Продукція > FDG

Description: CONN INSERT SHELL PLUG CABLE

товар відсутній

FDG.1B.155.LNN

Description: MIDPIECE PAIR FOR FDG.1B.

товар відсутній

FDG.1B.304.CLAD52

Description: CONN INLINE PLUG 4PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.1B.304.CLAD52

Circular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4124.97 грн
5+	3945.12 грн
10+	3327.36 грн
25+	3222.87 грн

FDG.1B.306.CLAD62Z

Description: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.1B.306.CLAD72

Standard Circular Connector LBP KeyG 6C CHR 7.2mm D

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	4192.44 грн
5+	4065.29 грн
10+	3316.19 грн
25+	3285.96 грн
50+	3168.98 грн
100+	2896.24 грн
250+	2849.58 грн

FDG.1B.306.CLAD76

Description: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.1B.306.CLAD76

Circular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION

товар відсутній

FDG.1B.307.CLAD42

Description: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.1B.307.CLAD42Z

Description: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.1B.307.CLAD52

Description: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.1B.307.CLAD52Z

Description: CONN INLINE PLUG 7PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.1B.307.CLAM27Z

Description: CONN INLINE PLUG 7PIN

товар відсутній

FDG.1B.307.CYCD42Z

Description: CONN INLINE PLUG 7PIN CRIMP

товар відсутній

FDG.1B.308.CYCD72Z

Description: CONN INLINE PLUG 8PIN CRIMP

товар відсутній

FDG.1B.310.CLAD62

Circular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG.1B.310.CLAD62

Description: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.1B.310.CLAD72Z

Description: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.1B.310.CYCD62

Description: CONN INLINE PLUG 10PIN CRIMP

товар відсутній

FDG.1B.310.CYCD72Z

Description: CONN INLINE PLUG 10PIN CRIMP

товар відсутній

FDG.1B.310.CYCD72Z

Circular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION

товар відсутній

FDG.1B.314.CLAD52

Description: CONN INLINE PLUG 14PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.2B.110.CZZ

Description: CONN INSERT SHELL PLUG CABLE

товар відсутній

FDG.2B.155.LNN

Description: MIDPIECE PAIR FOR FDG.2B.

товар відсутній

FDG.2B.306.CLAD52

Description: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.2B.306.CLAZ

Description: CONN INLINE PLUG 6PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.2B.306.CYCD52Z

Description: CONN INLINE PLUG 6PIN CRIMP

товар відсутній

FDG.2B.308.CLAD52

Description: CONN INLINE PLUG 8PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.2B.310.CLAD62Z

Circular Push Pull Connectors STRAIGHT PLUG LONG VERSION

товар відсутній

FDG.2B.310.CLAD62Z

Description: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.2B.310.CLAD82

Description: CONN INLINE PLUG 10PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.2B.312.CLAD52

Description: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.2B.312.CLAD52Z

Description: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.2B.312.CLAD62

Description: CONN INLINE PLUG 12PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.2B.319.CLAD52

Description: CONN INLINE PLUG 19PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG.2B.326.CLAD82

Description: CONN INLINE PLUG 26PIN SLD CUP

товар відсутній

FDG1024NZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.2A; 0.36W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 389mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.6nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V

товар відсутній

FDG1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

218+	53.45 грн

Мінімальне замовлення: 218

FDG1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active

на замовлення 10076 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	41.23 грн
10+	34.37 грн
100+	23.82 грн
500+	18.68 грн
1000+	15.89 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDG1024NZ

товар відсутній

FDG1024NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 1.2A 6-Pin SC-70 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	48.85 грн
14+	43.1 грн
25+	42.27 грн
100+	32.12 грн
250+	29.1 грн
500+	21.97 грн
1000+	17.79 грн
3000+	16.54 грн
6000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDG1024NZ

MOSFET Dual PT4 N 20/8V

на замовлення 13621 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	44.93 грн
10+	38.24 грн
100+	23.07 грн
500+	19.65 грн
1000+	16.76 грн
3000+	14.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDG1024NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.66 грн
6000+	14.29 грн
9000+	13.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG30014

