Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXF1002ECLEVELONEBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF1002ECLEVEL ONE09+ .
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF1002EDRochester Electronics, LLCDescription: IXF1002ED
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10996.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXF1002ED-GRochester Electronics, LLCDescription: IXF1002ED-G
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+10705.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXF1024ECINTEL
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF1024ECA2INTERSIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF102AIconDescription: HEADLIGHT LED 5/50LM AA(1)
товар відсутній
IXF1104CEINTEL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF1104CEMOTBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF1104CEINTELTO92
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF1104CE.BOINTELBGA 0612+
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF150N10IXYSMODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF18203EC B1INTELBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF30003INTEL02+ BGA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF3208BE COINTELBGA
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF6012EE B1LEVELONEBGA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF6012EE B1INTER09+ BGA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF6012EEB1INTEL04+ BGA
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF611P1IXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP
товар відсутній
IXF611S1IXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC
товар відсутній
IXF611S1T/RIXYSDescription: IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC
товар відсутній
IXF6151BE A2INTEL01+
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF6401BEC-7LEVELONEBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF6401BEC7A1835148IntelDescription: IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXF6402BEC B4LEVELONEBGA
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXF6402BEC B4INTER09+ BGA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFA102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK
товар відсутній
IXFA10N60PIXYSMOSFET 600V 10A
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.19 грн
10+ 246.38 грн
50+ 200.44 грн
100+ 171.53 грн
250+ 161.67 грн
500+ 145.9 грн
1000+ 132.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.57 грн
50+ 207.62 грн
100+ 177.96 грн
500+ 148.45 грн
1000+ 127.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA10N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA10N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
товар відсутній
IXFA10N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 10A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 0.74Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA10N60P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.57 грн
10+ 219.95 грн
100+ 177.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA10N60P-TRLIXYSMOSFET 600V 10A
товар відсутній
IXFA10N60P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
IXFA10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA10N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA10N80PIXYSMOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 10121 шт:
термін постачання 685-694 дні (днів)
1+321.26 грн
50+ 250.92 грн
IXFA10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA10N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFA10N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA10N80P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA10N80P-TRLIXYSMOSFET IXFA10N80P TRL
товар відсутній
IXFA10N80PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA110N15T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+353.14 грн
3+ 295.05 грн
4+ 234.81 грн
10+ 222.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA110N15T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO263; 85ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+423.76 грн
3+ 367.68 грн
4+ 281.77 грн
10+ 266.98 грн
IXFA110N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA110N15T2IXYSMOSFET 110Amps 150V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.23 грн
10+ 388.47 грн
50+ 286.54 грн
100+ 270.76 грн
250+ 257.62 грн
500+ 256.3 грн
IXFA110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA110N15T2-TRLIXYSMOSFET IXFA110N15T2 TRL
товар відсутній
IXFA110N15T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA12N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA12N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+241.08 грн
3+ 201.26 грн
5+ 160.88 грн
14+ 151.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA12N50PIXYSMOSFET 500V 12A
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.19 грн
10+ 244.87 грн
50+ 180.73 грн
100+ 157.73 грн
250+ 153.13 грн
500+ 143.27 грн
1000+ 132.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA12N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+289.29 грн
3+ 250.81 грн
5+ 193.05 грн
14+ 182.37 грн
IXFA12N50P TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA12N50P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA12N50P-TRLIXYSMOSFET IXFA12N50P TRL
товар відсутній
IXFA12N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 155ns
товар відсутній
IXFA12N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 155ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.25 грн
50+ 211.62 грн
100+ 181.38 грн
500+ 151.31 грн
1000+ 129.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA12N65X2IXYSMOSFET 650V/12A TO-263
товар відсутній
IXFA12N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IXFA12N65X2-TRLIXYSMOSFET IXFA12N65X2 TRL
товар відсутній
IXFA130N10TIXYSMOSFET 130 Amps 100V
товар відсутній
IXFA130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFA130N10T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.32 грн
50+ 269.5 грн
100+ 231.01 грн
IXFA130N10T2IXYSMOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+383.36 грн
10+ 317.42 грн
50+ 230.67 грн
IXFA130N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 10.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.07 грн
3+ 188.94 грн
10+ 176.62 грн
50+ 172.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA130N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 10.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+272.48 грн
3+ 235.45 грн
10+ 211.94 грн
50+ 207.02 грн
IXFA130N10T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
товар відсутній
IXFA130N10T2-TRLIXYSMOSFET IXFA130N10T2 TRL
товар відсутній
IXFA130N10T2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA130N15X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA130N15X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 80ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.27 грн
IXFA130N15X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 80ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+605.12 грн
3+ 464.93 грн
6+ 423.07 грн
50+ 415.67 грн
IXFA130N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+616.35 грн
50+ 474.16 грн
100+ 424.26 грн
500+ 351.31 грн
1000+ 316.18 грн
IXFA130N15X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+710.75 грн
10+ 633.34 грн
50+ 538.9 грн
100+ 487.64 грн
IXFA130N15X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA130N15X3TRLIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товар відсутній
IXFA14N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFA14N60PIXYSMOSFET 600V 14A
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.06 грн
10+ 296.26 грн
50+ 214.9 грн
100+ 159.7 грн
IXFA14N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.86 грн
50+ 251.53 грн
100+ 215.59 грн
IXFA14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA14N60P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA14N60P-TRLIXYSMOSFET IXFA14N60P TRL
товар відсутній
IXFA14N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 327W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA14N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXFA14N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXFA14N85XHVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 460W; TO263HV; 116ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 14A
Power dissipation: 460W
Case: TO263HV
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 116ns
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.05 грн
3+ 249.87 грн
9+ 236.86 грн
10+ 232.76 грн
50+ 227.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA14N85XHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+278.53 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXFA14N85XHVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 460W; TO263HV; 116ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 14A
Power dissipation: 460W
Case: TO263HV
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 116ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+360.07 грн
3+ 311.38 грн
9+ 284.24 грн
10+ 279.31 грн
50+ 273.56 грн
IXFA14N85XHVIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
товар відсутній
IXFA16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA16N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFA16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
товар відсутній
IXFA16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA16N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA16N50PIXYSMOSFET 500V 16A
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.06 грн
10+ 306.09 грн
50+ 225.42 грн
100+ 208.33 грн
250+ 201.1 грн
500+ 180.07 грн
1000+ 162.98 грн
IXFA16N50P-TRLIXYSMOSFET IXFA16N50P TRL
товар відсутній
IXFA16N50P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA16N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA
товар відсутній
IXFA16N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товар відсутній
IXFA16N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.89 грн
3+ 234.81 грн
5+ 186.2 грн
12+ 175.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA16N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+337.06 грн
3+ 292.61 грн
5+ 223.45 грн
12+ 211.12 грн
IXFA16N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA16N60P3IXYSMOSFET 600V 16A
товар відсутній
IXFA16N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.56 грн
3+ 306 грн
8+ 288.89 грн
IXFA16N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+550.27 грн
3+ 381.33 грн
8+ 346.67 грн
IXFA180N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA180N10T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.99 грн
IXFA180N10T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA180N10T2IXYSMOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 2065 шт:
термін постачання 443-452 дні (днів)
1+460.03 грн
10+ 452.71 грн
50+ 314.79 грн
IXFA180N10T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
товар відсутній
IXFA180N10T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA180N10T2-TRLLittelfuseN-Channel Power MOSFET
товар відсутній
IXFA180N10T2-TRLIXYSMOSFET IXFA180N10T2 TRL
товар відсутній
IXFA18N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.86 грн
3+ 356.66 грн
7+ 337.5 грн
10+ 332.02 грн
50+ 325.17 грн
IXFA18N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO263; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+512.23 грн
3+ 444.46 грн
7+ 404.99 грн
10+ 398.42 грн
50+ 390.21 грн
IXFA18N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO263AA
товар відсутній
IXFA18N60XLittelfuseX-CLASS HIPER FET POWER MOSFET
товар відсутній
IXFA18N60XIXYSMOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
товар відсутній
IXFA18N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 135ns
товар відсутній
IXFA18N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA18N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA18N65X2IXYSMOSFET 650V/18A TO-263
товар відсутній
IXFA18N65X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO26
Packaging: Tube
товар відсутній
IXFA18N65X3LittelfuseLittelfuse 18A 650V X3 TO263
товар відсутній
IXFA20N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IXFA20N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.74 грн
3+ 169.09 грн
10+ 157.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA20N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товар відсутній
IXFA20N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+243.29 грн
3+ 210.71 грн
10+ 188.94 грн
50+ 184.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA20N85XHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 20A TO263
товар відсутній
IXFA20N85XHVIXYSMOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+654.78 грн
10+ 582.7 грн
50+ 483.04 грн
100+ 419.29 грн
500+ 365.4 грн
1000+ 310.85 грн
2500+ 305.59 грн
IXFA20N85XHVIXYSIXFA20N85XHV SMD N channel transistors
товар відсутній
IXFA20N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXFA20N85XHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXFA20N85XHV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXFA20N85XHV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 20A TO263HV
товар відсутній
IXFA20N85XHV-TRLIXYSMOSFET IXFA20N85XHV TRL
товар відсутній
IXFA220N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA220N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 220A
