Продукція > FQA

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQA-020-ADC-007-MTDK-LambdaPower Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Flange Mount/Through Hole
товар відсутній
FQA-020-ADC-007-STDK-LambdaPower Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Flange Mount/Through Hole
товар відсутній
FQA-020-ADC-N07-STDK-LambdaPower Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Thru-Hole
товар відсутній
FQA020ADC-007-MTDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged M screening
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16692.46 грн
10+ 16166.4 грн
30+ 12669.96 грн
60+ 12435.05 грн
FQA020ADC-007-MTDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Packaging: Tray
Filter Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -55°C ~ 115°C
Termination Style: PC Pins
Applications: General Purpose
Voltage - Rated DC: 40V
Current: 20 A
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+15247.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
FQA020ADC-007-STDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Packaging: Tray
Filter Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: PC Pins
Applications: General Purpose
Voltage - Rated DC: 40V
Current: 20 A
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10462.27 грн
10+ 9899.88 грн
25+ 9559.12 грн
50+ 8522.13 грн
FQA020ADC-007-STDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Flanged
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11683.46 грн
10+ 10927.22 грн
30+ 9026.33 грн
60+ 9024.16 грн
105+ 9022.71 грн
255+ 8915.74 грн
510+ 8913.57 грн
FQA020ADC-N07-MTDK-LambdaPower Line Filters 40VDC
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16692.46 грн
10+ 16166.4 грн
30+ 12669.96 грн
60+ 12435.05 грн
FQA020ADC-N07-MTDK-Lambda Americas IncDescription: FILTER 40VDC 20A PCB MOUNT
товар відсутній
FQA020ADC-N07-STDK-LambdaPower Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Thru-Hole
товар відсутній
FQA020ADC-N07-STDK-LambdaDescription: LINE FILTER 40VDC 20A TH
Packaging: Tray
Filter Type: DC
Mounting Type: Through Hole
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -40°C ~ 115°C
Termination Style: PC Pins
Applications: General Purpose
Voltage - Rated DC: 40V
Current: 20 A
товар відсутній
FQA020ADC-N07-STDK-LambdaPower Line Filter EMC 50Hz 20A 40VDC PC Pins Thru-Hole
товар відсутній
FQA020ADC-N07-STDK-LambdaPower Line Filters 40VDC 20A PCB Mount Non-Flanged
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11683.46 грн
10+ 11316.23 грн
30+ 9501.93 грн
60+ 9026.33 грн
FQA10N60CONSEMIDescription: ONSEMI - FQA10N60C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 44477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+183.25 грн
Мінімальне замовлення: 171
FQA10N60CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
на замовлення 33277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+149.59 грн
Мінімальне замовлення: 141
FQA10N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 11466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+109.56 грн
Мінімальне замовлення: 193
FQA10N80Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA10N80-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P T/R
товар відсутній
FQA10N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA10N80CFAIRCHILD2005 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80Consemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch advance QFET
товар відсутній
FQA10N80C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA10N80C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA10N80C-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA10N80C-F109ON Semiconductor
на замовлення 11250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA10N80C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA10N80C-F109onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch QFET Advance
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.6 грн
10+ 321.68 грн
25+ 264.54 грн
100+ 229.13 грн
FQA10N80C-F109ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+372.98 грн
10+ 317.85 грн
100+ 237.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQA10N80_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA10N80_F109onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA11N90FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA11N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
товар відсутній
FQA11N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA11N90onsemi / FairchildMOSFETs 900V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA11N90-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 274950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+236.49 грн
Мінімальне замовлення: 450
FQA11N90-F109
Код товару: 147569		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQA11N90-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA11N90-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA11N90-F109onsemi / FairchildMOSFETs 900V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA11N90-F109ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA11N90-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 11.4 A, 0.75 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 300
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.75
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA11N90-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA11N90-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA11N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA11N90Consemi / FairchildMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
товар відсутній
FQA11N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
товар відсутній
FQA11N90C
Код товару: 196558		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQA11N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA11N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA11N90C-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA11N90C-F109onsemi / FairchildMOSFETs 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
товар відсутній
FQA11N90C-F109ON Semiconductor
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA11N90C_F109
Код товару: 48424		Транзистори > IGBT
товар відсутній
FQA12N06CFAIRCHIL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA12N60FAIRCHILDTO-3P 05+
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA12N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA12N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+173.52 грн
Мінімальне замовлення: 227
FQA12N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 189
FQA12N60onsemi / FairchildMOSFET 600V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA12P20onsemi / FairchildMOSFET 200V P-Channel QFET
товар відсутній
FQA12P20ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товар відсутній
FQA12P20onsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 12.6A TO3P
товар відсутній
FQA12P20
Код товару: 182099		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FQA13N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
товар відсутній
FQA13N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
FQA13N50FAIRCHILD09+
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA13N50onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA13N50C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA13N50Consemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товар відсутній
FQA13N50C
Код товару: 190199		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQA13N50ConsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA13N50CONSEMIDescription: ONSEMI - FQA13N50C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+194.6 грн
Мінімальне замовлення: 161
