Продукція > GT0

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GT0036-17M000NMB Technologies CorporationDescription: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Features: Flatted Shaft
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.5°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 49.56 / 350
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
NEMA Frame Size: 17
Current Rating (Amps): 1 A
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Steps per Revolution: 720
товар відсутній
GT0043Marathon MotorsDescription: 1800RPM, 75HP, 3PH, 230/460V, 36
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 208 ~ 230/460VAC
Function: Standard
RPM: 1800 RPM
Type: AC Motor
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372889.17 грн
GT0072-17M000NMB Technologies CorporationDescription: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Features: Flatted Shaft
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.25°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 99.1 / 700
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
NEMA Frame Size: 17
Current Rating (Amps): 1 A
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Steps per Revolution: 1440
товар відсутній
GT01-C100R4-8PMITSUBISHIDescription: MITSUBISHI - GT01-C100R4-8P - RS-422-KABEL, 10M, GRAPHISCHES TERMINAL
Art des Zubehörs: Kabel, RS-422
Zur Verwendung mit: Grafische Bedienterminals der Produktreihe GT10 GOT1000 von Mitsubishi
Produktpalette: GT10
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
GT01-C10R4-8PMITSUBISHIDescription: MITSUBISHI - GT01-C10R4-8P - RS-422-KABEL, 1M, GRAPHISCHES TERMINAL
Art des Zubehörs: Kabel, RS-422
Zur Verwendung mit: Grafische Bedienterminals der Produktreihe GT10 GOT1000 von Mitsubishi
Produktpalette: GT10
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2403.38 грн
GT01-C30R2-6PMITSUBISHIDescription: MITSUBISHI - GT01-C30R2-6P - RS-232-KABEL, 3M, GRAPHISCHES TERMINAL
Art des Zubehörs: Kabel, RS-232
Zur Verwendung mit: Grafische Bedienterminals der Produktreihe GT10 GOT1000 von Mitsubishi
Produktpalette: GT10
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
GT01-C30R4-8PMITSUBISHIDescription: MITSUBISHI - GT01-C30R4-8P - RS-422-KABEL, 3M, GRAPHISCHES TERMINAL
tariffCode: 85444290
Art des Zubehörs: Kabel, RS-422
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: Grafische Bedienterminals der Produktreihe GT10 GOT1000 von Mitsubishi
usEccn: EAR99
Produktpalette: GT10
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4870.91 грн
GT0100N/A00+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT0100-17M000NMB Technologies CorporationDescription: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Features: Flatted Shaft
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.18°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 141.63 / 1000
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
NEMA Frame Size: 17
Current Rating (Amps): 1 A
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Steps per Revolution: 2000
товар відсутній
GT011N03D5EGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6503 pF @ 15 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.79 грн
10+ 81.53 грн
100+ 63.42 грн
500+ 50.45 грн
1000+ 41.09 грн
2000+ 38.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT011N03D5EGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6503 pF @ 15 V
товар відсутній
GT011N03D5EGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH ESD 30V 209A DFN5*6-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6503 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT011N03MEGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH ESD 30V A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
товар відсутній
GT011N03MEGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH ESD 30V A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 209A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+62.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
GT013N04D5Goford SemiconductorDescription: N40V,195A,RD<1.7M@10V,VTH2.0V~4.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3927 pF @ 20 V
товар відсутній
GT013N04TIGoford SemiconductorDescription: N40V, 220A,RD<2.5M@10V,VTH2.0V~5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3986 pF @ 20 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97.39 грн
10+ 76.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT016N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.77 грн
10+ 209.21 грн
100+ 169.28 грн
500+ 141.21 грн
1000+ 120.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT016N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+125.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT016N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 362A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10037 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+104.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT019N04D5Goford SemiconductorDescription: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.61 грн
10+ 43.54 грн
100+ 30.16 грн
500+ 23.65 грн
1000+ 20.13 грн
2000+ 17.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
GT019N04D5Goford SemiconductorDescription: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
товар відсутній
GT019N04D5
Код товару: 200326		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
GT019N04D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.53 грн
15000+ 15.49 грн
30000+ 13.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT02-110-019ICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Driver Transformer 1:1
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.62 грн
10+ 253.94 грн
25+ 200.44 грн
100+ 144.58 грн
250+ 136.7 грн
500+ 127.5 грн
