Продукція > IMB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IMB-9454G-R20IEI Technology CorporationMICRO-ATX MOTHERBOARD, CORE2 DUO CPU 800/1066/1333 MHZ FSB WITH VGA, DUAL PCIE GBE, SATA II
товар відсутній
IMB-9454G-R40IEI Technology CorporationSBC, Intel CPU 4GB DDR2
товар відсутній
IMB-G41A-R10IEI Technology CorporationSBC, 2.66GHz Intel CPU 4GB DDR3 1000Mbps 2048x1536Pixels
товар відсутній
IMB-G41A-R10-EKAIEI Technology CorporationM-ATX MB LGA775 CORE 2 QUAD
товар відсутній
IMB-H110-ECO-R10IEISingle Board Computers microATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Pentium or Celeron processor per Intel H110 , DDR4 , VGA/DVI-I/LVDS, Dual GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO Packing and RoHS
товар відсутній
IMB-H110-R10IEISingle Board Computers microATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Pentium or Celeron processor per Intel H110 , DDR4 , VGA/DVI-I/LVDS, Dual GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товар відсутній
IMB-H110-R10IEI Technology CorporationMotherboard, Intel CPU 64GB DDR4 1000Mbps 3480x2160Pixels
товар відсутній
IMB-H610A-R10IEISingle Board Computers Micro ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3/Pentium/Celeron CPU with Intel H61,DDR3,VGA/DVI-D,Dual Realtek PCIe GbE, USB 2.0, 6xCOM,SATA 3Gb/s, HD Audio and RoHS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IMB-H610A-R10AaeonMICRO/ATX MB WITH LGA1155
товар відсутній
IMB-H810-ECO-R11IEISingle Board Computers LGA1150 Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU per Intel H81, DDR3, VGA, Dual PCIe GbE, USB 2.0, COM, LPT, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing, RoHS
товар відсутній
IMB-H810-i2-R11IEISingle Board Computers Micro ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel H81, DDR3, VGA, Dual Intel PCIe GbE, USB 2.0, PCI, COM, LPT, SATA 3Gb/s, HD Audio, iRIS and RoHS
товар відсутній
IMB-M40HADLINK TechnologySingle Board Computers ATX Embedded Motherboard supports Intel 3rd Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x16, 2x PCIe x1 and 4x PCI slots BIOS Rev. A1.16
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IMB-M42HADLINK TechnologySingle Board Computers ATX Embedded Motherboard supports Intel 4th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x16, 1x PCIe x4 and 4x PCI slots
товар відсутній
IMB-M43ADLINK TechnologySingle Board Computers IMB-M43 IMB-M43 ATX Embedded Motherboardsupports Intel 6th/7th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIe x8, 4x PCIe x4 and 2x PCI slots
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+40169.41 грн
10+ 38371.97 грн
25+ 32566.47 грн
50+ 31605 грн
IMB-M43-C236ADLINK TechnologySingle Board Computers IMB-M43-C236 IMB-M43 ATX Embedded Motherboardsupports Intel 6th/7th Generation E3Processors, 1x PCIe x8, 4x PCIe x4 and 2x PCI slots
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+40887.06 грн
10+ 39057.45 грн
25+ 33148.08 грн
50+ 32169.52 грн
IMB-M43HADLINK TechnologySingle Board Computers IMB-M43HIMB-M43H ATX Embedded Motherboard supports Intel 6th/7 th Generation i7/i5/i3 Processors, 1x PCIex16, 1x PCIex4 and 5x PCI slots, BIOS REV:1.08.10,HS
товар відсутній
IMB-Q670-R30IEISingle Board Computers Micro ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel Q67, DDR3, VGA/DVI/HDMI, Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, 10 COM, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товар відсутній
IMB-Q770-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Xeon E3 v5,Core i3, Pentium , Celeron per Intel C236, DDR4, triple Independent displays VGA/DVI-D/ HDMI 2.0,Dual Intel GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, IPMI2.0 and RoHS
товар відсутній
IMB-Q870-i2-R10IEISingle Board Computers Micro ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3/Pentium and Celeron CPU per Intel Q87,DDR3,HDMI/ DVI-D/ VGA / DP,Dual Intel PCIe GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s,Six Serial Ports, Audio, iRIS-2400 and RoHS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+28052.88 грн
5+ 27320.34 грн
IMB-S90ADLINK TechnologySingle Board Computers ExtendATX Server Board support Dual Xeon-E5 Processors,4x PCIe x16, 1x PCIe x8 and 1xPCIe x4slots
товар відсутній
IMB-T10ADLINK TechnologySingle Board Computers Mini-ITX Embedded Motherboard w/Intel Atom D2550 processor & Intel NM10 chipset, BIOS Rev P1.1
товар відсутній
IMB-T10BADLINK TechnologySingle Board Computers Mini-ITX Embedded Motherboard w/Intel Atom D2550 processor & Intel NM10 chipset w/CPU Fan, BIOS Rev P1.0
товар відсутній
IMB0105S05XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1133.98 грн
5+ 1084.53 грн
10+ 913.5 грн
30+ 874.72 грн
100+ 816.23 грн
IMB0105S05XP PowerDescription: DC DC CONVERTER 5V 1W
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads
Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating)
Applications: Medical
Voltage - Input (Max): 5.5V
Approval Agency: CB, TUV, UL
Efficiency: 79%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Active
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
товар відсутній
IMB0105S05XP POWERIMB0105S05 DC/DC Converters
товар відсутній
IMB0105S12XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1133.98 грн
5+ 1084.53 грн
10+ 913.5 грн
30+ 874.72 грн
100+ 816.23 грн
IMB0105S12XP PowerDescription: DC DC CONVERTER 12V 1W
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads
Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating)
Applications: Medical
Voltage - Input (Max): 5.5V
Approval Agency: CB, TUV, UL
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 84mA
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1052.85 грн
5+ 983.46 грн
10+ 953 грн
IMB0105S12XP POWERIMB0105S12 DC/DC Converters
товар відсутній
IMB0112S05XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2V; Uout: 5VDC; Iout: 200mA; SIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...105°C
Manufacturer series: IMB01
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.2A
Insulation voltage: 4kV DC
Input voltage: 10.8...13.2V
Number of outputs: 1
Efficiency: 79%
Switching frequency: 60kHz
Case: SIP7
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Body dimensions: 22x12.5x7.5mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB0112S05XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1133.98 грн
5+ 1084.53 грн
10+ 913.5 грн
30+ 874.72 грн
100+ 816.23 грн
IMB0112S05XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 10.8÷13.2V; Uout: 5VDC; Iout: 200mA; SIP7
Mounting: THT
Operating temperature: -40...105°C
Manufacturer series: IMB01
Output voltage: 5V DC
Output current: 0.2A
Insulation voltage: 4kV DC
Input voltage: 10.8...13.2V
Number of outputs: 1
Efficiency: 79%
Switching frequency: 60kHz
Case: SIP7
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Body dimensions: 22x12.5x7.5mm
товар відсутній
IMB0112S05XP PowerDescription: DC DC CONVERTER 5V 1W
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads
Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating)
Applications: Medical
Voltage - Input (Max): 13.2V
Approval Agency: CB, TUV, UL
Efficiency: 79%
Current - Output (Max): 200mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Active
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1052.85 грн
5+ 983.46 грн
10+ 953 грн
IMB0112S12XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1133.98 грн
5+ 1084.53 грн
10+ 913.5 грн
30+ 874.72 грн
100+ 816.23 грн
IMB0112S12XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 12V; Uout: 12VDC; Iout: 84mA; SIP7; 60kHz
Mounting: THT
Operating temperature: -40...105°C
Manufacturer series: IMB01
Output voltage: 12V DC
Output current: 84mA
Insulation voltage: 4kV DC
Input voltage: 12V
Number of outputs: 1
Efficiency: 81%
Switching frequency: 60kHz
Case: SIP7
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Body dimensions: 22x12.5x7.5mm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+985.68 грн
4+ 865.99 грн
IMB0112S12XP PowerDescription: DC DC CONVERTER 12V 1W
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads
Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating)
Applications: Medical
Voltage - Input (Max): 13.2V
Approval Agency: CB, TUV, UL
Efficiency: 81%
Current - Output (Max): 84mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 12V
Part Status: Active
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1052.85 грн
5+ 983.46 грн
10+ 953 грн
25+ 856.33 грн
IMB0112S12XP POWERCategory: DC/DC Converters
Description: Converter: DC/DC; 1W; Uin: 12V; Uout: 12VDC; Iout: 84mA; SIP7; 60kHz
Mounting: THT
Operating temperature: -40...105°C
Manufacturer series: IMB01
Output voltage: 12V DC
Output current: 84mA
Insulation voltage: 4kV DC
Input voltage: 12V
Number of outputs: 1
Efficiency: 81%
Switching frequency: 60kHz
Case: SIP7
Type of converter: DC/DC
Power: 1W
Body dimensions: 22x12.5x7.5mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1182.82 грн
4+ 1079.15 грн
50+ 998.11 грн
IMB0124S05XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IMB0124S05XP POWERIMB0124S05 DC/DC Converters
товар відсутній
IMB0124S12XP PowerDescription: DC DC CONVERTER 12V 1W
Packaging: Tube
Package / Case: 7-SIP Module, 4 Leads
Size / Dimension: 0.87" L x 0.30" W x 0.49" H (22.0mm x 7.5mm x 12.5mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (With Derating)
Applications: Medical
Voltage - Input (Max): 26.4V
Approval Agency: CB, TUV, UL
Efficiency: 79%
Current - Output (Max): 84mA
Voltage - Input (Min): 21.6V
Voltage - Output 1: 12V
Power (Watts): 1 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1052.85 грн
5+ 983.46 грн
10+ 953 грн
25+ 856.33 грн
IMB0124S12XP PowerNon-Isolated DC/DC Converters DC-DC, 1W, SIP7, MEDICAL
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1133.98 грн
5+ 1084.53 грн
10+ 913.5 грн
30+ 874.72 грн
100+ 816.23 грн
IMB0124S12XP POWERIMB0124S12 DC/DC Converters
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1108.19 грн
4+ 1049.04 грн
IMB01CGRTE ConnectivityHigh Frequency / RF Relays 140MW 3V DIELEC .2500VAC
товар відсутній
IMB01CTSTE ConnectivityHigh Frequency / RF Relays IM RELAY 140MW 3V DIEL. 2500VAC
товар відсутній
IMB02CGRTE ConnectivityHigh Frequency / RF Relays 140MW 4.5V dielectic 2500Vac
товар відсутній
IMB02CTSTE ConnectivityHigh Frequency / RF Relays THT standard
товар відсутній
IMB02IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 4.5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 4.5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Relay Type: Telecom
Coil Current: 31 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.45 VDC
Must Operate Voltage: 3.38 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.34 грн
10+ 449.63 грн
25+ 399.65 грн
50+ 356.33 грн
100+ 337.57 грн
250+ 300.06 грн
500+ 276.7 грн
IMB02IGRTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB02IGR =IM Relay 140 mW 4,5V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.31 грн
10+ 499.56 грн
25+ 386.43 грн
100+ 347.65 грн
250+ 309.54 грн
500+ 289.82 грн
1000+ 270.11 грн
IMB02IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 4.5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 4.5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Relay Type: Telecom
Coil Current: 31 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.45 VDC
Must Operate Voltage: 3.38 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+290.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMB02ITSTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB02ITS =IM Relay 140 mW 4,5V
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.9 грн
10+ 461.78 грн
25+ 356.85 грн
100+ 320.71 грн
250+ 285.22 грн
500+ 267.48 грн
1000+ 249.08 грн
IMB02ITSTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 4.5V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 4.5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: Telecom
Coil Current: 31 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.45 VDC
Must Operate Voltage: 3.38 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.96 грн
10+ 415.19 грн
25+ 369.01 грн
50+ 329.01 грн
100+ 311.68 грн
250+ 277.05 грн
500+ 255.48 грн
IMB03CGRTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
товар відсутній
IMB03CGRTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO( (10mm 7.5mm 5.65mm)) SMD
товар відсутній
IMB03CGRTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+256.13 грн
2000+ 250.7 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMB03CGRAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB03CGR - Signalrelais, 5 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Oberflächenmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+268.56 грн
Мінімальне замовлення: 150
IMB03CGR
Код товару: 200311		Реле
товар відсутній
IMB03CGRTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
товар відсутній
IMB03CGRTE ConnectivityHigh Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 5VDC SPST-NO SMD
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.46 грн
10+ 389.22 грн
25+ 300.99 грн
100+ 271.42 грн
250+ 240.53 грн
500+ 226.07 грн
1000+ 210.3 грн
IMB03CGRTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+230.28 грн
300+ 220.03 грн
500+ 214.11 грн
1000+ 200.96 грн
3000+ 181.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
IMB03CGRAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB03CGR - Signalrelais, 5 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Oberflächenmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.75 грн
5+ 404.74 грн
10+ 390.73 грн
20+ 323.12 грн
50+ 268.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMB03CTS
Код товару: 191933		Реле
товар відсутній
IMB03CTSTE Connectivity / P&BHigh Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 5VDC SPST-NO T/H
на замовлення 5633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+310.52 грн
10+ 286.44 грн
25+ 197.16 грн
100+ 183.36 грн
250+ 167.58 грн
500+ 152.47 грн
1000+ 146.55 грн
IMB03CTSTE ConnectivitySignal Relay 5VDC 2A SPST-NO(254x152.4x137.16)mm THT Automotive
на замовлення 8867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+376.44 грн
100+ 243.71 грн
Мінімальне замовлення: 31
IMB03CTSAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB03CTS - Signalrelais, 5 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Durchsteckmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Monostabil
Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium
Kontaktstrom: 2A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 178ohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: 220V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: IM
productTraceability: No
Spulenspannung: 5VDC
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Kontaktspannung V AC: 250V
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.37 грн
10+ 277.94 грн
25+ 207.16 грн
100+ 182.1 грн
250+ 137.13 грн
1000+ 134.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
IMB03IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 5V
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Relay Type: Telecom
Coil Current: 28.1 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.5 VDC
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.13 грн
10+ 436.69 грн
25+ 388.18 грн
50+ 346.09 грн
100+ 327.87 грн
250+ 291.43 грн
500+ 268.74 грн
IMB03IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Relay Type: Telecom
Coil Current: 28.1 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.5 VDC
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+282.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMB03IGRTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB03IGR =IM Relay 140 mW 5V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.21 грн
10+ 485.96 грн
25+ 375.26 грн
100+ 337.8 грн
250+ 300.34 грн
500+ 281.94 грн
1000+ 262.22 грн
IMB03ITSTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB03ITS =IM Relay 140 mW 5V
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+522.14 грн
10+ 482.18 грн
25+ 372.63 грн
100+ 335.82 грн
250+ 298.36 грн
500+ 279.96 грн
1000+ 260.25 грн
IMB03ITSTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 5V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 5VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: Telecom
Coil Current: 28.1 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max
Must Release Voltage: 0.5 VDC
Must Operate Voltage: 3.75 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.57 грн
10+ 433.81 грн
25+ 385.63 грн
50+ 343.8 грн
100+ 325.71 грн
250+ 289.52 грн
500+ 266.97 грн
IMB06CGRTE ConnectivitySignal Relay 12VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
товар відсутній
IMB06CGRAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB06CGR - Signalrelais, 12 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Oberflächenmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Monostabil
Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium
Kontaktstrom: 2A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 1.029kohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: 220V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IM
productTraceability: No
Spulenspannung: 12VDC
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Kontaktspannung V AC: 250V
на замовлення 12836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+371.57 грн
5+ 359.77 грн
10+ 347.97 грн
20+ 281.36 грн
50+ 238.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMB06CGRTE Connectivity / AxicomHigh Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 12VDC SPST-NO SMD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IMB06CGRTE ConnectivitySignal Relay 12VDC 2A SPST-NO(10x7.5x5.65)mm SMD
товар відсутній
IMB06CGRAXICOM - TE CONNECTIVITYDescription: AXICOM - TE CONNECTIVITY - IMB06CGR - Signalrelais, 12 VDC, SPST-NO, 2 A, IM, Oberflächenmontage, Monostabil
tariffCode: 85364110
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Lötanschlüsse
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Spulentyp: Monostabil
Kontaktmaterial: Palladium-Ruthenium
Kontaktstrom: 2A
usEccn: EAR99
Spulenwiderstand: 1.029kohm
euEccn: NLR
Kontaktspannung V DC: 220V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IM
productTraceability: No
Spulenspannung: 12VDC
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Kontaktspannung V AC: 250V
на замовлення 12839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+238.23 грн
Мінімальне замовлення: 150
IMB06CGRTE Connectivity / P&BHigh Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 12VDC SPST-NO SMD
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.13 грн
10+ 312.13 грн
25+ 241.19 грн
100+ 216.87 грн
250+ 192.56 грн
500+ 185.33 грн
IMB06CGRTE ConnectivitySignal Relay 12VDC 2A SPST-NO( (10mm 7.5mm 5.65mm)) SMD
товар відсутній
IMB06CTSTE Connectivity / AxicomHigh Frequency / RF Relays RELAY TELECOM 12VDC SPST-NO T/H
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+364.19 грн
10+ 338.59 грн
25+ 243.16 грн
100+ 226.07 грн
250+ 204.39 грн
500+ 193.21 грн
1000+ 192.56 грн
IMB06IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 12V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Relay Type: Telecom
Coil Current: 11.7 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max
Must Release Voltage: 1.2 VDC
Must Operate Voltage: 9 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+289.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMB06IGRTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 12V
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Relay Type: Telecom
Coil Current: 11.7 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max
Must Release Voltage: 1.2 VDC
Must Operate Voltage: 9 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.21 грн
10+ 448.19 грн
25+ 398.39 грн
50+ 355.18 грн
100+ 336.49 грн
250+ 299.11 грн
500+ 275.81 грн
IMB06IGRTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB06IGR =IM Relay 140 mW 12V
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+539.01 грн
10+ 498.05 грн
25+ 385.11 грн
100+ 346.34 грн
250+ 308.22 грн
500+ 289.16 грн
1000+ 269.45 грн
IMB06ITSTE Connectivity Potter & Brumfield RelaysDescription: RELAY TELECOM SPST 2A 12V
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: Telecom
Coil Current: 11.7 mA
Coil Type: Non Latching
Seal Rating: Sealed - Hermetically
Contact Material: Silver Nickel (AgNi), Gold (Au)
Contact Form: SPST-NO (1 Form A)
Contact Rating (Current): 2 A
Switching Voltage: 250VAC, 400VDC - Max
Must Release Voltage: 1.2 VDC
Must Operate Voltage: 9 VDC
Operate Time: 3 ms
Release Time: 3 ms
Part Status: Active
товар відсутній
IMB06ITSTE Connectivity / AxicomLow Signal Relays - PCB IMB06ITS =IM Relay 140 mW 12V
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.7 грн
10+ 453.46 грн
25+ 350.94 грн
100+ 315.45 грн
250+ 280.62 грн
500+ 262.88 грн
1000+ 245.13 грн
IMB08-02BDSVT0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 40mm
Number of pins: 3
товар відсутній
IMB08-02BDSVT0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 40mm
Number of pins: 3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-02BDSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 50mm
Number of pins: 3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-02BDSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 50mm
Number of pins: 3
товар відсутній
IMB08-02BDSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
товар відсутній
IMB08-02BDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 32mm
товар відсутній
IMB08-02BDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 32mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-02BDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 45mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-02BDSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUC 2MM CYL 2M CBL
товар відсутній
IMB08-02BDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 45mm
товар відсутній
IMB08-02BNOVT0KSICK, Inc.Description: SEN PROX SHLD NPN NC M8 SHRT
товар відсутній
IMB08-02BNOVT0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
товар відсутній
IMB08-02BNOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
товар відсутній
IMB08-02BNOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYL 2M
товар відсутній
IMB08-02BNPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 60mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB08-02BNPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 60mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-02BNSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Range: 0...2mm
Output configuration: NPN / NO
Supply voltage: 10...30V DC
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Switching frequency max: 4kHz
Switch housing: M8
Operating temperature: -40...100°C
Body material: stainless steel
Number of pins: 4
Overall length: 60mm
Kind of forehead: embedded
товар відсутній
IMB08-02BNSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Range: 0...2mm
Output configuration: NPN / NO
Supply voltage: 10...30V DC
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Switching frequency max: 4kHz
Switch housing: M8
Operating temperature: -40...100°C
Body material: stainless steel
Number of pins: 4
Overall length: 60mm
Kind of forehead: embedded
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-02BNSVT0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Range: 0...2mm
Output configuration: NPN / NO
Supply voltage: 10...30V DC
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Switching frequency max: 4kHz
Switch housing: M8
Operating temperature: -40...100°C
Body material: stainless steel
Number of pins: 3
Overall length: 40mm
Kind of forehead: embedded
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-02BNSVT0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Range: 0...2mm
Output configuration: NPN / NO
Supply voltage: 10...30V DC
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Switching frequency max: 4kHz
Switch housing: M8
Operating temperature: -40...100°C
Body material: stainless steel
Number of pins: 3
Overall length: 40mm
Kind of forehead: embedded
товар відсутній
IMB08-02BNSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Range: 0...2mm
Output configuration: NPN / NO
Supply voltage: 10...30V DC
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Switching frequency max: 4kHz
Switch housing: M8
Operating temperature: -40...100°C
Body material: stainless steel
Number of pins: 3
Overall length: 50mm
Kind of forehead: embedded
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3756.94 грн
IMB08-02BNSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Range: 0...2mm
Output configuration: NPN / NO
Supply voltage: 10...30V DC
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Switching frequency max: 4kHz
Switch housing: M8
Operating temperature: -40...100°C
Body material: stainless steel
Number of pins: 3
Overall length: 50mm
Kind of forehead: embedded
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4508.33 грн
5+ 4192.91 грн
IMB08-02BNSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 32mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-02BNSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 32mm
товар відсутній
IMB08-02BNSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 45mm
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3706.81 грн
IMB08-02BNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYL 2M
товар відсутній
IMB08-02BNSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4448.18 грн
IMB08-02BPOVT0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 4kHz
товар відсутній
IMB08-02BPPVC0SSICKIMB08-02BPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB08-02BPPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND
товар відсутній
IMB08-02BPSVC0SSICKIMB08-02BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB08-02BPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 4kHz
Part Status: Active
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6534.63 грн
10+ 5243.29 грн
IMB08-02BPSVT0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 4kHz
Part Status: Active
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4320.88 грн
10+ 3503.86 грн
IMB08-02BPSVT0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 40mm
Number of pins: 3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3634.56 грн
IMB08-02BPSVT0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷2mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...2mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 40mm
Number of pins: 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4361.48 грн
IMB08-02BPSVT0SSICKIMB08-02BPSVT0S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB08-02BPSVT0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 4kHz
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5951.69 грн
IMB08-02BPSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 2MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 4kHz
Part Status: Active
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6445.77 грн
10+ 5227.14 грн
IMB08-02BPSVU2KSICKDescription: SICK - IMB08-02BPSVU2K - Näherungssensor, induktiv, 2mm, PNP, M8 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 2mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M8 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3229.09 грн
IMB08-02BPSVU2KSICKIMB08-02BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB08-02BPSVU2SSICKIMB08-02BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB08-04NDSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 50mm
Number of pins: 3
товар відсутній
IMB08-04NDSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 50mm
Number of pins: 3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-04NDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 32mm
товар відсутній
IMB08-04NDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 32mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-04NDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 45mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-04NDSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M
товар відсутній
IMB08-04NDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 45mm
товар відсутній
IMB08-04NNOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB08-04NNPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 60mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB08-04NNPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 60mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-04NNPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB08-04NNSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 60mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB08-04NNSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 60mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-04NNSVT0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Range: 0...4mm
Output configuration: NPN / NO
Supply voltage: 10...30V DC
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Switching frequency max: 4kHz
Switch housing: M8
Operating temperature: -40...100°C
Body material: stainless steel
Number of pins: 3
Overall length: 40mm
Kind of forehead: non-embedded
товар відсутній
IMB08-04NNSVT0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Range: 0...4mm
Output configuration: NPN / NO
Supply voltage: 10...30V DC
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Switching frequency max: 4kHz
Switch housing: M8
Operating temperature: -40...100°C
Body material: stainless steel
Number of pins: 3
Overall length: 40mm
Kind of forehead: non-embedded
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-04NNSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Range: 0...4mm
Output configuration: NPN / NO
Supply voltage: 10...30V DC
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Switching frequency max: 4kHz
Switch housing: M8
Operating temperature: -40...100°C
Body material: stainless steel
Number of pins: 3
Overall length: 50mm
Kind of forehead: non-embedded
товар відсутній
IMB08-04NNSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Range: 0...4mm
Output configuration: NPN / NO
Supply voltage: 10...30V DC
Connection: connector M8
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Switching frequency max: 4kHz
Switch housing: M8
Operating temperature: -40...100°C
Body material: stainless steel
Number of pins: 3
Overall length: 50mm
Kind of forehead: non-embedded
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-04NNSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 32mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-04NNSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB08-04NNSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 32mm
товар відсутній
IMB08-04NNSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 45mm
товар відсутній
IMB08-04NNSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M8
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Overall length: 45mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-04NPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M8
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 4kHz
товар відсутній
IMB08-04NPPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68
Supply voltage: 10...30V DC
Operating temperature: -40...100°C
Overall length: 60mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Connection: connector M12
Output configuration: PNP / NO + NC
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Range: 0...4mm
Type of sensor: inductive
Kind of forehead: non-embedded
Number of pins: 4
Switch housing: M8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-04NPPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68
Supply voltage: 10...30V DC
Operating temperature: -40...100°C
Overall length: 60mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Connection: connector M12
Output configuration: PNP / NO + NC
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Range: 0...4mm
Type of sensor: inductive
Kind of forehead: non-embedded
Number of pins: 4
Switch housing: M8
товар відсутній
IMB08-04NPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB08-04NPSVC0SSICKIMB08-04NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4842.68 грн
IMB08-04NPSVT0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
IP rating: IP68
Supply voltage: 10...30V DC
Overall length: 40mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Connection: connector M8
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...4mm
Type of sensor: inductive
Kind of forehead: non-embedded
Number of pins: 3
Switch housing: M8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4388.9 грн
IMB08-04NPSVT0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
IP rating: IP68
Supply voltage: 10...30V DC
Overall length: 40mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Connection: connector M8
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...4mm
Type of sensor: inductive
Kind of forehead: non-embedded
Number of pins: 3
Switch housing: M8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3657.42 грн
IMB08-04NPSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
IP rating: IP68
Supply voltage: 10...30V DC
Overall length: 50mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Connection: connector M8
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...4mm
Type of sensor: inductive
Kind of forehead: non-embedded
Number of pins: 3
Switch housing: M8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB08-04NPSVT0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M8; IP68; 200mA
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
IP rating: IP68
Supply voltage: 10...30V DC
Overall length: 50mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 4kHz
Connection: connector M8
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...4mm
Type of sensor: inductive
Kind of forehead: non-embedded
Number of pins: 3
Switch housing: M8
товар відсутній
IMB08-04NPSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB08-04NPSVU2KSICKIMB08-04NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB08-04NPSVU2SSICKIMB08-04NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4169.06 грн
IMB1ROHM
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB1 T110ROHMSOT163-B1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB1 T110 SOT163-B1ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB1 T110 SOT163-B1ROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB1/B1ROHM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB10ROHMSOT-163
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB10AT110ROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 80
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Frequency: 250MHz
Case: SC74; SOT457
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
IMB10AT110ROHM SemiconductorDigital Transistors DUAL PNP 50V 100MA SOT-457
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 155-164 дні (днів)
