Продукція > HGT

Description: INSULATGABIPOLTRANSISTO50600V
Packaging: Bulk

товар відсутній

HGT1N30N60A4D

Description: IGBT, 96A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 255 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA

на замовлення 977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	1296.47 грн

Мінімальне замовлення: 16

HGT1N40N60A4D

Description: IGBT MOD 600V 110A 298W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 298 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA

товар відсутній

HGT1S10N120BNS
Код товару: 104642

Транзистори > IGBT

товар відсутній

HGT1S10N120BNS

Description: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

товар відсутній

HGT1S10N120BNS

IGBT Transistors 35A 1200V NPT N-Ch

товар відсутній

HGT1S10N120BNS

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

HGT1S10N120BNS

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

HGT1S10N120BNST

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HGT1S10N120BNST

Description: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

товар відсутній

HGT1S10N120BNST

IGBT Transistors N-Channel IGBT NPT Series 1200V

на замовлення 56000 шт:

термін постачання 752-761 дні (днів)

2+	295.19 грн
10+	244.11 грн
25+	200.44 грн
100+	171.53 грн
250+	161.67 грн
500+	153.78 грн
800+	130.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

HGT1S10N120BNST

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 17A; 298W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 17A
Power dissipation: 298W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape

товар відсутній

HGT1S10N120BNST

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HGT1S10N120BNST

Description: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	269.43 грн
10+	217.9 грн
100+	176.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

HGT1S11N120CNS
Код товару: 45305

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

HGT1S11N120CNS

IGBT Transistors

товар відсутній

HGT1S12N60A4DS
Код товару: 50012

Транзистори > IGBT

товар відсутній

HGT1S12N60A4DS

On Semiconductor/Fairchild

Description: IGBT, 54A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

на замовлення 2433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

81+	243.54 грн

Мінімальне замовлення: 81

HGT1S12N60A4DS

на замовлення 15 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

HGT1S12N60A4DS

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

HGT1S12N60A4DS

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

товар відсутній

HGT1S12N60A4DS

Description: IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

товар відсутній

HGT1S12N60A4S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HGT1S12N60A4S9A

Description: IGBT 600V 54A 167W TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

товар відсутній

HGT1S12N60A4S9A

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S12N60A4S9A

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S12N60B3

Description: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W

на замовлення 917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	89.28 грн

Мінімальне замовлення: 221

HGT1S12N60B3D

Description: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

221+	89.28 грн

Мінімальне замовлення: 221

HGT1S12N60B3DS

Description: IGBT 600V 27A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

214+	91.9 грн

Мінімальне замовлення: 214

HGT1S12N60B3S

Description: IGBT 600V 27A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 304µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

214+	91.9 грн

Мінімальне замовлення: 214

HGT1S12N60C3

Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

на замовлення 899 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

195+	101.09 грн

Мінімальне замовлення: 195

HGT1S12N60C3D

Description: 24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

на замовлення 2637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

226+	87.31 грн

Мінімальне замовлення: 226

HGT1S12N60C3DS

IGBT Transistors

товар відсутній

HGT1S12N60C3DS

Description: ONSEMI - HGT1S12N60C3DS - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

173+	157.03 грн

Мінімальне замовлення: 173

HGT1S12N60C3DS

Description: IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

на замовлення 565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

143+	137.86 грн

Мінімальне замовлення: 143

HGT1S12N60C3R

Description: IGBT 600V 24A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W

на замовлення 1962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

229+	85.99 грн

Мінімальне замовлення: 229

HGT1S12N60C3S

IGBT Modules

товар відсутній

HGT1S12N60C3S9AR4501

Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

190+	103.72 грн

Мінімальне замовлення: 190

HGT1S14N36G3VLS

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S14N36G3VLS

Description: IGBT 390V 18A 100W TO263AB

товар відсутній

HGT1S14N36G3VLS

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Coil Dr 14A 360V

товар відсутній

HGT1S14N36G3VLS

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S14N36G3VLT

Trans IGBT Chip N-CH 330V 18A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HGT1S14N36G3VLT

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: -/7µs
Test Condition: 300V, 7A, 25Ohm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 100 W

на замовлення 11447 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	108.97 грн

Мінімальне замовлення: 181

HGT1S14N36G3VLT_NL

Description: IGBT, 18A, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: -/7µs
Test Condition: 300V, 7A, 28Ohm, 5V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 100 W

товар відсутній

HGT1S14N37G3VLS

Description: IGBT, 25A, 380V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V
Power - Max: 136 W

на замовлення 8483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

143+	137.86 грн

Мінімальне замовлення: 143

HGT1S14N37G3VLS

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S14N37G3VLS

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S14N41G3VLS

Description: IGBT, 25A, 445V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 26 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 445 V
Power - Max: 136 W

на замовлення 2480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

163+	130.81 грн

Мінімальне замовлення: 163

HGT1S14N41G3VLT

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

157+	128.79 грн

Мінімальне замовлення: 157

HGT1S15N120C3

Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W

на замовлення 4004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	263.9 грн

Мінімальне замовлення: 75

HGT1S15N120C3S

Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	263.9 грн

Мінімальне замовлення: 75

HGT1S20N35F3VLR4505

Description: 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

171+	115.54 грн

Мінімальне замовлення: 171

HGT1S20N35G3VLS

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S20N35G3VLS

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S20N35G3VLS

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S20N35G3VLS

Description: IGBT 380V 20A 150W TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Td (on/off) @ 25°C: -/15µs
Test Condition: 300V, 10A, 25Ohm, 5V
Gate Charge: 28.7 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 375 V
Power - Max: 150 W

товар відсутній

HGT1S20N36G3VL

Description: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

товар відсутній

HGT1S20N36G3VLS

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S20N36G3VLS

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S20N36G3VLS

Description: IGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNEL

на замовлення 48197 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	128.22 грн

Мінімальне замовлення: 161

HGT1S20N60A4S

onsemi

товар відсутній

HGT1S20N60A4S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HGT1S20N60A4S9A

Description: IGBT 600V 70A 290W TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W

