Продукція > IKW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKW03N120HInfineon TechnologiesDescription: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 140µJ (on), 150µJ (off)
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+86.2 грн
Мінімальне замовлення: 226
IKW03N120H2Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
товар відсутній
IKW03N120H2INFTO-247
на замовлення 8640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW03N120H2Infineon TechnologiesDescription: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товар відсутній
IKW03N120H2INF07+;
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW03N120H2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW03N120H2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
на замовлення 3415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+91.1 грн
Мінімальне замовлення: 219
IKW03N120H2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW03N120H2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns
Switching Energy: 290µJ
Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A
Power - Max: 62.5 W
товар відсутній
IKW08N120Infineon
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: INDUSTRY 14 PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 370µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 52 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.12 грн
10+ 367.89 грн
IKW08N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW08N120CS7XKSA1 - IGBT, 21 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.08 грн
10+ 250.66 грн
100+ 159.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW08N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESIKW08N120CS7XKSA1 THT IGBT transistors
товар відсутній
IKW08N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.5 грн
10+ 405.85 грн
25+ 333.85 грн
100+ 289.16 грн
IKW08T120
Код товару: 113720		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW08T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.35 грн
10+ 203.3 грн
25+ 166.93 грн
100+ 143.27 грн
240+ 120.92 грн
1200+ 109.09 грн
2640+ 102.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08T120INFINEONMODULE
на замовлення 100087 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW08T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3
Turn-off time: 520ns
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Power dissipation: 70W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 63ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+244.17 грн
3+ 208.15 грн
6+ 174.16 грн
16+ 164.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.09 грн
10+ 252.37 грн
25+ 243.35 грн
50+ 213.59 грн
100+ 181.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW08T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3
Turn-off time: 520ns
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Power dissipation: 70W
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 53nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Pulsed collector current: 24A
Turn-on time: 63ns
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.48 грн
3+ 167.04 грн
6+ 145.13 грн
16+ 136.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+136.13 грн
90+ 130.29 грн
93+ 125.32 грн
100+ 116.74 грн
Мінімальне замовлення: 86
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/450ns
Switching Energy: 1.37mJ
Test Condition: 600V, 8A, 81Ohm, 15V
Gate Charge: 53 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 70 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW08T120FKSA1
Код товару: 166948		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW08T120FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW08T120FKSA1 - IGBT, Universal, 16 A, 2.2 V, 70 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 70W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+265.4 грн
10+ 145.24 грн
100+ 122.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW08T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.12 грн
10+ 204.06 грн
25+ 130.78 грн
100+ 115.67 грн
240+ 115.01 грн
480+ 109.09 грн
1200+ 102.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120BH6Infineon TechnologiesInfineon INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.25 грн
10+ 219.17 грн
25+ 155.75 грн
100+ 134.07 грн
240+ 133.41 грн
480+ 101.21 грн
1200+ 95.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns
Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1
Код товару: 174089		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+256.56 грн
10+ 178.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW15N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120CS7XKSA1 - IGBT, 36 A, 1.65 V, 176 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 176
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 36
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+403.27 грн
10+ 351.66 грн
100+ 252.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005419706
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.6 грн
10+ 336.32 грн
25+ 275.36 грн
100+ 236.59 грн
240+ 222.79 грн
480+ 209.64 грн
1200+ 179.41 грн
IKW15N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.94 грн
30+ 285.42 грн
IKW15N120H3
Код товару: 100561		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW15N120H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401.76 грн
10+ 332.54 грн
25+ 272.73 грн
100+ 233.3 грн
240+ 220.82 грн
480+ 207.67 грн
1200+ 178.1 грн
IKW15N120H3Infineon TechnologiesDescription: IKW15N120 - DISCRETE IGBT WITH A
товар відсутній
IKW15N120H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+392.48 грн
31+ 375.61 грн
50+ 361.31 грн
100+ 336.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+598.71 грн
22+ 534.39 грн
50+ 462.15 грн
100+ 421.78 грн
200+ 374.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.01 грн
30+ 273.92 грн
120+ 234.79 грн
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.93 грн
10+ 287.35 грн
25+ 213.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+412.06 грн
34+ 349.19 грн
49+ 240.22 грн
100+ 229.32 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+347.27 грн
10+ 331.34 грн
25+ 216.99 грн
100+ 207.19 грн
240+ 189.88 грн
480+ 169.82 грн
1200+ 161.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 217W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.5 грн
10+ 322.71 грн
25+ 264.85 грн
100+ 226.73 грн
240+ 214.24 грн
480+ 201.76 грн
1200+ 172.18 грн
IKW15N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+238.34 грн
52+ 228.11 грн
54+ 219.41 грн
100+ 204.4 грн
250+ 183.52 грн
500+ 171.38 грн
1000+ 167.19 грн
Мінімальне замовлення: 49
IKW15N120T2Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.37 грн
10+ 413.41 грн
25+ 233.96 грн
100+ 203.07 грн
240+ 178.76 грн
480+ 166.27 грн
1200+ 156.41 грн
IKW15N120T2
Код товару: 126256		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW15N120T2InfineonIGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+310.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+373.76 грн
34+ 343.01 грн
50+ 319.02 грн
100+ 262.74 грн
480+ 222.54 грн
720+ 206.22 грн
Мінімальне замовлення: 32
IKW15N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.16 грн
3+ 341.6 грн
4+ 261.51 грн
9+ 247.13 грн
IKW15N120T2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 235W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+407.69 грн
10+ 292.68 грн
100+ 222.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+365.64 грн
10+ 336.94 грн
25+ 335.55 грн
50+ 312.09 грн
100+ 257.03 грн
480+ 217.7 грн
720+ 201.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+491 грн
3+ 425.69 грн
4+ 313.81 грн
9+ 296.56 грн
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+218.52 грн
10+ 214.41 грн
25+ 212.32 грн
50+ 202.66 грн
100+ 184.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/362ns
Switching Energy: 2.05mJ
Test Condition: 600V, 15A, 41.8Ohm, 15V
Gate Charge: 93 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 235 W
товар відсутній
IKW15N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+235.33 грн
51+ 228.66 грн
52+ 218.25 грн
100+ 198.2 грн
Мінімальне замовлення: 50
IKW15T120
Код товару: 119901		InfineonТранзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 1200 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 110 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/520
у наявності 48 шт:
32 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+155 грн
10+ 144 грн
IKW15T120Infineon TechnologiesDescription: IKW15T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 110 W
товар відсутній
IKW15T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
товар відсутній
IKW15T120 E8161Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
товар відсутній
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+191.86 грн
10+ 181.48 грн
100+ 163.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+234.94 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+206.61 грн
60+ 195.44 грн
100+ 175.57 грн
Мінімальне замовлення: 57
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+163.39 грн
1200+ 150.02 грн
2400+ 140.32 грн
3600+ 128.3 грн
Мінімальне замовлення: 72
IKW15T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 30A 110W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns
Switching Energy: 2.7mJ
Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V
Gate Charge: 85 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15T120T2MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW20N60H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+405.74 грн
46+ 258.28 грн
56+ 209.8 грн
100+ 188.94 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW20N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 20A 170W
товар відсутній
IKW20N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 560µJ (on), 240µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
товар відсутній
IKW20N60H3Infineon technologies
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 20A 170W
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
2+200.11 грн
10+ 168.54 грн
25+ 136.04 грн
100+ 117.64 грн
240+ 109.09 грн
480+ 90.04 грн
1200+ 84.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns
Switching Energy: 800µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
товар відсутній
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+312.29 грн
3+ 271.28 грн
5+ 200.44 грн
14+ 188.94 грн
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+185.07 грн
73+ 160 грн
78+ 151.06 грн
100+ 127.53 грн
