Продукція > FDV

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDV045P20LON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.15A SOT23
на замовлення 171000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDV045P20LON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 1.15A SOT23
на замовлення 173809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDV045P20LON Semiconductor / FairchildMOSFET CSP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDV0530-4R7M
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530-H-1R0M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
FDV0530-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 11.2mOhms 8.4A +/-20%
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDV0530-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 15.5mOhms 5.7A +/-20%
товар відсутній
FDV0530-H-1R5M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
FDV0530-H-2R2M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 2.2UH 6A 19.9MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.244" L x 0.228" W (6.20mm x 5.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 19.9mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 5.3A
Material - Core: Metal
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.118" (3.00mm)
Part Status: Not For New Designs
Inductance: 2.2 µH
Current Rating (Amps): 6 A
товар відсутній
FDV0530-H-2R2M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 6A 0.0199Ohm DCR 2423 T/R
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+82.74 грн
10+ 77.2 грн
25+ 76.53 грн
50+ 73.16 грн
100+ 50.49 грн
250+ 48.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDV0530-H-2R2M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 6A 0.0199Ohm DCR 2423 T/R
товар відсутній
FDV0530-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 19.9mOhms 5.3A +/-20%
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDV0530-H-3R3M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
FDV0530-H-3R3M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 4.5A 0.0341Ohm DCR 2423 T/R
товар відсутній
FDV0530-H-3R3M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 4.5A 0.0341Ohm DCR 2423 T/R
товар відсутній
FDV0530-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0518-H-3R3MP3
товар відсутній
FDV0530-H-3R3M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 4.5A 0.0341Ohm DCR 2423 T/R
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+15.01 грн
100+ 14.23 грн
250+ 13.17 грн
500+ 12.25 грн
1000+ 12.1 грн
Мінімальне замовлення: 39
FDV0530-H-3R3M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 4.5A 0.0341Ohm DCR 2423 T/R
товар відсутній
FDV0530-H-4R7M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 100KHz Metal 3.6A 0.0536Ohm DCR 2423 T/R
товар відсутній
FDV0530-H-4R7M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 100KHz Metal 3.6A 0.0536Ohm DCR 2423 T/R
товар відсутній
FDV0530-H-4R7M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 100KHz Metal 3.6A 0.0536Ohm DCR 2423 T/R
товар відсутній
FDV0530-H-4R7M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
FDV0530-H-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 4.7uH 53.6mOhms 3.5A +/-20%
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDV0530-H-R11M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
FDV0530-H-R11M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.11uH 1.6mOhm 19.6A +/-20%
товар відсутній
FDV0530-H-R20M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.2uH 2.4mOhm 17.5A +/-20%
товар відсутній
FDV0530-H-R20M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
FDV0530-H-R36M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
FDV0530-H-R36M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.36uH 4.1mOhm 12.6A +/-20%
товар відсутній
FDV0530-H-R56M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.56uH 6.3mOhm 11.3A +/-20%
товар відсутній
FDV0530-H-R56M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
FDV0530-H-R75M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
FDV0530-H-R75M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.75uH 7.6mOhm 9.9A +/-20%
товар відсутній
FDV0530S-1R0MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530S-1R5MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530S-2R2MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530S-H-1R0M=P3Murata ElectronicsPower Inductors - SMD SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0518-H-1R0MP3
товар відсутній
FDV0530S-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0518-H-1R5MP3
товар відсутній
FDV0530S-H-2R2M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 4.3A 0.034Ohm DCR 2020 T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+39.19 грн
302+ 38.57 грн
307+ 37.95 грн
312+ 36.01 грн
317+ 32.79 грн
500+ 30.96 грн
Мінімальне замовлення: 298
FDV0530S-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 34mOhms 4.5A +/-20%
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDV0530S-H-2R2M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 4.3A 0.034Ohm DCR 2020 T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+36.39 грн
25+ 35.81 грн
50+ 33.98 грн
100+ 30.97 грн
250+ 29.23 грн
500+ 28.74 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDV0530S-H-R12M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.12uH 3.9mOhms 18A +/-20%
товар відсутній