Power dissipation: 440W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 38ns
товар відсутній
IXFA220N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.51 грн
10+ 253.77 грн
100+ 205.33 грн
IXFA220N06T3IXYSMOSFET 60V/220A TrenchT3
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.19 грн
10+ 290.97 грн
50+ 245.13 грн
100+ 205.04 грн
250+ 191.9 грн
500+ 174.16 грн
1000+ 146.55 грн
IXFA220N06T3
Код товару: 147921		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFA22N60P3IXYSMOSFET MOSFET DISCRETE
товар відсутній
IXFA22N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+388.37 грн
3+ 336.97 грн
4+ 266.16 грн
10+ 251.38 грн
IXFA22N60P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.65 грн
3+ 270.41 грн
4+ 221.8 грн
10+ 209.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA22N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+255.09 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXFA22N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA22N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 22A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 145ns
товар відсутній
IXFA22N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.8 грн
50+ 283.47 грн
100+ 242.97 грн
500+ 202.68 грн
1000+ 173.55 грн
IXFA22N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA22N65X2IXYSMOSFET MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.3 грн
10+ 334.05 грн
50+ 256.96 грн
100+ 226.73 грн
500+ 208.33 грн
1000+ 180.07 грн
IXFA22N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+224.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXFA22N65X2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA22N65X2-TRLIXYSMOSFET IXFA22N65X2 TRL
товар відсутній
IXFA22N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.8 грн
10+ 300.32 грн
100+ 242.97 грн
IXFA230N075T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.53 грн
3+ 336.13 грн
4+ 254.66 грн
9+ 240.29 грн
IXFA230N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263AA
товар відсутній
IXFA230N075T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+483.04 грн
3+ 418.86 грн
4+ 305.59 грн
9+ 288.34 грн
IXFA230N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 230A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA230N075T2IXYSMOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
товар відсутній
IXFA230N075T2-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+398.99 грн
3+ 329.29 грн
9+ 299.84 грн
IXFA230N075T2-7IXYSMOSFET TrenchT2 HiperFETs Power MOSFET
товар відсутній
IXFA230N075T2-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+332.49 грн
3+ 264.25 грн
9+ 249.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA230N075T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.5 грн
10+ 359.95 грн
IXFA24N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+436.15 грн
3+ 378.77 грн
4+ 289.99 грн
10+ 274.38 грн
IXFA24N60XIXYSMOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
товар відсутній
IXFA24N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+363.46 грн
3+ 303.95 грн
4+ 241.65 грн
10+ 228.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA24N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA26N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 26A TO263AA
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.41 грн
IXFA26N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA26N30X3IXYSIXFA26N30X3 SMD N channel transistors
товар відсутній
IXFA26N30X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.93 грн
10+ 331.78 грн
50+ 272.73 грн
100+ 236.59 грн
500+ 201.1 грн
1000+ 170.21 грн
2500+ 159.7 грн
IXFA26N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+406.95 грн
3+ 347.21 грн
4+ 299.84 грн
9+ 283.41 грн
50+ 279.31 грн
IXFA26N50P3IXYSMOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
товар відсутній
IXFA26N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA26N50P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 500W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+339.13 грн
3+ 278.62 грн
4+ 249.87 грн
9+ 236.18 грн
50+ 232.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA26N65X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 26A 650V X3 TO26
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA26N65X3LittelfuseLittelfuse MOSFET 26A 650V X3 TO263
товар відсутній
IXFA270N06T3LittelfusePower MOSFET
товар відсутній
IXFA270N06T3IXYSMOSFET 60V/270A TrenchT3
товар відсутній
IXFA270N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 47ns
товар відсутній
IXFA270N06T3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 47ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA270N06T3IXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 270A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA28N60X3LittelfuseLittelfuse MOSFET 28A 600V X3 TO263
товар відсутній
IXFA30N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO263; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 82ns
товар відсутній
IXFA30N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO263; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 82ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA30N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.59 грн
10+ 441.82 грн
100+ 365.76 грн
500+ 298.9 грн
IXFA30N25X3LittelfusePower MOSFET
товар відсутній
IXFA30N25X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+539.01 грн
10+ 479.91 грн
50+ 397.6 грн
100+ 345.03 грн
500+ 300.99 грн
1000+ 255.65 грн
2500+ 247.1 грн
IXFA30N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO-263
товар відсутній
IXFA30N60XIXYSMOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
товар відсутній
IXFA30N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 145ns
товар відсутній
IXFA30N60XIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 500W; TO263; 145ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 500W
Case: TO263
On-state resistance: 155mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA34N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
товар відсутній
IXFA34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA34N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 164ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA34N65X2IXYSMOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
товар відсутній
IXFA34N65X2-TRLIXYSMOSFET IXFA34N65X2 TRL
товар відсутній
IXFA34N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA34N65X2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA34N65X3IXYSMOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+596.51 грн
50+ 469.33 грн
100+ 365.4 грн
500+ 359.48 грн
IXFA34N65X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA34N65X3IXYSDescription: MOSFET 34A 650V X3 TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA34N65X3LittelfuseDiscrete MOSFET 34A 650V X3 TO263
товар відсутній
IXFA34N65X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
товар відсутній
IXFA36N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA36N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.93 грн
10+ 331.78 грн
50+ 272.73 грн
100+ 236.59 грн
500+ 201.1 грн
1000+ 170.21 грн
2500+ 159.7 грн
IXFA36N20X3IXYSIXFA36N20X3 SMD N channel transistors
товар відсутній
IXFA36N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
на замовлення 1696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.57 грн
10+ 285.95 грн
100+ 234.26 грн
500+ 187.15 грн
1000+ 157.84 грн
IXFA36N30P3IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-POLAR3
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.13 грн
10+ 340.1 грн
50+ 279.31 грн
100+ 241.85 грн
IXFA36N30P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 36A; 347W; TO263; 125ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA36N30P3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 36A; 347W; TO263; 125ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 125ns
товар відсутній
IXFA36N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO263AA
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.14 грн
10+ 312.03 грн
100+ 255.65 грн
500+ 204.24 грн
IXFA36N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXFA36N55X2IXYSDescription: IXFA36N55X2
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+591.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
IXFA36N55X2IXYSMOSFET MOSFET DISCRETE
товар відсутній
IXFA36N60X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
товар відсутній
IXFA36N60X3LittelfuseN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
товар відсутній
IXFA36N60X3IXYSMOSFET DISCRETE MOSFET 36A 600V X3 TO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 760-769 дні (днів)
1+484.57 грн
10+ 439.86 грн
50+ 331.88 грн
IXFA36N60X3IXYSDescription: MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.18 грн
IXFA36N60X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 600V; 36A; Idm: 48A; 446W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 446W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA38N30X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.87 грн
10+ 396.02 грн
50+ 305.59 грн
100+ 266.16 грн
IXFA38N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 38A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
на замовлення 4332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.66 грн
50+ 306.28 грн
100+ 262.53 грн
500+ 219 грн
1000+ 187.52 грн
2000+ 176.57 грн
IXFA38N30X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 240W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+329.1 грн
3+ 285.78 грн
4+ 261.23 грн
10+ 247.27 грн
IXFA38N30X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 38A; 240W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 240W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.25 грн
3+ 229.33 грн
4+ 217.69 грн
10+ 206.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA38N30X3LittelfusePower MOSFET
товар відсутній
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+819.55 грн
5+ 811.34 грн
10+ 776.78 грн
25+ 747.12 грн
IXFA3N120IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA3N120IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA3N120
Код товару: 83348		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IXFA3N120IXYSMOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
на замовлення 550 шт:
термін постачання 478-487 дні (днів)
1+680.85 грн
10+ 575.9 грн
50+ 453.46 грн
100+ 416.66 грн
250+ 392.34 грн
IXFA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+836.53 грн
25+ 804.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
IXFA3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA3N120-TRLIXYSMOSFET IXFA3N120 TRL
товар відсутній
IXFA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA3N120-TRRLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA3N120-TRRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA3N120-TRRIXYSMOSFET IXFA3N120 TRR
товар відсутній
IXFA3N120TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA3N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
товар відсутній
IXFA3N80IXYSMOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds
товар відсутній
IXFA44N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO263
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA44N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+260.13 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXFA44N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W
Mounting: SMD
Power dissipation: 240W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 33nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Case: TO263
Reverse recovery time: 87ns
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
IXFA44N25X3IXYSMOSFET MOSFET DISC X3
товар відсутній
IXFA4N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA4N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA4N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA4N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFA4N100PIXYSMOSFET 4 Amps 1000V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 605-614 дні (днів)
2+290.59 грн
10+ 240.33 грн
50+ 197.16 грн
100+ 169.56 грн
250+ 159.7 грн
500+ 150.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA4N100P-TRLIXYSMOSFET IXFA4N100P TRL
товар відсутній
IXFA4N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA4N100QIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 150W; TO263AA
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO263AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFA4N100QIXYSMOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds
товар відсутній
IXFA4N100QIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 150W; TO263AA
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 150W
Case: TO263AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA4N100QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA4N100Q-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA4N100Q-TRLIXYSMOSFET
товар відсутній
IXFA4N100Q-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA4N100Q-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA4N100QTRLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA4N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO263
товар відсутній