Мінімальне замовлення: 63
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.24 грн
3+ 217.69 грн
5+ 167.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+170.7 грн
10+ 147.57 грн
25+ 139.33 грн
100+ 117.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW20N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.85 грн
10+ 212.37 грн
25+ 174.16 грн
100+ 149.84 грн
240+ 140.64 грн
480+ 132.75 грн
1200+ 113.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60T
Код товару: 187316		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW20N60T E8161Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
товар відсутній
IKW20N60TAInfineon TechnologiesDescription: IKW20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
товар відсутній
IKW20N60TAInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 40A 166W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товар відсутній
IKW20N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 40A 166W TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+149.67 грн
Мінімальне замовлення: 132
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+256.85 грн
10+ 223.71 грн
25+ 178.1 грн
100+ 153.13 грн
480+ 113.04 грн
1200+ 107.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.05 грн
10+ 242.31 грн
25+ 235.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+194.67 грн
10+ 177.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.46 грн
3+ 227.28 грн
5+ 196.47 грн
12+ 186.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1
Код товару: 188050		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+283.3 грн
49+ 238.51 грн
52+ 225.55 грн
100+ 182.99 грн
240+ 167.22 грн
480+ 127.07 грн
Мінімальне замовлення: 42
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.02 грн
30+ 180.11 грн
120+ 154.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1Infineon40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode   IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+158.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+305.61 грн
43+ 273.6 грн
50+ 245.46 грн
100+ 216.11 грн
200+ 199.24 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+263.06 грн
10+ 221.48 грн
25+ 209.44 грн
100+ 169.92 грн
240+ 155.28 грн
480+ 117.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW20N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW20N60TFKSA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 166 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 166W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+302.27 грн
10+ 215.27 грн
100+ 162.93 грн
500+ 141.02 грн
1000+ 120.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+331.76 грн
3+ 283.22 грн
5+ 235.77 грн
12+ 223.45 грн
IKW20N65ET7XKSA1
Код товару: 178407		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.62 грн
30+ 175.39 грн
120+ 150.34 грн
510+ 125.41 грн
1020+ 107.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesSP005348286
товар відсутній
IKW20N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+261.72 грн
10+ 190.94 грн
100+ 121.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.62 грн
10+ 213.88 грн
25+ 174.81 грн
100+ 150.5 грн
240+ 141.3 грн
480+ 113.69 грн
1200+ 107.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+394.53 грн
34+ 349.14 грн
37+ 322.04 грн
50+ 309.48 грн
100+ 255.4 грн
480+ 232.44 грн
720+ 201.15 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005419560
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+474.78 грн
5+ 405.48 грн
10+ 335.44 грн
50+ 290.26 грн
100+ 248.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+397.04 грн
10+ 351.36 грн
25+ 324.09 грн
50+ 311.45 грн
100+ 257.02 грн
480+ 233.92 грн
720+ 202.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+436.27 грн
10+ 368.06 грн
25+ 291.14 грн
100+ 266.82 грн
240+ 251.05 грн
480+ 235.93 грн
1200+ 212.27 грн
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+327.65 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.08 грн
30+ 425.17 грн
IKW25N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW25N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 37A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 38ns
Turn-off time: 490ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW25N120H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+380.5 грн
32+ 364.15 грн
50+ 350.28 грн
100+ 326.31 грн
250+ 292.97 грн
Мінімальне замовлення: 31
IKW25N120H3
Код товару: 113551		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW25N120H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.13 грн
10+ 382.42 грн
25+ 300.99 грн
100+ 276.68 грн
240+ 260.25 грн
480+ 243.82 грн
1200+ 219.5 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+510.33 грн
26+ 461.82 грн
50+ 404.57 грн
100+ 371.41 грн
200+ 330.91 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.79 грн
30+ 310.43 грн
120+ 277.77 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+401.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+461.57 грн
10+ 437.59 грн
25+ 302.31 грн
100+ 275.36 грн
240+ 272.08 грн
480+ 218.84 грн
1200+ 205.7 грн
IKW25N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.32 грн
3+ 356.66 грн
7+ 336.81 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+488.05 грн
5+ 416.54 грн
10+ 344.29 грн
50+ 298.47 грн
100+ 255.29 грн
250+ 216.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+601.58 грн
3+ 444.46 грн
7+ 404.17 грн
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW25N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120H3XKInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.13 грн
10+ 382.42 грн
25+ 307.57 грн
240+ 260.91 грн
480+ 247.76 грн
1200+ 238.56 грн
2640+ 233.3 грн
IKW25N120T2
Код товару: 39789		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW25N120T2Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.97 грн
10+ 441.37 грн
25+ 327.94 грн
100+ 320.71 грн
240+ 310.19 грн
480+ 230.02 грн
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+328.39 грн
42+ 280.04 грн
120+ 274.68 грн
Мінімальне замовлення: 36
IKW25N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+560.3 грн
3+ 356.66 грн
7+ 336.81 грн
100+ 324.49 грн
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120T2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+496.16 грн
5+ 439.39 грн
10+ 381.89 грн
50+ 308.06 грн
100+ 241.39 грн
250+ 236.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 156 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+672.36 грн
3+ 444.46 грн
7+ 404.17 грн
100+ 389.39 грн
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+616.08 грн
21+ 556.89 грн
50+ 488.98 грн
100+ 449.06 грн
200+ 400.21 грн
Мінімальне замовлення: 19
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.94 грн
30+ 260.04 грн
120+ 255.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+304.36 грн
40+ 291.28 грн
50+ 280.18 грн
100+ 261 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.88 грн
30+ 319.81 грн
120+ 286.15 грн
IKW25N120T2FKSA1Infineon50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+264.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW25N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25N120T2XKInfineon TechnologiesDescription: IGBT, 50A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 1.55mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
IKW25T120Infineon TechnologiesDescription: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
товар відсутній
IKW25T120
Код товару: 175269		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW25T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.7 грн
10+ 395.27 грн
25+ 311.51 грн
100+ 285.88 грн
240+ 268.79 грн
480+ 251.7 грн
1200+ 238.56 грн
IKW25T120FKSA1Infineon1200V 50A 190W IKW25T120FKSA1 INFINEON IKW25T120 TIKW25t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+236.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+303.79 грн
42+ 283.53 грн
43+ 276.55 грн
50+ 263.97 грн
100+ 215.87 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+246.51 грн
50+ 227.49 грн
52+ 194.55 грн
100+ 187.91 грн
250+ 182.25 грн
Мінімальне замовлення: 48
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.89 грн
10+ 344.63 грн
25+ 245.79 грн
100+ 231.33 грн
240+ 216.22 грн
IKW25T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 50A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+583 грн
3+ 382.18 грн
8+ 348.31 грн
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.09 грн
10+ 263.28 грн
25+ 256.79 грн
50+ 245.12 грн
100+ 200.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns
Switching Energy: 4.2mJ
Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.1 грн
30+ 330.63 грн
120+ 295.83 грн
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+756.06 грн
18+ 674.91 грн
50+ 583.87 грн
100+ 533.44 грн
200+ 473.6 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW25T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 155nC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Collector current: 50A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+485.84 грн
3+ 306.69 грн
8+ 290.26 грн
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+375.25 грн
5+ 329.54 грн
10+ 283.1 грн
50+ 244.39 грн
100+ 207.9 грн
250+ 203.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+320.44 грн
10+ 290.41 грн
25+ 280 грн
50+ 267.29 грн
100+ 209.02 грн
480+ 198.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW25T120T2MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N60DTPInfineon TechnologiesDescription: HIGH SPEED IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
товар відсутній
IKW30N60DTPInfineon
на замовлення 91440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N60DTPInfineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+178.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+158.34 грн
85+ 137.56 грн
100+ 130.63 грн
Мінімальне замовлення: 74
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 389 шт:
термін постачання 187-196 дні (днів)
2+172.51 грн
25+ 149.64 грн
100+ 111.07 грн
240+ 110.41 грн
480+ 84.12 грн
1200+ 79.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+156.05 грн
86+ 136.71 грн
105+ 110.91 грн
107+ 105.88 грн
240+ 97.05 грн
480+ 79.43 грн
Мінімальне замовлення: 75
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns
Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.59 грн
30+ 134.18 грн
120+ 115.01 грн
510+ 95.94 грн
1020+ 82.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+156.19 грн
10+ 136.82 грн
25+ 111 грн
100+ 105.97 грн
240+ 97.14 грн
