Продукція > IQE

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 24A 120W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

IQE-480-17A-120V/001-R

Module DC-DC 48VIN 1-OUT 12V 17A 204W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

IQE004NE1LM7ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4908 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.02 грн
10+	147.8 грн
100+	101.89 грн
250+	93.9 грн
500+	85.24 грн
1000+	73.25 грн
2500+	69.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	74.09 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE004NE1LM7ATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	170.73 грн
10+	136.59 грн
100+	108.69 грн
500+	86.31 грн
1000+	73.23 грн
2000+	69.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7ATMA1

TRENCH <= 40V

товар відсутній

IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 9980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	166.4 грн
10+	133.26 грн
100+	106.04 грн
500+	84.2 грн
1000+	71.44 грн
2000+	67.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	72.28 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE004NE1LM7CGATMA1

TRENCH <= 40V

товар відсутній

IQE004NE1LM7CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4879 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	181.02 грн
10+	147.8 грн
100+	101.89 грн
250+	93.9 грн
500+	85.24 грн
1000+	73.25 грн
2500+	69.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Opti MOST M7 Power-Transistor, 15V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	219.95 грн
10+	202.91 грн
25+	198.92 грн
50+	185.73 грн
100+	151.42 грн
250+	142.8 грн
500+	122.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

TRENCH <= 40V

товар відсутній

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

товар відсутній

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4348 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.01 грн
10+	159.29 грн
100+	110.55 грн
250+	101.89 грн
500+	92.57 грн
1000+	79.25 грн
2500+	75.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Opti MOST M7 Power-Transistor, 15V

на замовлення 500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

50+	236.87 грн
54+	218.52 грн
55+	214.22 грн
57+	200.02 грн
100+	163.07 грн
250+	153.79 грн
500+	132.38 грн

Мінімальне замовлення: 50

IQE004NE1LM7CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

товар відсутній

IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

товар відсутній

IQE004NE1LM7SCATMA1

TRENCH <= 40V

товар відсутній

IQE004NE1LM7SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V

товар відсутній

IQE004NE1LM7SCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.01 грн
10+	159.29 грн
100+	110.55 грн
250+	101.89 грн
500+	92.57 грн
1000+	79.25 грн
2500+	75.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm

на замовлення 9004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.92 грн
500+	67.7 грн
1000+	52.76 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE006NE2LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 25V 41A T/R

товар відсутній

IQE006NE2LM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 2105 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	127.42 грн
10+	110.28 грн
100+	83.91 грн
250+	83.24 грн
500+	75.25 грн
1000+	67.93 грн
5000+	66.39 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 3904 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	163.52 грн
10+	130.69 грн
100+	104 грн
500+	82.59 грн
1000+	70.07 грн
2000+	66.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5ATMA1

на замовлення 9004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	137.46 грн
10+	102.34 грн
100+	82.92 грн
500+	67.7 грн
1000+	52.76 грн

Мінімальне замовлення: 6

IQE006NE2LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

товар відсутній

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	70.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 500µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	103.84 грн
500+	87.4 грн
1000+	65.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 9875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.08 грн
10+	129.37 грн
100+	102.95 грн
500+	81.75 грн
1000+	69.36 грн
2000+	65.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE006NE2LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 298 A, 0.0005 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0005ohm

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	192.74 грн
10+	133.72 грн
100+	103.84 грн
500+	87.4 грн
1000+	65.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE006NE2LM5CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4924 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	177.14 грн
10+	137.08 грн
100+	100.56 грн
250+	92.57 грн
500+	83.91 грн
1000+	68.59 грн
2500+	67.93 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

товар відсутній

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 458 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.01 грн
10+	160.06 грн
100+	110.55 грн
250+	101.89 грн
500+	93.23 грн
1000+	79.91 грн
2500+	75.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 4468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.37 грн
10+	143.73 грн
100+	114.41 грн
500+	90.85 грн
1000+	77.09 грн
2000+	73.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

на замовлення 5946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.93 грн
10+	142.41 грн
100+	113.34 грн
500+	90.01 грн
1000+	76.37 грн
2000+	72.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5SCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4839 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.01 грн
10+	160.06 грн
100+	110.55 грн
250+	101.89 грн
500+	93.23 грн
1000+	79.91 грн
2500+	75.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE006NE2LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 310A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5453 pF @ 12 V

товар відсутній

IQE008N03LM5ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 1931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.45 грн
10+	137.21 грн
100+	109.2 грн
500+	86.71 грн
1000+	73.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE008N03LM5ATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

товар відсутній

IQE008N03LM5ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.46 грн
10+	153.17 грн
100+	105.88 грн
250+	101.89 грн
500+	89.24 грн
1000+	72.59 грн
5000+	69.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE008N03LM5ATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	70.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 89W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm

на замовлення 4748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	129.72 грн
500+	98.61 грн
1000+	86.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE008N03LM5CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 5536 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	186.46 грн
10+	153.17 грн
100+	105.88 грн
250+	97.89 грн
500+	88.57 грн
1000+	77.25 грн
5000+	69.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE008N03LM5CGATMA1

N Channel Power Mosfet

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	70.39 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	171.45 грн
10+	137.21 грн
100+	109.2 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE008N03LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 253 A, 650 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm

на замовлення 4748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	219.63 грн
10+	174.81 грн
25+	157.63 грн
100+	129.72 грн
500+	98.61 грн
1000+	86.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE008N03LM5CGATMA1

Description: TRENCH <= 40V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 15 V

товар відсутній

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товар відсутній

IQE008N03LM5CGSCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товар відсутній

IQE008N03LM5CGSCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE008N03LM5SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товар відсутній

IQE008N03LM5SCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE008N03LM5SCATMA1

Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товар відсутній

IQE013N04LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A T/R

товар відсутній

IQE013N04LM6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 12359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.09 грн
10+	144.08 грн
100+	114.68 грн
500+	91.06 грн
1000+	77.26 грн
2000+	73.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6ATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 2878 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	164.71 грн
10+	137.08 грн
100+	101.89 грн
250+	99.89 грн
500+	87.24 грн
1000+	75.25 грн
2500+	74.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	146.42 грн
10+	122.52 грн
25+	107.57 грн
100+	85.32 грн
500+	71.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

IQE013N04LM6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	78.17 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE013N04LM6ATMA1

Description: INFINEON - IQE013N04LM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 0.0011 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9855 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	106.83 грн
500+	80.68 грн
1000+	61.98 грн
5000+	60.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

на замовлення 5424 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.09 грн
10+	144.08 грн
100+	114.68 грн
500+	91.06 грн
1000+	77.26 грн
2000+	73.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 31A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQE013N04LM6CGATMA1

Description: 40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 20 V

товар відсутній

IQE013N04LM6CGATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 824 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.69 грн
10+	153.17 грн
100+	107.88 грн
250+	102.55 грн
500+	91.23 грн
1000+	75.92 грн
5000+	73.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6CGSCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 907 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.21 грн
10+	176.91 грн
100+	121.87 грн
250+	112.54 грн
500+	101.89 грн
1000+	87.9 грн
2500+	83.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

на замовлення 3165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	198.1 грн
10+	158.44 грн
100+	126.13 грн
500+	100.16 грн
1000+	84.98 грн
2000+	80.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE013N04LM6CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

товар відсутній

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

товар відсутній

IQE013N04LM6SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 51µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 20 V

товар відсутній

IQE013N04LM6SCATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	215.21 грн
10+	176.91 грн
100+	121.87 грн
250+	112.54 грн
500+	101.89 грн
1000+	87.9 грн
2500+	83.91 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE022N06LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin TSON EP T/R

товар відсутній

IQE022N06LM5ATMA1

MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 482-491 дні (днів)

2+	180.25 грн
10+	147.8 грн
100+	101.89 грн
250+	93.9 грн
500+	85.24 грн
1000+	73.92 грн
2500+	69.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.68 грн
10+	132.35 грн
100+	105.35 грн
500+	83.66 грн
1000+	70.98 грн
2000+	67.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 3575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	165.68 грн
10+	132.35 грн
100+	105.35 грн
500+	83.66 грн
1000+	70.98 грн
2000+	67.43 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5CGATMA1