12+27.83 грн
15+ 21.09 грн
100+ 9.99 грн
1000+ 6.97 грн
3000+ 6.11 грн
9000+ 5.52 грн
24000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
IMB10AT110
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB10AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.59 грн
15+ 18.96 грн
100+ 11.38 грн
500+ 9.89 грн
1000+ 6.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
IMB10AT110ROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Current gain: 80
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Frequency: 250MHz
Case: SC74; SOT457
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
товар відсутній
IMB10AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IMB10T110
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB11ROHMSOT-163
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB11A T110ROHMSOT23
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB11A/B11ROHM09+
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB11AT110ROHM SEMICONDUCTORIMB11AT110 PNP SMD transistors
товар відсутній
IMB11AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IMB11AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 50MA SOT-457
на замовлення 5437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.83 грн
15+ 20.78 грн
100+ 7.69 грн
1000+ 5.91 грн
3000+ 4.4 грн
9000+ 4.01 грн
45000+ 3.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
IMB11AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Active
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.59 грн
16+ 17.46 грн
100+ 8.8 грн
500+ 7.32 грн
1000+ 5.7 грн
Мінімальне замовлення: 12
IMB12-04BDSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-04BDSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB12-04BDSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-04BDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 34mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-04BDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 34mm
товар відсутній
IMB12-04BDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 50mm
товар відсутній
IMB12-04BDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 50mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-04BDSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUC 4MM CYL 2M CBL
товар відсутній
IMB12-04BNOVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-04BNOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-04BNOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-04BNOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M
товар відсутній
IMB12-04BNPVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 45mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB12-04BNPVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 45mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-04BNPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB12-04BNPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-04BNPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-04BNSVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 45mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB12-04BNSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-04BNSVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 45mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-04BNSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 4MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4488.65 грн
10+ 3639.61 грн
IMB12-04BNSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-04BNSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB12-04BNSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 34mm
товар відсутній
IMB12-04BNSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-04BNSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 34mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-04BNSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 50mm
товар відсутній
IMB12-04BNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M
товар відсутній
IMB12-04BNSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...4mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 50mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-04BPOVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-04BPOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-04BPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-04BPOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M
товар відсутній
IMB12-04BPPVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-04BPPVC0KSICKIMB12-04BPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB12-04BPPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68
Supply voltage: 10...30V DC
Operating temperature: -40...100°C
Overall length: 65mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Connection: connector M12
Output configuration: PNP / NO + NC
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Range: 0...4mm
Type of sensor: inductive
Kind of forehead: embedded
Number of pins: 4
Switch housing: M12
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-04BPPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68
Supply voltage: 10...30V DC
Operating temperature: -40...100°C
Overall length: 65mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Connection: connector M12
Output configuration: PNP / NO + NC
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Range: 0...4mm
Type of sensor: inductive
Kind of forehead: embedded
Number of pins: 4
Switch housing: M12
товар відсутній
IMB12-04BPPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-04BPPVC0SSICKDescription: SICK - IMB12-04BPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 4mm, PNP, M12, Steckverbinder, 10 bis 30V DC
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10VDC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30VDC
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3413.39 грн
IMB12-04BPSVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Operating temperature: -40...100°C
Supply voltage: 10...30V DC
Kind of forehead: embedded
Number of pins: 4
Switch housing: M12
Overall length: 45mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Connection: connector M12
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...4mm
Type of sensor: inductive
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-04BPSVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Operating temperature: -40...100°C
Supply voltage: 10...30V DC
Kind of forehead: embedded
Number of pins: 4
Switch housing: M12
Overall length: 45mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Connection: connector M12
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...4mm
Type of sensor: inductive
товар відсутній
IMB12-04BPSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 4MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5934.63 грн
10+ 4812.28 грн
25+ 4511.51 грн
IMB12-04BPSVC0KSICKDescription: SICK - IMB12-04BPSVC0K - Näherungssensor, induktiv, 4mm, PNP, M12 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85365019
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2956.31 грн
IMB12-04BPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 4MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4782.96 грн
IMB12-04BPSVC0SSICKDescription: SICK - IMB12-04BPSVC0S - Näherungssensor, induktiv, 4mm, PNP, M12 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85365019
Erfassungsreichweite, max.: 4mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2956.31 грн
IMB12-04BPSVC0SSICKIMB12-04BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB12-04BPSVU2KSICKIMB12-04BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB12-04BPSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-04BPSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYL 2M
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
товар відсутній
IMB12-04BPSVU2SSICKIMB12-04BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3807.6 грн
IMB12-08NDSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-08NDSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB12-08NDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 34mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-08NDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 34mm
товар відсутній
IMB12-08NDSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4679.17 грн
10+ 3794.53 грн
IMB12-08NDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 50mm
товар відсутній
IMB12-08NDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 50mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-08NNPVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 45mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-08NNPVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 45mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB12-08NNPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB12-08NNPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-08NNPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-08NNSVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 45mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-08NNSVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 45mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB12-08NNSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-08NNSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4073.07 грн
IMB12-08NNSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3394.23 грн
IMB12-08NNSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 34mm
товар відсутній
IMB12-08NNSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-08NNSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 34mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-08NNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M
товар відсутній
IMB12-08NNSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 50mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB12-08NNSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M12
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Overall length: 50mm
товар відсутній
IMB12-08NPOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 2kHz
товар відсутній
IMB12-08NPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-08NPPVC0KSICKIMB12-08NPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB12-08NPPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товар відсутній
IMB12-08NPPVC0SSICKIMB12-08NPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB12-08NPPVC0SSICKDescription: SICK - IMB12-08NPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 8mm, PNP, M12, Steckverbinder, 10 bis 30V DC
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10VDC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30VDC
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3413.39 грн
5+ 3344.83 грн
IMB12-08NPSVC0KSICKIMB12-08NPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB12-08NPSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6246.72 грн
IMB12-08NPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M12
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 2kHz
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4153.81 грн
IMB12-08NPSVC0SSICKIMB12-08NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB12-08NPSVU2KSICK, Inc.Description: SEN PROX UNSHLD PNP NO 2M SHRT
товар відсутній
IMB12-08NPSVU2KSICKIMB12-08NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB12-08NPSVU2KSICKDescription: SICK - IMB12-08NPSVU2K - Näherungssensor, induktiv, 8mm, PNP, M12 x 1, 10 bis 30V DC, Produktreihe IMB
tariffCode: 85365019
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Gewindemaß - Metrisch: M12 x 1
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sensorausgang: PNP
DC-Versorgungsspannung, max.: 30V
usEccn: EAR99
Produktpalette: IMB Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2956.31 грн
IMB12-08NPSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Operating temperature: -40...100°C
Supply voltage: 10...30V DC
Kind of forehead: non-embedded
Switch housing: M12
Overall length: 50mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Connection: lead 2m
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...8mm
Type of sensor: inductive
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3347.04 грн
IMB12-08NPSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M12; IP68; 200mA
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Operating temperature: -40...100°C
Supply voltage: 10...30V DC
Kind of forehead: non-embedded
Switch housing: M12
Overall length: 50mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 2kHz
Connection: lead 2m
Output configuration: PNP / NO
Range: 0...8mm
Type of sensor: inductive
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4016.45 грн
IMB12-140FUJI
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB12A188SPTC8M01TRHAmphenolAmphenol
товар відсутній
IMB14ROHM
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB16T110
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB18-08BDSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB18-08BDSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: NO, 2-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
товар відсутній
IMB18-08BDSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB18-08BDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 40mm
товар відсутній
IMB18-08BDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 40mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB18-08BDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 50mm
товар відсутній
IMB18-08BDSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUC 8MM CYL 2M CBL
товар відсутній
IMB18-08BDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 50mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB18-08BNOVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товар відсутній
IMB18-08BNOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: NPN-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 1kHz
товар відсутній
IMB18-08BNOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товар відсутній
IMB18-08BNOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M
товар відсутній
IMB18-08BNPVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товар відсутній
IMB18-08BNPVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 45mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB18-08BNPVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 45mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB18-08BNPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB18-08BNPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO + NC
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB18-08BNPVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товар відсутній
IMB18-08BNSVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 45mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB18-08BNSVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 45mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB18-08BNSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3706.81 грн
IMB18-08BNSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 65mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4448.18 грн
IMB18-08BNSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 40mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB18-08BNSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 40mm
товар відсутній
IMB18-08BNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M
товар відсутній
IMB18-08BNSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 50mm
товар відсутній
IMB18-08BNSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO; 0÷8mm; 10÷30VDC; M18; IP68; 200mA
Type of sensor: inductive
Output configuration: NPN / NO
Range: 0...8mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 50mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB18-08BPOVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товар відсутній
IMB18-08BPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 1kHz
товар відсутній
IMB18-08BPOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYL 2M
товар відсутній
IMB18-08BPPVC0KSICKIMB18-08BPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB18-08BPPVC0SSICKIMB18-08BPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB18-08BPPVC0SSICKDescription: SICK - IMB18-08BPPVC0S - Induktiver Näherungssensor, Baureihe IMB, 8mm, PNP, M18, Steckverbinder, 10 bis 30V DC
tariffCode: 90318080
Erfassungsreichweite, max.: 8mm
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 10VDC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Versorgungsspannung, max.: 30VDC
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товар відсутній
IMB18-08BPSVC0KSICKIMB18-08BPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB18-08BPSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4679.17 грн
10+ 3794.53 грн
IMB18-08BPSVC0SSICKIMB18-08BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB18-08BPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6445.77 грн
IMB18-08BPSVU2KSICKIMB18-08BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4169.06 грн
IMB18-08BPSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
товар відсутній
IMB18-08BPSVU2SSICKIMB18-08BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB18-08BPSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 8MM IP69K CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4679.17 грн
10+ 3794.53 грн
IMB18-12NDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷12mm; 10÷30VDC; M18; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...12mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 40mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB18-12NDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷12mm; 10÷30VDC; M18; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...12mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 40mm
товар відсутній
IMB18-12NDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷12mm; 10÷30VDC; M18; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...12mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 50mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB18-12NDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷12mm; 10÷30VDC; M18; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...12mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M18
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 1kHz
Overall length: 50mm
товар відсутній
IMB18-12NNOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
товар відсутній
IMB18-12NNOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M
товар відсутній
IMB18-12NNPVC0KSICKIMB18-12NNPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB18-12NNPVC0SSICKIMB18-12NNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB18-12NNSVC0KSICKIMB18-12NNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB18-12NNSVC0SSICKIMB18-12NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4158.38 грн
IMB18-12NNSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 12MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.472" (12mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6784.87 грн
IMB18-12NNSVU2KSICKIMB18-12NNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB18-12NNSVU2SSICKIMB18-12NNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB18-12NNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M
товар відсутній
IMB18-12NPOVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
товар відсутній
IMB18-12NPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
товар відсутній
IMB18-12NPOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M
товар відсутній
IMB18-12NPPVC0KSICKIMB18-12NPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB18-12NPPVC0SSICKIMB18-12NPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB18-12NPSVC0KSICKIMB18-12NPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4158.38 грн
IMB18-12NPSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 12MM CYL
товар відсутній
IMB18-12NPSVC0SSICKIMB18-12NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB18-12NPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 12MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.472" (12mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 1kHz
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4679.17 грн
IMB18-12NPSVU2KSICKIMB18-12NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB18-12NPSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 12MM CYL 2M
товар відсутній
IMB18-12NPSVU2SSICKIMB18-12NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+4158.38 грн
IMB1805C5Crouzet SwitchesDescription: M18 ANALOG PROXIMITY M12
товар відсутній
IMB1805C5Crouzet SwitchesProximity Sensors M18 ANALOG PROXIMTY M12 QC0NN
товар відсутній
IMB1805TCROUZETDescription: CROUZET - IMB1805T - INDUCTIVE PROXIMITY DETECTOR, 5MM, 12V TO 24V
tariffCode: 85339000
Erfassungsreichweite, max.: 5mm
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Gewindemaß - Metrisch: M18
euEccn: NLR
DC-Versorgungsspannung, min.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
Sensorausgang: Voltage
DC-Versorgungsspannung, max.: 24V
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9985.1 грн
IMB1805TCrouzetProximity Sensors M18 ANALOG PROXIMITY 2 M
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IMB1805TCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 5MM CYLIND
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IMB1AROHM09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB1AROHMSOT-163
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB1AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
товар відсутній
IMB1AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
товар відсутній
IMB1AT110ROHM96+/00
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB1T110SOT163-B1ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB204AxiomtekSingle Board Computers LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Core i7/ i5/ i3/Celeron Intel B75 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE LPT 6 COM VGA/DVI-D HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 1 PCIex1 4 PCI w/driver CD
товар відсутній
IMB204VGGAAxiomtekSingle Board Computers ATX IND MOTHERBOARD LGA1155 SOCKET B75
товар відсутній
IMB206DGGAAxiomtekSingle Board Computers LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Core i7/ i5/ i3 Intel Q67 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IMB206DGGA-RC LGA1155 SocketAxiomtekAxiomtek LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Core i7/ i5/ i3 Intel Q67 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI
товар відсутній
IMB207DGGAAxiomtekSingle Board Computers ATX IND MOTHERBOARD LGA1155 SOCKET Q77
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IMB207DGGA LGA1155 socketAxiomtekAxiomtek LGA1155 Socket Intel Core i7/ i5/ i3/ Celeron Intel Q77 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HD Audio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI
товар відсутній
IMB208DGGAAxiomtekSingle Board Computers ATX IND MOTHERBOARD LGA1155 SOCKET C216
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IMB208DGGA LGA1155 socketAxiomtekAxiomtek LGA1155 Socket 3rd/2nd Intel Xeon / Core i7/ i5/ i3 Intel C216 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE RAID TPM CFast 4 COM 2 DisplayPort/DVI-I HDAudio 1 PCIex16 1 PCIex4 2 PCIex1 3 PCI
товар відсутній
IMB210VGGAAxiomtekSingle Board Computers LGA1150 Socket 4th Intel Xeon / Core i7/ i5/ i3 Intel C226 PCH ECC DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE mSATA RAID TPM CFast 6 COM DisplayPort/DVI-I/HDMI HDAudio 1 PCIex16 (or 2 PCIex8) 1 PCIex4 1 PCIex1 3 PCI
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+36245.32 грн
5+ 35206.04 грн
10+ 30160.49 грн
25+ 29933.76 грн
IMB211VGGAAxiomtekSingle Board Computers LGA1150 Socket 4th Gen Intel Core i7/ i5/ i3/ Celeron Intel Q87 PCH DDR3 USB 3.0 SATA3 Dual GE mSATA 6 COM DisplayPort/VGA/HDMI HDAudio 1 PCIex16 1 PCIex4 1 PCIex1 4 PCI
товар відсутній
IMB226515CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NO 2M CB
товар відсутній
IMB226515CCrouzet SwitchesDescription: IPD SHLD 3W SPST 2.0MTR
товар відсутній
IMB226515M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NO M12 CNCTR
товар відсутній
IMB226515M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB226515M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB226515M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NOM8 CNCTR
товар відсутній
IMB22651CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NO 2M CBL
товар відсутній
IMB22651CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB22651M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB22651M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NOM12 CNCTR
товар відсутній
IMB22651M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NOM8 CNCTR
товар відсутній
IMB22651M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB22652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NO 2M CBL
товар відсутній
IMB22652CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB22652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB22652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NO M12 CNCTR
товар відсутній
IMB22652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NO M8 CNCTR
товар відсутній
IMB22652M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB22653CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB22653CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NO 2M CBL
товар відсутній
IMB22653M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB22653M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NO M12 CNCTR
товар відсутній
IMB22653M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB22653M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NO M8 CNCTR
товар відсутній
IMB236515CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB236515CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NC 2M CB
товар відсутній
IMB236515M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB236515M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR
товар відсутній
IMB236515M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB236515M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
товар відсутній
IMB23651CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB23651CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NC 2M CBL
товар відсутній
IMB23651M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB23651M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR
товар відсутній
IMB23651M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
товар відсутній
IMB23651M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB23652CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB23652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NC 2M CBL
товар відсутній
IMB23652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB23652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR
товар відсутній
IMB23652M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB23652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
товар відсутній
IMB23653CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB23653CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NC 2M CBL
товар відсутній
IMB23653M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NC M12 CNCTR
товар відсутній
IMB23653M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB23653M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB23653M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
товар відсутній
IMB25652CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB25652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NO 2M C
товар відсутній
IMB25652M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB25652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NO M12 CNCT
товар відсутній
IMB25652M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB25652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NO M8 CNCTR
товар відсутній
IMB25654CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB25654CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NO 2M C
товар відсутній
IMB25654M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB25654M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NO M12 CNCT
товар відсутній
IMB25654M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB25654M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NO M8 CNCTR
товар відсутній
IMB25656CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB25656CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NO 2M C
товар відсутній
IMB25656M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB25656M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NO M12 CNCT
товар відсутній
IMB25656M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB25656M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NO M8 CNCTR
товар відсутній
IMB26652CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB26652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NC 2M C
товар відсутній
IMB26652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB26652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NC M12 CNCT
товар відсутній
IMB26652M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB26652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
товар відсутній
IMB26654CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB26654CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NC 2M C
товар відсутній
IMB26654M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB26654M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NC M12 CNCT
товар відсутній
IMB26654M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB26654M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
товар відсутній
IMB26656CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB26656CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NC 2M C
товар відсутній
IMB26656M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB26656M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NC M12 CNCT
товар відсутній
IMB26656M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB26656M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W NPN NC M8 CNCTR
товар відсутній
IMB2AROHMSOT-163
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB2AROHM09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB2AT110ROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC74; SOT457
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній
IMB2AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
товар відсутній
IMB2AT110ROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC74; SOT457
Current gain: 68
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
IMB2AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IMB2AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 30MA
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.67 грн
13+ 24.34 грн
100+ 14.39 грн
1000+ 8.15 грн
3000+ 6.7 грн
9000+ 6.05 грн
24000+ 5.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMB2AT110ROHM96+
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB3ROHM
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB30-15BDSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...15mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M30
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Overall length: 70.2mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB30-15BDSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...15mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M30
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Overall length: 70.2mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB30-15BDSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL
товар відсутній
IMB30-15BDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...15mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M30
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Overall length: 40.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB30-15BDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...15mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M30
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Overall length: 40.2mm
товар відсутній
IMB30-15BDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...15mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M30
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Overall length: 60.2mm
товар відсутній
IMB30-15BDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...15mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M30
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Overall length: 60.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB30-15BNOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL
товар відсутній
IMB30-15BNOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M
товар відсутній
IMB30-15BNPVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Operating temperature: -40...100°C
Supply voltage: 10...30V DC
Kind of forehead: embedded
Number of pins: 4
Switch housing: M30
Overall length: 50.2mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Connection: connector M12
Output configuration: NPN / NO + NC
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Range: 0...15mm
Type of sensor: inductive
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB30-15BNPVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Operating temperature: -40...100°C
Supply voltage: 10...30V DC
Kind of forehead: embedded
Number of pins: 4
Switch housing: M30
Overall length: 50.2mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Connection: connector M12
Output configuration: NPN / NO + NC
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Range: 0...15mm
Type of sensor: inductive
товар відсутній
IMB30-15BNPVC0SSICKIMB30-15BNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB30-15BNSVC0KSICKIMB30-15BNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB30-15BNSVC0SSICKIMB30-15BNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+5235.35 грн
IMB30-15BNSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 15MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: NPN-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 500Hz
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7071.36 грн
IMB30-15BNSVU2KSICKIMB30-15BNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB30-15BNSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M
товар відсутній
IMB30-15BNSVU2SSICKIMB30-15BNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB30-15BPOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
товар відсутній
IMB30-15BPOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NC, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
Part Status: Active
товар відсутній
IMB30-15BPPVC0KSICKIMB30-15BPPVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB30-15BPPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Operating temperature: -40...100°C
Supply voltage: 10...30V DC
Kind of forehead: embedded
Number of pins: 4
Switch housing: M30
Overall length: 70.2mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Connection: connector M12
Output configuration: PNP / NO + NC
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Range: 0...15mm
Type of sensor: inductive
товар відсутній
IMB30-15BPPVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Operating temperature: -40...100°C
Supply voltage: 10...30V DC
Kind of forehead: embedded
Number of pins: 4
Switch housing: M30
Overall length: 70.2mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Connection: connector M12
Output configuration: PNP / NO + NC
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Range: 0...15mm
Type of sensor: inductive
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB30-15BPPVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M
товар відсутній
IMB30-15BPPVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Operating temperature: -40...100°C
Supply voltage: 10...30V DC
Kind of forehead: embedded
Switch housing: M30
Overall length: 60.2mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Connection: lead 2m
Output configuration: PNP / NO + NC
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Range: 0...15mm
Type of sensor: inductive
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB30-15BPPVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷15mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Operating temperature: -40...100°C
Supply voltage: 10...30V DC
Kind of forehead: embedded
Switch housing: M30
Overall length: 60.2mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Connection: lead 2m
Output configuration: PNP / NO + NC
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Range: 0...15mm
Type of sensor: inductive
товар відсутній
IMB30-15BPSVC0KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 15MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 500Hz
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7657.86 грн
10+ 6145.01 грн
IMB30-15BPSVC0KSICKIMB30-15BPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB30-15BPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCT 15MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Unshielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Termination Style: Connector
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Stainless Steel
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP69K
Indicator: LED
Response Frequency: 500Hz
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7657.86 грн
10+ 6145.01 грн
25+ 5940.16 грн
IMB30-15BPSVC0SSICKIMB30-15BPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB30-15BPSVU2KSICKIMB30-15BPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB30-15BPSVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
товар відсутній
IMB30-15BPSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 15MM CYL 2M
товар відсутній
IMB30-15BPSVU2SSICKIMB30-15BPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB30-20NDSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...20mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M30
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Overall length: 70.2mm
Number of pins: 4
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB30-20NDSVC0SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...20mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M30
Connection: connector M12
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Overall length: 70.2mm
Number of pins: 4
товар відсутній
IMB30-20NDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...20mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M30
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Overall length: 40.2mm
товар відсутній
IMB30-20NDSVU2KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...20mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M30
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Overall length: 40.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB30-20NDSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 20MM CYL 2M
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M30
Output Type: NO, 2-Wire
Sensing Distance: 0.787" (20mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA)
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Plastic
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP68, IP69K
Indicator: No Indicator
Response Frequency: 500Hz
Part Status: Active
товар відсутній
IMB30-20NDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...20mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M30
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Overall length: 60.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB30-20NDSVU2SSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: 2-wire NO; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Type of sensor: inductive
Output configuration: 2-wire NO
Range: 0...20mm
Supply voltage: 10...30V DC
Switch housing: M30
Connection: lead 2m
IP rating: IP68
Max. operating current: 0.2A
Operating temperature: -40...100°C
Kind of forehead: non-embedded
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Overall length: 60.2mm
товар відсутній
IMB30-20NNOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL
товар відсутній
IMB30-20NNPVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Operating temperature: -40...100°C
Supply voltage: 10...30V DC
Kind of forehead: non-embedded
Number of pins: 4
Switch housing: M30
Overall length: 50.2mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Connection: connector M12
Output configuration: NPN / NO + NC
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Range: 0...20mm
Type of sensor: inductive
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB30-20NNPVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: NPN / NO + NC; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Operating temperature: -40...100°C
Supply voltage: 10...30V DC
Kind of forehead: non-embedded
Number of pins: 4
Switch housing: M30
Overall length: 50.2mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Connection: connector M12
Output configuration: NPN / NO + NC
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Range: 0...20mm
Type of sensor: inductive
товар відсутній
IMB30-20NNPVC0SSICKIMB30-20NNPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB30-20NNSVC0KSICKIMB30-20NNSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB30-20NNSVC0SSICKIMB30-20NNSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+5235.35 грн
IMB30-20NNSVU2KSICKIMB30-20NNSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB30-20NNSVU2SSICKIMB30-20NNSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB30-20NPOVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL
товар відсутній
IMB30-20NPOVU2KSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL
товар відсутній
IMB30-20NPOVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 20MM CYL 2M
товар відсутній
IMB30-20NPPVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Operating temperature: -40...100°C
Supply voltage: 10...30V DC
Kind of forehead: non-embedded
Number of pins: 4
Switch housing: M30
Overall length: 50.2mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Connection: connector M12
Output configuration: PNP / NO + NC
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Range: 0...20mm
Type of sensor: inductive
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IMB30-20NPPVC0KSICKCategory: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO + NC; 0÷20mm; 10÷30VDC; M30; IP68
Operating temperature: -40...100°C
Supply voltage: 10...30V DC
Kind of forehead: non-embedded
Number of pins: 4
Switch housing: M30
Overall length: 50.2mm
Body material: stainless steel
Switching frequency max: 500Hz
Connection: connector M12
Output configuration: PNP / NO + NC
Max. operating current: 0.2A
IP rating: IP68
Range: 0...20mm
Type of sensor: inductive
товар відсутній
IMB30-20NPPVC0SSICKIMB30-20NPPVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB30-20NPSVC0KSICKIMB30-20NPSVC0K DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+5222.21 грн
IMB30-20NPSVC0SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 20MM CYL
товар відсутній
IMB30-20NPSVC0SSICKIMB30-20NPSVC0S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+5235.35 грн
IMB30-20NPSVU2KSICKIMB30-20NPSVU2K DC Cylindrical Inductive Sensors
товар відсутній
IMB30-20NPSVU2SSICKIMB30-20NPSVU2S DC Cylindrical Inductive Sensors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+5222.21 грн
IMB30-20NPSVU2SSICK, Inc.Description: SENSOR PROX INDUCTIV 20MM CYL 2M
товар відсутній
IMB3180-08-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
товар відсутній
IMB3180-10-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
товар відсутній
IMB3180-12-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
товар відсутній
IMB3180-14-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
товар відсутній
IMB3180-18-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
товар відсутній
IMB3180-22-FB-B-0-4.AmphenolCircular MIL Spec Connector
товар відсутній
IMB3181-08-SD-G-06_3Amphenol84003814
товар відсутній
IMB3181-14-A-V1Amphenol PcdCircular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories 26482 D/C RECP SZ 14 BLK ANOD
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IMB3181-14-A-V1Amphenol PCDDescription: CONN BACKSHELL
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IMB3181-14-SD-G-06-3AmphenolIMB3181-14-SD-G-06-3
товар відсутній
IMB31T1101IMB98+ SOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB326515CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NO 2M CB
товар відсутній
IMB326515CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB326515M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR
товар відсутній
IMB326515M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB326515M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.591" (15mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB326515M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
товар відсутній
IMB32651CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NO 2M CBL
товар відсутній
IMB32651CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB32651M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR
товар відсутній
IMB32651M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB32651M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
товар відсутній
IMB32651M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 1MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB32652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NO 2M CBL
товар відсутній
IMB32652CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB32652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB32652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR
товар відсутній
IMB32652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
товар відсутній
IMB32652M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB32653CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB32653CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NO 2M CBL
товар відсутній
IMB32653M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NO M12 CNCTR
товар відсутній
IMB32653M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB32653M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
товар відсутній
IMB32653M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB336515CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB336515CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NC 2M CB
товар відсутній
IMB336515M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR
товар відсутній
IMB336515M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB336515M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1.5MM SHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB336515M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1.5MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
товар відсутній
IMB33651CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NC 2M CBL
товар відсутній
IMB33651CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB33651M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR
товар відсутній
IMB33651M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB33651M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 1MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
товар відсутній
IMB33651M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-1MM SHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB33652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NC 2M CBL
товар відсутній
IMB33652CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB33652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB33652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR
товар відсутній
IMB33652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
товар відсутній
IMB33652M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM SHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB33653CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NC 2M CBL
товар відсутній
IMB33653CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB33653M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NC M12 CNCTR
товар відсутній
IMB33653M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB33653M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 3MM SHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
товар відсутній
IMB33653M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB35652CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB35652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NO 2M C
товар відсутній
IMB35652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NO M12 CNCT
товар відсутній
IMB35652M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB35652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
товар відсутній
IMB35652M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.079" (2mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB35654CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NO 2M C
товар відсутній
IMB35654CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB35654M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NO M12 CNCT
товар відсутній
IMB35654M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB35654M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.157" (4mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB35654M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
товар відсутній
IMB35656CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NO 2M C
товар відсутній
IMB35656CCrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM 2M
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Cable Leads
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB35656M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NO M12 CNCT
товар відсутній
IMB35656M12CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB35656M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NO M8 CNCTR
товар відсутній
IMB35656M8CrouzetDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 6MM
Packaging: Box
Sensing Distance: 0.236" (6mm)
Termination Style: Connector
Sensor Type: Inductive
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IMB36652CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NC 2M C
товар відсутній
IMB36652CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB36652M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB36652M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NC M12 CNCT
товар відсутній
IMB36652M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 2MM NONSHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
товар відсутній
IMB36652M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB36654CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NC 2M C
товар відсутній
IMB36654CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB36654M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NC M12 CNCT
товар відсутній
IMB36654M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB36654M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 4MM NONSHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
товар відсутній
IMB36654M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB36656CCrouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M
товар відсутній
IMB36656CCrouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NC 2M C
товар відсутній
IMB36656M12Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NC M12 CNCT
товар відсутній
IMB36656M12Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12
товар відсутній
IMB36656M8Crouzet SwitchesDescription: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8
товар відсутній
IMB36656M8Crouzet SwitchesProximity Sensors IPD 6.5 6MM NONSHLD 3W PNP NC M8 CNCTR
товар відсутній
IMB3AROHM3 sot-23-6
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB3A T110ROHMSOT163-B3
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB3A T110 SOT163-B3ROHM
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB3A T110 SOT163-B3ROHM
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB3AT110ROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC74; SOT457
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
IMB3AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.73 грн
13+ 21.7 грн
100+ 14.79 грн
500+ 10.41 грн
1000+ 7.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
IMB3AT110ROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SC74,SOT457
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC74; SOT457
