НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GNP1070TC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+949.35 грн
5+ 886.45 грн
10+ 858.34 грн
50+ 770.23 грн
100+ 687.52 грн
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080K
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+416.92 грн
Мінімальне замовлення: 3500
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorTrans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1108.97 грн
25+ 1057.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
GNP1070TC-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1070TC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.2nC
Bauform - Transistor: DFN8080K
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+858.34 грн
50+ 770.23 грн
100+ 687.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
GNP1070TC-ZE2ROHM SemiconductorMOSFET NCH 650V 20A ESD
на замовлення 7870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1015.03 грн
10+ 882.19 грн
25+ 746.02 грн
50+ 704.46 грн
100+ 662.91 грн
250+ 642.46 грн
500+ 620.69 грн
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorTrans JFET N-CH 650V 20A GaN 8-Pin DFN-K EP T/R
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1370.68 грн
12+ 1020.72 грн
50+ 901.15 грн
100+ 795.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
GNP1070TC-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080K
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 400 V
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.81 грн
10+ 600.11 грн
100+ 519.03 грн
500+ 441.43 грн
1000+ 404.89 грн
GNP1150TCA-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080AK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.45 грн
10+ 424.55 грн
100+ 353.76 грн
500+ 292.93 грн
1000+ 263.63 грн
GNP1150TCA-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: DFN8080AK
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: EcoGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+466.91 грн
5+ 436.57 грн
10+ 422.51 грн
50+ 378.59 грн
100+ 338.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
GNP1150TCA-ZE2ROHM SemiconductorMOSFET NCH 650V 11A ESD
на замовлення 7795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.38 грн
10+ 478.65 грн
25+ 377.3 грн
100+ 346.29 грн
250+ 326.51 грн
500+ 313.31 грн
1000+ 265.82 грн
GNP1150TCA-ZE2Rohm SemiconductorDescription: ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 18mA
Supplier Device Package: DFN8080AK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 5.5V
Vgs (Max): +6V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 400 V
товар відсутній
GNP1150TCA-ZE2ROHMDescription: ROHM - GNP1150TCA-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: DFN8080AK
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: EcoGaN Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+422.51 грн
50+ 378.59 грн
100+ 338.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
GNPA-80350U-CG-NOR Electronics Co., LTDAC-DC перетворювач струму (світлодіодний драйвер); Кіл. вих. кан. = 1; Uвих1, В = 40 80; Рвих, Вт = 28; Uвх (AC), В = 170...250; Iвих1, А = 0,35; Габ. розм, мм = 247 х 36,5 х 27; ККД, % = 85; Тексп, °С = -25...+50; 247х37х27mm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+1014.51 грн
10+ 946.87 грн