480+ 79.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.52 грн
10+ 200.28 грн
25+ 164.3 грн
100+ 140.64 грн
240+ 130.78 грн
480+ 125.52 грн
1200+ 107.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3
Код товару: 94542		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW30N60H3Infineon60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3Infineon60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+150.99 грн
10+ 147.24 грн
25+ 135.78 грн
100+ 124.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+315.83 грн
5+ 209.01 грн
13+ 190.59 грн
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+215.86 грн
58+ 204.03 грн
68+ 173.55 грн
100+ 151.18 грн
240+ 135.02 грн
480+ 106.72 грн
Мінімальне замовлення: 54
IKW30N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.19 грн
5+ 167.72 грн
13+ 158.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+286.21 грн
47+ 251.28 грн
59+ 199.86 грн
100+ 191.79 грн
200+ 168.92 грн
480+ 153.01 грн
Мінімальне замовлення: 41
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N60H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+252.87 грн
10+ 176.94 грн
100+ 159.98 грн
500+ 132.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.83 грн
30+ 165.1 грн
120+ 141.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+162.61 грн
74+ 158.57 грн
80+ 146.23 грн
100+ 133.6 грн
Мінімальне замовлення: 72
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.38 грн
10+ 210.1 грн
25+ 151.15 грн
100+ 132.1 грн
240+ 131.44 грн
480+ 116.98 грн
1200+ 98.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+198.41 грн
10+ 187.54 грн
25+ 159.52 грн
100+ 138.97 грн
240+ 124.11 грн
480+ 98.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+349.46 грн
35+ 334.44 грн
50+ 321.7 грн
100+ 299.68 грн
Мінімальне замовлення: 34
IKW30N60TInfineon TechnologiesDescription: IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IKW30N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.02 грн
10+ 266.79 грн
25+ 219.5 грн
100+ 187.96 грн
240+ 177.44 грн
480+ 166.93 грн
1200+ 143.27 грн
IKW30N60T
Код товару: 99658		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW30N60TAInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast recovery
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+209.01 грн
6+ 96.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+368.62 грн
10+ 224.12 грн
100+ 171.04 грн
500+ 154.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TFKSA1Infineon45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+233.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+288.63 грн
30+ 220.21 грн
120+ 188.75 грн
510+ 157.45 грн
1020+ 134.82 грн
2010+ 126.95 грн
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+313.59 грн
10+ 281.9 грн
25+ 209.64 грн
100+ 180.73 грн
240+ 176.78 грн
480+ 138.67 грн
1200+ 130.78 грн
IKW30N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+441.46 грн
3+ 383.04 грн
4+ 303.95 грн
9+ 287.52 грн
IKW30N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+367.88 грн
3+ 307.37 грн
4+ 253.29 грн
9+ 239.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+350.39 грн
10+ 290.22 грн
25+ 237.9 грн
100+ 178.1 грн
240+ 147.87 грн
1200+ 145.9 грн
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+497.77 грн
28+ 421.57 грн
50+ 320.63 грн
200+ 290.1 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW30N65EL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 227W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.92 грн
10+ 251.4 грн
100+ 160.72 грн
500+ 146.5 грн
1000+ 132.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65EL5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 62A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 168nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 359ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns
Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.04 грн
30+ 245.9 грн
IKW30N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65ES5Infineon
на замовлення 22080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.89 грн
10+ 242.6 грн
25+ 198.47 грн
100+ 170.21 грн
240+ 161.01 грн
480+ 151.81 грн
1200+ 134.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+420.22 грн
3+ 364.27 грн
4+ 255.48 грн
11+ 241.52 грн
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 39.5A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+350.19 грн
3+ 292.31 грн
4+ 212.9 грн
11+ 201.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+215.78 грн
10+ 196.61 грн
25+ 190.13 грн
100+ 167.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+390.73 грн
10+ 317.01 грн
25+ 258.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.79 грн
10+ 258.47 грн
25+ 192.56 грн
100+ 167.58 грн
240+ 166.93 грн
480+ 129.47 грн
1200+ 122.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+197.75 грн
65+ 181.63 грн
67+ 176.06 грн
100+ 156.24 грн
240+ 139.9 грн
480+ 121.47 грн
1200+ 117.01 грн
Мінімальне замовлення: 59
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.14 грн
30+ 206.01 грн
120+ 176.59 грн
510+ 147.31 грн
1020+ 126.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+199.86 грн
10+ 183.56 грн
25+ 177.94 грн
100+ 157.91 грн
240+ 141.38 грн
480+ 122.77 грн
1200+ 118.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+232.38 грн
55+ 211.74 грн
57+ 204.75 грн
100+ 180.52 грн
Мінімальне замовлення: 51
IKW30N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+389.9 грн
36+ 330.53 грн
50+ 251.36 грн
100+ 241.43 грн
200+ 211.18 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns
Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.57 грн
30+ 207.17 грн
120+ 177.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+410.68 грн
32+ 366.15 грн
50+ 334.49 грн
100+ 292.96 грн
200+ 269.49 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW30N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.27 грн
10+ 224.12 грн
100+ 151.87 грн
500+ 136.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.42 грн
10+ 244.11 грн
25+ 199.79 грн
100+ 170.87 грн
240+ 161.67 грн
480+ 132.75 грн
1200+ 124.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIKW30N65ET7
товар відсутній
IKW30N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW30N65H5Infineon technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+290.59 грн
10+ 266.79 грн
25+ 197.81 грн
100+ 170.21 грн
240+ 162.33 грн
480+ 128.15 грн
1200+ 121.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.22 грн
10+ 229.28 грн
100+ 151.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+418.61 грн
32+ 367.14 грн
50+ 331.52 грн
100+ 288.19 грн
200+ 264.19 грн
Мінімальне замовлення: 28
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.01 грн
30+ 204.44 грн
120+ 175.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65H5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 35A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65NL5Infineon TechnologiesDescription: IKW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IKW30N65NL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65NL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 85
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+215.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.23 грн
10+ 335.56 грн
100+ 253.02 грн
240+ 239.87 грн
IKW30N65NL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/283ns
Switching Energy: 560µJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 227 W
товар відсутній
IKW30N65WR5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKW30N65WR5Infineon technologies
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.73 грн
3+ 230.02 грн
5+ 180.73 грн
13+ 170.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+330.87 грн
3+ 286.64 грн
5+ 216.87 грн
13+ 204.55 грн
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/367ns
Switching Energy: 990µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 155 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 185 W
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.86 грн
30+ 137.46 грн
120+ 117.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 185 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 185W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.22 грн
10+ 154.08 грн
100+ 120.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+335.48 грн
40+ 295.9 грн
50+ 262.25 грн
100+ 229.02 грн
200+ 210.29 грн
Мінімальне замовлення: 35
IKW30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.65 грн
10+ 181.38 грн
25+ 137.35 грн
100+ 117.64 грн
240+ 115.01 грн
480+ 89.38 грн
1200+ 84.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+597.9 грн
5+ 513.11 грн
10+ 427.6 грн
50+ 370.35 грн
100+ 316.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520.61 грн
10+ 439.86 грн
25+ 347 грн
100+ 318.74 грн
240+ 299.68 грн
480+ 280.62 грн
1200+ 252.36 грн
IKW40N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/336ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 920µJ (off)
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 330 W
товар відсутній
IKW40N120CS6Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+228.57 грн
Мінімальне замовлення: 51
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+666.01 грн
24+ 485.9 грн
50+ 430.47 грн
100+ 390.3 грн
200+ 340.18 грн
Мінімальне замовлення: 18
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+298.56 грн
Мінімальне замовлення: 39
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+323.46 грн
10+ 306.88 грн
25+ 289.66 грн
50+ 278.2 грн
100+ 242.34 грн
480+ 218.07 грн
720+ 196.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1
Код товару: 193315		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 285 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 500 W
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.74 грн
30+ 342.7 грн
120+ 306.63 грн
510+ 253.91 грн
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+266.45 грн
Мінімальне замовлення: 44
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+327.06 грн
10+ 311.28 грн
25+ 294.7 грн
50+ 283.13 грн
100+ 247.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.4 грн
10+ 405.09 грн
25+ 283.91 грн
100+ 261.56 грн
240+ 259.59 грн
480+ 224.76 грн
IKW40N120CS6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120CS6XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 500W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+552.19 грн
5+ 472.57 грн
10+ 392.21 грн
50+ 340.23 грн
100+ 291.94 грн
250+ 286.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.35 грн
10+ 374.96 грн
25+ 342.82 грн