Current gain: 100...600
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
товар відсутній
IMB3AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.58 грн
11+ 27.66 грн
100+ 16.36 грн
500+ 12.29 грн
1000+ 9.2 грн
3000+ 7.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
IMB3AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
товар відсутній
IMB3T110
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB3T110SOT163-B3ROHM
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB4ROHM
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB4ASOT26/SOT363
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB4AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
товар відсутній
IMB4AT110
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB4AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 100MA
товар відсутній
IMB4AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
товар відсутній
IMB4AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
товар відсутній
IMB500VHGGAAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel Q170 PCH DDR4 USB 3.0 5 SATA 3.0 mSATA Dual GEs RAID 6 COM VGA/DisplayPort/HDMI HDAudio 1 PCIex16 2 PCIex4 4 PCI 1 Mini-Card
товар відсутній
IMB501VHGGAAxiomtekSingle Board Computers IMB501VHGGA
товар відсутній
IMB501VHGGA BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel H110 PCH DDR4 USB 3.0 3 SATA 3.0 mSATA Dual GEs 6 COM VGA/DisplayPort/HDMI HDAudio 1 PCIex16 2 PCIex4 (x1 Signal) 4 PCI 1 Mini-Card
товар відсутній
IMB502VHGGAAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel Q170 PCH DDR4 USB 3.0 5 SATA 3.0 Dual GEs RAID 6 COM VGA/DVI-D/HDMI HDAudio 1 PCIex16 3 PCIex4 4 PCI
товар відсутній
IMB502VHGGA BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 6th/7th Gen Intel Core Processor Intel Q170 PCH DDR4 USB 3.0 5 SATA 3.0 Dual GEs RAID 6 COM VGA/DVI-D/HDMI HDAudio 1 PCIex16 3 PCIex4 4 PCI
товар відсутній
IMB520RVDHGGA-Q370 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товар відсутній
IMB520RVDHGGA-Q370 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товар відсутній
IMB520VDHGGA-Q370 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товар відсутній
IMB520VDHGGA-Q370 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товар відсутній
IMB521RVDHGGA-C246 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товар відсутній
IMB521RVDHGGA-C246 GIFT BOXAxiomtekAxiomtek LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товар відсутній
IMB521VDHGGA-C246 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товар відсутній
IMB521VDHGGA-C246 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 4 PCIex4/ 1 PCIex1/ 1 PCI
товар відсутній
IMB523RVDHGGA-Q370 BULKAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
товар відсутній
IMB523RVDHGGA-Q370 GIFT BOXAxiomtekAxiomtek LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
товар відсутній
IMB523VDHGGA-Q370 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
товар відсутній
IMB523VDHGGA-Q370 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel Q370 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
товар відсутній
IMB524RVDHGGA-H310 BULKAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI
товар відсутній
IMB524RVDHGGA-H310 GIFT BOXAxiomtekAxiomtek LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI
товар відсутній
IMB524VDHGGA-H310 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI
товар відсутній
IMB524VDHGGA-H310 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel H310 PCH /DDR4 USB 3.1(Gen1)/ SATAIII/ Dual GEs/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex1/ 4 PCI
товар відсутній
IMB525RVDHGGA-C246 BULKAxiomtekSingle Board Computers
товар відсутній
IMB525RVDHGGA-C246 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 9th/8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 (ECC) USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+36252.22 грн
IMB525VDHGGA-C246 BULK PACKINGAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 (ECC) USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
товар відсутній
IMB525VDHGGA-C246 GIFT BOXAxiomtekSingle Board Computers LGA1151 socket 8th Gen Intel Core Processor Intel C246 PCH /DDR4 (ECC) USB 3.1(Gen2)/ SATAIII/ Dual GEs/ RAID/ COM PORT/ HDAudio VGA/DVI-D/HDMI/DP 1 PCIex16/ 2 PCIex4/ 4 PCI
товар відсутній
IMB541-Q670E-SPAxiomtekAxiomtek IMB541-Q670E-SP
товар відсутній
IMB5AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/PNP
товар відсутній
IMB5AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SMT6
товар відсутній
IMB6ROHM
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB6/B6ROHM
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB6T108
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB7ROHM09+
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB7/B7ROHM97+ SOT-153
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB700-S ATX LGA4189 Ice lake SP singleAxiomtekSingle Board Computers IMB700-S ATX LGA4189 Ice lake SP single
товар відсутній
IMB700_CL_LGA4189_4U_JACMM10ATPTCAxiomtekAxiomtek IMB700_CL_LGA4189_4U_JACMM10ATPTC
товар відсутній
IMB760-C621A-IP SPAxiomtekAxiomtek IMB760-C621A-IP SP
товар відсутній
IMB760-C627A-IPMI SPAxiomtekModules Accessories IMB760-C627A-IPMI SP
товар відсутній
IMB7AROHM08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB7AT108ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP/PNP
товар відсутній
IMB7AT108Rohm SemiconductorDescription: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-457
товар відсутній
IMB7T108
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB7T109
на замовлення 696000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB7Z462ApemPushbutton Switches IP67 Sealed Pushbutton Switch
товар відсутній
IMB8ROHMSOT-163
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB8AT108
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB8T108
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB9948CA
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMB9AT110ROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased DUAL PNP 50V 70MA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IMB9AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.86 грн
12+ 23.34 грн
100+ 15.9 грн
500+ 11.19 грн
1000+ 8.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMB9AT110Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMT6
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.51 грн
6000+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IMB9T110
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBA-8650GR-R22IEI Technology CorporationATX MOTHERBOARD, PENTIUM 4 PROCESSOR 533/800MHZ FSB WITH VGA, LCD, SATA, EIGHT USB 2.0 , SIX COM AND AUDIO
товар відсутній
IMBA-9454G-R40IEI Technology CorporationSBC, Intel CPU 4GB DDR2 1000Mbps
товар відсутній
IMBA-9454G-R40IEISingle Board Computers
товар відсутній
IMBA-9654-R10IEI Technology CorporationATX FORM FACTOR MOTHER BOARD SUPPORTS LGA775 CORE2 DUO CORE2 QUAD, PENTIUM D, PROCESSOR AT FSB1066/800/533 FSB
товар відсутній
IMBA-ADL-Q670-R10IEI Technology CorporationATX motherboard supports LGA1700 Intel 12th/13th Generation Core i9/i7/i5/i3, Pentium and Celeron processor, DDR4, Triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, iAUDIO and RoHS
товар відсутній
IMBA-BDE-D1518-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm Intel Xeon D-1518, DDR4, VGA, Dual Intel GbE/ Dual 10GbE, Four USB 3.0, Six SATA 6Gb/s, M.2, HD Audio and RoHS
товар відсутній
IMBA-BDE-D1548-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm Intel Xeon D-1548, DDR4, VGA, Dual Intel GbE/ Dual 10GbE, Four USB 3.0, Six SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товар відсутній
IMBA-C2260-i2-R11IEISingle Board Computers ATX motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Xeon E3, Core i3, Pentium and Celeron per Intel C226, DDR3, VGA, Dual Intel PCIe GbE, Four USB 3.0, Six SATA 6Gb/s, HD Audio, iRIS-2400 and RoHS
товар відсутній
IMBA-C2360-i2-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Xeon E3 v5,Core i3, Pentium , Celeron per Intel C236, DDR4, triple Independent displays VGA/DVI-D/ HDMI 2.0,Dual Intel GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, IPMI2.0 and RoHS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IMBA-C604EP-R10IEISingle Board Computers 120W DC/DC 9~36V input 12V/5V/3.3V/-12V/5VSB output,RoHS
товар відсутній
IMBA-G410-R20IEISingle Board Computers
товар відсутній
IMBA-H110-ECO-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron Pemtium processor,DDR4,Dual Independent Displays DVI-I/HDMI/iDP, Dual Intel GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s,HD Audio,ECO Packing, RoHS
товар відсутній
IMBA-H110-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron and Pemtium processor , DDR4, Dual Independent Displays DVI-I/HDMI/iDP, Dual Intel GbE LAN, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+24023.74 грн
10+ 23369.17 грн
IMBA-H112-ECO-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th/7th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Dual Independent Displays VGA and HDMI, Dual Intel GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS
товар відсутній
IMBA-H112-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 6th/7th Generation Intel Core i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, Dual Independent Displays VGA and HDMI, Dual Intel GbE LAN, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товар відсутній
IMBA-H420-R10iEi TechnologyDescription: ATX MOTHERBOARD SUPPORTS 14NM LG
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm)
Speed: 2.9GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron
Cooling Type: Fan
Form Factor: ATX
Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCI, PCIe, SMBus, SPI
Video Outputs: DP++, HDMI, VGA
Ethernet: GbE, RJ45
USB: USB 2.0 (2), USB 3.1 (4)
RS-232 (422, 485): 6
Digital I/O Lines: 8
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: SATA 3.0 (4)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 64GB/0GB
Part Status: Active
товар відсутній
IMBA-H610-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel H61,DDR3,VGA/DVI-D,Dual Realtek PCIe GbE,USB 2.0,SATA 3Gb/s,HD Audio and RoHS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IMBA-H810-ECO-R10IEISingle Board Computers LGA1150 4th generation Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU with Intel H81, DDR3, VGA/DVI-D/ iDP, Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS
товар відсутній
IMBA-H810-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports 22nm LGA 1150 Intel 4th generation Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron H81, DDR3, VGA/DVI-D/iDP, Dual Intel PCIe GbE , USB3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+19775.33 грн
10+ 19235.86 грн
20+ 16526.39 грн
IMBA-Q170-ECO-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Core Intel Q170, DDR4, Three Independent Displays VGA/ DVI-D / HDMI 2.0/ Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, ECO packing and RoHS
товар відсутній
IMBA-Q170-i2-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 14nm LGA1151 Intel Core Intel Q170, DDR4, Three Independent Displays VGA/ DVI-D / HDMI 2.0/ Dual Intel PCIe GbE, USB 3.0, SATA 6Gb/s, HD Audio, IPMI2.0 and RoHS
товар відсутній
IMBA-Q370-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports 14nm LGA1151 Intel 8th/9th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, dual GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 101-110 дні (днів)
1+28052.88 грн
5+ 27320.34 грн
IMBA-Q470-R10iEi TechnologyDescription: SBC 2.9GHZ 4 CORE 128GB/0GB RAM
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm)
Speed: 2.9GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron
Cooling Type: Fan
Form Factor: ATX
Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCI, PCIe, SMBus, SPI
Video Outputs: DP++, HDMI, VGA
Ethernet: GbE, RJ45
USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (4)
RS-232 (422, 485): 6
Digital I/O Lines: 8
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: SATA 3.0 (4)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 128GB/0GB
Part Status: Active
товар відсутній
IMBA-Q470-R10IEI Technology CorporationATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, dual 2.5GbE LAN, M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товар відсутній
IMBA-Q471-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th/11th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, triple 2.5GbE LAN, pure PCIe slots,M.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+28052.88 грн
5+ 27320.34 грн
IMBA-Q471-R10iEi TechnologyDescription: SBC 2.9GHZ 4 CORE 128GB/0GB RAM
Packaging: Retail Package
Size / Dimension: 12.008" x 0.079" (305.00mm x 2.00mm)
Speed: 2.9GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Core Processor: Intel 10th/11th GenCore i9/i7/i5/i3/Pentium/Celeron
Cooling Type: Fan
Form Factor: ATX
Expansion Site/Bus: I²C, LPC, PCIe, SMBus, SPI
Video Outputs: DP, HDMI, VGA
Ethernet: GbE, RJ45
USB: USB 2.0 (2), USB 3.2 (4)
RS-232 (422, 485): 4
Digital I/O Lines: 12
Watchdog Timer: Yes
Storage Interface: SATA 3.0 (4)
Number of Cores: 4
RAM Capacity/Installed: 128GB/0GB
Part Status: Active
товар відсутній
IMBA-Q471-R10IEI Technology CorporationATX motherboard supports LGA1200 Intel 10th/11th Generation Core i9/i7/i5/i3, Celeron and Pentium processor, DDR4, triple independent displays, triple 2.5GbE LAN, pure PCIe slotsM.2, USB 3.2, SATA 6Gb/s, HD Audio and RoHS
товар відсутній
IMBA-Q670-R30IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 32nm LGA1155 Intel Core i7/i5/i3 CPU per Intel Q67,DDR3,VGA/DVI/HDMI,Dual Intel PCIe GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s,HD Audio,RoHS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IMBA-Q770-R10IEISingle Board Computers F260 3.75G module kit for embedded system, with BT V2.1, 2 x RF cable, 1 x Antenna, RoHs, For IEI ATO only
товар відсутній
IMBA-Q870-ECO-R10IEISingle Board Computers LGA1150 Intel Core i7/i5/i3, Pentium and Celeron CPU per Intel Q87, DDR3, Triple Independent Display VGA/DVI-D/HDMI/iDP, USB 3.0, SATA 6Gb/s, ECO packing and RoHS
товар відсутній
IMBA-Q870-i2-R10IEISingle Board Computers ATX Motherboard supports 22nm LGA1150 Intel Core i7/i5/i3/Pentium and Celeron CPU per Intel Q87,DDR3,Three Independent Displays VGA/DVI-D/HDMI/iDP,Dual Intel GbE,USB 3.0,SATA 6Gb/s, Audio, iRIS-2400 and RoHS
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+28522.11 грн
5+ 27777.58 грн
IMBA-R680-R10IEISingle Board Computers ATX motherboard supports LGA1700 Intel 12th/13th Generation Core i9/i7/i5/i3
товар відсутній
IMBA-X9654-R10IEI Technology CorporationATX FORM FACTOR WITH CORE2 QUAD CPU FSB 533/800/1066 MHZ, VGA, DUAL-CHANNEL DDR2
товар відсутній
IMBC327-25
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBD4148 E9GSSOT23-A2
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBD4148 E9 SOT23-A2GS
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBD4148-E3-08VISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
130+2.89 грн
190+ 1.81 грн
500+ 1.6 грн
605+ 1.32 грн
1660+ 1.24 грн
Мінімальне замовлення: 130
IMBD4148-E3-08VISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+3.47 грн
115+ 2.26 грн
500+ 1.92 грн
605+ 1.58 грн
1660+ 1.49 грн
Мінімальне замовлення: 80
IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
IMBD4148-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
на замовлення 103603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.8 грн
31+ 9.04 грн
100+ 4.87 грн
500+ 3.59 грн
1000+ 2.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
IMBD4148-E3-08Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V Io/150mA
на замовлення 254726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+14.26 грн
31+ 9.98 грн
100+ 3.81 грн
1000+ 2.63 грн
2500+ 1.77 грн
15000+ 1.58 грн
45000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 22
IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
IMBD4148-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+12.86 грн
61+ 9.46 грн
62+ 9.37 грн
137+ 4.07 грн
264+ 1.96 грн
Мінімальне замовлення: 45
IMBD4148-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.28 грн
6000+ 2.08 грн
9000+ 1.77 грн
30000+ 1.54 грн
75000+ 1.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IMBD4148-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товар відсутній
IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
IMBD4148-E3-18Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+13.57 грн
32+ 9.67 грн
100+ 3.81 грн
1000+ 2.17 грн
2500+ 2.1 грн
10000+ 1.71 грн
20000+ 1.58 грн
Мінімальне замовлення: 23
IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
IMBD4148-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+8.66 грн
83+ 7.02 грн
84+ 6.88 грн
140+ 3.98 грн
250+ 3.66 грн
500+ 3.11 грн
1000+ 1.87 грн
Мінімальне замовлення: 67
IMBD4148-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+12.8 грн
31+ 9.04 грн
100+ 4.87 грн
500+ 3.59 грн
1000+ 2.49 грн
2000+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 23
IMBD4148-EP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBD4148-G3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товар відсутній
IMBD4148-G3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
IMBD4148-G3-08Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns
на замовлення 14865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+15.72 грн
29+ 10.58 грн
100+ 4.53 грн
1000+ 2.63 грн
3000+ 2.17 грн
9000+ 1.91 грн
