НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
HP8Amphenol FCIAmphenol
товар відсутній
HP8-ZH-BPL5RSCC Aerospace & DefenseWIRE: INSULATED ELECTRIC CONDUCTOR Of copper not fitted with connectors
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+899.05 грн
500+ 709.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
HP802HUAYAMICRO08+
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP804HUAYA MICRO2008
на замовлення 9930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP8060-9RGBel Power SolutionsDescription: POWER SUPPLYHP8060-9RGDC-DCIN 16
товар відсутній
HP8060-9RGBel Power SolutionsHP8060-9RG
товар відсутній
HP8060-9RGBel Power SolutionsSwitching Power Supplies 187W 16.8-137.5Vi 5.1/24/24Vo 12/2.5A
товар відсутній
HP8120AHENWOOD0106+
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP8126AHENWOOD0136+
на замовлення 11365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP8127AHENWOOD2002
на замовлення 6220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP8128AHENWOOD2002
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP820PORTASOLCategory: Gas soldering irons & torches
Description: Burner: gas; 820W; 1350°C; 30min; piezoelectric lighter
Type of burner: gas
Kind of gas: butane
Power: 820W
Flame temperature: 1350°C
Applications of soldering equipment: for heat shrinking; for singeing
Height: 133mm
Soldering equipment features: flame adjustment; igniter lock; piezoelectric lighter; possibility to fix on a stand; sight-glass for gas level indication in the bottle; standard refilling valve
Standard equipment: stand
Nominal life: 30min
товар відсутній
HP820PORTASOLCategory: Gas soldering irons & torches
Description: Burner: gas; 820W; 1350°C; 30min; piezoelectric lighter
Type of burner: gas
Kind of gas: butane
Power: 820W
Flame temperature: 1350°C
Applications of soldering equipment: for heat shrinking; for singeing
Height: 133mm
Soldering equipment features: flame adjustment; igniter lock; piezoelectric lighter; possibility to fix on a stand; sight-glass for gas level indication in the bottle; standard refilling valve
Standard equipment: stand
Nominal life: 30min
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HP8210PRO ELECDescription: PRO ELEC - HP8210 - Steckverbinder-Adapter, Kaltgerätestecker (IEC 60320 C14), 1 -polig, Stecker
tariffCode: 85369010
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.18 грн
10+ 184.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP838H8NibcoDescription: S585HP66LF-HC 3/4 SLD X 3/4 HOSE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP840X8NibcoDescription: PC-585HP-LF 3/4 PRESS BALL VALVE
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP843X8NibcoDescription: PC585HPLF-HC 3/4 PRESS X 3/4 HOS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8K
на замовлення 7820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP8K22TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 9532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.34 грн
10+ 68.02 грн
100+ 52.89 грн
500+ 42.07 грн
1000+ 34.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+57.77 грн
250+ 55.45 грн
500+ 53.45 грн
1000+ 49.86 грн
2500+ 44.8 грн
Мінімальне замовлення: 198
HP8K22TBROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
на замовлення 30379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.11 грн
10+ 75.48 грн
100+ 51.12 грн
500+ 43.34 грн
1000+ 35.29 грн
2500+ 31.73 грн
5000+ 31.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8K22TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A/57A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 57A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.7 грн
5000+ 32.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+57.77 грн
250+ 55.45 грн
Мінімальне замовлення: 198
HP8K22TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/57A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+30.33 грн
391+ 29.26 грн
397+ 28.87 грн
500+ 27.37 грн
1000+ 25 грн
Мінімальне замовлення: 378
HP8K24ROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+66.73 грн
180+ 63.75 грн
250+ 61.19 грн
500+ 56.88 грн
1000+ 50.94 грн
2500+ 47.46 грн
5000+ 46.18 грн
Мінімальне замовлення: 172
HP8K24TBROHMDescription: ROHM - HP8K24TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0067 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
HP8K24TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A/27A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 9480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.17 грн
10+ 82.18 грн
100+ 63.93 грн
500+ 50.86 грн
1000+ 41.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+66.73 грн
180+ 63.75 грн
250+ 61.19 грн
500+ 56.88 грн
1000+ 50.94 грн
Мінімальне замовлення: 172
HP8K24TBROHMDescription: ROHM - HP8K24TB - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 27 A, 0.0067 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 27
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
HP8K24TBROHM SemiconductorMOSFET HP8K24 is the high reliability transistor, suitable for switching and DC/DC converter.