50+ 327.68 грн
100+ 277.19 грн
480+ 242.76 грн
720+ 211.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.33 грн
3+ 339.55 грн
7+ 320.38 грн
IKW40N120CS6XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS6XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+635.2 грн
3+ 423.13 грн
7+ 384.46 грн
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 175 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns
Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 357 W
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.03 грн
30+ 387.61 грн
120+ 346.81 грн
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+545.91 грн
10+ 513.17 грн
25+ 381.17 грн
100+ 345.68 грн
240+ 333.85 грн
480+ 304.94 грн
1200+ 256.96 грн
IKW40N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 357W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+524.17 грн
5+ 468.88 грн
10+ 412.85 грн
50+ 364.88 грн
100+ 319.75 грн
250+ 281.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+437.48 грн
10+ 401.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005415716
товар відсутній
IKW40N120CS7XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 56A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT7 S7 with Anti-parallel Diode
товар відсутній
IKW40N120H3
Код товару: 153177		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120H3Infineon80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode   IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+306.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N120H3Infineon TechnologiesHigh speed Trans IGBT Chip
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+507.25 грн
25+ 485.46 грн
50+ 466.97 грн
100+ 435.01 грн
250+ 390.57 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW40N120H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 3083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+569.68 грн
10+ 481.43 грн
25+ 379.86 грн
100+ 348.97 грн
240+ 327.28 грн
480+ 307.57 грн
1200+ 299.68 грн
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+551.27 грн
10+ 485.2 грн
25+ 371.97 грн
100+ 348.97 грн
240+ 306.25 грн
480+ 276.02 грн
1200+ 264.19 грн
IKW40N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+823.35 грн
16+ 735.28 грн
50+ 635.33 грн
100+ 580.19 грн
200+ 515.13 грн
960+ 491.97 грн
1920+ 434.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
IKW40N120H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 355 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 4.4mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 185 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 483 W
на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.65 грн
30+ 402.96 грн
120+ 360.55 грн
510+ 298.56 грн
1020+ 268.7 грн
2010+ 251.78 грн
IKW40N120H3FKSA1
Код товару: 144428		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N120H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 483W
Anzahl der Pins: 3Pins
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 13950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+634.76 грн
5+ 545.55 грн
10+ 455.61 грн
50+ 395 грн
100+ 338.07 грн
250+ 316.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120T2
Код товару: 73806		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120T2InfineonTrans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+400.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N120T2Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+616.45 грн
10+ 520.73 грн
25+ 410.74 грн
100+ 377.23 грн
240+ 354.88 грн
480+ 333.2 грн
1200+ 299.68 грн
IKW40N120T2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+526.81 грн
25+ 504.18 грн
50+ 484.97 грн
100+ 451.78 грн
250+ 405.63 грн
500+ 378.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW40N120T2
Код товару: 150870		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+545.43 грн
10+ 483.06 грн
25+ 455.32 грн
100+ 391.33 грн
240+ 346.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+616.45 грн
10+ 598.57 грн
25+ 421.92 грн
100+ 377.23 грн
240+ 375.26 грн
480+ 299.02 грн
1200+ 286.54 грн
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 1200V 75A 480W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 258 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns
Switching Energy: 5.25mJ
Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 192 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 480 W
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+568.01 грн
30+ 436.58 грн
120+ 390.63 грн
510+ 323.46 грн
1020+ 291.11 грн
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+389.34 грн
32+ 372.61 грн
50+ 358.42 грн
100+ 333.89 грн
250+ 299.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
IKW40N120T2FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N120T2FKSA1 - IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+639.92 грн
5+ 550.71 грн
10+ 460.77 грн
50+ 399.11 грн
100+ 341.23 грн
250+ 288.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.17 грн
2+ 435.39 грн
5+ 411.43 грн
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+716.47 грн
18+ 647.2 грн
50+ 568.03 грн
100+ 521.03 грн
200+ 464.76 грн
960+ 412.24 грн
1920+ 367.28 грн
Мінімальне замовлення: 17
IKW40N120T2FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+733.4 грн
2+ 542.56 грн
5+ 493.72 грн
IKW40N120T2FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60DTPInfineon
на замовлення 21840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N60DTPInfineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW40N60DTPXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N60DTPXKSA1 - IGBT, 67 A, 1.6 V, 246 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: 246
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
DC-Kollektorstrom: 67
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+221.15 грн
10+ 192.48 грн
25+ 186.8 грн
100+ 146.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.9 грн
30+ 154.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+112.68 грн
109+ 107.65 грн
Мінімальне замовлення: 104
IKW40N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 40A 306W
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.93 грн
10+ 310.62 грн
25+ 246.45 грн
100+ 224.76 грн
240+ 190.59 грн
1200+ 166.27 грн
2640+ 165.61 грн
IKW40N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW40N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IKW40N60H3
Код товару: 128556		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N60H3Infineon technologies
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 124 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns
Switching Energy: 1.68mJ
Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.5 грн
30+ 263.74 грн
120+ 226.06 грн
510+ 188.58 грн
1020+ 161.47 грн
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.74 грн
3+ 338.18 грн
4+ 258.77 грн
9+ 245.08 грн
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+498.76 грн
27+ 444.34 грн
50+ 405.74 грн
100+ 355.94 грн
200+ 326.92 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+412.11 грн
10+ 297.11 грн
100+ 192.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+485.69 грн
3+ 421.42 грн
4+ 310.52 грн
9+ 294.09 грн
IKW40N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1 (TO-247, Infineon) IGBT N-ch 600V/80A
Код товару: 160842		Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
товар відсутній
IKW40N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+345.79 грн
10+ 286.44 грн
25+ 235.27 грн
100+ 201.76 грн
240+ 189.93 грн
480+ 178.76 грн
1200+ 159.04 грн
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+413.85 грн
33+ 363.09 грн
36+ 332.27 грн
50+ 311.13 грн
100+ 192.38 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW40N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+457.82 грн
10+ 373.78 грн
25+ 305.95 грн
240+ 241.65 грн
720+ 214.22 грн
1200+ 204.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+309.24 грн
30+ 236.16 грн
120+ 202.42 грн
510+ 168.85 грн
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.82 грн
10+ 302.31 грн
25+ 224.1 грн
100+ 193.21 грн
240+ 189.27 грн
480+ 148.53 грн
1200+ 139.98 грн
IKW40N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+384.29 грн
10+ 337.15 грн
25+ 308.54 грн
50+ 288.9 грн
100+ 178.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesSP005403468
товар відсутній
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+297.16 грн
30+ 227.03 грн
120+ 194.58 грн
510+ 162.32 грн
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 12362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+332.76 грн
10+ 275.86 грн
25+ 226.73 грн
100+ 169.56 грн
240+ 163.64 грн
480+ 143.27 грн
1200+ 138.67 грн
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIKW40N65ET7XKSA1
товар відсутній
IKW40N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIKW40N65ET7XKSA1
товар відсутній
IKW40N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 230.8W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+380.41 грн
10+ 340.6 грн
25+ 280.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW40N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW40N65F5FInfineon TechnologiesDescription: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
товар відсутній
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+360.21 грн
10+ 324.32 грн
25+ 323.91 грн
50+ 293.08 грн
100+ 230.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.52 грн
30+ 215.16 грн
120+ 184.41 грн
510+ 153.84 грн
1020+ 131.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+418.45 грн
3+ 363.41 грн
4+ 266.16 грн
10+ 251.38 грн
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 727 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
2+293.66 грн
10+ 275.86 грн
25+ 204.39 грн
100+ 176.13 грн
240+ 172.18 грн
480+ 135.38 грн
1200+ 127.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+348.71 грн
3+ 291.63 грн
4+ 221.8 грн
10+ 209.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 255W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+317.01 грн
10+ 255.08 грн
100+ 189.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+407.72 грн
34+ 345.37 грн
50+ 263.23 грн
200+ 237.61 грн
Мінімальне замовлення: 29
IKW40N65H5Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+280.76 грн
44+ 268.7 грн
50+ 258.46 грн
100+ 240.77 грн
250+ 216.17 грн
500+ 201.89 грн
Мінімальне замовлення: 42
IKW40N65H5InfineonIGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W   IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+204.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N65H5Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