1000+ 119.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT0200-17M000NMB Technologies CorporationDescription: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Packaging: Bulk
Features: Flatted Shaft
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.09°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 212.44 / 1500
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
NEMA Frame Size: 17
Current Rating (Amps): 1 A
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Steps per Revolution: 4000
товар відсутній
GT020Z-2POWER ONE07+
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT023N10MGoford SemiconductorDescription: N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
GT023N10MGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 226A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8050 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+91.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
GT023N10TGoford SemiconductorDescription: N100V, 140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8086 pF @ 50 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.11 грн
10+ 174.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT023N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+112.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT023N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+93.54 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT023N10TLGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8058 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.04 грн
10+ 186.89 грн
100+ 151.24 грн
500+ 126.16 грн
1000+ 108.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT025N06AD5Goford SemiconductorDescription: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
на замовлення 4641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.88 грн
10+ 92.28 грн
100+ 73.45 грн
500+ 58.33 грн
1000+ 49.49 грн
2000+ 47.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT025N06AD5Goford SemiconductorDescription: N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
товар відсутній
GT025N06AD5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5044 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.19 грн
15000+ 38.43 грн
30000+ 34.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT025N06AMGoford SemiconductorDescription: N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5119 pF @ 30 V
товар відсутній
GT025N06AMGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+51.66 грн
8000+ 48.2 грн
Мінімальне замовлення: 1600
GT025N06AMGoford SemiconductorDescription: N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5119 pF @ 30 V
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.61 грн
10+ 89.41 грн
100+ 71.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT025N06AM6Goford SemiconductorDescription: N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5058 pF @ 30 V
товар відсутній
GT025N06ATGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 170A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT025N06ATGoford SemiconductorDescription: N60V, 170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4954 pF @ 30 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.74 грн
10+ 91.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT025N06D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 170A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.2x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.48 грн
15000+ 41.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT025N06D5Goford SemiconductorDescription: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.2x5.86)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 25 V
на замовлення 7076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.43 грн
10+ 95.36 грн
100+ 75.95 грн
500+ 60.31 грн
1000+ 51.17 грн
2000+ 48.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT025N06D5Goford SemiconductorDescription: N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5.2x5.86)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 25 V
товар відсутній
GT03-111-034-BICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Driver Transformer 1:1:1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 169-178 дні (днів)
2+304.39 грн
10+ 245.63 грн
100+ 157.73 грн
500+ 133.41 грн
5000+ 127.5 грн
10000+ 122.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT03-111-052-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
товар відсутній
GT03-111-069-BICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Driver Transformer 1:1:1
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.49 грн
10+ 240.33 грн
100+ 149.84 грн
1000+ 126.84 грн
5000+ 124.87 грн
10000+ 120.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT03-111-110-AICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Driver Transformer 1:1:1
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.56 грн
10+ 272.08 грн
25+ 214.9 грн
100+ 154.44 грн
250+ 145.9 грн
500+ 137.35 грн
1000+ 128.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT03-122-055-AICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Driver Xfmr 1:2.5:2.5
товар відсутній
GT0300-17M000NMB Technologies CorporationDescription: HYBRID 17 STEP MOTOR LOW BACKLAS
Features: Flatted Shaft
Packaging: Bulk
Voltage - Rated: 24VDC
Size / Dimension: Square - 1.654" x 1.654" (42.00mm x 42.00mm)
Type: Hybrid Gear Motor
Operating Temperature: -10°C ~ 50°C
Termination Style: Wire Leads
Step Angle: 0.06°
Torque - Holding (oz-in / mNm): 212.44 / 1500
Coil Type: Unipolar
Diameter - Shaft: 0.236" (6.00mm)
Mounting Hole Spacing: 1.220" (31.00mm)
Length - Shaft and Bearing: 0.787" (20.00mm)
NEMA Frame Size: 17
Current Rating (Amps): 1 A
Coil Resistance: 3.1 Ohms
Steps per Revolution: 6000
товар відсутній
GT030N08TGoford SemiconductorDescription: N85V,200A,RD<3.0M@10V,VTH2.0V~4.
