Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXT-1-1N100S1IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tube
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товар відсутній
IXT-1-1N100S1IXYSMOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds
товар відсутній
IXT-1-1N100S1 T/RIxys Corporation- 8-Pin SOIC
товар відсутній
IXT-1-1N100S1-TRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
товар відсутній
IXT-1-1N100S1-TRIXYSMOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds
товар відсутній
IXT-705ATPlanetDescription: INDUSTRIAL 10G/5G/2.5G/1G/100M C
Packaging: Box
Connector Type: RJ45, SFP
Mounting Type: DIN Rail
Voltage - Input: 12 ~ 24VAC, 48VDC
Configuration: Fixed + SFP
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C
Ingress Protection: IP30
Fiber Type: SFP
Copper Type: 10/100/1000
Fiber Ports: 1
SFP/XFP Ports: 1 (SFP)
Distance: 300M
Part Status: Active
Copper Ports: 1
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22606.76 грн
IXTA02N250IXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
товар відсутній
IXTA02N250HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA02N250HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.56 грн
10+ 779.26 грн
50+ 718.07 грн
100+ 610.64 грн
250+ 552.29 грн
IXTA02N250HVIXYSMOSFET SMD N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+854.13 грн
10+ 743.68 грн
25+ 634.19 грн
50+ 613.82 грн
100+ 569.13 грн
250+ 559.93 грн
500+ 517.21 грн
IXTA02N250HVIXYSIXTA02N250HV SMD N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1017.38 грн
2+ 641.58 грн
5+ 607.08 грн
IXTA02N250HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA02N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1032.89 грн
10+ 927.05 грн
25+ 917.93 грн
50+ 835.76 грн
100+ 667.73 грн
IXTA02N250HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-263ABVHV
товар відсутній
IXTA02N450HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA02N450HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA05N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+289.42 грн
Мінімальне замовлення: 50
IXTA05N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA05N100IXYSMOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds
товар відсутній
IXTA05N100IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA05N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA05N100IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
товар відсутній
IXTA05N100-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
товар відсутній
IXTA05N100-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA05N100-TRLIXYSMOSFET IXTA05N100 TRL
товар відсутній
IXTA05N100HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA05N100HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.75A
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+171.75 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTA05N100HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.35 грн
3+ 212.9 грн
5+ 169.09 грн
14+ 160.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA05N100HVIXYSMOSFET High Voltage Power MOSFET
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 612-621 дні (днів)
1+340.43 грн
10+ 281.9 грн
50+ 231.33 грн
100+ 197.81 грн
250+ 187.3 грн
500+ 176.13 грн
1000+ 151.81 грн
IXTA05N100HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.75A; 40W; TO263HV; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.75A
Power dissipation: 40W
Case: TO263HV
On-state resistance: 17Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+305.21 грн
3+ 265.31 грн
5+ 202.91 грн
14+ 192.23 грн
IXTA05N100HV-TRLIXYSMOSFET IXTA05N100HV TRL
товар відсутній
IXTA05N100HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263HV
товар відсутній
IXTA05N100HV-TRLLittelfuseHigh Voltage Power MOSFET
товар відсутній
IXTA06N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.6A; 42W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 42W
Case: TO263
On-state resistance: 34Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
товар відсутній
IXTA06N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA06N120PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA06N120P - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 0.6A, TO-263
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 27ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
товар відсутній
IXTA06N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+292.89 грн
50+ 223.58 грн
100+ 191.65 грн
IXTA06N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA06N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.6A; 42W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 42W
Case: TO263
On-state resistance: 34Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA06N120PIXYSMOSFET 0.6 Amps 1200V 32 Rds
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+318.96 грн
10+ 313.64 грн
50+ 216.22 грн
IXTA06N120P TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA06N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA06N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA06N120P-TRLIXYSMOSFET IXTA06N120P TRL
товар відсутній
IXTA06N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA06N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA08N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 325nC
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+149.51 грн
3+ 131.38 грн
10+ 101.04 грн
27+ 95.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA08N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.39 грн
50+ 143.73 грн
100+ 123.2 грн
500+ 102.77 грн
1000+ 88 грн
2000+ 82.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA08N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 325nC
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.59 грн
4+ 105.42 грн
10+ 84.2 грн
27+ 79.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA08N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA08N100D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA08N100D2 - MOSFET, N-CH, 1KV, 0.8A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.01 грн
10+ 201.26 грн
25+ 186.52 грн
50+ 159.51 грн
100+ 126.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXTA08N100D2IXYSMOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
на замовлення 548 шт:
термін постачання 392-401 дні (днів)
2+204.72 грн
10+ 169.29 грн
50+ 138.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA08N100D2-TRLIXYSMOSFET IXTA08N100D2 TRL
товар відсутній
IXTA08N100D2-TRLIXYSDescription: IXTA08N100D2 TRL
товар відсутній
IXTA08N100D2HVIXYSMOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+307.46 грн
10+ 254.69 грн
50+ 194.53 грн
100+ 174.16 грн
250+ 168.24 грн
IXTA08N100D2HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263HV
Mounting: SMD
Case: TO263HV
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 325nC
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
IXTA08N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXTA08N100D2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+223.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
IXTA08N100D2HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA08N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.59 грн
10+ 196.84 грн
100+ 163.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXTA08N100D2HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263HV
Mounting: SMD
Case: TO263HV
Kind of package: tube
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 325nC
Kind of channel: depleted
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA08N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXTA08N100D2HV TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXTA08N100D2HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXTA08N100D2HV-TRLIXYSMOSFET IXTA08N100D2HV TRL
товар відсутній
IXTA08N100D2HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA08N100D2TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA08N100PIXYSMOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds
товар відсутній
IXTA08N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO263; 750ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA08N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA08N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
товар відсутній
IXTA08N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO263; 750ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
IXTA08N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+122.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
IXTA08N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.61 грн
50+ 199.62 грн
100+ 171.11 грн
500+ 142.74 грн
1000+ 122.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA08N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 0.8A; 50W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 900ns
товар відсутній
IXTA08N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA08N120PIXYSMOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+284.45 грн
10+ 256.96 грн
50+ 218.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA08N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 0.8A; 50W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA08N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 11ns
товар відсутній
IXTA08N50D2
Код товару: 118357		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXTA08N50D2IXYSMOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.72 грн
10+ 169.29 грн
50+ 122.89 грн
100+ 109.75 грн
250+ 105.15 грн
500+ 101.86 грн
1000+ 98.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA08N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO263; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 4.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 312nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 11ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA08N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA08N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312 pF @ 25 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.39 грн
50+ 143.73 грн
100+ 123.2 грн
500+ 102.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA100N04T2IXYSMOSFET 100 Amps 40V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.55 грн
10+ 171.56 грн
100+ 126.18 грн
250+ 116.98 грн
500+ 109.09 грн
1000+ 97.26 грн
2500+ 92.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA100N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA100N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA100N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 100A TO263
товар відсутній
IXTA100N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 150W; TO263; 34ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 34ns
товар відсутній
IXTA100N04T2-TRLIXYSMOSFET IXTA100N04T2 TRL
товар відсутній
IXTA100N15X4IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+738.35 грн
10+ 623.51 грн
50+ 503.41 грн
100+ 442.29 грн
250+ 422.57 грн
IXTA100N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3970 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+659.72 грн
50+ 506.97 грн
100+ 453.61 грн
500+ 375.61 грн
1000+ 338.05 грн
IXTA102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 25 V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.06 грн
10+ 274.24 грн
100+ 224.68 грн
500+ 179.49 грн
IXTA102N15TIXYSMOSFET 102 Amps 150V 18 Rds
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.06 грн
10+ 286.44 грн
50+ 240.53 грн
100+ 202.41 грн
250+ 196.5 грн
500+ 187.96 грн
IXTA102N15T-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 102A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA10N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA10N60PIXYSMOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
товар відсутній
IXTA10N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA10P15TIXYSMOSFET MSFT P-CH TRENCH GATE
товар відсутній
IXTA10P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA10P15T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA10P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA10P15T-TRLIXYSMOSFET IXTA10P15T TRL
товар відсутній
IXTA10P50PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+453.4 грн
10+ 389.26 грн
50+ 356.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+480.19 грн
29+ 412.51 грн
50+ 390.27 грн
100+ 361.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
IXTA10P50PIXYSMOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.27 грн
10+ 406.6 грн
50+ 347 грн
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+623.3 грн
25+ 594.52 грн
50+ 570.59 грн
100+ 530.82 грн
250+ 476.25 грн
Мінімальне замовлення: 19
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+480.58 грн
10+ 412.97 грн
25+ 408.86 грн
50+ 390.86 грн
100+ 358.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA10P50PIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 414ns
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.11 грн
3+ 344.34 грн
4+ 262.19 грн
9+ 247.82 грн
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+517.54 грн
27+ 440.32 грн
50+ 420.92 грн
100+ 385.79 грн
Мінімальне замовлення: 23
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA10P50PIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 414ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 287 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+494.54 грн
3+ 429.1 грн
4+ 314.63 грн
9+ 297.38 грн
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+487.91 грн
10+ 419.27 грн
25+ 419.13 грн
50+ 396.53 грн
100+ 367.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA10P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.42 грн
10+ 401.08 грн
25+ 371.6 грн
100+ 316.84 грн
250+ 285.84 грн
500+ 218.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA10P50P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 54523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.39 грн
10+ 354.2 грн
100+ 295.18 грн
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+298.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+252.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA10P50P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 53600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+270.47 грн
