Продукція > IKF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKF68331-A0-PB0-CINKAOS09+
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB0-CINKAOS0622+
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB1-CIKANOS07+ЙўРВ
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB1-CIKANOS09+
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB1-CIKANOS07+Йў?
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB1-C-RIKANOS2006
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB1-LIKANOS07+ BGA;
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A1-PB1-CiKANOS Fusiv05+ BGA
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A1-PB1-CiKANOS FusivBGA 05+
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-AO-PB1-C-RIKANOS09+
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6834-A0-PB1-CBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6834-A0-PB1-CBGA
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6834-AO-PB1-C
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6834-AO-PB1-CBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6836-A0-PB1-CIKANOS07+Йў?
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6836-AO-PB1-CQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6836-AO-PB1-C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6836-AO-PBI-C
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6843-AO-QL1-LIKANOSQFP
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW40N60DH3EInfineon technologies
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.34 грн
10+ 406.02 грн
25+ 387.92 грн
100+ 328.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/144ns
Switching Energy: 870µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 111 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.39 грн
30+ 289.46 грн
120+ 248.11 грн
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW40N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 81W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 160ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKFW40N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 81W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 160ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.86 грн
10+ 336.88 грн
25+ 275.67 грн
100+ 236.48 грн
240+ 179.35 грн
480+ 170.05 грн
1200+ 169.39 грн
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+436.79 грн
29+ 401.83 грн
31+ 383.92 грн
100+ 325.56 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKFW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HOME APPLIANCES 14 PG-HSIP247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 14Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.27 грн
10+ 309.09 грн
240+ 236.16 грн
IKFW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728800
товар відсутній
IKFW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKFW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKFW40N65DH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 53 A, 1.8 V, 106 W, 650 V, HSIP247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.62 грн
10+ 321.91 грн
100+ 315.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKFW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+582 грн
10+ 491.19 грн
25+ 387.26 грн
100+ 356.04 грн
240+ 296.92 грн
480+ 278.32 грн
1200+ 269.69 грн
IKFW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed Fast IGBT
товар відсутній
IKFW40N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 60A, 106W, HSIP247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.92 грн
5+ 418.78 грн
10+ 363.64 грн
50+ 307.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.22 грн
30+ 417.42 грн
IKFW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesSP005401489
товар відсутній
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+388.16 грн
32+ 365.88 грн
33+ 362.23 грн
100+ 314.05 грн
240+ 236.59 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKFW50N60DH3EXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+558.13 грн
5+ 499.26 грн
10+ 439.65 грн
50+ 373.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.88 грн
30+ 315.66 грн
120+ 270.57 грн
IKFW50N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+327.87 грн
3+ 269.16 грн
4+ 246.33 грн
9+ 233.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+393.45 грн
3+ 335.42 грн
4+ 295.59 грн
9+ 279.82 грн
30+ 270.69 грн
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+360.43 грн
10+ 339.75 грн
25+ 336.36 грн
100+ 291.61 грн
240+ 219.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.28 грн
10+ 415.56 грн
25+ 301.57 грн
100+ 258.4 грн
240+ 257.73 грн
480+ 195.96 грн
1200+ 184.66 грн
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+332.68 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.91 грн
10+ 315.49 грн
25+ 273.01 грн
240+ 267.7 грн
1200+ 263.71 грн
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+542.85 грн
10+ 507.6 грн
25+ 488.86 грн
50+ 453.89 грн
100+ 365.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+584.6 грн
22+ 546.65 грн
25+ 526.47 грн
50+ 488.81 грн
100+ 393.21 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/212ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 145 W
товар відсутній
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 73A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 91 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/305ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.42mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+697.71 грн
10+ 575.9 грн
240+ 451.69 грн
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+535.93 грн
10+ 467.53 грн
25+ 428.11 грн
100+ 380.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+747.07 грн
10+ 630.98 грн
25+ 498.19 грн
100+ 457.01 грн
240+ 430.44 грн
480+ 403.2 грн
1200+ 363.35 грн
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+577.15 грн
24+ 503.49 грн
26+ 461.04 грн
100+ 409.62 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKFW50N60ETXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKFW50N60ETXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
240+420.27 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKFW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HOME APPLIANCES 14 PG-HSIP247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/131ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12.2Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.15 грн
10+ 477.85 грн
240+ 374.82 грн
IKFW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed 5 IGBT in Trench Stop
товар відсутній
IKFW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKFW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed 5 IGBT in Trench Stop
товар відсутній
IKFW50N65DH5XKSA1Infineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed Fast IGBT
товар відсутній
IKFW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 59A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/138ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15.1Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.4 грн
30+ 440.9 грн
IKFW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728804
товар відсутній
IKFW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+613.77 грн
10+ 518.69 грн
25+ 409.18 грн
100+ 389.26 грн
240+ 330.14 грн
1200+ 306.89 грн
2640+ 287.62 грн
IKFW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 69 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 127 W
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+576.99 грн
30+ 443.58 грн
120+ 396.88 грн
IKFW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728802
товар відсутній
IKFW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKFW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed Fast IGBT
товар відсутній
IKFW50N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 650 V, 74 A, 127W, HSIP247, 1.35 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.31 грн
5+ 421.02 грн
10+ 388.97 грн
50+ 330.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW60N60DH3EInfineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.28 грн
10+ 374.31 грн
25+ 295.59 грн
100+ 258.4 грн
240+ 215.88 грн
480+ 215.22 грн
1200+ 205.26 грн
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW60N60DH3EXKSA1 - IGBT, 53 A, 2.2 V, 141 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.15 грн
5+ 343.52 грн
10+ 324.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 141 W
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60EH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKFW60N60EH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKFW60N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.93 грн
10+ 566.97 грн
240+ 444.66 грн
IKFW60N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed switching series third generation IGBT
товар відсутній
IKFW60N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed switching series third generation IGBT
товар відсутній
IKFW60N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+736.22 грн
10+ 621.05 грн
25+ 512.81 грн
100+ 502.84 грн
240+ 410.51 грн
480+ 397.23 грн
1200+ 357.37 грн
IKFW60N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 77A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 138 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+616.51 грн
IKFW60N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesCost Effective Integrated IGBT With Diode
товар відсутній
IKFW60N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesSP001878206
товар відсутній
IKFW60N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+660.27 грн
10+ 557.64 грн
25+ 439.74 грн
100+ 410.51 грн
240+ 348.74 грн
480+ 336.78 грн
1200+ 311.54 грн
IKFW60N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 77A HSIP247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 138 W
на замовлення 9540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+370.03 грн
Мінімальне замовлення: 55
IKFW60N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW60N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 77A, 138W, HSIP247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 77A
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.24 грн
5+ 303.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKFW75N60ETXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/340ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 2.35J (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 440 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+738.67 грн
10+ 626.89 грн
IKFW75N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW75N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW75N60ETXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+746.29 грн
10+ 639.38 грн
25+ 534.06 грн
50+ 520.11 грн
100+ 500.85 грн
240+ 443.06 грн
480+ 429.77 грн
IKFW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed Fast IGBT
товар відсутній
IKFW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728808
товар відсутній
IKFW75N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.65Vsat
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 148
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: HSIP247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+614.01 грн
5+ 571.54 грн
10+ 529.06 грн
50+ 481.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+630.82 грн
10+ 571.39 грн
25+ 409.85 грн
100+ 368.66 грн
240+ 324.16 грн
IKFW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+652.44 грн
30+ 501.86 грн
120+ 449.02 грн
IKFW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/152ns
Switching Energy: 1.48mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+384.83 грн
Мінімальне замовлення: 60
IKFW75N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.35Vsat
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 148
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
Bauform - Transistor: HSIP247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+901.65 грн
5+ 819.68 грн
10+ 736.96 грн
50+ 625.51 грн
100+ 523.1 грн
IKFW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+695.15 грн
10+ 588.2 грн
25+ 463.65 грн
100+ 376.63 грн
240+ 356.04 грн
480+ 338.11 грн
IKFW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/152ns
Switching Energy: 1.48mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.23 грн
IKFW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesHard-switching IGBT5 Discrete
товар відсутній
IKFW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728806
товар відсутній
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.38 грн
10+ 708.91 грн
25+ 682.05 грн
100+ 578.09 грн
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+766.4 грн
17+ 701.6 грн
25+ 675.02 грн
100+ 572.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.68 грн
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 77A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/210ns
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 440 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+736.51 грн
30+ 574.28 грн
120+ 540.49 грн
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+929.19 грн
10+ 826.54 грн
25+ 685.51 грн
100+ 595.18 грн
240+ 567.94 грн
480+ 518.12 грн
1200+ 508.16 грн
IKFW90N60EH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIKFW90N60EH3XKSA1 THT IGBT transistors
товар відсутній
IKFW90N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728810
товар відсутній
IKFW90N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14 PG-HSIP247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/151ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 990µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 154 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.95 грн
10+ 429.83 грн
100+ 358.21 грн
IKFW90N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKFW90N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній