Продукція > IGL

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IGLD60R070D1Infineon TechnologiesInfineon GAN HV
товар відсутній
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
товар відсутній
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товар відсутній
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1550.02 грн
10+ 1483.87 грн
25+ 1448.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
товар відсутній
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1439.3 грн
10+ 1377.88 грн
25+ 1344.65 грн
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
товар відсутній
IGLD60R070D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 15A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+1974.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
товар відсутній
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+745.48 грн
10+ 632.36 грн
100+ 546.87 грн
500+ 465.11 грн
1000+ 426.62 грн
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesSP005557209
товар відсутній
IGLD60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+933.48 грн
50+ 856.51 грн
100+ 781.75 грн
250+ 772.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2313.28 грн
10+ 2084.78 грн
25+ 1981.75 грн
100+ 1710.66 грн
250+ 1512.72 грн
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R070D1AUMA3
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2491.23 грн
10+ 2245.15 грн
25+ 2134.19 грн
100+ 1842.25 грн
250+ 1629.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товар відсутній
IGLD60R070D1AUMA3Infineon TechnologiesMOSFET HV GAN DISCRETES
на замовлення 2630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+810.17 грн
10+ 703.13 грн
25+ 594.94 грн
50+ 562 грн
100+ 529.06 грн
250+ 511.93 грн
500+ 486.89 грн
IGLD60R070D1AUMA3INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+954.91 грн
5+ 943.83 грн
10+ 933.48 грн
50+ 856.51 грн
100+ 781.75 грн
250+ 772.25 грн
IGLD60R190D1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товар відсутній
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
товар відсутній
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товар відсутній
IGLD60R190D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+572.8 грн
5+ 561.71 грн
10+ 551.37 грн
50+ 501.69 грн
100+ 454.23 грн
250+ 444.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+822.18 грн
10+ 783.23 грн
25+ 767.05 грн
100+ 689.28 грн
250+ 634.61 грн
500+ 605.45 грн
1000+ 601.92 грн
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
товар відсутній
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товар відсутній
IGLD60R190D1AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+551.37 грн
50+ 501.69 грн
100+ 454.23 грн
250+ 444.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+843.48 грн
25+ 826.05 грн
100+ 742.3 грн
250+ 683.43 грн
500+ 652.02 грн
1000+ 648.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
IGLD60R190D1AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товар відсутній
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesIGLD60R190D1AUMA3
товар відсутній
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товар відсутній
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesSP005557217
товар відсутній
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesMOSFET HV GAN DISCRETES
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+485.79 грн
10+ 422.03 грн
25+ 307.02 грн
100+ 281.99 грн
250+ 257.61 грн
500+ 244.43 грн
1000+ 231.26 грн
IGLD60R190D1AUMA3Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.41 грн
10+ 318.1 грн
100+ 257.34 грн
500+ 214.67 грн
1000+ 183.81 грн
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesSP005562629
товар відсутній
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET GAN HV
товар відсутній
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV PG-LSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товар відсутній
IGLD60R190D1SAUMA1Infineon TechnologiesIGLD60R190D1SAUMA1
товар відсутній
IGLR60R190D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IGLR60R190D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товар відсутній
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
на замовлення 4173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.42 грн
10+ 314.05 грн
100+ 254.08 грн
500+ 211.95 грн
1000+ 181.48 грн
2000+ 170.88 грн
IGLR60R190D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+331.85 грн
100+ 268.29 грн
500+ 234.72 грн
1000+ 185.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET HV GAN DISCRETES
на замовлення 4764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.61 грн
10+ 353.08 грн
25+ 289.89 грн
100+ 249.05 грн
250+ 234.55 грн
500+ 220.72 грн
1000+ 189.09 грн
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-6
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
товар відсутній
IGLR60R190D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 12.8A GaN 8-Pin TSON EP T/R
товар відсутній
IGLR60R190D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R190D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+460.46 грн
10+ 331.85 грн
100+ 268.29 грн
500+ 234.72 грн
1000+ 185.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGLR60R260D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товар відсутній
IGLR60R260D1E8238XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IGLR60R260D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+415.37 грн
10+ 297.86 грн
100+ 240.95 грн
500+ 210.7 грн
1000+ 167.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товар відсутній
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 10.4A GaN 8-Pin TSON EP T/R
товар відсутній
IGLR60R260D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+297.86 грн
100+ 240.95 грн
500+ 210.7 грн
1000+ 167.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET HV GAN DISCRETES
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+332.83 грн
10+ 276.55 грн
25+ 226.64 грн
100+ 194.36 грн
250+ 183.16 грн
500+ 172.62 грн
1000+ 147.58 грн
IGLR60R260D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+306.46 грн
10+ 247.82 грн
100+ 200.51 грн
500+ 167.27 грн
1000+ 143.22 грн
2000+ 134.86 грн
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.58 грн
10+ 257.78 грн
100+ 208.55 грн
500+ 173.97 грн
1000+ 148.96 грн
2000+ 140.26 грн
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.67 грн
10+ 287.16 грн
25+ 235.21 грн
100+ 202.27 грн
250+ 190.41 грн
500+ 179.21 грн
1000+ 153.51 грн
IGLR60R340D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+377.68 грн
10+ 269.03 грн
100+ 218.03 грн
500+ 190.11 грн
1000+ 150.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 8.2A GaN 8-Pin TSON EP T/R
товар відсутній
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
товар відсутній
IGLR60R340D1XUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+269.03 грн
100+ 218.03 грн
500+ 190.11 грн
1000+ 150.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGLR60R340D1XUMA1Infineon TechnologiesTrans JFET N-CH 600V 8.2A GaN T/R
товар відсутній