1600+ 234.41 грн
2400+ 219.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA10P50P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+507.69 грн
27+ 431.93 грн
30+ 400.19 грн
100+ 341.21 грн
250+ 307.83 грн
500+ 234.98 грн
Мінімальне замовлення: 23
IXTA10P50P-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA10P50P-TRL - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+493.21 грн
10+ 422.44 грн
25+ 399.58 грн
50+ 348.45 грн
100+ 301.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA10P50P-TRLIXYSMOSFET MSFT P-CH POLAR
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.3 грн
10+ 398.29 грн
25+ 324 грн
100+ 289.16 грн
250+ 279.96 грн
500+ 258.93 грн
800+ 235.27 грн
IXTA110N055PIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA110N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA110N055T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA110N055T2IXYSMOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.75 грн
10+ 173.07 грн
100+ 118.29 грн
250+ 112.38 грн
500+ 105.15 грн
1000+ 91.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA110N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.39 грн
50+ 143.73 грн
100+ 123.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA110N055T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO263; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
товар відсутній
IXTA110N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA110N055T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+113.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA110N055T2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA110N055T2-TRLIXYSMOSFET IXTA110N055T2 TRL
товар відсутній
IXTA110N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 110A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA110N055T7IXYSMOSFET 110 Amps 55V 6.7 Rds
товар відсутній
IXTA110N12T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 110A; 517W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 110A
Power dissipation: 517W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 64ns
товар відсутній
IXTA110N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 110A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6570 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA110N12T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 110A; 517W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 110A
Power dissipation: 517W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA120N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO263; 35ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 35ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA120N04T2IXYSMOSFET 120 Amps 40V
товар відсутній
IXTA120N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+119.6 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTA120N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO263; 35ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 35ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+191.09 грн
3+ 168.06 грн
8+ 122.4 грн
22+ 115.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA120N075T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+280.44 грн
3+ 243.13 грн
6+ 177.44 грн
15+ 167.58 грн
IXTA120N075T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 250W; TO263; 50ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 50ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.7 грн
3+ 195.1 грн
6+ 147.87 грн
15+ 139.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA120N075T2IXYSMOSFET 120 Amps 75V
товар відсутній
IXTA120N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO263
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+253.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
IXTA120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+228.48 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTA120P065TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390 грн
3+ 325.86 грн
4+ 246.45 грн
9+ 233.44 грн
IXTA120P065TIXYSMOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 7797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.43 грн
10+ 406.6 грн
100+ 292.45 грн
250+ 283.91 грн
500+ 257.62 грн
IXTA120P065TIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA120P065TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+468 грн
3+ 406.07 грн
4+ 295.74 грн
9+ 280.13 грн
IXTA120P065T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA120P065T-TRLIXYSMOSFET IXTA120P065T TRL
товар відсутній
IXTA120P065TTRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA12N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA12N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA12N50PIXYSMOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.09 грн
10+ 230.51 грн
50+ 193.21 грн
100+ 161.67 грн
250+ 159.04 грн
500+ 143.92 грн
1000+ 124.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA12N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.79 грн
50+ 193.65 грн
100+ 165.99 грн
500+ 138.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA12N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
товар відсутній
IXTA12N65X2IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
товар відсутній
IXTA12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IXTA12N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns
товар відсутній
IXTA12N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO263; 270ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 270ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA12N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA12N70X2IXYSMOSFET DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-263D2
товар відсутній
IXTA130N065T2IXYSMOSFET 130 Amps 65V
товар відсутній
IXTA130N065T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 65V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA130N065T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 65V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA130N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns
товар відсутній
IXTA130N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA130N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 130A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 130
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchMV Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
IXTA130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA130N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA130N10TIXYSMOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds
товар відсутній
IXTA130N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA130N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
товар відсутній
IXTA130N10T-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA130N10T-TRLIXYSMOSFET IXTA130N10T TRL
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+361.89 грн
10+ 300.04 грн
25+ 246.45 грн
100+ 211.62 грн
250+ 199.13 грн
500+ 196.5 грн
800+ 163.64 грн
IXTA130N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
товар відсутній
IXTA130N10T-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns
товар відсутній
IXTA130N10T7IXYSMOSFET 130 Amps 100V 8.5 Rds
товар відсутній
IXTA130N10T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO263
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+277.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
IXTA130N10T7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns
товар відсутній
IXTA130N10T7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchMV™; unipolar; 100V; 130A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchMV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 104nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 77ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA130N10TTRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA130N15X4IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+956.1 грн
10+ 851 грн
50+ 705.82 грн
100+ 612.5 грн
IXTA130N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.32 грн
50+ 572.58 грн
100+ 512.31 грн
500+ 424.22 грн
1000+ 381.8 грн
IXTA130N15X4-7IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+849.53 грн
10+ 755.77 грн
50+ 626.96 грн
100+ 543.5 грн
IXTA130N15X4-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.32 грн
50+ 572.58 грн
100+ 512.31 грн
500+ 424.22 грн
1000+ 381.8 грн
IXTA140N055T2IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
товар відсутній
IXTA140N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+130.9 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTA140N12T2LittelfusePower MOSFET
товар відсутній
IXTA140N12T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
Power dissipation: 577W
Case: TO263
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+445.88 грн
3+ 387.3 грн
4+ 281.77 грн
10+ 266.16 грн
IXTA140N12T2IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
товар відсутній
IXTA140N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+341.83 грн
Мінімальне замовлення: 50
IXTA140N12T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO263; 65ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
Power dissipation: 577W
Case: TO263
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 65ns
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+371.57 грн
3+ 310.8 грн
4+ 234.81 грн
IXTA140P05TIXYSMOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.34 грн
10+ 453.46 грн
50+ 371.31 грн
100+ 345.68 грн
250+ 338.45 грн
500+ 324 грн
IXTA140P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 140A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.32 грн
10+ 415.47 грн
100+ 346.24 грн
500+ 286.71 грн
IXTA140P05TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
товар відсутній
IXTA140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA140P05TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA140P05T-TRLLittelfuseMOSFET MOSFET DISCRETE
товар відсутній
IXTA140P05T-TRLIXYSDescription: IXTA140P05T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA14N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
товар відсутній
IXTA14N60PIXYSMOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
товар відсутній
IXTA14N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.38 грн
50+ 237.56 грн
100+ 203.62 грн
IXTA14N60PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO263; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA14N60PTRLLittelfuseIXTA14N60PTRL
товар відсутній
IXTA150N15X4IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+945.37 грн
10+ 832.1 грн
50+ 653.91 грн
IXTA150N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
товар відсутній
IXTA150N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+870.15 грн
50+ 678.73 грн
100+ 638.8 грн
IXTA150N15X4-7IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товар відсутній
IXTA150N15X4-7LittelfuseX4-Class Power MOSFET
товар відсутній
IXTA150N15X4-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA152N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263
товар відсутній
IXTA152N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO-263-7
товар відсутній
IXTA15N50L2IXYSMOSFET MSFT N-CH LINEAR L2
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+963.77 грн
10+ 837.39 грн
25+ 708.45 грн
50+ 667.71 грн
100+ 643.39 грн
IXTA15N50L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA15N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+887.21 грн
50+ 691.65 грн
100+ 650.98 грн
IXTA15N50L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO263; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
товар відсутній
IXTA15N50L2-TRLIXYSMOSFET IXTA15N50L2 TRL
товар відсутній
IXTA15N50L2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA15N50L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA15P15TIXYSMOSFET TenchP Power MOSFET
товар відсутній
IXTA15P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 15A 3-Pin(2+Tab) TO-263
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA15P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 15A TO-263
товар відсутній
IXTA15P15TIXYSIXTA15P15T SMD P channel transistors
товар відсутній
IXTA15P15T-A2IXYSMOSFET -150V -15A
товар відсутній
IXTA160N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.41 грн
10+ 222.08 грн
100+ 179.67 грн
500+ 149.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA160N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+266.29 грн
3+ 231.19 грн
6+ 178.26 грн
10+ 177.44 грн
15+ 168.41 грн
IXTA160N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.91 грн
3+ 185.52 грн
6+ 148.55 грн
10+ 147.87 грн
15+ 140.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA160N04T2IXYSMOSFET 160Amps 40V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.02 грн
10+ 258.47 грн
50+ 190.59 грн
100+ 173.5 грн
250+ 153.13 грн
500+ 147.87 грн
1000+ 142.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA160N075TIXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
товар відсутній
IXTA160N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA160N075T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA160N075T7IXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
товар відсутній
IXTA160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA160N10TIXYSMOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
товар відсутній
IXTA160N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA160N10T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA160N10T7IXYSMOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
товар відсутній
IXTA16N50PIXYSMOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.13 грн
10+ 288.7 грн
50+ 212.93 грн
100+ 191.9 грн
250+ 178.76 грн
500+ 172.18 грн
1000+ 163.64 грн
IXTA16N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+197.84 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTA16N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA16N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
товар відсутній
IXTA16N50P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA16N50P-TRLIXYSMOSFET IXTA16N50P TRL
товар відсутній
IXTA16N50PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA170N075T2IXYSIXTA170N075T2 SMD N channel transistors