FQA13N50CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товар відсутній
FQA13N50CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 7048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+158.71 грн
Мінімальне замовлення: 133
FQA13N50C-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA13N50C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA13N50C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 13.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA13N50C-F109ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 218W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQA13N50C-F109onsemi / FairchildMOSFET 500V CFET
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.81 грн
10+ 249.37 грн
25+ 205.28 грн
100+ 177.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA13N50C-F109ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.5A; Idm: 54A; 218W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 218W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA13N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA13N50CFONSEMIDescription: ONSEMI - FQA13N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.43 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 218
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 218
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.98 грн
10+ 252.17 грн
100+ 144.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQA13N50CFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
FQA13N50CF
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA13N50CFonsemi / FairchildMOSFET 500V N-Ch C-FET (FRFET)
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.23 грн
10+ 184.53 грн
25+ 152.51 грн
100+ 133.72 грн
450+ 133 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA13N50CFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.5A; Idm: 60A; 218W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 218W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA13N50CFonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.26 грн
10+ 207.05 грн
100+ 146.79 грн
FQA13N50CFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQA13N50CF-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товар відсутній
FQA13N50CF_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 218W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
FQA13N80FAIRCHILD2002 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA13N80onsemi / FairchildMOSFET TO-3P N-CH 600V
товар відсутній
FQA13N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA13N80
Код товару: 76061		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQA13N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+167.85 грн
Мінімальне замовлення: 134
FQA13N80-F109ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 50.4A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA13N80-F109ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 50.4A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQA13N80-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA13N80-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA13N80-F109ON Semiconductor
на замовлення 14850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA13N80-F109onsemi / FairchildMOSFETs TO-3P N-CH 600V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.45 грн
10+ 340.8 грн
25+ 277.56 грн
100+ 239.97 грн
250+ 223.35 грн
450+ 195.16 грн
FQA13N80-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.69 грн
10+ 305.91 грн
FQA13N80-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+339.74 грн
10+ 299.11 грн
30+ 222.69 грн
120+ 212.63 грн
270+ 194.86 грн
510+ 178.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA13N80_F109ON-SemicoductorN-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+185.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQA13N80_F109
Код товару: 178511		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQA13N80_F109ON-SemicoductorN-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+185.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQA13N80_F109FAIRCHILDMOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+405 грн
FQA140N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA140N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 2128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+590.29 грн
10+ 419.77 грн
25+ 359.95 грн
100+ 271.05 грн
FQA140N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.82 грн
10+ 367.12 грн
100+ 269.61 грн
500+ 223.59 грн
FQA140N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQA140N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA140N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQA140N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 99A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA140N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA140N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA14N30Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 15A TO3P
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
230+127.46 грн
Мінімальне замовлення: 230
FQA14N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 15A TO3P
товар відсутній
FQA15N70Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+393.28 грн
Мінімальне замовлення: 54
FQA15N70FSC0408
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA15N70ON Semiconductor / FairchildMOSFET DISC BY MFG 7/03
товар відсутній
FQA160N08onsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA160N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA160N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 160A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA160N08FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA160N08ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA160N08 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA16N25ConsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 17.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA16N50ON Semiconductor / FairchildMOSFET 500V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA16N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
товар відсутній
FQA16N50FAIRCHIL09+ QFN-16
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA16N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+294.26 грн
Мінімальне замовлення: 72
FQA16N50FAIRCHILD09+
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA16N50-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA16N50-F109onsemi / FairchildMOSFET 500v QFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQA16N50-F109ON SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 500V 16A 3-PIN(3+TAB) TO-3P RAIL
товар відсутній
FQA170N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 170A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9350 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.59 грн
FQA170N06onsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+664.49 грн
10+ 591.83 грн
25+ 501.62 грн
100+ 426.45 грн
FQA170N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA170N06ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 680A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA170N06ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA170N06 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 60 V, 170 A, 0.0056 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA170N06
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA17N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 17.2A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA17N40Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 17.2A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+125.4 грн
Мінімальне замовлення: 175
FQA17N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 17.2A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
товар відсутній
FQA17P10onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 18A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA18N50V2FAIRCHILD09+
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA18N50V2Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+216.3 грн
Мінімальне замовлення: 98
FQA18N50V2onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Ch QFET V2 Series
товар відсутній
FQA19N20onsemi / FairchildMOSFETs
товар відсутній
FQA19N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 21.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA19N20Consemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
товар відсутній
FQA19N20C_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/200V/19A/QFET
товар відсутній
FQA19N20LonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA19N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA19N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA19N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18.5 A, 0.38 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 18.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.38
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товар відсутній
FQA19N60onsemi / FairchildMOSFETs 600V N-CH QFET
товар відсутній
FQA19N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 18.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA19N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA19N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA19N60
на замовлення 24590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA19N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA20N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 19.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 9.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA22P10ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товар відсутній
FQA22P10FAIRCHILSOP-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA22P10onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 24A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA22P10module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA24N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA24N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.67 грн
10+ 317.61 грн
25+ 314.46 грн
50+ 300.21 грн
100+ 201.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA24N50
Код товару: 192723		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQA24N50ON Semiconductor
на замовлення 15700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA24N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA24N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA24N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA24N50-ONonsemiDescription: 24A, 500V, 0.2OHM, N-CHANNEL, M
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA24N50FFairchild
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA24N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA24N50Fonsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel FRFET
товар відсутній
FQA24N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товар відсутній
FQA24N50FFAIRCHILD2004 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA24N50F_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA24N50F_NLonsemi / FairchildMOSFETs N-CH/500V/24A/0.2OHM
товар відсутній
FQA24N50_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA24N50_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/500V/24A/0.2OHM
товар відсутній
FQA24N60onsemi / FairchildMOSFETs 600V N-Channel QFET
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.36 грн
10+ 400.65 грн
25+ 346.22 грн
100+ 289.12 грн
FQA24N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQA24N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA24N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+477.89 грн
27+ 455.33 грн
30+ 412.66 грн
100+ 312.89 грн
Мінімальне замовлення: 26
FQA24N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA24N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.5 A, 0.24 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+634.88 грн
5+ 548.93 грн
10+ 462.99 грн
50+ 411.85 грн
100+ 363.48 грн
250+ 325.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA24N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA24N60ON-SemicoductorTrans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+243.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQA24N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14.9A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA24N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+443.75 грн
10+ 422.81 грн
25+ 383.19 грн
100+ 290.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA24N60
Код товару: 153338		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQA24N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA24N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 23.5A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+632.54 грн
10+ 417.64 грн
FQA25N120DXI.M.Z2002 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA25N120D (транзистор)
Код товару: 76065		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQA27N25
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA27N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA27N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA27N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 27 A, 0.083 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 27
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 210
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 210
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA27N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA27N25Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+114.79 грн
Мінімальне замовлення: 237
FQA27N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA27N25onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.92 грн
10+ 205.31 грн
25+ 168.41 грн
100+ 144.56 грн
250+ 123.6 грн
450+ 103.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA28N15
Код товару: 52211		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FQA28N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA28N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA28N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA28N15onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA28N15ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 23.3A; Idm: 132A; 227W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 23.3A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 227W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA28N15ONSТранзистор польовий потужний MOSFET N-CH 150V 33A TO-3PN-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+145.95 грн
10+ 124.68 грн
100+ 108.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA28N15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA28N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.067 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 33
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA28N15_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 33A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA28N50FAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA28N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA28N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA28N50FSC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA28N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+230.64 грн
900+ 215.84 грн
2700+ 201.27 грн
Мінімальне замовлення: 450
FQA28N50onsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel QFET
