НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPN06N03LAGINFINEON
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN102iBASE TechnologyDescription: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN805C/H GF2, 1X PCI-E X8 Slot
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2008.12 грн
IPN103iBASE TechnologyDescription: RISER CARD, 2-TO-2 PCI-E EXPANSI
Packaging: Box
Accessory Type: Riser Card
Specifications: Riser Card For MBN800-8L GF1 & GF2, 2x PCI-E X8 Expansion Slot
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2868.75 грн
IPN104iBASE TechnologyDescription: RISER CARD, 1-TO-1 PCI-E EXPANSI
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPN10EL-SInfineon TechnologiesGate Drivers MOSFET
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IPN10ELSXUMA1Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SSOP
товар відсутній
IPN10ELSXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14
товар відсутній
IPN10ELSXUMA1Infineon TechnologiesDescription: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE SSOP-14
на замовлення 237500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 473
IPN2120AINPROVOMMTQFP128
на замовлення 17290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN2220INPROCOMMO4
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
на замовлення 17369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.45 грн
10+ 32.67 грн
100+ 22.7 грн
500+ 16.64 грн
1000+ 13.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN50R1K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.66 грн
21+ 36 грн
100+ 22.54 грн
500+ 16.37 грн
1000+ 12.43 грн
Мінімальне замовлення: 18
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.38 грн
6000+ 12.23 грн
9000+ 11.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 11695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.41 грн
12+ 27.45 грн
100+ 17.97 грн
500+ 14.98 грн
1000+ 12.66 грн
3000+ 10.81 грн
9000+ 10.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN50R1K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R1K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.8 A, 1.26 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.54 грн
500+ 16.37 грн
1000+ 12.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN50R1K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R2K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.56 грн
500+ 14.71 грн
1000+ 9.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+30.88 грн
408+ 28.24 грн
409+ 28.14 грн
503+ 22.05 грн
1000+ 19.1 грн
Мінімальне замовлення: 373
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.27 грн
11+ 26.93 грн
100+ 18.69 грн
500+ 13.69 грн
1000+ 11.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 11148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.47 грн
13+ 25.08 грн
100+ 16.44 грн
500+ 13.39 грн
1000+ 11.07 грн
3000+ 9.55 грн
9000+ 9.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPN50R2K0CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 6nC
Drain current: 2.3A
On-state resistance:
товар відсутній
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R2K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R2K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.6 A, 1.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.7 грн
26+ 29.3 грн
100+ 19.56 грн
500+ 14.71 грн
1000+ 9.31 грн
Мінімальне замовлення: 21
IPN50R2K0CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.3A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 6nC
Drain current: 2.3A
On-state resistance:
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 124 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R3K0CEInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN50R3K0CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товар відсутній
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
на замовлення 12067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.69 грн
12+ 23.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R3K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.78 грн
500+ 10.5 грн
1500+ 9.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 84 pF @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.65 грн
6000+ 8.82 грн
9000+ 8.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 4057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.94 грн
12+ 26.15 грн
100+ 15.85 грн
500+ 12.4 грн
1000+ 10.08 грн
3000+ 8.49 грн
9000+ 7.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R3K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R3K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.56 грн
50+ 23.2 грн
100+ 17.78 грн
500+ 10.5 грн
1500+ 9.5 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPN50R3K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 1.7A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R3K0CEATMA1
Код товару: 193023
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPN50R3K0CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 961-970 дні (днів)
6+52.21 грн
10+ 45.67 грн
100+ 31.56 грн
500+ 26.59 грн
1000+ 22.08 грн
3000+ 20.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 6.1A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R650CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPN50R650CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R650CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+62.55 грн
16+ 48.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPN50R650CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R800CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+59.98 грн
6+ 46.3 грн
25+ 40.28 грн
26+ 36.63 грн
72+ 34.64 грн
500+ 34.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 15140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.6 грн
10+ 34.19 грн
100+ 23.68 грн
500+ 18.57 грн
1000+ 15.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+47.91 грн
14+ 42.87 грн
25+ 41.4 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPN50R800CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.4nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.98 грн
10+ 37.16 грн
25+ 33.56 грн
26+ 30.53 грн
72+ 28.87 грн
500+ 28.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN50R800CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.36 грн
500+ 25.35 грн
1000+ 18.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.23 грн
10+ 47.73 грн
100+ 31.82 грн
500+ 25.19 грн
1000+ 20.16 грн
3000+ 18.23 грн
6000+ 18.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.58 грн
6000+ 14.21 грн
9000+ 13.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R800CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R800CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R800CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.22 грн
17+ 45.74 грн
100+ 34.36 грн
500+ 25.35 грн
1000+ 18.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPN50R950CEInfineon TechnologiesDescription: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN50R950CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+26.55 грн
25+ 22.17 грн
50+ 16.15 грн
137+ 15.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPN50R950CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.27 грн
21+ 36.89 грн
100+ 24.92 грн
Мінімальне замовлення: 16
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.16 грн
10+ 32.67 грн
100+ 22.72 грн
500+ 16.65 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 8921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.69 грн
10+ 30.65 грн
100+ 19.36 грн
500+ 15.25 грн
1000+ 13.26 грн
3000+ 11.87 грн
9000+ 11.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN50R950CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+31.86 грн
25+ 27.63 грн
50+ 19.38 грн
137+ 18.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN50R950CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN50R950CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN50R950CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN5320INPROCOMM04+
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN5330INPROCOMMO4
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+38.63 грн
17+ 35.53 грн
25+ 35.18 грн
100+ 28.67 грн
250+ 26.43 грн
500+ 21.22 грн
1000+ 17.73 грн
3000+ 16.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 277
IPN60R1K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.03 грн
18+ 43.58 грн
100+ 27.3 грн
500+ 21.27 грн
1000+ 14.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.03 грн
10+ 35.64 грн
100+ 24.69 грн
500+ 19.36 грн
1000+ 16.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.61 грн
6000+ 18.44 грн
15000+ 17.83 грн
30000+ 16.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.24 грн
6000+ 14.82 грн
9000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.2 грн
6000+ 18.05 грн
15000+ 17.45 грн
30000+ 16.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 4315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.44 грн
10+ 32.25 грн
100+ 20.95 грн
500+ 18.03 грн
1000+ 15.78 грн
3000+ 14.19 грн
9000+ 13.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN60R1K0CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.3 грн
500+ 21.27 грн
1000+ 14.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R1K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.96 грн
500+ 26.24 грн
1000+ 17.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 13112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.52 грн
10+ 40.71 грн
100+ 27.05 грн
500+ 22.61 грн
1000+ 19.23 грн
3000+ 16.64 грн
6000+ 16.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN60R1K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.1 грн
17+ 45.67 грн
100+ 34.96 грн
500+ 26.24 грн
1000+ 17.53 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesRECP ASSY
товар відсутній
IPN60R1K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R1K5CEInfineon technologies
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.86 грн
10+ 34.23 грн
100+ 22.28 грн
500+ 18.03 грн
1000+ 15.05 грн
3000+ 12.8 грн
9000+ 11.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN60R1K5CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESIPN60R1K5CEATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.86 грн
6000+ 19.66 грн
12000+ 19.47 грн
15000+ 18.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.73 грн
500+ 19.06 грн
1000+ 12.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.16 грн
19+ 39.72 грн
100+ 25.73 грн
500+ 19.06 грн
1000+ 12.43 грн
Мінімальне замовлення: 16
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.29 грн
6000+ 20.1 грн
12000+ 19.89 грн
15000+ 18.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R1K5PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.14 грн
20+ 37.26 грн
100+ 25.88 грн
500+ 19.75 грн
1000+ 15.49 грн
Мінімальне замовлення: 18
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.3 грн
10+ 41.86 грн
100+ 28.51 грн
500+ 24.27 грн
1000+ 20.09 грн
3000+ 16.44 грн
9000+ 15.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN60R1K5PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R1K5PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 1.23 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.88 грн
500+ 19.75 грн
1000+ 15.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R1K5PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R2K0PFD7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товар відсутній
IPN60R2K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 15435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.16 грн
10+ 33.84 грн
100+ 23.43 грн
500+ 18.38 грн
1000+ 15.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.41 грн
6000+ 14.06 грн
9000+ 13.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R2K0PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R2K0PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.626 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.626ohm
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.27 грн
19+ 40.68 грн
Мінімальне замовлення: 16
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+79.34 грн
298+ 38.69 грн
325+ 35.47 грн
326+ 34.02 грн
500+ 25.65 грн
1000+ 23.03 грн
3000+ 21.61 грн
Мінімальне замовлення: 145
IPN60R2K0PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 352-361 дні (днів)
8+43.86 грн
10+ 37.67 грн
100+ 22.67 грн
500+ 18.96 грн
1000+ 16.18 грн
3000+ 14.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN60R2K1CEInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товар відсутній
IPN60R2K1CEInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 10966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.6 грн
10+ 33.62 грн
100+ 21.81 грн
500+ 17.17 грн
1000+ 13.26 грн
3000+ 12.07 грн
9000+ 10.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.37 грн
6000+ 11.31 грн
9000+ 10.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R2K1CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN60R2K1CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPN60R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 10235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+36.58 грн
10+ 30.25 грн
100+ 21 грн
500+ 15.39 грн
1000+ 12.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R360P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN60R360P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.5 грн
6000+ 65.85 грн
12000+ 65.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R360P7SATMA1
Код товару: 133578
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 6919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.44 грн
10+ 53.14 грн
100+ 35.93 грн
500+ 30.43 грн
1000+ 24.8 грн
3000+ 23.34 грн
6000+ 22.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.95 грн
6000+ 67.28 грн
12000+ 66.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R360PFD7SATMA1InfineonTransistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1+525.5 грн
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+96.94 грн
123+ 94.15 грн
150+ 76.95 грн
250+ 72.78 грн
500+ 54.24 грн
1000+ 42.17 грн
3000+ 38.22 грн
Мінімальне замовлення: 119
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.96 грн
10+ 62.29 грн
100+ 42.1 грн
500+ 35.67 грн
1000+ 28.64 грн
3000+ 27.32 грн
6000+ 25.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 13473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.28 грн
10+ 55.39 грн
100+ 43.12 грн
500+ 34.29 грн
1000+ 27.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN60R360PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.38 грн
10+ 84.79 грн
100+ 62.92 грн
500+ 48.21 грн
1000+ 35.19 грн
3000+ 29.96 грн
6000+ 29.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device
товар відсутній
IPN60R360PFD7SATMA1InfineonTransistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+104.32 грн
10+ 90.01 грн
25+ 87.42 грн
100+ 68.9 грн
250+ 62.57 грн
500+ 48.35 грн
1000+ 39.16 грн
3000+ 35.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.1 грн
6000+ 26.69 грн
9000+ 25.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R360PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
товар відсутній
IPN60R360PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.92 грн
500+ 48.21 грн
1000+ 35.19 грн
3000+ 29.96 грн
6000+ 29.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R360PFD7SATMA1InfineonTransistors - FETs, MOSFETs - Single IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7S TIPN60r360pfd7s
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+262.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPN60R3K4CEInfineon technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN60R3K4CEInfineon
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN60R3K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.49 грн
500+ 15.75 грн
1000+ 10.2 грн
5000+ 8.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R3K4CEATMA1
Код товару: 143229
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 22819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.27 грн
11+ 26.52 грн
100+ 18.43 грн
500+ 13.5 грн
1000+ 10.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN60R3K4CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.64 грн
23+ 32.72 грн
100+ 21.49 грн
500+ 15.75 грн
1000+ 10.2 грн
5000+ 8.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 22232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.97 грн
11+ 30.12 грн
100+ 19.16 грн
500+ 15.12 грн
1000+ 11.67 грн
3000+ 10.61 грн
9000+ 9.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.85 грн
6000+ 9.92 грн
9000+ 9.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN60R3K4CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.6A; Idm: 3.9A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 3.9A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IPN60R3K4CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.6A; Idm: 3.9A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 3.9A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R3K4CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 279
IPN60R600P7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товар відсутній
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 3182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.02 грн
10+ 49.71 грн
100+ 30.1 грн
500+ 25.13 грн
1000+ 21.41 грн
3000+ 19.03 грн
6000+ 17.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R600P7SATMA1InfineonTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7S TIPN60r600p7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.15 грн
500+ 33.7 грн
1000+ 24.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+56.57 грн
239+ 48.17 грн
279+ 41.24 грн
295+ 37.69 грн
500+ 32.71 грн
1000+ 29.48 грн
3000+ 27.05 грн
6000+ 25.88 грн
Мінімальне замовлення: 204
IPN60R600P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN60R600P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.09 грн
12+ 63.66 грн
100+ 45.15 грн
500+ 33.7 грн
1000+ 24.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN60R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device
товар відсутній
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R600PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.517
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.62 грн
12+ 62.55 грн
100+ 48.79 грн
500+ 37.5 грн
1000+ 26.52 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 364-373 дні (днів)
5+65.44 грн
10+ 57.72 грн
100+ 38.32 грн
500+ 32.16 грн
1000+ 27.38 грн
3000+ 22.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN60R600PFD7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.79 грн
500+ 37.5 грн
1000+ 26.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN60R600PFD7SATMA1Infineon Technologies600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
товар відсутній
IPN65R1K5CEInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN65R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN65R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN65R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.2 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.07 грн
17+ 46.19 грн
100+ 28.71 грн
500+ 22.17 грн
1000+ 15.81 грн
5000+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPN65R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.19 грн
10+ 42.16 грн
100+ 25.06 грн
500+ 20.88 грн
1000+ 17.77 грн
3000+ 16.11 грн
6000+ 14.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN65R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN65R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN65R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.2 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.71 грн
500+ 22.17 грн
1000+ 15.81 грн
5000+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN65R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K0CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Power dissipation: 5W
Gate charge: 15.2nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 4.7A
товар відсутній
IPN70R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN70R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K0CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Power dissipation: 5W
Gate charge: 15.2nC
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 4.7A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+55.75 грн
248+ 46.36 грн
295+ 39.08 грн
321+ 34.55 грн
500+ 30.02 грн
1000+ 22.58 грн
2000+ 21.51 грн
3000+ 20.28 грн
Мінімальне замовлення: 207
IPN70R1K2P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.51 грн
500+ 19.34 грн
1000+ 15.24 грн
3000+ 13.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+22.91 грн
27+ 21.43 грн
100+ 17.55 грн
250+ 15.93 грн
500+ 14.14 грн
1000+ 11.33 грн
Мінімальне замовлення: 25
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.45 грн
10+ 32.87 грн
100+ 22.76 грн
500+ 17.85 грн
1000+ 15.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+23.08 грн
587+ 19.6 грн
599+ 19.21 грн
648+ 17.13 грн
1000+ 12.71 грн
Мінімальне замовлення: 499
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.16 грн
10+ 36.9 грн
100+ 22.08 грн
500+ 18.3 грн
1000+ 15.65 грн
3000+ 13.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN70R1K2P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.32 грн
21+ 36.89 грн
100+ 25.51 грн
500+ 19.34 грн
1000+ 15.24 грн
3000+ 13.83 грн
Мінімальне замовлення: 18
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K2P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.2 грн
6000+ 12.98 грн
9000+ 12.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K4P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.58 грн
500+ 18.37 грн
1000+ 14.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.33 грн
10+ 38.05 грн
100+ 23.07 грн
500+ 18.03 грн
1000+ 14.59 грн
3000+ 12.33 грн
9000+ 11.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN70R1K4P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K4P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.2 грн
22+ 34.06 грн
100+ 23.58 грн
500+ 18.37 грн
1000+ 14.41 грн
Мінімальне замовлення: 19
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
на замовлення 10788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.31 грн
10+ 34.67 грн
100+ 24.11 грн
500+ 17.67 грн
1000+ 14.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN70R1K4P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R1K5CEInfineon TechnologiesDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN70R1K5CEInfineon technologies
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.23 грн
500+ 22.65 грн
1000+ 15.56 грн
5000+ 15.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+25.78 грн
465+ 24.75 грн
500+ 23.85 грн
1000+ 22.25 грн
Мінімальне замовлення: 446
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN70R1K5CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN70R1K5CEATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R1K5CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.35 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.35ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.52 грн
17+ 46.41 грн
100+ 29.23 грн
500+ 22.65 грн
1000+ 15.56 грн
5000+ 15.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 5.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R1K5CEATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.4A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN70R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.74 грн
100+ 24.66 грн
500+ 21.22 грн
1000+ 18.03 грн
3000+ 16.18 грн
6000+ 15.18 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPN70R2K0P7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товар відсутній
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 844
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.69 грн
10+ 35.23 грн
100+ 21.35 грн
500+ 16.64 грн
1000+ 14.12 грн
3000+ 12 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN70R2K0P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.95 грн
500+ 17.33 грн
1000+ 13.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.01 грн
10+ 31.35 грн
100+ 21.83 грн
500+ 16 грн
1000+ 13 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R2K0P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.89 грн
20+ 38.08 грн
100+ 23.95 грн
500+ 17.33 грн
1000+ 13.64 грн
Мінімальне замовлення: 17
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.89 грн
17+ 34.11 грн
25+ 33.72 грн
100+ 23.34 грн
250+ 21.38 грн
500+ 15.5 грн
1000+ 13.3 грн
3000+ 10.27 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPN70R2K0P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 163 pF @ 100 V
товар відсутній
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R2K1CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товар відсутній
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R360P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 6389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.91 грн
10+ 53.98 грн
100+ 36.53 грн
500+ 30.96 грн
1000+ 25.19 грн
3000+ 23.67 грн
9000+ 22.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 3733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.68 грн
10+ 48.55 грн
100+ 37.76 грн
500+ 30.04 грн
1000+ 24.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R360P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.98 грн
500+ 32.25 грн
1000+ 24.16 грн
5000+ 21.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R360P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+64.74 грн
11+ 53.29 грн
25+ 52.75 грн
100+ 40.22 грн
250+ 36.86 грн
500+ 28.91 грн
1000+ 23.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN70R360P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
201+57.39 грн
203+ 56.81 грн
256+ 44.92 грн
259+ 42.88 грн
500+ 32.43 грн
1000+ 25.17 грн
Мінімальне замовлення: 201
IPN70R360P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.48 грн
13+ 57.27 грн
100+ 40.98 грн
500+ 32.25 грн
1000+ 24.16 грн
5000+ 21.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPN70R450P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.57 грн
500+ 37.29 грн
1000+ 27.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.24 грн
16+ 36.51 грн
25+ 36.45 грн
100+ 29.82 грн
250+ 26.52 грн
500+ 23.99 грн
1000+ 21.78 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPN70R450P7SATMA1Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+39.25 грн
346+ 33.31 грн
360+ 30.85 грн
500+ 26.91 грн
1000+ 23.45 грн
Мінімальне замовлення: 293
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.55 грн
10+ 53.59 грн
100+ 37.11 грн
500+ 29.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN70R450P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.58 грн
12+ 67.16 грн
100+ 48.57 грн
500+ 37.29 грн
1000+ 27.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.38 грн
10+ 58.17 грн
100+ 35.01 грн
500+ 29.3 грн
1000+ 24.93 грн
3000+ 22.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN70R450P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+74.36 грн
182+ 63.32 грн
212+ 54.23 грн
224+ 49.56 грн
500+ 42.92 грн
1000+ 38.69 грн
Мінімальне замовлення: 155
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
на замовлення 6561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.55 грн
50+ 44.33 грн
100+ 35.1 грн
500+ 23.2 грн
1500+ 20.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.55 грн
10+ 47.35 грн
100+ 30.1 грн
500+ 25.13 грн
1000+ 21.41 грн
3000+ 18.37 грн
6000+ 18.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R600P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.51 грн
10+ 45.03 грн
100+ 31.18 грн
500+ 24.46 грн
1000+ 20.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN70R600P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
на замовлення 6640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.18 грн
500+ 27.28 грн
1000+ 18.55 грн
5000+ 18.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R750P7SInfineon TechnologiesDescription: IPN70R750 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R750P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.01 грн
500+ 22.72 грн
1000+ 16.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 13522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+38.83 грн
10+ 33.47 грн
100+ 22.21 грн
500+ 19.43 грн
1000+ 16.44 грн
3000+ 15.78 грн
6000+ 15.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+27.88 грн
475+ 24.25 грн
477+ 24.1 грн
521+ 21.31 грн
1000+ 16.2 грн
Мінімальне замовлення: 413
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 14189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.33 грн
10+ 39.43 грн
100+ 27.29 грн
500+ 21.4 грн
1000+ 18.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R750P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.62 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.77 грн
17+ 44.33 грн
100+ 29.01 грн
500+ 22.72 грн
1000+ 16.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+92.34 грн
256+ 45.05 грн
279+ 41.24 грн
281+ 39.57 грн
500+ 29.83 грн
1000+ 26.8 грн
3000+ 25.13 грн
Мінімальне замовлення: 125
IPN70R750P7SATMA1
Код товару: 193676
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.24 грн
22+ 26.4 грн
25+ 25.89 грн
100+ 21.71 грн
250+ 19.98 грн
500+ 17.59 грн
1000+ 14.44 грн
Мінімальне замовлення: 21
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.95 грн
6000+ 16.37 грн
9000+ 15.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R750P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R900P7SInfineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
товар відсутній
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
товар відсутній
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN70R900P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.68 грн
500+ 23.76 грн
1000+ 17.53 грн
3000+ 15.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.33 грн
10+ 39.72 грн
100+ 23.54 грн
500+ 19.69 грн
1000+ 16.71 грн
3000+ 15.18 грн
6000+ 14.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 700V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN70R900P7SATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 700V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 211 pF @ 400 V
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.31 грн
10+ 35.22 грн
100+ 24.37 грн
500+ 19.11 грн
1000+ 16.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN70R900P7SATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R900P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6 A, 0.74 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.2 грн
19+ 41.28 грн
100+ 31.68 грн
500+ 23.76 грн
1000+ 17.53 грн
3000+ 15.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
IPN70R900P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IPN70R900P7SATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN80R1K2P7
Код товару: 144481
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPN80R1K2P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товар відсутній
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+92.92 грн
137+ 84.42 грн
163+ 70.84 грн
200+ 64.64 грн
500+ 53.74 грн
1000+ 43.38 грн
3000+ 38.78 грн
Мінімальне замовлення: 124
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.71 грн
500+ 36.74 грн
1000+ 30.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.57 грн
10+ 60.54 грн
100+ 41.64 грн
500+ 35.27 грн
1000+ 28.71 грн
3000+ 27.05 грн
6000+ 25.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.28 грн
10+ 55.39 грн
100+ 43.1 грн
500+ 34.28 грн
1000+ 27.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R1K2P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.56 грн
12+ 63.81 грн
100+ 46.71 грн
500+ 36.74 грн
1000+ 30.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN80R1K4P7Infineon TechnologiesInfineon LOW POWER_NEW
товар відсутній
IPN80R1K4P7Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 10nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 10nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.96 грн
12+ 50.07 грн
25+ 49.56 грн
100+ 38.48 грн
250+ 34.35 грн
500+ 28.06 грн
1000+ 24.77 грн
3000+ 23.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.48 грн
10+ 76.61 грн
100+ 56.9 грн
500+ 43.72 грн
1000+ 33.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+53.92 грн
216+ 53.38 грн
268+ 42.97 грн
278+ 39.95 грн
500+ 31.48 грн
1000+ 26.68 грн
3000+ 25.54 грн
Мінімальне замовлення: 214
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.68 грн
10+ 48.48 грн
100+ 37.68 грн
500+ 29.97 грн
1000+ 24.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.9 грн
500+ 43.72 грн
1000+ 33.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 15905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.05 грн
10+ 53.07 грн
100+ 35.54 грн
500+ 30.17 грн
1000+ 25.33 грн
3000+ 24.13 грн
6000+ 23.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+82.08 грн
165+ 69.86 грн
192+ 59.9 грн
203+ 54.74 грн
500+ 47.37 грн
1000+ 42.71 грн
3000+ 39.2 грн
Мінімальне замовлення: 141
IPN80R1K4P7ATMA1
Код товару: 148097
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
товар відсутній
IPN80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.07 грн
12+ 67.31 грн
100+ 48.64 грн
500+ 37.78 грн
1000+ 27.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.91 грн
10+ 52.91 грн
100+ 34.81 грн
500+ 29.04 грн
1000+ 24.73 грн
3000+ 22.41 грн
6000+ 20.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesP7 Power Transistor
товар відсутній
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 500 V
товар відсутній
IPN80R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.64 грн
500+ 37.78 грн
1000+ 27.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 11665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.22 грн
10+ 45.72 грн
100+ 31.66 грн
500+ 24.82 грн
1000+ 21.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 500 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.82 грн
6000+ 18.99 грн
9000+ 17.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R2K4P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R2K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.95 грн
13+ 60.24 грн
100+ 43.21 грн
500+ 33.15 грн
1000+ 24.16 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+66.15 грн
205+ 56.28 грн
239+ 48.27 грн
252+ 44.1 грн
500+ 38.22 грн
1000+ 34.42 грн
Мінімальне замовлення: 174
IPN80R2K4P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 6.3W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R2K4P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 6.3W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.02 грн
10+ 52.08 грн
100+ 30.9 грн
500+ 25.79 грн
1000+ 21.95 грн
3000+ 19.82 грн
6000+ 18.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN80R2K4P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R3K3P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 6.1W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 13362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+48.77 грн
10+ 41.09 грн
100+ 28.42 грн
500+ 22.29 грн
1000+ 18.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN80R3K3P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 6.1W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
6+52.52 грн
10+ 46.28 грн
100+ 27.45 грн
500+ 22.94 грн
1000+ 19.49 грн
3000+ 17.7 грн
6000+ 16.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.69 грн
6000+ 17.05 грн
9000+ 15.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R3K3P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R4K5P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.28 грн
14+ 56.3 грн
100+ 39.49 грн
500+ 29.77 грн
1000+ 21.99 грн
3000+ 19.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 11960 шт:
термін постачання 547-556 дні (днів)
7+48.89 грн
10+ 41.86 грн
100+ 25.19 грн
500+ 21.02 грн
1000+ 17.97 грн
3000+ 15.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+41.43 грн
304+ 37.91 грн
305+ 37.71 грн
500+ 29.58 грн
1000+ 25.65 грн
3000+ 23.12 грн
Мінімальне замовлення: 278
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
на замовлення 5293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.47 грн
10+ 37.29 грн
100+ 25.78 грн
500+ 20.22 грн
1000+ 17.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.3 грн
6000+ 16.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R4K5P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.49 грн
500+ 29.77 грн
1000+ 21.99 грн
3000+ 19.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.19 грн
6000+ 16.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R4K5P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+108.88 грн
6+ 48.02 грн
20+ 41.35 грн
29+ 33.84 грн
78+ 32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R4K5P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.74 грн
9+ 38.54 грн
20+ 34.46 грн
29+ 28.2 грн
78+ 26.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R4K5P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
товар відсутній
IPN80R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.8 грн
10+ 114.54 грн
100+ 90.74 грн
500+ 69.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R600P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 7.4W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R600P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 7.4W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+82.08 грн
155+ 74.62 грн
156+ 73.87 грн
177+ 62.92 грн
250+ 57.68 грн
500+ 50.78 грн
Мінімальне замовлення: 141
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+ 86.67 грн
100+ 67.39 грн
500+ 53.6 грн
1000+ 43.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.35 грн
10+ 96.07 грн
100+ 64.78 грн
500+ 55.16 грн
1000+ 44.95 грн
3000+ 42.3 грн
6000+ 40.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R600P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.74 грн
500+ 69.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R600P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+76.22 грн
10+ 69.29 грн
25+ 68.59 грн
100+ 58.43 грн
250+ 53.56 грн
500+ 47.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPN80R750P7Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
товар відсутній
IPN80R750P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+91.02 грн
10+ 76.77 грн
25+ 76 грн
100+ 59.03 грн
250+ 54.11 грн
500+ 45.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
товар відсутній
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+82.67 грн
141+ 81.85 грн
175+ 65.93 грн
250+ 62.94 грн
500+ 50.63 грн
Мінімальне замовлення: 140
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V
товар відсутній
IPN80R750P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.56 грн
10+ 81.58 грн
100+ 55.49 грн
500+ 47.07 грн
1000+ 38.32 грн
3000+ 36.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPN80R750P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Case: PG-SOT223
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.61 грн
500+ 58.84 грн
1000+ 42.84 грн
5000+ 42.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+83.83 грн
151+ 76.31 грн
185+ 62.14 грн
200+ 56.06 грн
1000+ 45.97 грн
2000+ 41.21 грн
Мінімальне замовлення: 138
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R900P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.95 грн
10+ 102.64 грн
100+ 76.61 грн
500+ 58.84 грн
1000+ 42.84 грн
5000+ 42.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 18880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.18 грн
10+ 70.07 грн
100+ 48.13 грн
500+ 40.84 грн
1000+ 33.22 грн
3000+ 31.03 грн
6000+ 30.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R900P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R900P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesP7 Power Transistor
товар відсутній
IPN80R900P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.76 грн
10+ 64.09 грн
100+ 49.83 грн
500+ 39.64 грн
1000+ 32.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.25 грн
10+ 102.17 грн
100+ 68.95 грн
500+ 55.82 грн
1000+ 44.02 грн
3000+ 39.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPN95R1K2P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESIPN95R1K2P7 SMD N channel transistors
товар відсутній
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 6119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.19 грн
10+ 65.54 грн
100+ 50.97 грн
500+ 40.54 грн
1000+ 33.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.4 грн
6000+ 31.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN95R1K2P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN95R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.78 грн
500+ 42.75 грн
1000+ 29.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 23838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.55 грн
10+ 51.18 грн
100+ 39.83 грн
500+ 31.68 грн
1000+ 25.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.52 грн
11+ 52.03 грн
25+ 51.51 грн
50+ 49.18 грн
100+ 34.44 грн
250+ 31.87 грн
500+ 27.95 грн
1000+ 23.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN95R2K0P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.84 грн
11+ 71.62 грн
100+ 55.78 грн
500+ 42.75 грн
1000+ 29.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.31 грн
10+ 74.8 грн
100+ 50.45 грн
500+ 41.7 грн
1000+ 32.95 грн
3000+ 29.11 грн
9000+ 28.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPN95R2K0P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESIPN95R2K0P7 SMD N channel transistors
товар відсутній
IPN95R2K0P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.89 грн
6000+ 24.66 грн
9000+ 23.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon Technologies950V Power Transistor
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.29 грн
13+ 43.82 грн
25+ 43.02 грн
100+ 26.29 грн
250+ 24.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.38 грн
10+ 54.9 грн
100+ 37.13 грн
500+ 31.49 грн
1000+ 25.66 грн
3000+ 24.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN95R3K7P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESIPN95R3K7P7 SMD N channel transistors
товар відсутній
IPN95R3K7P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.3 грн
500+ 36.26 грн
1000+ 26.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
на замовлення 8051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.24 грн
10+ 50.48 грн
100+ 34.97 грн
500+ 27.42 грн
1000+ 23.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon Technologies950V Power Transistor
товар відсутній
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon Technologies950V Power Transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPN95R3K7P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPN95R3K7P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 2 A, 3.11 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.11ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.84 грн
12+ 65.52 грн
100+ 47.3 грн
500+ 36.26 грн
1000+ 26.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN95R3K7P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23 грн
6000+ 20.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000