EUPEC

MODULE

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG311N

Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 1.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 10 V

на замовлення 65140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1466+	13.13 грн

Мінімальне замовлення: 1466

FDG311N

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG311N

MOSFET SC70-6 N-CH 20V

на замовлення 5592 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG311N

0452+

на замовлення 834 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG311N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.9A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG311N_Q

MOSFET SC70-6 N-CH 20V

товар відсутній

FDG312P

SOT363

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG312P

SOT-6

на замовлення 2012 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG312P

NAS

12/363

на замовлення 7580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG312P

MOSFET SC70-6 P-CH -20V

на замовлення 3578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG312P

Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V

на замовлення 140570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1787+	11.3 грн

Мінімальне замовлення: 1787

FDG312P

2002 TO23-6

на замовлення 25675 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG313N

02+ SOT-323-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG313N

NAS

12/363

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG313N

0701+P

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG313N

MOSFET SC70-6 N-CH 25V

на замовлення 4092 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG313N

Description: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

товар відсутній

FDG313N

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG313N

SOT363

на замовлення 471000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG313N

09+

на замовлення 60018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG313N

Description: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

товар відсутній

FDG313N-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG313N_D87Z

Description: MOSFET N-CH 25V 950MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V

товар відсутній

FDG314P

SOT363

на замовлення 174000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG314P

Description: MOSFET P-CH 25V 650MA SC88

товар відсутній

FDG314P

SOT23-6

на замовлення 22380 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG314P

Rochester Electronics, LLC

SOT23

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG314P

Description: MOSFET P-CH 25V 650MA SC88

на замовлення 335960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG314P-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG315N

Description: 2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 15 V

на замовлення 15935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1075+	19.91 грн

Мінімальне замовлення: 1075

FDG315N

Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG315N

Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG315N

MOSFET SC70-6 N-CH 30V

на замовлення 7813 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG316P

Trans MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG316P

Trans MOSFET P-CH 30V 1.6A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG316P

MOSFET SC70-6 P-CH -30V

на замовлення 4038 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG316P

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.6A; 0.75W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.6A
Power dissipation: 0.75W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDG316P

товар відсутній

FDG316P

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 15 V

на замовлення 2479 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1466+	13.13 грн

Мінімальне замовлення: 1466

FDG316P-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG318P-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG326P

SOT363

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG326P

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG326P

Rochester Electronics, LLC

SOT23-6

на замовлення 32193 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG326P

Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

на замовлення 690814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG326P

SOT23

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG326P

FAIRCH

0349+

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG326P

09+

на замовлення 2978 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG326P-NL

на замовлення 45000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG327N

MOSFET 20V N-Ch PowerTrench

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG327N

Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88

товар відсутній

FDG327N

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.42W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

FDG327N

Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG327N

Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 82 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG327N

товар відсутній

FDG327N-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG327NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88

на замовлення 18460 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG327NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG327NZ

MOSFET 20V N-Ch PowerTrench

на замовлення 7573 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG327NZ-NL

SOT-363 09+

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG328P

MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V

на замовлення 2680 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG328P

Description: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC88

товар відсутній

FDG328P

Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG328P-NL

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG329N

Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88

на замовлення 389160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG329N-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG330P

Description: MOSFET P-CH 12V 2A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V

на замовлення 219496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

807+	24.29 грн

Мінімальне замовлення: 807

FDG330P

Description: MOSFET P-CH 12V 2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V

товар відсутній

FDG330P

Description: ONSEMI - FDG330P - MOSFET, P, SMD, SC70-6
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 219496 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG330P

Trans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG330P

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 477 pF @ 6 V

на замовлення 30250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

807+	24.29 грн

Мінімальне замовлення: 807

FDG330P

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG330P

Trans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin SC-70 T/R

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG330P

MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V

товар відсутній

FDG330P-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG330P_Q

MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V

товар відсутній

FDG332PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V

на замовлення 2618 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1665+	11.82 грн