15000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
IMBD4148-G3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
IMBD4148-G3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
IMBD4148-G3-18Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns
товар відсутній
IMBD4148-G3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товар відсутній
IMBD4148-GS08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
IMBD4148-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+13.51 грн
29+ 9.45 грн
100+ 5.11 грн
500+ 3.77 грн
1000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 22
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+2.08 грн
417+ 1.38 грн
422+ 1.37 грн
450+ 1.24 грн
482+ 1.07 грн
517+ 0.96 грн
1000+ 0.88 грн
Мінімальне замовлення: 278
IMBD4148-HE3-08VISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8520 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
60+4.56 грн
100+ 3.95 грн
335+ 2.85 грн
920+ 2.7 грн
Мінімальне замовлення: 60
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
IMBD4148-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.4 грн
6000+ 2.18 грн
9000+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IMBD4148-HE3-08VISHAYCategory: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ir: 50uA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Capacitance: 4pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 8520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
100+3.8 грн
110+ 3.17 грн
335+ 2.38 грн
920+ 2.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
IMBD4148-HE3-08VishayDiode Small Signal Switching 100V 0.15A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
IMBD4148-HE3-08Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
на замовлення 11974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+12.8 грн
36+ 8.46 грн
100+ 3.61 грн
1000+ 2.5 грн
3000+ 2.1 грн
9000+ 1.84 грн
15000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 24
IMBD4148-HE3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
IMBD4148-HE3-18Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
на замовлення 5403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+15.72 грн
29+ 10.66 грн
100+ 4.99 грн
1000+ 2.76 грн
2500+ 2.23 грн
10000+ 1.51 грн
20000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
IMBD4148-HE3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IMBD4148-HE3-A-08VishayVishay SWITCHING DIODE SOT23
товар відсутній
IMBD4148-HE3-A-18VishayVishay SWITCHING DIODE SOT23
товар відсутній
IMBD4148-HE3_A-08VishayDescription: SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IMBD4148-HE3_A-08VishayDiodes - General Purpose, Power, Switching
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 188-197 дні (днів)
14+22.08 грн
20+ 15.34 грн
100+ 6.51 грн
1000+ 3.75 грн
2500+ 3.22 грн
10000+ 2.5 грн
15000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
IMBD4148-HE3_A-18VishayDescription: SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 70 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
IMBD4148-HE3_A-18Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching SWITCHING DIODE GENPURP SOT23
товар відсутній
IMBD4148-V-GS08VISHAYSOT23
на замовлення 157000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBD4148-V-GS08VISHAY09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBD4148-V-GS08VIS07+;
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBD4148E9
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBD4148NEDDIODES03+
на замовлення 15010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBD4148NEO(A2)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBD4148NEO/A2ITT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBD4448ITT
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBD4448-E3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching Si 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
IMBD4448-E3-08Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
товар відсутній
IMBD4448-E3-08Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
на замовлення 16190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+20.7 грн
22+ 14.06 грн
100+ 4.8 грн
1000+ 2.96 грн
3000+ 2.89 грн
9000+ 2.43 грн
15000+ 2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
IMBD4448-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товар відсутній
IMBD4448-E3-18Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.39 грн
22+ 14.36 грн
100+ 5.98 грн
1000+ 3.48 грн
2500+ 3.09 грн
10000+ 2.23 грн
50000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
IMBD4448-E3-18VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
IMBD4448-E3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товар відсутній
IMBD4448-G3-08Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
товар відсутній
IMBD4448-G3-08Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
товар відсутній
IMBD4448-G3-18Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
товар відсутній
IMBD4448-G3-18Vishay Semiconductor Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
товар відсутній
IMBD4448-HE3-08VishayRectifier Diode Small Signal Switching 100V 0.15A 4ns Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
IMBD4448-HE3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товар відсутній
IMBD4448-HE3-08Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
товар відсутній
IMBD4448-HE3-18Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 µA @ 70 V
товар відсутній
IMBD4448-HE3-18Vishay SemiconductorsDiodes - General Purpose, Power, Switching 750V 150mA 4ns 500mA IFSM
товар відсутній
IMBD4448-HE3_A-08VishayDiodes - General Purpose, Power, Switching
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 188-197 дні (днів)
14+22.08 грн
20+ 15.34 грн
100+ 6.51 грн
1000+ 3.75 грн
2500+ 3.22 грн
10000+ 2.5 грн
15000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
IMBD4448-V-GS08VISHAYSOT-23
на замовлення 16400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBF170R1K0M1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IMBF170R1K0M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.06 грн
10+ 397.37 грн
100+ 328.07 грн
500+ 263.56 грн
1000+ 202.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.45 грн
10+ 287.52 грн
100+ 232.57 грн
500+ 194.01 грн
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+493 грн
10+ 430.03 грн
25+ 328.6 грн
100+ 273.39 грн
250+ 256.3 грн
500+ 247.1 грн
1000+ 209.64 грн
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
товар відсутній
IMBF170R1K0M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R1K0M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 5.2 A, 1.7 kV, 0.809 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.809ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+397.37 грн
100+ 328.07 грн
500+ 263.56 грн
1000+ 202.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1000mOhm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 1000 V
товар відсутній
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5.2A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesCoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package | The 650V CoolMOS™ CFD7 superjunction MOSFET with integrated fast body diode in TO-247 package is the perfect choice for resonant high power topologies.
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+500.74 грн
28+ 423.55 грн
50+ 322.61 грн
200+ 292 грн
500+ 237.68 грн
1000+ 222.24 грн
Мінімальне замовлення: 24
IMBF170R450M1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IMBF170R450M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+553.66 грн
5+ 474.78 грн
10+ 395.89 грн
50+ 352.56 грн
100+ 311.53 грн
250+ 293.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+853.04 грн
19+ 632.35 грн
50+ 589.8 грн
100+ 504.8 грн
200+ 436.49 грн
500+ 408 грн
1000+ 391.88 грн
Мінімальне замовлення: 14
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.75 грн
10+ 341.53 грн
100+ 284.59 грн
500+ 235.66 грн
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 4184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.04 грн
10+ 446.66 грн
25+ 352.91 грн
100+ 324 грн
250+ 304.94 грн
500+ 292.45 грн
1000+ 248.42 грн
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 9.8A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IMBF170R450M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.364ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.364ohm
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+311.53 грн
250+ 293.21 грн
Мінімальне замовлення: 150
IMBF170R450M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+234.7 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMBF170R650M1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IMBF170R650M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 88W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.526ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+440.13 грн
50+ 373.78 грн
100+ 312.17 грн
250+ 305.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+189.4 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+348.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMBF170R650M1XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBF170R650M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.4 A, 1.7 kV, 0.526 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.526ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+532.28 грн
5+ 486.57 грн
10+ 440.13 грн
50+ 373.78 грн
100+ 312.17 грн
250+ 305.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-13
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 1000 V
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.12 грн
10+ 296.22 грн
100+ 239.64 грн
500+ 199.9 грн
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.47 грн
10+ 387.71 грн
25+ 327.28 грн
100+ 272.73 грн
250+ 264.85 грн
500+ 242.5 грн
1000+ 206.36 грн
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+620.49 грн
26+ 452.25 грн
50+ 401.78 грн
100+ 363.58 грн
200+ 317.21 грн
500+ 284.16 грн
1000+ 266.34 грн
2000+ 265.49 грн
Мінімальне замовлення: 19
IMBF170R650M1XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 7.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V
товар відсутній
IMBG120R008M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 89.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 28.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6380 pF @ 800 V
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3395.28 грн
10+ 2972.29 грн
100+ 2675.09 грн
IMBG120R012M2HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
товар відсутній
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 217-226 дні (днів)
1+2229.63 грн
10+ 1952.91 грн
25+ 1584.49 грн
50+ 1535.2 грн
100+ 1485.91 грн
250+ 1386.67 грн
500+ 1384.7 грн
IMBG120R017M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2052.38 грн
10+ 1756.69 грн
100+ 1536.5 грн
IMBG120R022M2HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1844.74 грн
10+ 1615.84 грн
25+ 1311.1 грн
50+ 1270.35 грн
100+ 1228.95 грн
250+ 1147.46 грн
500+ 1048.88 грн
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
товар відсутній
IMBG120R026M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1714.39 грн
10+ 1500.96 грн
25+ 1304.53 грн
50+ 1303.21 грн
100+ 1140.88 грн
250+ 1138.26 грн
500+ 979.87 грн
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+1749.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMBG120R030M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+1119.75 грн
250+ 1052.14 грн
Мінімальне замовлення: 150
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
товар відсутній
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1341.48 грн
10+ 1147.55 грн
100+ 1003.73 грн
500+ 803.81 грн
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+1949.52 грн
10+ 1860.46 грн
50+ 1641.33 грн
100+ 1449.06 грн
1000+ 1204.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
IMBG120R030M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1681.63 грн
5+ 1537.87 грн
10+ 1393.37 грн
50+ 1254.14 грн
100+ 1119.75 грн
250+ 1052.14 грн
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 56A T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+917 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
товар відсутній
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 11.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 800 V
товар відсутній
IMBG120R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
товар відсутній
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IMBG120R045M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+897.95 грн
250+ 880.26 грн
Мінімальне замовлення: 150
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1532.37 грн
10+ 1410.83 грн
25+ 1375.51 грн
100+ 1152.22 грн
250+ 1056.2 грн
500+ 912.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+939.1 грн
10+ 796.43 грн
100+ 688.79 грн
500+ 585.81 грн
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
1+1351.73 грн
10+ 1174.47 грн
25+ 993.67 грн
50+ 938.47 грн
100+ 883.27 грн
250+ 855.66 грн
500+ 799.8 грн
IMBG120R045M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R045M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1349.14 грн
5+ 1295.32 грн
10+ 1240.76 грн
50+ 1062.46 грн
100+ 897.95 грн
250+ 880.26 грн
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1422.92 грн
10+ 1310.05 грн
25+ 1277.26 грн
100+ 1069.92 грн
250+ 980.76 грн
500+ 847.44 грн
IMBG120R045M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 16A, 18V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1527 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+594.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMBG120R053M2HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+920.07 грн
10+ 798.85 грн
25+ 676.25 грн
50+ 638.13 грн
100+ 600.67 грн
250+ 581.61 грн
500+ 544.81 грн
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V
товар відсутній
IMBG120R060M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+772.83 грн
250+ 757.67 грн
Мінімальне замовлення: 150
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 13A, 18V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1145 pF @ 800 V
товар відсутній
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon Technologies1200 V SiC Trench MOSFET
товар відсутній
IMBG120R060M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+972.21 грн
10+ 844.2 грн
25+ 714.37 грн
50+ 674.94 грн
100+ 634.85 грн
250+ 615.13 грн
500+ 594.76 грн
IMBG120R060M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R060M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 181W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1145.66 грн
5+ 1087.42 грн
10+ 1029.18 грн
50+ 896.79 грн
100+ 772.83 грн
250+ 757.67 грн
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesSIC DISCRETE
товар відсутній
IMBG120R078M2HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+829.59 грн
10+ 700.6 грн
25+ 552.7 грн
100+ 508.01 грн
250+ 477.78 грн
500+ 448.2 грн
1000+ 402.86 грн
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+770.56 грн
10+ 669.61 грн
50+ 573.73 грн
100+ 503.41 грн
500+ 456.75 грн
1000+ 417.97 грн
2000+ 410.09 грн
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP004463788
товар відсутній
IMBG120R090M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+928.91 грн
5+ 871.41 грн
10+ 813.91 грн
50+ 707.85 грн
100+ 609.17 грн
250+ 597.16 грн
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesSic Trench MOSFET
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+992.17 грн
13+ 903.45 грн
100+ 773.37 грн
500+ 664.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+444.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesSic Trench MOSFET
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+921.3 грн
10+ 838.92 грн
100+ 718.13 грн
500+ 617 грн
IMBG120R090M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R090M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.09ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+609.17 грн
250+ 597.16 грн
Мінімальне замовлення: 150
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesSic Trench MOSFET
товар відсутній
IMBG120R090M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.5A, 18V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 800 V
на замовлення 2681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+702.37 грн
10+ 595.92 грн
100+ 515.39 грн
500+ 438.33 грн
IMBG120R116M2HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+639.45 грн
10+ 540.38 грн
25+ 425.86 грн
100+ 391.69 грн
250+ 368.68 грн
500+ 345.03 грн
1000+ 310.85 грн
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+596.68 грн
10+ 532.97 грн
25+ 527.64 грн
50+ 503.72 грн
100+ 450.71 грн
250+ 399.75 грн
500+ 391.29 грн
1000+ 371.83 грн
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+617.78 грн
10+ 510.14 грн
100+ 425.1 грн
500+ 352.01 грн
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+771.32 грн
10+ 652.23 грн
25+ 513.92 грн
100+ 472.52 грн
250+ 444.26 грн
500+ 416.66 грн
1000+ 375.26 грн
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IMBG120R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+708.48 грн
5+ 614.12 грн
10+ 519.01 грн
50+ 462.77 грн
100+ 408.85 грн
250+ 384.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 189mOhm @ 6A, 18V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 491 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+350.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A
товар відсутній
IMBG120R140M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 18A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+642.58 грн
21+ 573.97 грн
25+ 568.23 грн
50+ 542.47 грн
100+ 485.38 грн
250+ 430.5 грн
500+ 421.39 грн
1000+ 400.43 грн
Мінімальне замовлення: 19
IMBG120R140M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 18 A, 1.2 kV, 0.189 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+408.85 грн
250+ 384.2 грн
Мінімальне замовлення: 150
IMBG120R181M2HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+545.14 грн
10+ 460.26 грн
25+ 362.77 грн
100+ 333.85 грн
250+ 313.48 грн
500+ 293.76 грн
1000+ 264.85 грн
IMBG120R220M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+434.76 грн
250+ 425.91 грн
Мінімальне замовлення: 150
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP004463796
товар відсутній
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.87 грн
10+ 493.03 грн
100+ 410.87 грн
500+ 340.22 грн
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+643.28 грн
10+ 545.67 грн
25+ 460.69 грн
100+ 398.26 грн
250+ 391.03 грн
500+ 354.88 грн
1000+ 318.74 грн
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+709.77 грн
10+ 635.96 грн
25+ 594.67 грн
100+ 500.11 грн
250+ 429.34 грн
500+ 379.74 грн
1000+ 375.85 грн
IMBG120R220M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R220M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+726.91 грн
5+ 669.41 грн
10+ 611.9 грн
50+ 519.59 грн
100+ 434.76 грн
250+ 425.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 294mOhm @ 4A, 18V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 800 V
товар відсутній
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IMBG120R220M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 13A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+764.36 грн
17+ 684.88 грн
25+ 640.41 грн
100+ 538.58 грн
250+ 462.37 грн
500+ 408.95 грн
1000+ 404.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
IMBG120R234M2HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.53 грн
10+ 389.98 грн
25+ 320.05 грн
100+ 274.71 грн
250+ 258.93 грн
500+ 245.13 грн
1000+ 207.67 грн
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IMBG120R350M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+308.37 грн
250+ 300.79 грн
Мінімальне замовлення: 150
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.9 грн
10+ 339.48 грн
100+ 282.87 грн
500+ 234.23 грн
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC DISCRETE
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+524.44 грн
10+ 442.88 грн
25+ 348.97 грн
100+ 320.71 грн
250+ 312.82 грн
500+ 283.91 грн
1000+ 253.02 грн
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IMBG120R350M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+549.98 грн
5+ 471.09 грн
10+ 391.47 грн
50+ 349.13 грн
100+ 308.37 грн
250+ 300.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 4.7A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IMBG120R350M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 468mOhm @ 2A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Vgs (Max): +18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 800 V
товар відсутній
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2714.97 грн
10+ 2384.46 грн
25+ 1949.89 грн
50+ 1884.83 грн
100+ 1819.76 грн
250+ 1764.56 грн
1000+ 1672.55 грн
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG65R007M2HXTMA1
товар відсутній
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 146.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 789W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.97mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2776.79 грн
10+ 2494.38 грн
25+ 2389.85 грн
100+ 2032.52 грн
250+ 1962.43 грн
IMBG65R007M2HXTMA1Infineon TechnologiesIMBG65R007M2HXTMA1
товар відсутній
IMBG65R015M2HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET
товар відсутній
IMBG65R020M2HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1571.02 грн
10+ 1423.12 грн
100+ 1044.93 грн
500+ 929.93 грн
1000+ 852.38 грн
2000+ 812.29 грн
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1868.99 грн
10+ 1693.58 грн
25+ 1676.51 грн
100+ 1398.83 грн
250+ 1267.5 грн
Мінімальне замовлення: 7
IMBG65R022M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1735.49 грн
10+ 1572.61 грн
25+ 1556.76 грн
100+ 1298.92 грн
250+ 1176.96 грн
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 41.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 12.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2288 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBG65R022M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R022M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1397.8 грн
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 64A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 56 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+1255.13 грн
10+ 1089.82 грн
100+ 819.52 грн
500+ 742.63 грн
1000+ 681.51 грн
IMBG65R022M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005539143
товар відсутній
IMBG65R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBG65R030M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1368.31 грн
5+ 1313.01 грн
10+ 1256.98 грн
50+ 1076.84 грн
100+ 909.96 грн
250+ 891.63 грн
IMBG65R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1501.56 грн
10+ 1382.19 грн
25+ 1378.85 грн
100+ 1128.87 грн
250+ 1023.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
IMBG65R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
IMBG65R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBG65R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1167.72 грн
10+ 1014.24 грн
25+ 858.29 грн
50+ 810.32 грн
100+ 763 грн
250+ 746.57 грн
1000+ 634.19 грн
IMBG65R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005539165
товар відсутній
IMBG65R030M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 234W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1256.98 грн
50+ 1076.84 грн
100+ 909.96 грн
250+ 891.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMBG65R030M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 63A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1394.3 грн
10+ 1283.46 грн
25+ 1280.36 грн
100+ 1048.24 грн
250+ 950.77 грн
IMBG65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IMBG65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+870.23 грн
10+ 755.77 грн
25+ 639.45 грн
50+ 603.3 грн
100+ 567.81 грн
250+ 550.07 грн
500+ 531.67 грн
IMBG65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005539169
товар відсутній
IMBG65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBG65R039M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1118.38 грн
5+ 1060.88 грн
10+ 1003.38 грн
50+ 859.83 грн
100+ 726.07 грн
250+ 712.17 грн
IMBG65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+887.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMBG65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBG65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1104.43 грн
10+ 1022.77 грн
25+ 1009.58 грн
100+ 844.96 грн
250+ 764.22 грн
500+ 663.41 грн
IMBG65R039M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R039M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 211W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1003.38 грн
50+ 859.83 грн
100+ 726.07 грн
250+ 712.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMBG65R039M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 54A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1189.39 грн
11+ 1101.45 грн
25+ 1087.24 грн
100+ 909.95 грн
250+ 823.01 грн
500+ 714.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMBG65R040M2HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+799.69 грн
10+ 724.78 грн
100+ 532.33 грн
500+ 473.84 грн
1000+ 434.4 грн
2000+ 414.03 грн
IMBG65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
IMBG65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+763.66 грн
10+ 663.57 грн
25+ 561.24 грн
50+ 529.7 грн
100+ 498.81 грн
250+ 483.69 грн
500+ 481.72 грн
IMBG65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+716.59 грн
10+ 591.75 грн
100+ 493.1 грн
500+ 408.31 грн
IMBG65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005539172
товар відсутній
IMBG65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBG65R048M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 45A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
IMBG65R050M2HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+706.15 грн
10+ 597.06 грн
25+ 470.55 грн
100+ 432.43 грн
250+ 406.8 грн
500+ 381.17 грн
1000+ 343.05 грн
IMBG65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBG65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+657.15 грн
10+ 627.46 грн
25+ 620.47 грн
100+ 548.83 грн
250+ 496.91 грн
IMBG65R057M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+751.98 грн
50+ 644.18 грн
100+ 544.08 грн
250+ 533.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMBG65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005539175
товар відсутній
IMBG65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+707.7 грн
18+ 675.72 грн
25+ 668.2 грн
100+ 591.04 грн
250+ 535.13 грн
Мінімальне замовлення: 17
IMBG65R057M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R057M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 161W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+864.78 грн
5+ 808.75 грн
10+ 751.98 грн
50+ 644.18 грн
100+ 544.08 грн
250+ 533.34 грн
IMBG65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 294-303 дні (днів)
1+814.26 грн
10+ 738.39 грн
100+ 541.53 грн
500+ 482.38 грн
1000+ 441.63 грн
2000+ 433.09 грн
IMBG65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBG65R057M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+799.69 грн
10+ 711.94 грн
100+ 512.61 грн
500+ 446.89 грн
1000+ 396.94 грн
2000+ 382.49 грн
5000+ 373.28 грн
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+568.77 грн
22+ 548.36 грн
25+ 544.71 грн
50+ 519.12 грн
100+ 451.07 грн
250+ 427.04 грн
500+ 403.76 грн
Мінімальне замовлення: 21
IMBG65R072M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+828.65 грн
50+ 703.74 грн
100+ 588.94 грн
250+ 576.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMBG65R072M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R072M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.072ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+959.88 грн
5+ 894.26 грн
10+ 828.65 грн
50+ 703.74 грн
100+ 588.94 грн
250+ 576.94 грн
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.5 грн
10+ 484.06 грн
100+ 403.36 грн
500+ 334.01 грн
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+528.14 грн
10+ 509.19 грн
25+ 505.8 грн
50+ 482.04 грн
100+ 418.85 грн
250+ 396.54 грн
500+ 374.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMBG65R072M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005539178
товар відсутній
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+408.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+547.46 грн
10+ 519.35 грн
25+ 514.16 грн
100+ 451.11 грн
250+ 411.26 грн
500+ 366.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+589.57 грн
21+ 559.3 грн
25+ 553.71 грн
100+ 485.81 грн
250+ 442.9 грн
500+ 394.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
IMBG65R083M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+666.46 грн
50+ 566.14 грн
100+ 473.3 грн
250+ 463.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005539181
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+299.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+630.25 грн
10+ 532.82 грн
25+ 419.95 грн
100+ 385.77 грн
250+ 363.43 грн
1000+ 308.88 грн
2000+ 292.45 грн
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+517.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMBG65R083M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R083M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 126W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 126W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.083ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+787.37 грн
5+ 726.91 грн
10+ 666.46 грн
50+ 566.14 грн
100+ 473.3 грн
250+ 463.83 грн
IMBG65R083M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 624 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+454.5 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMBG65R107M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+692.26 грн
5+ 636.97 грн
10+ 580.94 грн
50+ 492.89 грн
100+ 412.01 грн
250+ 403.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005539184
товар відсутній
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.96 грн
10+ 379.6 грн
100+ 316.35 грн
500+ 261.95 грн
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.73 грн
10+ 457.22 грн
25+ 452.4 грн
100+ 397.6 грн
250+ 359.59 грн
500+ 322.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.67 грн
10+ 383.93 грн
25+ 302.97 грн
100+ 277.99 грн
250+ 262.22 грн
500+ 251.7 грн
1000+ 213.59 грн
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+518.79 грн
24+ 492.4 грн
25+ 487.2 грн
100+ 428.18 грн
250+ 387.25 грн
500+ 347.21 грн
Мінімальне замовлення: 23
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBG65R107M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 24A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
IMBG65R107M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R107M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 24 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.107ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+580.94 грн
50+ 492.89 грн
100+ 412.01 грн
250+ 403.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMBG65R163M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+554.4 грн
5+ 506.48 грн
10+ 457.82 грн
50+ 388.84 грн
100+ 324.8 грн
250+ 318.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.53 грн
10+ 322.85 грн
100+ 261.2 грн
500+ 217.89 грн
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
товар відсутній
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005539187
товар відсутній
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 217mOhm @ 5.7A, 18V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+452.42 грн
28+ 418.12 грн
100+ 359.55 грн
250+ 326.26 грн
500+ 286.2 грн
Мінімальне замовлення: 26
IMBG65R163M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R163M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 650 V, 0.163 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.163ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.163ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+457.82 грн
50+ 388.84 грн
100+ 324.8 грн
250+ 318.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.27 грн
10+ 449.68 грн
100+ 323.34 грн
500+ 281.94 грн
1000+ 239.87 грн
2000+ 231.33 грн
IMBG65R163M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 17A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.11 грн
10+ 393.44 грн
25+ 388.25 грн
100+ 333.87 грн
250+ 302.96 грн
500+ 265.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMBG65R260M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+403.27 грн
100+ 330.28 грн
500+ 261.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+437.69 грн
10+ 397.84 грн
25+ 391.21 грн
50+ 366.88 грн
100+ 286.16 грн
250+ 271.13 грн
500+ 237.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesSP005539192
товар відсутній
IMBG65R260M1HXTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IMBG65R260M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 6 A, 650 V, 0.26 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1 Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+493.21 грн
10+ 403.27 грн
100+ 330.28 грн
500+ 261.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesMOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.36 грн
10+ 297.77 грн
25+ 244.48 грн
100+ 209.64 грн
250+ 197.81 грн
500+ 187.3 грн
1000+ 158.38 грн
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 346mOhm @ 3.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 201 pF @ 400 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+298.58 грн
10+ 241.72 грн
100+ 195.58 грн
500+ 163.15 грн
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+471.36 грн
28+ 421.3 грн
50+ 395.1 грн
100+ 308.18 грн
250+ 291.99 грн
500+ 255.6 грн
Мінімальне замовлення: 25
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 650V 6A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+290.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IMBG65R260M1HXTMA1Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 346mOhm @ 3.6A, 18V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 201 pF @ 400 V
товар відсутній
IMBH10D-060
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBH25-120MODULE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBH50D-060N/A09+
на замовлення 5018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBH50D-060A
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBH60-100MODULE
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBH60-120MODULE
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBH75D-060S
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBI200F-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBI200L-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBI200S-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBI300F-060module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBI300F-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBI300JN-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IMBI300JP-120module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)