Продукція > IPB

товар відсутній

IPB009N03L G

MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB009N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 180A
On-state resistance: 0.95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	337.27 грн
10+	299.12 грн
100+	213.01 грн
500+	181.86 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB009N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB010N06N

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB010N06N

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	570.57 грн
10+	482.43 грн
25+	380.38 грн
100+	349.95 грн
250+	328.94 грн
500+	308.65 грн
1000+	264.45 грн

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	297.93 грн
2000+	268.84 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V

на замовлення 4940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	525.11 грн
10+	433.51 грн
100+	361.29 грн
500+	299.16 грн

IPB010N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 1323 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	505.48 грн
10+	438.27 грн
25+	379.66 грн
100+	326.04 грн
250+	323.14 грн
500+	291.99 грн
1000+	268.8 грн

IPB010N06NATMA1

Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	569.76 грн
10+	428.33 грн
50+	380.38 грн
200+	344.15 грн
500+	289.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	255.28 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04L G

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1895 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	377 грн
10+	312.46 грн
25+	255.76 грн
100+	219.53 грн
250+	207.22 грн
500+	195.62 грн
1000+	165.92 грн

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

IPB011N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V

на замовлення 2111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	409.12 грн
10+	263.47 грн
100+	189.47 грн
500+	148.1 грн

IPB011N04LGATMA1

товар відсутній

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	196.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	199.93 грн
10+	185.47 грн
25+	184.64 грн
100+	160.73 грн
250+	147.33 грн
500+	119.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB011N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	161.48 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	265.24 грн
50+	258.07 грн
500+	256.02 грн
1000+	223.18 грн

Мінімальне замовлення: 47

IPB011N04LGATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	305.99 грн
10+	260.8 грн
25+	226.05 грн
100+	189.83 грн
250+	189.1 грн
500+	166.64 грн
1000+	162.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	215.31 грн
62+	198.84 грн
100+	173.09 грн
250+	158.66 грн
500+	128.86 грн

Мінімальне замовлення: 58

IPB011N04N

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB011N04N (транзисторы)
Код товару: 50026

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

IPB011N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 4787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	262.04 грн
10+	216.64 грн
25+	187.65 грн
100+	152.88 грн
250+	152.15 грн
500+	136.21 грн
1000+	115.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	245.13 грн
10+	204.14 грн
25+	167.37 грн
100+	142.73 грн
250+	135.49 грн
500+	127.52 грн
800+	108.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	114.65 грн
10+	110.08 грн
25+	108.56 грн
100+	100.28 грн
250+	91.43 грн
500+	81.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB011N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB011N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 740µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	151.99 грн
500+	113.21 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB011N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

на замовлення 723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	289.99 грн
10+	184.08 грн
100+	129.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	123.47 грн
104+	118.55 грн
106+	116.91 грн
110+	108 грн
250+	98.46 грн
500+	87.5 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB011N04NF2SATMA1

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	264.97 грн
10+	187.75 грн
100+	151.99 грн
500+	113.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB011N04NG

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB011N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	109.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	350.24 грн
50+	247.83 грн
60+	207.89 грн
100+	189.6 грн
200+	174.65 грн
500+	151.86 грн
1000+	143.08 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	116.78 грн
2000+	111.08 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	130.24 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	296.66 грн
10+	237.33 грн
100+	195.07 грн
500+	153.96 грн
1000+	139.33 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	143.95 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	75.65 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 5166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	304.88 грн
10+	193.66 грн
100+	136.96 грн
500+	105.77 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	125.59 грн
2000+	119.45 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	140.26 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB012N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	134.11 грн
500+	110.19 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB012N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	118.98 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB012N04NF2SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	228.23 грн
10+	186.64 грн
100+	129.69 грн
250+	119.55 грн
500+	108.68 грн
800+	92.02 грн
2400+	87.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	88.22 грн
10+	84.41 грн
25+	83.9 грн
100+	76.43 грн
250+	69.07 грн
500+	58.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPB012N04NF2SATMA1

на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	247.08 грн
10+	182.06 грн
100+	134.11 грн
500+	110.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB012N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	213.18 грн
10+	170.11 грн
100+	135.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	95 грн
136+	90.91 грн
137+	90.36 грн
144+	82.31 грн
250+	74.38 грн
500+	62.5 грн

Мінімальне замовлення: 130

IPB013N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	344.85 грн
10+	220.23 грн
100+	156.73 грн

IPB013N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	114.11 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB013N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB013N06NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 698 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	300.08 грн
10+	249.13 грн
25+	204.32 грн
100+	174.61 грн
250+	165.19 грн
500+	155.77 грн
800+	132.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.7 грн
10+	111.02 грн
100+	76.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB014N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 191 A, 0.00103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.43 грн
10+	117.04 грн
100+	82.9 грн
500+	59.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB014N04NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.14 грн
10+	121.65 грн
100+	76.08 грн
250+	75.35 грн
500+	71.44 грн
800+	52.82 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB014N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	50.31 грн
246+	50.16 грн
256+	48.03 грн
261+	45.51 грн
500+	38.14 грн

Мінімальне замовлення: 245

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	48.25 грн
14+	46.72 грн
25+	46.57 грн
100+	43.01 грн
250+	39.13 грн
500+	34 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPB014N04NF2SATMA1

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.9 грн
500+	59.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB014N06N

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	316.14 грн
10+	261.63 грн
25+	215.19 грн
100+	184.03 грн
250+	173.89 грн
500+	164.47 грн
1000+	139.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB014N06N

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	95.52 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB014N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	131.99 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	315.29 грн
10+	261.63 грн
100+	184.03 грн
500+	163.74 грн
1000+	139.83 грн
2000+	131.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB014N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

на замовлення 2708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	349.55 грн
10+	223.93 грн
100+	159.68 грн
500+	124.08 грн

IPB014N06NE8197ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R (incomplete reels from part IPB014N06NATMA1)

товар відсутній

IPB015N04L G

MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	125.95 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V

на замовлення 1499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	401.28 грн
10+	258.72 грн
100+	185.84 грн
500+	145.15 грн

IPB015N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

товар відсутній

IPB015N04N
Код товару: 62499

товар відсутній

IPB015N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	325.44 грн
10+	269.13 грн
25+	220.98 грн
100+	189.1 грн
250+	178.24 грн
500+	168.82 грн
1000+	142.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	387.99 грн
10+	262.46 грн
100+	163.02 грн
500+	135.49 грн

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	136.25 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	150.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04NGATMA1

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	170.19 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 3145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	358.17 грн
10+	229.51 грн
100+	163.92 грн
500+	127.51 грн

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	161.73 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

на замовлення 666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	239.04 грн
10+	150.11 грн
100+	104.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.0012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	225.95 грн
10+	166.62 грн
100+	126.79 грн
500+	101.89 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB015N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB015N06NF2SATMA1

на замовлення 803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	126.79 грн
500+	101.89 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB015N06NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.71 грн
10+	166.64 грн
100+	115.2 грн
250+	110.85 грн
500+	105.06 грн
800+	76.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 3790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	571.35 грн
10+	375.32 грн
100+	275.9 грн
500+	229.69 грн

IPB015N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	254.17 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm

на замовлення 2285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	584.39 грн
10+	459.22 грн
100+	390.13 грн
500+	322.27 грн
1000+	265.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-2

на замовлення 5022 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	566.34 грн
10+	428.27 грн
25+	360.09 грн
100+	264.45 грн
500+	253.59 грн

IPB016N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303.46 грн
10+	251.63 грн
25+	206.49 грн
100+	177.51 грн
250+	167.37 грн
500+	157.95 грн
1000+	133.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	185.4 грн
10+	170.94 грн
25+	165.16 грн
100+	143.56 грн
250+	108.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB016N06L3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	293.32 грн
10+	245.8 грн
25+	202.14 грн
100+	168.82 грн
250+	159.4 грн
500+	157.95 грн
1000+	133.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	199.66 грн
67+	184.09 грн
70+	177.87 грн
100+	154.61 грн
250+	116.82 грн

Мінімальне замовлення: 62

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB016N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	350.31 грн
10+	314.54 грн
100+	257.65 грн
500+	203.78 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB016N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 9363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	282.15 грн
10+	228.08 грн
100+	184.51 грн
500+	153.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	132.17 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB016N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB016N06L3GATMA1

товар відсутній

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	143.1 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB016N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	145.84 грн
2000+	132.23 грн
5000+	126.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	84.53 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	161.52 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB016N08NF2SATMA1

SP005571685

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	115.8 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB016N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	303.31 грн
10+	245.21 грн
100+	198.37 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N08NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	329.66 грн
10+	272.46 грн
25+	229.68 грн
100+	192 грн
250+	186.21 грн
500+	174.61 грн
800+	137.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB017N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 771 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	277.25 грн
10+	229.13 грн
25+	188.38 грн
100+	161.57 грн
250+	152.15 грн
500+	143.46 грн
1000+	122.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	116.22 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB017N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

IPB017N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 3397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	318.2 грн
10+	202.79 грн
100+	143.78 грн
500+	111.26 грн

IPB017N06N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 3291 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	277.25 грн
10+	229.97 грн
25+	199.25 грн
100+	143.46 грн
500+	118.1 грн
1000+	115.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB017N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	299.92 грн
10+	212.14 грн
100+	171.5 грн
500+	150.94 грн
1000+	117.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB017N06N3GXT

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB017N08N5

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	487.73 грн
10+	411.61 грн
25+	324.59 грн
100+	297.78 грн
250+	280.39 грн
500+	263.01 грн
1000+	236.2 грн

IPB017N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	365.75 грн
100+	315.36 грн
500+	274.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB017N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	227.01 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N08N5ATMA1

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	517.74 грн
10+	365.75 грн
100+	315.36 грн
500+	274.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	524.08 грн
10+	381.61 грн
25+	329.66 грн
100+	245.62 грн
500+	226.05 грн

IPB017N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 177A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB017N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 2137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	525.11 грн
10+	343.1 грн
100+	250.85 грн
500+	205.15 грн

IPB017N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB017N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB017N10N5

на замовлення 987 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB017N10N5

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	644.45 грн
25+	616.77 грн
50+	593.27 грн
100+	552.67 грн
250+	496.21 грн
500+	463.4 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB017N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	484.36 грн
10+	315.02 грн
100+	229.18 грн
500+	184.2 грн

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	455.97 грн
50+	393.38 грн
200+	356.98 грн
500+	297.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	203.83 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N10N5ATMA1

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

на замовлення 3639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	600.64 грн
10+	455.97 грн
50+	393.38 грн
200+	356.98 грн
500+	297.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N10N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-2

на замовлення 5885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	516.47 грн
10+	359.95 грн
100+	228.23 грн
500+	202.87 грн

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N10N5E8187ATMA1

OptiMOS5Power-Transistor,100VPG-TO 263-7

товар відсутній

IPB017N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	616.03 грн

IPB017N10N5LFATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 10109 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	661.86 грн
10+	464.1 грн
100+	298.51 грн
500+	278.95 грн

IPB017N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 7680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	540.5 грн
50+	467.35 грн
200+	410.57 грн
500+	356.69 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB017N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	619.43 грн
28+	452.3 грн
50+	401.12 грн
100+	362.62 грн
200+	317.11 грн
500+	283.83 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB017N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB017N10N5LFATMA1

на замовлення 7680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	667.29 грн
10+	540.5 грн
50+	467.35 грн
200+	410.57 грн
500+	356.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB018N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	176.37 грн
10+	131.67 грн
100+	95.1 грн
500+	78.49 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	164.2 грн
91+	136.47 грн
92+	135 грн
113+	105.69 грн
250+	90.53 грн
500+	60.65 грн

Мінімальне замовлення: 75

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 23200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	75.54 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	152.47 грн
10+	126.72 грн
25+	125.36 грн
100+	98.14 грн
250+	84.06 грн
500+	56.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB018N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	148.13 грн
10+	118.04 грн
100+	93.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB018N06NF2SATMA1

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	95.1 грн
500+	78.49 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	69.97 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	70.41 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB018N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB018N06NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.45 грн
10+	132.48 грн
100+	91.29 грн
250+	84.05 грн
500+	76.8 грн
800+	65.43 грн
2400+	62.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	57.65 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB018N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB018N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB018N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	425.08 грн
50+	373.59 грн
100+	324.65 грн
250+	314.89 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB018N10N5ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 1024 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	537.6 грн
10+	454.1 грн
25+	358.64 грн
100+	328.94 грн
250+	310.1 грн
500+	290.54 грн
1000+	261.56 грн

IPB018N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A T/R

товар відсутній

IPB018N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	565.87 грн
10+	371.17 грн
100+	272.64 грн

IPB018N10N5ATMA1

на замовлення 1219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	580.32 грн
5+	503.11 грн
10+	425.08 грн
50+	373.59 грн
100+	324.65 грн
250+	314.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 677 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.86 грн
10+	235.8 грн
25+	193.45 грн
100+	165.92 грн
250+	157.22 грн
500+	148.53 грн
1000+	125.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	82.75 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar

на замовлення 948 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.86 грн
5+	124.53 грн
8+	118.49 грн
21+	111.7 грн
100+	107.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB019N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	134.94 грн
2000+	122.36 грн
5000+	117.39 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N06L3GATMA1

на замовлення 948 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	172.63 грн
5+	155.18 грн
8+	142.19 грн
21+	134.04 грн
100+	129.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N06L3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 6119 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.02 грн
10+	234.97 грн
25+	192.73 грн
100+	146.36 грн
500+	120.27 грн
1000+	118.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 7726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.99 грн
10+	211.02 грн
100+	170.73 грн
500+	142.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N08N3 G

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB019N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1006 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	482.66 грн
10+	407.44 грн
25+	321.69 грн
100+	294.89 грн
250+	278.22 грн
500+	260.83 грн
1000+	223.16 грн

IPB019N08N3G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

IPB019N08N3G

товар відсутній

IPB019N08N3G

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	510.4 грн
26+	488.48 грн
50+	469.87 грн
100+	437.71 грн
250+	392.99 грн
500+	367.01 грн
1000+	358.03 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	249.19 грн
2000+	241.02 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 7602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	520.41 грн
10+	339.93 грн
100+	248.43 грн
500+	202.8 грн

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	254.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	449.47 грн
10+	358.44 грн
100+	309.67 грн
500+	258.12 грн
1000+	210.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	466.93 грн
32+	394.85 грн
50+	300.84 грн
200+	271.96 грн
500+	221.97 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	273.78 грн

Мінімальне замовлення: 45

IPB019N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	224.41 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	152.15 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	271.57 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	383.76 грн
10+	310.79 грн
25+	267.35 грн
100+	223.16 грн

IPB019N08N5ATMA1

Trench Power Transistor IC

товар відсутній

IPB019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

на замовлення 581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.58 грн
10+	275.32 грн
100+	198.7 грн
500+	155.76 грн

IPB019N08N5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB019N08N5ATMA1

Trench Power Transistor IC

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	130.17 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	160.12 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB019N08NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 1098 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.33 грн
10+	207.47 грн
25+	178.24 грн
100+	129.69 грн
500+	128.24 грн
800+	102.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	125.67 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB019N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	291.56 грн
10+	185.06 грн
100+	130.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N08NF2SATMA1

SP005571690

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	86.22 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB019N08NF2SATMA1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	272.28 грн
10+	197.5 грн
100+	160.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB019N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	132.52 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB019N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 30400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	129.03 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB019N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB020N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 140A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	167.37 грн
10+	126.65 грн
100+	86.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB020N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	115.23 грн
10+	110.49 грн
25+	109.05 грн
100+	99.84 грн
250+	90.08 грн
500+	83.23 грн
1000+	80.33 грн
3000+	79.53 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB020N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	89.77 грн
2000+	84.32 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N04NGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; 167W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB020N04NGATMA1

товар відсутній

IPB020N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V

на замовлення 3448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.64 грн
10+	162.87 грн
100+	114.06 грн
500+	87.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	202.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB020N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	199.94 грн
10+	150.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB020N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	137.2 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.92 грн
10+	191.64 грн
100+	136.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	103.13 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N08N5ATMA1

на замовлення 1449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	150.36 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB020N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

на замовлення 5191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.99 грн
10+	167.17 грн
100+	132.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB020N10N5

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	493.65 грн
10+	416.61 грн
25+	328.94 грн
100+	302.13 грн
250+	284.02 грн
500+	273.87 грн
1000+	231.85 грн

IPB020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 2427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	529.03 грн
10+	346.19 грн
100+	253.28 грн
500+	207.51 грн

IPB020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	421.99 грн
10+	364.63 грн
25+	349.11 грн
100+	270.11 грн
250+	240.86 грн
500+	217.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	556.75 грн
10+	395.01 грн
50+	363.31 грн
200+	316.98 грн
500+	274.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	229.62 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N10N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 1193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	492.8 грн
10+	416.61 грн
100+	302.85 грн
500+	266.63 грн
1000+	265.9 грн
2000+	257.21 грн
5000+	228.95 грн

IPB020N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N10N5ATMA1

товар відсутній

IPB020N10N5ATMA1

на замовлення 2531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	395.01 грн
50+	363.31 грн
200+	316.98 грн
500+	274.49 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB020N10N5LF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB020N10N5LF

товар відсутній

IPB020N10N5LFATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	574.8 грн
10+	484.93 грн
25+	382.55 грн
100+	351.4 грн
250+	331.11 грн
500+	310.1 грн
1000+	278.95 грн

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	535.62 грн
50+	455.85 грн
100+	382.47 грн
250+	374.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB020N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	594.87 грн
10+	391.17 грн
100+	288.23 грн

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	653.41 грн

Мінімальне замовлення: 19

IPB020N10N5LFATMA1

на замовлення 1510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	677.04 грн
5+	606.33 грн
10+	535.62 грн
50+	455.85 грн
100+	382.47 грн
250+	374.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	606.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5LFATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	928.63 грн
15+	839.84 грн
50+	746.88 грн
100+	655.74 грн
200+	586.65 грн
500+	517.52 грн
1000+	468.27 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPB020NE7N3 G

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB020NE7N3 G

Rochester Electronics, LLC

MOSFETs N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2841 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	416.73 грн
10+	321.62 грн
25+	278.95 грн
100+	220.98 грн
250+	210.11 грн

IPB020NE7N3G

Description: IPB020NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

на замовлення 5372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB020NE7N3GATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	242.51 грн
2000+	219.89 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	202.19 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 7859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	469.47 грн
10+	379.25 грн
100+	306.82 грн
500+	255.95 грн

IPB021N06N3 G

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB021N06N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB021N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB021N06N3GXT

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB022N04L G

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB022N04LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V

на замовлення 1840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

335+	66.76 грн

Мінімальне замовлення: 335

IPB022N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB022N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB022N04LGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB022N12NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB022N12NM6ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	559.58 грн
10+	418.27 грн
25+	355.75 грн
100+	266.63 грн
500+	235.47 грн

IPB023N04N G

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

177+	69.71 грн
178+	69.21 грн
191+	64.58 грн
250+	60.67 грн
500+	47.95 грн

Мінімальне замовлення: 177

IPB023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.26 грн
10+	112.15 грн
100+	76.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	65.94 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB023N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.15 грн
500+	61.81 грн
1000+	52.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB023N04NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.85 грн
10+	117.48 грн
100+	81.87 грн
250+	75.35 грн
500+	68.03 грн
800+	58.18 грн
2400+	55.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	68.32 грн
10+	64.73 грн
25+	64.27 грн
100+	57.83 грн
250+	52.16 грн
500+	42.74 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPB023N04NF2SATMA1

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	159.3 грн
10+	120.29 грн
100+	86.15 грн
500+	61.81 грн
1000+	52.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	51.48 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	66.35 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB023N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB023N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 140A D2PAK-6

на замовлення 393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB023N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

товар відсутній

IPB023N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

товар відсутній

IPB023N06N3GXT

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	191.79 грн
67+	184.99 грн
68+	183.19 грн
100+	174.75 грн
250+	160.05 грн
500+	151.96 грн

Мінімальне замовлення: 65

IPB024N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	286.07 грн
10+	231.47 грн
100+	187.25 грн
500+	156.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	128.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	98.9 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB024N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	235.84 грн
10+	186.64 грн
25+	161.57 грн
100+	135.49 грн
250+	134.76 грн
500+	129.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	178.09 грн
10+	171.78 грн
25+	170.11 грн
100+	162.27 грн
250+	148.62 грн
500+	141.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB024N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	170.82 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB024N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	130.04 грн
10+	129.23 грн
100+	128.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPB024N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB024N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB024N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 161 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	136.6 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB024N08NF2SATMA1

SP005571694

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	78.78 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB024N08NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 269 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	270.49 грн
10+	199.14 грн
25+	171.71 грн
100+	124.62 грн
800+	97.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 29600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	122.75 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB024N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.32 грн
10+	174.87 грн
100+	141.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08NF2SATMA1

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	263.34 грн
10+	210.51 грн
25+	178.81 грн
100+	136.6 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB024N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB024N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 183µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB024N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	361.69 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB024N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 183µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 50 V

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	327.61 грн
10+	264.61 грн
100+	214.05 грн

IPB024N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N10N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 2949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	356.71 грн
10+	282.46 грн
25+	242.72 грн
100+	176.06 грн
500+	165.92 грн
1000+	148.53 грн

IPB024N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	502.3 грн
10+	361.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N10N5E8197ATMA1

IPB024N10N5E8197ATMA1

товар відсутній

IPB025N08N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB025N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 7807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	349.95 грн
10+	272.46 грн
25+	215.19 грн
100+	181.86 грн

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	500.99 грн
100+	478.28 грн
250+	438.46 грн
500+	416.64 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	474.41 грн
10+	423.13 грн
25+	419.03 грн
100+	329.38 грн
250+	301.93 грн
500+	245.05 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 14109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	440.47 грн
10+	285.28 грн
100+	206.48 грн
500+	164.61 грн

IPB025N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	365.75 грн
10+	258.46 грн
100+	228.39 грн
500+	189.44 грн
1000+	160.23 грн
2000+	151.87 грн
5000+	144.21 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB025N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	459.62 грн
32+	389.62 грн
50+	296.66 грн
200+	268.95 грн
500+	218.24 грн
1000+	204.14 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPB025N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	182.15 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB025N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1106 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	489.42 грн
10+	405.77 грн
25+	332.56 грн
100+	285.47 грн
250+	269.53 грн
500+	255.04 грн
1000+	215.91 грн

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	411.64 грн
34+	361.53 грн
35+	357.75 грн
50+	338.7 грн
100+	264.84 грн
250+	253.96 грн
500+	200.62 грн

Мінімальне замовлення: 30

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	230.43 грн
2000+	218.79 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 6735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	204.86 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 12771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	560.82 грн
10+	406.39 грн
100+	329.18 грн
500+	286.79 грн
1000+	225.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 527 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	437.92 грн
3+	379.96 грн
4+	281.66 грн
11+	266.27 грн
1050+	261.74 грн

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	178.36 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	248.16 грн
2000+	235.62 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

на замовлення 527 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	364.94 грн
3+	304.91 грн
4+	234.72 грн
11+	221.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	248.18 грн
2000+	235.64 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1
Код товару: 133145

очікується 300 шт:

300 шт - очікується

1+	240 грн
10+	215 грн

IPB025N10N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 3914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	503.79 грн
10+	361.61 грн
100+	228.95 грн
500+	204.32 грн

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	386.67 грн
10+	339.6 грн
25+	336.06 грн
50+	318.15 грн
100+	248.78 грн
250+	238.55 грн
500+	188.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	617.53 грн
26+	477.23 грн
50+	431.15 грн
100+	394.02 грн
200+	346.55 грн
500+	328.3 грн
1000+	309.86 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB025N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 6908 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	480.44 грн
10+	313.06 грн
100+	227.8 грн
500+	185.13 грн

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 806 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	233.13 грн
2000+	221.34 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB025N10N3GE818XT

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6

товар відсутній

IPB025N10N3GE8197ATMA1

SP001227196

товар відсутній

IPB025N10N3GE8197ATMA1

SP001227196

товар відсутній

IPB026N06N

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

на замовлення 1928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB026N06N

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB026N06N

MOSFETs N-Ch 60V 100A D2PAK-2

на замовлення 1501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.96 грн
10+	152.48 грн
100+	105.06 грн
250+	97.09 грн
500+	89.12 грн
1000+	74.63 грн
2000+	72.09 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB026N06N

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

на замовлення 1928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	196.48 грн
10+	176.12 грн
25+	174.36 грн
100+	136.55 грн
250+	125.17 грн
500+	102.3 грн
1000+	83.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB026N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

на замовлення 2911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.86 грн
10+	136.91 грн
100+	108.97 грн
500+	86.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB026N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 100A D2PAK-2

на замовлення 1116 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	147.08 грн
10+	118.32 грн
100+	89.84 грн
250+	80.42 грн
500+	72.09 грн
1000+	69.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	53.08 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB026N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	71.83 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB026N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	211.6 грн
65+	189.67 грн
66+	187.77 грн
100+	147.05 грн
250+	134.8 грн
500+	110.17 грн
1000+	90.17 грн

Мінімальне замовлення: 59

IPB026N06NATMA1

товар відсутній

IPB026N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB026N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	383.63 грн
10+	308.86 грн
100+	252.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB026N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 2024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	329.18 грн
10+	210.19 грн
100+	149.37 грн

IPB026N10NF2SATMA1

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	252.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB026N10NF2SATMA1

SP005571706

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	105.66 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB026N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	122.04 грн
1600+	117.22 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB026N10NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 784 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	290.78 грн
10+	240.8 грн
25+	203.59 грн
100+	169.54 грн
250+	164.47 грн
500+	155.77 грн
800+	128.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB027N10N3 G

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB027N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 7334 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.11 грн
10+	262.46 грн
1000+	204.32 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB027N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	350.94 грн
37+	335.86 грн
50+	323.06 грн
100+	300.95 грн
250+	270.21 грн
500+	252.34 грн
1000+	246.17 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPB027N10N3G

UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)

товар відсутній

IPB027N10N3G

UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IPB027N10N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	366.86 грн
10+	262.46 грн
100+	204.32 грн

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB027N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	205.35 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	148.77 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	537.96 грн
32+	391.71 грн
50+	347.85 грн
100+	315.27 грн
200+	275.13 грн
500+	246.23 грн
1000+	231 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPB027N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	259.28 грн
50+	254.4 грн
200+	230.94 грн
500+	209 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB027N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	473.5 грн
10+	406.09 грн
25+	395.6 грн
100+	312.29 грн
250+	232.85 грн
500+	169.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	247.96 грн

Мінімальне замовлення: 50

IPB027N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 9264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	352.69 грн
10+	229.51 грн
100+	197.74 грн

IPB027N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	371.44 грн
10+	280.41 грн
50+	226.76 грн
200+	208.3 грн
500+	190.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	228.43 грн
56+	219.73 грн
100+	212.28 грн
250+	198.48 грн
500+	178.78 грн

Мінімальне замовлення: 54

IPB027N10N3GATMA1

товар відсутній

IPB027N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	394.2 грн
10+	299.1 грн
50+	262.53 грн
200+	241.51 грн
500+	203.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	286.43 грн
45+	274.12 грн
50+	263.68 грн
100+	245.63 грн
250+	220.54 грн
500+	205.96 грн

Мінімальне замовлення: 43

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	404.95 грн
10+	343.64 грн
25+	329.56 грн
100+	267.83 грн
250+	239.23 грн
500+	178.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB027N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	402.85 грн
10+	259.32 грн
100+	186.52 грн
500+	145.85 грн

IPB027N10N5ATMA1

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	475.28 грн
31+	402.17 грн
50+	306.06 грн
100+	294.12 грн
200+	256.49 грн
500+	216.68 грн
1000+	211.3 грн
2000+	203.24 грн

Мінімальне замовлення: 26

IPB027N10N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 669 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	338.96 грн
10+	279.13 грн
25+	236.2 грн
100+	186.21 грн
500+	157.95 грн

IPB027N10N5ATMA1

на замовлення 1139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	299.1 грн
50+	262.53 грн
200+	241.51 грн
500+	203.43 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	261.23 грн

Мінімальне замовлення: 48

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	159.24 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB029N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.52 грн
10+	136.65 грн
100+	94.19 грн
250+	86.94 грн
500+	79.7 грн
1000+	67.16 грн
2000+	64.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06N3GATMA1
Код товару: 150736

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	78.89 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPB029N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	65.5 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB029N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	42.43 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB029N06N3GATMA1

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 29169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.72 грн
10+	87.77 грн
100+	69.86 грн
500+	59.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 4037 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.34 грн
10+	96.65 грн
100+	66.66 грн
500+	62.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A T/R

товар відсутній

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB029N06N3GE8187ATMA1

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A T/R

товар відсутній

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB029N06NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.7 грн
10+	118.32 грн
100+	81.87 грн
250+	75.35 грн
500+	68.76 грн
800+	58.54 грн
2400+	55.64 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 1613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.67 грн
10+	105.66 грн
100+	84.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB029N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	73.92 грн
1600+	60.4 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB029N15NM6ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 48-57 дні (днів)

1+	671.16 грн
10+	567.42 грн
25+	447.76 грн
100+	410.81 грн
250+	386.9 грн
500+	371.69 грн
1000+	315.17 грн

IPB030N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 2669 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	315.29 грн
10+	260.8 грн
25+	215.91 грн
100+	183.31 грн
250+	173.16 грн
500+	163.02 грн
1000+	131.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB030N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

IPB030N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB030N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	339.74 грн
10+	243.02 грн
100+	195.07 грн
500+	170.57 грн
1000+	126.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB030N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 2713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	349.55 грн
10+	223.93 грн
100+	159.68 грн
500+	124.09 грн

IPB030N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB030N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	132 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB030N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	87.91 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB031N08N5

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 744 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.85 грн
10+	185.81 грн
25+	152.88 грн
100+	130.42 грн
250+	123.9 грн
500+	116.65 грн
1000+	99.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB031N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB031N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	243.83 грн
10+	171.5 грн
100+	138.98 грн
500+	121.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB031N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	106.96 грн
2000+	96.98 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB031N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB031N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1052 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.69 грн
10+	186.64 грн
25+	154.33 грн
100+	131.14 грн
250+	127.52 грн
500+	116.65 грн
1000+	94.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB031N08N5ATMA1

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	138.98 грн
500+	121.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB031N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

на замовлення 5372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.91 грн
10+	167.25 грн
100+	135.32 грн
500+	112.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB031N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB031NE7N3 G

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	364.32 грн
10+	323.29 грн
100+	230.4 грн
500+	195.62 грн

IPB031NE7N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB031NE7N3G

Description: IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPB031NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2

на замовлення 3216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB031NE7N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPB031NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB031NE7N3GATMA1

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 315-324 дні (днів)

1+	376.15 грн
10+	331.62 грн
100+	236.2 грн
250+	222.43 грн

IPB031NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	133.67 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB031NE7N3GATMA1

товар відсутній

IPB032N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	146.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB032N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	442.15 грн
10+	316.98 грн
100+	256.02 грн
500+	224.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	343.74 грн
10+	310.15 грн
25+	296.06 грн
100+	254.44 грн
250+	224.27 грн
500+	199.7 грн
1000+	188.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB032N10N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	304.3 грн
10+	251.63 грн
25+	207.22 грн
100+	177.51 грн
250+	168.09 грн
500+	157.95 грн
1000+	157.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB032N10N5ATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB032N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V

на замовлення 1432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	282.93 грн
10+	228.76 грн
100+	185.01 грн
500+	154.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB032N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	316.98 грн
100+	256.02 грн
500+	224.15 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB033N10N5LF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Power dissipation: 179W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB033N10N5LF

товар відсутній

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB033N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	171.86 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB033N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	439.71 грн
10+	333.24 грн
50+	269.84 грн
200+	231.7 грн
500+	190.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	497.16 грн
10+	415.3 грн
25+	401.68 грн
100+	318.96 грн
250+	292.35 грн
500+	259.72 грн
1000+	207.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	535.4 грн
28+	447.24 грн
29+	432.58 грн
100+	343.5 грн
250+	314.84 грн
500+	279.7 грн
1000+	223.03 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB033N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V

на замовлення 3366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	425.58 грн
10+	275.32 грн
100+	198.74 грн
500+	155.8 грн

IPB033N10N5LFATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 5482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	393.06 грн
10+	299.96 грн
25+	259.38 грн
100+	197.8 грн
500+	171.71 грн

IPB033N10N5LFATMA1

на замовлення 4854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	333.24 грн
50+	269.84 грн
200+	231.7 грн
500+	190.19 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB034N03L G

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB034N03LG

07+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB034N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB034N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB034N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

IPB034N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB034N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	94.1 грн
10+	93.16 грн
25+	92.23 грн
100+	88.05 грн
250+	80.71 грн
500+	68.31 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPB034N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

IPB034N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB034N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	63.7 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB034N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB034N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	160.93 грн
10+	121.1 грн
50+	94.28 грн
200+	80.76 грн
500+	67.79 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB034N06L3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB034N06L3GATMA1

товар відсутній

IPB034N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 1062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	192.02 грн
10+	119.85 грн
100+	82.49 грн
500+	62.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB034N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	60.95 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB034N06N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 3146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

315+	66.88 грн

Мінімальне замовлення: 315

IPB034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA2

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA2

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA2

N-channel MOSFET

товар відсутній

IPB035N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 438 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	299.23 грн
10+	248.3 грн
25+	203.59 грн
100+	174.61 грн
250+	164.47 грн
500+	155.05 грн
1000+	137.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB035N08N3 G

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB035N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.5mΩ

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 1927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	362.09 грн
10+	231.78 грн
100+	165.65 грн
500+	128.92 грн

IPB035N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 562 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	358.4 грн
10+	264.96 грн
25+	226.05 грн
100+	165.19 грн
500+	137.66 грн

IPB035N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	137.99 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB035N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB035N12NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB035N12NM6ATMA1

IPB035N12NM6ATMA1

товар відсутній

IPB035N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IPB036N12N3 G

на замовлення 270 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB036N12N3 G

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

на замовлення 5518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB036N12N3 G

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

на замовлення 5518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB036N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	484.35 грн
10+	409.11 грн
25+	322.42 грн
100+	296.33 грн
250+	278.95 грн
500+	262.28 грн
1000+	223.88 грн

IPB036N12N3G

на замовлення 188 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB036N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	522.62 грн
10+	369 грн
100+	319.42 грн
500+	278.49 грн
1000+	219.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB036N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB036N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	163.99 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB036N12N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 3127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	452.23 грн
10+	339.12 грн
100+	214.46 грн
500+	188.38 грн

IPB036N12N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 180A; 300W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 3.6mΩ
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB036N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 2010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	452.22 грн
10+	372.91 грн
100+	310.77 грн
500+	257.33 грн

IPB036N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB036N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	256.28 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB036N12N3GATMA1

товар відсутній

IPB037N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

на замовлення 2504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB037N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

на замовлення 2504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB037N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.23 грн
10+	119.98 грн
100+	82.6 грн
250+	76.8 грн
500+	70.06 грн
1000+	59.19 грн
2000+	56.3 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB037N06N3 G

TO-263

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB037N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB037N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 3745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.24 грн
10+	106.94 грн
100+	85.11 грн
500+	67.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB037N06N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 792 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.33 грн
10+	108.32 грн
100+	77.53 грн
500+	70.06 грн
1000+	59.19 грн
2000+	56.3 грн
5000+	54.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB037N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB037N06N3GATMA1

товар відсутній

IPB037N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	63.46 грн
2000+	58.05 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB037N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB038N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 6113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	352.49 грн
10+	310.79 грн
25+	268.8 грн
100+	243.44 грн
250+	228.95 грн
500+	216.64 грн
1000+	207.22 грн

IPB038N12N3 G

на замовлення 252 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB038N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	314.54 грн
50+	312.92 грн
200+	289.81 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB038N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	434.17 грн
10+	365.7 грн
25+	361.74 грн
100+	270.47 грн
250+	247.93 грн
500+	216.49 грн
1000+	180.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB038N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	151.31 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB038N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	430.28 грн
10+	278.34 грн
100+	201.07 грн
500+	157.69 грн

IPB038N12N3GATMA1

MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2684 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	460.68 грн
10+	392.44 грн
25+	322.42 грн
100+	286.92 грн
250+	278.22 грн
500+	251.41 грн
1000+	228.95 грн

IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

IPB038N12N3GATMA1

на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	391.76 грн
10+	314.54 грн
50+	312.92 грн
200+	289.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB038N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB038N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	174.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB039N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB039N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB039N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB039N04LGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB039N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 3913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.47 грн
10+	183.31 грн
25+	150.7 грн
100+	129.69 грн
250+	121.72 грн
500+	115.2 грн
1000+	97.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB039N10N3 G

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB039N10N3G

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB039N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

IPB039N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	80.56 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB039N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 29000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	105.02 грн
2000+	95.22 грн
5000+	91.36 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB039N10N3GATMA1

товар відсутній

IPB039N10N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	221.47 грн
10+	183.31 грн
100+	129.69 грн
500+	113.75 грн
1000+	97.09 грн
2000+	92.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB039N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 29657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	202.99 грн
10+	164.23 грн
100+	132.87 грн
500+	110.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB039N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	247.9 грн
10+	175.56 грн
100+	142.24 грн
500+	107.93 грн
1000+	88.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB039N10N3GE8187ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 160A

товар відсутній

IPB039N10N3GE8197ATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB039N10N3GE8197ATMA1

SP001227198

товар відсутній

IPB039N10N3GE8197ATMA1

SP001227198

товар відсутній

IPB03N03LA

07+;

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

TO-263

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB03N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB03N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V

на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

297+	73.82 грн

Мінімальне замовлення: 297

IPB03N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LB

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.7 грн
10+	99.25 грн
100+	85.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB03N03LB G

товар відсутній

IPB03N03LBG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB0401NM5S

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB0401NM5SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

товар відсутній

IPB0401NM5SATMA1

SP004565816

товар відсутній

IPB0401NM5SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	343.28 грн
10+	277.28 грн
100+	224.35 грн
500+	187.15 грн

IPB0401NM5SATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB040N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	207.69 грн
10+	167.77 грн
100+	135.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB040N08NF2SATMA1

SP005571698

товар відсутній

IPB040N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB040N08NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.69 грн
10+	186.64 грн
25+	157.95 грн
100+	131.14 грн
250+	127.52 грн
500+	117.37 грн
800+	93.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB041N04N G

MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB041N04N G

TO-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB041N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB041N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB041N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB041N04NGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB042N03L G

MOSFET N-Ch 30V 70A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB042N03L G

TO-263

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB042N03LGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPB042N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB042N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB042N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB042N10N3 G

на замовлення 167000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB042N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	128.05 грн
100+	123.17 грн
104+	118.99 грн
250+	111.26 грн
500+	100.22 грн
1000+	93.85 грн

Мінімальне замовлення: 96

IPB042N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	185.21 грн
69+	178.16 грн
100+	172.11 грн
250+	160.93 грн
500+	144.96 грн
1000+	135.76 грн

Мінімальне замовлення: 67

IPB042N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	216.39 грн
10+	179.14 грн
25+	147.08 грн
100+	126.07 грн
250+	118.82 грн
500+	112.3 грн
1000+	94.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB042N10N3 G E8187

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	111.25 грн
2000+	108.39 грн
5000+	102.33 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 37000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	90.19 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3891 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	141.42 грн
200+	123.77 грн
500+	107.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 84 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	125.45 грн
10+	116.12 грн
25+	104.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB042N10N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 13333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	231.61 грн
10+	173.31 грн
25+	145.63 грн
100+	116.65 грн
250+	115.93 грн
500+	94.91 грн
1000+	89.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	98.57 грн
2000+	96.23 грн
5000+	91.51 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	106.06 грн
2000+	103.54 грн
5000+	98.46 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	75.91 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

на замовлення 3891 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	230.83 грн
10+	164.18 грн
50+	141.42 грн
200+	123.77 грн
500+	107.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB042N10N3GATMA1

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1
Код товару: 117738

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

103+	119.82 грн

Мінімальне замовлення: 103

IPB042N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 37163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	264.12 грн
10+	166.64 грн
100+	116.83 грн
500+	89.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 84 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	103.3 грн
2000+	100.65 грн
5000+	95.02 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB042N10N3GE8187ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB042N10N3GE818XT

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2

товар відсутній

IPB042N10NF2SATMA1

SP005557198

товар відсутній

IPB042N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

товар відсутній

IPB042N10NF2SATMA1

Infineon

товар відсутній

IPB043N10NF2SATMA1

Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

на замовлення 256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.37 грн
10+	121.13 грн
100+	83.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB043N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB043N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: TBC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: TBC
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	121.92 грн
500+	94.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB043N10NF2SATMA1

Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB043N10NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.67 грн
10+	130.81 грн
100+	81.87 грн
250+	81.15 грн
500+	73.18 грн
800+	62.38 грн
2400+	57.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB043N10NF2SATMA1

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	181.25 грн
10+	150.36 грн
100+	121.92 грн
500+	94.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB043N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	72.02 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB044N15N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	328.17 грн
2000+	319.37 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	376.87 грн
37+	335.9 грн
50+	319.52 грн
100+	299.22 грн
200+	270.66 грн

Мінімальне замовлення: 33

IPB044N15N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB044N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	461.63 грн
10+	381.06 грн
100+	317.55 грн
500+	262.95 грн

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	337.54 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	758.86 грн
23+	553.01 грн
50+	490.54 грн
100+	444.39 грн
200+	387.7 грн
500+	347.61 грн
1000+	325.66 грн
2000+	324.79 грн

Мінімальне замовлення: 17

IPB044N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	564.07 грн
5+	536.43 грн
10+	508.8 грн
50+	432.46 грн
100+	361.57 грн
250+	354.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	313.43 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	261.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 10318 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	496.18 грн
10+	447.44 грн
25+	388.35 грн
100+	351.4 грн
500+	329.66 грн
1000+	307.93 грн

IPB044N15N5ATMA1

товар відсутній

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	352.85 грн
2000+	342.08 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	224 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

на замовлення 3324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	508.8 грн
50+	432.46 грн
100+	361.57 грн
250+	354.6 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB044N15N5E8187ATMA1

SP004531436

товар відсутній

IPB048N06L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB048N06LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB048N06LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB048N06LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB048N06LGXT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB048N06LGXT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB048N15N5

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	587.95 грн
10+	501.13 грн
25+	477.81 грн
100+	396.21 грн
250+	357.98 грн
500+	305.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB048N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

на замовлення 1137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	606.62 грн
10+	399.7 грн
100+	294.88 грн
500+	248.5 грн

IPB048N15N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	611.99 грн
10+	539.09 грн
25+	462.98 грн
100+	420.95 грн
500+	391.25 грн
1000+	337.63 грн

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	631.76 грн
23+	538.46 грн
25+	513.41 грн
100+	425.73 грн
250+	384.64 грн
500+	327.74 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB048N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	274.99 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO 263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB048N15N5ATMA1

товар відсутній

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	264.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB048N15N5LF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB048N15N5LF

товар відсутній

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	930.91 грн
17+	750.67 грн
50+	711.75 грн
100+	620.17 грн
200+	540.4 грн
500+	473.13 грн
1000+	459.09 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPB048N15N5LFATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	334.42 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V

на замовлення 753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	674.02 грн
10+	446.57 грн
100+	331.66 грн
500+	285.46 грн

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	329.66 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	311.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	521.95 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB048N15N5LFATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	747.24 грн
10+	631.58 грн
25+	541.23 грн
100+	457.18 грн
250+	453.56 грн
500+	404.29 грн
1000+	362.99 грн

IPB049N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB049N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB049N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 320A; 125W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 320A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

на замовлення 1859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	215.53 грн
10+	134.94 грн
100+	93.56 грн
500+	71.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2

на замовлення 1346 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.19 грн
10+	153.31 грн
100+	94.19 грн
500+	76.8 грн
1000+	69.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB049NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.11 грн
10+	236.63 грн
100+	164.47 грн
500+	135.49 грн
1000+	113.03 грн
2000+	106.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049NE7N3G

на замовлення 366 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	68.47 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB049NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	253.94 грн
10+	219.62 грн
100+	176.53 грн
500+	136.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049NE7N3GATMA1

MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 564 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	283.17 грн
10+	251.63 грн
100+	176.06 грн
500+	144.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

IPB049NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	125.51 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB04CN10NG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGANBRUCH

inf

07+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGANBRUCH

07+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGANBRUCH

0825

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB04N03L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA

MOSFET

товар відсутній

IPB04N03LA

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LA G

TO-263

на замовлення 62000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB04N03LAG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LAG

MOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB04N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LAGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB04N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.78 грн
10+	69.06 грн
100+	60.47 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB04N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LAT

MOSFET

товар відсутній

IPB04N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LB

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPB04N03LB

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LBG

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB050N06N G

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB050N06NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB050N06NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB050N06NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB050N06NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB050N06NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB050N06NGXT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB050N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB050N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 103 A, 0.0045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	167.43 грн
10+	125.17 грн
100+	95.1 грн
500+	66.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB050N10NF2SATMA1

SP005571710

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	49.79 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB050N10NF2SATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	157.22 грн
10+	128.31 грн
100+	89.12 грн
250+	81.87 грн
500+	74.63 грн
800+	63.83 грн
2400+	60.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB050N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

на замовлення 737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.59 грн
10+	120.38 грн
100+	82.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB050N10NF2SATMA1

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	95.1 грн
500+	66.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB051NE8N G

MOSFET N-Ch 85V 100A D2PAK-2

товар відсутній

IPB051NE8NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	112.25 грн

Мінімальне замовлення: 198

IPB051NE8NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB051NE8NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB051NE8NGATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB051NE8NGXT

Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB051NE8NGXT

Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB052N04N G

TO-263

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB052N04N G

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB052N04N G

MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB052N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

693+	31.12 грн

Мінімальне замовлення: 693

IPB052N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB052N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB054N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 624 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.01 грн
10+	116.65 грн
100+	81.15 грн
250+	73.9 грн
500+	67.38 грн
1000+	58.04 грн
2000+	55.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N06N3G

Description: IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB054N06N3G

на замовлення 161 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	32.21 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPB054N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

на замовлення 1043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.91 грн
10+	110.79 грн
100+	75.99 грн
500+	57.31 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.85 грн
10+	116.65 грн
100+	81.15 грн
500+	68.76 грн
1000+	58.04 грн
2000+	55.14 грн
5000+	53.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.62 грн
10+	122.48 грн
100+	84.05 грн
250+	78.25 грн
500+	72.09 грн
1000+	60.93 грн
2000+	57.89 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N08N3G

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB054N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	65.45 грн
2000+	59.88 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 150W; PG-TO263-3
Kind of channel: enhanced
On-state resistance: 5.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 2888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.94 грн
10+	110.34 грн
100+	87.79 грн
500+	69.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3285 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.77 грн
10+	115.82 грн
100+	84.05 грн
250+	67.09 грн
500+	61.3 грн
1000+	56.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB055N03L G
Код товару: 61412

товар відсутній

IPB055N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 413 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB055N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB055N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB055N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB055N03LGATMA1

товар відсутній

IPB055N08NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 606 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.6 грн
10+	119.98 грн
100+	74.63 грн
500+	73.18 грн
800+	52.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB055N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

на замовлення 533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.34 грн
10+	109.81 грн
100+	75.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB055N08NF2SATMA1

SP005571702

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	43.79 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB055N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB056N06N

MOSFET 60V TO-263

товар відсутній

IPB057N06N

MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.03 грн
10+	98.32 грн
100+	68.03 грн
250+	62.82 грн
500+	57.02 грн
1000+	48.76 грн
2000+	46.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB057N06N
Код товару: 176082

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.08 грн
10+	89.21 грн
100+	71.03 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	133.83 грн
10+	119.8 грн
25+	110.88 грн
100+	91.63 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO263-3
Kind of channel: enhanced
On-state resistance: 5.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	129.02 грн
103+	119.41 грн
121+	102.34 грн

Мінімальне замовлення: 96

IPB057N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2

на замовлення 2068 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.03 грн
10+	98.32 грн
100+	68.03 грн
250+	65.06 грн
500+	56.95 грн
1000+	49.78 грн
2000+	47.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB05CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB05CN10NG

INFINE0N

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05CN10NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05CN10NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	159.93 грн
10+	157.39 грн
25+	154.85 грн
50+	146.96 грн
100+	133.81 грн
250+	126.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB05CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB05N03

TO-263

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA

04+ D2PAK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

507+	42.7 грн

Мінімальне замовлення: 507

IPB05N03LA

07+;

на замовлення 3019 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LAG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPB05N03LAT

MOSFET

товар відсутній

IPB05N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LB

Infineon

товар відсутній

IPB05N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LB G

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LB G

TO-263

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LE3045A

03+ TO-263

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N06L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N06L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB060N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	456.14 грн
10+	295.7 грн
100+	214.36 грн
500+	170.06 грн

IPB060N15N5ATMA1

OptiMOS 5 Power-Transistor, 150V

товар відсутній

IPB060N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	188.18 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB060N15N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 1336 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	449.69 грн
10+	338.28 грн
100+	213.74 грн
500+	187.65 грн

IPB060N15N5E8187ATMA1

SP001863630

товар відсутній

IPB065N03L G

TO-263

на замовлення 62000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB065N03LG

08+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N03LGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB065N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB065N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.84 грн
25+	30.35 грн
50+	28.78 грн
100+	26.21 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB065N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB065N06L G

TO-263

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N06L G

MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB065N06L G

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB065N06LG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N06LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB065N10N3GATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.79 грн
10+	248.3 грн
100+	173.89 грн
500+	143.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	261.63 грн
10+	226.01 грн
25+	210.31 грн
100+	175.72 грн
250+	120.33 грн
500+	114.36 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB065N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N15N3 G

на замовлення 19000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N15N3 G

MOSFETs N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1155 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	495.34 грн
10+	410.77 грн
25+	336.91 грн
100+	297.06 грн
1000+	252.14 грн
2000+	206.49 грн

IPB065N15N3G

на замовлення 845 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	207.19 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	602.27 грн
5+	516.11 грн
10+	429.15 грн
50+	382.64 грн
100+	337.88 грн
250+	318.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB065N15N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1054 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	469.98 грн
10+	344.12 грн
100+	226.05 грн
500+	206.49 грн

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	507.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB065N15N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
On-state resistance: 6.5mΩ
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB065N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

на замовлення 3517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	485.14 грн
10+	315.85 грн
100+	229.96 грн
500+	187.23 грн

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N15N3GATMA1

на замовлення 1410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	429.15 грн
50+	382.64 грн
100+	337.88 грн
250+	318.38 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB065N15N3GATMA1

товар відсутній

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

товар відсутній

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Old Part IPB065N15N3GE8187XT^INFINEON

товар відсутній

IPB065N15N3GE8197ATMA1

SP001227194

товар відсутній

IPB065N15N3GE8197ATMA1

SP001227194

товар відсутній

IPB067N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	163.14 грн
10+	133.31 грн
100+	92.02 грн
500+	86.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	69.82 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB067N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 136W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 5515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.4 грн
10+	170.19 грн
100+	135.44 грн
500+	107.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB067N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	100.98 грн
2000+	92.38 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB068N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

товар відсутній

IPB068N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	597.22 грн
10+	492.68 грн
100+	410.54 грн
500+	339.95 грн

IPB068N20NM6ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 1316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	642.42 грн
10+	542.42 грн
25+	428.2 грн
100+	393.42 грн
250+	370.24 грн
500+	355.75 грн
1000+	302.13 грн

IPB068N20NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB06CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB06CN10NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06CN10NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06CNE8NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06CNE8NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03

TO-263

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPB06N03LA

0237+ TO-263

на замовлення 990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

07+;

на замовлення 442 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB06N03LA

0544+

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA G

товар відсутній

IPB06N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 50A D2PAK-2

товар відсутній

IPB06N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LAT

товар відсутній

IPB06N03LAT

Infineon

товар відсутній

IPB06N03LB

Infineon

товар відсутній

IPB06N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB06N03LB G

TO-263

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LBG

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товар відсутній

IPB06P001LATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB070N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB070N06L G

MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB070N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06LG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06LGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB070N06N G

Description: MOSFET N-CHAN D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB070N06NG

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товар відсутній

IPB070N06NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06NGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB072N15N3 G

MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 4608 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	421.8 грн
10+	349.12 грн
25+	286.19 грн
100+	245.62 грн
250+	231.85 грн
500+	218.08 грн
1000+	186.93 грн

IPB072N15N3 G

на замовлення 83000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB072N15N3 G E8187

MOSFET PG-TO263-3-2

товар відсутній

IPB072N15N3G

N-MOSFET 150V 100A 300W 7.2mΩ IPB072N15N3G Infineon TIPB072n15n3g
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	207.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB072N15N3G

N-MOSFET 150V 100A 300W 7.2mΩ IPB072N15N3G Infineon TIPB072n15n3g
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	207.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB072N15N3G

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	436.6 грн
30+	417.85 грн
50+	401.93 грн
100+	374.42 грн
250+	336.17 грн
500+	313.94 грн

Мінімальне замовлення: 29

IPB072N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

на замовлення 2578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	176.71 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	498.78 грн
29+	428.07 грн
31+	399.15 грн
100+	331.65 грн
250+	288.87 грн
500+	259.9 грн
1000+	195.57 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPB072N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 9628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	336.49 грн
50+	289.35 грн
200+	252.83 грн
500+	219.45 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB072N15N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	570.34 грн
30+	415.74 грн
50+	368.74 грн
100+	334.42 грн
200+	291.92 грн
500+	260.55 грн
1000+	245.33 грн
2000+	244.44 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	153.84 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB072N15N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	421.8 грн
10+	349.95 грн
100+	246.34 грн
500+	218.81 грн
1000+	186.93 грн
2000+	176.06 грн

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	463.15 грн
10+	397.5 грн
25+	370.64 грн
100+	307.96 грн
250+	268.24 грн
500+	241.33 грн
1000+	181.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB072N15N3GATMA1

на замовлення 9628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	468.97 грн
10+	336.49 грн
50+	289.35 грн
200+	252.83 грн
500+	219.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB072N15N3GATMA1

товар відсутній

IPB072N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

на замовлення 2578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	434.98 грн
10+	281.36 грн
100+	203.41 грн
500+	159.7 грн

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	281.27 грн
46+	269.18 грн
50+	258.93 грн
100+	241.21 грн
250+	216.56 грн
500+	202.25 грн
1000+	197.3 грн

Мінімальне замовлення: 44

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	285.44 грн
10+	260.48 грн
25+	257.44 грн
100+	220.59 грн
250+	176.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB073N15N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
On-state resistance: 7.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	437.44 грн
34+	365.49 грн
100+	287.78 грн
250+	264.28 грн

Мінімальне замовлення: 29

IPB073N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	338.12 грн
100+	273.91 грн
500+	230.19 грн
1000+	181.13 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB073N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 2325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	404.42 грн
10+	260.3 грн
100+	187.31 грн
500+	146.49 грн

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	569.3 грн
30+	414.69 грн
50+	367.69 грн
100+	333.41 грн
200+	290.99 грн
500+	260.55 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPB073N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	347.06 грн
10+	286.1 грн
50+	251.15 грн
200+	221.89 грн
500+	191.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB073N15N5ATMA1

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	160.05 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 12316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.45 грн
10+	249.96 грн
25+	216.64 грн
100+	182.58 грн
500+	159.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB075N04LG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB075N04LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB075N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB075N04LGATMA1