товар відсутній
IKW40N65H5Infineon technologies
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW40N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/153ns
Switching Energy: 380µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW40N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW40N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.22 грн
10+ 318.18 грн
25+ 237.25 грн
100+ 203.73 грн
240+ 200.44 грн
480+ 153.78 грн
1200+ 145.24 грн
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW40N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW40N65H5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 20874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.46 грн
10+ 276.46 грн
100+ 210.11 грн
500+ 179.36 грн
1000+ 151.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+368.13 грн
38+ 311.73 грн
50+ 237.5 грн
200+ 214.7 грн
Мінімальне замовлення: 32
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+200.79 грн
10+ 194.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65H5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 62 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.38 грн
30+ 237.59 грн
120+ 203.66 грн
510+ 169.89 грн
IKW40N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038146
товар відсутній
IKW40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.32 грн
30+ 314.63 грн
120+ 269.69 грн
IKW40N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.77 грн
10+ 371.08 грн
25+ 304.28 грн
100+ 260.91 грн
240+ 245.79 грн
480+ 231.33 грн
1200+ 197.81 грн
IKW40N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+550.71 грн
5+ 471.83 грн
10+ 392.21 грн
50+ 331.33 грн
100+ 276.15 грн
250+ 245.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65WR5Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
товар відсутній
IKW40N65WR5Infineon technologies
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+183.72 грн
70+ 166.87 грн
72+ 162.14 грн
73+ 154.78 грн
Мінімальне замовлення: 64
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/432ns
Switching Energy: 770µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
товар відсутній
IKW40N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+361.83 грн
3+ 313.94 грн
5+ 229.2 грн
12+ 216.87 грн
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+384.95 грн
35+ 340.42 грн
50+ 300.84 грн
100+ 262.43 грн
200+ 241.22 грн
Мінімальне замовлення: 31
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+170.59 грн
10+ 154.95 грн
25+ 150.56 грн
50+ 143.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW40N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+260.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+203.08 грн
10+ 176.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+301.53 грн
3+ 251.92 грн
5+ 191 грн
12+ 180.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65WR5XKSA1
Код товару: 200399		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.35 грн
10+ 228.24 грн
25+ 172.18 грн
100+ 157.73 грн
240+ 126.84 грн
480+ 99.89 грн
1200+ 93.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40T120INFINEON10+ TO-247
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120
Код товару: 48060		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40T120Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.14 грн
10+ 479.91 грн
25+ 378.54 грн
100+ 347.65 грн
240+ 327.28 грн
480+ 306.25 грн
1200+ 275.36 грн
IKW40T120Infineon technologies
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+583.04 грн
25+ 557.99 грн
50+ 536.73 грн
100+ 500 грн
Мінімальне замовлення: 20
IKW40T120INFINEONMODULE
на замовлення 500094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW40T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 203nC
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+561.77 грн
3+ 469.2 грн
6+ 427.17 грн
30+ 410.74 грн
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+297.7 грн
41+ 284.91 грн
50+ 274.06 грн
100+ 255.31 грн
Мінімальне замовлення: 40
IKW40T120FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 92ns
Turn-off time: 700ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 270W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 203nC
Technology: TRENCHSTOP™
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.14 грн
3+ 376.52 грн
6+ 355.98 грн
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.35 грн
10+ 419.97 грн
25+ 381.2 грн
100+ 250.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40T120FKSA1InfineonIGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+371.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT FS 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 6.5mJ
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.51 грн
30+ 401.85 грн
120+ 359.56 грн
510+ 297.73 грн
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+738.24 грн
18+ 666.99 грн
50+ 584.85 грн
100+ 537.25 грн
200+ 478.9 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW40T120FKSA1
Код товару: 152618		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40T120FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW40T120FKSA1 - IGBT, Universal, 75 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+592 грн
5+ 508.69 грн
10+ 424.65 грн
50+ 386.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW40T120FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+567.38 грн
10+ 515.44 грн
25+ 375.26 грн
100+ 347 грн
240+ 336.48 грн
480+ 275.36 грн
1200+ 262.88 грн
IKW40T120XKInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
товар відсутній
IKW40TI20FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT, 75A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns
Switching Energy: 3.3mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 203 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 270 W
товар відсутній
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+598.81 грн
10+ 506.37 грн
25+ 398.92 грн
100+ 366.71 грн
240+ 344.37 грн
480+ 322.68 грн
1200+ 290.48 грн
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+617.15 грн
10+ 530.88 грн
25+ 482.31 грн
30+ 460.42 грн
100+ 395.95 грн
120+ 379.98 грн
240+ 357.68 грн
IKW50N120CH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N120CH7XKSA1 - IGBT, 86 A, 1.7 V, 398 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 398W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+639.92 грн
5+ 550.71 грн
10+ 461.51 грн
50+ 399.11 грн
100+ 341.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 86A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 116 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/319ns
Switching Energy: 2.33mJ (on), 1.12mJ (off)
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 398 W
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.95 грн
30+ 423.41 грн
120+ 378.83 грн
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+664.63 грн
21+ 571.72 грн
25+ 519.41 грн
30+ 495.84 грн
100+ 426.4 грн
120+ 409.21 грн
240+ 385.2 грн
Мінімальне замовлення: 18
IKW50N120CS7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 428 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+727.65 грн
5+ 622.96 грн
10+ 518.28 грн
50+ 453.19 грн
100+ 391.79 грн
250+ 367.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+450.81 грн
10+ 436.47 грн
25+ 411.6 грн
100+ 377.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+485.49 грн
25+ 470.04 грн
27+ 443.26 грн
100+ 406.78 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/170ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.2mJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 2.3Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 82 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+580.1 грн
30+ 446.09 грн
120+ 399.15 грн
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesSP005419710
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.02 грн
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+573.45 грн
10+ 536.21 грн
25+ 485.76 грн
30+ 460.42 грн
100+ 404.25 грн
120+ 373.07 грн
240+ 359.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+649.41 грн
10+ 617.46 грн
25+ 444.92 грн
100+ 397.6 грн
480+ 379.2 грн
1200+ 354.88 грн
2640+ 295.74 грн
IKW50N120CS7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+768.41 грн
18+ 658.42 грн
25+ 585.6 грн
100+ 529.58 грн
240+ 461.31 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW50N60DTPInfineon
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N60DTPInfineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N60DTPInfineon technologies
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 115 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns
Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 249 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 319.2 W
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241 грн
30+ 183.99 грн
120+ 157.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60DTPXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+301.68 грн
3+ 256.78 грн
5+ 214.41 грн
13+ 202.91 грн
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60DTPXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N60DTPXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 319.2 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 319.2
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N60DTPXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 233ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.4 грн
3+ 206.06 грн
5+ 178.67 грн
13+ 169.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60DTPXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.75 грн
10+ 212.37 грн
25+ 155.1 грн
100+ 153.13 грн
240+ 131.44 грн
480+ 130.78 грн
1200+ 115.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60H3Infineon100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+184.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW50N60H3Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+354.46 грн
35+ 339.24 грн
50+ 326.31 грн
100+ 303.98 грн
Мінімальне замовлення: 33
IKW50N60H3
Код товару: 94376		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+473.84 грн
10+ 392.24 грн
25+ 322.02 грн
100+ 276.02 грн
240+ 260.91 грн
480+ 245.13 грн
1200+ 210.3 грн
IKW50N60H3Infineon100A; 600V; 333W; IGBT w/ Diode   IKW50N60H3 TIKW50n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+184.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW50N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
