Продукція > IKF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKF68331-A0-PB0-CINKAOS0622+
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB0-CINKAOS09+
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB1-CIKANOS07+Йў?
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB1-CIKANOS07+ЙўРВ
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB1-CIKANOS09+
на замовлення 772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB1-C-RIKANOS2006
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A0-PB1-LIKANOS07+ BGA;
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A1-PB1-CiKANOS FusivBGA 05+
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-A1-PB1-CiKANOS Fusiv05+ BGA
на замовлення 520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF68331-AO-PB1-C-RIKANOS09+
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6834-A0-PB1-CBGA
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6834-A0-PB1-CBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6834-AO-PB1-CBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6834-AO-PB1-C
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6836-A0-PB1-CIKANOS07+Йў?
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6836-AO-PB1-C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6836-AO-PB1-CQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6836-AO-PBI-C
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKF6843-AO-QL1-LIKANOSQFP
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW40N60DH3EInfineon technologies
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW40N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 81W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 160ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKFW40N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 28A
Power dissipation: 81W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 160ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.86 грн
10+ 428.57 грн
25+ 409.47 грн
100+ 347.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+344.88 грн
10+ 304.12 грн
25+ 210.84 грн
100+ 184.76 грн
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+461.06 грн
29+ 424.16 грн
31+ 405.25 грн
100+ 343.64 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 34A 111W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW40N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/144ns
Switching Energy: 870µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 111 W
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+460.06 грн
30+ 253.16 грн
120+ 211.28 грн
IKFW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs 650 V, 40 A IGBT in TO-247 advanced isolation package
товар відсутній
IKFW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKFW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HOME APPLIANCES 14 PG-HSIP247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 14Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.41 грн
10+ 300 грн
IKFW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728800
товар відсутній
IKFW40N65DH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 53 A, 1.8 V, 106 W, 650 V, HSIP247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.44 грн
10+ 351.12 грн
100+ 343.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKFW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed Fast IGBT
товар відсутній
IKFW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.7 грн
30+ 374.12 грн
IKFW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesSP005401489
товар відсутній
IKFW40N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 60A, 106W, HSIP247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+604.71 грн
5+ 520.99 грн
10+ 437.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+587.48 грн
10+ 538.26 грн
25+ 358.64 грн
100+ 318.79 грн
240+ 305.75 грн
480+ 294.16 грн
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+380.46 грн
10+ 358.62 грн
25+ 355.05 грн
100+ 307.81 грн
240+ 231.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.63 грн
10+ 356.62 грн
25+ 201.42 грн
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+351.16 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/174ns
Switching Energy: 1.28mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 130 W
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.63 грн
30+ 271.57 грн
120+ 227.23 грн
IKFW50N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.28 грн
4+ 275.47 грн
IKFW50N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+540.33 грн
4+ 343.28 грн
9+ 312.46 грн
480+ 309.74 грн
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+409.72 грн
32+ 386.21 грн
33+ 382.36 грн
100+ 331.49 грн
240+ 249.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKFW50N60DH3EXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW50N60DH3EXKSA1 - IGBT, 40 A, 2.2 V, 130 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.75 грн
5+ 317.8 грн
10+ 271.47 грн
50+ 251.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+573 грн
10+ 535.8 грн
25+ 516.02 грн
50+ 479.11 грн
100+ 385.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+617.08 грн
22+ 577.02 грн
25+ 555.72 грн
50+ 515.96 грн
100+ 415.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/212ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 145 W
товар відсутній
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 145W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60DH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+618.75 грн
10+ 522.42 грн
25+ 412.26 грн
100+ 378.93 грн
240+ 287.64 грн
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60ETXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKFW50N60ETXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+565.7 грн
10+ 493.51 грн
25+ 451.89 грн
100+ 401.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+691.45 грн
10+ 592.41 грн
25+ 510.07 грн
100+ 504.28 грн
240+ 377.48 грн
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+609.22 грн
24+ 531.47 грн
26+ 486.65 грн
100+ 432.38 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 73A 164W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW50N60ETXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 73A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 91 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/305ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 1.42mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+791.59 грн
10+ 528.38 грн
240+ 365.59 грн
IKFW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKFW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed 5 IGBT in Trench Stop
товар відсутній
IKFW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: HOME APPLIANCES 14 PG-HSIP247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/131ns
Switching Energy: 1.46mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12.2Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+687.35 грн
10+ 454.72 грн
240+ 308.01 грн
IKFW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed 5 IGBT in Trench Stop
товар відсутній
IKFW50N65DH5XKSA1Infineon
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 59A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/138ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 15.1Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 124 W
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+681.86 грн
30+ 387.5 грн
IKFW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728804
товар відсутній
IKFW50N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 650V, 59A, 124W, HSIP247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 59A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.31 грн
5+ 300.73 грн
10+ 251.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKFW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.1 грн
25+ 357.45 грн
IKFW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed Fast IGBT
товар відсутній
IKFW50N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 650 V, 74 A, 127W, HSIP247, 1.35 Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+493.36 грн
5+ 459.22 грн
10+ 424.27 грн
50+ 360.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKFW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed Fast IGBT
товар відсутній
IKFW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 69 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 127 W
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.66 грн
30+ 302.34 грн
IKFW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728802
товар відсутній
IKFW60N60DH3EInfineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW60N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 1.57mJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 210 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 141 W
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW60N60DH3EXKSA1 - IGBT, 53 A, 2.2 V, 141 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 141
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 53
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+395.01 грн
5+ 374.69 грн
10+ 353.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 104W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 62ns
Turn-off time: 189ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+483.51 грн
10+ 408.27 грн
25+ 297.78 грн
100+ 281.84 грн
240+ 231.85 грн
480+ 230.4 грн
1200+ 228.23 грн
IKFW60N60DH3EXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 141W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW60N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed switching series third generation IGBT
товар відсутній
IKFW60N60EH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKFW60N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+803.02 грн
10+ 603.25 грн
25+ 523.84 грн
100+ 523.11 грн
240+ 372.41 грн
IKFW60N60EH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 164W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKFW60N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.18 грн
10+ 521.74 грн
240+ 359.89 грн
IKFW60N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed switching series third generation IGBT
товар відсутній
IKFW60N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+640.73 грн
10+ 588.25 грн
25+ 393.42 грн
100+ 351.4 грн
240+ 341.98 грн
480+ 333.29 грн
IKFW60N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW60N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 77A, 138W, HSIP247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 138W
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 77A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+659.98 грн
5+ 564.88 грн
10+ 469.79 грн
50+ 370.57 грн
100+ 310.02 грн
250+ 269.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW60N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 77A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 138 W
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+720.27 грн
30+ 411.25 грн
120+ 349.12 грн
IKFW60N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesSP001878206
товар відсутній
IKFW60N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesCost Effective Integrated IGBT With Diode
товар відсутній
IKFW75N60ETXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/340ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 2.35J (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 440 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+783.75 грн
10+ 526.87 грн
IKFW75N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW75N60ETXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW75N60ETXKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+836.84 грн
10+ 603.25 грн
50+ 523.84 грн
100+ 454.28 грн
IKFW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed Fast IGBT
товар відсутній
IKFW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+714.27 грн
10+ 603.25 грн
25+ 410.09 грн
100+ 353.57 грн
IKFW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+760.24 грн
30+ 435.6 грн
IKFW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728808
товар відсутній
IKFW75N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.65Vsat
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 148
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: HSIP247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.73 грн
5+ 623.4 грн
10+ 577.07 грн
50+ 525.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/152ns
Switching Energy: 1.48mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+757.1 грн
IKFW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728806
товар відсутній
IKFW75N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKFW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 148W, HSIP247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: HSIP247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+393.38 грн
5+ 365.75 грн
10+ 339.74 грн
50+ 314.72 грн
100+ 289.81 грн
250+ 289.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKFW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesHard-switching IGBT5 Discrete
товар відсутній
IKFW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/152ns
Switching Energy: 1.48mJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+408.29 грн
Мінімальне замовлення: 60
IKFW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+758.22 грн
10+ 641.57 грн
25+ 468.77 грн
100+ 389.07 грн
240+ 365.16 грн
480+ 353.57 грн
1200+ 352.12 грн
IKFW90N60EH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 77A; 178W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Power dissipation: 178W
Technology: TRENCHSTOP™
Gate charge: 440nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 77A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 77ns
Turn-off time: 237ns
Type of transistor: IGBT
товар відсутній
IKFW90N60EH3XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 77A; 178W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Power dissipation: 178W
Technology: TRENCHSTOP™
Gate charge: 440nC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 77A
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 77ns
Turn-off time: 237ns
Type of transistor: IGBT
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+808.97 грн
17+ 740.58 грн
25+ 712.52 грн
100+ 603.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 77A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 107 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/210ns
Switching Energy: 2.65mJ (on), 1.3mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 440 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 77 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 178 W
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+803.34 грн
30+ 626.39 грн
120+ 589.54 грн
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1013.5 грн
10+ 901.54 грн
25+ 747.72 грн
100+ 649.18 грн
240+ 619.48 грн
480+ 565.14 грн
1200+ 554.27 грн
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+817.4 грн
10+ 748.29 грн
25+ 719.94 грн
100+ 610.21 грн
IKFW90N60EH3XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 77A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.41 грн
IKFW90N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/151ns
Switching Energy: 2.5mJ (on), 990µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 154 W
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+737.51 грн
10+ 489.89 грн
IKFW90N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKFW90N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBTs Y
товар відсутній
IKFW90N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesSP001728810
товар відсутній