Продукція > FQT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQT-1Essentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.470" ACETAL WHITE
товар відсутній
FQT-1BKEssentra ComponentsDescription: RIVET PUSH 0.470" ACETAL BLACK
товар відсутній
FQT-1BKEssentraTest Probes VOLT. PROBE SET GRN-BLK 4MM 150 MHZ 100:1 2000V-1000V CAT III TO EARTH
товар відсутній
FQT13N06FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT13N06onsemi / FairchildMOSFET QF 60V 140MOHM SOT223
товар відсутній
FQT13N06FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT13N06LFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT13N06Lonsemi / FairchildMOSFET QF 60V 110MOHM L SO223
товар відсутній
FQT13N06LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
FQT13N06LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT13N06LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQT13N06LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT13N06LTFFairchild
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT13N06LTFonsemi / FairchildMOSFET 60V Single
на замовлення 9191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQT13N06LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT13N06LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.088 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.088ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQT13N06LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQT13N06LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQT13N06LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
FQT13N06LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT13N06LTFFSCSOT252
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT13N06LTF (транзистор)
Код товару: 48416		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FQT13N06TFonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Channel QFET
на замовлення 42903 шт:
термін постачання 123-132 дні (днів)
6+60.57 грн
10+ 52.37 грн
100+ 34.9 грн
500+ 27.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQT13N06TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQT13N06TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.24A; Idm: 11.2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.24A
Pulsed drain current: 11.2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 7.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQT13N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товар відсутній
FQT13N06TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT13N06TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT13N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товар відсутній
FQT1N60Consemionsemi QFC 600V 11.5OHM SOT223
товар відсутній
FQT1N60CTFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 1069
FQT1N60CTF-WSonsemi / FairchildMOSFET 600V 0.2A 11.5Ohm N-Channel
на замовлення 23900 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
6+52.06 грн
10+ 44.44 грн
100+ 26.75 грн
500+ 22.34 грн
1000+ 19.06 грн
2000+ 17.02 грн
4000+ 16.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQT1N60CTF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT1N60CTF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+47.63 грн
10+ 39.98 грн
100+ 27.66 грн
500+ 21.68 грн
1000+ 18.45 грн
2000+ 16.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQT1N60CTF-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQT1N60CTF-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 11.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQT1N60CTF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT1N60CTF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT1N60CTF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQT1N80onsemionsemi QF 800V 20.0OHM SOT223
товар відсутній
FQT1N80TF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT1N80TF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
товар відсутній
FQT1N80TF-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQT1N80TF-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
FQT1N80TF-WSonsemi / FairchildMOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 741-750 дні (днів)
5+70.62 грн
10+ 56.76 грн
100+ 38.38 грн
500+ 32.53 грн
1000+ 25.96 грн
2000+ 24.45 грн
4000+ 24.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQT1N80TF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT1N80TF-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT1N80TF-WSONSEMIDescription: ONSEMI - FQT1N80TF-WS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 200 mA, 15.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 200
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.1
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 15.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FQT1N80TF-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
товар відсутній
FQT2P25FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT2P25FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT2P25TFON Semiconductor
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT2P25TFON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQT2P25TFONSEMIFQT2P25TF SMD P channel transistors
товар відсутній
FQT2P25TFON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
на замовлення 4630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQT2P25TFON Semiconductor / FairchildMOSFET -250V Single
на замовлення 5916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQT3P20FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT3P20FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT3P20TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 200V 0.67A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQT3P20TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
на замовлення 16136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+56.87 грн
10+ 48.06 грн
100+ 36.85 грн
500+ 27.34 грн
1000+ 21.87 грн
2000+ 19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQT3P20TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT3P20TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 670 mA, 2.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 670
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.06
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.35 грн
13+ 58.76 грн
100+ 45.12 грн
500+ 24.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
FQT3P20TFONSEMIFQT3P20TF SMD P channel transistors
товар відсутній
FQT3P20TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FQT3P20TFonsemi / FairchildMOSFET -200V Single
на замовлення 62671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.01 грн
10+ 60.23 грн
100+ 40.22 грн
500+ 31.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQT3P20TF
Код товару: 164122		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FQT3P20TF-SB82100ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
товар відсутній
FQT3P20TF-SB82100ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4
товар відсутній
FQT3P20TF_SB82100Fairchild SemiconductorDescription: 1-ELEMENT, P-CHANNEL POWER MOSFE
товар відсутній
FQT4N20FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT4N20FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT4N20Lonsemi / FairchildMOSFET QF 200V 1.75OHM L SOT223
товар відсутній
FQT4N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
на замовлення 3101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.9 грн
10+ 43.06 грн
100+ 29.81 грн
500+ 23.37 грн
1000+ 19.89 грн
2000+ 17.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQT4N20LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: QFET®
Drain current: 0.68A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 1.4Ω
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 5.2nC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT4N20LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товар відсутній
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT4N20LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT4N20LTFonsemi / FairchildMOSFET 200V Single
на замовлення 64846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.59 грн
10+ 43.99 грн
100+ 28.39 грн
500+ 23.99 грн
1000+ 20.5 грн
2000+ 18.27 грн
4000+ 16.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQT4N20LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.68A; 2.2W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: QFET®
Drain current: 0.68A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 1.4Ω
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 5.2nC
товар відсутній
FQT4N20LTF-TPTECH PUBLICTrans MOSFET N-CH 200V 0.85A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT4N20LTF TFQT4n20ltf
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
FQT4N20TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 425mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
на замовлення 2363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
951+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 951
FQT4N25onsemi / FairchildMOSFET QF 250V 1.75OHM SOT223
товар відсутній
FQT4N25FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT4N25FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT4N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
FQT4N25TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 0.83A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQT4N25TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.66A; Idm: 3.3A; 2.5W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 3.3A
Case: SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
FQT4N25TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 0.83A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+46.45 грн
15+ 40.43 грн
25+ 36.31 грн
100+ 28.79 грн
250+ 26.42 грн
500+ 21.02 грн
1000+ 16.96 грн
Мінімальне замовлення: 13
FQT4N25TFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.66A; Idm: 3.3A; 2.5W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 5.6nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 3.3A
Case: SOT223
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.66A
On-state resistance: 1.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQT4N25TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 0.83A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT4N25TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 415mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.65 грн
10+ 35.87 грн
100+ 24.84 грн
500+ 19.48 грн
1000+ 16.58 грн
2000+ 14.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQT4N25TFonsemi / FairchildMOSFET 250V Single
товар відсутній
FQT5P10FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT5P10onsemi / FairchildMOSFET QF -100V 1.05OHM SOT223
товар відсутній
FQT5P10FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT5P10TFONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -800mA
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT5P10TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
FQT5P10TFonsemi / FairchildMOSFET -100V Single
на замовлення 151861 шт:
термін постачання 798-807 дні (днів)
6+53.52 грн
10+ 45.65 грн
100+ 27.54 грн
500+ 23 грн
1000+ 19.58 грн
2000+ 17.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQT5P10TFONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.8A; 2W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -800mA
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQT5P10TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.82
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQT5P10TF
Код товару: 169563		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
FQT5P10TFonsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товар відсутній
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT5P10TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.82
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQT5P10TFON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT5P10TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT5P10TF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1 A, 0.82 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FQT5P10TF-TPTECH PUBLICTrans MOSFET P-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R FQT5P10TF TFQT5p10tf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 40
FQT7N1
Код товару: 105996		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQT7N10FAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT7N10FAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT7N10
Код товару: 147595		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQT7N10onsemi / FairchildMOSFET QF 100V 35MOHM SOT223
товар відсутній
FQT7N10LFAIRCHILD07+ SOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT7N10Lonsemi / FairchildMOSFET QF 100V 350MOHM L SOT223
товар відсутній
FQT7N10LFAIRCHIL09+ SOP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT7N10LFAIRCHILDSOT-223
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT7N10LTFON-SemicoductorN-MOSFET 100V 1.7A FQT7N10LTF TFQT7n10ltf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 30
FQT7N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FQT7N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT7N10LTF
Код товару: 106433		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQT7N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
10+ 38.95 грн
100+ 26.98 грн
500+ 21.15 грн
1000+ 18 грн
2000+ 16.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQT7N10LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+52.46 грн
25+ 37.11 грн
37+ 25.99 грн
101+ 24.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQT7N10LTFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 19
FQT7N10LTFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10LTF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.275 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FQT7N10LTFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.72 грн
25+ 29.78 грн
37+ 21.66 грн
101+ 20.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
FQT7N10LTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
товар відсутній
FQT7N10LTFonsemi / FairchildMOSFET 100V Single
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.6 грн
10+ 43.31 грн
100+ 26.09 грн
500+ 21.82 грн
1000+ 18.6 грн
2000+ 16.56 грн
4000+ 16.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQT7N10TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQT7N10TF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.7 A, 0.28 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 3806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+61.63 грн
14+ 54.33 грн
100+ 41.65 грн
500+ 22.25 грн
Мінімальне замовлення: 12
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT7N10TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 11936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.21 грн
10+ 38.34 грн
100+ 26.51 грн
500+ 20.78 грн
1000+ 17.69 грн
2000+ 15.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQT7N10TFonsemi / FairchildMOSFET 100V Single
на замовлення 27261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQT7N10TFFSC09+ dip
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT7N10TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.43 грн
8000+ 15.9 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FQT7N10TFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQTN35144-MCF-10Embedded Antenna DesignPenta band PCB antenna with 100mm cable and MCF
товар відсутній
FQTN35144-MCF-40Embedded Antenna DesignPenta band PCB antenna with 400mm cable and MCF
товар відсутній
FQTN35144-MR-10Embedded Antenna DesignPENTA BAND PCB ANTENNA 100MM CABLE AND MMCX RA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQTN35144-UF-10Embedded Antenna DesignAntenna Penta-Band 2dB Gain 850MHz/900MHz/1800MHz/1900MHz/2100MHz
товар відсутній
FQTN35144-UF-15Embedded Antenna DesignPenta band PCB antenna with 200mm cable and U.FL
товар відсутній
FQTNX08Panduit CorpDescription: COPPER CABLE
товар відсутній