Мінімальне замовлення: 1665

FDG332PZ

MOSFET -20V P-Channel PowerTrench

товар відсутній

FDG332PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V

товар відсутній

FDG332PZ

Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 10 V

товар відсутній

FDG332PZ-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG332PZ_G

onsemi

товар відсутній

FDG361N

Description: ONSEMI - FDG361N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 98273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

821+	44.23 грн

Мінімальне замовлення: 821

FDG361N

Description: MOSFET N-CH 100V 600MA SC88
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153 pF @ 50 V

на замовлення 98273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

683+	29.67 грн

Мінімальне замовлення: 683

FDG361N-NL

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V

товар відсутній

FDG410NZ

MOSFET 20V Single NChannel PowerTrench MOSFET

на замовлення 13975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG410NZ

Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V

товар відсутній

FDG6301N

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)

на замовлення 69579 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.73 грн
13+	22.59 грн
100+	15.67 грн
500+	11.48 грн
1000+	9.33 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDG6301N

Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	43.94 грн
16+	38.09 грн
30+	19.81 грн

Мінімальне замовлення: 14

FDG6301N

Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.51 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6301N

Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6301N

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.4nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 155 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

13+	21.94 грн
25+	17.32 грн
69+	14.11 грн
188+	13.34 грн
3000+	12.82 грн

Мінімальне замовлення: 13

FDG6301N

Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 6620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.91 грн
500+	13.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDG6301N

Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.25 грн
6000+	16.94 грн
12000+	9.97 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6301N

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)

на замовлення 69224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.23 грн
6000+	8.44 грн
9000+	7.83 грн
30000+	7.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6301N

Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6301N

Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6301N

Description: ONSEMI - FDG6301N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.03 грн
29+	26.25 грн
100+	17.03 грн
500+	12.32 грн

Мінімальне замовлення: 23

FDG6301N

Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6301N

Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.85 грн
6000+	9.64 грн
9000+	9.5 грн
15000+	9.1 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6301N

MOSFET SC70-6 N-CH 25V

на замовлення 98769 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.98 грн
13+	25.09 грн
100+	15.18 грн
500+	11.76 грн
1000+	9.66 грн
3000+	7.69 грн
9000+	7.49 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDG6301N

на замовлення 155 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

21+	18.28 грн
25+	13.9 грн
69+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 21

FDG6301N-F085

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

товар відсутній

FDG6301N-F085

Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6301N-F085

MOSFET Dual N-Chan Digital MOSFET; Automotive

на замовлення 251908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG6301N-F085

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V

товар відсутній

FDG6301N-F085

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

товар відсутній

FDG6301N-F085

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 7Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

FDG6301N-F085P

MOSFET N-Channel Power Mosfet

на замовлення 17000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG6301N-F085P

Description: DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM

товар відсутній

FDG6301N-F085P

Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6301N-G

DUAL N-CHANNEL, DIGITAL FET

товар відсутній

FDG6301N-G

товар відсутній

FDG6301N-NL

09+ LQFP64

на замовлення 830 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6301N-NL

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6301N/01

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6301NSOT363-01PB-FREE

FAIRCHLD

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6301N_D87Z

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

товар відсутній

FDG6301N_F085

Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6301N_F085

на замовлення 8800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6301N_F085

Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A Automotive 6-Pin SC-70 T/R

на замовлення 626 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	37.13 грн
20+	28.83 грн
25+	27.76 грн
100+	16.64 грн
250+	15.26 грн
500+	13.44 грн

Мінімальне замовлення: 16

FDG6301N_Q

MOSFET SC70-6 N-CH 25V

товар відсутній

FDG6302P

Trans MOSFET P-CH 25V 0.14A 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6302P

на замовлення 105000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6302P

Description: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

на замовлення 416384 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1312+	16.5 грн

Мінімальне замовлення: 1312

FDG6302P

Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6

товар відсутній

FDG6302PNL

на замовлення 6437 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6303/03

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6303H

07+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6303H

07+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6303N

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: DMOS
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1.3A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 770mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level

на замовлення 1725 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	24.77 грн
30+	12.87 грн
85+	9.33 грн
235+	8.82 грн

Мінімальне замовлення: 15

FDG6303N

Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6303N

Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)

на замовлення 37650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.22 грн
6000+	7.59 грн
9000+	6.83 грн
30000+	6.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6303N

на замовлення 1725 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

10+	29.73 грн
25+	16.04 грн
85+	11.19 грн
235+	10.58 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDG6303N

Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.45 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 500
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDG6303N

Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6303N

Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6303N

Description: MOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)

на замовлення 38610 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.86 грн
13+	22.73 грн
100+	13.66 грн
500+	11.86 грн
1000+	8.07 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDG6303N

MOSFET SC70-6 N-CH 25V

на замовлення 64553 шт:

термін постачання 422-431 дні (днів)

10+	33.51 грн
12+	26.45 грн
100+	14.66 грн
1000+	8.81 грн
3000+	7.56 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDG6303N

Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 16670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	36.12 грн
27+	27.72 грн
100+	13.71 грн
500+	12.46 грн

Мінімальне замовлення: 21

FDG6303N-D87Z

Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6303N-F169

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6

товар відсутній

FDG6303N-NL

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6303N_D87Z

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6

товар відсутній

FDG6303N_G

Description: INTEGRATED CIRCUIT

товар відсутній

FDG6303N_NL

07+;

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6304P

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -0.41A; 0.3W; SC70-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -0.41A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC70-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1910 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

10+	29.11 грн
25+	24.06 грн
62+	15.31 грн
170+	14.47 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDG6304P

Description: ONSEMI - FDG6304P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 25 V, 410 mA, 410 mA, 0.85 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 410mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.85ohm
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 820mV
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.85ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 15583 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.65 грн
27+	27.72 грн
100+	21.16 грн
500+	15.75 грн
1000+	11.18 грн

Мінімальне замовлення: 22

FDG6304P

Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.72 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6304P

Trans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6304P

MOSFET SC70-6 P-CH -25V

на замовлення 8135 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	38.49 грн
10+	32.95 грн
100+	19.91 грн
500+	15.58 грн
1000+	12.68 грн
3000+	10.71 грн
9000+	10.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDG6304P

на замовлення 1910 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	24.26 грн
25+	19.3 грн
62+	12.76 грн
170+	12.06 грн

Мінімальне замовлення: 16

FDG6304P

Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)

на замовлення 9775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	36.26 грн
10+	29.64 грн
100+	22.13 грн
500+	16.32 грн
1000+	12.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDG6304P

Trans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6304P

Trans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6304P(PBF)

на замовлення 201000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6304P-D87Z

Trans MOSFET P-CH 25V 0.41A 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6304P-F169

P-Channel MOSFET

товар відсутній

FDG6304P-F169

Description: INTEGRATED CIRCUIT

товар відсутній

FDG6304P-X

Description: INTEGRATED CIRCUIT

товар відсутній

FDG6304P/.04

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6304P_D87Z

Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6

товар відсутній

FDG6306P

MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V

на замовлення 113789 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG6306P

Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6306P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

товар відсутній

FDG6306P

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6306P

Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6306P

Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 51000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6306P

Description: ONSEMI - FDG6306P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SC-70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 300mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 111530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	48.36 грн
19+	39.66 грн
100+	26.76 грн
500+	15.2 грн
3000+	13.78 грн
9000+	13.46 грн
24000+	13.21 грн
45000+	12.89 грн

Мінімальне замовлення: 16

FDG6306P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

товар відсутній

FDG6308P

Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6308P

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.6A; 0.3W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 2.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: -0.6A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±8V

товар відсутній

FDG6308P

Description: ONSEMI - FDG6308P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.27 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 600
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDG6308P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

на замовлення 5928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6308P

MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench

на замовлення 2910 шт:

термін постачання 336-345 дні (днів)

9+	37.11 грн
10+	35.14 грн
3000+	10.12 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDG6308P

Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6308P

товар відсутній

FDG6308P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6308P_NL

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6313N

Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

FDG6313N

Trans MOSFET N-CH 25V 0.5A 6-Pin SC-70

товар відсутній

FDG6314P

Description: MOSFET 2P-CH 25V SC70-6

товар відсутній

FDG6316P

SOT-363 2010+

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6316P

MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V

на замовлення 33133 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.21 грн
14+	22.37 грн
100+	14.85 грн
500+	11.7 грн
1000+	9.46 грн
3000+	7.43 грн
9000+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDG6316P

09+

на замовлення 48018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6316P

Trans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6316P

Description: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6316P

SOT

на замовлення 86200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6316P

Trans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6316P

09+ SOP

на замовлення 833 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6316P

SOT363

на замовлення 27500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6316P

Description: ONSEMI - FDG6316P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 700 mA, 0.221 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 700
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.221
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

FDG6316P

Trans MOSFET P-CH 12V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6316P

Description: MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6

на замовлення 3620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6316P

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6316P-NL

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6316P/16

09+

на замовлення 5218 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6316P\16

SOT-363

на замовлення 5300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6317NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6317NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6317NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active

на замовлення 3851 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.15 грн
14+	19.78 грн
100+	9.98 грн
500+	8.3 грн
1000+	6.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDG6317NZ

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.7A; 0.3W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.56Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 5 шт

товар відсутній

FDG6317NZ

Description: ONSEMI - FDG6317NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.3 ohm
tariffCode: 85412100
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: SC-70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 300mW
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 53305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	36.86 грн
28+	26.76 грн
100+	14.89 грн
500+	9.65 грн
1000+	6.82 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDG6317NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6317NZ

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6317NZ

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6317NZ

MOSFET Dual 20V N-Channel PowerTrench

на замовлення 43417 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	30.67 грн
13+	23.35 грн
100+	12.62 грн
1000+	6.57 грн
3000+	5.91 грн
9000+	5.13 грн
24000+	4.8 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDG6317NZ

товар відсутній

FDG6318P

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6318P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6

на замовлення 2312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6318P

MOSFET Dual PCh Digital

на замовлення 24 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG6318P

SOT-363 0245+

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6318P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6

товар відсутній

FDG6318P

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6

на замовлення 2312 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6318P

05+

на замовлення 12500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6318P/.38

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6318PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6318PZ

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6

товар відсутній

FDG6318PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6318PZ

Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6318PZ

MOSFET Dual PCh Digital

на замовлення 79730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG6318PZ-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6320C

Description: ONSEMI - FDG6320C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 220 mA, 4 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 220
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

FDG6320C

Description: MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88

товар відсутній

FDG6320C

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6320C

09+

на замовлення 3018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6320C

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6320C

FAIRCHLD

SOT-363

на замовлення 72000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6320C

MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG6320C

Description: MOSFET N/P-CH 25V 220/140MA SC88

товар відсутній

FDG6320C

Description: DUAL N & P CHANNEL DIGITAL FET 2

товар відсутній

FDG6320C

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.14A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6320C

2004

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6320C-NL

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6320C_D87Z

Description: MOSFET N/P-CH 25V SC70-6

товар відсутній

FDG6321C

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6321C

MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH

на замовлення 13798 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.8 грн
10+	31.89 грн
100+	19.32 грн
500+	15.12 грн
1000+	12.29 грн
3000+	10.38 грн
9000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDG6321C

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6321C

Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)

на замовлення 33244 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	34.12 грн
10+	28.41 грн
100+	19.78 грн
500+	14.5 грн
1000+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 9

FDG6321C

FDG6321C Multi channel transistors

на замовлення 2794 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	36.8 грн
61+	15.87 грн
166+	15.01 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDG6321C

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6321C

Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.66 грн
6000+	10.65 грн
9000+	9.89 грн
30000+	9.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6321C-F169

Description: DUAL N & P CHANNEL DIGITAL FET 2

товар відсутній

FDG6321C_NL

на замовлення 1270000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6322

00+

на замовлення 12010 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6322C

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 0.4/1.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.22/0.41A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
On-state resistance: 7/1.9Ω
Gate-source voltage: ±8/±8V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2863 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

8+	37.51 грн
25+	21.33 грн
64+	14.42 грн
176+	13.64 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDG6322C

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 3342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	29.36 грн
23+	25.37 грн
25+	25.15 грн
100+	18.73 грн
250+	17.2 грн
500+	13.18 грн
1000+	10.32 грн
3000+	9.93 грн

Мінімальне замовлення: 20

FDG6322C

Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	18.14 грн
500+	13.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

FDG6322C

Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active

на замовлення 31812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.15 грн
12+	23.89 грн
100+	16.63 грн
500+	12.19 грн
1000+	9.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDG6322C

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 3342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

385+	30.32 грн
508+	22.92 грн
514+	22.69 грн
643+	17.46 грн
1000+	12.56 грн
3000+	10.9 грн

Мінімальне замовлення: 385

FDG6322C

на замовлення 2863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	31.26 грн
25+	17.11 грн
64+	12.01 грн
176+	11.36 грн

Мінімальне замовлення: 12

FDG6322C

на замовлення 55000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6322C

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6322C

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6322C

на замовлення 1685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.03 грн
29+	26.02 грн
100+	18.14 грн
500+	13.14 грн

Мінімальне замовлення: 23

FDG6322C

MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH

на замовлення 90432 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.36 грн
12+	25.92 грн
100+	16.17 грн
500+	12.62 грн
1000+	10.19 грн
3000+	8.61 грн
9000+	8.02 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDG6322C

Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.8 грн
6000+	8.96 грн
9000+	8.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6322C

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.82 грн
6000+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6322C

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.97 грн
6000+	11.25 грн
9000+	11.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6322C-D87Z

Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6322C/22

09+

на замовлення 227418 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6322C_D87Z

Description: MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDG6322C_Q

MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH

товар відсутній

FDG6323

fairchild

04+ SOT363

на замовлення 66100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6323L

0345+ SOT

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6323L

Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88

товар відсутній

FDG6323L

Power Switch Hi Side 1-OUT 0.27A 0.58Ohm 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6323L

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6323L

Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88

товар відсутній

FDG6323L

Power Switch Hi Side 1-OUT 0.27A 0.58Ohm 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6323L

SO363

на замовлення 1450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6323L

Power Switch ICs - Power Distribution SC70-6 LD SW 2.5-8V

на замовлення 8011 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG6323L-F169

Description: IC PWR DRIVER P-CHANNEL 1:1 SC88

товар відсутній

FDG6323L_D87Z

Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC88

товар відсутній

FDG6324L

Power Switch ICs - Power Distribution SC70-6 LD SW 3-20V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG6324L

05+

на замовлення 6609 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6324L

Description: BUFFER/INVERTER BASED PERIPHERAL

товар відсутній

FDG6324L

Power Switch Hi Side 1-OUT 0.27A 0.58Ohm 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6331L

Description: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6

на замовлення 13543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6331L

Power Switch ICs - Power Distribution Integ. Load Switch

на замовлення 14999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG6331L

на замовлення 44999 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6331L

SO-6 05+ LF

на замовлення 1851 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6331L

Description: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6331L

Power Switch Hi Side 1-OUT 0.8A 0.38Ohm 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6331L

Description: IC LOAD SWITCH INT 8V SC70-6

на замовлення 13543 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6331L

05+ LF SO-6

на замовлення 1851 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6331L/.31

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6332C

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.74 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6332C

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6332C

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.62 грн
6000+	9.71 грн
9000+	9.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6332C

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.78 грн
9000+	10.49 грн
24000+	10.08 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6332C

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6332C

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6332C

MOSFET 20V N&P-Channel Power Trench

на замовлення 8783 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39.95 грн
11+	27.81 грн
100+	17.94 грн
500+	15.05 грн
1000+	12.09 грн
3000+	10.25 грн
9000+	9.07 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDG6332C

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.82 грн
9000+	10.52 грн
24000+	10.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6332C

Description: ONSEMI - FDG6332C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1710 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.01 грн
25+	30.3 грн
100+	20.13 грн
500+	15.68 грн

Мінімальне замовлення: 17

FDG6332C

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA, 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active

на замовлення 13373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.28 грн
11+	25.95 грн
100+	18.03 грн
500+	13.21 грн
1000+	10.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