товар відсутній
IXTA170N075T2IXYSMOSFET 170 Amps 75V
товар відсутній
IXTA170N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 170A TO263
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 180A TO263
товар відсутній
IXTA180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA180N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA180N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+375.99 грн
3+ 326.73 грн
4+ 250.55 грн
11+ 236.59 грн
IXTA180N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA180N10TIXYSMOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.93 грн
10+ 374.86 грн
50+ 248.42 грн
100+ 224.76 грн
250+ 221.47 грн
500+ 205.04 грн
1000+ 203.73 грн
IXTA180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 6426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.44 грн
50+ 295.45 грн
100+ 253.24 грн
500+ 211.25 грн
1000+ 180.88 грн
2000+ 170.32 грн
IXTA180N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+313.32 грн
3+ 262.19 грн
4+ 208.8 грн
11+ 197.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA180N10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA180N10T - MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 180
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 480
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 480
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
IXTA180N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.44 грн
10+ 313.06 грн
100+ 253.24 грн
IXTA180N10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA180N10T-TRLIXYSMOSFET IXTA180N10T TRL
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+420.93 грн
10+ 348.41 грн
25+ 293.11 грн
100+ 245.13 грн
250+ 237.9 грн
500+ 218.19 грн
800+ 187.96 грн
IXTA180N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+233.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA180N10T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA180N10T7LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA180N10T7IXYSMOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
товар відсутній
IXTA180N10T7-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA180N10T7-TRLIXYSMOSFET IXTA180N10T7 TRL
товар відсутній
IXTA180N10TTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA182N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA182N055TIXYSMOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
товар відсутній
IXTA182N055T7IXYSMOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
товар відсутній
IXTA182N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA18P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 62ns
товар відсутній
IXTA18P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
товар відсутній
IXTA18P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA18P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 62ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA18P10TIXYSMOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds
товар відсутній
IXTA1970-TRLLittelfuseLittelfuse IXTA1970 TRL
товар відсутній
IXTA1970-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
IXTA1970TRLIxys CorporationTRENCHT2 POWER MOSFET
товар відсутній
IXTA1N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA1N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+293.6 грн
10+ 253.63 грн
100+ 207.8 грн
500+ 166.01 грн
IXTA1N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA1N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA1N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1A TO263
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.79 грн
10+ 168.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA1N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 50W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA1N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO263; 750ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 50W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 750ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній
IXTA1N100PIXYSMOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 491-500 дні (днів)
2+199.35 грн
10+ 164 грн
100+ 113.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA1N100P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA1N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO263; 900ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 63W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній
IXTA1N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA1N120PIXYSMOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.43 грн
10+ 301.55 грн
50+ 212.93 грн
100+ 192.56 грн
IXTA1N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.57 грн
10+ 267.33 грн
100+ 216.24 грн
IXTA1N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO263; 900ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 63W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 900ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA1N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1A TO263
товар відсутній
IXTA1N170DHVIXYSMOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-STD
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1537.28 грн
10+ 1346.78 грн
50+ 994.33 грн
250+ 975.27 грн
500+ 944.38 грн
IXTA1N170DHVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns
Mounting: SMD
Case: TO263HV
Kind of package: tube
Power dissipation: 290W
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA1N170DHVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA1N170DHV - MOSFET, N-CH, 1.7KV, 1A, TO-263HV
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 290
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 290
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 16
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
IXTA1N170DHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXTA1N170DHVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns
Mounting: SMD
Case: TO263HV
Kind of package: tube
Power dissipation: 290W
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній
IXTA1N170DHVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXTA1N170DHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1415.41 грн
50+ 1129.78 грн
100+ 1059.16 грн
IXTA1N170DHV-TRLLittelfuseLittelfuse MOSFET DISCRETE TO-263HV
товар відсутній
IXTA1N170DHVTRLLittelfuseIXTA1N170DHVTRL
товар відсутній
IXTA1N200P3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXTA1N200P3HVIXYSMOSFET 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-263HV
на замовлення 3722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+670.88 грн
10+ 612.93 грн
50+ 454.12 грн
100+ 396.94 грн
250+ 391.03 грн
500+ 360.14 грн
1000+ 324 грн
IXTA1N200P3HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us
Mounting: SMD
Case: TO263HV
Kind of package: tube
Power dissipation: 125W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 2.3µs
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 40Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товар відсутній
IXTA1N200P3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 1152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+617.78 грн
50+ 475.03 грн
100+ 425.02 грн
500+ 351.94 грн
1000+ 316.75 грн
IXTA1N200P3HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us
Mounting: SMD
Case: TO263HV
Kind of package: tube
Power dissipation: 125W
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 2.3µs
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
On-state resistance: 40Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA1N200P3HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXTA1N200P3HV.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA1N200P3HV. - MOSFET, N-CH, 2KV, 1A, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 27301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+700.37 грн
25+ 602.32 грн
100+ 501.32 грн
250+ 437.44 грн
500+ 378.52 грн
1000+ 340.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA1N200P3HVTRLIXYSDescription: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV
товар відсутній
IXTA1N200P3HVTRLIXYSDescription: MOFET N-CH 2000V 1.0A TO-263HV
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA1N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263
товар відсутній
IXTA1R4N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 3A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
товар відсутній
IXTA1R4N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA1R4N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 3A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 63W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 750ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA1R4N100PIXYSMOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.72 грн
10+ 194.23 грн
50+ 162.98 грн
100+ 136.7 грн
250+ 132.75 грн
500+ 118.95 грн
1000+ 102.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA1R4N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.72 грн
50+ 159.7 грн
100+ 136.88 грн
500+ 114.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA1R4N100PTRLIXYSMOSFET MSFT N-CH STD-POLAR
товар відсутній
IXTA1R4N100PTRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA1R4N120PIXYSMOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXTA1R4N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 25 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.8 грн
10+ 300.73 грн
IXTA1R4N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA1R4N120PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
товар відсутній
IXTA1R4N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA1R4N120P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA1R4N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
товар відсутній
IXTA1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+202.72 грн
100+ 166.11 грн
Мінімальне замовлення: 58
IXTA1R6N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.55 грн
50+ 186.86 грн
100+ 160.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA1R6N100D2IXYSMOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 800MA
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.05 грн
10+ 225.98 грн
50+ 166.27 грн
500+ 149.84 грн
1000+ 122.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+268.02 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTA1R6N100D2IXYSIXTA1R6N100D2 SMD N channel transistors
товар відсутній
IXTA1R6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA1R6N100D2-TRLIXYSMOSFET IXTA1R6N100D2 TRL
товар відсутній
IXTA1R6N100D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA1R6N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA1R6N100D2HVLittelfuseHigh Voltage Depletion Mode MOSFET
товар відсутній
IXTA1R6N100D2HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 970ns
товар відсутній
IXTA1R6N100D2HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 970ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA1R6N100D2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 10 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.14 грн
50+ 275.5 грн
100+ 236.14 грн
IXTA1R6N100D2HVLittelfuseHigh Voltage Depletion Mode MOSFET
товар відсутній
IXTA1R6N100D2HVIXYSMOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+392.56 грн
10+ 334.81 грн
50+ 266.16 грн
100+ 228.05 грн
250+ 220.16 грн
500+ 216.22 грн
IXTA1R6N100D2HVLittelfuseHigh Voltage Depletion Mode MOSFET
товар відсутній
IXTA1R6N100D2HV-TRLLittelfuseIXTA1R6N100D2HV-TRL
товар відсутній
IXTA1R6N100D2TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA1R6N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.55 грн
50+ 186.86 грн
100+ 160.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA1R6N50D2IXYSMOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.15 грн
10+ 229.75 грн
50+ 188.61 грн
100+ 163.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA1R6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA1R6N50D2IXYSIXTA1R6N50D2 SMD N channel transistors
товар відсутній
IXTA200N055T2IXYSMOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds
товар відсутній
IXTA200N055T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns
Case: TO263
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 109nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 49ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.2mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA200N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.59 грн
50+ 203.62 грн
100+ 174.53 грн
500+ 145.59 грн
1000+ 124.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA200N055T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 200A; 360W; TO263; 49ns
Case: TO263
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 109nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 49ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 200A
On-state resistance: 4.2mΩ
товар відсутній
IXTA200N055T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 200A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA200N055T2-7IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
товар відсутній
IXTA200N055T2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA200N055T2-TRLIXYSMOSFET IXTA200N055T2 TRL
товар відсутній
IXTA200N055T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 200A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA200N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263
товар відсутній
IXTA200N075T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7
товар відсутній
IXTA200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO263
товар відсутній
IXTA200N085TIXYSMOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds
товар відсутній
IXTA200N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO263-7
товар відсутній
IXTA200N085T7IXYSMOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds
товар відсутній
IXTA20N65XIXYSMOSFET 650V/9A Power MOSFET
товар відсутній
IXTA20N65XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA20N65XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
товар відсутній
IXTA20N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA20N65X-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA20N65X-TRLIXYSMOSFET IXTA20N65X TRL
