Продукція > ISZ

Description: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISZ-2510

MEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

ISZ-2510

Description: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN

на замовлення 6898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISZ-2510

TDK InvenSense

Gyroscopes 1-axis Gyroscope for Motion Applications (Toys and Helicopters)

на замовлення 4984 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

ISZ-2510

MEMS Single Axis ±2000°/s 16-Pin QFN EP T/R

товар відсутній

ISZ-2510

Description: MEMS GYROSCOPE 1-AXIS 16QFN

на замовлення 6898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

ISZ-77P1028

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISZ019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

товар відсутній

ISZ019N03L5SATMA1

Infineon

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISZ019N03L5SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.35 грн
10+	45.31 грн
100+	36.11 грн
500+	34.59 грн
1000+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 7

ISZ019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm

на замовлення 6680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	98.3 грн
10+	76.13 грн
100+	56.39 грн
500+	45.02 грн
1000+	33.39 грн
5000+	31.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISZ019N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V

на замовлення 4948 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.23 грн
10+	71.51 грн
100+	55.65 грн
500+	44.27 грн
1000+	36.06 грн
2000+	33.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ019N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.54 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ019N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ019N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0016 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm

на замовлення 6680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.39 грн
500+	45.02 грн
1000+	33.39 грн
5000+	31.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ022N06LM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

ISZ022N06LM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

ISZ024N06NM6ATMA1

IGBT Transistors

товар відсутній

ISZ024N06NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

ISZ024N06NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

ISZ034N06LM5ATMA1

Description: INFINEON - ISZ034N06LM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 112 A, 0.0029 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 112A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm

на замовлення 5184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	86.47 грн
250+	73.61 грн
1000+	54.97 грн
3000+	49.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ034N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	53.4 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ034N06LM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 3741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	133.75 грн
10+	109.86 грн
100+	75.77 грн
250+	75.11 грн
500+	64.37 грн
1000+	51.72 грн
2500+	51.65 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ034N06LM5ATMA1

на замовлення 5184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	111.6 грн
50+	86.47 грн
250+	73.61 грн
1000+	54.97 грн
3000+	49.03 грн

Мінімальне замовлення: 7

ISZ034N06LM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 19A/112A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V

на замовлення 6100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.3 грн
10+	98.42 грн
100+	78.35 грн
500+	62.21 грн
1000+	52.79 грн
2000+	50.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ034N06LM5ATMA1

SP005402741

товар відсутній

ISZ040N03L5ISATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 2768 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39.36 грн
10+	34.63 грн
100+	22.66 грн
500+	19.83 грн
1000+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISZ040N03L5ISATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

ISZ040N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISZ040N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 8137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.95 грн
500+	18.8 грн
1000+	13.05 грн
5000+	12.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ040N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 19765 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.18 грн
10+	41.45 грн
100+	28.69 грн
500+	22.49 грн
1000+	19.14 грн
2000+	17.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISZ040N03L5ISATMA1

Description: INFINEON - ISZ040N03L5ISATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0033 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 8137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.64 грн
21+	36.81 грн
100+	23.95 грн
500+	18.8 грн
1000+	13.05 грн
5000+	12.54 грн

Мінімальне замовлення: 17

ISZ040N03L5ISATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.87 грн
10000+	15.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ0501NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 14570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	51.66 грн
18+	41.32 грн
100+	35.55 грн
500+	30.61 грн
1000+	20.91 грн
2500+	20.21 грн
5000+	19.2 грн

Мінімальне замовлення: 15

ISZ0501NLSATMA1

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 12 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ0501NLSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 4185 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.25 грн
10+	72.51 грн
100+	49.15 грн
500+	40.59 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ0501NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0501NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0026 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 14570 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.55 грн
500+	30.61 грн
1000+	20.91 грн
2500+	20.21 грн
5000+	19.2 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ0501NLSATMA1

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 12 V

товар відсутній

ISZ053N08NM6ATMA1

TRENCH 40<-<100V

товар відсутній

ISZ0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.15 грн
500+	37.2 грн
1000+	26.29 грн
2500+	25.85 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 40 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.85 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ0602NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

ISZ0602NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 14743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	96.85 грн
10+	78.04 грн
100+	52.58 грн
500+	44.6 грн
1000+	34.19 грн
5000+	32.55 грн
10000+	32.22 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ0602NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

ISZ0602NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0602NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 64 A, 0.0073 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0073ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	74.65 грн
13+	60.9 грн
100+	47.15 грн
500+	37.2 грн
1000+	26.29 грн
2500+	25.85 грн

Мінімальне замовлення: 10

ISZ0602NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 40 V

на замовлення 9984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	96.21 грн
10+	75.7 грн
100+	58.88 грн
500+	46.84 грн
1000+	38.15 грн
2000+	35.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ0602NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

ISZ062N06NM6ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

ISZ065N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm

на замовлення 6733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	20.77 грн
42+	17.89 грн
100+	12.34 грн

Мінімальне замовлення: 36

ISZ065N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 36526 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.19 грн
10+	36.92 грн
100+	25.59 грн
500+	20.06 грн
1000+	17.08 грн
2000+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 7

ISZ065N03L5SATMA1

Infineon

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

ISZ065N03L5SATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 16971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	31.44 грн
12+	27.35 грн
100+	18.32 грн
500+	16.14 грн
1000+	14.3 грн

Мінімальне замовлення: 10

ISZ065N03L5SATMA1

Description: INFINEON - ISZ065N03L5SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm

на замовлення 6733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.34 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ065N03L5SATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.94 грн
10000+	14.22 грн
25000+	14.07 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ065N03L5SATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	11.76 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

товар відсутній

ISZ0702NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 6520 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	89.16 грн
10+	71.9 грн
100+	48.56 грн
500+	41.18 грн
1000+	31.62 грн
5000+	30.04 грн
10000+	29.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ0702NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 17A T/R

на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	28.82 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ0702NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 17A/86A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 26µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V

на замовлення 8172 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.96 грн
10+	64.58 грн
100+	50.22 грн
500+	39.95 грн
1000+	32.54 грн
2000+	30.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ0703NLSATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 13A T/R

товар відсутній

ISZ0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.76 грн
10000+	25.5 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ0703NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 13A/56A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 30 V

на замовлення 18328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.56 грн
10+	55.52 грн
100+	43.19 грн
500+	34.35 грн
1000+	27.98 грн
2000+	26.34 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ0703NLSATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

на замовлення 27931 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.48 грн
10+	61.75 грн
100+	41.57 грн
500+	35.38 грн
1000+	27.14 грн
2500+	26.88 грн
5000+	25.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ0803NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V

товар відсутній

ISZ0803NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 3440 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.01 грн
10+	67.74 грн
100+	48.82 грн
500+	45 грн
1000+	33.54 грн
2500+	33.01 грн
5000+	27.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ0803NLSATMA1

SP005430493

товар відсутній

ISZ0803NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A/37A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 18µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V

товар відсутній

ISZ0804NLSATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 8086 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.4 грн
10+	74.71 грн
100+	56.27 грн
500+	47.7 грн
1000+	36.57 грн
5000+	34.79 грн
10000+	34.52 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 6385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.79 грн
10+	74.81 грн
100+	58.18 грн
500+	46.28 грн
1000+	37.7 грн
2000+	35.49 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ0804NLSATMA1

N Channel Power Mosfet

товар відсутній

ISZ0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4887 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102 грн
10+	91.65 грн
100+	71.4 грн
500+	54.49 грн
1000+	37.12 грн
2500+	36.24 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISZ0804NLSATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 11A/58A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 28µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 50 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.4 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ0804NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0804NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 58 A, 0.0103 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4887 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	71.4 грн
500+	54.49 грн
1000+	37.12 грн
2500+	36.24 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 12269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	90.17 грн
500+	70 грн
1000+	52.2 грн
2500+	49.6 грн
5000+	48.59 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ080N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

на замовлення 4790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.04 грн
10+	87.64 грн
100+	69.74 грн
500+	55.37 грн
1000+	46.98 грн
2000+	44.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ080N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ080N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.0071 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 12269 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.38 грн
10+	113.82 грн
100+	90.17 грн
500+	70 грн
1000+	52.2 грн
2500+	49.6 грн
5000+	48.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISZ080N10NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 9823 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.37 грн
10+	95.47 грн
100+	67.86 грн
500+	57.12 грн
1000+	45.99 грн
10000+	44.54 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ080N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V

товар відсутній

ISZ080N10NM6ATMA1

SP005409469

товар відсутній

ISZ0901NLSATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

на замовлення 3881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.57 грн
10+	56.07 грн
100+	37.36 грн
500+	29.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ0901NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.79 грн
500+	19.49 грн
1000+	14.82 грн
2500+	14.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ0901NLSATMA1

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V

на замовлення 6108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.74 грн
10+	44.4 грн
100+	34.04 грн
500+	25.25 грн
1000+	20.2 грн
2000+	18.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISZ0901NLSATMA1

Description: INFINEON - ISZ0901NLSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 4925 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	40.65 грн
21+	35.77 грн
100+	25.79 грн
500+	19.49 грн
1000+	14.82 грн
2500+	14.06 грн

Мінімальне замовлення: 19

ISZ0901NLSATMA1

Description: 25V, N-CH MOSFET, LOGIC LEVEL, P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 12 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ106N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V

товар відсутній

ISZ106N12LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

ISZ106N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 60 V

товар відсутній

ISZ106N12LM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 2265 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	137.59 грн
10+	112.89 грн
100+	77.74 грн
250+	71.81 грн
500+	65.56 грн
1000+	57.98 грн
5000+	51.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

товар відсутній

ISZ113N10NM5LF2ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 4643 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	142.2 грн
10+	115.92 грн
100+	80.38 грн
250+	74.45 грн
500+	67.2 грн
1000+	57.98 грн
2500+	55.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ113N10NM5LFATMA1

MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 245-254 дні (днів)

3+	142.2 грн
10+	115.92 грн
100+	80.38 грн
250+	74.45 грн
500+	67.2 грн
1000+	57.98 грн
2500+	55.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ113N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V

товар відсутній

ISZ113N10NM5LFATMA1

Description: OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V

товар відсутній

ISZ143N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

товар відсутній

ISZ143N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

товар відсутній

ISZ143N13NM6ATMA1

ISZ143N13NM6ATMA1

товар відсутній

ISZ143N13NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	180.64 грн
10+	148.51 грн
100+	102.12 грн
250+	94.87 грн
500+	85.65 грн
1000+	73.79 грн
2500+	69.84 грн

Мінімальне замовлення: 2

ISZ15EP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.73 грн
10+	49.07 грн
100+	37.64 грн
500+	27.92 грн
1000+	22.34 грн
2000+	20.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ15EP15LMATMA1

MOSFET

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.27 грн
10+	46.14 грн
100+	30.77 грн
500+	24.38 грн
1000+	20.03 грн
5000+	16.93 грн
10000+	15.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

ISZ15EP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19.73 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ230N10NM6ATMA1

SP005402666

товар відсутній

ISZ230N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V

на замовлення 13518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.82 грн
10+	62.87 грн
100+	48.89 грн
500+	38.89 грн
1000+	31.68 грн
2000+	29.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ230N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.0196 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0196ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.08 грн
500+	49.28 грн
1000+	35.16 грн
2500+	34.02 грн

Мінімальне замовлення: 100

ISZ230N10NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 50 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	31.43 грн
10000+	28.87 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ230N10NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 20626 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	86.86 грн
10+	69.86 грн
100+	47.24 грн
500+	39.99 грн
1000+	30.77 грн
2500+	30.7 грн
5000+	29.25 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ230N10NM6ATMA1

Description: INFINEON - ISZ230N10NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.0196 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0196ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3611 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	104.95 грн
10+	85 грн
100+	64.08 грн
500+	49.28 грн
1000+	35.16 грн
2500+	34.02 грн

Мінімальне замовлення: 8

ISZ330N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	37.04 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ330N12LM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 3481 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	102.23 грн
10+	82.59 грн
100+	55.74 грн
500+	47.24 грн
1000+	38.48 грн
5000+	34.19 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ330N12LM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.08 грн
10+	74.05 грн
100+	57.62 грн
500+	45.84 грн
1000+	37.34 грн
2000+	35.15 грн

Мінімальне замовлення: 4

ISZ330N12LM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 5.7A 8-Pin TSDSON EP T/R

товар відсутній

ISZ520N20NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

на замовлення 863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.44 грн
10+	107.59 грн
100+	74.45 грн
250+	68.52 грн
500+	62.52 грн
1000+	53.56 грн
2500+	50.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

ISZ56DP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	27.27 грн

Мінімальне замовлення: 5000

ISZ56DP15LMATMA1

MOSFET

на замовлення 294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.79 грн
10+	61.22 грн
100+	41.51 грн
500+	35.18 грн
1000+	28.59 грн
5000+	25.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ56DP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A (Ta), 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 724µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 75 V

на замовлення 9994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.13 грн
10+	54.49 грн
100+	42.41 грн
500+	33.74 грн
1000+	27.48 грн
2000+	25.87 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ75DP15LMATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.02 грн
10+	44.4 грн
100+	34.53 грн
500+	27.47 грн
1000+	22.38 грн
2000+	21.07 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ75DP15LMATMA1

MOSFET

на замовлення 285 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.18 грн
10+	49.86 грн
100+	33.73 грн
500+	28.59 грн
1000+	23.32 грн
5000+	20.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

ISZ75DP15LMATMA1