FDV0530S-H-R24M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 5.6mOhms 13A +/-20%
товар відсутній
FDV0530S-H-R42M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.42uH 9.8mOhms 9A +/-20%
товар відсутній
FDV0530S-H-R60M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.6uH 12mOhms 7.9A +/-20%
товар відсутній
FDV0530S-H-R60M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 0.6uH 20% 100KHz Metal 7.2A 0.012Ohm DCR 2020 T/R
товар відсутній
FDV0530S-H-R78M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.78uH 14mOhms 7.1A +/-20%
товар відсутній
FDV0530S-R12MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530S-R24MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530S-R42MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530S-R60MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0530S-R78MTOKOSMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0618-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0630-H-1R0MP3
товар відсутній
FDV0618-H-1R5N=P3Murata ElectronicsFixed Inductors SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0630-H-1R5NP3
товар відсутній
FDV0618-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 34mOhms 5.3A +/-20%
товар відсутній
FDV0618-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 3.3uH 48mOhms 4.1A +/-20%
товар відсутній
FDV0618-H-R24N=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.24uH 4.5mOhms 14A +/-30%
товар відсутній
FDV0618-H-R35N=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.35uH 6.8mOhms 11A +/-30%
товар відсутній
FDV0618-H-R68M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.68uH 10mOhms 9.8A +/-20%
товар відсутній
FDV0620-1R0M=P3
на замовлення 20640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0620-H-1R0M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.0uH 18mOhms 7.7A +/-20%
товар відсутній
FDV0620-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 26mOhms 6A +/-20%
товар відсутній
FDV0620-H-2R2M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товар відсутній
FDV0620-H-2R2M=P3TOKO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0620-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 37mOhms 5.1A +/-20%
товар відсутній
FDV0620-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 3.3uH 51mOhms 4.2A +/-20%
товар відсутній
FDV0620-H-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 4.7uH 68mOhms 3.5A +/-20%
товар відсутній
FDV0620-H-R20M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.2uH 4.5mOhms 16.2A +/-20%
товар відсутній
FDV0620-H-R20M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товар відсутній
FDV0620-H-R47M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.47uH 8.3mOhms 11A +/-20%
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDV0620-H-R68M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 0.68uH 10mOhms 10A +/-20%
товар відсутній
FDV0630-2R2M=P3TOKO
на замовлення 15041 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0630-3R3M=P3
на замовлення 26750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0630-4R3M=P3
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0630-4R7M=P3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0630-6R8M=P3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0630-K4R7M=P3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0630-R20M=P3
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV0630-R47M=P3
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV10-250Q3MDescription: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Yellow
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 10-12 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.950" (24.13mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.72 грн
10+ 48.81 грн
25+ 46.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDV1040-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 4.4mOhms 15.7A +/-20%
товар відсутній
FDV1040-1R5M=P3
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV1040-2R2M=P3TOKO10*11.2*4.0 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV1040-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 7.7mOhms 13.1A +/-20%
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDV1040-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 3.3uH 11.5mOhm 11.2A +/-20%
товар відсутній
FDV1040-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 4.7uH 14.3mOhms 9.6A +/-20%
товар відсутній
FDV14-187L3MQuick Disconnect Terminal 14-16AWG F Bag
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5210.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDV14-187Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT VNYL INS HIGHLAND BAG, 25/BA
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+921.6 грн
10+ 805.65 грн
30+ 673.62 грн
100+ 610.53 грн
250+ 556.64 грн
500+ 520.5 грн
1000+ 477.78 грн
FDV14-187Q3MDescription: FEMALE DISCONNECT VINYL INS
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.020" (0.51mm)
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.61 грн
10+ 44.43 грн
25+ 40.61 грн
50+ 35.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDV14-250Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT VNYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+921.6 грн
10+ 805.65 грн
30+ 673.62 грн
100+ 610.53 грн
250+ 556.64 грн
500+ 520.5 грн
1000+ 477.78 грн
FDV14-250Q3MDescription: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Blue
