Продукція > IPB

товар відсутній

IPB009N03L G

MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1880 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB009N03LGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	336.46 грн
10+	298.41 грн
100+	212.5 грн
500+	181.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB009N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 180A
On-state resistance: 0.95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

товар відсутній

IPB009N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25000 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB010N06N

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB010N06N

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	569.2 грн
10+	481.28 грн
25+	379.47 грн
100+	349.11 грн
250+	328.15 грн
500+	307.91 грн
1000+	263.82 грн

IPB010N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 1323 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	504.27 грн
10+	437.22 грн
25+	378.75 грн
100+	325.26 грн
250+	322.37 грн
500+	291.29 грн
1000+	268.16 грн

IPB010N06NATMA1

Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	568.39 грн
10+	427.31 грн
50+	379.47 грн
200+	343.33 грн
500+	288.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	254.67 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	297.22 грн
2000+	268.19 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

товар відсутній

IPB010N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 30 V

на замовлення 4940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	523.86 грн
10+	432.48 грн
100+	360.42 грн
500+	298.44 грн

IPB011N04L G

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1895 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	376.1 грн
10+	311.71 грн
25+	255.15 грн
100+	219.01 грн
250+	206.72 грн
500+	195.16 грн
1000+	165.52 грн

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	199.45 грн
10+	185.03 грн
25+	184.19 грн
100+	160.35 грн
250+	146.98 грн
500+	119.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB011N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	161.09 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3676 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

47+	264.61 грн
50+	257.46 грн
500+	255.41 грн
1000+	222.65 грн

Мінімальне замовлення: 47

IPB011N04LGATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 696 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	305.26 грн
10+	260.17 грн
25+	225.51 грн
100+	189.37 грн
250+	188.65 грн
500+	166.24 грн
1000+	161.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

58+	214.79 грн
62+	198.36 грн
100+	172.68 грн
250+	158.28 грн
500+	128.55 грн

Мінімальне замовлення: 58

IPB011N04LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04LGATMA1

товар відсутній

IPB011N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29000 pF @ 20 V

на замовлення 2111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	408.14 грн
10+	262.84 грн
100+	189.01 грн
500+	147.75 грн

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	196.47 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04N

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB011N04N (транзисторы)
Код товару: 50026

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

IPB011N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 4787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	261.41 грн
10+	216.12 грн
25+	187.21 грн
100+	152.51 грн
250+	151.79 грн
500+	135.89 грн
1000+	114.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	123.17 грн
104+	118.27 грн
106+	116.63 грн
110+	107.74 грн
250+	98.22 грн
500+	87.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB011N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB011N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 201 A, 740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 201A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 740µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	264.33 грн
10+	187.3 грн
100+	151.63 грн
500+	112.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB011N04NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 266 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	244.55 грн
10+	203.65 грн
25+	166.97 грн
100+	142.39 грн
250+	135.16 грн
500+	127.21 грн
800+	108.42 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 783 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	114.37 грн
10+	109.82 грн
25+	108.3 грн
100+	100.04 грн
250+	91.21 грн
500+	81.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB011N04NF2SATMA1

на замовлення 594 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	151.63 грн
500+	112.94 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB011N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 201A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V

на замовлення 723 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	289.29 грн
10+	183.64 грн
100+	129.51 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NG

на замовлення 15 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	143.6 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

Description: INFINEON - IPB011N04NGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 900µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	295.95 грн
10+	236.76 грн
100+	194.6 грн
500+	153.6 грн
1000+	139 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB011N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 5166 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	304.15 грн
10+	193.2 грн
100+	136.63 грн
500+	105.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB011N04NGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	75.47 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	125.29 грн
2000+	119.17 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	139.93 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	109.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	349.4 грн
50+	247.24 грн
60+	207.39 грн
100+	189.15 грн
200+	174.23 грн
500+	151.5 грн
1000+	142.74 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	116.5 грн
2000+	110.81 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB011N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	129.93 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB012N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB012N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 197 A, 820 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 197A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 820µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	246.49 грн
10+	181.63 грн
100+	133.79 грн
500+	109.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB012N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	212.67 грн
10+	169.71 грн
100+	135.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

130+	94.78 грн
136+	90.69 грн
137+	90.14 грн
144+	82.12 грн
250+	74.2 грн
500+	62.35 грн

Мінімальне замовлення: 130

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB012N04NF2SATMA1

на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	133.79 грн
500+	109.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB012N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 189µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 239 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 20 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	118.69 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB012N04NF2SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 293 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	227.68 грн
10+	186.19 грн
100+	129.38 грн
250+	119.26 грн
500+	108.42 грн
800+	91.8 грн
2400+	87.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB012N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	88.01 грн
10+	84.21 грн
25+	83.7 грн
100+	76.25 грн
250+	68.9 грн
500+	57.9 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPB013N06NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 698 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	299.36 грн
10+	248.53 грн
25+	203.83 грн
100+	174.19 грн
250+	164.8 грн
500+	155.4 грн
800+	132.27 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB013N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	344.02 грн
10+	219.7 грн
100+	156.36 грн

IPB013N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB013N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	113.84 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB014N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

245+	50.19 грн
246+	50.04 грн
256+	47.92 грн
261+	45.4 грн
500+	38.05 грн

Мінімальне замовлення: 245

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	48.13 грн
14+	46.61 грн
25+	46.46 грн
100+	42.91 грн
250+	39.04 грн
500+	33.92 грн

Мінімальне замовлення: 13

IPB014N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB014N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 191 A, 0.00103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00103ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.7 грн
500+	59.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	178.27 грн
10+	110.75 грн
100+	75.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB014N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N04NF2SATMA1

на замовлення 788 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	154.06 грн
10+	116.76 грн
100+	82.7 грн
500+	59.63 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB014N04NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.75 грн
10+	121.36 грн
100+	75.89 грн
250+	75.17 грн
500+	71.27 грн
800+	52.69 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB014N06N

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	315.38 грн
10+	261 грн
25+	214.67 грн
100+	183.59 грн
250+	173.47 грн
500+	164.08 грн
1000+	138.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB014N06N

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6

на замовлення 584 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.54 грн
10+	261 грн
100+	183.59 грн
500+	163.35 грн
1000+	139.5 грн
2000+	131.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB014N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

на замовлення 2708 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	348.72 грн
10+	223.39 грн
100+	159.29 грн
500+	123.78 грн

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 26000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	95.29 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB014N06NATMA1

товар відсутній

IPB014N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 34A/180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 30 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	131.68 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB014N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB014N06NE8197ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R (incomplete reels from part IPB014N06NATMA1)

товар відсутній

IPB015N04L G

MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V

на замовлення 1499 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	400.32 грн
10+	258.1 грн
100+	185.39 грн
500+	144.8 грн

IPB015N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 346 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	125.65 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04N
Код товару: 62499

товар відсутній

IPB015N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	324.66 грн
10+	268.48 грн
25+	220.45 грн
100+	188.65 грн
250+	177.81 грн
500+	168.41 грн
1000+	142.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N04NGATMA1

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	169.78 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 3145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	357.32 грн
10+	228.96 грн
100+	163.53 грн
500+	127.21 грн

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	161.34 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

MOSFETs N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	387.06 грн
10+	261.83 грн
100+	162.63 грн
500+	135.16 грн

IPB015N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	135.93 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB015N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	150.19 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N06NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 709 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.23 грн
10+	166.24 грн
100+	114.93 грн
250+	110.59 грн
500+	104.81 грн
800+	75.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

на замовлення 666 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	238.47 грн
10+	149.76 грн
100+	104.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB015N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.0012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	225.41 грн
10+	166.22 грн
100+	126.49 грн
500+	101.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB015N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 186µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB015N06NF2SATMA1

на замовлення 803 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	126.49 грн
500+	101.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB015N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	253.56 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB015N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB015N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0011 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm

на замовлення 2285 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	582.99 грн
10+	458.12 грн
100+	389.2 грн
500+	321.5 грн
1000+	264.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB015N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-2

на замовлення 4963 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	564.99 грн
10+	427.25 грн
25+	359.23 грн
100+	263.82 грн
500+	252.98 грн

IPB015N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 222 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 3790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	569.99 грн
10+	374.43 грн
100+	275.24 грн
500+	229.14 грн

IPB015N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB015N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB016N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	302.73 грн
10+	251.03 грн
25+	206 грн
100+	177.09 грн
250+	166.97 грн
500+	157.57 грн
1000+	133 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	131.86 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB016N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	145.49 грн
2000+	131.92 грн
5000+	126.56 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB016N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	142.76 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	84.33 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	161.13 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	184.95 грн
10+	170.53 грн
25+	164.77 грн
100+	143.22 грн
250+	108.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB016N06L3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	292.61 грн
10+	245.21 грн
25+	201.66 грн
100+	168.41 грн
250+	159.02 грн
500+	157.57 грн
1000+	133 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	199.18 грн
67+	183.65 грн
70+	177.44 грн
100+	154.24 грн
250+	116.54 грн

Мінімальне замовлення: 62

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB016N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPB016N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	349.47 грн
10+	313.79 грн
100+	257.03 грн
500+	203.29 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB016N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 9363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	281.48 грн
10+	227.53 грн
100+	184.07 грн
500+	153.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB016N06L3GATMA1

товар відсутній

IPB016N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	302.59 грн
10+	244.62 грн
100+	197.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N08NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 695 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	328.87 грн
10+	271.81 грн
25+	229.13 грн
100+	191.54 грн
250+	185.76 грн
500+	174.19 грн
800+	137.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB016N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB016N08NF2SATMA1

SP005571685

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	115.53 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB017N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 771 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.59 грн
10+	228.59 грн
25+	187.93 грн
100+	161.18 грн
250+	151.79 грн
500+	143.11 грн
1000+	122.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 3397 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	317.44 грн
10+	202.31 грн
100+	143.44 грн
500+	110.99 грн

IPB017N06N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 3291 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	276.59 грн
10+	229.42 грн
25+	198.77 грн
100+	143.11 грн
500+	117.82 грн
1000+	115.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N06N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB017N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	299.2 грн
10+	211.63 грн
100+	171.09 грн
500+	150.58 грн
1000+	116.76 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB017N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB017N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	115.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

IPB017N06N3GXT

MOSFETs N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB017N08N5

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	486.56 грн
10+	410.62 грн
25+	323.81 грн
100+	297.07 грн
250+	279.72 грн
500+	262.38 грн
1000+	235.63 грн

IPB017N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	522.83 грн
10+	380.7 грн
25+	328.87 грн
100+	245.03 грн
500+	225.51 грн

IPB017N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 177A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB017N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 2137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	523.86 грн
10+	342.28 грн
100+	250.25 грн
500+	204.66 грн

IPB017N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB017N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB017N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	364.88 грн
100+	314.6 грн
500+	274.06 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB017N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	226.47 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N08N5ATMA1

на замовлення 719 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	516.5 грн
10+	364.88 грн
100+	314.6 грн
500+	274.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N10N5

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	642.91 грн
25+	615.29 грн
50+	591.85 грн
100+	551.35 грн
250+	495.03 грн
500+	462.29 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB017N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB017N10N5

на замовлення 987 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB017N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB017N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	599.21 грн
10+	454.88 грн
50+	392.44 грн
200+	356.13 грн
500+	296.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N10N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-2

на замовлення 5885 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	515.24 грн
10+	359.09 грн
100+	227.68 грн
500+	202.38 грн

IPB017N10N5ATMA1

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	483.2 грн
10+	314.27 грн
100+	228.63 грн
500+	183.76 грн

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

на замовлення 3639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	454.88 грн
50+	392.44 грн
200+	356.13 грн
500+	296.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB017N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 279µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	203.35 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB017N10N5E8187ATMA1

OptiMOS5Power-Transistor,100VPG-TO 263-7

товар відсутній

IPB017N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	617.95 грн
28+	451.22 грн
50+	400.16 грн
100+	361.75 грн
200+	316.35 грн
500+	283.15 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB017N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB017N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB017N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 7680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	665.69 грн
10+	539.2 грн
50+	466.23 грн
200+	409.59 грн
500+	355.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB017N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	614.55 грн

IPB017N10N5LFATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 10109 шт:

термін постачання 161-170 дні (днів)

1+	660.28 грн
10+	462.99 грн
100+	297.79 грн
500+	278.28 грн

IPB017N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB017N10N5LFATMA1

на замовлення 7680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	539.2 грн
50+	466.23 грн
200+	409.59 грн
500+	355.84 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB018N06NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB018N06NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 187 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	94.87 грн
500+	78.3 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	69.8 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB018N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	70.24 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB018N06NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	161.06 грн
10+	132.16 грн
100+	91.07 грн
250+	83.84 грн
500+	76.62 грн
800+	65.27 грн
2400+	62.02 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	57.51 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB018N06NF2SATMA1

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	175.95 грн
10+	131.36 грн
100+	94.87 грн
500+	78.3 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	163.81 грн
91+	136.14 грн
92+	134.68 грн
113+	105.44 грн
250+	90.31 грн
500+	60.5 грн

Мінімальне замовлення: 75

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 23200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	75.36 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB018N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 129µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 30 V

на замовлення 442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	147.77 грн
10+	117.76 грн
100+	93.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB018N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	152.11 грн
10+	126.42 грн
25+	125.06 грн
100+	97.9 грн
250+	83.86 грн
500+	56.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB018N10N5ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 1024 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	536.32 грн
10+	453.01 грн
25+	357.79 грн
100+	328.15 грн
250+	309.36 грн
500+	289.84 грн
1000+	260.93 грн

IPB018N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A T/R

товар відсутній

IPB018N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	564.51 грн
10+	370.28 грн
100+	271.98 грн

IPB018N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB018N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 176 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 176A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 1219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	578.94 грн
5+	501.91 грн
10+	424.07 грн
50+	372.69 грн
100+	323.87 грн
250+	314.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB018N10N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.83mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB018N10N5ATMA1

на замовлення 1219 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	424.07 грн
50+	372.69 грн
100+	323.87 грн
250+	314.14 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB019N06L3 G

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 677 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	284.18 грн
10+	235.24 грн
25+	192.99 грн
100+	165.52 грн
250+	156.85 грн
500+	148.17 грн
1000+	125.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N06L3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 6119 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	283.34 грн
10+	234.4 грн
25+	192.26 грн
100+	146.01 грн
500+	119.98 грн
1000+	118.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 7726 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.36 грн
10+	210.52 грн
100+	170.32 грн
500+	142.08 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	82.56 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar

на замовлення 948 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.52 грн
5+	124.23 грн
8+	118.21 грн
21+	111.43 грн
100+	107.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB019N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	134.62 грн
2000+	122.06 грн
5000+	117.11 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N06L3GATMA1

на замовлення 948 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	172.22 грн
5+	154.81 грн
8+	141.85 грн
21+	133.72 грн
100+	129.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N08N3 G

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB019N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1006 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	481.51 грн
10+	406.47 грн
25+	320.92 грн
100+	294.18 грн
250+	277.56 грн
500+	260.21 грн
1000+	222.62 грн

IPB019N08N3G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB019N08N3G

товар відсутній

IPB019N08N3G

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	509.18 грн
26+	487.31 грн
50+	468.74 грн
100+	436.66 грн
250+	392.05 грн
500+	366.13 грн
1000+	357.17 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	151.79 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	270.92 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 944 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	382.84 грн
10+	310.05 грн
25+	266.71 грн
100+	222.62 грн

IPB019N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 7602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	519.16 грн
10+	339.11 грн
100+	247.84 грн
500+	202.31 грн

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	248.59 грн
2000+	240.44 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	253.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB019N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB019N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 180 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	448.39 грн
10+	357.58 грн
100+	308.93 грн
500+	257.5 грн
1000+	209.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	223.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	465.82 грн
32+	393.91 грн
50+	300.12 грн
200+	271.31 грн
500+	221.44 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPB019N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	273.12 грн

Мінімальне замовлення: 45

IPB019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB019N08N5ATMA1

Trench Power Transistor IC

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	129.86 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB019N08N5ATMA1

Trench Power Transistor IC

товар відсутній

IPB019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

на замовлення 581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	424.56 грн
10+	274.66 грн
100+	198.22 грн
500+	155.38 грн

IPB019N08N5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB019N08NF2SATMA1

SP005571690

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	86.01 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB019N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB019N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 166 A, 0.0016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	271.63 грн
10+	197.03 грн
100+	159.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB019N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	132.2 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB019N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB019N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 30400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	128.72 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB019N08NF2SATMA1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	159.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB019N08NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 1098 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	281.65 грн
10+	206.97 грн
25+	177.81 грн
100+	129.38 грн
500+	127.94 грн
800+	102.64 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB019N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	125.37 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB019N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V

на замовлення 257 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	290.86 грн
10+	184.62 грн
100+	130.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N04N G

MOSFETs N-Ch 40V 140A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 899 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.97 грн
10+	126.35 грн
100+	86.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB020N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V

на замовлення 3448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	258.02 грн
10+	162.48 грн
100+	113.79 грн
500+	87.22 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 20 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	89.55 грн
2000+	84.12 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	114.96 грн
10+	110.22 грн
25+	108.79 грн
100+	99.6 грн
250+	89.87 грн
500+	83.03 грн
1000+	80.14 грн
3000+	79.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB020N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N04NGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; 167W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB020N04NGATMA1

товар відсутній

IPB020N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	102.88 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB020N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	150 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB020N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

на замовлення 5191 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.36 грн
10+	166.77 грн
100+	131.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N08N5ATMA1

на замовлення 1449 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	199.46 грн
10+	150 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB020N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	136.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	201.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB020N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.37 грн
10+	191.18 грн
100+	136.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB020N10N5

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	492.47 грн
10+	415.61 грн
25+	328.15 грн
100+	301.41 грн
250+	283.34 грн
500+	273.22 грн
1000+	231.3 грн

IPB020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB020N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	394.06 грн
50+	362.44 грн
200+	316.22 грн
500+	273.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 2427 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	527.77 грн
10+	345.36 грн
100+	252.67 грн
500+	207.01 грн

IPB020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N10N5ATMA1

на замовлення 2531 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	555.42 грн
10+	394.06 грн
50+	362.44 грн
200+	316.22 грн
500+	273.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	229.07 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020N10N5ATMA1

товар відсутній

IPB020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	420.98 грн
10+	363.76 грн
25+	348.28 грн
100+	269.46 грн
250+	240.29 грн
500+	217.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 1193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	491.62 грн
10+	415.61 грн
100+	302.13 грн
500+	265.99 грн
1000+	265.27 грн
2000+	256.59 грн
5000+	228.4 грн

IPB020N10N5LF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB020N10N5LF

товар відсутній

IPB020N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB020N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	675.42 грн
5+	604.88 грн
10+	534.34 грн
50+	454.76 грн
100+	381.56 грн
250+	373.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB020N10N5LFATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	651.85 грн

Мінімальне замовлення: 19

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	605.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	926.41 грн
15+	837.83 грн
50+	745.09 грн
100+	654.17 грн
200+	585.24 грн
500+	516.28 грн
1000+	467.15 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPB020N10N5LFATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	573.42 грн
10+	483.77 грн
25+	381.64 грн
100+	350.56 грн
250+	330.32 грн
500+	309.36 грн
1000+	278.28 грн

IPB020N10N5LFATMA1

на замовлення 1510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	534.34 грн
50+	454.76 грн
100+	381.56 грн
250+	373.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB020N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 176A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 50 V

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	593.44 грн
10+	390.24 грн
100+	287.54 грн

IPB020N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020NE7N3 G

MOSFETs N-Ch 75V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2841 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	415.73 грн
10+	320.85 грн
25+	278.28 грн
100+	220.45 грн
250+	209.61 грн

IPB020NE7N3 G

Rochester Electronics, LLC

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB020NE7N3G

Description: IPB020NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

на замовлення 5372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	201.7 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 7859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	468.34 грн
10+	378.34 грн
100+	306.09 грн
500+	255.34 грн

IPB020NE7N3GATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB020NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	241.93 грн
2000+	219.37 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB020NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB021N06N3 G

Rochester Electronics, LLC

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB021N06N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB021N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB021N06N3GXT

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB022N04L G

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB022N04LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V

на замовлення 1840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

335+	66.6 грн

Мінімальне замовлення: 335

IPB022N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB022N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB022N04LGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB022N12NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB022N12NM6ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	558.24 грн
10+	417.27 грн
25+	354.89 грн
100+	265.99 грн
500+	234.91 грн

IPB023N04N G

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	68.16 грн
10+	64.58 грн
25+	64.12 грн
100+	57.69 грн
250+	52.03 грн
500+	42.64 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPB023N04NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB023N04NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 122 A, 0.0019 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	158.92 грн
10+	120 грн
100+	85.95 грн
500+	61.66 грн
1000+	52.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	51.35 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	66.19 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

на замовлення 761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.83 грн
10+	111.88 грн
100+	76.71 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

177+	69.55 грн
178+	69.05 грн
191+	64.43 грн
250+	60.52 грн
500+	47.84 грн

Мінімальне замовлення: 177

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	65.78 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB023N04NF2SATMA1

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.95 грн
500+	61.66 грн
1000+	52.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB023N04NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.51 грн
10+	117.2 грн
100+	81.68 грн
250+	75.17 грн
500+	67.87 грн
800+	58.04 грн
2400+	55.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB023N04NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB023N04NF2SATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB023N04NGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB023N06N3 G

MOSFET N-Ch 60V 140A D2PAK-6

на замовлення 393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB023N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

товар відсутній

IPB023N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

товар відсутній

IPB023N06N3GXT

Trans MOSFET N-CH 60V 140A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	128.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	98.66 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB024N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1001 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	235.27 грн
10+	186.19 грн
25+	161.18 грн
100+	135.16 грн
250+	134.44 грн
500+	129.38 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	177.67 грн
10+	171.37 грн
25+	169.7 грн
100+	161.88 грн
250+	148.26 грн
500+	140.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB024N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	170.41 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB024N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB024N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	129.73 грн
10+	128.92 грн
100+	128.11 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB024N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	285.38 грн
10+	230.92 грн
100+	186.81 грн
500+	155.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

65+	191.33 грн
67+	184.55 грн
68+	182.75 грн
100+	174.33 грн
250+	159.67 грн
500+	151.6 грн

Мінімальне замовлення: 65

IPB024N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB024N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 161 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 161A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	262.71 грн
10+	210.01 грн
25+	178.38 грн
100+	136.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB024N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB024N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N08NF2SATMA1

на замовлення 690 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	136.28 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB024N08NF2SATMA1

SP005571694

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	78.59 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB024N08NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 269 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	269.85 грн
10+	198.66 грн
25+	171.3 грн
100+	124.32 грн
800+	97.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

на замовлення 725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	215.8 грн
10+	174.45 грн
100+	141.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 29600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	122.46 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB024N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 183µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 50 V

на замовлення 463 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.82 грн
10+	263.97 грн
100+	213.54 грн

IPB024N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB024N10N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 2949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	355.86 грн
10+	281.78 грн
25+	242.14 грн
100+	175.64 грн
500+	165.52 грн
1000+	148.17 грн

IPB024N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	501.1 грн
10+	360.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB024N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 183µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10200 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB024N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB024N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	360.82 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB024N10N5E8197ATMA1

IPB024N10N5E8197ATMA1

товар відсутній

IPB025N08N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB025N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 7807 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	349.11 грн
10+	271.81 грн
25+	214.67 грн
100+	181.42 грн

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	458.52 грн
32+	388.69 грн
50+	295.95 грн
200+	268.3 грн
500+	217.72 грн
1000+	203.65 грн

Мінімальне замовлення: 27

IPB025N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 13000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	181.71 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	499.79 грн
100+	477.13 грн
250+	437.41 грн
500+	415.64 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPB025N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB025N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V

на замовлення 14109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	439.41 грн
10+	284.6 грн
100+	205.99 грн
500+	164.22 грн

IPB025N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 900 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	473.27 грн
10+	422.12 грн
25+	418.02 грн
100+	328.59 грн
250+	301.2 грн
500+	244.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 5592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	364.88 грн
10+	257.84 грн
100+	227.84 грн
500+	188.98 грн
1000+	159.85 грн
2000+	151.51 грн
5000+	143.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB025N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1106 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	488.25 грн
10+	404.8 грн
25+	331.77 грн
100+	284.78 грн
250+	268.88 грн
500+	254.43 грн
1000+	215.39 грн

IPB025N10N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 3914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	502.59 грн
10+	360.75 грн
100+	228.4 грн
500+	203.83 грн

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	385.75 грн
10+	338.79 грн
25+	335.25 грн
50+	317.39 грн
100+	248.18 грн
250+	237.98 грн
500+	187.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 6908 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	479.29 грн
10+	312.31 грн
100+	227.25 грн
500+	184.69 грн

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	616.05 грн
26+	476.09 грн
50+	430.11 грн
100+	393.08 грн
200+	345.72 грн
500+	327.51 грн
1000+	309.12 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 806 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	232.58 грн
2000+	220.81 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 527 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

1+	436.88 грн
3+	379.05 грн
4+	280.99 грн
11+	265.63 грн
1050+	261.11 грн

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	410.65 грн
34+	360.67 грн
35+	356.9 грн
50+	337.89 грн
100+	264.21 грн
250+	253.35 грн
500+	200.14 грн

Мінімальне замовлення: 30

IPB025N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 6735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	204.37 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	229.88 грн
2000+	218.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB025N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 12771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	559.48 грн
10+	405.42 грн
100+	328.39 грн
500+	286.11 грн
1000+	224.48 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	177.93 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 63000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	247.57 грн
2000+	235.06 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1

на замовлення 527 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	364.06 грн
3+	304.18 грн
4+	234.16 грн
11+	221.36 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB025N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	247.59 грн
2000+	235.08 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB025N10N3GATMA1
Код товару: 133145

очікується 300 шт:

300 шт - очікується

1+	240 грн
10+	215 грн

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB025N10N3GE818XT

MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6

товар відсутній

IPB025N10N3GE8197ATMA1

SP001227196

товар відсутній

IPB025N10N3GE8197ATMA1

SP001227196

товар відсутній

IPB026N06N

MOSFETs N-Ch 60V 100A D2PAK-2

на замовлення 1501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.52 грн
10+	152.11 грн
100+	104.81 грн
250+	96.86 грн
500+	88.9 грн
1000+	74.45 грн
2000+	71.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB026N06N

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

на замовлення 1928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB026N06N

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

на замовлення 1928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB026N06N

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	52.96 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB026N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB026N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	71.65 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

59+	211.09 грн
65+	189.22 грн
66+	187.32 грн
100+	146.7 грн
250+	134.48 грн
500+	109.91 грн
1000+	89.95 грн

Мінімальне замовлення: 59

IPB026N06NATMA1

товар відсутній

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB026N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

на замовлення 2911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.45 грн
10+	136.58 грн
100+	108.71 грн
500+	86.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	196.01 грн
10+	175.7 грн
25+	173.94 грн
100+	136.22 грн
250+	124.87 грн
500+	102.06 грн
1000+	83.53 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB026N06NATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 100A D2PAK-2

на замовлення 1116 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	146.73 грн
10+	118.03 грн
100+	89.63 грн
250+	80.23 грн
500+	71.92 грн
1000+	69.61 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB026N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB026N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB026N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	252.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB026N10NF2SATMA1

SP005571706

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	105.41 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB026N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	121.75 грн
1600+	116.94 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB026N10NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 784 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	290.08 грн
10+	240.22 грн
25+	203.11 грн
100+	169.14 грн
250+	164.08 грн
500+	155.4 грн
800+	128.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB026N10NF2SATMA1

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	382.71 грн
10+	308.12 грн
100+	252.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB026N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

на замовлення 2024 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	328.39 грн
10+	209.69 грн
100+	149.02 грн

IPB027N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 7334 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	266.47 грн
10+	261.83 грн
1000+	203.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB027N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	350.1 грн
37+	335.05 грн
50+	322.29 грн
100+	300.23 грн
250+	269.56 грн
500+	251.74 грн
1000+	245.58 грн

Мінімальне замовлення: 36

IPB027N10N3 G

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB027N10N3G

UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)

товар відсутній

IPB027N10N3G

UMW

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	472.36 грн
10+	405.12 грн
25+	394.65 грн
100+	311.54 грн
250+	232.29 грн
500+	169.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB027N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4371 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	258.66 грн
50+	253.79 грн
200+	230.39 грн
500+	208.5 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB027N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB027N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 9264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	351.84 грн
10+	228.96 грн
100+	197.26 грн

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	247.37 грн

Мінімальне замовлення: 50

IPB027N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	370.55 грн
10+	279.74 грн
50+	226.22 грн
200+	207.8 грн
500+	189.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

54+	227.89 грн
56+	219.21 грн
100+	211.77 грн
250+	198.01 грн
500+	178.35 грн

Мінімальне замовлення: 54

IPB027N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	204.86 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB027N10N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	365.98 грн
10+	261.83 грн
100+	203.83 грн

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 11000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	148.41 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB027N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	536.68 грн
32+	390.78 грн
50+	347.02 грн
100+	314.52 грн
200+	274.47 грн
500+	245.64 грн
1000+	230.45 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPB027N10N3GATMA1

товар відсутній

IPB027N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	403.98 грн
10+	342.81 грн
25+	328.77 грн
100+	267.19 грн
250+	238.66 грн
500+	178.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2064 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	474.14 грн
31+	401.21 грн
50+	305.33 грн
100+	293.42 грн
200+	255.87 грн
500+	216.16 грн
1000+	210.8 грн
2000+	202.76 грн

Мінімальне замовлення: 26

IPB027N10N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 120A D2PAK-2

на замовлення 669 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	338.15 грн
10+	278.46 грн
25+	235.63 грн
100+	185.76 грн
500+	157.57 грн

IPB027N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB027N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	298.39 грн
50+	261.9 грн
200+	240.93 грн
500+	202.94 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

48+	260.6 грн

Мінімальне замовлення: 48

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	158.86 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB027N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

на замовлення 1139 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	393.25 грн
10+	298.39 грн
50+	261.9 грн
200+	240.93 грн
500+	202.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB027N10N5ATMA1

товар відсутній

IPB027N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	285.74 грн
45+	273.47 грн
50+	263.05 грн
100+	245.05 грн
250+	220.01 грн
500+	205.47 грн

Мінімальне замовлення: 43

IPB027N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V

на замовлення 2200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	401.88 грн
10+	258.7 грн
100+	186.08 грн
500+	145.5 грн

IPB029N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1935 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	166.12 грн
10+	136.32 грн
100+	93.96 грн
250+	86.74 грн
500+	79.51 грн
1000+	67 грн
2000+	64.47 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 29169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.46 грн
10+	87.56 грн
100+	69.7 грн
500+	59.05 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 4037 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.06 грн
10+	96.42 грн
100+	66.5 грн
500+	62.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06N3GATMA1
Код товару: 150736

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	78.7 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPB029N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	65.35 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB029N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	42.33 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB029N06N3GE8187ATMA1

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A T/R

товар відсутній

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A T/R

товар відсутній

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB029N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	73.75 грн
1600+	60.26 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB029N06NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 855 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	143.36 грн
10+	118.03 грн
100+	81.68 грн
250+	75.17 грн
500+	68.59 грн
800+	58.4 грн
2400+	55.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V

на замовлення 1613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.36 грн
10+	105.41 грн
100+	83.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB029N06NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB029N15NM6ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 48-57 дні (днів)

1+	669.55 грн
10+	566.06 грн
25+	446.69 грн
100+	409.83 грн
250+	385.98 грн
500+	370.8 грн
1000+	314.42 грн

IPB030N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 2669 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.54 грн
10+	260.17 грн
25+	215.39 грн
100+	182.87 грн
250+	172.75 грн
500+	162.63 грн
1000+	131.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB030N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	131.69 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB030N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	87.7 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB030N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

IPB030N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 2713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	348.72 грн
10+	223.39 грн
100+	159.3 грн
500+	123.79 грн

IPB030N08N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB030N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 2267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	338.93 грн
10+	242.44 грн
100+	194.6 грн
500+	170.16 грн
1000+	126.49 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB030N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB031N08N5

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 744 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	224.31 грн
10+	185.36 грн
25+	152.51 грн
100+	130.1 грн
250+	123.6 грн
500+	116.37 грн
1000+	99.75 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB031N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

на замовлення 5372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	206.42 грн
10+	166.85 грн
100+	135 грн
500+	112.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB031N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB031N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	138.65 грн
500+	121.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB031N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB031N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	106.7 грн
2000+	96.75 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB031N08N5ATMA1

на замовлення 736 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	243.25 грн
10+	171.09 грн
100+	138.65 грн
500+	121.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB031N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB031N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB031N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A D2PAK-2

на замовлення 1052 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.15 грн
10+	186.19 грн
25+	153.96 грн
100+	130.83 грн
250+	127.21 грн
500+	116.37 грн
1000+	94.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB031NE7N3 G

Rochester Electronics, LLC

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	363.45 грн
10+	322.51 грн
100+	229.85 грн
500+	195.16 грн

IPB031NE7N3 G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB031NE7N3G

Description: IPB031NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P

товар відсутній

IPB031NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB031NE7N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB031NE7N3GATMA1

MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 315-324 дні (днів)

1+	375.25 грн
10+	330.83 грн
100+	235.63 грн
250+	221.9 грн

IPB031NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 874 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	133.35 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB031NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3-2

на замовлення 3216 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB031NE7N3GATMA1

товар відсутній

IPB032N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V

на замовлення 1432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	282.26 грн
10+	228.21 грн
100+	184.57 грн
500+	153.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB032N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	316.22 грн
100+	255.41 грн
500+	223.62 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB032N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 125µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	145.88 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB032N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB032N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 166 A, 0.0028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 555 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	441.09 грн
10+	316.22 грн
100+	255.41 грн
500+	223.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB032N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 166A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	342.92 грн
10+	309.4 грн
25+	295.35 грн
100+	253.83 грн
250+	223.73 грн
500+	199.22 грн
1000+	188.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB032N10N5ATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB032N10N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 1170 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	303.58 грн
10+	251.03 грн
25+	206.72 грн
100+	177.09 грн
250+	167.69 грн
500+	157.57 грн
1000+	156.85 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB033N10N5LF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Power dissipation: 179W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB033N10N5LF

товар відсутній

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	534.12 грн
28+	446.17 грн
29+	431.54 грн
100+	342.68 грн
250+	314.08 грн
500+	279.03 грн
1000+	222.5 грн

Мінімальне замовлення: 23

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB033N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V

на замовлення 3366 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	424.56 грн
10+	274.66 грн
100+	198.27 грн
500+	155.43 грн

IPB033N10N5LFATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 5482 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	392.12 грн
10+	299.24 грн
25+	258.76 грн
100+	197.32 грн
500+	171.3 грн

IPB033N10N5LFATMA1

Description: INFINEON - IPB033N10N5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 4854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	332.44 грн
50+	269.2 грн
200+	231.15 грн
500+	189.74 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB033N10N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	171.45 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB033N10N5LFATMA1

на замовлення 4854 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	438.66 грн
10+	332.44 грн
50+	269.2 грн
200+	231.15 грн
500+	189.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB033N10N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 159A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	495.97 грн
10+	414.31 грн
25+	400.72 грн
100+	318.2 грн
250+	291.65 грн
500+	259.1 грн
1000+	206.61 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB034N03L G

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB034N03LG

07+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB034N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB034N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	93.87 грн
10+	92.94 грн
25+	92.01 грн
100+	87.83 грн
250+	80.52 грн
500+	68.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPB034N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

IPB034N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB034N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB034N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

товар відсутній

IPB034N06L3 G

MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB034N06L3GATMA1

Description: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	160.54 грн
10+	120.81 грн
50+	94.06 грн
200+	80.56 грн
500+	67.62 грн

Мінімальне замовлення: 6

IPB034N06L3GATMA1

MOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB034N06L3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB034N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 1062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	191.56 грн
10+	119.56 грн
100+	82.29 грн
500+	62.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB034N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	60.8 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB034N06L3GATMA1

товар відсутній

IPB034N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	63.55 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB034N06N3G

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 3146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

315+	66.72 грн

Мінімальне замовлення: 315

IPB034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA2

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA2

MOSFET TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IPB034N06N3GATMA2

N-channel MOSFET

товар відсутній

IPB035N08N3 G

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB035N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 438 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	298.52 грн
10+	247.7 грн
25+	203.11 грн
100+	174.19 грн
250+	164.08 грн
500+	154.68 грн
1000+	137.33 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB035N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	137.66 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB035N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.5mΩ
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8110 pF @ 40 V

на замовлення 1927 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	361.23 грн
10+	231.22 грн
100+	165.25 грн
500+	128.61 грн

IPB035N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB035N08N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 562 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	357.55 грн
10+	264.33 грн
25+	225.51 грн
100+	164.8 грн
500+	137.33 грн

IPB035N12NM6ATMA1

IPB035N12NM6ATMA1

товар відсутній

IPB035N12NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IPB035N12NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB036N12N3 G

MOSFET N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	483.19 грн
10+	408.13 грн
25+	321.65 грн
100+	295.63 грн
250+	278.28 грн
500+	261.65 грн
1000+	223.35 грн

IPB036N12N3 G

на замовлення 270 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB036N12N3 G

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

на замовлення 5518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB036N12N3 G

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

на замовлення 5518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB036N12N3G

на замовлення 188 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB036N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB036N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	255.66 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB036N12N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 180A; 300W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
On-state resistance: 3.6mΩ
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 180A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

товар відсутній

IPB036N12N3GATMA1

товар відсутній

IPB036N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB036N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 180 A, 0.0029 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 6629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	521.37 грн
10+	368.12 грн
100+	318.66 грн
500+	277.83 грн
1000+	218.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB036N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB036N12N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 3127 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	451.15 грн
10+	338.31 грн
100+	213.95 грн
500+	187.93 грн

IPB036N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	163.59 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB036N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 2010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	451.14 грн
10+	372.02 грн
100+	310.03 грн
500+	256.71 грн

IPB037N06N3 G

TO-263

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB037N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	145.89 грн
10+	119.7 грн
100+	82.4 грн
250+	76.62 грн
500+	69.89 грн
1000+	59.05 грн
2000+	56.16 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB037N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB037N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

на замовлення 2504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB037N06N3 G

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

на замовлення 2504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB037N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	63.31 грн
2000+	57.91 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB037N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB037N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB037N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V

на замовлення 3745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	132.92 грн
10+	106.69 грн
100+	84.91 грн
500+	67.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB037N06N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 792 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.02 грн
10+	108.06 грн
100+	77.34 грн
500+	69.89 грн
1000+	59.05 грн
2000+	56.16 грн
5000+	54.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB037N06N3GATMA1

товар відсутній

IPB038N12N3 G

на замовлення 252 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB038N12N3 G

MOSFETs N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 6113 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	351.64 грн
10+	310.05 грн
25+	268.16 грн
100+	242.86 грн
250+	228.4 грн
500+	216.12 грн
1000+	206.72 грн

IPB038N12N3GATMA1

MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 2684 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	459.58 грн
10+	391.5 грн
25+	321.65 грн
100+	286.23 грн
250+	277.56 грн
500+	250.81 грн
1000+	228.4 грн

IPB038N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB038N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 120 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	390.82 грн
10+	313.79 грн
50+	312.17 грн
200+	289.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB038N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB038N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	173.86 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB038N12N3GATMA1

на замовлення 323 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	313.79 грн
50+	312.17 грн
200+	289.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB038N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	433.13 грн
10+	364.82 грн
25+	360.88 грн
100+	269.83 грн
250+	247.33 грн
500+	215.97 грн
1000+	180.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

IPB038N12N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 60 V

на замовлення 2430 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	429.25 грн
10+	277.68 грн
100+	200.58 грн
500+	157.31 грн

IPB038N12N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	150.94 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB039N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB039N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB039N04LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB039N04LGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB039N10N3 G

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB039N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 3913 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.94 грн
10+	182.87 грн
25+	150.34 грн
100+	129.38 грн
250+	121.43 грн
500+	114.93 грн
1000+	97.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB039N10N3G

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB039N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 29657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	202.51 грн
10+	163.83 грн
100+	132.55 грн
500+	110.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB039N10N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 160A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1425 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	220.94 грн
10+	182.87 грн
100+	129.38 грн
500+	113.48 грн
1000+	96.86 грн
2000+	91.8 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB039N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB039N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4304 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	247.3 грн
10+	175.14 грн
100+	141.9 грн
500+	107.67 грн
1000+	88.26 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB039N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar

товар відсутній

IPB039N10N3GATMA1

товар відсутній

IPB039N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 29000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	104.77 грн
2000+	95 грн
5000+	91.14 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB039N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	80.36 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 160A

товар відсутній

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB039N10N3GE8187ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB039N10N3GE8197ATMA1

SP001227198

товар відсутній

IPB039N10N3GE8197ATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB039N10N3GE8197ATMA1

SP001227198

товар відсутній

IPB03N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB03N03LA

07+;

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA

TO-263

на замовлення 22000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB03N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB03N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7027 pF @ 15 V

на замовлення 703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

297+	73.64 грн

Мінімальне замовлення: 297

IPB03N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB03N03LB

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB03N03LB G

товар відсутній

IPB03N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7624 pF @ 15 V

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.41 грн
10+	99.01 грн
100+	85.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB03N03LBG

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB0401NM5S

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB0401NM5SATMA1

SP004565816

товар відсутній

IPB0401NM5SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	342.46 грн
10+	276.62 грн
100+	223.81 грн
500+	186.7 грн

IPB0401NM5SATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB0401NM5SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active

товар відсутній

IPB040N08NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 787 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.15 грн
10+	186.19 грн
25+	157.57 грн
100+	130.83 грн
250+	127.21 грн
500+	117.09 грн
800+	93.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB040N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	207.2 грн
10+	167.37 грн
100+	135.39 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB040N08NF2SATMA1

SP005571698

товар відсутній

IPB040N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB041N04N G

TO-263

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB041N04N G

MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB041N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB041N04NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB041N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB041N04NGXT

Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB042N03L G

TO-263

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB042N03L G

MOSFET N-Ch 30V 70A D2PAK-2 OptiMOS 3

товар відсутній

IPB042N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB042N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB042N03LGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

товар відсутній

IPB042N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB042N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	127.74 грн
100+	122.88 грн
104+	118.71 грн
250+	110.99 грн
500+	99.98 грн
1000+	93.63 грн

Мінімальне замовлення: 96

IPB042N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 137A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	184.77 грн
69+	177.73 грн
100+	171.7 грн
250+	160.55 грн
500+	144.61 грн
1000+	135.43 грн

Мінімальне замовлення: 67

IPB042N10N3 G

MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.88 грн
10+	178.71 грн
25+	146.73 грн
100+	125.77 грн
250+	118.54 грн
500+	112.03 грн
1000+	94.69 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB042N10N3 G

на замовлення 167000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB042N10N3 G E8187

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	75.73 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB042N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 3891 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	230.28 грн
10+	163.79 грн
50+	141.08 грн
200+	123.48 грн
500+	107.72 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB042N10N3GATMA1
Код товару: 117738

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 37163 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	260.36 грн
10+	164.51 грн
100+	115.36 грн
500+	88.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

103+	119.53 грн

Мінімальне замовлення: 103

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 84 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB042N10N3GATMA1

товар відсутній

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	103.06 грн
2000+	100.41 грн
5000+	94.79 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

на замовлення 37000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	89.97 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	110.98 грн
2000+	108.13 грн
5000+	102.08 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

на замовлення 3891 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	141.08 грн
200+	123.48 грн
500+	107.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 84 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	125.15 грн
10+	115.84 грн
25+	104.09 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB042N10N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 13333 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	231.06 грн
10+	172.89 грн
25+	145.28 грн
100+	116.37 грн
250+	115.65 грн
500+	94.69 грн
1000+	89.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	98.34 грн
2000+	96 грн
5000+	91.29 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 137A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	105.8 грн
2000+	103.29 грн
5000+	98.23 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB042N10N3GE8187ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB042N10N3GE8187ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товар відсутній

IPB042N10N3GE818XT

MOSFET N-Ch 100V 100A D2PAK-2

товар відсутній

IPB042N10NF2SATMA1

SP005557198

товар відсутній

IPB042N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key

товар відсутній

IPB042N10NF2SATMA1

Infineon

товар відсутній

IPB043N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB043N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: TBC
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: TBC
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	180.82 грн
10+	150 грн
100+	121.62 грн
500+	94.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB043N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	71.85 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB043N10NF2SATMA1

Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

на замовлення 256 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.9 грн
10+	120.84 грн
100+	83.13 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB043N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB043N10NF2SATMA1

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	121.62 грн
500+	94.11 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB043N10NF2SATMA1

Description: AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.35mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB043N10NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 940 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	176.24 грн
10+	130.5 грн
100+	81.68 грн
250+	80.95 грн
500+	73 грн
800+	62.23 грн
2400+	57.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB044N15N5

MOSFET TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB044N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	261.25 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	312.68 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 10318 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	495 грн
10+	446.37 грн
25+	387.42 грн
100+	350.56 грн
500+	328.87 грн
1000+	307.19 грн

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	352 грн
2000+	341.26 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	223.47 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	507.58 грн
50+	431.42 грн
100+	360.7 грн
250+	353.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	327.38 грн
2000+	318.6 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 974 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	375.97 грн
37+	335.1 грн
50+	318.75 грн
100+	298.5 грн
200+	270.01 грн

Мінімальне замовлення: 33

IPB044N15N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB044N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 87A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 75 V

на замовлення 1390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	460.52 грн
10+	380.15 грн
100+	316.79 грн
500+	262.32 грн

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	336.74 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB044N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 174A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2880 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	757.04 грн
23+	551.69 грн
50+	489.37 грн
100+	443.32 грн
200+	386.77 грн
500+	346.78 грн
1000+	324.88 грн
2000+	324.01 грн

Мінімальне замовлення: 17

IPB044N15N5ATMA1

товар відсутній

IPB044N15N5ATMA1

на замовлення 3324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	562.72 грн
5+	535.15 грн
10+	507.58 грн
50+	431.42 грн
100+	360.7 грн
250+	353.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB044N15N5E8187ATMA1

SP004531436

товар відсутній

IPB048N06L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB048N06LG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N06LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB048N06LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB048N06LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB048N06LGXT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB048N06LGXT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB048N15N5

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	274.33 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	630.25 грн
23+	537.18 грн
25+	512.18 грн
100+	424.72 грн
250+	383.72 грн
500+	326.96 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB048N15N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO 263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт

товар відсутній

IPB048N15N5ATMA1

товар відсутній

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 921 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	263.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB048N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V

на замовлення 1137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	605.17 грн
10+	398.74 грн
100+	294.17 грн
500+	247.91 грн

IPB048N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 953 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	586.55 грн
10+	499.93 грн
25+	476.67 грн
100+	395.26 грн
250+	357.12 грн
500+	304.29 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB048N15N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 503 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	610.53 грн
10+	537.8 грн
25+	461.87 грн
100+	419.95 грн
500+	390.31 грн
1000+	336.82 грн

IPB048N15N5LF

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; 313W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Power dissipation: 313W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPB048N15N5LF

товар відсутній

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	310.49 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	520.7 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5LFATMA1

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB048N15N5LFATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	745.45 грн
10+	630.06 грн
25+	539.93 грн
100+	456.09 грн
250+	452.47 грн
500+	403.32 грн
1000+	362.12 грн

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1006 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	928.68 грн
17+	748.87 грн
50+	710.05 грн
100+	618.68 грн
200+	539.1 грн
500+	472 грн
1000+	457.99 грн

Мінімальне замовлення: 14

IPB048N15N5LFATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 255µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 75 V

на замовлення 753 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	672.41 грн
10+	445.5 грн
100+	330.86 грн
500+	284.78 грн

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	333.62 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB048N15N5LFATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	328.87 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB049N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB049N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB049N06L3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049N06L3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 320A; 125W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 320A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V

на замовлення 1859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	215.02 грн
10+	134.62 грн
100+	93.34 грн
500+	71 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049N08N5ATMA1

товар відсутній

IPB049N08N5ATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2

на замовлення 1346 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	189.74 грн
10+	152.94 грн
100+	93.96 грн
500+	76.62 грн
1000+	68.96 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 130 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	266.47 грн
10+	236.07 грн
100+	164.08 грн
500+	135.16 грн
1000+	112.76 грн
2000+	106.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049NE7N3G

на замовлення 366 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB049NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	253.33 грн
10+	219.1 грн
100+	176.11 грн
500+	135.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1 SMD N channel transistors

товар відсутній

IPB049NE7N3GATMA1

MOSFET N-Ch 75V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 564 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	282.49 грн
10+	251.03 грн
100+	175.64 грн
500+	144.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049NE7N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	125.21 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB049NE7N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	68.31 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB04CN10NG

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGANBRUCH

inf

07+

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGANBRUCH

07+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGANBRUCH

0825

на замовлення 1 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB04N03L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LA

MOSFET

товар відсутній

IPB04N03LA

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA G

TO-263

на замовлення 62000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB04N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LAG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LAG

MOSFET N-Ch 25V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB04N03LAGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB04N03LAT

MOSFET

товар відсутній

IPB04N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

на замовлення 498 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	87.57 грн
10+	68.89 грн
100+	60.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB04N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LB

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPB04N03LB

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB04N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB04N03LBG

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB050N06N G

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB050N06NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB050N06NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB050N06NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB050N06NGATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB050N06NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB050N06NGXT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB050N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

на замовлення 737 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	193.12 грн
10+	120.09 грн
100+	82.63 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB050N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPB050N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 103 A, 0.0045 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	94.87 грн
500+	66.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPB050N10NF2SATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.05mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB050N10NF2SATMA1

на замовлення 752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	167.03 грн
10+	124.87 грн
100+	94.87 грн
500+	66.56 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB050N10NF2SATMA1

SP005571710

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	49.67 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB050N10NF2SATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.85 грн
10+	128.01 грн
100+	88.9 грн
250+	81.68 грн
500+	74.45 грн
800+	63.68 грн
2400+	60.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB051NE8N G

MOSFET N-Ch 85V 100A D2PAK-2

товар відсутній

IPB051NE8NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB051NE8NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

на замовлення 775 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	111.99 грн

Мінімальне замовлення: 198

IPB051NE8NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB051NE8NGATMA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB051NE8NGXT

Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB051NE8NGXT

Trans MOSFET N-CH 85V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB052N04N G

MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB052N04N G

TO-263

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB052N04N G

Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB052N04NG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO-263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

693+	31.05 грн

Мінімальне замовлення: 693

IPB052N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB052N04NGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 20 V

товар відсутній

IPB054N06N3 G

MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 624 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	141.67 грн
10+	116.37 грн
100+	80.95 грн
250+	73.73 грн
500+	67.22 грн
1000+	57.9 грн
2000+	55.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N06N3G

Description: IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB054N06N3G

на замовлення 161 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 645 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.51 грн
10+	116.37 грн
100+	80.95 грн
500+	68.59 грн
1000+	57.9 грн
2000+	55.01 грн
5000+	53.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	32.13 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPB054N06N3GATMA1

товар відсутній

IPB054N06N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 58µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 30 V

на замовлення 1043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.49 грн
10+	110.53 грн
100+	75.81 грн
500+	57.18 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB054N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1558 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	149.26 грн
10+	122.19 грн
100+	83.84 грн
250+	78.06 грн
500+	71.92 грн
1000+	60.79 грн
2000+	57.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N08N3G

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 2888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.61 грн
10+	110.08 грн
100+	87.58 грн
500+	69.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3285 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	148.41 грн
10+	115.54 грн
100+	83.84 грн
250+	66.93 грн
500+	61.15 грн
1000+	55.94 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB054N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	65.3 грн
2000+	59.73 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB054N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 150W; PG-TO263-3
Kind of channel: enhanced
On-state resistance: 5.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3

товар відсутній

IPB054N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB055N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 413 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB055N03L G
Код товару: 61412

товар відсутній

IPB055N03LGATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB055N03LGATMA1

товар відсутній

IPB055N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB055N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB055N08NF2SATMA1

SP005571702

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	43.68 грн

Мінімальне замовлення: 800

IPB055N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

товар відсутній

IPB055N08NF2SATMA1

MOSFETs N

на замовлення 606 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	160.22 грн
10+	119.7 грн
100+	74.45 грн
500+	73 грн
800+	51.97 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB055N08NF2SATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

на замовлення 533 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	175.92 грн
10+	109.55 грн
100+	75.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB056N06N

MOSFET 60V TO-263

товар відсутній

IPB057N06N
Код товару: 176082

товар відсутній

IPB057N06N

MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2

на замовлення 259 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.74 грн
10+	98.08 грн
100+	67.87 грн
250+	62.67 грн
500+	56.88 грн
1000+	48.64 грн
2000+	46.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	128.71 грн
103+	119.12 грн
121+	102.09 грн

Мінімальне замовлення: 96

IPB057N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2

на замовлення 2068 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	119.74 грн
10+	98.08 грн
100+	67.87 грн
250+	64.91 грн
500+	56.81 грн
1000+	49.66 грн
2000+	47.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 30 V

на замовлення 444 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.81 грн
10+	88.99 грн
100+	70.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	133.51 грн
10+	119.52 грн
25+	110.62 грн
100+	91.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPB057N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 83W; PG-TO263-3
Kind of channel: enhanced
On-state resistance: 5.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 45A
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™

товар відсутній

IPB057N06NATMA1

товар відсутній

IPB05CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB05CN10NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05CN10NG

INFINE0N

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05CN10NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB05CN10NGXT

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 375 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	159.54 грн
10+	157.02 грн
25+	154.48 грн
50+	146.61 грн
100+	133.49 грн
250+	125.98 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB05N03

TO-263

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03L

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB05N03LA

04+ D2PAK

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA

07+;

на замовлення 3019 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

507+	42.6 грн

Мінімальне замовлення: 507

IPB05N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LAG

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPB05N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LAT

MOSFET

товар відсутній

IPB05N03LAT

Description: MOSFET N-CH 25V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LB

Infineon

товар відсутній

IPB05N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LB G

TO-263

на замовлення 32000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N03LB G

MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

товар відсутній

IPB05N03LE3045A

03+ TO-263

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N06L

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N06L

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB05N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB060N15N5ATMA1

MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS

на замовлення 1336 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	448.62 грн
10+	337.48 грн
100+	213.23 грн
500+	187.21 грн

IPB060N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	455.05 грн
10+	294.99 грн
100+	213.85 грн
500+	169.65 грн

IPB060N15N5ATMA1

OptiMOS 5 Power-Transistor, 150V

товар відсутній

IPB060N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	187.73 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB060N15N5E8187ATMA1

SP001863630

товар відсутній

IPB065N03L G

TO-263

на замовлення 62000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N03L G

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB065N03LG

08+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB065N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	30.77 грн
25+	30.27 грн
50+	28.71 грн
100+	26.14 грн

Мінімальне замовлення: 20

IPB065N03LGATMA1

MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPB065N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N06L G

MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB065N06L G

Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

товар відсутній

IPB065N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB065N06L G

TO-263

на замовлення 36000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N06LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB065N06LG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N10N3GATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.12 грн
10+	247.7 грн
100+	173.47 грн
500+	143.11 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB065N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	261.01 грн
10+	225.47 грн
25+	209.81 грн
100+	175.3 грн
250+	120.04 грн
500+	114.09 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB065N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB065N15N3 G

MOSFETs N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1155 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	494.15 грн
10+	409.79 грн
25+	336.1 грн
100+	296.35 грн
1000+	251.53 грн
2000+	206 грн

IPB065N15N3 G

на замовлення 19000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N15N3G

на замовлення 845 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB065N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

на замовлення 3517 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	483.98 грн
10+	315.1 грн
100+	229.41 грн
500+	186.79 грн

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB065N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 1410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	428.12 грн
50+	381.73 грн
100+	337.08 грн
250+	317.62 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB065N15N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
On-state resistance: 6.5mΩ

товар відсутній

IPB065N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	206.69 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB065N15N3GATMA1

на замовлення 1410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	600.83 грн
5+	514.88 грн
10+	428.12 грн
50+	381.73 грн
100+	337.08 грн
250+	317.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB065N15N3GATMA1

товар відсутній

IPB065N15N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

на замовлення 1054 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	468.86 грн
10+	343.29 грн
100+	225.51 грн
500+	206 грн

IPB065N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	506.52 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 75 V

товар відсутній

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Old Part IPB065N15N3GE8187XT^INFINEON

товар відсутній

IPB065N15N3GE8197ATMA1

SP001227194

товар відсутній

IPB065N15N3GE8197ATMA1

SP001227194

товар відсутній

IPB067N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 1916 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	162.75 грн
10+	133 грн
100+	91.8 грн
500+	86.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB067N08N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 80A; 136W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 80A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	100.74 грн
2000+	92.16 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB067N08N3GATMA1

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	69.65 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB067N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB067N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 73A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V

на замовлення 5515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	211.89 грн
10+	169.78 грн
100+	135.12 грн
500+	107.3 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB068N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

на замовлення 895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	595.79 грн
10+	491.5 грн
100+	409.56 грн
500+	339.13 грн

IPB068N20NM6ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 1316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	640.88 грн
10+	541.12 грн
25+	427.17 грн
100+	392.48 грн
250+	369.35 грн
500+	354.89 грн
1000+	301.41 грн

IPB068N20NM6ATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IPB068N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 258µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 100 V

товар відсутній

IPB06CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V

товар відсутній

IPB06CN10NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06CN10NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06CNE8NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06CNE8NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03

TO-263

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

0544+

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB06N03LA

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

0237+ TO-263

на замовлення 990 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

товар відсутній

IPB06N03LA

09+

на замовлення 5030 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA

07+;

на замовлення 442 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 50A D2PAK-2

товар відсутній

IPB06N03LA G

товар відсутній

IPB06N03LAG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LAT

товар відсутній

IPB06N03LAT

Infineon

товар відсутній

IPB06N03LB

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB06N03LB

Infineon

товар відсутній

IPB06N03LB

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LB G

TO-263

на замовлення 40000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2782 pF @ 15 V

товар відсутній

IPB06N03LBG

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товар відсутній

IPB06P001LATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB070N06L G

Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB070N06L G

MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2

товар відсутній

IPB070N06LG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06LG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06LGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB070N06N G

Description: MOSFET N-CHAN D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V

товар відсутній

IPB070N06NG

MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

товар відсутній

IPB070N06NG

to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06NG

07+ to-263/d2-pak

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB070N06NGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IPB072N15N3 G

на замовлення 83000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB072N15N3 G

MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 4608 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	420.79 грн
10+	348.28 грн
25+	285.51 грн
100+	245.03 грн
250+	231.3 грн
500+	217.56 грн
1000+	186.48 грн

IPB072N15N3 G E8187

MOSFET PG-TO263-3-2

товар відсутній

IPB072N15N3G

N-MOSFET 150V 100A 300W 7.2mΩ IPB072N15N3G Infineon TIPB072n15n3g
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	207.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB072N15N3G

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	435.56 грн
30+	416.85 грн
50+	400.97 грн
100+	373.53 грн
250+	335.36 грн
500+	313.19 грн

Мінімальне замовлення: 29

IPB072N15N3G

N-MOSFET 150V 100A 300W 7.2mΩ IPB072N15N3G Infineon TIPB072n15n3g
кількість в упаковці: 2 шт

на замовлення 4 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

4+	207.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPB072N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

на замовлення 2578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	433.94 грн
10+	280.69 грн
100+	202.92 грн
500+	159.31 грн

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1147 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	280.59 грн
46+	268.54 грн
50+	258.31 грн
100+	240.63 грн
250+	216.04 грн
500+	201.76 грн
1000+	196.83 грн

Мінімальне замовлення: 44

IPB072N15N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

на замовлення 2578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	176.29 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	497.58 грн
29+	427.05 грн
31+	398.2 грн
100+	330.86 грн
250+	288.18 грн
500+	259.28 грн
1000+	195.11 грн

Мінімальне замовлення: 25

IPB072N15N3GATMA1

Description: INFINEON - IPB072N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0058 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 9628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	335.68 грн
50+	288.66 грн
200+	252.23 грн
500+	218.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB072N15N3GATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 4673 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	568.98 грн
30+	414.75 грн
50+	367.86 грн
100+	333.62 грн
200+	291.22 грн
500+	259.92 грн
1000+	244.74 грн
2000+	243.85 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 7000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	153.47 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB072N15N3GATMA1

MOSFETs N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	420.79 грн
10+	349.11 грн
100+	245.75 грн
500+	218.29 грн
1000+	186.48 грн
2000+	175.64 грн

IPB072N15N3GATMA1

товар відсутній

IPB072N15N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1919 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	462.04 грн
10+	396.55 грн
25+	369.76 грн
100+	307.22 грн
250+	267.59 грн
500+	240.76 грн
1000+	181.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB072N15N3GATMA1

на замовлення 9628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	467.85 грн
10+	335.68 грн
50+	288.66 грн
200+	252.23 грн
500+	218.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	567.94 грн
30+	413.7 грн
50+	366.81 грн
100+	332.61 грн
200+	290.29 грн
500+	259.92 грн

Мінімальне замовлення: 22

IPB073N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4215 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	346.23 грн
10+	285.41 грн
50+	250.55 грн
200+	221.36 грн
500+	191.12 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB073N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1000+	159.66 грн

Мінімальне замовлення: 1000

IPB073N15N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 49nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
On-state resistance: 7.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

MOSFETs N

на замовлення 12316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	313.7 грн
10+	249.37 грн
25+	216.12 грн
100+	182.15 грн
500+	159.02 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPB073N15N5ATMA1

товар відсутній

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	284.75 грн
10+	259.86 грн
25+	256.83 грн
100+	220.06 грн
250+	176.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	436.39 грн
34+	364.61 грн
100+	287.09 грн
250+	263.64 грн

Мінімальне замовлення: 29

IPB073N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPB073N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 114 A, 0.0056 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	337.31 грн
100+	273.25 грн
500+	229.64 грн
1000+	180.7 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPB073N15N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 75 V

на замовлення 2325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	403.45 грн
10+	259.68 грн
100+	186.86 грн
500+	146.14 грн

IPB073N15N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IPB075N04LG

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPB075N04LG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

товар відсутній

IPB075N04LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V

товар відсутній

IPB075N04LGATMA1