товар відсутній

HGT1S20N60A4S9A

IGBT Transistors 600V SMPS SERIES NCH IGBT

товар відсутній

HGT1S20N60B3S

Description: 40A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V

на замовлення 635 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	198.25 грн

Мінімальне замовлення: 100

HGT1S20N60C3R

Description: 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W

на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

155+	127.35 грн

Мінімальне замовлення: 155

HGT1S20N60C3S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S20N60C3S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S20N60C3S

ON Semiconductor / Fairchild

IGBT Transistors PTPIGBT TO263 45A 600V

товар відсутній

HGT1S20N60C3S9A

IGBT Transistors 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series

товар відсутній

HGT1S20N60C3S9A

Description: IGBT 600V 45A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns
Switching Energy: 295µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 91 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 164 W

товар відсутній

HGT1S20N60C3S9A

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S20N60C3S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 164000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HGT1S20N60C3S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 164000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HGT1S2N120CN

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/205ns
Switching Energy: 96µJ (on), 355µJ (off)
Test Condition: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 104 W

на замовлення 99688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

148+	133.26 грн

Мінімальне замовлення: 148

HGT1S3N60A4DS

IGBT Transistors TO-263

товар відсутній

HGT1S3N60A4DS9A

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Channel IGBT SMPS Series

товар відсутній

HGT1S3N60A4DS9A

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W

на замовлення 4713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

167+	116.96 грн

Мінімальне замовлення: 167

HGT1S3N60A4DS9A_NL

IGBT Transistors 600V, SMPS, SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

товар відсутній

HGT1S3N60A4S

IGBT Transistors

товар відсутній

HGT1S3N60A4S9A

IGBT Transistors

товар відсутній

HGT1S3N60B3DS

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

товар відсутній

HGT1S3N60B3S

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

533+	39.81 грн

Мінімальне замовлення: 533

HGT1S3N60C3D

Description: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W

на замовлення 365 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

365+	63.98 грн

Мінімальне замовлення: 365

HGT1S3N60C3DS

Description: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V

на замовлення 585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

325+	65.4 грн

Мінімальне замовлення: 325

HGT1S7N60A40S

2002 TO-263

на замовлення 20740 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S7N60A4DS

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S7N60A4DS

Description: IGBT 600V 34A 125W TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

товар відсутній

HGT1S7N60A4DS

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF

товар відсутній

HGT1S7N60A4DS

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S7N60A4DS
Код товару: 34779

Транзистори > IGBT

товар відсутній

HGT1S7N60A4DS9A

Description: IGBT, 34A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 120µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 60 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

товар відсутній

HGT1S7N60A4DS9A

IGBT Transistors

товар відсутній

HGT1S7N60A4DS9A_SB82213

onsemi

товар відсутній

HGT1S7N60A4S

IGBT Transistors

товар відсутній

HGT1S7N60A4S

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S7N60A4S

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S7N60A4S9A

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

товар відсутній

HGT1S7N60B3

Description: 14A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

400+	64.33 грн

Мінімальне замовлення: 400

HGT1S7N60B3D

Description: IGBT 600V 14A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

256+	77.46 грн

Мінімальне замовлення: 256

HGT1S7N60B3DS

IGBT Transistors

товар відсутній

HGT1S7N60B3DS

Description: 14 A, 600 V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

товар відсутній

HGT1S7N60B3DS9A

IGBT Transistors 14A 600V UFS N-Ch

товар відсутній

HGT1S7N60B3S

IGBT Transistors

товар відсутній

HGT1S7N60B3S9A

IGBT Transistors

товар відсутній

HGT1S7N60C3D

Description: IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

на замовлення 3882 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

307+	64.33 грн

Мінімальне замовлення: 307

HGT1S7N60C3D

IGBT Transistors Optocoupler Phototransistor

товар відсутній

HGT1S7N60C3DS

Description: 14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-263AB
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

на замовлення 8600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

243+	80.57 грн

Мінімальне замовлення: 243

HGT1S7N60C3DS

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S7N60C3DS

IGBT Transistors 7A 600V TF=275NS

товар відсутній

HGT1S7N60C3DS

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail

товар відсутній

HGT1S7N60C3DS

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S7N60C3DS9A

IGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series

товар відсутній

HGT1S7N60C3DS9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

HGT1S7N60C3DS9A

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGT1S7N60C3DS9A

на замовлення 25600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	147.5 грн

Мінімальне замовлення: 133

HGT1S7N60C3DS9A_NL

IGBT Transistors

товар відсутній

HGT4E20N60A4DS

IGBT Transistors TO-268

товар відсутній

HGT4E30N60B3S

Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

63+	315.1 грн

Мінімальне замовлення: 63

HGT4E30N60C3S

Description: IGBT 60A, 600V, N CHANNEL, TO 26
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	337.41 грн

Мінімальне замовлення: 59

HGTA32N60E2

Description: 32A, 600V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-218-5
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W

на замовлення 215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	753.61 грн

Мінімальне замовлення: 27

HGTB12N60D1C

Description: 12A, 600V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 598 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

77+	257.33 грн

Мінімальне замовлення: 77

HGTD10N40F1

Description: IGBT 400V 12A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

417+	59.74 грн

Мінімальне замовлення: 417

HGTD10N40F1S

Description: 10A, 400V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 1045 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

329+	59.74 грн

Мінімальне замовлення: 329

HGTD10N50F1

Description: IGBT 500V 12A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 2649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

166+	118.82 грн

Мінімальне замовлення: 166

HGTD10N50F1S

Description: 10A, 500V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 495 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

329+	59.74 грн

Мінімальне замовлення: 329

HGTD1N120BNS

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTD1N120BNS

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTD1N120BNS9A

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	117.48 грн
10+	107.87 грн
25+	106.39 грн
100+	83.29 грн
250+	75.15 грн
500+	59.29 грн
1000+	49.98 грн

Мінімальне замовлення: 5

HGTD1N120BNS9A

Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 2.7A; 60W; DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Pulsed collector current: 6A
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 2.7A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 60W
кількість в упаковці: 2500 шт

товар відсутній

HGTD1N120BNS9A

Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 5.3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 14740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	109.11 грн
500+	69.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

HGTD1N120BNS9A

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HGTD1N120BNS9A

Description: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W

на замовлення 2111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	100.95 грн
10+	79.62 грн
100+	61.93 грн
500+	49.26 грн
1000+	40.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

HGTD1N120BNS9A

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

101+	116.17 грн
102+	114.57 грн
126+	93.02 грн
250+	87.4 грн
500+	66.51 грн
1000+	53.82 грн

Мінімальне замовлення: 101

HGTD1N120BNS9A

Description: ONSEMI - HGTD1N120BNS9A - IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
DC-Kollektorstrom: 5.3
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-252AA
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

на замовлення 14740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	149.66 грн
10+	127.54 грн
100+	109.11 грн
500+	69.14 грн

Мінімальне замовлення: 5

HGTD1N120BNS9A

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5.3A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HGTD1N120BNS9A

товар відсутній

HGTD1N120BNS9A

IGBT Transistors 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series

на замовлення 14594 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	92.01 грн
10+	77.84 грн
100+	56.19 грн
500+	50.21 грн
1000+	41.93 грн
2500+	40.09 грн
5000+	39.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

HGTD1N120BNS9A

Description: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 1A
Supplier Device Package: TO-252AA
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/67ns
Switching Energy: 70µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 960V, 1A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 6 A
Power - Max: 60 W

товар відсутній

HGTD3N60A4S

Description: IGBT, 17A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W

на замовлення 2010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

606+	32.82 грн

Мінімальне замовлення: 606

HGTD3N60A4S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTD3N60A4S
Код товару: 83202

Транзистори > IGBT

товар відсутній

HGTD3N60A4S

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers

товар відсутній

HGTD3N60A4S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTD3N60B3

Description: IGBT 600V 7A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

на замовлення 4349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

592+	33.48 грн

Мінімальне замовлення: 592

HGTD3N60B3S

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

579+	35.06 грн

Мінімальне замовлення: 579

HGTD3N60B3S9A

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

579+	34.14 грн

Мінімальне замовлення: 579

HGTD3N60C3

Description: IGBT 600V 6A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 10 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: IPAK
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W

на замовлення 4718 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

592+	33.48 грн

Мінімальне замовлення: 592

HGTD3N60C3S

Description: 6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL I
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Gate Charge: 13.8 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W

товар відсутній

HGTD3N60C3S9A

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTD3N60C3S9A

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Switching Energy: 85µJ (on), 245µJ (off)
Test Condition: 480V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 10.8 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W

на замовлення 8284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

701+	28.23 грн

Мінімальне замовлення: 701

HGTD3N60C3S9A

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTD6N40E1S

Description: 6A, 400V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 3A
Supplier Device Package: TO-252-3 (DPAK)
Gate Charge: 6.9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 60 W

товар відсутній

HGTD7N60A4S

IGBT Transistors TO-252

товар відсутній

HGTD7N60B3

Description: IGBT 600V 14A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: IPAK
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

410+	47.92 грн

Мінімальне замовлення: 410

HGTD7N60B3S

Description: 14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 72µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

398+	49.23 грн

Мінімальне замовлення: 398

HGTD7N60C3

Description: 14A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: I-PAK
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

товар відсутній

HGTD7N60C3S
Код товару: 131786

Транзистори > IGBT

товар відсутній

HGTD7N60C3S

07+ TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTD7N60C3S

Description: 600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

товар відсутній

HGTD7N60C3S

IGBT Transistors PTPIGBT TO252 7A 600V

товар відсутній

HGTD7N60C3S

TO-252

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTD7N60C3S9A

Description: IGBT 600V 14A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

товар відсутній

HGTD7N60C3S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HGTD7N60C3S9A

IGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series

товар відсутній

HGTD7N60C3S9A

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

HGTD7N60C3S9A

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

на замовлення 249 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

249+	79.27 грн

Мінімальне замовлення: 249

HGTD7N60C3S9A

Description: IGBT 600V 14A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-252AA
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Gate Charge: 23 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

на замовлення 2006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	119.43 грн
10+	95.64 грн
100+	76.11 грн
500+	60.44 грн
1000+	51.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

HGTD7N60C3S9A_NL

IGBT Transistors

товар відсутній

HGTD8P50G1

Description: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: I-PAK
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 66 W

на замовлення 23728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

212+	100.95 грн

Мінімальне замовлення: 212

HGTD8P50G1S

Description: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-252AA
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 66 W

на замовлення 6865 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

381+	53.27 грн

Мінімальне замовлення: 381

HGTD8P50GIS

Description: 8A, 500V P-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

HGTG10N120BN

IGBT Transistors

товар відсутній

HGTG10N120BND

IGBT Transistors 35A 1200V N-Ch

товар відсутній

HGTG10N120BND
Код товару: 91807

товар відсутній

HGTG10N120BND

Description: IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 850µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

товар відсутній

HGTG10N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG10N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG10N120BND_Q

IGBT Transistors 35A 1200V N-Ch

товар відсутній

HGTG11N120CN

Description: IGBT 1200V 43A 298W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

товар відсутній

HGTG11N120CN

IGBT Transistors 43A 1200V N-Ch

товар відсутній

HGTG11N120CN

Description: ONSEMI - HGTG11N120CN - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

164+	165.14 грн

Мінімальне замовлення: 164

HGTG11N120CN

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

137+	144.42 грн

Мінімальне замовлення: 137

HGTG11N120CN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

товар відсутній

HGTG11N120CND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG11N120CND
Код товару: 63369

FAIR

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 43 A
Ic 100: 22 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 23/180

товар відсутній

HGTG11N120CND

43A; 1200V; 298W; IGBT w/ Diode HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 30 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	201.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

HGTG11N120CND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 43A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG11N120CND

Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 22A; 298W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 22A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	364.19 грн
3+	303.95 грн
4+	226.59 грн
10+	214.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

HGTG11N120CND

Description: IGBT NPT 1200V 43A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/180ns
Switching Energy: 950µJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 11A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	359.72 грн
30+	274.56 грн
120+	235.34 грн

HGTG11N120CND

IGBT Transistors 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dd

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	297.49 грн
10+	290.97 грн
25+	216.22 грн
100+	199.79 грн
250+	196.5 грн
450+	164.96 грн
900+	162.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

HGTG11N120CND

43A; 1200V; 298W; IGBT w/ Diode HGTG11N120CND THGTG11n120cnd
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 8 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	201.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

HGTG11N120CND

Description: ONSEMI - HGTG11N120CND - IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 43A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

на замовлення 1646 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	354.61 грн
10+	234.44 грн
100+	199.05 грн
500+	177.99 грн
1000+	161.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

HGTG12N60A4

Description: IGBT 600V 54A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

товар відсутній

HGTG12N60A4

на замовлення 9826 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTG12N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

товар відсутній

HGTG12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	310.31 грн
10+	257.35 грн
25+	246.82 грн
50+	215.71 грн
100+	179.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

HGTG12N60A4D

54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 1 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	281.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

HGTG12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG12N60A4D

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

товар відсутній

HGTG12N60A4D

54A; 600V; 167W; IGBT w/ Diode HGTG12N60A4D THGTG12n60a4d
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	281.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

HGTG12N60A4D

Description: IGBT 600V 54A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

товар відсутній

HGTG12N60A4D
Код товару: 31158

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,7 V
Ic 25: 54 A
Ic 100: 23 A
Pd 25: 167 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 17/96

у наявності 7 шт:

6 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів

1+	145 грн

HGTG12N60B3

Description: IGBT 600V 27A 104W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/150ns
Switching Energy: 150µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 104 W

товар відсутній

HGTG12N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

товар відсутній

HGTG12N60B3D

Description: HGTG12N27600UN-CHANNIGWIANTI-PAR
Packaging: Bulk

товар відсутній

HGTG12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	302.22 грн
10+	290.28 грн
25+	282.59 грн
50+	260.79 грн
100+	240.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

HGTG12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG12N60C3D

Description: UFS SERIES N-CH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	311.81 грн

Мінімальне замовлення: 64

HGTG12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HGTG12N60C3D TO-247
Код товару: 109889

Транзистори > IGBT

товар відсутній

HGTG12N60C3DR

Description: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W

товар відсутній

HGTG12N60D1D

Description: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	449.66 грн

Мінімальне замовлення: 44

HGTG12N60DID

Description: 24A, 600V, RUGGED, UFS SERIES N
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 15378 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

88+	223.85 грн

Мінімальне замовлення: 88

HGTG15N1203D

Description: 35A, 1200V, UFS SERIES N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

HGTG15N120C3

Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W

на замовлення 1034 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

70+	283.59 грн

Мінімальне замовлення: 70

HGTG18N120BN

IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch

товар відсутній

HGTG18N120BN

Description: IGBT 1200V 54A 390W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 165 A
Power - Max: 390 W

товар відсутній

HGTG18N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG18N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG18N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG18N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG18N120BND

Description: ONSEMI - HGTG18N120BND - IGBT, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 54A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	352.4 грн
10+	345.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

HGTG18N120BND

IGBT Transistors 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde

товар відсутній

HGTG18N120BND

Description: IGBT 1200V 54A 390W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 960V, 18A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 390 W

товар відсутній

HGTG18N120BND_NL

IGBT Transistors 1200V,54A,NPT SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST

товар відсутній

HGTG18N120BN_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 36A 1200V N-CHANNEL NPT TO-247

товар відсутній

HGTG201N100E2

Description: HGTG201N100E2
Packaging: Bulk

товар відсутній

HGTG20N100D2

Description: 34A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.1V @ 10V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 163 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 150 W

на замовлення 539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	609.18 грн

Мінімальне замовлення: 33

HGTG20N120C3D

Description: 45A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/110ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 186 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W

товар відсутній

HGTG20N120CN

IGBT Transistors

товар відсутній

HGTG20N120CND

IGBT Transistors

товар відсутній

HGTG20N50C1D

Description: 26A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 26 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 3119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

40+	502.84 грн

Мінімальне замовлення: 40

HGTG20N60A4
Код товару: 32885

FAIR

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73

у наявності 6 шт:

5 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Львів

1+	230 грн

HGTG20N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	246.85 грн
10+	236.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

HGTG20N60A4

Fairchaild

IGBT транзистор - SMPS IGBT - TO-247; 600 V; 40A

на замовлення 7 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	246.71 грн
10+	206.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

HGTG20N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

товар відсутній

HGTG20N60A4

Description: IGBT 600V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W

товар відсутній

HGTG20N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG20N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG20N60A4D

IGBT Transistors 600V

товар відсутній

HGTG20N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG20N60A4D

Description: IGBT 600V 70A 290W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W

товар відсутній

HGTG20N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG20N60A4D
Код товару: 29312

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73

у наявності 9 шт:

1 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	220 грн

HGTG20N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG20N60A4D_NL

IGBT Transistors 600V, SMPS SERIES NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

товар відсутній

HGTG20N60A4_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 45A / 600V SMPS N-CH TO-247

товар відсутній

HGTG20N60B3
Код товару: 63371

FAIR

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220

товар відсутній

HGTG20N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	233.9 грн

Мінімальне замовлення: 3

HGTG20N60B3

на замовлення 3150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTG20N60B3

Description: IGBT 600V 40A 165W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W

товар відсутній

HGTG20N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG20N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	201.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

HGTG20N60B3

N/A

09+

на замовлення 4518 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTG20N60B3

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W

на замовлення 2220 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	235.66 грн

Мінімальне замовлення: 84

HGTG20N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HGTG20N60B3

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series

товар відсутній

HGTG20N60B3-FS

Description: IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W

на замовлення 55284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	235.66 грн

Мінімальне замовлення: 84

HGTG20N60B3D

40A; 600V; 165W; IGBT w/ Diode HGTG20N60B3D THGTG20n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	279.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

HGTG20N60B3D

Description: ONSEMI - HGTG20N60B3D - IGBT, 40 A, 1.8 V, 165 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A

на замовлення 947 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	469.62 грн
5+	423.91 грн
10+	377.46 грн
50+	326.54 грн
100+	279.31 грн
250+	249.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	461.69 грн
10+	414.34 грн
100+	334.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

HGTG20N60B3D

TE Connectivity

товар відсутній

HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG20N60B3D

IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel

товар відсутній

HGTG20N60B3D

Description: IGBT 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W

товар відсутній

HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	497.21 грн
27+	446.21 грн
100+	359.91 грн

Мінімальне замовлення: 24

HGTG20N60B3D
Код товару: 28558

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 165 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/220

очікується 50 шт:

50 шт - очікується

1+	195 грн
10+	184 грн

HGTG20N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 165000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG20N60B3D_Q

IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel

товар відсутній

HGTG20N60B3_NL

Description: IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 165 W

товар відсутній

HGTG20N60B3_Q

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series

товар відсутній

HGTG20N60C3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTG20N60C3

IGBT Transistors

товар відсутній

HGTG20N60C3D

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTG20N60C3D

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers UFS 20A 600V N-Ch

товар відсутній

HGTG20N60C3D

Description: IGBT 600V 45A 164W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns
Switching Energy: 500µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 91 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 164 W

товар відсутній

HGTG20N60C3D_NL

IGBT Transistors 600V, 45A, NCH IGBT W/ ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

товар відсутній

HGTG20N60C3R

Description: 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 116 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 164 W

на замовлення 4923 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

123+	160.83 грн

Мінімальне замовлення: 123

HGTG24N60D1

Description: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 125 W

на замовлення 25168 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	586.2 грн

Мінімальне замовлення: 34

HGTG24N60D1

HARRIS

9718

на замовлення 47 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTG24N60D1D

Description: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 125 W

на замовлення 9092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	682.71 грн

Мінімальне замовлення: 29

HGTG24N60DID

Description: 40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N-C
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified

товар відсутній

HGTG27N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG27N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 72A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HGTG27N120BN

FAIRCHIL

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTG27N120BN

IGBT Transistors 72A 1200V NPT Series N-Ch IGBT

товар відсутній

HGTG27N120BN

Description: ONSEMI - HGTG27N120BN - IGBT, 72 A, 2.7 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 72
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 500
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: Lead (27-Jun-2018)

товар відсутній

HGTG27N120BN

Description: IGBT NPT 1200V 72A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/195ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 960V, 27A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 72 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 216 A
Power - Max: 500 W

товар відсутній

HGTG27N60C3DR

Description: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 208 W

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	424.06 грн

Мінімальне замовлення: 47

HGTG27N60C3R

Description: 54A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 27A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 212 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A
Power - Max: 208 W

на замовлення 297 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	206.13 грн

Мінімальне замовлення: 96

HGTG2ON60C3DR

Description: 40A, 600V, RUGGED UFS SERIES N C
Packaging: Bulk

на замовлення 302 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

94+	210.72 грн

Мінімальне замовлення: 94

HGTG30N120CN

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTG30N120CN

IGBT Transistors

товар відсутній

HGTG30N60A4

Description: IGBT 600V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W

товар відсутній

HGTG30N60A4

Description: ONSEMI - HGTG30N60A4 - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

HGTG30N60A4
Код товару: 42509

FAIR/ON

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150

у наявності 9 шт:

9 шт - склад

1+	540 грн

HGTG30N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG30N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

товар відсутній

HGTG30N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG30N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG30N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG30N60A4D

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

товар відсутній

HGTG30N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG30N60A4D

Fairchaild

IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss

на замовлення 8 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	565.72 грн
10+	463.32 грн

HGTG30N60A4D

Description: IGBT 600V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Switching Energy: 280µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 390V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 225 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 463 W

товар відсутній

HGTG30N60A4D

Description: ONSEMI - HGTG30N60A4D - IGBT, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.6
Verlustleistung Pd: 463
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 75
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)

товар відсутній

HGTG30N60A4D
Код товару: 31842

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180

у наявності 1 шт:

1 шт - РАДІОМАГ-Київ

1+	320 грн

HGTG30N60B3

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series

товар відсутній

HGTG30N60B3

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTG30N60B3

Description: 600 V, NPT IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 500µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W

на замовлення 16153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

95+	207.43 грн

Мінімальне замовлення: 95

HGTG30N60B3

Description: ONSEMI - HGTG30N60B3 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 16153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	202 грн
10+	155.56 грн
100+	137.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

HGTG30N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

76+	154.41 грн
79+	148.53 грн

Мінімальне замовлення: 76

HGTG30N60B3

FSC 06+ TO-3P

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTG30N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG30N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	330.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

HGTG30N60B3D

60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode HGTG30N60B3D THGTG30n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	272.76 грн

Мінімальне замовлення: 5

HGTG30N60B3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG30N60B3D
Код товару: 95788

Транзистори > IGBT

товар відсутній

HGTG30N60B3D

IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel

товар відсутній

HGTG30N60B3D

Description: IGBT 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W

товар відсутній

HGTG30N60B3D..

Description: ONSEMI - HGTG30N60B3D.. - IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

HGTG30N60B3D_NL

IGBT Transistors 600V,60A,UFS SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

товар відсутній

HGTG30N60B3D_Q

IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel

товар відсутній

HGTG30N60B3_NL

Description: IGBT, 60A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/137ns
Switching Energy: 550µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 480V, 60A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 208 W

на замовлення 51 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

51+	396.49 грн

Мінімальне замовлення: 51

HGTG30N60C3

Description: 63A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: SUPER-247 (TO-274AA)
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 480V, 30A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W

на замовлення 1321 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

124+	158.86 грн

Мінімальне замовлення: 124

HGTG30N60C3

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTG30N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG30N60C3D

Description: IGBT 600V 63A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W

товар відсутній

HGTG30N60C3D

IGBT Transistors 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para

товар відсутній

HGTG30N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	490.92 грн
44+	443.73 грн

Мінімальне замовлення: 24

HGTG30N60C3D

Description: ONSEMI - HGTG30N60C3D - IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8
DC-Kollektorstrom: 63
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 208
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

HGTG30N60C3D

Description: IGBT 600V 63A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: 1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
Gate Charge: 162 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W

на замовлення 7133 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	456.89 грн

Мінімальне замовлення: 44

HGTG30N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	421.62 грн
44+	412.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

HGTG30N60C3D_NL

IGBT Transistors 600V,63A,UFS,SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

товар відсутній

HGTG30N60C3D_NL

Description: IGBT, 63A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 250 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 63 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 252 A
Power - Max: 208 W

товар відсутній

HGTG32N60E2

Description: 50A, 600V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 265 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

38+	521.88 грн

Мінімальне замовлення: 38

HGTG34N100E2

Description: 55A, 1000V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 34A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 240 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 208 W

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

37+	535.66 грн

Мінімальне замовлення: 37

HGTG40N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	464.1 грн
10+	406.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

HGTG40N60A4
Код товару: 47773

Транзистори > IGBT

товар відсутній

HGTG40N60A4

Description: IGBT 600V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 625 W

товар відсутній

HGTG40N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 HGTG40N60A4 THGTG40n60a4
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 19 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

2+	490.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

HGTG40N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG40N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

товар відсутній

HGTG40N60A4

Description: IGBT 600V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V
Gate Charge: 350 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 625 W

товар відсутній

HGTG40N60B3

FAIRCHIL

05+ BGA

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTG40N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG40N60B3

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT UFS Series

товар відсутній

HGTG40N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	747.99 грн

Мінімальне замовлення: 16

HGTG40N60B3

Description: ONSEMI - HGTG40N60B3 - IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
DC-Kollektorstrom: 70
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 290
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

HGTG40N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 413 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	694.56 грн

HGTG40N60B3
Код товару: 148092

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3

товар відсутній

HGTG40N60B3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1098.51 грн
10+	1011.54 грн
25+	999.42 грн
100+	826.62 грн

HGTG40N60B3

Description: IGBT 600V 70A 290W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/170ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 250 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 330 A
Power - Max: 290 W

товар відсутній

HGTG40N60B3-FS

Description: 70A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

HGTG40N60C3

Description: 75A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/185ns
Switching Energy: 850mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 480V, 40A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 395 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 291 W

на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	398.46 грн

Мінімальне замовлення: 50

HGTG40N60C3R

Description: 75A, 600V N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 330 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 291 W

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	550.1 грн

Мінімальне замовлення: 45

HGTG5N120BND

Description: IGBT NPT 1200V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 167 W

товар відсутній

HGTG5N120BND
Код товару: 58070

Транзистори > IGBT

товар відсутній

HGTG5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	159.71 грн

Мінімальне замовлення: 450

HGTG5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG5N120BND

IGBT Transistors 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch

товар відсутній

HGTG5N120BND

Description: ONSEMI - HGTG5N120BND - IGBT, 21 A, 2.7 V, 167 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 21
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 167
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

товар відсутній

HGTG7N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

товар відсутній

HGTG7N60A4

Description: IGBT 600V 34A 125W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

товар відсутній

HGTG7N60A4D

IGBT Transistors 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF

товар відсутній

HGTG7N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	142.26 грн
10+	137.22 грн

Мінімальне замовлення: 5

HGTG7N60A4D

Description: IGBT 600V 34A 125W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

товар відсутній

HGTG7N60A4D

03+

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTG7N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

HGTG7N60A4D_Q

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF

товар відсутній

HGTH12N40C1D

Description: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W

товар відсутній

HGTH12N40CID

Description: 12A, 400V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	163.46 грн

Мінімальне замовлення: 121

HGTH12N40E1D

товар відсутній

HGTH12N50C1

Description: 12A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W

товар відсутній

HGTH12N50C1D

Description: 12A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 483 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	163.46 грн

Мінімальне замовлення: 121

HGTH12N50CID

Description: 12A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 1374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

121+	163.46 грн

Мінімальне замовлення: 121

HGTH20N40C1

Description: 20A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W

товар відсутній

HGTH20N40C1D

товар відсутній

HGTH20N50C1

Description: 20A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 100 W

на замовлення 4984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	447.05 грн

Мінімальне замовлення: 45

HGTH20N50E1

на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	223.19 грн

Мінімальне замовлення: 89

HGTH20N50E1D

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	223.19 грн

Мінімальне замовлення: 89

HGTH20N50EID

Description: 20A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 1433 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

89+	223.19 грн

Мінімальне замовлення: 89

HGTIS20N60C3RS

Description: HGTIS20N60C3RS
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

HGTP10N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HGTP10N120BN

IGBT Transistors 35A 1200V N-Ch

товар відсутній

HGTP10N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HGTP10N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HGTP10N120BN

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HGTP10N120BN

Description: IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns
Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 298 W

товар відсутній

HGTP10N120BN
Код товару: 121310

Транзистори > IGBT

товар відсутній

HGTP10N40C1

Description: IGBT 400V 10A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 60 W

на замовлення 1977 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

256+	77.46 грн

Мінімальне замовлення: 256

HGTP10N40C1D

Description: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	185.77 грн

Мінімальне замовлення: 107

HGTP10N40E1

Description: 10A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 60 W

на замовлення 267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

267+	77.46 грн

Мінімальне замовлення: 267

HGTP10N40E1D

товар відсутній

HGTP10N40EID

Description: 17.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 225 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

225+	103.72 грн

Мінімальне замовлення: 225

HGTP10N40F1D

Description: 12A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 5A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 13.4 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 806 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

314+	63.02 грн

Мінімальне замовлення: 314

HGTP10N50C1

INTERSIL

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTP10N50E1

Description: 10A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 60 W

на замовлення 15216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

143+	138.51 грн

Мінімальне замовлення: 143

HGTP10N50E1D

Description: 17.5A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Power - Max: 75 W

на замовлення 3712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	206.13 грн

Мінімальне замовлення: 96

HGTP12N6001

Description: HGTP12N6001
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 568 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

134+	147.7 грн

Мінімальне замовлення: 134

HGTP12N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

HGTP12N60A4

Description: UFS SERIES N-CH IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

417+	47.26 грн

Мінімальне замовлення: 417

HGTP12N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

товар відсутній

HGTP12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HGTP12N60A4D

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/96ns
Switching Energy: 55µJ (on), 50µJ (off)
Test Condition: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 167 W

на замовлення 76616 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

165+	119.48 грн

Мінімальне замовлення: 165

HGTP12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	73.9 грн
10+	73.17 грн
25+	72.71 грн
50+	69.3 грн
100+	63.32 грн

Мінімальне замовлення: 8

HGTP12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HGTP12N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HGTP12N60C3

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

HGTP12N60C3
Код товару: 99779

товар відсутній

HGTP12N60C3

Description: IGBT 600V 24A 104W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

товар відсутній

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

91+	128.44 грн

Мінімальне замовлення: 91

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	98.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HGTP12N60C3D
Код товару: 122684

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270

у наявності 13 шт:

3 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса

1+	185 грн
10+	173 грн

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	152.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HGTP12N60C3D

IGBT Transistors HGTP12N60C3D

товар відсутній

HGTP12N60C3D

Description: IGBT 600V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220-3
Switching Energy: 380µJ (on), 900µJ (off)
Gate Charge: 48 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W

товар відсутній

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	124.99 грн
10+	124.39 грн
25+	121.38 грн
50+	116.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

HGTP12N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 104W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

HGTP12N60C3R

Description: IGBT 600V 24A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W

на замовлення 2724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

239+	82.71 грн

Мінімальне замовлення: 239

HGTP14N0FVLR4600

Description: HGTP14N0FVLR4600
Packaging: Bulk
Part Status: Active

товар відсутній

HGTP14N36G3VL

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 14a 380V Logic Level

товар відсутній

HGTP14N36G3VL

Description: Insulated Gate Bipolar Transisto
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 5V, 14A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 24 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V
Power - Max: 100 W

товар відсутній

HGTP14N40F3VL

TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTP14N40F3VL

07+ TO-263

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTP14N44G3VL

Description: IGBT, 27A, 490V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4.5V, 8A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: -/18µs
Test Condition: 300V, 7.5A, 1kOhm, 5V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 490 V
Power - Max: 231 W

товар відсутній

HGTP15N40C1

Description: 15A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 368 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	211.95 грн

Мінімальне замовлення: 96

HGTP15N40E1

на замовлення 488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	111.7 грн

Мінімальне замовлення: 181

HGTP15N50C1

Description: 15A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 35A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 33 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 35 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 8373 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	236.98 грн

Мінімальне замовлення: 84

HGTP15N50E1

на замовлення 1985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

181+	107.96 грн

Мінімальне замовлення: 181

HGTP1N120BND

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTP20N35F3ULR3935

Description: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

156+	124.75 грн

Мінімальне замовлення: 156

HGTP20N35F3VL

Description: 20A, 350V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

156+	124.75 грн

Мінімальне замовлення: 156

HGTP20N35G3VL

Description: IGBT, 20A, 320V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Logic
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 5V, 20A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 28.7 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 380 V
Power - Max: 150 W

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

202+	96.82 грн

Мінімальне замовлення: 202

HGTP20N60A4

70A; 600V; 290W; IGBT HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	119.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

HGTP20N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	107.92 грн
10+	104.03 грн
25+	101.61 грн
50+	96.69 грн
100+	86.82 грн

Мінімальне замовлення: 6

HGTP20N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

товар відсутній

HGTP20N60A4

Description: IGBT 600V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/73ns
Switching Energy: 105µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 142 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 280 A
Power - Max: 290 W

товар відсутній

HGTP20N60A4

70A; 600V; 290W; IGBT HGTP20N60A4 THGTP20n60a4
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

5+	119.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

HGTP20N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HGTP20N60A4
Код товару: 61820

Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 70 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 15/73

у наявності 63 шт:

29 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса

1+	102 грн
10+	91.4 грн

HGTP20N60A4_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 45A,600V SMPS N-CH TO-22-A

товар відсутній

HGTP20N60B3

IGBT Transistors TO-220

товар відсутній

HGTP20N60C3

IGBT Transistors

товар відсутній

HGTP20N60C3R

Description: 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 24 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/151ns
Switching Energy: 500µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 122 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 164 W

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	322.32 грн

Мінімальне замовлення: 79

HGTP2N120CN

Description: IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/205ns
Switching Energy: 96µJ (on), 355µJ (off)
Test Condition: 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 104 W

товар відсутній

HGTP30N60C3D

TO-220

на замовлення 1962 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTP3N60A4
Код товару: 104967

товар відсутній

HGTP3N60A4

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W

на замовлення 107038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

216+	90.32 грн

Мінімальне замовлення: 216

HGTP3N60A4

fairchild

2011+

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTP3N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT NPT Series

товар відсутній

HGTP3N60A4D

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 6ns/73ns
Switching Energy: 37µJ (on), 25µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 70 W

на замовлення 25328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

226+	86.42 грн

Мінімальне замовлення: 226

HGTP3N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

HGTP3N60A4D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 17A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

HGTP3N60A4D

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

товар відсутній

HGTP3N60A4D
Код товару: 104968

товар відсутній

HGTP3N60A4D_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 7A,600V,SMPS SERIES N-CH W/DIODE TO-220AB

товар відсутній

HGTP3N60A4_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 7A,600V,SMPS SERIES N-CH W/DIODE TO-220AB

товар відсутній

HGTP3N60B3

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 3.5A
Supplier Device Package: TO-220
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 66µJ (on), 88µJ (off)
Test Condition: 480V, 3.5A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 21 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 33.3 W

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

579+	34.14 грн

Мінімальне замовлення: 579

HGTP3N60B3R4724

Description: 7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

579+	33.7 грн

Мінімальне замовлення: 579

HGTP3N60C3

Description: 6A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 17.3 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 33 W

на замовлення 5993 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

579+	34.14 грн

Мінімальне замовлення: 579

HGTP5N120BND

FAIRCHIL..

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTP5N120BND

IGBT Transistors 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch

товар відсутній

HGTP5N120BND

Description: IGBT NPT 1200V 21A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns
Switching Energy: 450µJ (on), 390µJ (off)
Test Condition: 960V, 5A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 167 W

товар відсутній

HGTP5N120BND

fairchild

2011+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTP5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HGTP5N120BND

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 21A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HGTP5N120CN

Description: IGBT, 25A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5.5A
Supplier Device Package: TO-220AB
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 400µJ (on), 640µJ (off)
Test Condition: 960V, 5.5A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 167 W

товар відсутній

HGTP6N40E1D

Description: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 10V, 3A
Supplier Device Package: TO-220
Gate Charge: 6.9 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 7.5 A
Power - Max: 75 W

на замовлення 1131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

423+	46.61 грн

Мінімальне замовлення: 423

HGTP6N40EID

Description: 7.5A, 400V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

423+	46.61 грн

Мінімальне замовлення: 423

HGTP7N60A4

fairchild

2011+

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTP7N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HGTP7N60A4

Description: ONSEMI - HGTP7N60A4 - IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.7
DC-Kollektorstrom: 34
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Verlustleistung Pd: 125
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	129.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

HGTP7N60A4

Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товар відсутній

HGTP7N60A4

Description: IGBT 600V 34A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

товар відсутній

HGTP7N60A4

IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series

товар відсутній

HGTP7N60A4-F102

Description: ONSEMI - HGTP7N60A4-F102 - IGBT, 600V, SMPS
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

товар відсутній

HGTP7N60A4-F102

600V, SMPS IGBT

товар відсутній

HGTP7N60A4-F102

Description: IGBT 600V 34A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 60 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

товар відсутній

HGTP7N60A4-F102

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers N-Ch / 7A 600V SMPS 1 IGBT

товар відсутній

HGTP7N60A4-F102

600V, SMPS IGBT

товар відсутній

HGTP7N60A4D

Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF

товар відсутній

HGTP7N60A4D
Код товару: 103567

Транзистори > IGBT

товар відсутній

HGTP7N60A4D

Description: IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

товар відсутній

HGTP7N60A4_NL

Description: IGBT, 34A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/100ns
Switching Energy: 55µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 125 W

на замовлення 511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

511+	39.02 грн

Мінімальне замовлення: 511

HGTP7N60A4_NL

IGBT Transistors PWR IGBT 12A,600V,SMPS SEREIES N-CH TO-220ABO-220AB

товар відсутній

HGTP7N60B3D

Description: IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL, TO-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

на замовлення 16763 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	70.9 грн

Мінімальне замовлення: 278

HGTP7N60B3D

IGBT Transistors PWR IGBT 14A 600V N-CHANNEL

товар відсутній

HGTP7N60B3D

Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

на замовлення 2590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

278+	70.9 грн

Мінімальне замовлення: 278

HGTP7N60B3D

Description: IGBT 600V 14A 60W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

товар відсутній

HGTP7N60C3

Description: 14A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220AB
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

450+	49.91 грн

Мінімальне замовлення: 450

HGTP7N60C3

IGBT Transistors

товар відсутній

HGTP7N60C3D

Description: IGBT 600V 14A 60W TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220-3
Switching Energy: 165µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 480V, 7A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 60 W

товар відсутній

HGTP7N60C3D
Код товару: 49546

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

HGTP7N60C3D

06+ SMD

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTP7N60C3D

IGBT Transistors 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series

товар відсутній

HGTP7N60C3D

Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

товар відсутній

HGTP7N60C3D

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

HGTP7N60C3D_NL

IGBT Transistors 600V,14A,UFS SERIES NCH IGBT W/ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE

товар відсутній

HGTQSS-18U-12

OMEGA

Description: OMEGA - HGTQSS-18U-12 - Thermoelement, T, 0 °C, 315 °C, Edelstahl
Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 12
Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 304.8
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
Anschlusslänge - metrisch: -
Anschlusslänge - imperial: -
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 0.125
Erfassungstemperatur, min.: 0
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 3.18
Erfassungstemperatur, max.: 315
Produktpalette: -
Thermoelement: T
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

HGTQSS-18U-6

OMEGA

Description: OMEGA - HGTQSS-18U-6 - Thermoelement, T, 0 °C, 315 °C, Edelstahl
Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 6
Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 152.4
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
Anschlusslänge - metrisch: -
Anschlusslänge - imperial: -
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 0.125
Erfassungstemperatur, min.: 0
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 3.18
Erfassungstemperatur, max.: 315
Produktpalette: -
Thermoelement: T
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

HGTR-000.5RR

Description: HOSA - HGTR-000.5RR - 6 INCH PRO GUITAR PATCH CABLE 20AWG REAN RA TO SAME
Kabellänge - Imperial: 6
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 152.4
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

товар відсутній

HGTR-001RR

Description: HOSA - HGTR-001RR - 12 INCH PRO GUITAR PATCH CABLE20AWG REAN RA TO SAME
Kabellänge - Imperial: 12
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 305
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

товар відсутній

HGTR-010

Description: HOSA - HGTR-010 - 10FT PRO GUITAR CABLE 20AWG REAN STRAIGHT TO SAME
Kabellänge - Imperial: 10
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 3.05
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

товар відсутній

HGTR-015

Description: HOSA - HGTR-015 - 15FT PRO GUITAR CABLE 20AWG REAN STRAIGHT TO SAME
Kabellänge - Imperial: 15
Mantelfarbe: Black
Steckverbinder A: 1/4" Mono Phone Plug
Kabellänge - Metrisch: 4.57
Steckverbinder B: 1/4" Mono Phone Plug
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)

товар відсутній

HGTR-015R