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 14-16 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+48.34 грн
25+ 37.49 грн
100+ 33.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDV16-8403--AKyocera AVX ComponentsCap Film 0.04 uF, 10%
товар відсутній
FDV16L0206KKyocera AVX ComponentsCap Film 20uF 1000V PP 10% (28 X 62mm) Axial 85C Bulk
товар відсутній
FDV16L0206K--KYOCERA AVXFilm Capacitors
товар відсутній
FDV16L0406K--AVXCap Film 40uF 1000V PP 10% (37 X 62mm) Axial 85C Bulk
товар відсутній
FDV16L0606KKyocera AVX ComponentsCap Film 60uF 1000V PP 10% (44 X 62mm) Axial 85C Bulk
товар відсутній
FDV16L0806KKyocera AVX ComponentsCap Film 80uF 1000V PP 10% (50 X 62mm) Axial 85C Bulk
товар відсутній
FDV16Q0206K--Kyocera AVX ComponentsCap Film 20uF 1400V PP 10% (35 X 62mm) Axial 85C Bulk
товар відсутній
FDV16Q0206K--Kyocera AVXFilm Capacitors 1400V 20uF 10% Radial
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8490.69 грн
10+ 7937.1 грн
FDV16Q0306K--Kyocera AVX ComponentsCap Film 30uF 1400V PP 10% (41 X 62mm) Axial 85C Bulk
товар відсутній
FDV16Q0306K--KYOCERA AVXFilm Capacitors
товар відсутній
FDV16S0256KKyocera AVX ComponentsCap Film 25uF 1700V PP 10% (44 X 62mm) Axial 85C Bulk
товар відсутній
FDV16S0356KKyocera AVX ComponentsCap Film 35uF 1700V PP 10% (51 X 62mm) Axial 85C Bulk
товар відсутній
FDV16S0505KKyocera AVX ComponentsCap Film 5uF 1700V PP 10% (24 X 62mm) Axial 85C Bulk
товар відсутній
FDV18-187Q3MDescription: FEMALE DISCONNECT VINYL INS
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.780" (19.81mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.020" (0.51mm)
Tab Width: 0.187" (4.75mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.61 грн
10+ 44.43 грн
25+ 40.61 грн
50+ 35.87 грн
100+ 34.38 грн
250+ 31.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDV18-187Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT VNYL INS HIGHLAND BAG, 25/BA
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+921.6 грн
10+ 805.65 грн
30+ 673.62 грн
100+ 610.53 грн
250+ 556.64 грн
500+ 520.5 грн
1000+ 477.78 грн
FDV18-250Q3M Electronic SpecialtyTerminals FEM DISCNCT VNYL INS HIGHLAND BAG, 25/BAG
товар відсутній
FDV18-250Q3MDescription: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC
Packaging: Bulk
Features: Butted Seam
Gender: Female
Contact Finish: Tin
Color: Red
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 18-22 AWG
Insulation: Non-Mating End Insulated
Terminal Type: Standard
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Termination: Crimp
Tab Thickness: 0.032" (0.81mm)
Tab Width: 0.250" (6.35mm)
Contact Material: Brass
Part Status: Active
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.61 грн
10+ 44.43 грн
25+ 40.61 грн
50+ 35.87 грн
100+ 34.38 грн
250+ 31.39 грн
500+ 29.4 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDV301FAIRCHILD07+ SOT-23
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301N
Код товару: 115435		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3007+3.87 грн
9000+ 3.02 грн
24000+ 2.94 грн
45000+ 2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3007
FDV301NON-SemicoductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV301NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 552000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.6 грн
6000+ 3.22 грн
9000+ 2.67 грн
30000+ 2.46 грн
75000+ 2.21 грн
150000+ 1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV301NON-SemicoductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 19140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 300
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 58800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.41 грн
9000+ 2.81 грн
24000+ 2.2 грн
45000+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV301N
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 681000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.65 грн
45000+ 2.43 грн
120000+ 2.38 грн
225000+ 2.17 грн
Мінімальне замовлення: 15000
FDV301NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV301N Onsemi; FDV301N UMW TFDV301n UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3172+3.67 грн
9000+ 3.03 грн
24000+ 2.37 грн
45000+ 2.26 грн
Мінімальне замовлення: 3172
FDV301NFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 220 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 9,5 @ 10; Qg, нКл = 0,7 @ 4,5 В; Rds = 4 Ом @ 400 мА, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,06 @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
417+1.5 грн
445+ 1.4 грн
482+ 1.29 грн
Мінімальне замовлення: 417
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 113363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDV301Nonsemi / FairchildMOSFET N-Ch Digital
на замовлення 999805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.54 грн
21+ 14.89 грн
100+ 5.65 грн
1000+ 3.88 грн
3000+ 3.09 грн
9000+ 2.56 грн
24000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.71 грн
34+ 17.38 грн
100+ 7.16 грн
1000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 23
FDV301NON-SemicoductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 833 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 300
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDV301NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 7647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
89+4.19 грн
105+ 3.28 грн
264+ 3.04 грн
500+ 2.94 грн
726+ 2.88 грн
3000+ 2.77 грн
Мінімальне замовлення: 89
FDV301NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
на замовлення 554116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+21.33 грн
20+ 14.17 грн
100+ 6.91 грн
500+ 5.41 грн
1000+ 3.76 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDV301NON-SemicoductorN-MOSFET 0.22A 25V 0.35W 4Ω FDV301N TFDV301n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 300
FDV301NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.9 грн
9000+ 3.03 грн
24000+ 2.96 грн
45000+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV301NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.22A; 0.35W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
On-state resistance: 9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7647 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
53+5.02 грн
100+ 4.09 грн
264+ 3.65 грн
500+ 3.53 грн
726+ 3.45 грн
3000+ 3.32 грн
Мінімальне замовлення: 53
FDV301NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV301N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 220 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 113363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.73 грн
42+ 17.62 грн
100+ 10.25 грн
500+ 9.31 грн
Мінімальне замовлення: 29
FDV301N SOT23-01FAIRCHILD
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301N SOT23-01FAIRCHILD
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
товар відсутній
FDV301N-NB9V005ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
товар відсутній
FDV301N-NB9V008ON SemiconductorDigital FET , N-Channel
товар відсутній
FDV301N-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301N-NLFAIRCHILDSOT23
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301N-NLFAIRCHILDSOT-23 0812+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301N-NLON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDV301NCT
Код товару: 121839		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDV301NSOT23-301FAIRCHLD
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301N_D87ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.06V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 10 V
товар відсутній
FDV301N_NB9V005Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDV301N_NB9V005ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDV301N_NB9V005ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.22A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDV301N_NL
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV301N_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch Digital
товар відсутній
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDV302P
Код товару: 105837		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FDV302POn Semiconductor/FairchildSOT23-3
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDV302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
товар відсутній
FDV302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDV302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDV302PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV302P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 120 mA, 7.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: -
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDV302Ponsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
товар відсутній
FDV302PFairchildP-MOSFET 0.12A 25V 0.35W 10Ω FDV302P TFDV302p
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDV302PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
товар відсутній
FDV302PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDV302P-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDV302P-NB8V001ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
товар відсутній
FDV302P-NB8V001onsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
товар відсутній
FDV302P-NLON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDV302P-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV302P_D87Zonsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
товар відсутній
FDV302P_D87ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 10 V
товар відсутній
FDV302P_NB8V001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
товар відсутній
FDV302P_NLonsemi / FairchildMOSFET 25V P-CH. FET, 10 O, SOT23
товар відсутній
FDV302P_Qonsemi / FairchildMOSFET Digital FET P-Ch
товар відсутній
FDV303NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+26.45 грн
14+ 18.77 грн
25+ 10.1 грн
100+ 7.56 грн
186+ 5.18 грн
508+ 4.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.14 грн
12000+ 5.61 грн
24000+ 5.22 грн
36000+ 4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV303NON-SemicoductorN-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1739+6.7 грн
Мінімальне замовлення: 1739
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+2.6 грн
Мінімальне замовлення: 118
FDV303NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV303N Onsemi; FDV303N UMW TFDV303n UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDV303NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 53583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.3 грн
16+ 17.73 грн
100+ 8.97 грн
500+ 6.87 грн
1000+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDV303NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.68A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.68A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.04 грн