FDG6332C-F085

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6332C-F085

MOSFET 20V N&P Chan PowerTrench

на замовлення 17960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG6332C-F085

Description: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 700
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1
Bauform - Transistor: SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDG6332C-F085

товар відсутній

FDG6332C-F085

Description: ONSEMI - FDG6332C-F085 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 700 mA, 0.18 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

FDG6332C-F085P

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

FDG6332C-F085P

P Channel MOSFET

товар відсутній

FDG6332C-F085P

MOSFET DUAL NP MOS SC70-6 20V

товар відсутній

FDG6332C-PG

20V/12V 300/400/420/630MO

товар відсутній

FDG6332C-PG

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V, 420mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete

товар відсутній

FDG6332C_F085

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6332C_F085

Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.7A/0.6A Automotive 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6335N

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6335N

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.29 грн
6000+	12.27 грн
9000+	11.48 грн
24000+	10.83 грн
30000+	10.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6335N

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	34.36 грн
20+	30.03 грн
25+	28.19 грн
100+	21.11 грн
250+	19.35 грн
500+	15.02 грн

Мінімальне замовлення: 17

FDG6335N

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active

товар відсутній

FDG6335N

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.49 грн
18000+	16.9 грн
36000+	15.73 грн
54000+	14.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6335N

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.1 грн
6000+	14.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6335N

MOSFET FDG6335N

на замовлення 2653 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39.26 грн
10+	32.88 грн
100+	21.42 грн
500+	16.89 грн
1000+	13.54 грн
3000+	11.83 грн
9000+	9.92 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDG6335N

Description: ONSEMI - FDG6335N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 17030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.97 грн
20+	37.08 грн
100+	24.99 грн
500+	14.99 грн
3000+	10.74 грн
9000+	9.92 грн

Мінімальне замовлення: 17

FDG6335N

FDG6335N Multi channel transistors

на замовлення 2478 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

11+	26.28 грн
55+	17.74 грн
149+	16.76 грн

Мінімальне замовлення: 11

FDG6335N

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6335N

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 84000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

FDG6335N

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

товар відсутній

FDG6335N

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 113pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	41.23 грн
10+	34.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

FDG6335N

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

315+	37 грн

Мінімальне замовлення: 315

FDG6335N/35

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FDG6342L

Description: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6

на замовлення 20237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6342L

Power Switch ICs - Power Distribution Integ Load Switch

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

FDG6342L

Power Switch Hi Side 1-OUT 1.5A 3.3Ohm 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG6342L

Description: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG6342L

Description: IC LOAD SWITCH INTEGRATED SC70-6

на замовлення 20237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG8842CZ

Description: MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6

товар відсутній

FDG8842CZ

Trans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG8842CZ

MOSFET Q1:30V/Q2: -25V Cmpl PowerTrench MOSFET

на замовлення 14500 шт:

термін постачання 607-616 дні (днів)

8+	42.09 грн
3000+	13.68 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDG8842CZ

Description: MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6

товар відсутній

FDG8842CZ

Trans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

FDG8842CZ

Trans MOSFET N/P-CH 30V/25V 0.75A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R

товар відсутній

FDG8850NZ

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.75A; 0.36W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1.44nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363

товар відсутній

FDG8850NZ

Description: MOSFET 2N-CH 30V 750MA SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 750mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)

на замовлення 24305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	36.26 грн
10+	29.57 грн
100+	20.59 грн
500+	15.08 грн
1000+	12.26 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDG8850NZ

Description: ONSEMI - FDG8850NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 750 mA, 0.25 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.25ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 13835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.16 грн
23+	33.1 грн
100+	22.56 грн
500+	16.5 грн

Мінімальне замовлення: 17

FDG8850NZ

MOSFET 30V Dual N-CH PowerTrench MOSFET

на замовлення 131557 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39.26 грн
10+	30.46 грн
100+	19.72 грн
500+	15.51 грн
1000+	12.36 грн
3000+	10.71 грн
9000+	9.92 грн

Мінімальне замовлення: 8

FDG8850NZ