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.34 грн
10+ 364.07 грн
25+ 298.52 грн
100+ 255.87 грн
250+ 242.14 грн
450+ 206 грн
900+ 194.43 грн
FQA28N50-ONonsemiDescription: 28.4A, 500V, 0.16OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+193.83 грн
Мінімальне замовлення: 109
FQA28N50FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 28.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товар відсутній
FQA28N50Fonsemi / FairchildMOSFETs 500V N-Channel FRFET
товар відсутній
FQA28N50FonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA28N50_F109onsemi / FairchildMOSFET 500V QFET
товар відсутній
FQA28N50_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 14.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA30N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA30N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA30N40ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA30N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 30 A, 0.14 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 30
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 290
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA30N40onsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel QFET
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQA30N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 30A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.65 грн
10+ 300.26 грн
100+ 217.22 грн
FQA30N40
Код товару: 173624		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQA30N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA30N40_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/400V/30A/0.14OHM
товар відсутній
FQA32N20CONSEMIDescription: ONSEMI - FQA32N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 32 A, 0.068 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 204W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 204W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.068ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.98 грн
10+ 241.63 грн
100+ 167.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQA32N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+100.64 грн
10+ 99.6 грн
25+ 96.17 грн
50+ 91.79 грн
100+ 80.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQA32N20ConsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 32A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 204W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA32N20C
Код товару: 169364		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQA32N20CFairchildN-MOSFET 32A 200V 204W 0.082Ω FQA32N20C TFQA32n20c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
FQA32N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQA32N20CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+109.06 грн
114+ 107.95 грн
118+ 104.22 грн
119+ 99.48 грн
125+ 87.72 грн
Мінімальне замовлення: 113
FQA32N20Consemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
товар відсутній
FQA33N10ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO-3P
товар відсутній
FQA33N10LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA34N20
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA34N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 34A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA34N20LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 34A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
217+96.91 грн
Мінімальне замовлення: 217
FQA34N25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 34A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 6555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+188.91 грн
Мінімальне замовлення: 112
FQA35N40ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
товар відсутній
FQA35N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 35A TO3P
товар відсутній
FQA35N40FSC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA35N40Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 35A TO3P
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+312.2 грн
Мінімальне замовлення: 73
FQA36P15onsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA36P15ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -25.5A; 294W; TO3PN
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -25.5A
Power dissipation: 294W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA36P15ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA36P15ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA36P15onsemi / FairchildMOSFETs 150V P-Channel QFET
на замовлення 4958 шт:
термін постачання 605-614 дні (днів)
2+310.32 грн
10+ 256.85 грн
30+ 211.06 грн
120+ 180.7 грн
270+ 170.58 грн
510+ 160.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA36P15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA36P15 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 36 A, 0.09 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 294
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA36P15ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA36P15ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA36P15
Код товару: 52210		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FQA36P15_F109onsemiDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3320 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA38N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 38.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA38N30onsemi / FairchildMOSFETs 300V N-Channel QFET
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.65 грн
10+ 428.91 грн
25+ 338.27 грн
100+ 310.8 грн
250+ 292.73 грн
450+ 273.94 грн
900+ 245.75 грн
FQA38N30FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA38N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 38.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 19.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA38N30ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA38N30 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+335.68 грн
Мінімальне замовлення: 1250
FQA38N30ON Semiconductor
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA38N30
Код товару: 76066		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQA38N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 38.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA38N30FSC09+ DIP16
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA38N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 38.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA40N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; Idm: 160A; 280W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 280W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+335.68 грн
5+ 231.75 грн
14+ 211.42 грн
450+ 207.8 грн
FQA40N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA40N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA40N25onsemi / FairchildMOSFETs 250V N-Channel QFET
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.52 грн
10+ 244.38 грн
25+ 209.61 грн
100+ 151.07 грн
450+ 136.61 грн
FQA40N25ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; Idm: 160A; 280W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 280W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.74 грн
5+ 185.97 грн
14+ 176.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA40N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.87 грн
30+ 208.08 грн
120+ 178.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA40N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA40N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 40 A, 0.051 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.58 грн
10+ 233.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQA40N25PWDSamsung
