Продукція > GHX

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GHXS010A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS010A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS010A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1282.97 грн
10+ 1098.24 грн
GHXS010A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1408.56 грн
10+ 1233.75 грн
20+ 1065.5 грн
50+ 1032.2 грн
100+ 937.64 грн
200+ 923.65 грн
500+ 800.45 грн
GHXS010A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS015A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS015A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS015A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2873.53 грн
GHXS015A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 15A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
GHXS015A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS020A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS020A060S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS020A060S-D3SemiQDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2711.45 грн
GHXS020A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1817.23 грн
10+ 1785.14 грн
20+ 1505.68 грн
50+ 1485.7 грн
100+ 1355.84 грн
200+ 1314.56 грн
500+ 1266.61 грн
GHXS020A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A060S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A060S-D1ESemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4623.48 грн
10+ 4143.12 грн
20+ 3482.18 грн
50+ 3362.31 грн
100+ 3242.44 грн
200+ 3121.91 грн
500+ 3002.7 грн
GHXS030A060S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 600V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4256.62 грн
10+ 3726.46 грн
GHXS030A060S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 600V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
товар відсутній
GHXS030A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 30A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1946.97 грн
10+ 1704.73 грн
20+ 1383.81 грн
50+ 1340.53 грн
100+ 1296.58 грн
200+ 1210.67 грн
500+ 1113.44 грн
GHXS030A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS030A120S-D1ESemiQDescription: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide Schottky
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 30 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3377.78 грн
10+ 2898.55 грн
GHXS030A120S-D1ESemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 1200V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7798.77 грн
10+ 7289.9 грн
30+ 6243.81 грн
100+ 5990.09 грн
250+ 5876.88 грн
GHXS030A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4888.38 грн
10+ 4422.09 грн
GHXS030A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4956 грн
10+ 4588.83 грн
30+ 3918.36 грн
100+ 3575.41 грн
250+ 3508.15 грн
GHXS030A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS045A120S-D1Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS045A120S-D1EGlobal Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS045A120S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 45A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 45 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6497.67 грн
10+ 5934.11 грн
GHXS045A120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1200A 45A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7007.08 грн
10+ 6550.87 грн
30+ 5540.58 грн
100+ 5300.18 грн
GHXS045A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 45A SOT227
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS050A060S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 600V 50A
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4086.62 грн
10+ 3859.76 грн
30+ 3231.78 грн
100+ 2948.1 грн
250+ 2893.49 грн
GHXS050A060S-D3SemiQDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3771.1 грн
GHXS050A060S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS050A170S-D3SemiQDescription: 1700V 50A SIC SBD PARALLEL
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS050A170S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Parallel Power Module 1700V 50A
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12706.6 грн
5+ 12269.3 грн
GHXS050B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC SCHOT 650V SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 95A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 125 µA @ 650 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1799.47 грн
GHXS050B065S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2150.53 грн
10+ 1883.17 грн
20+ 1581.6 грн
50+ 1546.97 грн
100+ 1431.76 грн
200+ 1383.81 грн
500+ 1308.56 грн
GHXS050B120S-D3SemiQDescription: SIC SBD PARALLEL POWER MODULE 12
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 101A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3914.45 грн
GHXS050B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 50A SiC Power Modules
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4047.78 грн
10+ 3722.68 грн
30+ 3099.26 грн
100+ 2754.98 грн
500+ 2668.4 грн
1000+ 2619.12 грн
2500+ 2618.46 грн
GHXS060A120S-D3Global Power Technologies GroupDescription: MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227
товар відсутній
GHXS060A120S-D4Global Power Technologies GroupDescription: DIODE SCHOT SBD 1200V 60A SOT227
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GHXS060B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD Power Dual Diode Module 1200A 60A
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5997.86 грн
10+ 5555.3 грн
GHXS060B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 161A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 161A
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6184.32 грн
10+ 5436.74 грн
GHXS100B065S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2684.27 грн
10+ 2357.98 грн
20+ 1928.55 грн
50+ 1863.95 грн
100+ 1800.02 грн
200+ 1735.43 грн
500+ 1655.52 грн
GHXS100B065S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 650V 193A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 193A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2472.29 грн
10+ 2121.56 грн
GHXS100B120S-D3SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5159.56 грн
10+ 4608.74 грн
20+ 3937.01 грн
50+ 3865.76 грн
100+ 3593.39 грн
200+ 3536.12 грн
500+ 3505.48 грн
GHXS100B120S-D3SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5216.15 грн
10+ 4552.5 грн
100+ 4081.56 грн