товар відсутній
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+356.72 грн
34+ 350.44 грн
37+ 316.83 грн
100+ 274.75 грн
Мінімальне замовлення: 33
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459.27 грн
10+ 423.99 грн
25+ 308.22 грн
100+ 258.28 грн
240+ 257.62 грн
480+ 203.73 грн
1200+ 191.9 грн
IKW50N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+481.27 грн
3+ 355.74 грн
8+ 323.67 грн
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns
Switching Energy: 2.36mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 315 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.41 грн
30+ 323.48 грн
120+ 277.27 грн
IKW50N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+484.36 грн
10+ 349.45 грн
100+ 235.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+401.06 грн
3+ 285.47 грн
8+ 269.72 грн
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+439.5 грн
32+ 372.56 грн
50+ 283.3 грн
100+ 272.25 грн
200+ 238.22 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKW50N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+331.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60T
Код товару: 145126		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+437.09 грн
28+ 418.31 грн
50+ 402.38 грн
100+ 374.84 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKW50N60TInfineonTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+263.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 741 шт:
термін постачання 236-245 дні (днів)
1+463.1 грн
10+ 390.73 грн
25+ 308.22 грн
100+ 283.25 грн
240+ 266.16 грн
IKW50N60TInfineonTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+263.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N60TInfineon TechnologiesDescription: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
IKW50N60TAInfineon TechnologiesDescription: IKW50N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
IKW50N60TA
Код товару: 139366		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
товар відсутній
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 9853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+290.15 грн
Мінімальне замовлення: 68
IKW50N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.43 грн
10+ 535.49 грн
25+ 505.08 грн
100+ 471.89 грн
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+652.15 грн
22+ 529.44 грн
50+ 457.2 грн
100+ 417.97 грн
200+ 371.1 грн
Мінімальне замовлення: 18
IKW50N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 2.6mJ
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.83 грн
30+ 327.64 грн
120+ 293.13 грн
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+423.25 грн
32+ 371.29 грн
35+ 340.04 грн
100+ 302.74 грн
240+ 264.53 грн
Мінімальне замовлення: 28
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 50A
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.04 грн
10+ 465.55 грн
25+ 346.34 грн
240+ 327.94 грн
480+ 249.73 грн
1200+ 224.76 грн
2640+ 214.24 грн
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+423.33 грн
10+ 371.36 грн
25+ 340.11 грн
100+ 302.8 грн
240+ 264.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 5189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+544.08 грн
5+ 465.93 грн
10+ 387.05 грн
50+ 335.44 грн
100+ 286.89 грн
250+ 268.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65EH5Infineon
на замовлення 12360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N65EH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+460.73 грн
31+ 384.9 грн
33+ 359.36 грн
100+ 275.87 грн
Мінімальне замовлення: 26
IKW50N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+427.82 грн
10+ 357.41 грн
25+ 333.69 грн
100+ 256.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 275 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 275
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.6 грн
10+ 355.21 грн
25+ 291.14 грн
100+ 226.07 грн
240+ 189.27 грн
1200+ 178.76 грн
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+559.13 грн
24+ 505.68 грн
50+ 443.34 грн
100+ 407.47 грн
200+ 363.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKW50N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 138W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 275 W
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.47 грн
30+ 291.88 грн
120+ 250.17 грн
IKW50N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 239 шт:
термін постачання 316-325 дні (днів)
1+427.83 грн
10+ 354.46 грн
25+ 291.14 грн
100+ 249.08 грн
240+ 235.27 грн
480+ 221.47 грн
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 274W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.3 грн
10+ 341.34 грн
100+ 221.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+512.61 грн
26+ 449.28 грн
50+ 405.74 грн
100+ 352.12 грн
200+ 323.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns
Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
товар відсутній
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+371.73 грн
10+ 310.26 грн
100+ 269.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 236 шт:
термін постачання 317-326 дні (днів)
1+437.8 грн
10+ 422.48 грн
25+ 295.74 грн
100+ 258.93 грн
240+ 257.62 грн
480+ 205.7 грн
IKW50N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 60.5A
Power dissipation: 137W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 161ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+371.21 грн
38+ 309.83 грн
100+ 269.44 грн
Мінімальне замовлення: 32
IKW50N65ET7XKSA1
Код товару: 178408		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.55 грн
10+ 272.08 грн
25+ 204.39 грн
100+ 170.21 грн
240+ 164.3 грн
480+ 159.7 грн
1200+ 150.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 273W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+384.1 грн
10+ 274.25 грн
100+ 209.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 290 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 273 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.99 грн
30+ 253.27 грн
IKW50N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+470.07 грн
29+ 411.68 грн
50+ 373.08 грн
Мінімальне замовлення: 25
IKW50N65F5Infineon
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N65F5Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
товар відсутній
IKW50N65F5
Код товару: 187321		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
IKW50N65F5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 77 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW50N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+323.56 грн
10+ 318.18 грн
25+ 220.16 грн
100+ 188.61 грн
240+ 174.16 грн
480+ 140.64 грн
1200+ 132.75 грн
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
на замовлення 14315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+371.57 грн
10+ 280.89 грн
100+ 168.83 грн
500+ 154.03 грн
1000+ 139.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65F5FKSA1
Код товару: 162192		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns
Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+418.16 грн
33+ 354.12 грн
50+ 269.72 грн
100+ 259.15 грн
200+ 226.09 грн
Мінімальне замовлення: 28
IKW50N65F5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW50N65F5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW50N65H5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW50N65H5AInfineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/173ns
Switching Energy: 450µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 116 nC
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
IKW50N65H5AXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65H5FKSA1
Код товару: 125871		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+353.59 грн
10+ 350.05 грн
25+ 280.14 грн
100+ 201.47 грн
480+ 155.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.24 грн
10+ 304.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1Infineon80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode   IKW50N65H5 TIKW50n65h5
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+236.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+376.98 грн
39+ 301.69 грн
100+ 216.97 грн
480+ 167.71 грн
Мінімальне замовлення: 31
IKW50N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.57 грн
3+ 233.44 грн
4+ 202.63 грн
11+ 191 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+371.09 грн
10+ 356.72 грн
25+ 256.96 грн
100+ 207.02 грн
480+ 182.7 грн
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+467.64 грн
28+ 416.22 грн
50+ 380.32 грн
100+ 333.06 грн
200+ 306.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+247.91 грн
48+ 245.42 грн
52+ 226.41 грн
100+ 195.49 грн
Мінімальне замовлення: 47
IKW50N65H5FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+341.49 грн
3+ 290.9 грн
4+ 243.16 грн
11+ 229.2 грн
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+230.2 грн
10+ 227.89 грн
25+ 210.23 грн
100+ 181.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N65H5FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+403.27 грн
10+ 303 грн
100+ 191.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns
Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.06 грн
30+ 242.07 грн
120+ 207.48 грн
IKW50N65H5FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+619.51 грн
10+ 523.75 грн
25+ 413.37 грн
100+ 379.2 грн
240+ 356.2 грн
480+ 300.99 грн
1200+ 287.19 грн
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 305W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.41 грн
5+ 594.21 грн
10+ 519.01 грн
50+ 447.71 грн
100+ 381.04 грн
250+ 322.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns
Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 305 W
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.15 грн
30+ 438.38 грн
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038142
товар відсутній
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+999.5 грн
13+ 909.44 грн
50+ 808.51 грн
100+ 710.92 грн
200+ 635.29 грн
Мінімальне замовлення: 12
IKW50N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 274W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+823.49 грн
5+ 746.08 грн
10+ 668.67 грн
50+ 586.68 грн
100+ 492.89 грн
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns
Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 274 W
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+647.63 грн
30+ 498.16 грн
120+ 445.72 грн
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesSP001668430
товар відсутній
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1237 грн
11+ 1118.25 грн
