Продукція > IPZ

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IPZ40N04S5-5R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 48W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPZ40N04S5-5R4

товар відсутній

IPZ40N04S5-8R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 34W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 9.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IPZ40N04S5-8R4

товар відсутній

IPZ40N04S53R1ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 385-394 дні (днів)

3+	111.17 грн
10+	97.49 грн
100+	66.38 грн
500+	54.74 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPZ40N04S53R1ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 71W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.49 грн
10+	61.2 грн
100+	47.61 грн
500+	37.87 грн
1000+	30.85 грн
2000+	29.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPZ40N04S53R1ATMA1

товар відсутній

IPZ40N04S53R1ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

IPZ40N04S53R1ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.61 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IPZ40N04S53R1ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

IPZ40N04S53R9ATMA1

Automotive Power Mosfet

товар відсутній

IPZ40N04S53R9ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8

товар відсутній

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.85 грн
10+	48.54 грн
100+	37.75 грн
500+	30.02 грн
1000+	24.46 грн
2000+	23.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

IPZ40N04S55R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.26 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IPZ40N04S55R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

IPZ40N04S55R4ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 14393 шт:

термін постачання 385-394 дні (днів)

4+	85.87 грн
10+	75.58 грн
100+	51.33 грн
500+	42.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPZ40N04S58R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9668 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.01 грн
10+	49.43 грн
100+	34.21 грн
500+	26.82 грн
1000+	22.83 грн
2000+	20.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

IPZ40N04S58R4ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 26876 шт:

термін постачання 527-536 дні (днів)

4+	83.57 грн
10+	72.33 грн
100+	48.24 грн
500+	38.12 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

IPZ40N04S58R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-32
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 771 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.31 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IPZ40N04S58R4ATMA1

Infineon

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IPZ40N04S58R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 4130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	61.9 грн
12+	51.63 грн
25+	50.58 грн
100+	35.09 грн
250+	31.54 грн
500+	29.98 грн
1000+	23.45 грн
3000+	23.22 грн

Мінімальне замовлення: 10

IPZ40N04S5L-2R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 71W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPZ40N04S5L-2R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 71W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IPZ40N04S5L-2R8

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IPZ40N04S5L-4R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 48W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPZ40N04S5L-4R8

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 48W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IPZ40N04S5L-7R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 34W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET

товар відсутній

IPZ40N04S5L-7R4

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

товар відсутній

IPZ40N04S5L-7R4

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 34W; PG-TSDSON-8
Technology: OptiMOS™ 5
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
Power dissipation: 34W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 10.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5000 шт

товар відсутній

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.6 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 26444 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.57 грн
10+	67.94 грн
100+	46 грн
500+	38.97 грн
1000+	29.97 грн
2500+	29.9 грн
5000+	28.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	32.66 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 33008 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	77.49 грн
10+	61.2 грн
100+	47.61 грн
500+	37.87 грн
1000+	30.85 грн
2000+	29.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L2R8ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0022 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm

на замовлення 9911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.03 грн
500+	48.33 грн
1000+	32.86 грн
2500+	32.23 грн
5000+	31.6 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive AEC-Q101 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

175+	66.8 грн
205+	56.9 грн
240+	48.69 грн
252+	44.56 грн
500+	38.61 грн
1000+	34.78 грн

Мінімальне замовлення: 175

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	30.61 грн
10000+	28.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

на замовлення 9911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	103.21 грн
10+	85.52 грн
100+	63.03 грн
500+	48.33 грн
1000+	32.86 грн
2500+	32.23 грн
5000+	31.6 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPZ40N04S5L2R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.52 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

SP005400394

товар відсутній

IPZ40N04S5L3R6ATMA1

Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TSDSON-8

товар відсутній

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15632 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.85 грн
10+	48.54 грн
100+	37.75 грн
500+	30.02 грн
1000+	24.46 грн
2000+	23.02 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	24.26 грн
10000+	22.29 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 28029 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.01 грн
10+	53.96 грн
100+	36.54 грн
500+	31.02 грн
1000+	23.79 грн
5000+	22.54 грн
10000+	22.41 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPZ40N04S5L4R8ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 2687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	64.93 грн
11+	57.05 грн
25+	56.14 грн
100+	39.64 грн
250+	36.34 грн
500+	31.86 грн
1000+	25.04 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: INFINEON - IPZ40N04S5L7R4ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0061 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	69.74 грн
13+	57.87 грн
100+	36.86 грн
500+	28.62 грн
1000+	20.03 грн

Мінімальне замовлення: 11

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

MOSFET MOSFET_(20V 40V)

на замовлення 56680 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.48 грн
10+	51.39 грн
100+	32.14 грн
500+	27.47 грн
1000+	20.83 грн
2500+	20.77 грн
5000+	19.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.01 грн
10+	49.08 грн
100+	33.96 грн
500+	26.63 грн
1000+	22.66 грн
2000+	20.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

на замовлення 1780 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.86 грн
500+	28.62 грн
1000+	20.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin TSDSON EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.53 грн
10000+	21.07 грн
25000+	20.9 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 40A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IPZ40N04S5L7R4ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	21.16 грн
10000+	18.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IPZ60R017C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1719.97 грн
10+	1632.26 грн
100+	1473.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPZ60R017C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 69A; 446W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 69A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPZ60R017C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R017C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2279.53 грн
5+	2191.06 грн

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	1672.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

IPZ60R017C7XKSA1
Код товару: 154853

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPZ60R017C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 219 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1441.44 грн
10+	1362.65 грн
25+	1056.11 грн
50+	1050.19 грн
100+	1008.79 грн
240+	999.59 грн
480+	907.58 грн

IPZ60R017C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 109A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1597.12 грн
10+	1515.67 грн
100+	1367.93 грн

IPZ60R017C7XKSA1

товар відсутній

IPZ60R017C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9890 pF @ 400 V

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1460.91 грн
30+	1166.1 грн
120+	1093.21 грн

IPZ60R037P7XKSA1

MOSFET

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	956.1 грн
10+	852.51 грн
100+	613.82 грн
240+	613.16 грн

IPZ60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

на замовлення 2658 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

53+	404.5 грн

Мінімальне замовлення: 53

IPZ60R037P7XKSA1

товар відсутній

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	231.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPZ60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 720 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	1345.86 грн
11+	1098.46 грн
12+	1048.98 грн
50+	912.27 грн
100+	783.73 грн
200+	726.09 грн

Мінімальне замовлення: 9

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	780.14 грн
16+	743.59 грн
100+	674.86 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	562.01 грн

IPZ60R040C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	940.71 грн
3+	826.28 грн
10+	819.44 грн

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	789.21 грн
10+	752.24 грн
100+	682.7 грн

IPZ60R040C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 294-303 дні (днів)

1+	1104.08 грн
10+	991.57 грн
100+	728.17 грн

IPZ60R040C7XKSA1

на замовлення 23 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	1128.85 грн
3+	1029.67 грн
10+	983.32 грн
30+	952.93 грн

IPZ60R040C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 24.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 400 V

на замовлення 698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1038.63 грн
10+	919.18 грн
100+	776.31 грн
500+	648.08 грн

IPZ60R040C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R040C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.034 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm

на замовлення 1145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	812.43 грн
5+	746.82 грн
10+	681.2 грн
50+	627.75 грн
100+	559.88 грн
250+	504.9 грн

IPZ60R040C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R041P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 77.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R041P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V

товар відсутній

IPZ60R041P6FKSA1

на замовлення 14989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

45+	477.73 грн

Мінімальне замовлення: 45

IPZ60R060C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R060C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 400 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	588.63 грн
10+	485.84 грн

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R060C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R060C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	639.45 грн
10+	540.38 грн
25+	391.03 грн
100+	366.06 грн
240+	361.46 грн
480+	341.74 грн
1200+	310.19 грн

IPZ60R070P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V

товар відсутній

IPZ60R070P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 53.5A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R070P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

на замовлення 240 шт:

термін постачання 755-764 дні (днів)

1+	697.72 грн
10+	622 грн
100+	448.2 грн

IPZ60R099C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 203 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	453.9 грн
10+	383.93 грн
25+	262.88 грн
100+	250.39 грн
240+	249.73 грн
480+	242.5 грн
1200+	210.3 грн

IPZ60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

на замовлення 14461 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	251.42 грн

Мінімальне замовлення: 79

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R099C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ60R099C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 22
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPZ60R099C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1819 pF @ 400 V

товар відсутній

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R099C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R099P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R099P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

товар відсутній

IPZ60R099P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

на замовлення 212 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	438.63 грн
10+	361.93 грн

IPZ60R125P6FKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 30A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ60R125P6FKSA1

MOSFET HIGH POWER_PRICE/PERFORM

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

IPZ60R125P6FKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V

товар відсутній

IPZ65R019C7

MOSFET N-Ch 700V 75A TO247-4

на замовлення 193 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1580.98 грн
10+	1384.57 грн
25+	1123.14 грн
50+	1088.31 грн
100+	1052.82 грн
240+	982.5 грн
480+	903.64 грн

IPZ65R019C7XKSA1
Код товару: 117276

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IPZ65R019C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 58.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.92mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 400 V

на замовлення 729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1455.93 грн
30+	1162.38 грн
120+	1089.74 грн
510+	872.69 грн

IPZ65R019C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 75A; 446W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 75A
Power dissipation: 446W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	112285.29 грн

IPZ65R019C7XKSA1

товар відсутній

IPZ65R019C7XKSA1

MOSFET N-Ch 700V 75A TO247-4

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1848.57 грн
10+	1646.82 грн
25+	1379.44 грн
50+	1357.1 грн
100+	1238.81 грн
240+	1192.8 грн
480+	1132.34 грн

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ65R019C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ65R045C7

MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4

на замовлення 479 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	876.36 грн
10+	761.06 грн
25+	644.05 грн
50+	632.22 грн
240+	584.24 грн
480+	561.9 грн
1200+	561.24 грн

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ65R045C7XKSA1

MOSFET N-Ch 700V 46A TO247-4

на замовлення 961 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	875.6 грн
10+	760.3 грн
25+	643.39 грн
50+	607.24 грн
100+	571.76 грн
240+	554.67 грн
480+	518.52 грн

IPZ65R045C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247

товар відсутній

IPZ65R045C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 46A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

IPZ65R045C7XKSA1

товар відсутній

IPZ65R045C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 700V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ65R065C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	670.88 грн
10+	566.83 грн
25+	446.89 грн
100+	410.74 грн
240+	386.43 грн
480+	362.11 грн
1200+	325.97 грн

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ65R065C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	641.95 грн
10+	530.07 грн
100+	441.73 грн

IPZ65R065C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; 171W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 33A
Power dissipation: 171W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

IPZ65R065C7XKSA1

товар відсутній

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	38667.42 грн

IPZ65R065C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 33A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZ65R065C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 480 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	667.82 грн
10+	579.68 грн
25+	446.89 грн
100+	410.09 грн
240+	386.43 грн
480+	344.37 грн
1200+	325.97 грн

IPZ65R065C7XKSA1

Description: INFINEON - IPZ65R065C7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 33
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 171
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 171
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS C7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.058
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPZ65R095C7

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 187 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	467.7 грн
10+	395.27 грн
25+	311.51 грн
100+	285.88 грн
240+	269.45 грн
480+	252.36 грн
1200+	227.39 грн

IPZ65R095C7

Description: IPZ65R095 - 650V AND 700V COOLMO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

71+	302.13 грн

Мінімальне замовлення: 71

IPZ65R095C7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPZ65R095C7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 128W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 128W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPZ65R095C7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	502.61 грн
10+	437.31 грн
100+	362.03 грн

IPZ65R095C7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	345.73 грн
10+	342.56 грн
25+	339.31 грн
50+	324.07 грн
100+	297.1 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPZ65R095C7XKSA1

товар відсутній

IPZA60R024P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPZA60R024P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 101A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.03mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7144 pF @ 400 V

товар відсутній

IPZA60R024P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1302.66 грн
10+	1179.76 грн
100+	866.84 грн
480+	755.77 грн
1200+	749.86 грн
2640+	737.37 грн

IPZA60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

товар відсутній

IPZA60R024P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 101A Tube

товар відсутній

IPZA60R024P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 63A; Idm: 386A; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 386A
Power dissipation: 291W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

IPZA60R024P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R024P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: -
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): -
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPZA60R024P7XKSA1

товар відсутній

IPZA60R037P7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPZA60R037P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

IPZA60R037P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R037P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 76 A, 0.03 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 76
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 255
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 255
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPZA60R037P7XKSA1

товар відсутній

IPZA60R037P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	948.44 грн
10+	842.68 грн
100+	619.07 грн
480+	550.73 грн
1200+	505.38 грн
2640+	504.72 грн

IPZA60R037P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 76A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 29.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5243 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	698.11 грн
30+	543.76 грн
120+	511.78 грн

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZA60R037P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 76A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZA60R045P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 650V 61A TO247-4-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.08mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3891 pF @ 400 V

товар відсутній

IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube

товар відсутній

IPZA60R045P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 61A Tube

товар відсутній

IPZA60R045P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; Idm: 206A; 201W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 206A
Power dissipation: 201W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

IPZA60R045P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R045P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.038 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 61
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 201
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 201
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPZA60R045P7XKSA1

товар відсутній

IPZA60R045P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 294-303 дні (днів)

1+	847.23 грн
10+	716.47 грн
100+	515.24 грн

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZA60R060P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 48A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	250.72 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPZA60R060P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	567.67 грн
3+	379.94 грн
6+	359.4 грн

IPZA60R060P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R060P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 48 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 164W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	704.8 грн
10+	578.73 грн
25+	479.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPZA60R060P7XKSA1

на замовлення 25 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	681.2 грн
3+	473.46 грн
6+	431.28 грн

IPZA60R060P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	565.08 грн
10+	529.04 грн
25+	415.35 грн
100+	346.34 грн
480+	254.99 грн
1200+	244.48 грн

IPZA60R060P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 164W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 800µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2895 pF @ 400 V

товар відсутній

IPZA60R080P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 129W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 129W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

IPZA60R080P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	552.81 грн
10+	492.01 грн
100+	306.91 грн

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	495.35 грн
26+	458.56 грн
100+	311.16 грн

Мінімальне замовлення: 24

IPZA60R080P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 129W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 400 V

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	541.71 грн
10+	471.06 грн

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 242 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	459.96 грн
10+	425.8 грн
100+	288.94 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZA60R080P7XKSA1

товар відсутній

IPZA60R080P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 37A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 8640 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

240+	380.88 грн

Мінімальне замовлення: 240

IPZA60R080P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R080P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 37
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 129
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 129
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.069
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	518.28 грн
5+	493.95 грн
10+	468.88 грн
50+	397.74 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPZA60R099P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	396.68 грн
10+	320.59 грн
240+	244.97 грн

IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZA60R099P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

IPZA60R099P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 31A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZA60R099P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R099P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 31
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 117
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 117
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	287.52 грн
10+	259.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPZA60R099P7XKSA1

товар відсутній

IPZA60R099P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 240 шт:

термін постачання 140-149 дні (днів)

1+	430.9 грн
10+	356.72 грн
25+	295.08 грн
100+	260.91 грн
240+	236.59 грн
480+	222.79 грн
1200+	179.41 грн

IPZA60R120P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 95W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

IPZA60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZA60R120P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R120P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 26
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 159 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	432.76 грн
10+	388.52 грн
100+	272.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPZA60R120P7XKSA1

товар відсутній

IPZA60R120P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	371.86 грн
10+	334.81 грн
25+	249.08 грн
100+	217.53 грн
240+	205.04 грн
480+	164.96 грн
1200+	155.75 грн

IPZA60R120P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 410µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 400 V

на замовлення 38 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	343.37 грн
30+	261.83 грн

IPZA60R120P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 26A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZA60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

товар відсутній

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZA60R180P7XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 72W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 72W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal

товар відсутній

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	74.81 грн

Мінімальне замовлення: 8

IPZA60R180P7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA60R180P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.145 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 18
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 72
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 72
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS P7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.145
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	353.14 грн
10+	317.75 грн
100+	221.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

IPZA60R180P7XKSA1

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V

на замовлення 221 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

132+	149.67 грн

Мінімальне замовлення: 132

IPZA60R180P7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 600V 18A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZA60R180P7XKSA1

товар відсутній

IPZA60R180P7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 198 шт:

термін постачання 140-149 дні (днів)

2+	300.56 грн
10+	252.43 грн
25+	200.44 грн
100+	192.56 грн
240+	153.13 грн
480+	145.9 грн
1200+	137.35 грн

Мінімальне замовлення: 2

IPZA65R018CFD7XKSA1

SP005413354

товар відсутній

IPZA65R018CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA65R018CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 106 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm

на замовлення 136 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1476.68 грн
5+	1350.61 грн
10+	1224.55 грн
50+	1101.48 грн
100+	918.17 грн

IPZA65R018CFD7XKSA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 58.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.91mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11660 pF @ 400 V

товар відсутній

IPZA65R018CFD7XKSA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

IPZA65R018CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 143 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1567.18 грн
25+	1280.27 грн
100+	1043.62 грн
240+	1019.96 грн
480+	878.01 грн

IPZA65R029CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IPZA65R029CFD7XKSA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

товар відсутній

IPZA65R029CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	779.11 грн
25+	771.27 грн
50+	738.19 грн
100+	611.71 грн

Мінімальне замовлення: 15

IPZA65R029CFD7XKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	769.15 грн
10+	723.46 грн
25+	716.18 грн
50+	685.46 грн
100+	568.02 грн

IPZA65R029CFD7XKSA1

SP005413356

товар відсутній

IPZA65R029CFD7XKSA1

Description: INFINEON - IPZA65R029CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 69
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 305
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 305
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: CoolMOS CFD7
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.024
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

IPZA65R029CFD7XKSA1