Продукція > IKB
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IKB03N120H2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB03N120H2 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
IKB03N120H2 | INF | TO-263 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IKB03N120H2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB03N120H2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB06N60T | infineon | 07+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IKB06N60T | INFINEON | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IKB06N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB06N60TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 123 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns Switching Energy: 200µJ Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 42 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 88 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB06N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 88W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 15ns Turn-off time: 188ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB06N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 88W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 15ns Turn-off time: 188ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A | на замовлення 944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB06N60TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 123 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns Switching Energy: 200µJ Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 42 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 88 W | на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB10N60T | INFINEON | Description: INFINEON - IKB10N60T - IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 10 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB10N60T | INF | TO-263 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IKB10N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 20A 110W TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns Switching Energy: 430µJ Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 110 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 18A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 786 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB10N60TATMA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 18A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 62nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 20ns Turn-off time: 253ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 20A 110W TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns Switching Energy: 430µJ Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 110 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB15N60T | INF | TO-263 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
IKB15N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A | на замовлення 1534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB15N60T | Infineon Technologies | Description: IKB15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 220µJ (on), 350µj (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 26 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 130 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 570µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 130 W | на замовлення 1864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 23A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 28ns Turn-off time: 238ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB15N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 23A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 28ns Turn-off time: 238ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 861 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/188ns Switching Energy: 570µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 130 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB15N65EH5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB15N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB15N65EH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A | на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB15N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 18A Power dissipation: 52.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 33ns Turn-off time: 172ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB15N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB15N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 18A Power dissipation: 52.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 33ns Turn-off time: 172ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB15N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 105 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB15N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB15N65EH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB15N65EH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 105W euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A | на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB15N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP IGBT with Rapid 1 fast and soft Anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB15N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 38 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 105 W | на замовлення 916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB15N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT | на замовлення 1457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W | на замовлення 2384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N60H3ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: 170W euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HighSpeed 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 40A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 690µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N60H3ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HighSpeed 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 85W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 36ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 85W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 36ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB20N60H3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB20N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A | на замовлення 847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N60T | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
IKB20N60TA | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IKB20N60TAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | на замовлення 164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
IKB20N60TAATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB20N60TAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 156 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB20N60TAATMA1372 | Infineon Technologies | Description: IKB20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB20N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Power dissipation: 166W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Power dissipation: 166W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | на замовлення 2595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N60TATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB20N60TATMA1 - IGBT, 20 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB20N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 38 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 125 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB20N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | на замовлення 920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 40ns Turn-off time: 183ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 957 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 38A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 560µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 32Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 38 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 125 W | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB20N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 25A Power dissipation: 62.5W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 40ns Turn-off time: 183ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB20N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB30N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB30N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 35A Power dissipation: 94W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 52ns Turn-off time: 184ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB30N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB30N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCHSTOP 5 High speed switching IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB30N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 35A Power dissipation: 94W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 52ns Turn-off time: 184ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB30N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/159ns Switching Energy: 870µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W | на замовлення 4930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB30N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Current - Collector (Ic) (Max): 62 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 188 W | на замовлення 3848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB30N65ES5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 39.5A Power dissipation: 94W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 29ns Turn-off time: 154ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB30N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Current - Collector (Ic) (Max): 62 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 188 W | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB30N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB30N65ES5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; 94W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 39.5A Power dissipation: 94W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 70nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 29ns Turn-off time: 154ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB30N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB40N65EF5 | Infineon Technologies | Infineon INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB40N65EF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 83 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 250 W | на замовлення 1734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65EF5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 56ns Turn-off time: 212ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB40N65EF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB40N65EF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 83 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/160ns Switching Energy: 420µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 250 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65EF5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 56ns Turn-off time: 212ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB40N65EF5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 34ns Turn-off time: 178ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB40N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB40N65EH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65EH5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 34ns Turn-off time: 178ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB40N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 78 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 250 W | на замовлення 1362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | на замовлення 814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65EH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB40N65EH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 78 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/157ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 250 W | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB40N65EH5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65ES5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 73 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 79 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 230 W | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB40N65ES5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A | на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65ES5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 37ns Turn-off time: 153ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 73 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 79 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 230 W | на замовлення 9192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | на замовлення 7707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB40N65ES5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKB40N65ES5ATMA1 - IGBT, 79 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A | на замовлення 623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKB40N65ES5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 37ns Turn-off time: 153ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
IKB40N65ES5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKBBF | VENTION | IKBBF RJ45 Cables | на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKBBG | VENTION | IKBBG RJ45 Cables | на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKBBH | VENTION | IKBBH RJ45 Cables | на замовлення 34 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
IKBBI | VENTION | IKBBI RJ45 Cables | на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|