товар відсутній
IXTA20N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA20N65X2IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
товар відсутній
IXTA20N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+398.99 грн
3+ 346.35 грн
4+ 263.7 грн
10+ 248.91 грн
IXTA20N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+332.49 грн
3+ 277.94 грн
4+ 219.75 грн
10+ 207.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA220N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA220N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA220N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
товар відсутній
IXTA220N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 220A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA220N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 220A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA220N04T2IXYSMOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds
товар відсутній
IXTA220N04T2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA220N04T2-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263-7; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
товар відсутній
IXTA220N04T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA220N04T2-7IXYSMOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds
товар відсутній
IXTA220N04T2-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO263-7; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO263-7
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 45ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA220N04T2-7TRLLittelfuseIXTA220N04T2-7TRL
товар відсутній
IXTA220N04T2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA220N04T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 220A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA220N04T2-TRLIXYSMOSFET IXTA220N04T2 TRL
товар відсутній
IXTA220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 220A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA220N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 220A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA220N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 220A TO263
товар відсутній
IXTA220N075T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 220A TO263-7
товар відсутній
IXTA230N04T4IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 230A; 340W; TO263; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 230A
Power dissipation: 340W
Case: TO263
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 32ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA230N04T4IXYSMOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
товар відсутній
IXTA230N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA230N04T4IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 230A; 340W; TO263; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 230A
Power dissipation: 340W
Case: TO263
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 32ns
товар відсутній
IXTA230N075T2IXYSIXTA230N075T2 SMD N channel transistors
товар відсутній
IXTA230N075T2IXYSMOSFET 230 Amps 75V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXTA230N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 230A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.8 грн
10+ 402.67 грн
100+ 333.39 грн
IXTA230N075T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 230A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA230N075T2-7IXYSIXTA230N075T2-7 SMD N channel transistors
товар відсутній
IXTA230N075T2-7IXYSMOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXTA230N075T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 230A TO-263
товар відсутній
IXTA240N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 240A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA240N055T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 240A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA24N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA24N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
товар відсутній
IXTA24N65X2IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
товар відсутній
IXTA24N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA24N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA24N65X2TRLLittelfuseIXTA24N65X2TRL
товар відсутній
IXTA24P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V
на замовлення 3324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.73 грн
50+ 135.75 грн
100+ 116.34 грн
500+ 97.06 грн
1000+ 83.1 грн
2000+ 78.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA24P085TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -24A; 83W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 83W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -24A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -85V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Reverse recovery time: 40ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+182.24 грн
3+ 156.97 грн
9+ 115.01 грн
23+ 108.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA24P085TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -24A; 83W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Kind of package: tube
Power dissipation: 83W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -24A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -85V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.96 грн
9+ 95.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA24P085TIXYSMOSFET 24 Amps 85V 0.065 Rds
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXTA260N055T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA260N055T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ
товар відсутній
IXTA260N055T2IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
товар відсутній
IXTA260N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 260A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA260N055T2-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA260N055T2-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263-7; 60ns
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 60ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 260A
On-state resistance: 3.3mΩ
товар відсутній
IXTA260N055T2-7IXYSMOSFET 260 Amps 55V
товар відсутній
IXTA260N055T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 260A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA260N055T2-7LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 260A Automotive 7-Pin(6+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA26P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 26A TO-263
товар відсутній
IXTA26P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 26A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA26P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA26P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
товар відсутній
IXTA26P10TIXYSMOSFET TenchP Power MOSFET
товар відсутній
IXTA26P20PIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+514.88 грн
3+ 356.59 грн
8+ 324.49 грн
IXTA26P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA26P20PIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
Reverse recovery time: 240ns
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -26A
On-state resistance: 0.17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.07 грн
3+ 286.15 грн
8+ 270.41 грн
IXTA26P20PIXYSMOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.27 грн
10+ 427.01 грн
50+ 329.91 грн
100+ 295.08 грн
250+ 294.42 грн
IXTA26P20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 26
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarP
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+479.94 грн
5+ 457.09 грн
10+ 433.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA26P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA26P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA26P20P
Код товару: 162385		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
IXTA26P20P TRLIxys CorporationIXTA26P20P TRL
товар відсутній
IXTA26P20P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+273.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA26P20P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA26P20P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.36 грн
10+ 358.72 грн
100+ 298.97 грн
IXTA26P20P-TRLIXYSMOSFET IXTA26P20P TRL
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.3 грн
10+ 399.05 грн
25+ 314.79 грн
100+ 289.16 грн
250+ 272.73 грн
500+ 255.65 грн
800+ 235.27 грн
IXTA270N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 270A
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA270N04T4IXYSMOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
товар відсутній
IXTA270N04T4IXYSIXTA270N04T4 SMD N channel transistors
товар відсутній
IXTA270N04T4-7IXYSMOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
товар відсутній
IXTA270N04T4-7IXYSIXTA270N04T4-7 SMD N channel transistors
товар відсутній
IXTA27N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 20V 27A TO-263
товар відсутній
IXTA27N20TIXYSMOSFET 27 Amps 200V 100 Rds
товар відсутній
IXTA28P065TIXYSIXTA28P065T SMD P channel transistors
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+164.55 грн
9+ 117.47 грн
23+ 111.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA28P065TIXYSMOSFET 28 Amps 65V 0.045 Rds
товар відсутній
IXTA28P065TIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 28A TO-263
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA2N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
товар відсутній
IXTA2N100IXYSMOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds
товар відсутній
IXTA2N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA2N100PIXYSMOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds
товар відсутній
IXTA2N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+205.25 грн
3+ 174.03 грн
7+ 151.98 грн
18+ 143.76 грн
50+ 141.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA2N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
товар відсутній
IXTA2N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 800ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.65 грн
7+ 126.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA2N100P-TRLIXYSMOSFET IXTA2N100P TRL
товар відсутній
IXTA2N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Box
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA2N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA2N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA2R4N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA2R4N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.27 грн
10+ 395.07 грн
IXTA2R4N120PIXYSMOSFET 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXTA2R4N120P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263
товар відсутній
IXTA300N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA300N04T2IXYSMOSFET 300 Amps 40V 0.025 Rds
товар відсутній
IXTA300N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 300A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA300N04T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO263; 53ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Gate charge: 145nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 300A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 480W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товар відсутній
IXTA300N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 300A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA300N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 300A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA300N04T2-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 300A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+250.05 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTA300N04T2-7IXYSMOSFET 300 Amps 40V
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.23 грн
10+ 350.68 грн
50+ 287.19 грн
100+ 247.1 грн
IXTA30N25L2IXYSMOSFET MSFT N-CH LINEAR L2
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+792.79 грн
10+ 688.51 грн
25+ 582.27 грн
50+ 561.24 грн
250+ 534.3 грн
IXTA30N65X2IXYSMOSFET MOSFET DISCRETE
товар відсутній
IXTA32N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA32N20TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 32A; 200W; TO263; 110ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 32A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 110ns
товар відсутній
IXTA32N20TIXYSMOSFET 32 Amps 200V 78 Rds
товар відсутній
IXTA32N20TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 32A; 200W; TO263; 110ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 32A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 110ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA32P05TIXYSMOSFET 32 Amps 50V 0.036 Rds
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.21 грн
10+ 167.78 грн
50+ 123.55 грн
100+ 112.38 грн
250+ 105.81 грн
500+ 95.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA32P05TIXYSIXTA32P05T SMD P channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+164.55 грн
9+ 115.01 грн
23+ 108.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA32P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA32P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.73 грн
50+ 135.75 грн
100+ 116.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA32P05T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA32P05T-TRLIXYSMOSFET IXTA32P05T TRL
товар відсутній
IXTA32P05TTRLIXYS/LittelfuseP-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 32 А; Ptot, Вт = 83; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1975 @ 25; Qg, нКл = 46 @ 10 В; Rds = 39 мОм @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 250 мкА; TO-220
на замовлення 794 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
33+19.41 грн
35+ 18.11 грн
100+ 16.82 грн
Мінімальне замовлення: 33
IXTA32P20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+725.44 грн
5+ 690.05 грн
10+ 654.66 грн
50+ 555.87 грн
100+ 464.46 грн
250+ 454.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA32P20TIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA32P20TIXYSMOSFET TenchP Power MOSFET
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+631.01 грн
10+ 532.82 грн
50+ 373.94 грн
100+ 351.6 грн
250+ 348.97 грн
IXTA32P20TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA32P20TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA32P20TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 190ns
товар відсутній
IXTA32P20T-TRLIXYSMOSFET IXTA32P20T TRL
товар відсутній
IXTA32P20T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+353.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA32P20T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA340N04T4IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO263; 43ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 43ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA340N04T4IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO263; 43ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 43ns
товар відсутній
IXTA340N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 340A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+376.78 грн
10+ 304.57 грн
100+ 246.41 грн
IXTA340N04T4IXYSMOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET
товар відсутній
IXTA340N04T4-7IXYSMOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET
товар відсутній
IXTA340N04T4-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO263-7; 43ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 43ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA340N04T4-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO263-7; 43ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 43ns
товар відсутній
IXTA340N04T4-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 340A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA340N04T4-7TRLLittelfuseIXTA340N04T4-7TRL
товар відсутній
IXTA340N04T4-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
IXTA34N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA34N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA34N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA34N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO263; 390ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO263
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 390ns
товар відсутній
IXTA34N65X2IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
товар відсутній
IXTA34N65X2-TRLIXYSMOSFET IXTA34N65X2 TRL
товар відсутній
IXTA34N65X2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 34A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA34N65X2TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA36N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TO-263
товар відсутній
IXTA36N20TIXYSMOSFET 36 Amps 200V 60 Rds
товар відсутній
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA36N30PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.71 грн
3+ 203.32 грн
5+ 173.88 грн
13+ 164.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+223.31 грн
500+ 210.4 грн
1000+ 174.61 грн
2000+ 165.98 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTA36N30P
Код товару: 52904		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IXTA36N30PIXYSMOSFET MOSFET N-CH 300V 36A
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.93 грн
10+ 291.73 грн
50+ 220.16 грн
100+ 192.56 грн
250+ 187.96 грн
500+ 177.44 грн
1000+ 157.07 грн
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+177.88 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTA36N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+230.88 грн
2250+ 211.99 грн
4500+ 198.29 грн
6750+ 181.3 грн
Мінімальне замовлення: 51
IXTA36N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.17 грн
50+ 247.54 грн
100+ 212.18 грн
500+ 177 грн
1000+ 151.56 грн
2000+ 142.71 грн
IXTA36N30PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 254 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+297.25 грн
3+ 253.37 грн
5+ 208.66 грн
13+ 197.98 грн
IXTA36N30P-PDPIXYSDescription: MOSFET N-CH TO263
Packaging: Bulk
товар відсутній
IXTA36N30P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+193.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA36N30P-TRLIXYSMOSFET IXTA36N30P TRL
товар відсутній
IXTA36N30P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA36N30P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA36N30PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA36N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 36A TO263
товар відсутній
IXTA36N30TIXYSMOSFET 36 Amps 300V 110 Rds
товар відсутній
IXTA36P15PIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.36 грн
50+ 334.14 грн
100+ 298.97 грн
500+ 247.56 грн
1000+ 222.81 грн
2000+ 208.78 грн
IXTA36P15PIXYSMOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXTA36P15PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA36P15PIXYSIXTA36P15P SMD P channel transistors
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+444.99 грн
3+ 323.67 грн
9+ 306.42 грн
IXTA36P15P TRLIXYSMOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.81 грн
10+ 492.01 грн
25+ 408.12 грн
100+ 354.23 грн
500+ 308.88 грн
800+ 262.22 грн
2400+ 253.02 грн
IXTA36P15P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.36 грн
10+ 358.72 грн
100+ 298.97 грн
IXTA36P15P-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA36P15P-TRL - MOSFET, P-CH, 150V, 36A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+493.21 грн
10+ 422.44 грн
25+ 399.58 грн
50+ 348.45 грн
100+ 301.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA36P15P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+273.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA36P15P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA380N036T4-7IXYSDescription: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA380N036T4-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 54ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA380N036T4-7IXYSMOSFET Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-263D2
товар відсутній
IXTA380N036T4-7IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 36V; 380A; 480W; TO263-7; 54ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 36V
Drain current: 380A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 54ns
товар відсутній
IXTA380N036T4-7-TRIXYSMOSFET IXTA380N036T4-7 TRL
товар відсутній
IXTA380N036T4-7-TRIXYSDescription: MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7 (IXTA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 36 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA38N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 38A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товар відсутній
IXTA3N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 17ns
товар відсутній
IXTA3N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA3N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA3N100D2IXYSMOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+407.13 грн
10+ 359.75 грн
50+ 194.53 грн
IXTA3N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 17ns
товар відсутній
IXTA3N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA3N100D2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA3N100D2-TRLIXYSMOSFET IXTA3N100D2 TRL
товар відсутній
IXTA3N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA3N100D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA3N100D2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA3N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXTA3N100D2HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXTA3N100D2HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N100D2HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3 A, 6 ohm, TO-263HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-263HV
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 6
Rds(on)-Prüfspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+383.36 грн
10+ 345.03 грн
100+ 282.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA3N100D2HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 17ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA3N100D2HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263HV; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 17ns
товар відсутній
IXTA3N100D2HVIXYSMOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2
на замовлення 200 шт:
термін постачання 392-401 дні (днів)
1+453.13 грн
10+ 375.62 грн
50+ 308.22 грн
100+ 270.11 грн
IXTA3N100D2HV-TRLIXYSMOSFET IXTA3N100D2HV TRL
товар відсутній
IXTA3N100D2HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA3N100D2HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXTA3N100D2HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXTA3N100D2TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA3N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA3N100PIXYSMOSFET 3 Amps 1000V 4.8 Rds
товар відсутній
IXTA3N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA3N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+357.47 грн
10+ 319.1 грн
25+ 315.95 грн
50+ 285.09 грн
100+ 227.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA3N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
товар відсутній
IXTA3N100PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA3N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA3N100PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO263; 820ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 820ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA3N100P-TRLIXYSMOSFET IXTA3N100P TRL
товар відсутній
IXTA3N100P-TRLIXYSDescription: IXTA3N100P TRL
товар відсутній
IXTA3N110IXYSMOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds
товар відсутній
IXTA3N110IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 3A TO-263
товар відсутній
IXTA3N110-TRLIXYSDescription: IXTA3N110 TRL
товар відсутній
IXTA3N120IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 700ns
товар відсутній
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товар відсутній
IXTA3N120
Код товару: 190833		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товар відсутній
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товар відсутній
IXTA3N120IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 700ns
кількість в упаковці: 300 шт
товар відсутній
IXTA3N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA3N120LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R/Tube
товар відсутній
IXTA3N120IXYSMOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
на замовлення 4656 шт:
термін постачання 570-579 дні (днів)
1+579.64 грн
10+ 489.74 грн
50+ 386.43 грн
IXTA3N120IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+555.87 грн
5+ 516.8 грн
10+ 476.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA3N120-TRLIXYSMOSFET IXTA3N120 TRL
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 306-315 дні (днів)
1+591.14 грн
10+ 496.54 грн
25+ 425.86 грн
100+ 358.83 грн
250+ 354.88 грн
500+ 313.48 грн
IXTA3N120-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N120-TRL - MOSFET, N-CH, 1.2KV, 3A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+622.23 грн
10+ 562.51 грн
25+ 529.33 грн
50+ 462.09 грн
100+ 399.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA3N120-TRLLittelfuseHigh Voltage Power MOSFET
товар відсутній
IXTA3N120-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA3N120-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA3N120-TRRIXYSMOSFET IXTA3N120 TRR
товар відсутній
IXTA3N120-TRRIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA3N120HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+511.14 грн
50+ 393.3 грн
100+ 351.91 грн
IXTA3N120HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA3N120HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-263
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4.5
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+564.72 грн
5+ 538.18 грн
10+ 510.17 грн
50+ 433.34 грн
100+ 361.46 грн
250+ 354.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA3N120HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 700ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA3N120HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXTA3N120HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXTA3N120HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 700ns
товар відсутній
IXTA3N120HVIXYSMOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE
товар відсутній
IXTA3N120HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXTA3N120HV-TRLIXYSMOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE
на замовлення 800 шт:
термін постачання 629-638 дні (днів)
1+561.24 грн
10+ 473.87 грн
25+ 373.94 грн
100+ 343.71 грн
250+ 323.34 грн
500+ 302.97 грн
800+ 279.31 грн
IXTA3N120HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA3N120HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXTA3N120HVTRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXTA3N150HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA3N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+721.01 грн
2+ 479.2 грн
3+ 478.52 грн
5+ 452.5 грн
IXTA3N150HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXTA3N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 3A; 250W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 38.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+865.22 грн
2+ 597.16 грн
3+ 574.22 грн
5+ 543 грн
IXTA3N150HVIXYSMOSFET MSFT N-CH STD-HI VOLTAGE
на замовлення 336 шт:
термін постачання 507-516 дні (днів)
1+766.72 грн
10+ 755.01 грн
IXTA3N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXTA3N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXTA3N150HV-TRLIXYSMOSFET IXTA3N150HV TRL
товар відсутній
IXTA3N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 3A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXTA3N150HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 3A TO263HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA3N50D2IXYSMOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
на замовлення 495 шт:
термін постачання 392-401 дні (днів)
1+354.23 грн
10+ 293.24 грн
50+ 240.53 грн
100+ 205.7 грн
250+ 195.19 грн
500+ 183.36 грн
IXTA3N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO263; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 24ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA3N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.46 грн
10+ 261.51 грн
100+ 211.56 грн
IXTA3N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO263; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 24ns
товар відсутній
IXTA3N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA3N50D2-TRLIXYSMOSFET IXTA3N50D2 TRL
товар відсутній
IXTA3N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA3N50PIXYSMOSFET 3.6 Amps 500 V 2 Ohm Rds
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXTA3N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXTA3N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3.6A D2PAK
товар відсутній
IXTA3N50P
Код товару: 131345		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IXTA3N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+107.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA3N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO263
товар відсутній
IXTA3N60PIXYSMOSFET 3 Amps 600V 2.9 Ohms Rds
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXTA42N15TIXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN1
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.72 грн
10+ 197.26 грн
50+ 145.24 грн
100+ 132.1 грн
250+ 124.87 грн
500+ 117.64 грн
1000+ 107.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA42N25PIXYSMOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds
товар відсутній
IXTA42N25PIXYSIXTA42N25P SMD N channel transistors
товар відсутній
IXTA42N25PIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 42A TO-263
товар відсутній
IXTA42N28PIXYS09+
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXTA44N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 44A TO-263
товар відсутній
IXTA44N25TIXYSMOSFET 44 Amps 250V 72 Rds
товар відсутній
IXTA44N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товар відсутній
IXTA44N30TIXYSMOSFET 44 Amps 300V 85 Rds
товар відсутній
IXTA44N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 44A TO263
товар відсутній
IXTA44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA44P15TIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 2769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.9 грн
50+ 316.1 грн
100+ 282.82 грн
500+ 234.19 грн
1000+ 210.77 грн
2000+ 197.5 грн
IXTA44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA44P15TIXYSIXTA44P15T SMD P channel transistors
на замовлення 84 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+421.11 грн
4+ 298.2 грн
9+ 281.77 грн
IXTA44P15TIXYSMOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds
товар відсутній
IXTA44P15TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA44P15T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 150V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA44P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+259.14 грн
1600+ 224.59 грн
2400+ 210.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA44P15T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+367.14 грн
50+ 312.85 грн
100+ 262.24 грн
250+ 257.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
IXTA44P15T-TRLIXYSMOSFET MOSFET 150 V
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+446.23 грн
10+ 395.27 грн
25+ 322.68 грн
100+ 284.56 грн
250+ 278.65 грн
500+ 245.13 грн
800+ 222.79 грн
IXTA44P15T-TRLLittelfuseP-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
IXTA44P15T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 25 V
на замовлення 23118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.9 грн
10+ 339.41 грн
100+ 282.82 грн
IXTA44P15T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 44 A, 0.065 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+428.33 грн
5+ 398.11 грн
10+ 367.14 грн
50+ 312.85 грн
100+ 262.24 грн
250+ 257.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA44P15T-TRL.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA44P15T-TRL. - MOSFET, P-CH, 150V, 44A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: P Channel
Kanaltyp: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+479.94 грн
10+ 432.76 грн
25+ 407.69 грн
50+ 355.29 грн
100+ 307.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA44P15TTRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 150V 44A TO-263
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA460P2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO263; 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Case: TO263
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
IXTA460P2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 24A; 480W; TO263; 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 24A
Case: TO263
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhanced
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 400ns
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA460P2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 25 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.64 грн
10+ 351.53 грн
100+ 288 грн
500+ 230.08 грн
IXTA460P2IXYSMOSFET PolarP2 Power MOSFET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+392.56 грн
10+ 324.98 грн
50+ 273.39 грн
100+ 225.42 грн
250+ 220.16 грн
500+ 201.1 грн
1000+ 173.5 грн
IXTA48N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.52 грн
10+ 228.1 грн
100+ 184.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA48N20TIXYSMOSFET 48 Amps 200V 50 Rds
товар відсутній
IXTA48N20TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO263; 130ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 250W
Reverse recovery time: 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
On-state resistance: 50mΩ
Gate charge: 60nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товар відсутній
IXTA48N20TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO263; 130ns
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 250W
Reverse recovery time: 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
On-state resistance: 50mΩ
Gate charge: 60nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA48P05TIXYSMOSFET TenchP Power MOSFET
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+312.06 грн
10+ 259.23 грн
50+ 212.27 грн
100+ 178.76 грн
250+ 172.84 грн
IXTA48P05TIXYSIXTA48P05T SMD P channel transistors
товар відсутній
IXTA48P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA48P05TIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+287.21 грн
50+ 219.6 грн
100+ 188.22 грн
500+ 157.01 грн
1000+ 134.44 грн
2000+ 126.59 грн
IXTA48P05T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 50V 48A TO263
товар відсутній
IXTA4N150HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA4N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 44.5nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA4N150HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 4A; 280W; TO263; 900ns
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
On-state resistance: 6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 280W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 44.5nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 900ns
товар відсутній
IXTA4N150HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXTA4N150HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV
товар відсутній
IXTA4N150HVIXYSMOSFET DiscMosfet N-CH Std-HiVoltage TO-263D2
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1984.28 грн
50+ 1621.88 грн
100+ 1322.27 грн
250+ 1273.64 грн
500+ 1112.63 грн
IXTA4N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXTA4N150HV-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXTA4N150HV-TRLIXYSMOSFET IXTA4N150HV TRL
товар відсутній
IXTA4N150HV-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 4A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1576 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA4N150HVTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263HV T/R
товар відсутній
IXTA4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO263
товар відсутній
IXTA4N60PIXYSMOSFET 4.0 Amps 600 V 1.9 Ohm Rds
товар відсутній
IXTA4N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA4N65X2IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
товар відсутній
IXTA4N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+151.28 грн
3+ 129.67 грн
9+ 111.72 грн
24+ 105.97 грн
50+ 104.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA4N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.07 грн
4+ 104.06 грн
9+ 93.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA4N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA4N65X2TRLLittelfuseIXTA4N65X2TRL
товар відсутній
IXTA4N70X2IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
товар відсутній
IXTA4N70X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+211.44 грн
3+ 184.27 грн
7+ 142.12 грн
19+ 133.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA4N70X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.87 грн
7+ 118.43 грн
19+ 111.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA4N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA4N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA4N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 3.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA4N80PIXYSMOSFET 3.5 Amps 800V 3 Rds
товар відсутній
IXTA4N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA4N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 8A; 100W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 100W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 560ns
товар відсутній
IXTA4N80P-TRLIXYSMOSFET IXTA4N80P TRL
товар відсутній
IXTA4N80P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA50N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA50N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.17 грн
10+ 262.26 грн
100+ 212.18 грн
500+ 177 грн
1000+ 151.56 грн
IXTA50N20PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA50N20PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
товар відсутній
IXTA50N20PIXYSMOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.93 грн
10+ 291.73 грн
50+ 245.13 грн
100+ 205.04 грн
250+ 198.47 грн
500+ 196.5 грн
IXTA50N20P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA50N20P-TRLIXYSMOSFET IXTA50N20P TRL
товар відсутній
IXTA50N20P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA50N20P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA50N25TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA50N25TIXYSMOSFET 50 Amps 250V 50 Rds
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+389.5 грн
10+ 322.71 грн
50+ 264.19 грн
100+ 230.67 грн
IXTA50N25TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO263; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 166ns
товар відсутній
IXTA50N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO263
товар відсутній
IXTA50N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA50N25T-TRLIXYSMOSFET IXTA50N25T TRL
товар відсутній
IXTA50N25T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO263
товар відсутній
IXTA52P10PIXYSMOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.3 грн
10+ 416.43 грн
50+ 347.65 грн
100+ 299.68 грн
250+ 285.22 грн
500+ 263.53 грн
1000+ 258.93 грн
IXTA52P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA52P10PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+493.21 грн
25+ 422.44 грн
100+ 351.66 грн
250+ 308.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA52P10PIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.36 грн
50+ 334.14 грн
100+ 298.97 грн
500+ 247.56 грн
1000+ 222.81 грн
IXTA52P10PIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+494.54 грн
3+ 429.1 грн
4+ 317.92 грн
9+ 300.67 грн
IXTA52P10PIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
Reverse recovery time: 120ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.11 грн
3+ 344.34 грн
4+ 264.93 грн
9+ 250.55 грн
IXTA52P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA52P10P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.36 грн
10+ 358.72 грн
100+ 298.97 грн
IXTA52P10P-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA52P10P-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+273.94 грн
1600+ 237.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA52P10P-TRLIXYSMOSFET IXTA52P10P TRL
на замовлення 800 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
1+472.3 грн
10+ 398.29 грн
25+ 314.14 грн
100+ 288.51 грн
250+ 272.08 грн
500+ 254.99 грн
800+ 235.27 грн
IXTA54N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 54A TO-263
товар відсутній
IXTA54N30TIXYSMOSFET 54 Amps 300V 72 Rds
товар відсутній
IXTA56N15TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 56A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA56N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 56A TO263
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+188.57 грн
Мінімальне замовлення: 300
IXTA5N50PIXYSMOSFET 4.8 Amps 500V 1.4 Ohms Rds
товар відсутній
IXTA5N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO263
товар відсутній
IXTA5N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO263
товар відсутній
IXTA5N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA5N60PIXYSMOSFET 5.0 Amps 600 V 1.6 Ohm Rds
товар відсутній
IXTA60N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Drain current: 60A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA60N10T
Код товару: 148376		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXTA60N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Drain current: 60A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
товар відсутній
IXTA60N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA60N10TIXYSMOSFET 60 Amps 100V 18.0 Rds
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.28 грн
10+ 160.98 грн
100+ 109.09 грн
250+ 97.26 грн
500+ 89.38 грн
1000+ 84.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA60N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA60N10T-TRLIXYSMOSFET IXTA60N10T TRL
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.28 грн
10+ 160.98 грн
100+ 111.07 грн
250+ 107.12 грн
500+ 93.32 грн
800+ 80.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA60N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+100.98 грн
1600+ 82.51 грн
2400+ 78.39 грн
5600+ 70.8 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA60N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 6399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.57 грн
10+ 144.38 грн
100+ 114.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA60N10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA60N10TTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA60N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA60N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA60N20TIXYSMOSFET 60 Amps 200V
товар відсутній
IXTA60N20TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+367.14 грн
3+ 318.2 грн
4+ 243.98 грн
11+ 230.84 грн
IXTA60N20T
Код товару: 108659		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXTA60N20TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO263; 118ns
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO263
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+305.95 грн
3+ 255.35 грн
4+ 203.32 грн
11+ 192.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA60N20T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA60N20T-TRLIXYSMOSFET IXTA60N20T TRL
товар відсутній
IXTA60N20X4IXYSDescription: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (IXTA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+727.97 грн
50+ 559.56 грн
100+ 500.65 грн
500+ 414.57 грн
1000+ 373.11 грн
IXTA60N20X4IXYSMOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+790.49 грн
10+ 687 грн
50+ 507.35 грн
100+ 483.69 грн
250+ 455.43 грн
500+ 426.52 грн
1000+ 383.8 грн
IXTA62N15PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA62N15P - MOSFET, N-CH, 150V, 62A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 62
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 350
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
IXTA62N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.41 грн
10+ 288.14 грн
100+ 236.11 грн
500+ 188.63 грн
IXTA62N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+326.31 грн
10+ 292.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA62N15PIXYSMOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.93 грн
10+ 300.8 грн
50+ 249.08 грн
100+ 220.16 грн
500+ 214.24 грн
IXTA62N15PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Power dissipation: 350W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA62N15PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Power dissipation: 350W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
товар відсутній
IXTA62N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA62N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA62N15P-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA62N15P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 62A TO263
товар відсутній
IXTA62N15P-TRLIXYSMOSFET IXTA62N15P TRL
товар відсутній
IXTA62N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 62A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товар відсутній
IXTA62N25TIXYSMOSFET 62 Amps 250V 50 Rds
товар відсутній
IXTA64N10L2IXYSIXTA64N10L2 SMD N channel transistors
товар відсутній
IXTA64N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA
товар відсутній
IXTA64N10L2IXYSMOSFET MSFT N-CH LINEAR L2
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+969.91 грн
10+ 878.2 грн
50+ 731.45 грн
100+ 656.53 грн
IXTA64N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA64N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 64A, TO-263
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 64
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: LinearL2 Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
IXTA64N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 64A 3-Pin(2+Tab) TO-263
товар відсутній
IXTA64N10L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 64A TO263
товар відсутній
IXTA64N10L2-TRLIXYSMOSFET IXTA64N10L2 TRL
товар відсутній
IXTA6N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO263; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 41ns
товар відсутній
IXTA6N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+606.4 грн
10+ 500.83 грн
100+ 417.4 грн
IXTA6N100D2IXYSMOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 462-471 дні (днів)
1+589.61 грн
10+ 526.02 грн
50+ 435.72 грн
100+ 377.89 грн
IXTA6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA6N100D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO263; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 41ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA6N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA6N100D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA6N100D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA6N100D2-TRLIXYSMOSFET IXTA6N100D2 TRL
товар відсутній
IXTA6N100D2HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
товар відсутній
IXTA6N100D2HVLittelfuseHigh Voltage MOSFET
товар відсутній
IXTA6N100D2HVIXYSMOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2
на замовлення 295 шт:
термін постачання 573-582 дні (днів)
1+1069.58 грн
10+ 812.45 грн
500+ 692.68 грн
1000+ 676.91 грн
IXTA6N100D2TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA6N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263AA
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.22 грн
50+ 472.49 грн
100+ 422.75 грн
500+ 350.06 грн
1000+ 315.06 грн
IXTA6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA6N50D2IXYSMOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+680.85 грн
10+ 657.52 грн
50+ 457.41 грн
IXTA6N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+727.21 грн
2+ 500.76 грн
6+ 455.93 грн
IXTA6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA6N50D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+704.8 грн
25+ 603.79 грн
100+ 502.79 грн
250+ 440.87 грн
500+ 381.04 грн
1000+ 342.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA6N50D2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO263; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depleted
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+606.01 грн
2+ 401.85 грн
6+ 379.94 грн
IXTA6N50D2 TRLIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+212.4 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA6N50D2(IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK )
Код товару: 84036		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IXTA6N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+387.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA6N50D2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 1144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.22 грн
10+ 507.27 грн
100+ 422.75 грн
IXTA6N50D2-TRLIXYSMOSFET MSFT N-CH DEPL MODE-D2
на замовлення 800 шт:
термін постачання 460-469 дні (днів)
1+667.05 грн
10+ 564.56 грн
25+ 465.29 грн
100+ 408.77 грн
250+ 395.63 грн
500+ 361.46 грн
800+ 345.68 грн
IXTA6N50D2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA6N50PIXYSMOSFET 6 Amps 500V 1.1 Ohms Rds
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IXTA6N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 6A D2-PAK
товар відсутній
IXTA70N075T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO263; 48ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Drain current: 70A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 12mΩ
Reverse recovery time: 48ns
Power dissipation: 150W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товар відсутній
IXTA70N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA70N075T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 150W; TO263; 48ns
Mounting: SMD
Case: TO263
Drain current: 70A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 12mΩ
Reverse recovery time: 48ns
Power dissipation: 150W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA70N075T2IXYSMOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds
товар відсутній
IXTA70N075T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2725 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA70N075T2-TRLIXYSMOSFET IXTA70N075T2 TRL
товар відсутній
IXTA70N075T2TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA70N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 70A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2570 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA72N20TIXYSMOSFET 72 Amps 200V 33 Rds
товар відсутній
IXTA72N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 72A TO-263
товар відсутній
IXTA74N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 74A TO-263
товар відсутній
IXTA75N10PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA75N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO263
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA75N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA75N10PIXYSMOSFET 75 Amps 100V 0.025 Rds
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.2 грн
10+ 343.12 грн
50+ 281.94 грн
100+ 243.82 грн
500+ 208.33 грн
IXTA75N10PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 75A; 360W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
товар відсутній
IXTA75N10P-TRLIXYSMOSFET IXTA75N10P TRL
товар відсутній
IXTA75N10P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 75A TO263
товар відсутній
IXTA76N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA76N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 76A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA76N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.06 грн
10+ 329.9 грн
100+ 266.92 грн
500+ 222.66 грн
1000+ 190.65 грн
2000+ 179.52 грн
IXTA76N25TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 148ns
товар відсутній
IXTA76N25TIXYSMOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
товар відсутній
IXTA76N25TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO263; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO263
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 148ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA76N25T-TRLIXYSMOSFET IXTA76N25T TRL
товар відсутній
IXTA76N25T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+246.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA76P10TIXYSMOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds
на замовлення 2532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+446.23 грн
10+ 388.47 грн
50+ 297.71 грн
100+ 274.05 грн
250+ 261.56 грн
500+ 256.3 грн
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+479.51 грн
28+ 417.88 грн
50+ 371.23 грн
100+ 274.71 грн
1000+ 226.93 грн
Мінімальне замовлення: 25
IXTA76P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.83 грн
3+ 309.43 грн
4+ 247.13 грн
9+ 233.44 грн
IXTA76P10T
Код товару: 198462		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
IXTA76P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.9 грн
50+ 316.1 грн
100+ 282.82 грн
500+ 234.19 грн
1000+ 210.77 грн
2000+ 197.5 грн
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA76P10TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 70ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+444.99 грн
3+ 385.59 грн
4+ 296.56 грн
9+ 280.13 грн
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.26 грн
10+ 392.29 грн
25+ 388.04 грн
50+ 344.71 грн
100+ 255.08 грн
1000+ 210.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA76P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA76P10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA76P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 76 A, 0.025 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+412.85 грн
5+ 383.36 грн
10+ 353.87 грн
50+ 301.21 грн
100+ 252.77 грн
250+ 247.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+369.44 грн
10+ 330.74 грн
25+ 310.77 грн
100+ 276.12 грн
250+ 248.26 грн
500+ 216.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+397.86 грн
33+ 356.18 грн
35+ 334.68 грн
100+ 297.36 грн
250+ 267.36 грн
500+ 232.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+239.35 грн
4000+ 236.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA76P10T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.9 грн
10+ 339.41 грн
100+ 282.82 грн
IXTA76P10T-TRLIXYSMOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds
товар відсутній
IXTA76P10T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+257.76 грн
4000+ 255.2 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA76P10T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+259.14 грн
1600+ 224.59 грн
2400+ 210.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA7N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 7A D2-PAK
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTA80N075L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Mounting: SMD
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 357W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1141.24 грн
2+ 764.36 грн
4+ 695.8 грн
IXTA80N075L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IXTA80N075L2IXYSMOSFET MOSFET N CHANNEL
на замовлення 3777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+953.8 грн
10+ 829.08 грн
25+ 713.05 грн
50+ 686.11 грн
100+ 623.67 грн
500+ 621.7 грн
IXTA80N075L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA80N075L2 - MOSFET, N-CH, 75V, 80A, TO-263AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+997.48 грн
5+ 938.5 грн
10+ 878.05 грн
25+ 761.25 грн
100+ 652.14 грн
IXTA80N075L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
IXTA80N075L2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Mounting: SMD
On-state resistance: 24mΩ
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 357W
Gate charge: 103nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 75V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+951.03 грн
2+ 613.38 грн
4+ 579.83 грн
IXTA80N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+870.15 грн
50+ 678.22 грн
100+ 638.32 грн
500+ 542.89 грн
IXTA80N075L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA80N075L2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA80N075L2-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA80N075L2-TRLIXYSMOSFET IXTA80N075L2 TRL
товар відсутній
IXTA80N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA80N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA80N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
товар відсутній
IXTA80N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA80N10TIXYSMOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds
товар відсутній
IXTA80N10TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO263; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA80N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA80N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.84 грн
50+ 185.67 грн
100+ 159.15 грн
500+ 132.76 грн
1000+ 113.67 грн
2000+ 107.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA80N10T-TRLIXYSMOSFET IXTA80N10T TRL
товар відсутній
IXTA80N10T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA80N10T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-7
товар відсутній
IXTA80N12T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns
Mounting: SMD
On-state resistance: 17mΩ
Reverse recovery time: 90ns
Power dissipation: 325W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA80N12T2IXYSMOSFET TrenchT2 MOSFETs Power MOSFETs
товар відсутній
IXTA80N12T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 120V 80A TO263
товар відсутній
IXTA80N12T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 80A; 325W; TO263; 90ns
Mounting: SMD
On-state resistance: 17mΩ
Reverse recovery time: 90ns
Power dissipation: 325W
Gate charge: 80nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 80A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO263
товар відсутній
IXTA86N20TIXYSMOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
товар відсутній
IXTA86N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 86A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+459.24 грн
10+ 397.33 грн
100+ 325.55 грн
500+ 260.08 грн
1000+ 219.35 грн
IXTA86N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA86N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA86N20TIXYSIXTA86N20T SMD N channel transistors
товар відсутній
IXTA86N20T-TRLIXYSMOSFET IXTA86N20T TRL
товар відсутній
IXTA86N20T-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 86A TO263
товар відсутній
IXTA86N20X4LittelfuseDiscrete MOSFET 86A 200V X4 TO263
товар відсутній
IXTA86N20X4LittelfuseDiscrete MOSFET 86A 200V X4 TO263
товар відсутній
IXTA86N20X4IXYSMOSFET MSFT 86A 200V X4
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+810.43 грн
10+ 704.38 грн
25+ 596.07 грн
50+ 562.56 грн
100+ 552.04 грн
IXTA86N20X4IXYSDescription: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 4649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+746.45 грн
50+ 581.77 грн
100+ 547.55 грн
500+ 465.68 грн
1000+ 427.14 грн
IXTA86N20X4-TRLLittelfuseLittelfuse Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO263
товар відсутній
IXTA86N20X4-TRLLittelfuseIXTA86N20X4-TRL
товар відсутній
IXTA88N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263
товар відсутній
IXTA88N085TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 85V 88A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA88N085T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 88A TO-263-7
товар відсутній
IXTA8N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA8N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA8N50PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHV™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 400ns
товар відсутній
IXTA8N50PIXYSMOSFET 8 Amps 500V 0.8 Ohm Rds
товар відсутній
IXTA8N50P
Код товару: 99415		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IXTA8N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
товар відсутній
IXTA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.28 грн
8+ 112.27 грн
20+ 106.11 грн
50+ 104.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA8N65X2IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.72 грн
10+ 204.81 грн
50+ 153.78 грн
100+ 135.38 грн
250+ 123.55 грн
500+ 113.04 грн
1000+ 105.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA8N65X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+182.24 грн
3+ 156.11 грн
8+ 134.72 грн
20+ 127.33 грн
50+ 125.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA8N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.72 грн
50+ 159.7 грн
100+ 136.88 грн
500+ 114.19 грн
1000+ 97.77 грн
2000+ 92.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA8N65X2TRLLittelfuseIXTA8N65X2TRL
товар відсутній
IXTA8N70X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO263; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA8N70X2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO263; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
товар відсутній
IXTA8N70X2IXYSMOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
товар відсутній
IXTA8N70X2TRLLittelfuseN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
товар відсутній
IXTA8PN50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
товар відсутній
IXTA90N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA90N055T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 37ns
товар відсутній
IXTA90N055T2IXYSMOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.55 грн
10+ 171.56 грн
100+ 126.18 грн
250+ 116.98 грн
500+ 109.09 грн
1000+ 105.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA90N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO-263
товар відсутній
IXTA90N055T2IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 37ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA90N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA90N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 4106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.4 грн
10+ 173.88 грн
100+ 140.71 грн
500+ 117.38 грн
1000+ 100.51 грн
2000+ 94.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA90N075T2IXYSMOSFET 90 Amps 75V 0.01 Rds
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.15 грн
10+ 213.88 грн
50+ 137.35 грн
100+ 132.75 грн
500+ 120.92 грн
1000+ 105.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA90N075T2-TRLIXYSMOSFET IXTA90N075T2 TRL
товар відсутній
IXTA90N075T2-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA90N075T2TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 75V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IXTA90N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO-263
товар відсутній
IXTA90N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5420 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTA90N20X3IXYSMOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
товар відсутній
IXTA90N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 124ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTA90N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-263 Tube
товар відсутній
IXTA90N20X3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; Idm: 220A; 390W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 124ns
товар відсутній
IXTA90N20X3LittelfusePower MOSFET
товар відсутній
IXTA94N20X4LittelfuseDiscrete MOSFET 94A 200V X4 TO263
товар відсутній
IXTA94N20X4IXYSDescription: MOSFET 200V 94A N-CH ULTRA TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+809.01 грн
50+ 630.25 грн
100+ 593.18 грн
500+ 504.49 грн
1000+ 462.74 грн
IXTA94N20X4IXYSMOSFET MSFT 94A 200V X4
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+878.67 грн
10+ 762.57 грн
100+ 573.07 грн
500+ 540.21 грн
IXTA96P085TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTA96P085T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+412.85 грн
5+ 383.36 грн
10+ 353.87 грн
50+ 301.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+459.1 грн
27+ 439.37 грн
50+ 422.63 грн
100+ 393.71 грн
250+ 353.49 грн
Мінімальне замовлення: 26
IXTA96P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.9 грн
50+ 316.1 грн
100+ 282.82 грн
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+455.19 грн
10+ 391.65 грн
25+ 388.78 грн
50+ 350.91 грн
100+ 280.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA96P085TIXYSMOSFET -96 Amps -85V 0.013 Rds
на замовлення 9254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447 грн
10+ 427.01 грн
50+ 315.45 грн
100+ 273.39 грн
500+ 256.96 грн
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.26 грн
10+ 383.13 грн
25+ 380.4 грн
50+ 343.39 грн
100+ 274.84 грн
500+ 205.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA96P085TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+390 грн
3+ 312.17 грн
4+ 249.19 грн
9+ 235.49 грн
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+479.51 грн
29+ 409.66 грн
50+ 369.8 грн
100+ 295.98 грн
500+ 220.94 грн
Мінімальне замовлення: 25
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+454.57 грн
30+ 388.24 грн
50+ 350.43 грн
100+ 280.51 грн
Мінімальне замовлення: 26
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA96P085TIXYSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+468 грн
3+ 389.01 грн
4+ 299.02 грн
9+ 282.59 грн
IXTA96P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA96P085T TRLIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+385.67 грн
35+ 341.04 грн
45+ 259.32 грн
Мінімальне замовлення: 31
IXTA96P085T TRLIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+358.13 грн
10+ 316.68 грн
25+ 240.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA96P085T TRLIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA96P085T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+412.85 грн
5+ 383.36 грн
10+ 353.87 грн
50+ 301.21 грн
100+ 252.77 грн
250+ 247.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+348.73 грн
37+ 316.52 грн
38+ 313.41 грн
100+ 270.56 грн
250+ 247.96 грн
500+ 222.27 грн
Мінімальне замовлення: 34
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA96P085T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.9 грн
10+ 339.41 грн
100+ 282.82 грн
IXTA96P085T-TRLLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTA96P085T-TRL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 85 V, 96 A, 0.013 ohm, TO-263AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 85V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 298W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-263AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+353.87 грн
50+ 301.21 грн
100+ 252.77 грн
250+ 247.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA96P085T-TRLIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 96A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+259.14 грн
1600+ 224.59 грн
2400+ 210.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+323.82 грн
10+ 293.91 грн
25+ 291.03 грн
100+ 251.24 грн
250+ 230.24 грн
500+ 206.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA96P085T-TRLLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 96A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IXTA96P085T-TRLIXYSMOSFET IXTA96P085T TRL
на замовлення 3483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.6 грн
10+ 347.65 грн
25+ 290.48 грн
100+ 256.96 грн
250+ 249.73 грн
500+ 228.7 грн
800+ 216.22 грн
IXTA98N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263
товар відсутній
IXTA98N075T7IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 98A TO-263-7
товар відсутній
IXTB1909IXYSDescription: POWER MOSFET 500V 100AMP
на замовлення 19470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1656.41 грн
10+ 1471.42 грн
100+ 1256.47 грн
500+ 1070.54 грн
IXTB30N100LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
товар відсутній
IXTB30N100LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 800W; PLUS264™; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 545nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTB30N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 30A 3-Pin PLUS 264
товар відсутній
IXTB30N100LIXYSMOSFET 30 Amps 1000V
товар відсутній
IXTB30N100LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
товар відсутній
IXTB62N50LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 62A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 550nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+3950.98 грн
25+ 3744.19 грн
IXTB62N50LIXYSMOSFET 62 Amps 500V 0.1 Rds
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4473.83 грн
10+ 4141.62 грн
25+ 3485.09 грн
IXTB62N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 31A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS264™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 550 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3939.83 грн
10+ 3564.24 грн
IXTB62N50LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 62A; 800W; PLUS264™; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 62A
Power dissipation: 800W
Case: PLUS264™
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 550nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3292.49 грн
IXTC102N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS220
товар відсутній
IXTC102N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220
товар відсутній
IXTC1088
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXTC1088/6E/2C
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXTC110N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A ISOPLUS220
товар відсутній
IXTC130N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220
товар відсутній
IXTC13N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IXTC160N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
товар відсутній
IXTC160N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTC180N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V ISOPLUS220
товар відсутній
IXTC180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTC180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220
товар відсутній
IXTC200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTC200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
товар відсутній
IXTC220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 130A ISOPLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUS220™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ISOPLUS220™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товар відсутній