23+ 15.06 грн
41+ 8.42 грн
100+ 6.3 грн
186+ 4.31 грн
508+ 4.11 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 228958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDV303NVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 80mOhm; 2A; 2,1W; -55°C~150°C; FDV303N China TFDV303n c
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 75
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.36 грн
32+ 18.34 грн
100+ 6.02 грн
1000+ 3.86 грн
3000+ 3.53 грн
Мінімальне замовлення: 22
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV303Nonsemi / FairchildMOSFET N-Ch Digital
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.52 грн
16+ 19.73 грн
100+ 7.1 грн
1000+ 5.19 грн
3000+ 4.21 грн
9000+ 3.61 грн
24000+ 3.42 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDV303NON-SemicoductorN-MOSFET 0.68A 25V 0.35W 0.45Ω FDV303N TFDV303n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDV303N
Код товару: 46231		FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 25 V
Idd,A: 0,68 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/1,64
Монтаж: SMD
у наявності 379 шт:
127 шт - склад
87 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
30 шт - РАДІОМАГ-Харків
95 шт - РАДІОМАГ-Одеса
22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+6 грн
10+ 5.4 грн
100+ 4.9 грн
FDV303NonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
на замовлення 53582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.75 грн
6000+ 4.37 грн
9000+ 3.78 грн
30000+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+31.04 грн
27+ 21.8 грн
100+ 9.16 грн
1000+ 6.44 грн
3000+ 5.2 грн
9000+ 4.53 грн
Мінімальне замовлення: 19
FDV303NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.33 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 228958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.14 грн
34+ 22.12 грн
100+ 8.7 грн
500+ 7.94 грн
Мінімальне замовлення: 23
FDV303NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 84
FDV303N-F169onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
FDV303N-NL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV303N-NL-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 25V 0.68A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.28 грн
3000+ 2.88 грн
6000+ 2.78 грн
15000+ 2.52 грн
30000+ 2.43 грн
75000+ 2.21 грн
150000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
FDV303N/303FAIRCHIL09+
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV303N_NB9U008onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 10 V
товар відсутній
FDV303N_Qonsemi / FairchildMOSFET N-Ch Digital
товар відсутній
FDV304N
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 3193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+25.8 грн
22+ 15.61 грн
29+ 12.05 грн
100+ 7.8 грн
129+ 6.23 грн
354+ 5.89 грн
3000+ 5.82 грн
Мінімальне замовлення: 15
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDV304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.12 грн
27+ 27.35 грн
100+ 15.19 грн
500+ 13.83 грн
Мінімальне замовлення: 21
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1902000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304PUMWTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDV304P Onsemi; FDV304P UMW TFDV304p UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.2 грн
Мінімальне замовлення: 250
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
641+18.18 грн
1221+ 9.54 грн
Мінімальне замовлення: 641
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.86 грн
9000+ 6.5 грн
24000+ 5.96 грн
45000+ 5.22 грн
99000+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.22ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 500
FDV304PFairchild/ON SemiconductorP-канальний ПТ; Udss, В = 25; Id = 460 мА; Ptot, Вт = 0,35; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 63 @ 10 В; Qg, нКл = 1,5 @ 4,5 В; Rds = 1,1 Ом @ 500 мA, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+624 грн
10+ 62.4 грн
100+ 6.24 грн
FDV304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
на замовлення 21646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.57 грн
13+ 21.22 грн
100+ 10.7 грн
500+ 8.9 грн
1000+ 6.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDV304P
Код товару: 150596		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1761000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.64 грн
9000+ 7.4 грн
24000+ 6.91 грн
45000+ 5.95 грн
99000+ 5.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.3 грн
9000+ 6.03 грн
24000+ 5.54 грн
45000+ 4.84 грн
99000+ 4.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 149
FDV304PON-SemicoductorP-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1761000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.06 грн
9000+ 6.9 грн
24000+ 6.44 грн
45000+ 5.55 грн
99000+ 4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.32 грн
22+ 27.33 грн
100+ 16.97 грн
1000+ 8.59 грн
3000+ 7.19 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDV304PONSEMIDescription: ONSEMI - FDV304P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 860mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 54
FDV304PONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -460mA
On-state resistance: 2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.35W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3193 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+30.96 грн
14+ 19.45 грн
25+ 14.46 грн
100+ 9.36 грн
129+ 7.48 грн
354+ 7.06 грн
3000+ 6.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.32 грн
22+ 27.33 грн
100+ 16.97 грн
1000+ 8.59 грн
Мінімальне замовлення: 17
FDV304PonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.86 грн
6000+ 6.46 грн
9000+ 5.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV304PON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3100+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 3100
FDV304PON-SemicoductorP-MOSFET 0.46A 25V 0.35W 1.1Ω FDV304P TFDV304p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 659 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 200
FDV304Ponsemi / FairchildMOSFET P-Ch Digital
на замовлення 332915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
14+ 22.52 грн
100+ 9.2 грн
1000+ 7.1 грн
3000+ 6.24 грн
9000+ 6.05 грн
24000+ 5.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDV304P-CGB8onsemiDescription: MOSFET P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Tj)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
FDV304P-CGB8onsemiDescription: MOSFET P-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Tj)
Part Status: Obsolete
на замовлення 2459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2459+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 2459
FDV304P-D87ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
товар відсутній
FDV304P-D87ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDV304P-F169onsemiDescription: P-CHANNEL DIGITAL FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
товар відсутній
FDV304P-NLFAIRCHILD
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV304P/304FAIR
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV304PNLFAIRCHILD
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV304P\304FAIRCHILSOT-23
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV304P_NB8U003onsemiDescription: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63 pF @ 10 V
товар відсутній
FDV304P_Qonsemi / FairchildMOSFET P-Ch Digital
товар відсутній
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.59 грн
500+ 10.54 грн
1000+ 7.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDV305NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.9A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 303mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
16+16.63 грн
25+ 11.26 грн
100+ 9.61 грн
115+ 7.9 грн
315+ 7.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDV305Nonsemi / FairchildMOSFET 20V N-Channel PowerTrench
на замовлення 107412 шт:
термін постачання 580-589 дні (днів)
9+34.2 грн
13+ 24.11 грн
100+ 9.4 грн
1000+ 7.36 грн
3000+ 6.37 грн
9000+ 5.65 грн
24000+ 5.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
669+17.41 грн
798+ 14.61 грн
986+ 11.81 грн
1274+ 8.82 грн
3000+ 6.97 грн
6000+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 669
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 91
FDV305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.74 грн
9000+ 7.59 грн
24000+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
FDV305NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
на замовлення 17269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.28 грн
13+ 21.7 грн
100+ 10.94 грн
500+ 9.1 грн
1000+ 7.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV305NONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.9A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 303mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+13.86 грн
38+ 9.04 грн
100+ 8.01 грн
115+ 6.59 грн
315+ 6.23 грн
Мінімальне замовлення: 27
FDV305NONSEMIDescription: ONSEMI - FDV305N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.62 грн
25+ 29.86 грн
100+ 16.59 грн
500+ 10.54 грн
1000+ 7.46 грн
Мінімальне замовлення: 19
FDV305NON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV305NonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.01 грн
6000+ 6.6 грн
9000+ 5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDV305N-NL
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV305N/305FAIR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV305N_Qonsemi / FairchildMOSFET 20V N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDV30N
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV336PFAIRCHILDSOT23
на замовлення 29800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV336PFAIRCHILD09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV338P
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV340P
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDV360P
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDVE0630-H-100M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors SUGGESTED ALTERNATE 81-FDSD0630-H-100MP3
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE0630-H-1R0M# (=P3)Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 1.0uH 20% 9.5A RDC=0.0085ohms
товар відсутній
FDVE0630-H-1R5M# (=P3)Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 1.5uH 20% 8.1A RDC=0.0121ohms
товар відсутній
FDVE0630-H-2R2M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 6.6A 0.0162Ohm DCR 2926 T/R
товар відсутній
FDVE0630-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 2.2uH 20% 6.9A RDC=0.0162ohms
товар відсутній
FDVE0630-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 3.3uH 20% 5.3A RDC=0.0254ohms