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5822 pF @ 50 V
товар відсутній
GT030PCM32-ARP-120Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR RECPT 120 AMPS 4 AWG
товар відсутній
GT030PCM32-ARP-80Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR RECPT 80 AMPS 4-6 AWG
товар відсутній
GT030PCM32-ARP-80Amphenol Industrial OperationsDescription: CONN RCPT MALE 4POS SILVER SCREW
товар відсутній
GT0312-90Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0312 DIA. X 9IN LG
Packaging: Bulk
Type: Shaft, Ground
Specifications: 0.031" Dia x 9.000" L (0.78mm x 228.60mm)
Part Status: Active
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+627.73 грн
5+ 544.24 грн
10+ 520.28 грн
25+ 470.91 грн
50+ 459.35 грн
GT035N06TGoford SemiconductorDescription: N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5064 pF @ 30 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+142.89 грн
10+ 123.84 грн
100+ 99.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT035N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6188 pF @ 50 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.86 грн
10+ 143.97 грн
100+ 114.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT035N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 190A,RD<3.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6188 pF @ 50 V
товар відсутній
GT035N10QGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 190A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6516 pF @ 50 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.83 грн
10+ 175.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT035N10TGoford SemiconductorDescription: N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6057 pF @ 50 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.73 грн
10+ 142.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT04-111-063-BICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 8503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.22 грн
10+ 230.51 грн
120+ 143.27 грн
240+ 139.98 грн
600+ 134.07 грн
1080+ 130.12 грн
2880+ 125.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT04-111-126-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 179-188 дні (днів)
1+306.69 грн
10+ 247.89 грн
100+ 153.78 грн
250+ 151.15 грн
500+ 145.24 грн
1000+ 140.64 грн
2880+ 134.72 грн
GT04-111-126-BICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+306.69 грн
10+ 247.89 грн
120+ 153.78 грн
240+ 150.5 грн
600+ 144.58 грн
1080+ 139.98 грн
2880+ 134.72 грн
GT04-111-189-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.26 грн
10+ 277.37 грн
100+ 172.84 грн
250+ 169.56 грн
500+ 162.33 грн
1000+ 157.07 грн
2000+ 151.81 грн
GT04-111-252-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.8 грн
10+ 315.91 грн
120+ 197.16 грн
240+ 192.56 грн
600+ 185.33 грн
1080+ 179.41 грн
2880+ 172.84 грн
GT04-111-252-BICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.9 грн
10+ 310.62 грн
120+ 193.87 грн
240+ 189.27 грн
600+ 182.04 грн
1080+ 176.13 грн
2880+ 170.21 грн
GT04-111-315-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
товар відсутній
GT04-111-315-BICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.26 грн
10+ 334.05 грн
100+ 208.33 грн
250+ 203.73 грн
500+ 195.84 грн
1000+ 189.27 грн
2000+ 182.7 грн
GT04-111-378-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.23 грн
10+ 341.61 грн
100+ 212.93 грн
1000+ 180.73 грн
5000+ 178.1 грн
10000+ 170.87 грн
GT04-111-378-BICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.7 грн
10+ 321.96 грн
120+ 200.44 грн
240+ 195.84 грн
600+ 187.96 грн
1080+ 182.04 грн
2880+ 176.13 грн
GT04-122-252-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
товар відсутній
GT04-122-378-AICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
товар відсутній
GT0410EMFAIRCHIL..09+ SOP14
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT0410EMFairchild04+05+ SOIC-14
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT0416AMarathon MotorsDescription: MOTOR 7.5HP 1750RPM 213JM DPPE 3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GT042P06TGOFORD SemiconductorP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 130
GT042P06TGoford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 160A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товар відсутній
GT042P06TGoford SemiconductorDescription: MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9151 pF @ 30 V
товар відсутній
GT045N10D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.56 грн
10+ 96.94 грн
100+ 77.19 грн
500+ 61.3 грн
1000+ 52.01 грн
2000+ 49.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT045N10D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4217 pF @ 50 V
товар відсутній
GT045N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
товар відсутній
GT045N10MGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-263
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
GT045N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 120A,RD<4.5M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.43 грн
10+ 95.36 грн
100+ 75.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT045N10TGoford SemiconductorDescription: N100V, 150A,RD<4.8M@10V,VTH2V~4V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4198 pF @ 50 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.88 грн
10+ 92.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT0468-60Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0468 DIA. X 6IN LG
Packaging: Bulk
Type: Shaft, Ground
Specifications: 0.046" Dia x 6.000" L (1.18mm x 152.40mm)
Part Status: Active
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.03 грн
5+ 515.48 грн
10+ 492.89 грн
25+ 446.5 грн
GT05-14SAmphenol IndustrialCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Dummy Rcpt 14S Shell Rvs Bay Cpling Conn
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6929.65 грн
5+ 6641.71 грн
10+ 5590.73 грн
25+ 5416.57 грн
GT05-20(025)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories Dummy Receptacle
товар відсутній
GT05AIDTQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT05AIDTQFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GT06-111-049ICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 5612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+319.72 грн
10+ 289.46 грн
25+ 228.7 грн
100+ 164.3 грн
250+ 155.1 грн
400+ 145.9 грн
800+ 136.7 грн
GT06-111-100ICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 17587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.22 грн
10+ 298.53 грн
25+ 235.93 грн
100+ 170.87 грн
250+ 160.35 грн
500+ 151.15 грн
1200+ 141.95 грн
GT06-122-053ICE ComponentsPulse Transformers Gate Drive Transformer
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.48 грн
10+ 207.84 грн
100+ 126.18 грн
250+ 108.44 грн
500+ 102.52 грн
1200+ 93.32 грн
2400+ 90.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT060N04D3Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1282 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.99 грн
15000+ 10.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT060N04D3Goford SemiconductorDescription: N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1282 pF @ 20 V
на замовлення 13550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.65 грн
10+ 35.8 грн
100+ 24.82 грн
500+ 19.46 грн
1000+ 16.56 грн
2000+ 14.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
GT060N04D3GOFORD SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin DFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT060N04D3Goford SemiconductorDescription: N40V,RD(MAX)<6.5M@10V,RD(MAX)<10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1282 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.47 грн
10000+ 13.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT060N04D5Goford SemiconductorDescription: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 20 V
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.52 грн
10+ 33.95 грн
100+ 23.49 грн
500+ 18.42 грн
1000+ 15.67 грн
2000+ 13.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
GT060N04D5Goford SemiconductorDescription: N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276 pF @ 20 V
товар відсутній
GT060N04D52Goford SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 62A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1276pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
товар відсутній
GT060N04KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1279 pF @ 20 V
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.05 грн
10+ 40.94 грн
100+ 28.37 грн
500+ 22.24 грн
1000+ 18.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
GT060N04KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1279 pF @ 20 V
товар відсутній
GT060N04TGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1301 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT060N04TGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 40V,60A,TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1301 pF @ 20 V
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.16 грн
10+ 44.22 грн
100+ 34.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
GT060N10TGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 116A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5365 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.7 грн
Мінімальне замовлення: 1000
GT060N10TGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 116A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5365 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.61 грн
10+ 89.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT0625-180Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 18IN LG
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1168.02 грн
5+ 1013.03 грн
10+ 968.13 грн
GT0625-240Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 24IN LG
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1618.73 грн
5+ 1403.38 грн
10+ 1341.29 грн
25+ 1214.58 грн
GT0625-30Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 3IN LG
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.75 грн
5+ 228.78 грн
10+ 218.38 грн
25+ 197.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT0625-360Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 36IN LG
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
GT0625-50Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 5IN LG
товар відсутній
GT0625-90Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0625 DIA. X 9IN LG
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.62 грн
5+ 458.8 грн
10+ 438.81 грн
25+ 397.52 грн
50+ 387.79 грн
GT065P06D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.24 грн
10+ 80.3 грн
100+ 63.95 грн
500+ 50.77 грн
1000+ 43.08 грн
2000+ 40.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT065P06D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5326 pF @ 30 V
товар відсутній
GT065P06TGoford SemiconductorDescription: P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5335 pF @ 30 V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.48 грн
10+ 87.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT06PCM32-ARS-120(36OS)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 120 AMPS 4 AWG
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-30(29R)Amphenol Industrial OperationsDescription: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 30A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12111.68 грн
GT06PCM32-ARS-30(29R)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 30 AMPS 8-10 AWG
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-40(29R)Amphenol Industrial OperationsDescription: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 40A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-40(29R)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 40 AMPS 8-10 AWG
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-50(29)Amphenol Industrial OperationsDescription: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 50A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-50(29)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 50 AMPS 4-6 AWG
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-70(29OS)Amphenol Industrial OperationsDescription: CONN PLUG FMALE 4P SILVER SCREW
Features: Backshell
Packaging: Bulk
Connector Type: Plug, Female Sockets
Color: Olive Drab
Current Rating (Amps): 70A
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 32
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Fastening Type: Reverse Bayonet Lock
Termination: Screw
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Contact Finish - Mating: Silver
Shell Material: Aluminum
Shell Finish: Olive Drab Cadmium
Primary Material: Metal
товар відсутній
GT06PCM32-ARS-70(29OS)Amphenol IndustrialCircular MIL Spec Connector 4 CONDUCTOR PLUG 70 AMPS 4-6 AWG
товар відсутній
GT07-110-013ICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Drive Trans 100uH 1:1 6250Vac
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.35 грн
10+ 242.6 грн
25+ 191.9 грн
100+ 138.01 грн
250+ 136.04 грн
500+ 115.67 грн
1000+ 114.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT07-110-027ICE ComponentsPulse Transformers SMT Gate Drive Trans 340uH 1:1.1 6250Vac
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.16 грн
10+ 317.42 грн
25+ 250.39 грн
100+ 180.73 грн
250+ 170.87 грн
500+ 159.7 грн
1000+ 149.84 грн
GT0781-50Ondrives.US CorpDescription: SHAFT, 0.0781 DIA. X 5IN LG
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.08 грн
5+ 479.61 грн
10+ 458.12 грн
25+ 415.02 грн
GT080N08D5Goford SemiconductorDescription: N85V,65A,RD<8.5M@10V,VTH2.0V~4.0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1885 pF @ 50 V
товар відсутній
GT080N10KGoford SemiconductorDescription: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2056 pF @ 50 V
товар відсутній
GT080N10KGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 65A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT080N10KGoford SemiconductorDescription: N100V, 75A,RD<8M@10V,VTH1V~3V, T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2056 pF @ 50 V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.08 грн
10+ 81.05 грн
100+ 63.02 грн
500+ 50.13 грн
1000+ 40.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT080N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2125 pF @ 50 V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.53 грн
10+ 79.75 грн
100+ 63.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT080N10MGoford SemiconductorDescription: N100V, 70A,RD<7.5M@10V,VTH1V~3V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2125 pF @ 50 V
товар відсутній
GT080N10MGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2125 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1600+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 1600
GT080N10TGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
GT080N10TGoford SemiconductorDescription: N100V, 70A,RD<8M@10V,VTH1.0V~3.0
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2257 pF @ 50 V
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.53 грн
10+ 79.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT080N10TIGoford SemiconductorDescription: N100V,65A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.5V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2328 pF @ 50 V
товар відсутній
GT08885PRO ELECDescription: PRO ELEC - GT08885 - Heizgerät rohrförmig 1ft, 45W
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennleistung: 45W
euEccn: NLR
Netzsteckertyp: Netzstecker separat erhältlich
hazardous: false
Betriebsspannung: 240V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: -
Außenhöhe: -
usEccn: EAR99
Außenbreite: 1ft
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1324.81 грн
3+ 1218.65 грн
GT08886PRO ELECDescription: PRO ELEC - GT08886 - Heizgerät rohrförmig 2ft, 80W
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennleistung: 80W
euEccn: NLR
Netzsteckertyp: Netzstecker separat erhältlich
hazardous: false
Betriebsspannung: 240V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: -
Außenhöhe: -
usEccn: EAR99
Außenbreite: 2ft
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1594.64 грн
3+ 1462.67 грн
GT08887/GT08609PRO ELECDescription: PRO ELEC - GT08887/GT08609 - Heizgerät rohrförmig 3ft, 135W
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Nennleistung: 135W
euEccn: NLR
Netzsteckertyp: Netzstecker separat erhältlich
hazardous: false
Betriebsspannung: 240V
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Außentiefe: -
Außenhöhe: -
usEccn: EAR99
Außenbreite: 3ft
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2136.5 грн
3+ 1958.09 грн
GT08892PRO ELECDescription: PRO ELEC - GT08892 - Schutz für Heizung 2ft
tariffCode: 85162999
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
HLK-Typ: -
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2069.42 грн
3+ 1981.69 грн
GT088N06TGoford SemiconductorDescription: N60V,RD(MAX)<9M@10V,RD(MAX)<13M@
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 30 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.54 грн
10+ 58.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
GT090N06D52Goford SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DFN (4.9x5.75)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerTDFN
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+26.85 грн
15000+ 23.9 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT090N06D52GOFORD SemiconductorDual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT090N06D52Goford SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-DFN (4.9x5.75)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerTDFN
Part Status: Active
на замовлення 4289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.64 грн
10+ 59.15 грн
100+ 46.04 грн
500+ 36.62 грн
1000+ 29.83 грн
2000+ 28.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT090N06D52Goford SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-DFN (4.9x5.75)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 62W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1011pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerTDFN
Part Status: Active
товар відсутній
GT090N06KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.45 грн
10+ 46.48 грн
100+ 32.18 грн
500+ 25.23 грн
1000+ 21.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
GT090N06KGoford SemiconductorDescription: MOSFET, N-CH, 60V,45A,TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
товар відсутній
GT090N06KGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 45A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.76 грн
15000+ 14.03 грн
30000+ 12.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT090N06SGoford SemiconductorDescription: N60V,14A,RD<8M@10V,VTH1.0V~2.4V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1378 pF @ 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 10V
товар відсутній
GT095N04D3Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N04D3Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 47A DFN3*3-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 947 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.01 грн
13+ 22.04 грн
100+ 15.31 грн
500+ 11.22 грн
1000+ 9.12 грн
2000+ 8.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
GT095N04D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.37 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N04D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 54A DFN5*6-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 942 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.1 грн
10+ 31.83 грн
100+ 22.12 грн
500+ 16.21 грн
1000+ 13.17 грн
2000+ 11.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
GT095N10D5Goford SemiconductorDescription: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
на замовлення 14841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.51 грн
10+ 56.68 грн
100+ 44.1 грн
500+ 35.08 грн
1000+ 28.57 грн
2000+ 26.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT095N10D5Goford SemiconductorDescription: N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.35 грн
10000+ 26.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10D5Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 55A DFN5*6-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 35A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.53 грн
15000+ 19.16 грн
30000+ 17.22 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10D5GOFORD SemiconductorN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
GT095N10KGoford SemiconductorDescription: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
GT095N10KGoford SemiconductorDescription: N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.2 грн
10+ 67.5 грн
100+ 52.62 грн
500+ 40.79 грн
1000+ 32.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
GT095N10SGoford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 11A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+19.7 грн
16000+ 17.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000