MOSFET

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	180.25 грн
10+	147.8 грн
100+	101.89 грн
250+	93.9 грн
500+	85.24 грн
1000+	74.58 грн
5000+	67.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 4262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	107.57 грн
500+	90.87 грн
1000+	73 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE022N06LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE022N06LM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQE022N06LM5CGATMA1

на замовлення 4262 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	199.46 грн
10+	147.17 грн
100+	107.57 грн
500+	90.87 грн
1000+	73 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Description: INFINEON - IQE022N06LM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 151 A, 0.0019 ohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	250.26 грн
10+	204.69 грн
25+	168.83 грн
100+	130.41 грн
500+	101.17 грн
1000+	92.85 грн
6000+	89.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 5926 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.25 грн
10+	145.67 грн
100+	115.91 грн
500+	92.04 грн
1000+	78.1 грн
2000+	74.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 9-Pin WHTFN EP T/R

товар відсутній

IQE022N06LM5CGSCATMA1

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	130.41 грн
500+	101.17 грн
1000+	92.85 грн
6000+	89.65 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE022N06LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE022N06LM5CGSCATMA1

MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 190-199 дні (днів)

2+	198.12 грн
10+	162.36 грн
100+	111.88 грн
250+	103.89 грн
500+	93.9 грн
1000+	80.58 грн
2500+	76.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 24A 8-Pin WHSON EP T/R

товар відсутній

IQE022N06LM5SCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 260 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	197.34 грн
10+	161.59 грн
100+	111.21 грн
250+	103.22 грн
500+	93.23 грн
1000+	79.91 грн
2500+	75.92 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

на замовлення 5995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.25 грн
10+	145.67 грн
100+	115.91 грн
500+	92.04 грн
1000+	78.1 грн
2000+	74.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE022N06LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 151A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 9992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.82 грн
10+	186.76 грн
100+	150.16 грн
500+	114.46 грн
1000+	81.96 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE030N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 7358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.74 грн
10+	151.29 грн
100+	120.4 грн
500+	95.61 грн
1000+	81.12 грн
2000+	77.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5ATMA1

SP005399424

товар відсутній

IQE030N06NM5ATMA1

на замовлення 9992 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	150.16 грн
500+	114.46 грн
1000+	81.96 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE030N06NM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 6843 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.11 грн
10+	168.48 грн
100+	116.54 грн
250+	111.21 грн
500+	98.56 грн
1000+	79.91 грн
5000+	76.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	82.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5CGATMA1

SP005399428

товар відсутній

IQE030N06NM5CGATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	205.11 грн
10+	168.48 грн
100+	116.54 грн
250+	111.21 грн
500+	98.56 грн
1000+	79.91 грн
5000+	76.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	222.62 грн
10+	164.35 грн
100+	124.76 грн
500+	102.67 грн
1000+	76.84 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

на замовлення 4960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	188.74 грн
10+	151.29 грн
100+	120.4 грн
500+	95.61 грн
1000+	81.12 грн
2000+	77.07 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE030N06NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0022 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm

на замовлення 4670 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	124.76 грн
500+	102.67 грн
1000+	76.84 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE030N06NM5CGSCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5820 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.78 грн
10+	167.72 грн
25+	137.85 грн
100+	118.54 грн
250+	111.88 грн
500+	105.22 грн
1000+	90.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 21A 9-Pin WHTFN EP T/R

товар відсутній

IQE030N06NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 21A

товар відсутній

IQE030N06NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 30 V

товар відсутній

IQE030N06NM5SCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3620 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	202.78 грн
10+	167.72 грн
25+	137.85 грн
100+	118.54 грн
250+	111.88 грн
500+	105.22 грн
1000+	90.57 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE036N08NM6ATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE036N08NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE036N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQE036N08NM6CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE036N08NM6CGATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQE036N08NM6CGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE036N08NM6CGSCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQE036N08NM6CGSCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE036N08NM6CGSCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE036N08NM6SCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE036N08NM6SCATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE036N08NM6SCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQE046N08LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE046N08LM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A

товар відсутній

IQE046N08LM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 2629 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.79 грн
10+	155.46 грн
100+	107.22 грн
250+	99.22 грн
500+	89.9 грн
1000+	77.91 грн
5000+	70.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 4185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.61 грн
10+	139.01 грн
100+	110.63 грн
500+	87.85 грн
1000+	74.54 грн
2000+	70.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5CGATMA1

MOSFET

на замовлення 86 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	188.79 грн
10+	155.46 грн
100+	107.22 грн
250+	99.22 грн
500+	89.9 грн
1000+	77.91 грн
5000+	70.59 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE046N08LM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 4290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	173.61 грн
10+	139.01 грн
100+	110.63 грн
500+	87.85 грн
1000+	74.54 грн
2000+	70.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 4955 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.9 грн
10+	152.89 грн
100+	121.71 грн
500+	96.64 грн
1000+	82 грн
2000+	77.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE046N08LM5CGSCATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

IQE046N08LM5CGSCATMA1

MOSFET

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	207.44 грн
10+	170.01 грн
100+	117.87 грн
250+	109.21 грн
500+	99.22 грн
1000+	84.57 грн
2500+	80.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 15.6A 8-Pin WHSON EP T/R

товар відсутній

IQE046N08LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	190.9 грн
10+	152.89 грн
100+	121.71 грн
500+	96.64 грн
1000+	82 грн
2000+	77.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5SCATMA1

MOSFET

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 302-311 дні (днів)

2+	207.44 грн
10+	170.01 грн
100+	117.87 грн
250+	109.21 грн
500+	99.22 грн
1000+	84.57 грн
2500+	80.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE046N08LM5SCATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 47µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 40 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6000+	82.96 грн

Мінімальне замовлення: 6000

IQE050N08NM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 4545 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.45 грн
10+	160.82 грн
25+	135.85 грн
100+	113.21 грн
250+	109.88 грн
500+	100.56 грн
1000+	81.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm

на замовлення 8825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	138.74 грн
500+	108.85 грн
1000+	87.08 грн
5000+	85.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE050N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 9410 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.93 грн
10+	143.87 грн
100+	116.39 грн
500+	97.09 грн
1000+	83.14 грн
2000+	78.28 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5ATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm

на замовлення 8825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	227.1 грн
10+	181.53 грн
25+	165.1 грн
100+	138.74 грн
500+	108.85 грн
1000+	87.08 грн
5000+	85.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE050N08NM5ATMA1

SP005583102

товар відсутній

IQE050N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	83.11 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	83.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm

на замовлення 8835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	132.49 грн
500+	104.37 грн
1000+	83.24 грн
5000+	80.04 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE050N08NM5CGATMA1

SP005583114

товар відсутній

IQE050N08NM5CGATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 437 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	193.45 грн
10+	160.82 грн
25+	135.85 грн
100+	113.21 грн
250+	109.88 грн
500+	100.56 грн
1000+	81.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

на замовлення 9770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.93 грн
10+	144.22 грн
100+	116.7 грн
500+	97.35 грн
1000+	83.35 грн
2000+	78.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE050N08NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 101 A, 0.0043 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm

на замовлення 8835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	217.39 грн
10+	174.06 грн
25+	158.37 грн
100+	132.49 грн
500+	104.37 грн
1000+	83.24 грн
5000+	80.04 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE050N08NM5CGSCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 1532 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.1 грн
10+	176.14 грн
25+	144.51 грн
100+	123.86 грн
250+	117.2 грн
500+	110.55 грн
1000+	93.9 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE050N08NM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 16A

товар відсутній

IQE050N08NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE050N08NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 49µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V

товар відсутній

IQE050N08NM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 16A

товар відсутній

IQE050N08NM5SCATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 5180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	212.88 грн
10+	176.91 грн
25+	145.17 грн
100+	124.53 грн
250+	117.87 грн
500+	110.55 грн
1000+	94.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE057N10NM6ATMA1

IQE057N10NM6ATMA1

товар відсутній

IQE057N10NM6ATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE057N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE057N10NM6CGATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE057N10NM6CGATMA1

IQE057N10NM6CGATMA1

товар відсутній

IQE057N10NM6CGATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE057N10NM6CGSCATMA1

IQE057N10NM6CGSCATMA1

товар відсутній

IQE057N10NM6CGSCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE057N10NM6CGSCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE057N10NM6SCATMA1

MOSFET

товар відсутній

IQE057N10NM6SCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

IQE057N10NM6SCATMA1

IQE057N10NM6SCATMA1

товар відсутній

IQE065N10NM5ATMA1

SP005399446

товар відсутній

IQE065N10NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 28330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	131.83 грн
10+	106.48 грн
100+	86.14 грн
500+	79.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

IQE065N10NM5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.55 грн
10+	168.48 грн
25+	142.51 грн
100+	119.2 грн
250+	115.21 грн
500+	105.88 грн
1000+	85.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE065N10NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	87.5 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE065N10NM5CGATMA1

SP005399451

товар відсутній

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm

на замовлення 4675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	144.98 грн
500+	113.98 грн
1000+	90.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	86.68 грн

Мінімальне замовлення: 5000

IQE065N10NM5CGATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5126 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.55 грн
10+	168.48 грн
25+	142.51 грн
100+	119.2 грн
250+	115.21 грн
500+	105.88 грн
1000+	85.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: INFINEON - IQE065N10NM5CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 85 A, 0.0057 ohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm

на замовлення 4675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	238.31 грн
10+	189.75 грн
25+	173.31 грн
100+	144.98 грн
500+	113.98 грн
1000+	90.93 грн

Мінімальне замовлення: 4

IQE065N10NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TTFN-9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

на замовлення 9930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	185.85 грн
10+	150.11 грн
100+	121.4 грн
500+	101.27 грн
1000+	86.71 грн
2000+	81.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE065N10NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товар відсутній

IQE065N10NM5CGSCATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 9-Pin WHTFN EP T/R

товар відсутній

IQE065N10NM5CGSCATMA1

MOSFET

на замовлення 5817 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.75 грн
10+	186.1 грн
25+	152.5 грн
100+	130.52 грн
250+	123.2 грн
500+	116.54 грн
1000+	99.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE065N10NM5CGSCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товар відсутній

IQE065N10NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товар відсутній

IQE065N10NM5SCATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 13A 8-Pin WHSON EP T/R

товар відсутній

IQE065N10NM5SCATMA1

MOSFET

на замовлення 4471 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.75 грн
10+	186.1 грн
25+	152.5 грн
100+	130.52 грн
250+	123.2 грн
500+	116.54 грн
1000+	99.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE065N10NM5SCATMA1

Description: OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 48µA
Supplier Device Package: PG-WHSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 50 V

товар відсутній

IQE220N15NM5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

2+	213.65 грн
10+	177.67 грн
25+	145.84 грн
100+	124.53 грн
250+	117.87 грн
500+	110.55 грн
1000+	94.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE220N15NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товар відсутній

IQE220N15NM5ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товар відсутній

IQE220N15NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 7A 8-Pin TSON EP T/R

товар відсутній

IQE220N15NM5CGATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 7A 9-Pin TTFN EP T/R

товар відсутній

IQE220N15NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товар відсутній

IQE220N15NM5CGATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

2+	213.65 грн
10+	177.67 грн
25+	145.84 грн
100+	124.53 грн
250+	117.87 грн
500+	110.55 грн
1000+	94.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE220N15NM5CGATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

товар відсутній

IQE220N15NM5CGSCATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IQE220N15NM5CGSCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товар відсутній

IQE220N15NM5CGSCATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

2+	234.63 грн
10+	194.52 грн
25+	159.16 грн
100+	136.52 грн
250+	128.53 грн
500+	121.2 грн
1000+	103.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE220N15NM5CGSCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9

товар відсутній

IQE220N15NM5SCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товар відсутній

IQE220N15NM5SCATMA1

TRENCH >=100V

товар відсутній

IQE220N15NM5SCATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
Supplier Device Package: PG-WHSON-8

товар відсутній

IQE220N15NM5SCATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

2+	234.63 грн
10+	194.52 грн
25+	159.16 грн
100+	136.52 грн
250+	128.53 грн
500+	121.2 грн
1000+	103.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

IQE24009A120V-001-R

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 12V 9A 108W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

iQE24009A120V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 12V

на замовлення 16 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IQE24009A120V-007-R

Description: DC DC CONVERTER 12V 108W

товар відсутній

iQE24012A080V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 8V 96W

товар відсутній

IQE24015A033V-031-R

Description: DC DC CONVERTER 3.3V 50W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 40V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 15A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 16V
Voltage - Output 1: 3.3V
Part Status: Obsolete
Power (Watts): 50 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товар відсутній

IQE24015A033V-031-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 16-40VDC

товар відсутній

IQE24015A050V-031-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 75W
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 15A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товар відсутній

iQE24024A050V-001-R

Isolated DC/DC Converters 18-36Vin 5V 24A 120W NegPlrty 1/4brick TH

на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

iQE24024A050V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 120W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP Module
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Intermediate Bus Converter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 24A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Control Features: Enable, Active Low
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 39 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4472.01 грн

IQE24024A050V-001-R

Module DC-DC 24VIN 1-OUT 5V 24A 120W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

IQE24024A050V-007-R

Description: DC DC CONVERTER 5V 120W
Features: Remote On/Off, OCP, OVP, SCP
Packaging: Tray
Package / Case: Quarter Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.41" H (57.9mm x 36.8mm x 10.4mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 36V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 24A
Supplier Device Package: Quarter Brick
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 5V
Power (Watts): 120 W
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

товар відсутній

IQE24030A033V-007-R

Isolated DC/DC Converters 18-36VDC

товар відсутній

iQE48010A150V-007-R

Isolated DC/DC Converters 48Vin15Vout 10A 150W PCB Mount 1/4 Brick

товар відсутній

IQE48017A120V-000-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75VDC

товар відсутній

iQE48017A120V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 48Vin12Vout 17A 204W PCB Mount 1/4 Brick

на замовлення 72 шт:

термін постачання 182-191 дні (днів)

1+	5774.88 грн
10+	5647.97 грн
25+	4521.04 грн
50+	4519.7 грн
72+	4209.38 грн

iQE48017A120V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 12V
Packaging: Tray
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Package / Case: 8-DIP Module, 1/4 Brick
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 75V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 17A
Voltage - Input (Min): 36V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5745.61 грн
5+	5489.53 грн
10+	5446.38 грн
25+	4948.94 грн

IQE48017A120V-007-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75VDC

товар відсутній

IQE48030A050V-001-R

TDK-Lambda Americas Inc.

Description: CONVRTR DC-DC 5V 30A 150W PCB

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IQE48030A050V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 36-75Vin 5V 30A 150W NegPlrty 1/4brick TH

товар відсутній

iQE48040A033V-001-R

Isolated DC/DC Converters - Through Hole 48Vin3.3Vout40A 132W PCB Mount 1/4 Brick

товар відсутній

IQE4W011A120V-001-R

Module DC-DC 1-OUT 12V 11A 132W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

IQE4W011A120V-001-R

Module DC-DC 1-OUT 12V 11A 132W 8-Pin Quarter-Brick

товар відсутній

IQE4W011A120V-001-R

Description: DC DC CONVERTER 12V 132W
Packaging: Bulk
Features: Remote On/Off, OCP, OVP
Package / Case: 8-DIP Module
Size / Dimension: 2.28" L x 1.45" W x 0.39" H (57.9mm x 36.8mm x 9.9mm)
Mounting Type: Through Hole
Type: Intermediate Bus Converter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 60V
Efficiency: 90%
Current - Output (Max): 11A
Voltage - Input (Min): 18V
Voltage - Output 1: 12V
Control Features: Enable, Active Low
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 1.5 kV

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	5801.08 грн
5+	5542.11 грн
10+	5497.85 грн
25+	4826.63 грн
50+	4660.2 грн

IQE4W011A120V-001-R