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA44N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 49.8A TO-3P
товар відсутній
FQA44N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 48A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA44N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
товар відсутній
FQA44N10FSC
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA44N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 43.5A TO3PN
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQA44N30onsemi / FairchildMOSFET 300V N-Channel QFET
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+622.33 грн
10+ 554.42 грн
25+ 460.42 грн
100+ 399.71 грн
FQA44N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA44N30ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA44N30 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA44N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 43.5A TO3PN
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQA44N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA44N30ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 300V 43.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA46N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+141.81 грн
Мінімальне замовлення: 87
FQA46N15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA46N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.38 грн
10+ 157.3 грн
100+ 135.41 грн
500+ 123.48 грн
1000+ 111.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQA46N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQA46N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+131.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQA46N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+149.37 грн
Мінімальне замовлення: 83
FQA46N15ON-SemicoductorN-MOSFET 150V 50A 250W FQA46N15 Fairchild TFQA46n15
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+165.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQA46N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA46N15onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel QFET
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.22 грн
450+ 136.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQA46N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQA46N15_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA47P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 55A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA47P06FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA47P06ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 55A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товар відсутній
FQA47P06FSC08+ TSOP-48
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA48N20FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA48N20FAIRCHLD08+ DIP28
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA48N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 48A TO3P
товар відсутній
FQA4N90FAIRCHILD2004 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA55N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 61A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
товар відсутній
FQA55N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 61A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA55N25
Код товару: 145079		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQA55N25FSCTO-247 05+
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA55N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA55N25onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel QFET
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+594.5 грн
10+ 519.51 грн
25+ 426.45 грн
100+ 370.8 грн
FQA55N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA55N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA55N25 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 55 A, 0.04 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+651.91 грн
5+ 599.21 грн
10+ 545.69 грн
50+ 496.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA55N25onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 55A TO3PN
товар відсутній
FQA55N25ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA58N08onsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQA5N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA5N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA5N90-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
товар відсутній
FQA5N90_F109onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA5N90_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA5N90_NLonsemi / FairchildMOSFET
товар відсутній
FQA62N25Consemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel Adv Q-FET C-Series
товар відсутній
FQA62N25ConsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 62A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA62N25CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA62N25C
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA62N25CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+493.01 грн
10+ 412.1 грн
25+ 385.39 грн
100+ 316.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA65N06onsemi / FairchildMOSFET N-CH/60V/72A/0.016OHM
товар відсутній
FQA65N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 72A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA65N06FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA65N20FairchildN-MOSFET 65A 200V 310W 0.032Ω FQA65N20 TFQA65n20
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+151.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQA65N20ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA65N20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 65
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA65N20ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 41A; 310W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 41A
Power dissipation: 310W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA65N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA65N20ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+332.09 грн
10+ 312.75 грн
25+ 297.68 грн
50+ 272.76 грн
100+ 239.49 грн
1000+ 212.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA65N20onsemi / FairchildMOSFET 200V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA65N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA6N70Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 243
FQA6N70onsemiDescription: MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA6N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+85.6 грн
Мінімальне замовлення: 254
FQA6N80_F109Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
товар відсутній
FQA6N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA6N90
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA6N90Consemi / FairchildMOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
товар відсутній
FQA6N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA6N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA6N90C-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA6N90C-F109onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
товар відсутній
FQA6N90C-F109ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA6N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 1.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 6
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 198
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 198
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA6N90C_F109FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA6N90_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+98.21 грн
Мінімальне замовлення: 900
FQA70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA70N10onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel QFET
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.35 грн
10+ 195.34 грн
25+ 159.74 грн
100+ 119.98 грн
450+ 101.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA70N10ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA70N10 - Leistungs-MOSFET, Universal, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.44 грн
10+ 170.28 грн
100+ 132.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQA70N10FairchildN-MOSFET 100V 70A 214W FQA70N10 Fairchild TFQA70n10
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+83.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQA70N10onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.53 грн
10+ 170.76 грн
100+ 119.94 грн
500+ 92.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+186.68 грн
10+ 173.74 грн
25+ 152.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQA70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQA70N10
Код товару: 116416		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQA70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA70N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+192.17 грн
7+ 134.02 грн
18+ 127.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQA70N10ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49.5A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 49.5A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+230.6 грн
7+ 167.01 грн
18+ 152.69 грн
120+ 148.17 грн
450+ 147.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA70N10ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQA70N15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA70N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA70N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 70A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA70N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA70N15
Код товару: 103658		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQA70N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA70N15onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA755N10Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA7N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA7N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+99.72 грн
Мінімальне замовлення: 211
FQA7N80onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA7N80Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA7N80Consemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
товар відсутній
FQA7N80CONSEMIDescription: ONSEMI - FQA7N80C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+119.19 грн
Мінімальне замовлення: 330
FQA7N80CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 275
FQA7N80C-F109ON Semiconductor800V N-CHANNEL MOSFET FQA7N80C
товар відсутній
FQA7N80C-F109ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.4A; Idm: 28A; 198W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 198W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA7N80C-F109onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 8
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 14140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+117.98 грн
Мінімальне замовлення: 179
FQA7N80C-F109onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
товар відсутній
FQA7N80C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA7N80LFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
FQA7N80_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA7N90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+116.24 грн
Мінімальне замовлення: 187
FQA7N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA7N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA7N90MonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA7N90M_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA7N90_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA85N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA85N06ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товар відсутній
FQA8N100CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA8N100CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 5A; 225W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 225W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA8N100CONSEMIDescription: ONSEMI - FQA8N100C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 8 A, 1.2 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225W
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.64 грн
10+ 345.42 грн
100+ 276.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA8N100CONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 5A; 225W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 225W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQA8N100ConsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 8A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.85 грн
10+ 283.47 грн
100+ 205.04 грн
FQA8N100CFairchildN-MOSFET 8A 1000V 225W 1.45Ω FQA8N100C TFQA8n100c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+219.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQA8N100CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA8N100Consemi / FairchildMOSFETs 1000V N-Channe MOSFET
на замовлення 12186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.41 грн
10+ 309.21 грн
25+ 257.32 грн
100+ 208.17 грн
250+ 197.32 грн
450+ 177.81 грн
FQA8N80Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 72211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+111.66 грн
Мінімальне замовлення: 189
FQA8N80
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA8N80ConsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA8N80C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail
товар відсутній
FQA8N80C_F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA8N90CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
на замовлення 2763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+131.97 грн
Мінімальне замовлення: 166
FQA8N90CON Semiconductor / FairchildMOSFET 900V N-Channel Q-FET
товар відсутній
FQA8N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA8N90C-F109ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.1A; Idm: 32A; 240W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 240W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQA8N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA8N90C-F109onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.83 грн
10+ 262.67 грн
25+ 216.12 грн
100+ 187.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA8N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA8N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+165.07 грн
10+ 148.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQA8N90C-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 8A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 25 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.85 грн
10+ 200.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA8N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA8N90C-F109ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.1A; Idm: 32A; 240W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 240W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA8N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA8N90C-F109ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA8N90C-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA90N08ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 63.5A; Idm: 360A; 214W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 63.5A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 214W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA90N08ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA90N08 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA90N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 90A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA90N08
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA90N08onsemi / FairchildMOSFETs 80V N-Channel QFET
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.98 грн
10+ 338.31 грн
25+ 277.56 грн
100+ 237.8 грн
250+ 215.39 грн
450+ 202.38 грн
900+ 174.92 грн
FQA90N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA90N08ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+209.71 грн
10+ 177.22 грн
100+ 133.19 грн
250+ 111.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQA90N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 90A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.38 грн
10+ 195.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA90N10V2onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 52.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA90N10V2Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 105A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 52.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 25 V
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+292.4 грн
Мінімальне замовлення: 75
FQA90N15ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA90N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90 A, 0.018 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 90
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
FQA90N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+379.93 грн
10+ 342.21 грн
90+ 245.59 грн
100+ 234.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA90N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+321.11 грн
10+ 289.67 грн
90+ 211.18 грн
100+ 201.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA90N15FairchildN-MOSFET 150V 90A 375W FQA90N15 Fairchild TFQA90n15
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+236.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQA90N15onsemi / FairchildMOSFET 150V N-Channel QFET
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.68 грн
10+ 443.04 грн
100+ 317.31 грн
450+ 292.01 грн
900+ 276.83 грн
2700+ 263.1 грн
5400+ 257.32 грн
FQA90N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA90N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA90N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA90N15ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+409.15 грн
34+ 368.53 грн
90+ 264.48 грн
100+ 252.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
FQA90N15-F109ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 63.5A; Idm: 360A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 63.5A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQA90N15-F109ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA90N15-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA90N15-F109ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 63.5A; Idm: 360A; 375W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 63.5A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 375W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQA90N15-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+218.45 грн
10+ 211.26 грн
25+ 207.38 грн
100+ 189.83 грн
450+ 168.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQA90N15-F109ON Semiconductor
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA90N15-F109ON Semiconductor / FairchildMOSFET 150V 90A N-Chan Power Trench
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQA90N15-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA90N15-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA9N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA9N90
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA9N90Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA9N90onsemi / FairchildMOSFET 900V N-Channel QFET
товар відсутній
FQA9N90-F109ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA9N90-F109 - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA9N90-F109Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+180.49 грн
Мінімальне замовлення: 117
FQA9N90-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA9N90-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA9N90-F109ON Semiconductor
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA9N90-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA9N90Consemi / FairchildMOSFETs 900V N-Channel Q-FET
товар відсутній
FQA9N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail
товар відсутній
FQA9N90CFAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA9N90CFSCTO-3 2010+
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA9N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA9N90C (FQA9N90C-F109)
Код товару: 48853		ONТранзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
товар відсутній
1+120 грн
10+ 105 грн
100+ 92 грн
FQA9N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA9N90C-F109onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 25 V
товар відсутній
FQA9N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA9N90C-F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA9N90C-F109ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA9N90C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 9 A, 1.12 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 280
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.12
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQA9N90C_F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA9N90C_F109ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA9P25onsemiDescription: MOSFET P-CH 250V 10.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.23 грн
30+ 163.63 грн
120+ 140.27 грн
510+ 117.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQA9P25ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA9P25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQA9P25 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 10.5 A, 0.48 ohm, TO-3PN
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.14 грн
10+ 211.63 грн
100+ 146.76 грн
500+ 115.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQA9P25ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 250V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA9P25onsemi / FairchildMOSFET 250V P-Channel QFET
на замовлення 8448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.37 грн
10+ 190.35 грн
100+ 139.5 грн
450+ 118.54 грн
900+ 117.82 грн
5400+ 112.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQAF10N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.35A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 7549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+127.11 грн
Мінімальне замовлення: 166
FQAF10N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FQAF10N80 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+135.41 грн
Мінімальне замовлення: 199
FQAF11N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF11N90FAIRCHILD
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQAF11N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 960mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF11N90ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 7.2A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail
товар відсутній
FQAF11N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FQAF11N90Consemi / FairchildMOSFETs N-CH/900V/7A/A.QFET
на замовлення 324 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+382 грн
10+ 315.86 грн
25+ 259.49 грн
100+ 222.62 грн
250+ 209.61 грн
360+ 197.32 грн
FQAF11N90ConsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 7A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF11N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FQAF11N90CONSEMIDescription: ONSEMI - FQAF11N90C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 7 A, 0.91 ohm, TO-3PF