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE0630-H-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 4.7uH 20% 4.6A RDC=0.0361ohms
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE0630-H-6R8M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 6.8uH 20% 3.4A RDC=0.0542ohms
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE0630-H-R16M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 0.16uH 20% 19.4A RDC=0.0016ohms
товар відсутній
FDVE0630-H-R33M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 0.33uH 20% 15.9A RDC=0.0027ohms
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE0630-H-R47M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 0.47uH 20% 15.6A RDC=0.0037ohms
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE0630-H-R68M# (=P3)Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 0.68uH 20% 10.4A RDC=0.0060ohms
товар відсутній
FDVE0630-H-R75M# (=P3)Murata ElectronicsFixed Inductors 2726 0.75uH 20% 10.9A RDC=0.0062ohms
товар відсутній
FDVE0640-H-1R5M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товар відсутній
FDVE0640-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 1.5uH 10.3mOhms 8A +/-20%
товар відсутній
FDVE0640-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 2.2uH 16.3mOhms 7.6A +/-20%
товар відсутній
FDVE0640-H-2R2M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товар відсутній
FDVE0640-H-3R3M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товар відсутній
FDVE0640-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 3.3uH 19.2mOhms 6A +/-20%
товар відсутній
FDVE0640-H-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors 4.7uH 29.2mOhms 4.6A +/-20%
товар відсутній
FDVE1040-H-100M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE1040-H-1R5M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE1040-H-2R2M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE1040-H-2R2M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.2uH 20% 100KHz Metal 11.6A 0.0068Ohm DCR 4440 T/R
товар відсутній
FDVE1040-H-2R2M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товар відсутній
FDVE1040-H-2R7M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 2.7uH 20% 100KHz Metal 10.5A 0.0088Ohm DCR 4440 T/R
товар відсутній
FDVE1040-H-2R7M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товар відсутній
FDVE1040-H-2R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
товар відсутній
FDVE1040-H-3R3M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 3.3UH 9A 10.1MOHM SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.441" L x 0.394" W (11.20mm x 10.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 100°C
DC Resistance (DCR): 10.1mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 9.8A
Material - Core: Metal
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.157" (4.00mm)
Part Status: Obsolete
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 9 A
товар відсутній
FDVE1040-H-3R3M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE1040-H-3R3M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 9A 0.0101Ohm DCR 4440 T/R
товар відсутній
FDVE1040-H-3R3M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 9A 0.0101Ohm DCR 4440 T/R
товар відсутній
FDVE1040-H-3R3M=P3Murata ElectronicsInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 9A 0.0101Ohm DCR 4440 T/R
товар відсутній
FDVE1040-H-3R3M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND 3.3UH 9A 10.1MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±20%
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.441" L x 0.394" W (11.20mm x 10.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -20°C ~ 100°C
DC Resistance (DCR): 10.1mOhm Max
Current - Saturation (Isat): 9.8A
Material - Core: Metal
Inductance Frequency - Test: 100 kHz
Height - Seated (Max): 0.157" (4.00mm)
Part Status: Obsolete
Inductance: 3.3 µH
Current Rating (Amps): 9 A
товар відсутній
FDVE1040-H-3R3M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 3.3uH 20% 100KHz Metal 9A 0.0101Ohm DCR 4440 T/R
товар відсутній
FDVE1040-H-4R7M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 4.7uH 20% 100KHz Metal 8A 0.0138Ohm DCR 4440 T/R
товар відсутній
FDVE1040-H-4R7M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
товар відсутній
FDVE1040-H-5R6M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
товар відсутній
FDVE1040-H-6R8M=P3Murata ElectronicsFixed Inductors
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FDVE1040-H-6R8M=P3MURATACategory: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 6.8uH; 7.1A; 0.0202Ω; ±20%; 11.2x10x4mm
Tolerance: ±20%
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Body dimensions: 11.2x10x4mm
Operating current: 7.1A
Inductance: 6.8µH
Type of inductor: wire
Resistance: 0.0202Ω
товар відсутній
FDVE1040-H-6R8M=P3Murata ElectronicsDescription: FIXED IND
товар відсутній
FDVE1040-H-6R8M=P3MURATACategory: SMD power inductors
Description: Inductor: wire; SMD; 6.8uH; 7.1A; 0.0202Ω; ±20%; 11.2x10x4mm
Tolerance: ±20%
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Body dimensions: 11.2x10x4mm
Operating current: 7.1A
Inductance: 6.8µH
Type of inductor: wire
Resistance: 0.0202Ω
кількість в упаковці: 500 шт
товар відсутній
FDVE1040-H-6R8M=P3MurataInductor Power Shielded Wirewound 6.8uH 20% 100KHz Metal 7.1A 0.0202Ohm DCR 4440 T/R
товар відсутній