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.66 грн
10+ 86.47 грн
100+ 61.21 грн
500+ 52.97 грн
1000+ 43.14 грн
2500+ 40.57 грн
5000+ 38.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8K24TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8K24TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A/27A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 15V, 2410pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V, 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.16 грн
5000+ 39.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8KA1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.06 грн
10+ 60.74 грн
100+ 47.24 грн
500+ 37.57 грн
1000+ 30.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8KA1TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 28A; 3W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 3W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HP8KA1TBROHM SemiconductorMOSFET NCH+NCH 30V POWER MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.88 грн
10+ 67.51 грн
100+ 45.71 грн
500+ 38.72 грн
1000+ 31.53 грн
2500+ 29.62 грн
5000+ 28.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8KA1TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+43.2 грн
276+ 41.47 грн
500+ 39.97 грн
1000+ 37.29 грн
Мінімальне замовлення: 265
HP8KA1TBROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 28A; 3W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 3W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: common drain
товар відсутній
HP8KA1TBRohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.45 грн
10+ 93.17 грн
25+ 88.44 грн
100+ 68.18 грн
250+ 63.73 грн
500+ 56.32 грн
1000+ 43.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8KB6TB1ROHM SemiconductorMOSFET 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.51 грн
10+ 95.58 грн
100+ 65.04 грн
500+ 54.95 грн
1000+ 48.35 грн
2500+ 41.03 грн
5000+ 40.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8KB6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.67 грн
10+ 149.58 грн
25+ 141.13 грн
100+ 112.84 грн
250+ 105.96 грн
500+ 92.71 грн
1000+ 75.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorHP8KB7TB1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+128.25 грн
100+ 122.51 грн
Мінімальне замовлення: 90
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8KB7TB1ROHM SemiconductorMOSFET 40V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KB7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.31 грн
10+ 156.26 грн
100+ 108.18 грн
250+ 99.6 грн
500+ 90.37 грн
1000+ 84.43 грн
2500+ 71.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8KB7TB1Rohm SemiconductorHP8KB7TB1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+140.95 грн
90+ 128.32 грн
Мінімальне замовлення: 82
HP8KC6TB1ROHM SemiconductorMOSFET 60V 23A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.97 грн
10+ 87.23 грн
100+ 60.42 грн
250+ 55.74 грн
500+ 50.59 грн
1000+ 48.48 грн
2500+ 41.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 23A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97.04 грн
10+ 84.03 грн
25+ 79.29 грн
100+ 63.39 грн
250+ 59.53 грн
500+ 52.09 грн
1000+ 42.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8KC6TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 23A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 23A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.1 грн
10+ 150.4 грн
25+ 141.93 грн
100+ 113.47 грн
250+ 106.55 грн
500+ 93.23 грн
1000+ 75.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorHP8KC7TB1
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8KC7TB1ROHM SemiconductorMOSFET 60V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KC7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 174-183 дні (днів)
2+190.85 грн
10+ 156.26 грн
100+ 108.84 грн
250+ 100.26 грн
500+ 91.03 грн
1000+ 84.43 грн
2500+ 71.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorDescription: 60V 24A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8KC7TB1Rohm SemiconductorHP8KC7TB1
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+141.93 грн
89+ 129.29 грн
109+ 104.99 грн
200+ 94.67 грн
Мінімальне замовлення: 81
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8KE6TB1ROHM SemiconductorMOSFET 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.51 грн
10+ 88.75 грн
100+ 61.94 грн
250+ 56.79 грн
500+ 51.52 грн
1000+ 50.59 грн
2500+ 43.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.041ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 21W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A/17A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.75 грн
10+ 82.11 грн
100+ 65.34 грн
500+ 51.88 грн
1000+ 44.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8KE6TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8KE6TB1ROHMDescription: ROHM - HP8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.041 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+126.53 грн
Мінімальне замовлення: 150
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorHP8KE7TB1
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+128.32 грн
Мінімальне замовлення: 90
HP8KE7TB1ROHM SemiconductorMOSFET 100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.54 грн
10+ 163.09 грн
100+ 112.79 грн
250+ 104.22 грн
500+ 94.32 грн
1000+ 85.75 грн
2500+ 73.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8KE7TB1Rohm SemiconductorHP8KE7TB1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+152.95 грн
78+ 147.12 грн
100+ 142.13 грн
Мінімальне замовлення: 75
HP8M31TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+145.02 грн
82+ 139.5 грн
100+ 134.76 грн
250+ 126.01 грн
500+ 113.49 грн
1000+ 106.29 грн
2500+ 103.95 грн
Мінімальне замовлення: 79
HP8M31TB1Rohm SemiconductorDescription: HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
товар відсутній
HP8M31TB1ROHM SemiconductorMOSFET HP8M31TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for motor drive.
