters
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Intended Chipset: LT4295
Voltage - Primary: 40 ~ 57V
Voltage - Auxiliary: 24V
Footprint: 1.036" L x 1.250" W (26.31mm x 31.75mm)
Chipset Manufacturer: Analog Devices
Height - Seated (Max): 0.540" (13.72mm)
Inductance @ Frequency: 15µH @ 100kHz
Part Status: Active
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+889.34 грн
10+ 714.46 грн
25+ 572.51 грн
50+ 423.1 грн
100+ 326.68 грн
EPC3634AG-LFPCA Electronics, Inc.Description: POE FLYBACK XFM 12V, 36W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC3668G-LFPCA Electronics, Inc.Description: PUSH-PULL XFM. 0.75W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 300 ~ 620kHz
Type: For DC/DC Converters
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: Push-Pull Converters
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Intended Chipset: SN6501, SN6505B
Voltage - Primary: 5V
Voltage - Auxiliary: 5V
Footprint: 0.276" L x 0.433" W (7.01mm x 11.00mm)
Chipset Manufacturer: Texas Instruments
Height - Seated (Max): 0.165" (4.19mm)
Inductance @ Frequency: 1mH @ 10kHz
Part Status: Active
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.37 грн
5+ 120.99 грн
10+ 115.58 грн
25+ 98.96 грн
50+ 92.61 грн
100+ 89.44 грн
250+ 82.98 грн
600+ 73.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC4
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC46N70ATeledyne RelaysGeneral Purpose Relays
товар відсутній
EPC4QC100ALTERA
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100AlteraDescription: IC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP
товар відсутній
EPC4QC100ALTERA09+ QFP
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100IntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC4QC100Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 4Mb 66 MHz
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC4QC100ALTERATQFP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100ALTERA09+
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100AlteraDescription: CONFIGURATION MEMORY, 256KX16, P
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC4QC100ALTERAQFP
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100NALTERA
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100NALTERAPQFP
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC4QC100NALTERA901
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100NALTERATQFP
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100NIntelFlash 3.3V 4M-bit 100-Pin PQFP Tray
товар відсутній
EPC4QC100NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 4Mb 66 MHz
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC4QC100TAltera
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QI100ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QI100IntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC4QI100ALTERAPQFP
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QI100IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14)
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC4QI100NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC4QI100NAlteraEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC4QI100NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14)
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC4QI100NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 4Mb 66 MHz
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC4QI100NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC4SI8N-JHG0ALTERA06+ЧЦ?
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4SI8N-JHG2ALTERA07+ЧЦ?
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC5067J/CAT95+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC6-M5 фитинг
Код товару: 119211		Корпусні та встановлювальні вироби > Аксесуари до корпусів
товар відсутній
EPC600TriplettDescription: EPC600 ENVIRONMENTAL PARTICLE CO
Packaging: Box
Type: Air Quality
Includes: Adapter, Battery, Cable, Calibration Certificate, Filter, Tripod
For Measuring: Indoor Air Quality (IAQ)
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+121832.97 грн
EPC611 EVALUATION KITESPROS Photonics AGDescription: EPC611 EVALUATION KIT
Packaging: Box
Interface: UART, USB
Voltage - Supply: 5V, USB
Sensor Type: Light, 3D Time-of-Flight (ToF)
Utilized IC / Part: EPC611
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Accessories
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28093.27 грн
EPC611-CSP24-001ESPROS Photonics AGDescription: IC TIME-OF-FLIGHT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: 3D Time of Flight
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 8V ~ 9V
Pixel Size: 8µm x 8µm
Active Pixel Array: 8H X 8V
Frames per Second: 8000
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+486.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC611-CSP24-001ESPROS Photonics AGDescription: IC TIME-OF-FLIGHT
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: 3D Time of Flight
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 8V ~ 9V
Pixel Size: 8µm x 8µm
Active Pixel Array: 8H X 8V
Frames per Second: 8000
на замовлення 13143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.63 грн
10+ 646.8 грн
25+ 612.74 грн
100+ 495.17 грн
500+ 463.22 грн
EPC635-002 CC CHIP CARRIERESPROS Photonics AGDescription: EPC635-002 CC CHIP CARRIER
Packaging: Box
Sensor Type: Light, 3D Time-of-Flight (ToF)
Utilized IC / Part: EPC635
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5286.92 грн
EPC635-CSP44-002ESPROS Photonics AGDescription: IC TOF IMAGER 160X60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-XFBGA, CSPBGA
Type: CCD
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.63V
Pixel Size: 20µm x 20µm
Active Pixel Array: 160H x 60V
Supplier Device Package: 44-CSP (6.26x4.18)
Part Status: Obsolete
Frames per Second: 512
товар відсутній
EPC635-CSP44-002ESPROS Photonics AGDescription: IC TOF IMAGER 160X60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-XFBGA, CSPBGA
Type: CCD
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.63V
Pixel Size: 20µm x 20µm
Active Pixel Array: 160H x 60V
Supplier Device Package: 44-CSP (6.26x4.18)
Part Status: Obsolete
Frames per Second: 512
товар відсутній
EPC635-CSP44-003ESPROS Photonics AGDescription: IC TOF IMAGER 160X60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-XFBGA, CSPBGA
Type: CCD
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.98V
Pixel Size: 20µm x 20µm
Active Pixel Array: 160H x 60V
Supplier Device Package: 44-CSP (6.26x4.18)
Part Status: Active
Frames per Second: 512
товар відсутній