50+ 999.5 грн
100+ 878.87 грн
200+ 786.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
товар відсутній
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+811.19 грн
10+ 747.46 грн
25+ 563.21 грн
100+ 529.7 грн
240+ 512.61 грн
480+ 449.52 грн
1200+ 440.32 грн
IKW50N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete Chip
на замовлення 20160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+670.55 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW50N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+360.51 грн
3+ 301.21 грн
4+ 230.7 грн
10+ 217.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.55 грн
10+ 229.75 грн
25+ 186.64 грн
100+ 161.67 грн
240+ 136.04 грн
480+ 122.24 грн
1200+ 115.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+494.8 грн
27+ 433.45 грн
50+ 391.88 грн
100+ 339.72 грн
200+ 311.91 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW50N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 282W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.58 грн
10+ 210.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns
Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 282 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.39 грн
30+ 188.87 грн
120+ 161.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW50N65WR5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+432.61 грн
3+ 375.36 грн
4+ 276.84 грн
10+ 261.23 грн
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW50N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW60N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.04 грн
10+ 467.07 грн
25+ 368.03 грн
100+ 337.8 грн
240+ 318.08 грн
480+ 298.36 грн
1200+ 281.94 грн
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+613.38 грн
5+ 527.12 грн
10+ 440.13 грн
50+ 373.78 грн
100+ 312.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 375 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.37 грн
10+ 407.25 грн
IKW60N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+617.51 грн
3+ 411.19 грн
7+ 373.78 грн
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
товар відсутній
IKW60N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 60A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 180A
Mounting: THT
Gate charge: 375nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 314ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.59 грн
3+ 329.96 грн
7+ 311.48 грн
IKW60N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+402.87 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW60N60H3FKSA1
Код товару: 198550		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+722.25 грн
10+ 610.66 грн
25+ 481.72 грн
100+ 442.29 грн
240+ 415.35 грн
480+ 389.71 грн
1200+ 350.94 грн
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+838.8 грн
18+ 655.08 грн
100+ 531.67 грн
Мінімальне замовлення: 14
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+778.88 грн
10+ 608.29 грн
100+ 493.69 грн
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 92A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 145 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 55ns/461ns
Switching Energy: 4.22mJ (on), 1.66mJ (off)
Gate Charge: 535 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 549 W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+688.87 грн
30+ 529.2 грн
120+ 473.5 грн
IKW75N120CH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60H3Infineon TechnologiesDescription: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60H3Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW75N60H3Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V 80A 428W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 190 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns
Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+615.68 грн
10+ 604.62 грн
25+ 421.26 грн
100+ 377.23 грн
480+ 325.31 грн
1200+ 274.71 грн
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+655.4 грн
2+ 466.88 грн
3+ 466.2 грн
5+ 440.87 грн
IKW75N60H3FKSA1
Код товару: 138035		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+696.68 грн
23+ 507.67 грн
50+ 450.27 грн
100+ 407.47 грн
200+ 356.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
IKW75N60H3FKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+786.48 грн
2+ 581.8 грн
3+ 559.43 грн
5+ 529.04 грн
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+450.52 грн
10+ 422.13 грн
25+ 415.78 грн
100+ 373.2 грн
240+ 327.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+485.18 грн
26+ 454.6 грн
27+ 447.77 грн
100+ 401.91 грн
240+ 352.67 грн
Мінімальне замовлення: 24
IKW75N60H3FKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 428W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+479.2 грн
5+ 434.23 грн
10+ 389.26 грн
50+ 326.54 грн
100+ 268.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60H3FKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+459.58 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW75N60TInfineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+577.91 грн
25+ 553.08 грн
50+ 532 грн
100+ 495.59 грн
250+ 444.97 грн
500+ 415.55 грн
1000+ 405.38 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKW75N60TInfineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.61 грн
10+ 516.95 грн
25+ 408.12 грн
100+ 374.6 грн
240+ 352.91 грн
480+ 330.57 грн
1200+ 297.71 грн
IKW75N60T
Код товару: 40498		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IKW75N60TAInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 75A 100nA
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IKW75N60TAInfineon TechnologiesDescription: IKW75N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
товар відсутній
IKW75N60TAFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 600V 75A 100nA
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+727.65 грн
22+ 530.7 грн
50+ 470.55 грн
100+ 426.61 грн
200+ 371.62 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW75N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+801.52 грн
2+ 592.89 грн
3+ 570.11 грн
5+ 538.9 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.97 грн
10+ 550.23 грн
25+ 429.4 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKW75N60TFKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+648.77 грн
5+ 558.09 грн
10+ 466.67 грн
50+ 404.58 грн
100+ 346.29 грн
250+ 324.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N60TFKSA1
Код товару: 169611		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+613.38 грн
10+ 590.26 грн
25+ 408.77 грн
100+ 375.26 грн
240+ 371.31 грн
480+ 297.71 грн
1200+ 278.65 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+629.92 грн
20+ 594.55 грн
26+ 463.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
IKW75N60TFKSA1Infineon80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode   IKW75N60T TIKW75n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+341 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N60TFKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+667.93 грн
2+ 475.78 грн
3+ 475.09 грн
5+ 449.08 грн
IKW75N60TFKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 4.5mJ
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
на замовлення 3683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.4 грн
30+ 420.76 грн
120+ 376.48 грн
510+ 311.75 грн
1020+ 280.57 грн
2010+ 262.91 грн
IKW75N60TXKInfineon TechnologiesDescription: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IKW75N65EH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW75N65EH5Infineon TechnologiesIKW75N65EH5XKSA1 IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
на замовлення 81 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IKW75N65EH5Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+518.37 грн
25+ 496.11 грн
50+ 477.21 грн
100+ 444.55 грн
Мінімальне замовлення: 23
IKW75N65EH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+560.3 грн
5+ 488.79 грн
10+ 416.54 грн
50+ 342.97 грн
100+ 275.51 грн
250+ 269.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+410.02 грн
10+ 370.95 грн
25+ 348.18 грн
100+ 314.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EH5XKSA1
Код товару: 177738		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.21 грн
30+ 336.04 грн
120+ 300.67 грн
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+784.75 грн
21+ 571.99 грн
50+ 507.67 грн
100+ 459.95 грн
200+ 401.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+441.56 грн
30+ 399.49 грн
32+ 374.96 грн
100+ 339.04 грн
Мінімальне замовлення: 27
IKW75N65EH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 296-305 дні (днів)
1+474.6 грн
10+ 431.54 грн
25+ 320.05 грн
100+ 291.14 грн
240+ 260.25 грн
IKW75N65EH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 198W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 215ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW75N65EL5Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
товар відсутній
IKW75N65EL5Infineon technologies
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.67 грн
10+ 525.4 грн
100+ 362.54 грн
500+ 349.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+715.93 грн
19+ 641.42 грн
100+ 409.04 грн
Мінімальне замовлення: 17
IKW75N65EL5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 536W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+656.14 грн
5+ 565.46 грн
10+ 474.78 грн
50+ 403.9 грн
100+ 338.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+481.2 грн
26+ 460.53 грн
50+ 442.99 грн
100+ 412.67 грн
250+ 370.51 грн
500+ 346.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
IKW75N65EL5XKSA1
Код товару: 190876		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+529.62 грн
30+ 407.39 грн
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+664.79 грн
10+ 595.6 грн
100+ 379.82 грн
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.6 грн
10+ 456.49 грн
25+ 347.65 грн
100+ 306.25 грн
240+ 301.65 грн
480+ 283.25 грн
1200+ 266.82 грн
IKW75N65ES5Infineon technologies
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW75N65ES5
Код товару: 169192		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW75N65ES5Infineon TechnologiesIGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 2248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.5 грн
10+ 426.25 грн
25+ 336.48 грн
100+ 308.88 грн
240+ 290.48 грн
480+ 272.73 грн
1200+ 245.13 грн
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+474.6 грн
10+ 404.34 грн
25+ 285.22 грн
240+ 241.85 грн
1200+ 231.99 грн
2640+ 227.39 грн
