Продукція > H7N
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
---|---|---|---|---|---|---|
H7N0203AB-E | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 20V 90A | товар відсутній | |||
H7N0302LMTR | на замовлення 2730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||
H7N0307 | HIT | 01+ | на замовлення 26400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
H7N0307LMTR | HIT | 01+ | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
H7N0312LD-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товар відсутній | |||
H7N0405LS90TR-E | RNENSAS | 07+ | на замовлення 820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
H7N0405LS90TR-E | RENESAS | TO-263 | на замовлення 890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
H7N0405LS90TREHS | STO220 | на замовлення 998 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||
H7N0603DL-E | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 60V 30A | товар відсутній | |||
H7N0603DS | на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||
H7N0603DSTR-E | RENESAS | 04NOPB | на замовлення 47 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
H7N0607DS9TL | RENESAS | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||
H7N0608LS90TL | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 11980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||
H7N0608LS90TL-E | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||
H7N1002LS-E | Renesas Electronics | MOSFET N-Channel MOSFET - LDPAK(S)-(1) | товар відсутній | |||
H7N1002LS-E | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-83 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: LDPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 10 V | товар відсутній | |||
H7N1002LSTL-E | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 100V LDPAK | товар відсутній | |||
H7N1004 | RENEAS | TO220/3 | на замовлення 2387 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||
H7N1004DS91TR-E | SOT252/2.5 | на замовлення 94 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||
H7N1004FN-E | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 44013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
H7N1004FN-E-A9#B0F | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
H7N1005DL-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товар відсутній | |||
H7N1005DSTR-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товар відсутній | |||
H7N1005FM-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товар відсутній | |||
H7N1005LD-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товар відсутній | |||
H7N1005LSTR-E | Renesas Electronics | Renesas Electronics | товар відсутній |