EPC635-CSP44-003ESPROS Photonics AGDescription: IC TOF IMAGER 160X60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-XFBGA, CSPBGA
Type: CCD
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.98V
Pixel Size: 20µm x 20µm
Active Pixel Array: 160H x 60V
Supplier Device Package: 44-CSP (6.26x4.18)
Part Status: Active
Frames per Second: 512
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2204.76 грн
10+ 1768.98 грн
25+ 1566.81 грн
100+ 1422.96 грн
EPC660 BC CHIP CARRIER – 320 X 240ESPROS Photonics AGDescription: 3D TOF IMAGER EPC660 BC 320 X 24
Packaging: Box
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7446.05 грн
10+ 5975.09 грн
25+ 5775.96 грн
EPC660 CC CHIP CARRIER – 320 X 240ESPROS Photonics AGDescription: 3D TOF IMAGER EPC660 CC 320 X 24
Packaging: Box
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8058.14 грн
10+ 7032.25 грн
25+ 6789.73 грн
EPC660 EVALUATION KIT EU & USESPROS Photonics AGDescription: EPC660 EVALUATION KIT EU & US
Packaging: Box
Interface: USB
Voltage - Supply: 24V
Sensor Type: Light, 3D Time-of-Flight (ToF)
Utilized IC / Part: epc660
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
Embedded: Yes, Other
Part Status: Active
товар відсутній
EPC660-007 CC CHIP CARRIER-001ESPROS Photonics AGDescription: EPC660-007 CC CHIP CARRIER-001
Packaging: Box
Type: 3D Time of Flight
Sensor Type: Light, 3D Time-of-Flight (ToF)
Active Pixel Array: 320H x 240V
Utilized IC / Part: epc660
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6800.98 грн
10+ 5458.01 грн
25+ 5276.02 грн
EPC660-CSP68-007ESPROS Photonics AGDescription: IC TOF IMAGER 320X240
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC660-CSP68-011ESPROS Photonics AGDescription: IC TOF IMAGER 320X240
Packaging: Tray
Package / Case: 68-XFBGA, CSPBGA
Type: CCD
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.63V
Pixel Size: 20µm x 20µm
Active Pixel Array: 320H x 240V
Supplier Device Package: 68-CSP (9.7x8.66)
Frames per Second: 158
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+5373.34 грн
18+ 4357.28 грн
27+ 4084.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
EPC700-CSP6-AESPROS Photonics AGDescription: IC OUTPUT DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Status Flag
Package / Case: 6-XFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: 1-Wire
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Low Side
Input Type: CMOS
Voltage - Load: 9.6V ~ 30V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 50mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-CSP (1.39x0.97)
Part Status: Active
товар відсутній
EPC7003ACEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 168 pF @ 50 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23118.01 грн
10+ 21320.95 грн
EPC7004BCEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 797 pF @ 50 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22237.08 грн
10+ 20056.35 грн
25+ 19302.31 грн
EPC7007BCEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 100 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23118.01 грн
10+ 21320.95 грн
EPC701-CSP6-AESPROS Photonics AGDescription: IC OUTPUT DRIVER
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: 1-Wire
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Low Side
Input Type: CMOS
Voltage - Load: 9.6V ~ 30V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 50mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-CSP (1.39x0.97)
товар відсутній
EPC7014UBCEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 140µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +7V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 30 V
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14035.76 грн
10+ 12944.68 грн
EPC7014UBSHEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 140µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 30 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18841.16 грн
10+ 17376.9 грн
EPC7018GCEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 50 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23118.01 грн
10+ 21320.95 грн
EPC7019GCEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 20 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23118.01 грн
10+ 21320.95 грн
EPC7020GCEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23118.01 грн
10+ 21320.95 грн
EPC7128SQC100-15ALTEPA06+
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC7C001EPC Space, LLCDescription: BD DEMO FBG04N30/GAM01P-C-PSE
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBG04N30
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+103604.6 грн
EPC7C002EPC Space, LLCDescription: BD DEMO FBG10N30/GAM01P-C-PSE
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBG10N30
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+103604.6 грн
EPC7C003EPC Space, LLCDescription: BD DEMO FBG20N18/GAM01P-C-PSE
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBG20N18
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+104640.65 грн
EPC8002EPCDescription: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 53079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.68 грн
10+ 172.09 грн
100+ 139.2 грн
500+ 116.13 грн
1000+ 99.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC8002EPCDescription: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+103.6 грн
5000+ 95.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC8002ENGREPCDescription: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC8002TENGREPCDescription: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8003ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8003TENGREPCDescription: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8004EPCDescription: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC8004EPCDescription: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 8503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.07 грн
10+ 166.89 грн
100+ 135.03 грн
500+ 112.64 грн
1000+ 96.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC8004ENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8004TENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8005ENGREPCDescription: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC8005TENGREPCDescription: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8007ENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8007TENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8008ENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8008TENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8009EPCDescription: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.63 грн
5000+ 102.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500