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 120
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.91
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+429.74 грн
10+ 375.42 грн
100+ 263.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQAF11N90CON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FQAF12N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 7.8A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF12P20Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 8.6A TO3PF
товар відсутній
FQAF13N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FQAF13N80ONSEMIDescription: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+424.88 грн
10+ 343.79 грн
100+ 263.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQAF13N80ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FQAF13N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF13N80ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 120W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 120W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQAF13N80onsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+465.48 грн
10+ 409.79 грн
25+ 344.78 грн
100+ 292.01 грн
FQAF14N30Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 11.4A TO3PF
товар відсутній
FQAF14N30onsemiDescription: MOSFET N-CH 300V 11.4A TO3PF
товар відсутній
FQAF15N70Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 700V 9.5A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+193.13 грн
Мінімальне замовлення: 110
FQAF15N70ON Semiconductor / FairchildMOSFET 700V N-Channel QFET
товар відсутній
FQAF16N25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 12.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+68.08 грн
Мінімальне замовлення: 325
FQAF16N25ConsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 11.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF16N25CFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 11.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+68.08 грн
Мінімальне замовлення: 360
FQAF16N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQAF16N50ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.15A; 110W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.15A
Power dissipation: 110W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQAF16N50onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel QFET
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+451.99 грн
10+ 400.65 грн
25+ 330.32 грн
100+ 276.11 грн
FQAF16N50Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 5.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 7560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+195.94 грн
Мінімальне замовлення: 108
FQAF16N50FairchildN-MOSFET 500V 11.3A 110W FQAF16N50 Fairchild TFQAF16n50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+92 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQAF16N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.3A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FQAF16N50ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 11.3A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FQAF17N40onsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 12.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF17P10onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF17P10Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+70.49 грн
Мінімальне замовлення: 307
FQAF19N20onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF19N20Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
360+58.29 грн
Мінімальне замовлення: 360
FQAF19N20LFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 16A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 275
FQAF19N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF19N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11.2A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail
товар відсутній
FQAF19N60Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+186.11 грн
Мінімальне замовлення: 114
FQAF22P10onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 16.6A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF27N25Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
241+97.73 грн
Мінімальне замовлення: 241
FQAF27N25ONSEMIDescription: ONSEMI - FQAF27N25 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+116.76 грн
Мінімальне замовлення: 268
FQAF28N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 22A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+61.1 грн
Мінімальне замовлення: 346
FQAF33N10Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 12.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+54.78 грн
Мінімальне замовлення: 386
FQAF33N10LonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 12.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF34N25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+122.2 грн
Мінімальне замовлення: 173
FQAF40N25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 108W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+236.46 грн
Мінімальне замовлення: 93
FQAF44N08Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQAF44N08ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 35.6A TO-3PF
товар відсутній
FQAF44N10Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 33A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+80.57 грн
Мінімальне замовлення: 268
FQAF47P06onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 38A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF58N08onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 44A TO3PF
товар відсутній
FQAF58N08onsemi / FairchildMOSFET 80V N-Channel QFET
товар відсутній
FQAF5N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 4.1A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF65N06onsemi / FairchildMOSFET N-CH/60V/49A/0.016OHM
товар відсутній
FQAF65N06onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 49A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF6N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+125.16 грн
Мінімальне замовлення: 173
FQAF6N90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 4.5A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880 pF @ 25 V
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+94.81 грн
Мінімальне замовлення: 222
FQAF70N15onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 44A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF70N15Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 150V 44A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+184.86 грн
Мінімальне замовлення: 117
FQAF7N80onsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 5A TO3PF
товар відсутній
FQAF7N90Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 5.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+114.79 грн
Мінімальне замовлення: 189
FQAF7N90onsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 5.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF8N80Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+127.11 грн
Мінімальне замовлення: 166
FQAF90N08Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 56A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+184.86 грн
Мінімальне замовлення: 117
FQAF9N50onsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF9N50Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 275
FQAF9N50onsemi / FairchildMOSFET 500V N-Channel QFET
товар відсутній
FQAF9P25Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 7.1A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3.55A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 267