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+166.22 грн
10+ 135.78 грн
100+ 93.66 грн
250+ 86.41 грн
500+ 78.49 грн
1000+ 67.28 грн
2500+ 63.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8M31TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+145.02 грн
82+ 139.5 грн
100+ 134.76 грн
250+ 126.01 грн
500+ 113.49 грн
1000+ 106.29 грн
Мінімальне замовлення: 79
HP8M31TB1ROHMDescription: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.83 грн
500+ 93.44 грн
1000+ 71.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
HP8M31TB1ROHM SEMICONDUCTORHP8M31TB1 Multi channel transistors
товар відсутній
HP8M31TB1Rohm SemiconductorDescription: HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 30V, 2300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8.5A, 10V, 70mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8M31TB1ROHMDescription: ROHM - HP8M31TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+187.95 грн
10+ 152.43 грн
100+ 122.83 грн
500+ 93.44 грн
1000+ 71.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8M51TB1ROHM SemiconductorMOSFET HP8M51TB1 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET. It is suitable for switching application.
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.14 грн
10+ 133.5 грн
100+ 92.35 грн
500+ 78.49 грн
1000+ 65.96 грн
2500+ 61.34 грн
5000+ 59.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8M51TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4.5A; Idm: 18A; 7W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 7W
Gate charge: 15/26.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: HSOP8
On-state resistance: 180/320mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
HP8M51TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8M51TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 100/-100V; 4.5A; Idm: 18A; 7W
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 7W
Gate charge: 15/26.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: HSOP8
On-state resistance: 180/320mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
HP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товар відсутній
HP8M51TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+138.81 грн
86+ 133.53 грн
100+ 128.99 грн
250+ 120.61 грн
500+ 108.64 грн
1000+ 101.75 грн
Мінімальне замовлення: 83
HP8M51TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+145.56 грн
10+ 116.26 грн
100+ 92.52 грн
500+ 73.47 грн
1000+ 62.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.3 грн
10+ 92.96 грн
100+ 73.97 грн
500+ 58.73 грн
1000+ 49.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 15A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
товар відсутній
HP8MA2TB1ROHM SemiconductorMOSFET HP8MA2 is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.97 грн
10+ 100.13 грн
100+ 71.9 грн
250+ 65.96 грн
500+ 60.49 грн
1000+ 51.85 грн
2500+ 49.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
HP8MA2TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 18/15A; Idm: 48A; 7W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 18/15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 7W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.4/29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
HP8MA2TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 18A/15A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+59.13 грн
250+ 56.76 грн
500+ 54.72 грн
1000+ 51.05 грн
Мінімальне замовлення: 194
HP8MA2TB1ROHM SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 18/15A; Idm: 48A; 7W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 18/15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 7W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.4/29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22/25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 6A/7A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+70.28 грн
192+ 59.78 грн
Мінімальне замовлення: 163
HP8MB5TB1ROHM SemiconductorMOSFET 40V 16.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.73 грн
10+ 79.65 грн
100+ 53.76 грн
500+ 45.58 грн
1000+ 39.97 грн
2500+ 33.97 грн
5000+ 33.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 16.5A, DUAL NCH+PCH, HSOP8,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.9 грн
10+ 77.3 грн
25+ 73.35 грн
100+ 56.54 грн
250+ 52.86 грн
500+ 46.71 грн
1000+ 36.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8MB5TB1Rohm SemiconductorDescription: 40V 16.5A, DUAL NCH+PCH, HSOP8,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 16.5A (Tc), 7A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6A, 10V, 44mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8MC5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 4A/5A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8MC5TB1ROHM SemiconductorMOSFET 60V 12A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8MC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 174-183 дні (днів)
4+97.73 грн
10+ 79.65 грн
100+ 53.76 грн
500+ 45.58 грн
1000+ 39.97 грн
2500+ 33.97 грн
5000+ 33.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.148 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 20W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.148ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 20W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.85 грн
Мінімальне замовлення: 8
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8ME5TB1ROHM SemiconductorMOSFET 100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET: HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
на замовлення 4936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.5 грн
10+ 80.41 грн
100+ 54.15 грн
500+ 45.91 грн
1000+ 41.42 грн
2500+ 35.16 грн
5000+ 33.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.18 грн
10+ 73.93 грн
100+ 57.5 грн
500+ 45.74 грн
1000+ 37.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
HP8ME5TB1ROHMDescription: ROHM - HP8ME5TB1 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 8.5 A, 8 A, 0.148 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+102.85 грн
Мінімальне замовлення: 150
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 100V 3A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HP8ME5TB1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8.5A (Tc), 3A (Ta), 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V, 590pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 3A, 10V, 273mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V, 19.7nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
HP8P
на замовлення 6230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP8Q
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HP8S36ROHM SemiconductorMOSFET
товар відсутній
HP8S36TBRohm SemiconductorDescription: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній
HP8S36TBRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+61.75 грн
250+ 59.28 грн
500+ 57.14 грн
1000+ 53.3 грн
2500+ 47.89 грн
5000+ 44.74 грн
Мінімальне замовлення: 186
HP8S36TBROHM SemiconductorMOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET
товар відсутній
HP8S36TB
Код товару: 174887
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HP8S36TBRohm SemiconductorDescription: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 29W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A, 80A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Not For New Designs
товар відсутній