IXFA4N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товар відсутній
IXFA4N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+304.98 грн
10+ 264.04 грн
IXFA4N85XIXYSIXFA4N85X SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+229.13 грн
6+ 182.37 грн
15+ 172.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA4N85XIXYSMOSFET 850V/3.5A Ultra Junction X-Class HiPerFET Power MOSFET, TO-263
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXFA50N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA50N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товар відсутній
IXFA50N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 50A; Idm: 70A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 240W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
товар відсутній
IXFA50N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA56N30X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO263
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 115ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 320W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 56A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+480.68 грн
3+ 337.5 грн
IXFA56N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 56A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+572.99 грн
10+ 473.04 грн
100+ 394.24 грн
IXFA56N30X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO263
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 115ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 320W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 56A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+576.81 грн
3+ 420.57 грн
7+ 382.81 грн
IXFA56N30X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.48 грн
10+ 513.17 грн
50+ 427.17 грн
IXFA5N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFA5N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA5N100PIXYSMOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.39 грн
10+ 300.8 грн
50+ 222.13 грн
100+ 214.9 грн
250+ 206.36 грн
500+ 202.41 грн
1000+ 198.47 грн
IXFA5N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA5N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 5A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 5A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 33.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFA5N100P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFA5N100P-TRLIXYSMOSFET IXFA5N100P TRL
товар відсутній
IXFA5N100PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA5N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 5A TO263
товар відсутній
IXFA5N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товар відсутній
IXFA60N25X3IXYSMOSFET 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+581.94 грн
10+ 492.01 грн
50+ 387.74 грн
100+ 355.54 грн
250+ 325.31 грн
500+ 318.74 грн
IXFA60N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO263; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.22 грн
3+ 323.12 грн
7+ 305.32 грн
IXFA60N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO263; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+487.46 грн
3+ 402.66 грн
7+ 366.38 грн
IXFA60N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.24 грн
10+ 454.15 грн
IXFA60N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA6N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
IXFA6N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 6A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA6N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+664.7 грн
50+ 511.14 грн
100+ 457.34 грн
500+ 378.71 грн
1000+ 340.84 грн
IXFA6N120PIXYSMOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+722.25 грн
10+ 656.01 грн
50+ 486.32 грн
100+ 442.29 грн
250+ 427.17 грн
500+ 390.37 грн
1000+ 375.26 грн
IXFA6N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+419.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXFA6N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA6N120P-TRLIXYSMOSFET IXFA6N120P TRL
товар відсутній
IXFA72N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO263
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+509.58 грн
3+ 420.57 грн
7+ 382.81 грн
IXFA72N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA72N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO263
Reverse recovery time: 84ns
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 55nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+424.65 грн
3+ 337.5 грн
7+ 319.01 грн
IXFA72N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 25 V
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+589.34 грн
10+ 512.27 грн
100+ 424.11 грн
IXFA72N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+668.58 грн
10+ 594.79 грн
50+ 493.55 грн
100+ 427.83 грн
500+ 373.28 грн
1000+ 316.77 грн
2500+ 306.25 грн
IXFA72N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA72N30X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO263
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
товар відсутній
IXFA72N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+644.08 грн
10+ 531.91 грн
IXFA72N30X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+697.72 грн
10+ 593.28 грн
50+ 510.64 грн
100+ 439.66 грн
250+ 439 грн
500+ 431.12 грн
1000+ 408.77 грн
IXFA72N30X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 72A; 390W; TO263
Reverse recovery time: 100ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 72A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 82nC
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFA72N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA72N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 72 A, 0.019 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 72
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+706.27 грн
5+ 672.36 грн
10+ 637.71 грн
50+ 541.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA72N30X3-TRLIXYSMOSFET IXFA72N30X3 TRL
товар відсутній
IXFA76N15T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO263; 69ns
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+317.6 грн
3+ 275.55 грн
4+ 253.02 грн
10+ 247.27 грн
11+ 239.05 грн
50+ 238.23 грн
IXFA76N15T2IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
товар відсутній
IXFA76N15T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 76A; 350W; TO263; 69ns
Reverse recovery time: 69ns
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 76A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 350W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.67 грн
3+ 221.12 грн
4+ 210.85 грн
10+ 206.06 грн
11+ 199.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA76N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
товар відсутній
IXFA76N15T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 76A TO263
товар відсутній
IXFA7N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.64 грн
50+ 312.48 грн
100+ 279.58 грн
IXFA7N100PIXYSMOSFET 7 Amps 1000V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 412-421 дні (днів)
1+442.4 грн
10+ 373.35 грн
50+ 294.42 грн
IXFA7N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO263; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+367.88 грн
3+ 307.37 грн
4+ 245.08 грн
9+ 231.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA7N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFA7N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.9ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.9ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+437.18 грн
10+ 395.16 грн
50+ 361.24 грн
100+ 303.95 грн
250+ 274.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA7N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA7N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 7A; 300W; TO263; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 7A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+441.46 грн
3+ 383.04 грн
4+ 294.09 грн
9+ 277.66 грн
IXFA7N100P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA7N100P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2590 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA7N100P-TRLIXYSMOSFET IXFA7N100P TRL
товар відсутній
IXFA7N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
товар відсутній
IXFA7N60P3IXYSMOSFET 600V 7A
товар відсутній
IXFA7N80PIXYSMOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds
товар відсутній
IXFA7N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+219.4 грн
3+ 185.97 грн
6+ 162.65 грн
10+ 161.83 грн
17+ 153.62 грн
50+ 150.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA7N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.24 грн
50+ 191.05 грн
100+ 163.76 грн
500+ 136.61 грн
1000+ 116.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA7N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA7N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 7A; 200W; TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.44Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.24 грн
6+ 135.55 грн
10+ 134.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA7N80P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.44Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA7N80P-TRLIXYSMOSFET IXFA7N80P TRL
товар відсутній
IXFA80N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+636.97 грн
3+ 464.93 грн
6+ 423.07 грн
IXFA80N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.22 грн
10+ 507.41 грн
100+ 422.82 грн
IXFA80N25X3IXYSMOSFET 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXFA80N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA80N25X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 80A; 390W; TO263; 120ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 80A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.81 грн
3+ 373.09 грн
6+ 352.56 грн
IXFA80N25X3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+345.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXFA80N25X3-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 1609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+622.04 грн
10+ 513.91 грн
100+ 428.25 грн
IXFA80N25X3-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+392.4 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXFA80N25X3-TRLIXYSMOSFET MOSFET DISC X4
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+744.49 грн
10+ 662.81 грн
25+ 550.07 грн
100+ 477.12 грн
500+ 416 грн
800+ 353.57 грн
2400+ 341.08 грн
IXFA80N25X3.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFA80N25X3. - MOSFET, N-CH, 250V, 80A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPERFET X3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+706.27 грн
25+ 605.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA80N25X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFA80N25X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A X3CLASS TO-
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFA8N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO-263AA
товар відсутній
IXFA8N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товар відсутній
IXFA8N65X2IXYSMOSFET 650V/8A TO-263
товар відсутній
IXFA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.59 грн
10+ 116.38 грн
50+ 112.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 444 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.82 грн
3+ 155.26 грн
10+ 139.65 грн
50+ 135.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA8N85XHVIXYSIXFA8N85XHV SMD N channel transistors
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+467.11 грн
3+ 371.31 грн
8+ 351.6 грн
IXFA8N85XHVIXYSMOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXFA90N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+701.55 грн
10+ 617.46 грн
50+ 473.18 грн
100+ 429.15 грн
250+ 423.89 грн
IXFA90N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263AA (IXFA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+646.21 грн
50+ 496.71 грн
100+ 444.42 грн
500+ 368 грн
IXFA90N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXFA90N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 85ns
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.25 грн
2+ 404.58 грн
3+ 385.42 грн
6+ 381.99 грн
10+ 367.62 грн
IXFA90N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+554.69 грн
2+ 504.17 грн
3+ 462.5 грн
6+ 458.39 грн
10+ 441.14 грн
IXFA90N20X3-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFA90N20X3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA90N20X3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXFA90N20X3TRLIXYSMOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-263D2
товар відсутній
IXFA90N20X3TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
товар відсутній
IXFB100N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 100A; 1890W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
товар відсутній
IXFB100N50PIXYSMOSFET 100 Amps 500V 0.05 Ohms Rds
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2160.63 грн
10+ 1930.24 грн
25+ 1632.46 грн
IXFB100N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1989.11 грн
25+ 1587.91 грн
100+ 1488.65 грн
IXFB100N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 100A; 1890W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товар відсутній
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товар відсутній
IXFB100N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 100A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 264
товар відсутній
IXFB100N50P                                       497         
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB100N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2813.05 грн
10+ 2527.59 грн
IXFB100N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB100N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 100A; 1560W; PLUS264™
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 100A
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 49mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
IXFB100N50Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/100A
товар відсутній
IXFB100N50 IXYS08+
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB110N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 110A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB110N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFB110N60P3IXYSMOSFET 600V 110A 0.056Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1748.13 грн
25+ 1429.16 грн
50+ 1179 грн
100+ 1140.88 грн
250+ 1082.39 грн
500+ 1051.51 грн
IXFB110N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB110N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 110A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 110A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB120N50P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
товар відсутній
IXFB120N50P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB120N50P2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB132N50P3
Код товару: 94706		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IXFB132N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 132A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 267nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFB132N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 132A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB132N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 132A; 1890W; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 132A
Power dissipation: 1890W
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 267nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB132N50P3IXYSMOSFET 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1713.63 грн
10+ 1500.96 грн
25+ 1217.12 грн
50+ 1179 грн
100+ 1140.88 грн
250+ 1121.83 грн
500+ 1051.51 грн
IXFB132N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB132N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 132 A, 0.039 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 132
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.89
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 1.89
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFB132N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB150N65X2IXYSMOSFET MOSFET 650V/150A Ultra Junction X2
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2345.41 грн
10+ 2175.86 грн
25+ 1690.95 грн
50+ 1663.35 грн
100+ 1499.71 грн
IXFB150N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFB150N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.56kW
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X2-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2419.6 грн
IXFB150N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400 pF @ 25 V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2248.59 грн
25+ 1794.74 грн
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2558.22 грн
10+ 2344.78 грн
25+ 2047.73 грн
100+ 1803.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXFB150N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 260ns
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1789.27 грн
2+ 1570.41 грн
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2446.12 грн
5+ 2375.49 грн
10+ 2177.3 грн
25+ 1901.47 грн
100+ 1674.39 грн
IXFB150N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB150N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 150A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 355nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 260ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2147.12 грн
2+ 1956.98 грн
IXFB170N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 170A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 258nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1792.95 грн
2+ 1574.52 грн
IXFB170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB170N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 170A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 258nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2151.54 грн
2+ 1962.1 грн
IXFB170N30PIXYSMOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2448.15 грн
10+ 2144.12 грн
25+ 1738.93 грн
50+ 1708.7 грн
100+ 1679.12 грн
250+ 1505.63 грн
500+ 1466.85 грн
IXFB170N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 258 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB170N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1468.42 грн
10+ 1390.72 грн
25+ 1341.6 грн
IXFB210N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 210A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: PLUS264™
Gate charge: 255nC
Mounting: THT
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB210N20PIXYSMOSFET 210 Amps 200V 0.0105 Rds
товар відсутній
IXFB210N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18600 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2253.57 грн
25+ 1799.31 грн
IXFB210N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 210A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.5kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: PLUS264™
Gate charge: 255nC
Mounting: THT
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFB210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB210N30P3IXYSMOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2178.26 грн
10+ 1908.32 грн
25+ 1548.34 грн
50+ 1499.71 грн
100+ 1451.74 грн
250+ 1391.27 грн
IXFB210N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 268 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2056.65 грн
10+ 1759.63 грн
IXFB210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB210N30P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 210A; 1890W; 250ns
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 268nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
товар відсутній
IXFB210N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB210N30P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 300V; 210A; 1890W; 250ns
Reverse recovery time: 250ns
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 210A
On-state resistance: 14.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1890W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 268nC
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB210N30P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB210N30P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0145 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.89kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2178.53 грн
10+ 2009.7 грн
25+ 1863.73 грн
100+ 1593.69 грн
IXFB300N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 279nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1792.95 грн
IXFB300N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 300A; 1500W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 300A
Power dissipation: 1.5kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 279nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2151.54 грн
2+ 1962.1 грн
IXFB300N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB300N10PIXYSMOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2462.72 грн
10+ 2239.35 грн
100+ 1815.16 грн
IXFB300N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB300N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB30N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB30N120PIXYSMOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3332.18 грн
10+ 2946.75 грн
25+ 2308.71 грн
50+ 2271.91 грн
100+ 2221.31 грн
IXFB30N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22500 pF @ 25 V
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3088.88 грн
25+ 2492.45 грн
100+ 2326.31 грн
IXFB30N120PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB30N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 30 A, 0.35 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.35
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
IXFB30N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 30A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
IXFB30N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 30A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB30N120Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 30A ISOPLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS264™
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товар відсутній
IXFB38N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
товар відсутній
IXFB38N100Q2IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB38N100Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 38A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB38N100Q2IXYSMOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
товар відсутній
IXFB40N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3253.1 грн
25+ 2625.18 грн
100+ 2450.17 грн
IXFB40N110PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.1KV 40A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB40N110PIXYSMOSFET 40 Amps 1100V 0.2600 Rds
товар відсутній
IXFB40N110Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.1KV 40A
товар відсутній
IXFB40N110Q3IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q3 3&44
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3660.34 грн
10+ 3367.71 грн
25+ 2804.89 грн
IXFB40N110Q3IXYSIXFB40N110Q3 THT N channel transistors
товар відсутній
IXFB40N110Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3684.62 грн
10+ 3310.26 грн
IXFB44N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB44N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 44
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
IXFB44N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
IXFB44N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB44N100P
Код товару: 199488		Транзистори > Польові N-канальні
очікується 10 шт:
10 шт - очікується 16.05.2024
IXFB44N100PIXYSMOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds
на замовлення 839 шт:
термін постачання 842-851 дні (днів)
1+2261.83 грн
10+ 1981.63 грн
IXFB44N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 44A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 305nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB44N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB44N100Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/44A
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3249.37 грн
25+ 2684.5 грн
100+ 2178.59 грн
250+ 2108.27 грн
IXFB44N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 44A; 1560W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 264nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1644.68 грн
25+ 1532.25 грн
50+ 1525.76 грн
IXFB44N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 44A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1771.2 грн
25+ 1650.12 грн
50+ 1643.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
IXFB44N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 44A; 1560W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 264nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFB44N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB50N80Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB50N80Q2IXYS07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB50N80Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 50A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB50N80Q2IXYSMOSFET 50 Amps 800V
товар відсутній
IXFB50N80Q2IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB52N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 52A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 308 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB52N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 308nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 52A
On-state resistance: 0.16Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB52N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 52A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB52N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 52A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB52N90PIXYSMOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
товар відсутній
IXFB52N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 52A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 308nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Case: PLUS264™
Reverse recovery time: 300ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 52A
On-state resistance: 0.16Ω
товар відсутній
IXFB52N90PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFB52N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 52 A, 0.16 ohm, PLUS264, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 52
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFB60N80PIXYSMOSFET 60 Amps 800V 0.14 Rds
на замовлення 75 шт:
термін постачання 764-773 дні (днів)
1+2022.62 грн
10+ 1772.28 грн
25+ 1437.28 грн
50+ 1392.59 грн
100+ 1347.9 грн
250+ 1257.86 грн
500+ 1243.41 грн
IXFB60N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFB60N80P
Код товару: 154209		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFB60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB60N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000 pF @ 25 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1863.28 грн
25+ 1487.5 грн
100+ 1394.54 грн
IXFB60N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 60A; 1250W; PLUS264™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 60A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS264™
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB60N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB62N80Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFB62N80Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 62A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 1.56kW
Gate charge: 0.27µC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2670.85 грн
IXFB62N80Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 62A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB62N80Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3041.59 грн
10+ 2672.4 грн
25+ 2231.17 грн
50+ 2210.13 грн
100+ 1998.52 грн
250+ 1973.55 грн
IXFB62N80Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 800V; 62A; 1560W; 300ns
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 62A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.14Ω
Reverse recovery time: 300ns
Power dissipation: 1.56kW
Gate charge: 0.27µC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2225.71 грн
IXFB70N100XLittelfuseX-Class Hiperfet Power MOSFET
товар відсутній
IXFB70N100XIXYSMOSFET 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3691.77 грн
10+ 2846.23 грн
IXFB70N100XIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 1785W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9160 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3398.12 грн
25+ 2742.49 грн
100+ 2559.64 грн
IXFB70N60Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2289.11 грн
10+ 2032.71 грн
IXFB70N60Q2IXYSMOSFET 70 Amps 600V
товар відсутній
IXFB70N60Q2IXYS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB70N60QZIXYS09+
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB72N55Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
товар відсутній
IXFB72N55Q2IXYSMOSFET 72 Amps 550V 0.07 Rds
товар відсутній
IXFB80N50Q2IXYSMOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds
товар відсутній
IXFB80N50Q2IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFB80N50Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB80N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
товар відсутній
IXFB80N50Q2
Код товару: 22118		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFB82N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1989.11 грн
25+ 1587.91 грн
100+ 1488.65 грн
IXFB82N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
IXFB82N60PIXYSMOSFET 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds
товар відсутній
IXFB82N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 600V; 82A; 1250W; PLUS264™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 240nC
Reverse recovery time: 200ns
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFB82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB82N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB82N60Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A
товар відсутній
IXFB82N60Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 275nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2673.51 грн
IXFB82N60Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 82A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFB82N60Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2744.8 грн
IXFB82N60Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 600V; 82A; 1560W; 300ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 82A
Case: PLUS264™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 75mΩ
Power dissipation: 1.56kW
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 275nC
Reverse recovery time: 300ns
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2227.92 грн
IXFB90N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3294.59 грн
10+ 3048.43 грн
IXFB90N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 90A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1785W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2884.85 грн
10+ 2591.59 грн
IXFB90N85XIXYSMOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class
товар відсутній
IXFB90N85XIXYSIXFB90N85X THT N channel transistors
товар відсутній
IXFB90N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 90A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
товар відсутній
IXFC10N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 5A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товар відсутній
IXFC110N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
Packaging: Box
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC12N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IXFC14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC14N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 8A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 770mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC15N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
товар відсутній
IXFC16N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 9A ISOPLUS220
товар відсутній
IXFC20N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC22N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC24N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC24N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
Packaging: Bulk
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC26N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 23A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC30N60PIXYSMOSFET 600V 30A
товар відсутній
IXFC30N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 220
товар відсутній
IXFC30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
товар відсутній
IXFC36N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 19A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 220
товар відсутній
IXFC36N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220
товар відсутній
IXFC40N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товар відсутній
IXFC52N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220
Packaging: Box
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC60N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC74N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
товар відсутній
IXFC80N08IXYSDescription: MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC80N085IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFC80N10IXYSMOSFET 100 Amps 100V 0.0125 Rds
товар відсутній
IXFC80N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
товар відсутній
IXFC96N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 42A ISOPLUS220
товар відсутній
IXFC96N15PIXYSMOSFET 42 Amps 150V 0.024 Rds
товар відсутній
IXFD15N100-8XIXYSDescription: MOSFET N-CH
товар відсутній
IXFD23N60Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V DIE
товар відсутній
IXFD24N50Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IXFD26N50Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 500V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
товар відсутній
IXFD26N60Q-8XQIXYSDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IXFD40N30Q-72IXYSDescription: MOSFET N-CHANNEL 300V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: Die
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товар відсутній
IXFE180N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 176A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 176A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE180N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 158A SOT227B
товар відсутній
IXFE180N20IXYSDiscrete Semiconductor Modules 180 Amps 200V 0.01 Rds
товар відсутній
IXFE23N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A ISOPLUS227
товар відсутній
IXFE24N100IXYSMODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFE24N100IXYSDiscrete Semiconductor Modules 22 Amps 1000V 0.39 Rds
товар відсутній
IXFE34N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
товар відсутній
IXFE36N100IXYSDiscrete Semiconductor Modules 33 Amps 1000V 0.24 Rds
товар відсутній
IXFE36N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 455 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE39N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 34A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE39N90IXYSDiscrete Semiconductor Modules 34 Amps 900V 0.22 Rds
товар відсутній
IXFE44N50QIXYSDiscrete Semiconductor Modules 44 Amps 500V 0.12 Rds
товар відсутній
IXFE44N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE44N50QD2IXYSDiscrete Semiconductor Modules 44 Amps 500V 0.12 Rds
товар відсутній
IXFE44N50QD2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE44N50QD3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE44N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B
товар відсутній
IXFE44N60IXYSDiscrete Semiconductor Modules 41 Amps 600V 0.13 Rds
товар відсутній
IXFE48N50QIXYSDiscrete Semiconductor Modules 41 Amps 500V 0.11 Rds
товар відсутній
IXFE48N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE48N50QD2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE48N50QD2IXYSDiscrete Semiconductor Modules 41 Amps 500V 0.11 Rds
товар відсутній
IXFE48N50QD3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE50N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SOT227B
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFE55N50IXYSDiscrete Semiconductor Modules 52 Amps 500V 0.08 Rds
товар відсутній
IXFE73N30QIXYSDiscrete Semiconductor Modules 66 Amps 300V 0.046 Rds
товар відсутній
IXFE73N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
товар відсутній
IXFE80N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B
товар відсутній
IXFE80N50IXYSDiscrete Semiconductor Modules 72 Amps 500V 0.055 Rds
товар відсутній
IXFF24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC
товар відсутній
IXFG55N50IXYSMOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds
товар відсутній
IXFG55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A ISO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISO264™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH100N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+974.92 грн
2+ 689.29 грн
3+ 662.94 грн
4+ 626.8 грн
IXFH100N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 100A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.08 грн
30+ 618.95 грн
IXFH100N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 100A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+812.43 грн
IXFH100N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH100N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH100N25PIXYSMOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds
товар відсутній
IXFH100N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 48W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 130ns
товар відсутній
IXFH100N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH100N30X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+940.77 грн
10+ 816.99 грн
30+ 691.37 грн
60+ 652.59 грн
120+ 614.47 грн
270+ 595.42 грн
510+ 556.64 грн
IXFH100N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 100A; 48W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 100A
Power dissipation: 48W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH100N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+866.59 грн
IXFH102N15TIXYSMOSFET 102 Amps 0V
товар відсутній
IXFH102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH10N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH10N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH10N100IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 300W; TO247-3; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFH10N100IXYSMOSFET 1KV 10A
товар відсутній
IXFH10N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH10N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
IXFH10N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 10A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 10A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH10N100PIXYSMOSFET 10 Amps 1000V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 580-589 дні (днів)
1+560.47 грн
10+ 547.18 грн
30+ 379.86 грн
IXFH10N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
IXFH10N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH10N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH10N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH10N100QIXYSMOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
товар відсутній
IXFH10N80PIXYSMOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.5 грн
10+ 352.19 грн
30+ 297.05 грн
120+ 265.51 грн
270+ 250.39 грн
510+ 218.84 грн
1020+ 188.61 грн
IXFH10N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH10N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+336.92 грн
3+ 281.36 грн
4+ 223.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH10N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+404.3 грн
3+ 350.62 грн
4+ 268.63 грн
10+ 254.66 грн
IXFH10N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 25 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.62 грн
30+ 289.46 грн
IXFH10N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH10N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+388.52 грн
10+ 308.16 грн
100+ 264.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH10N90IXYSMOSFET 10 Amps 900V
товар відсутній
IXFH10N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 10A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH110N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH110N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH110N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.81 грн
3+ 295.74 грн
8+ 279.31 грн
IXFH110N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+532.58 грн
3+ 368.53 грн
8+ 335.17 грн
IXFH110N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH110N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH110N10PIXYSMOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.44 грн
10+ 522.99 грн
30+ 374.6 грн
IXFH110N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH110N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 85ns
товар відсутній
IXFH110N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 480W; TO247-3; 85ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 85ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH110N15T2IXYSMOSFET 110 Amps 150V
товар відсутній
IXFH110N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 110A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+518.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH110N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH110N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 110A TO247AD
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.91 грн
10+ 590.38 грн
100+ 488.75 грн
IXFH110N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.26 грн
2+ 410.06 грн
3+ 409.38 грн
IXFH110N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+588.31 грн
2+ 511 грн
3+ 491.25 грн
6+ 464.96 грн
10+ 458.39 грн
30+ 447.71 грн
IXFH110N25TIXYSMOSFET 110 Amps 0V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXFH11N80IXYSMOSFET 11 Amps 800V
товар відсутній
IXFH11N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH120N15PIXYSMOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+700.79 грн
30+ 550.96 грн
IXFH120N15PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH120N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.66 грн
3+ 377.89 грн
6+ 366.25 грн
10+ 352.56 грн
IXFH120N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+543.19 грн
3+ 470.9 грн
6+ 439.5 грн
10+ 423.07 грн
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH120N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.99 грн
30+ 485.87 грн
120+ 434.72 грн
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+376.55 грн
Мінімальне замовлення: 60
IXFH120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+405.2 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH120N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.08 грн
30+ 618.95 грн
120+ 582.54 грн
IXFH120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH120N20PIXYSMOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds
товар відсутній
IXFH120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH120N20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH120N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+815.38 грн
5+ 737.97 грн
10+ 659.82 грн
50+ 594.9 грн
100+ 532.07 грн
IXFH120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+812.43 грн
2+ 543.55 грн
5+ 513.43 грн
IXFH120N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 120A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 100ns
Power dissipation: 714W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+974.92 грн
2+ 677.35 грн
5+ 616.12 грн
IXFH120N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH120N25TIXYSMOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs
товар відсутній
IXFH120N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 108ns
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+756.4 грн
2+ 652.4 грн
3+ 629.81 грн
4+ 616.8 грн
IXFH120N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 890W; TO247-3; 108ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 108ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+907.68 грн
2+ 812.99 грн
3+ 755.77 грн
4+ 740.16 грн
10+ 711.41 грн
IXFH120N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH120N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+921.12 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH120N25X3LittelfusePower MOSFET
товар відсутній
IXFH120N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+866.59 грн
30+ 675.49 грн
120+ 635.77 грн
510+ 540.71 грн
IXFH120N25X3LittelfusePower MOSFET
товар відсутній
IXFH120N25X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+941.54 грн
10+ 817.74 грн
30+ 653.25 грн
60+ 652.59 грн
120+ 614.47 грн
270+ 587.53 грн
510+ 549.41 грн
IXFH120N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+798.42 грн
2+ 612.01 грн
4+ 579.15 грн
IXFH120N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+958.11 грн
2+ 762.66 грн
4+ 694.98 грн
30+ 667.87 грн
IXFH120N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH120N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1098.48 грн
5+ 1032.86 грн
10+ 967.25 грн
50+ 837.92 грн
IXFH120N30X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 10 шт:
термін постачання 673-682 дні (днів)
1+1252.83 грн
10+ 1134.41 грн
30+ 945.7 грн
120+ 833.32 грн
IXFH120N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 145ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1106.59 грн
2+ 744.13 грн
3+ 703.06 грн
IXFH120N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 120A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1327.91 грн
2+ 927.3 грн
3+ 843.67 грн
IXFH120N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH120N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 120A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1376 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH120N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH12N100IXYSMOSFET 1KV 12A
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1066.51 грн
10+ 926.57 грн
30+ 783.37 грн
60+ 740 грн
120+ 696.62 грн
270+ 674.94 грн
510+ 631.56 грн
IXFH12N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH12N100FIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+758.53 грн
30+ 591.31 грн
120+ 556.54 грн
IXFH12N100FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100FIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH12N100FIXYSMOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
товар відсутній
IXFH12N100FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 12 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 436
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+398.84 грн
5+ 390.73 грн
10+ 382.62 грн
50+ 348.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH12N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
IXFH12N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 12A; 463W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 463W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH12N100PIXYSMOSFET 12 Amps 1000V
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 743-752 дні (днів)
1+657.08 грн
10+ 646.94 грн
30+ 449.52 грн
IXFH12N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N100QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N120IXYSMOSFET 12 Amps 1200V 1.3 Rds
товар відсутній
IXFH12N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+910.12 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH12N120PIXYSMOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 708-717 дні (днів)
1+1198.39 грн
10+ 1085.29 грн
IXFH12N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N120PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N120P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 12 A, 1.35 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 12
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 543
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.35
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1161.14 грн
5+ 1113.96 грн
10+ 1066.78 грн
IXFH12N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH12N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH12N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+850.15 грн
Мінімальне замовлення: 270
IXFH12N50FIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+696.87 грн
10+ 676.4 грн
IXFH12N50FLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N50FIXYSMOSFET IXFH12N50F 500V 12A HIPERFET
товар відсутній
IXFH12N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N65X2IXYSMOSFET 650V/12A TO-247
товар відсутній
IXFH12N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH12N80PIXYSMOSFET DIODE Id12 BVdass800
товар відсутній
IXFH12N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH12N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 12A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 12A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH12N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH12N90IXYSMOSFET 900V 12A
товар відсутній
IXFH12N90PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N90P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 12 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 380
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH12N90PIXYSMOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+696.18 грн
10+ 588.74 грн
30+ 464.63 грн
120+ 425.86 грн
270+ 409.43 грн
IXFH12N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH12N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 2172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+641.24 грн
30+ 493.08 грн
120+ 441.19 грн
510+ 365.32 грн
1020+ 328.79 грн
IXFH12N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
On-state resistance: 1Ω
товар відсутній
IXFH12N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 900V; 12A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 380W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; Polar™
Kind of channel: enhanced
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 12A
On-state resistance: 1Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH12N90QIXYSMOSFET
товар відсутній
IXFH130N15X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 130A
товар відсутній
IXFH130N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.32 грн
30+ 572.58 грн
120+ 512.31 грн
510+ 424.22 грн
1020+ 381.8 грн
IXFH130N15X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 80ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+608.96 грн
IXFH130N15X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+898.6 грн
10+ 800.36 грн
30+ 663.76 грн
120+ 575.7 грн
510+ 501.44 грн
1020+ 426.52 грн
2520+ 420.6 грн
IXFH130N15X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO247-3; 80ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 390W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 80ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+730.75 грн
2+ 561.33 грн
5+ 510.97 грн
30+ 502.75 грн
IXFH13N100IXYSMOSFET 13 Amps 1000V 0.9 Rds
товар відсутній
IXFH13N100IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFH13N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IXFH13N50 транзистор
Код товару: 79556		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFH13N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH13N80Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH13N80IXYSMOSFET 800V 13A
товар відсутній
IXFH13N80QIXYSMOSFET 13 Amps 800V 0.8 Rds
товар відсутній
IXFH13N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH13N80QIXYS09+ SOT23
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFH13N90IXYSMOSFET 13 Amps 900V 0.8 Rds
товар відсутній
IXFH13N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH140N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+569.14 грн
3+ 378.57 грн
6+ 358.03 грн
IXFH140N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+682.97 грн
3+ 471.76 грн
6+ 429.64 грн
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.55 грн
10+ 277.55 грн
25+ 261.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH140N10PIXYSMOSFET 140 Amps 100V 0.011 Rds
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.61 грн
10+ 498.05 грн
30+ 372.63 грн
120+ 349.63 грн
270+ 341.74 грн
IXFH140N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 140A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.99 грн
IXFH140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH140N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH140N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH140N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+941.54 грн
10+ 847.22 грн
30+ 653.25 грн
60+ 651.93 грн
120+ 626.96 грн
270+ 568.47 грн
510+ 541.53 грн
IXFH140N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 140A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+866.59 грн
IXFH140N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH140N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+798.42 грн
2+ 588.73 грн
3+ 588.05 грн
4+ 556.56 грн
30+ 546.98 грн
IXFH140N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+958.11 грн
2+ 733.65 грн
3+ 705.66 грн
4+ 667.87 грн
30+ 656.37 грн
IXFH14N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
товар відсутній
IXFH14N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH14N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH14N100Q2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH14N100Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH14N100Q2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH14N100Q2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 14 A, 0.9 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 14
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 500
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH14N100Q2IXYSMOSFET 14 Amps 1000V 0.90 Rds
товар відсутній
IXFH14N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH14N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH14N60PIXYSMOSFET 600V 14A
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.86 грн
10+ 356.72 грн
30+ 300.99 грн
120+ 251.05 грн
IXFH14N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.6 грн
IXFH14N60P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFETs Power MOSFETs
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXFH14N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 327W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH14N60P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH14N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH14N80IXYSMOSFET 14 Amps 800V 0.7 Rds
товар відсутній
IXFH14N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+546.73 грн
3+ 377.92 грн
8+ 344.2 грн
IXFH14N80PIXYSMOSFET DIODE Id14 BVdass800
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+548.97 грн
10+ 464.04 грн
30+ 366.06 грн
120+ 335.82 грн
270+ 331.88 грн
IXFH14N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH14N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.45 грн
30+ 388.31 грн
120+ 347.46 грн
IXFH14N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 800V; 14A; 400W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.61 грн
3+ 303.27 грн
8+ 286.84 грн
IXFH14N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH14N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1043 pF @ 25 V
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.37 грн
30+ 424.46 грн
120+ 379.77 грн
510+ 314.47 грн
IXFH14N85XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 460W; TO247-3; 116ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 14A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 116ns
товар відсутній
IXFH14N85XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 14A; 460W; TO247-3; 116ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 850V
Drain current: 14A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 116ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH14N85XIXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3&44
товар відсутній
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH150N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH150N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 150A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH150N15PIXYSMOSFET 170 Amps 150V 0.013 Rds
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+949.2 грн
10+ 859.31 грн
30+ 716.34 грн
120+ 631.56 грн
510+ 561.24 грн
1020+ 525.1 грн
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH150N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A TO247AD
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+836.02 грн
10+ 739.96 грн
100+ 624.98 грн
IXFH150N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+500.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH150N17TIXYSMOSFET 150 Amps 175V
товар відсутній
IXFH150N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH150N17T(транзистор)
Код товару: 48320		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IXFH150N17T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 175V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+651.9 грн
IXFH150N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 175V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+440.97 грн
10+ 425.76 грн
25+ 398.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH150N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 175V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH150N17T2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH150N17T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 175 V, 150 A, 0.012 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 175V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 880W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+653.93 грн
5+ 607.48 грн
10+ 561.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH150N17T2IXYSMOSFET 175V 150A
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+722.25 грн
10+ 643.92 грн
120+ 471.21 грн
IXFH150N17T2
Код товару: 177347		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
IXFH150N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 175V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH150N20TIXYSMOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1344.07 грн
10+ 1169.18 грн
IXFH150N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 150A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 25 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1237.68 грн
IXFH150N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+904.59 грн
3+ 794.11 грн
IXFH150N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO247-3; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1085.5 грн
3+ 989.58 грн
30+ 936.5 грн
IXFH150N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH150N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1094.08 грн
30+ 853.25 грн
120+ 803.06 грн
510+ 682.99 грн
IXFH150N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1008.54 грн
2+ 744.13 грн
3+ 703.06 грн
IXFH150N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 150A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 735W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1210.24 грн
2+ 927.3 грн
3+ 843.67 грн
30+ 827.24 грн
IXFH150N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH150N25X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товар відсутній
IXFH150N25X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH
товар відсутній
IXFH150N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 167ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH150N30X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товар відсутній
IXFH150N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1281.76 грн
30+ 1023.62 грн
120+ 959.64 грн
IXFH150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH150N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH150N30X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 254nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 167ns
товар відсутній
IXFH15N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH15N100IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFH15N100IXYSMOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds
товар відсутній
IXFH15N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH15N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH15N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 15A; 543W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 543W
Case: TO247-3
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 97nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH15N100PIXYSMOSFET 15 Amps 1000V 0.76 Rds
товар відсутній
IXFH15N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 543W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH15N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH15N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH15N100Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 15 A, 1.05 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 15
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 690
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Q3-Class HiperFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.05
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
IXFH15N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1134.6 грн
2+ 761.25 грн
3+ 719.49 грн
IXFH15N100Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 586-595 дні (днів)
1+1206.82 грн
10+ 1048.25 грн
30+ 886.55 грн
60+ 837.26 грн
120+ 787.97 грн
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1499.13 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1003.18 грн
60+ 934.75 грн
120+ 882.89 грн
180+ 812.54 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH15N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH15N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Q3-Class; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Q3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1361.52 грн
2+ 948.63 грн
3+ 863.39 грн
IXFH15N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH15N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH15N60IXYSMOSFET 15 Amps 600V
товар відсутній
IXFH15N60LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH15N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH15N80IXYSMOSFET 800V 15A
товар відсутній
IXFH15N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH15N80LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH15N80IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH15N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH15N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH15N80Q
Код товару: 104305		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFH15N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1209.26 грн
11+ 1137.85 грн
25+ 976.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
IXFH15N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH15N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH15N80QIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH15N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1122.88 грн
10+ 1056.58 грн
25+ 906.67 грн
IXFH15N80QIXYSMOSFET 800V 15A
товар відсутній
IXFH1606
Код товару: 128639		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXFH160N15TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH160N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
товар відсутній
IXFH160N15TIXYSMOSFET 160 Amps 150V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+823.46 грн
10+ 696.06 грн
30+ 497.49 грн
IXFH160N15T2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 160 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 15000 @ 25; Qg, нКл = 253 @ 10 В; Rds = 9 мОм @ 80 A, 10 В; Ugs(th) = 4,5 В @ 1000 мкА; Р, Вт = 880 Вт; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = вивідний; TO-247-3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+161.24 грн
10+ 150.49 грн
100+ 139.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXFH160N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH160N15T2IXYSMOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.21 грн
10+ 561.54 грн
120+ 381.83 грн
270+ 343.05 грн
510+ 341.08 грн
IXFH160N15T2
Код товару: 126302		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFH160N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 253nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+617.51 грн
3+ 431.66 грн
7+ 392.67 грн
IXFH160N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 160A; 880W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 160A
Power dissipation: 880W
Case: TO247-3
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 253nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+514.59 грн
IXFH160N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+639.81 грн
10+ 556.83 грн
IXFH16N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH16N120PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH16N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 16A, TO-247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6.5
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
IXFH16N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH16N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1342.9 грн
30+ 1047.17 грн
120+ 985.58 грн
510+ 838.22 грн
IXFH16N120PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH16N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 16A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH16N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH16N120PIXYSMOSFET 1
на замовлення 300 шт:
термін постачання 392-401 дні (днів)
1+1459.07 грн
10+ 1343 грн
30+ 1012.73 грн
60+ 1012.07 грн
120+ 952.27 грн
510+ 931.9 грн
IXFH16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH16N50PIXYSMOSFET 500V 16A
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 434-443 дні (днів)
1+417.86 грн
10+ 372.59 грн
30+ 276.02 грн
120+ 242.5 грн
270+ 218.19 грн
510+ 196.5 грн
1020+ 187.3 грн
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+489.75 грн
10+ 441.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH16N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH16N50PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
товар відсутній
IXFH16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.6 грн
30+ 293.45 грн
IXFH16N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFH16N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.64 грн
30+ 312.46 грн
120+ 279.59 грн
IXFH16N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 500V; 16A; 330W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH16N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товар відсутній
IXFH16N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH16N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO247-3
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IXFH16N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 347W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH16N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO247-3
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH16N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH16N80PIXYSMOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 738-747 дні (днів)
1+637.15 грн
10+ 538.11 грн
30+ 424.55 грн
120+ 390.37 грн
270+ 367.37 грн
IXFH16N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+234.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFH16N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
товар відсутній
IXFH16N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.52 грн
30+ 446.94 грн
120+ 399.89 грн
IXFH16N80PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH16N80P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH16N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH16N90Q
Код товару: 157422		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFH16N90QIXYSMOSFET 16 Amps 900V 0.65 Rds
товар відсутній
IXFH16N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 16A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+579.2 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXFH170N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
товар відсутній
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH170N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH170N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+799.16 грн
5+ 723.23 грн
10+ 646.55 грн
50+ 582.57 грн
100+ 521.33 грн
250+ 511.22 грн
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH170N10PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH170N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH170N10PIXYSMOSFET 170 Amps 100V 0.009 Rds
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+862.56 грн
10+ 748.97 грн
30+ 563.87 грн
60+ 549.41 грн
120+ 527.07 грн
270+ 525.1 грн
IXFH170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+538.23 грн
Мінімальне замовлення: 270
IXFH170N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.08 грн
30+ 618.95 грн
120+ 582.54 грн
510+ 495.44 грн
IXFH170N10PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH170N15X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 170A; Idm: 340A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH170N15X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товар відсутній
IXFH170N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 170A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7620 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH170N15X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 170A; Idm: 340A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 170A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 520W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 90ns
товар відсутній
IXFH170N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH170N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 170 A, 0.0061 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 170
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 890
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 890
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1538.61 грн
5+ 1475.94 грн
10+ 1413.28 грн
IXFH170N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH170N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 170A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH170N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+979.78 грн
3+ 860.51 грн
IXFH170N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Power dissipation: 890W
Case: TO247-3
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1175.74 грн
3+ 1072.33 грн
30+ 1014.54 грн
IXFH170N25X3IXYSMOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
на замовлення 300 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)
1+1447.57 грн
10+ 1256.85 грн
30+ 1063.34 грн
60+ 1004.19 грн
120+ 945.04 грн
IXFH1799IXYSMOSFET
товар відсутній
IXFH17N80QIXYSMOSFET 17 Amps 800V 0.60 Rds
товар відсутній
IXFH17N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH180N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 94ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+896.48 грн
2+ 744.13 грн
3+ 703.06 грн
10+ 689.37 грн
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH180N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1094.08 грн
30+ 853.25 грн
120+ 803.06 грн
510+ 682.99 грн
IXFH180N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 180A; 780W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 180A
Power dissipation: 780W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 154nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 94ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1075.77 грн
2+ 927.3 грн
3+ 843.67 грн
10+ 827.24 грн
30+ 811.63 грн
IXFH180N20X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFH180N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 180 A, 0.0063 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1098.48 грн
5+ 1032.86 грн
10+ 967.25 грн
50+ 837.92 грн
100+ 717.22 грн
250+ 702.69 грн
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH180N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1188.42 грн
10+ 1033.14 грн
30+ 825.43 грн
60+ 824.78 грн
120+ 776.14 грн
270+ 763 грн
510+ 702.54 грн
IXFH180N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH18N100Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH18N100Q3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 18 A, 0.66 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.66ohm
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1405.17 грн
5+ 1271.73 грн
10+ 1137.55 грн
50+ 1025.49 грн
100+ 918.17 грн
250+ 899.85 грн
IXFH18N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH18N100Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
на замовлення 270 шт:
термін постачання 143-152 дні (днів)
1+1458.31 грн
10+ 1266.67 грн
30+ 1071.22 грн
60+ 1063.99 грн
IXFH18N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.66Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
IXFH18N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4890 pF @ 25 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1342.9 грн
30+ 1047.17 грн
120+ 985.58 грн
IXFH18N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 830W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 830W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.66Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH18N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+367.88 грн
3+ 307.37 грн
4+ 245.08 грн
9+ 231.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH18N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH18N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 360W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 360W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+441.46 грн
3+ 383.04 грн
4+ 294.09 грн
9+ 277.66 грн
IXFH18N60PIXYSMOSFET 600V 18A
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.03 грн
10+ 368.82 грн
30+ 256.3 грн
120+ 242.5 грн
270+ 239.22 грн
510+ 234.62 грн
1020+ 230.02 грн
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH18N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH18N60XIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH18N60XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+659.09 грн
2+ 506.73 грн
3+ 487.14 грн
6+ 460.86 грн
30+ 453.46 грн
IXFH18N60XIXYSMOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
товар відсутній
IXFH18N60XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 320W; TO247-3; 127ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 127ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+549.24 грн
2+ 406.64 грн
3+ 405.95 грн
6+ 384.05 грн
IXFH18N65X2IXYSMOSFET 650V/18A TO-247
товар відсутній
IXFH18N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 135ns
товар відсутній
IXFH18N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 18A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+277.98 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXFH18N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 18A; 290W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Power dissipation: 290W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 135ns
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXFH18N65X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 18A 650V X3 TO24
Packaging: Tube
товар відсутній
IXFH18N65X3LittelfuseLittelfuse MOSFET 18A 650V X3 TO247
товар відсутній
IXFH18N90PIXYSMOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+844.16 грн
10+ 733.85 грн
30+ 620.39 грн
60+ 585.56 грн
120+ 551.38 грн
270+ 542.18 грн
IXFH18N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 540W
Gate charge: 97nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH18N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH18N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.65 грн
10+ 729.89 грн
100+ 616.45 грн
500+ 514.62 грн
1000+ 472.03 грн
IXFH18N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 18A; 540W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 540W
Gate charge: 97nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.6Ω
товар відсутній
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH20N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH20N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IXFH20N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
IXFH20N100PIXYSMOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+911.63 грн
10+ 791.29 грн
30+ 669.68 грн
60+ 632.88 грн
120+ 595.42 грн
270+ 576.36 грн
510+ 539.55 грн
IXFH20N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH20N50P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.11 грн
30+ 303.45 грн
IXFH20N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+323.65 грн
3+ 270.41 грн
4+ 215.64 грн
11+ 203.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH20N50P3IXYSMOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товар відсутній
IXFH20N50P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 380W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+388.37 грн
3+ 336.97 грн
4+ 258.77 грн
11+ 243.98 грн
IXFH20N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH20N50P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH20N50P3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N50P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.3 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFH20N60IXYSMOSFET 600V 20A
товар відсутній
IXFH20N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH20N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH20N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+761.71 грн
2+ 500.76 грн
3+ 481.39 грн
6+ 455.11 грн
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH20N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH20N80PIXYSMOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+724.55 грн
10+ 612.93 грн
30+ 483.69 грн
120+ 442.95 грн
270+ 414.03 грн
510+ 404.17 грн
IXFH20N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; 500W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 86nC
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+634.76 грн
2+ 401.85 грн
3+ 401.16 грн
6+ 379.25 грн
IXFH20N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH20N80P (TO-247-3)
Код товару: 107942		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXFH20N80Q
Код товару: 129296		Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
IXFH20N80QIXYSMOSFET 800V 20A
товар відсутній
IXFH20N80QIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N80Q - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.42 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 360
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.42
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товар відсутній
IXFH20N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товар відсутній
IXFH20N80QIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFH20N85XIXYSDescription: MOSFET N-CH 850V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+653.32 грн
30+ 502.11 грн
120+ 449.26 грн
IXFH20N85XIXYSIXFH20N85X THT N channel transistors
товар відсутній
IXFH20N85XIXYSMOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
товар відсутній
IXFH20N85XLittelfuseTrans MOSFET N-CH 850V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXFH21N50IXYSMOSFET 500V 21A
товар відсутній