IKW75N65ES5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.42
DC-Kollektorstrom: 80
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 395
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+732.31 грн
22+ 533.4 грн
50+ 473.03 грн
100+ 428.47 грн
200+ 373.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 14509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.71 грн
30+ 346.6 грн
120+ 310.12 грн
510+ 256.8 грн
1020+ 231.12 грн
2010+ 216.57 грн
IKW75N65ES5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW75N65ES5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 86ns
Turn-off time: 185ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333000mW Tube
товар відсутній
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+530.88 грн
10+ 490.95 грн
25+ 383.86 грн
50+ 366.46 грн
100+ 316.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+758.04 грн
17+ 685.8 грн
50+ 601.68 грн
100+ 552.51 грн
200+ 492.15 грн
Мінімальне замовлення: 16
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516 грн
10+ 452.71 грн
25+ 312.82 грн
100+ 291.79 грн
240+ 285.22 грн
480+ 258.28 грн
1200+ 241.85 грн
IKW75N65ET7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+557.35 грн
5+ 465.93 грн
10+ 373.78 грн
50+ 332.02 грн
100+ 291.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.59 грн
30+ 365.15 грн
120+ 326.7 грн
IKW75N65ET7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+571.72 грн
23+ 528.72 грн
29+ 413.38 грн
50+ 394.65 грн
100+ 340.54 грн
Мінімальне замовлення: 21
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+778.99 грн
10+ 677.17 грн
25+ 563.21 грн
100+ 509.98 грн
240+ 423.23 грн
480+ 410.09 грн
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1029.19 грн
16+ 766.94 грн
50+ 717.47 грн
100+ 612.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
IKW75N65RH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.74 грн
5+ 723.23 грн
10+ 650.98 грн
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.74 грн
30+ 457.52 грн
120+ 409.35 грн
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65RH5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
товар відсутній
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+906.01 грн
25+ 902.75 грн
50+ 850.83 грн
100+ 760.71 грн
Мінімальне замовлення: 13
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesSP004038158
товар відсутній
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+884.47 грн
10+ 841.3 грн
25+ 838.27 грн
50+ 790.05 грн
100+ 706.37 грн
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1801.08 грн
9+ 1454.72 грн
10+ 1444.82 грн
50+ 1231 грн
100+ 1060.29 грн
200+ 992.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+906.27 грн
10+ 877.45 грн
25+ 685.45 грн
50+ 617.76 грн
100+ 579.64 грн
240+ 562.56 грн
1200+ 481.72 грн
IKW75N65SS5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
товар відсутній
IKW75N65SS5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKW75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.35Vsat
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 395W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1150.82 грн
5+ 1074.89 грн
10+ 998.95 грн
50+ 908.43 грн
100+ 736.81 грн
IKWH100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+652.48 грн
10+ 551.71 грн
25+ 435.06 грн
100+ 399.57 грн
240+ 375.26 грн
480+ 352.25 грн
1200+ 316.77 грн
IKWH100N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 427 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 427W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+716.59 грн
5+ 621.49 грн
10+ 541.13 грн
50+ 470.99 грн
100+ 391.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns
Switching Energy: 3.58mJ (on), 2.37mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 199 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 427 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+600.71 грн
10+ 495.7 грн
IKWH100N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 140A 427W
товар відсутній
IKWH20N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.35 грн
10+ 164 грн
100+ 113.69 грн
240+ 103.84 грн
480+ 92.66 грн
1200+ 80.83 грн
2640+ 76.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH20N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH20N65WR6XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 140 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.01 грн
10+ 159.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKWH20N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.44 грн
30+ 138.03 грн
120+ 113.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH20N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005545963
товар відсутній
IKWH30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesSP005430891
товар відсутній
IKWH30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.25 грн
10+ 170.8 грн
25+ 139.98 грн
100+ 119.61 грн
240+ 113.04 грн
480+ 106.47 грн
1200+ 91.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 190 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 190
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKWH30N65WR5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 41ns/398ns
Switching Energy: 870µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 133 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.81 грн
30+ 144.99 грн
120+ 124.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.91 грн
10+ 172.32 грн
25+ 130.12 грн
100+ 111.07 грн
240+ 104.49 грн
480+ 98.58 грн
1200+ 79.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH30N65WR6XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 165 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 165
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IKWH30N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.81 грн
30+ 146.82 грн
120+ 120.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH30N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005430886
товар відсутній
IKWH40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns
Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.19 грн
10+ 284.03 грн
IKWH40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IKWH40N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.33 грн
10+ 326.49 грн
25+ 267.48 грн
100+ 229.36 грн
240+ 215.56 грн
480+ 203.73 грн
1200+ 174.16 грн
IKWH40N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+407.69 грн
10+ 349.45 грн
100+ 302.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH40N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.05 грн
10+ 198.01 грн
25+ 150.5 грн
100+ 128.81 грн
240+ 124.21 грн
480+ 113.69 грн
1200+ 92.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH40N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH40N65WR6XKSA1 - IGBT, 75 A, 1.55 V, 175 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 175W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.86 грн
10+ 168.83 грн
100+ 127.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKWH40N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/353ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 117 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 175 W
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.92 грн
30+ 150.33 грн
120+ 128.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH40N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005542785
товар відсутній
IKWH50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.07 грн
10+ 372.59 грн
25+ 306.25 грн
100+ 262.22 грн
240+ 247.1 грн
480+ 232.65 грн
1200+ 199.13 грн
IKWH50N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 249 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 249W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+466.67 грн
10+ 400.32 грн
100+ 345.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns
Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 249 W
Package / Case: TO-247-3
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.66 грн
10+ 324.9 грн
IKWH50N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesINDUSTRY 14
товар відсутній
IKWH50N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005542787
товар відсутній
IKWH50N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.72 грн
10+ 246.38 грн
25+ 186.64 грн
100+ 160.35 грн
240+ 153.78 грн
480+ 141.95 грн
1200+ 114.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH50N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/351ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 730µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 205 W
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.55 грн
30+ 186.82 грн
120+ 160.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH60N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+312.82 грн
10+ 281.9 грн
25+ 212.93 грн
100+ 182.7 грн
240+ 176.13 грн
480+ 138.01 грн
1200+ 130.12 грн
IKWH60N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/311ns
Switching Energy: 1.82mJ (on), 850µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 174 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 240 W
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.39 грн
30+ 213.29 грн
120+ 182.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH60N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005430894
товар відсутній
IKWH60N65WR6XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH60N65WR6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.55 V, 240 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.44 грн
10+ 238.86 грн
100+ 181.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKWH70N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesSP005430896
товар відсутній
IKWH70N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.96 грн
10+ 283.41 грн
25+ 231.99 грн
100+ 151.81 грн
IKWH70N65WR6XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/378ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 70A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 269 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 122 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.22 грн
30+ 240.15 грн
120+ 205.85 грн
IKWH75N65EH7XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+580.94 грн
5+ 497.63 грн
10+ 430.54 грн
50+ 375.83 грн
100+ 309.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+498.37 грн
10+ 420.96 грн
25+ 332.54 грн
100+ 304.94 грн
240+ 286.54 грн
480+ 268.79 грн
1200+ 241.85 грн
IKWH75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.53 грн
10+ 378.57 грн
IKWH75N65EH7XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній