Продукція > KSB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
KSB-113GABBDescription: ABB - KSB-113G - Signalleuchte, Xenon, Blitzlicht, grün, 115VAC, 75mm
Linsenfarbe: Grün
Versorgungsspannung, V AC: 115
Optisches Signal: Blitzlicht
Nennleistung: -
Betriebstemperatur, min.: -20
IP- / NEMA-Schutzart: IP54
Außenhöhe: 56
Produktpalette: KSB Series
Versorgungsspannung, V DC: -
Linsendurchmesser: 68
Betriebstemperatur, max.: 50
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товар відсутній
KSB-203CABBDescription: ABB - KSB-203C - Signalleuchte, Xenon, Blitzlicht, farblos, 24VDC, 75mm
Linsenfarbe: Transparent
Versorgungsspannung, V AC: -
Optisches Signal: Blitzlicht
Nennleistung: -
Betriebstemperatur, min.: -20
IP- / NEMA-Schutzart: IP54
Außenhöhe: 56
Produktpalette: KSB Series
Versorgungsspannung, V DC: 24
Linsendurchmesser: 68
Betriebstemperatur, max.: 50
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товар відсутній
KSB-305GABBDescription: ABB - KSB-305G - Signalleuchte, LED, Dauerlicht, grün, 24V AC/DC, 75mm
Linsenfarbe: Grün
Versorgungsspannung, V AC: 24
Optisches Signal: Durchgängig leuchtend
Nennleistung: -
Betriebstemperatur, min.: -20
IP- / NEMA-Schutzart: IP54
Außenhöhe: 56
Produktpalette: KSB Series
Versorgungsspannung, V DC: 24
Linsendurchmesser: 68
Betriebstemperatur, max.: 50
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товар відсутній
KSB-305RABBDescription: ABB - KSB-305R - Signalleuchte, LED, Dauerlicht, rot, 24V AC/DC, 75mm
Linsenfarbe: Rot
Versorgungsspannung, V AC: 24
Optisches Signal: Durchgängig leuchtend
Nennleistung: -
Betriebstemperatur, min.: -20
IP- / NEMA-Schutzart: IP54
Außenhöhe: 56
Produktpalette: KSB Series
Versorgungsspannung, V DC: 24
Linsendurchmesser: 68
Betriebstemperatur, max.: 50
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товар відсутній
KSB-305YABBDescription: ABB - KSB-305Y - Signalleuchte, LED, Dauerlicht, gelb, 24V AC/DC, 75mm
Linsenfarbe: Gelb
Versorgungsspannung, V AC: 24
Optisches Signal: Durchgängig leuchtend
Nennleistung: -
Betriebstemperatur, min.: -20
IP- / NEMA-Schutzart: IP54
Außenhöhe: 56
Produktpalette: KSB Series
Versorgungsspannung, V DC: 24
Linsendurchmesser: 68
Betriebstemperatur, max.: 50
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
товар відсутній
KSB001HartmannPluggable Terminal Blocks
товар відсутній
KSB0405HBF0DDelta ElectronicsDescription: FAN IMP MTR FRAMEL 42X8.5MM 5VDC
Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach)
Packaging: Box
Voltage - Rated: 5VDC
Size / Dimension: Round - 42mm Dia
Bearing Type: Sleeve
RPM: 3150 RPM
Air Flow: 1.2 CFM (0.034m³/min)
Width: 8.50mm
Weight: 0.022 lb (9.98 g)
Operating Temperature: 32 ~ 158°F (0 ~ 70°C)
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cURus, VDE
Fan Type: Motorized Impellers, Frameless
Noise: 31.0dB(A)
Static Pressure: 0.090 in H2O (22.4 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 800 mW
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+572.3 грн
10+ 505.39 грн
25+ 459.49 грн
50+ 398.86 грн
100+ 355.75 грн
250+ 339.57 грн
500+ 312.8 грн
KSB0405HBF0DDelta ElectronicsBlowers & Centrifugal Fans Blower Frameless Fan, 40x8.5mm, Sleeve, 4Leads, Lock Rotor Sensor, Tach/PWM
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+543.44 грн
10+ 512.95 грн
25+ 395.97 грн
50+ 380.82 грн
100+ 327.45 грн
288+ 313.61 грн
576+ 304.39 грн
KSB0M110LFTC&KTactile Switches Tact
товар відсутній
KSB0M410C&K ComponentsDescription: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 50V
товар відсутній
KSB0M410LFTC&K ComponentsDescription: SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 50V
товар відсутній
KSB0M410LFTC&KTactile Switches N.O. SPST PC Pins 0.05A 32VDC 1W
товар відсутній
KSB0M430LFTC&KTactile Switches Tact
товар відсутній
KSB1015onsemionsemi PNP/3A/60V TO-220F
товар відсутній
KSB1015OFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-220F
товар відсутній
KSB1015OTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 3A TO-220F
товар відсутній
KSB1015YonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
товар відсутній
KSB1015YTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
KSB1015YTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+72.83 грн
10+ 65.33 грн
100+ 50.93 грн
500+ 40.57 грн
1000+ 37.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
KSB1015YTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 8076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.64 грн
10+ 58.8 грн
100+ 40.52 грн
500+ 34.33 грн
1000+ 26.29 грн
3000+ 26.22 грн
5000+ 25.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
KSB1015YTUONSEMIDescription: ONSEMI - KSB1015YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 9MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.3 грн
12+ 63.19 грн
100+ 45.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
KSB1015YTUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.42 грн
50+ 52.89 грн
100+ 41.91 грн
500+ 33.34 грн
1000+ 27.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
KSB1017YTUonsemi / FairchildEthernet ICs 3-Port 10/100 Switch w/ Transceivers & Frame Buffers
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+868.59 грн
25+ 779.65 грн
520+ 677.3 грн
KSB1017YTUonsemiDescription: TRANS PNP 80V 4A TO220F-3
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.28 грн
10+ 57.31 грн
100+ 44.69 грн
500+ 34.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
KSB1022TUonsemiDescription: TRANS PNP DARL 60V 7A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 14mA, 7A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
KSB1023TUonsemiDescription: TRANS PNP DARL 40V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
KSB1097YTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 7A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
товар відсутній
KSB1098OTUonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
KSB1098OTUON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
товар відсутній
KSB1098RTUonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
KSB1098RTUON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
товар відсутній
KSB1098YTUonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
KSB1098YTUON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
товар відсутній
KSB1116AGBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 9095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 6662
KSB1116AGBUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
KSB1116AGTAonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
KSB1116AGTAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
KSB1116ALBUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
KSB1116ALTAonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
KSB1116AYBUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
KSB1116AYTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 233957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 6662
KSB1116AYTAonsemiDescription: TRANS PNP 60V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
KSB1116AYTAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
KSB1116GBUonsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
KSB1116GTAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
KSB1116LBUonsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
KSB1116LTAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
KSB1116SYBUonsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
KSB1116SYBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 25416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 6662
KSB1116SYTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 5323
KSB1116SYTAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
KSB1116YBUonsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
KSB1116YTAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
KSB1116YTAonsemiDescription: TRANS PNP 50V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
товар відсутній
KSB1116YTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 50V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 7129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 5323
KSB1121-STF3 SOT-89
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB1121STFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 2A SOT-89
товар відсутній
KSB1121STF FAFAIRCHILD
на замовлення 112000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB1121STMFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 2A SOT-89
товар відсутній
KSB1121TTFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 2A SOT-89
товар відсутній
KSB1149-YSamsung
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB1149OSonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 3A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
KSB1149OSTUonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
KSB1149YSON SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 3A TO-126
товар відсутній
KSB1149YSTUON SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 3A TO-126
товар відсутній
KSB1151onsemionsemi PNP/5A/60V TO-126
товар відсутній
KSB1151YSON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товар відсутній
KSB1151YSONSEMIDescription: ONSEMI - KSB1151YS - PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
KSB1151YSonsemiDescription: TRANS PNP 60V 5A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 3632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.43 грн
10+ 52.85 грн
100+ 36.6 грн
500+ 28.7 грн
1000+ 24.42 грн
2000+ 21.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
KSB1151YSonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 13184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.8 грн
10+ 56.98 грн
100+ 34.33 грн
500+ 28.66 грн
1000+ 24.38 грн
2000+ 19.83 грн
4000+ 19.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
KSB1151YSON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.53 грн
19+ 30.98 грн
100+ 26.52 грн
500+ 20.62 грн
1000+ 18.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
KSB1151YSON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товар відсутній
KSB1151YSON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товар відсутній
KSB1151YS
Код товару: 73229		Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
KSB1151YSON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товар відсутній
KSB1151YSTSSTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
товар відсутній
KSB1151YSTSSTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 5A TO-126
товар відсутній
KSB1151YSTSTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 5A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 1025
KSB1151YSTSTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товар відсутній
KSB1151YSTSTUON Semiconductor / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil Short Leads
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
KSB1151YSTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.48 грн
18+ 32.43 грн
100+ 28.76 грн
500+ 23.06 грн
Мінімальне замовлення: 17
KSB1151YSTUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.3 W
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.58 грн
10+ 47.97 грн
100+ 37.33 грн
500+ 29.69 грн
1000+ 24.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
KSB1151YSTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товар відсутній
KSB1151YSTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+34.93 грн
377+ 30.97 грн
500+ 25.76 грн
Мінімальне замовлення: 335
KSB1151YSTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товар відсутній
KSB1151YSTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.65 грн
10+ 45.23 грн
100+ 32.42 грн
500+ 28.13 грн
1920+ 22.14 грн
5760+ 21.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
KSB1151YSTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товар відсутній
KSB1151YSTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 5A 1300mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товар відсутній
KSB1212ME-03P1Delta ElectronicsDC Fans DC Fan, 120x120x38mm, 12VDC, 47CFM, 1.44W, 33.5dBA, Superflo, Tach/PWM, IP51
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1463.53 грн
10+ 1376.7 грн
20+ 1029.13 грн
60+ 996.84 грн
100+ 853.21 грн
260+ 826.2 грн
500+ 768.88 грн
KSB1212ME-03P1Delta ElectronicsDescription: BLOWER 167X43.2MM 12VDC IP51
Packaging: Box
Features: Locked Rotor Protection, PWM Control, Speed Sensor (Tach)
Voltage - Rated: 12VDC
Size / Dimension: Round - 167mm Dia
Bearing Type: Superflo
RPM: 1800 RPM
Air Flow: 44.9 CFM (1.26m³/min)
Width: 43.20mm
Operating Temperature: -40°C ~ 40°C
Termination: 4 Wire Leads
Approval Agency: CE, cURus, TUV
Ingress Protection: IP51 - Dust Protected
Fan Type: Blower
Noise: 36.2dB(A)
Static Pressure: 0.300 in H2O (74.7 Pa)
Part Status: Active
Power (Watts): 2.28 W
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1376.22 грн
10+ 1265.13 грн
25+ 1144.59 грн
50+ 989.35 грн
100+ 887.59 грн
250+ 819.75 грн
500+ 750.7 грн
KSB13060NIEC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB13060PRX600A/300V/GTR/1U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB13060module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB13060PRX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB13060PRXMODULE
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB1366onsemionsemi PNP/3A/60V TO-220F
товар відсутній
KSB1366GonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
KSB1366GTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
KSB1366GTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товар відсутній
KSB1366GTU
Код товару: 144685		Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
KSB1366GTU
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB1366GTUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.84 грн
50+ 53.92 грн
100+ 42.74 грн
500+ 33.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
KSB1366GTUONSEMIDescription: ONSEMI - KSB1366GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 25
Übergangsfrequenz ft: 9
Bauform - Transistor: TO-220F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
KSB1366GTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+36.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
KSB1366YonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
KSB1366YON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Bulk
товар відсутній
KSB1366YTUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
KSB1366YTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
товар відсутній
KSB16F2 FH T106ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB23020PRXF2-3
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB23020PRX
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB23020PRX200A/300V/GTR/1U
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB23020PRXMODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB23020MITSUBISHI
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB23020PRX07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB23030PRX
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB23030PRX300A/300V/GTR
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB23030PRX07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB26060PRX07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB546onsemionsemi PNP/2A/150V TO-220
товар відсутній
KSB546OonsemiDescription: TRANS PNP 150V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 400mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 25 W
товар відсутній
KSB546YonsemiDescription: TRANS PNP 150V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 25 W
товар відсутній
KSB546YTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+33.91 грн
19+ 31.07 грн
100+ 26.35 грн
500+ 22.83 грн
1000+ 19.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
KSB546YTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
KSB546YTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 572-581 дні (днів)
5+76.48 грн
10+ 64.25 грн
100+ 43.48 грн
500+ 36.37 грн
1000+ 27.8 грн
3000+ 27.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
KSB546YTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
KSB546YTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
KSB546YTUonsemiDescription: TRANS PNP 150V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 3308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.56 грн
50+ 54.51 грн
100+ 43.19 грн
500+ 34.35 грн
1000+ 27.98 грн
2000+ 26.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
KSB546YTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 150V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
KSB564Aonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
KSB564A-GSamsung
на замовлення 658000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB564A-Y
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB564AC-YFAIRCHILD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB564ACGBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4798+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 4798
KSB564ACGBUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92 Bulk
товар відсутній
KSB564ACGTAonsemiDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
KSB564ACGTAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
KSB564ACGTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
KSB564ACOBUonsemiDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
KSB564ACOTAonsemiDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
KSB564ACYBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 92534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
KSB564ACYBUONSEMIDescription: ONSEMI - KSB564ACYBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 92534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 13889
KSB564ACYBUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92 Bulk
товар відсутній
KSB564ACYBUonsemiDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
KSB564ACYTAONSEMIDescription: ONSEMI - KSB564ACYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1624092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 13889
KSB564ACYTAON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
товар відсутній
KSB564ACYTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1624092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 11539
KSB564AGBUonsemiDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
KSB564AGTAonsemiDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
KSB564AOBUonsemiDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
KSB564AOBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
KSB564AOTAonsemiDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
KSB564AYBUonsemiDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 800 mW
товар відсутній
KSB564AYBU
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB564AYTAONSEMIDescription: ONSEMI - KSB564AYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 13903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6411+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 6411
KSB564AYTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 13903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5323+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 5323
KSB596-Y
на замовлення 16625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB596OFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 4A TO-220
товар відсутній
KSB596OTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 4A TO-220
товар відсутній
KSB596YFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 4A TO-220
товар відсутній
KSB596YTUonsemiDescription: TRANS PNP 80V 4A TO220-3
на замовлення 3914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.41 грн
10+ 63.48 грн
100+ 49.51 грн
500+ 38.38 грн
1000+ 30.3 грн
2000+ 28.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
KSB596YTUONSEMIDescription: ONSEMI - KSB596YTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 30
Übergangsfrequenz ft: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.04 грн
13+ 58.24 грн
100+ 45.38 грн
500+ 34.86 грн
1000+ 23.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
KSB596YTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 3556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.48 грн
10+ 71.9 грн
100+ 48.89 грн
500+ 40.32 грн
1000+ 31.82 грн
2500+ 29.71 грн
5000+ 29.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
KSB596YTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
KSB601OTUonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
KSB601YonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
KSB601YON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Bulk
товар відсутній
KSB601YTSTUON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
KSB601YTSTUonsemiDescription: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
KSB601YTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 100V 5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 3A, 2V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 26342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+35.15 грн
Мінімальне замовлення: 579
KSB601YTUON SemiconductorTrans Darlington PNP 100V 5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
KSB63SM48 ЕЛЕМ ВІДГ 8М ШИНОПР CANALIS 63А 400В
Код товару: 200031		Інструмент та обладнання > Аксесуари до інструменту та обладнання
товар відсутній
KSB707OTUON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 7A TO-220
товар відсутній
KSB707OTUROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
KSB707OTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/7A/60V/TO-220
товар відсутній
KSB707RTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
товар відсутній
KSB707RTUON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 7A TO-220
товар відсутній
KSB707YTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP/7A/60V/TO-220
товар відсутній
KSB707YTUON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 7A TO-220
товар відсутній
KSB707YTU_Qonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товар відсутній
KSB708OTUON SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 7A TO-220
товар відсутній
KSB708RTUON SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 7A TO-220
товар відсутній
KSB708YTUON SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 7A TO-220
товар відсутній
KSB744AYSTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
товар відсутній
KSB744AYSTURochester Electronics, LLCDescription: TRANS PNP 60V 3A TO126-3
на замовлення 21120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KSB744OSTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 45V 3A TO-126
товар відсутній
KSB744YSTURochester Electronics, LLCDescription: TRANS PNP 45V 3A TO126-3
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KSB772onsemionsemi PNP/3A/40V TO-126
товар відсутній
KSB772-Y-S
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB772-YS
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB772OSFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 3A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 5769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2664+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 2664
KSB772OSonsemiDescription: TRANS PNP 30V 3A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
KSB772OS
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB772OSON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bulk
товар відсутній
KSB772YSONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1W; TO126ISO
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1W
Case: TO126ISO
Pulsed collector current: 7A
Current gain: 160...320
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 80MHz
товар відсутній
KSB772YSON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+23.43 грн
587+ 19.9 грн
666+ 17.53 грн
1000+ 14.42 грн
Мінімальне замовлення: 499
KSB772YSFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 47846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1425+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 1425
KSB772YSON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товар відсутній
KSB772YSON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товар відсутній
KSB772YS
Код товару: 191559		Транзистори > Біполярні PNP
товар відсутній
KSB772YSON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+23.08 грн
27+ 21.76 грн
100+ 18.48 грн
500+ 15.7 грн
1000+ 12.4 грн
Мінімальне замовлення: 26
KSB772YSonsemiDescription: TRANS PNP 30V 3A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 12820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.76 грн
10+ 34.93 грн
100+ 24.26 грн
500+ 17.78 грн
1000+ 14.45 грн
2000+ 12.92 грн
6000+ 12.06 грн
10000+ 11.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
KSB772YSON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товар відсутній
KSB772YSonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 13862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.75 грн
12+ 26.22 грн
100+ 17.26 грн
500+ 15.61 грн
1000+ 13.7 грн
2000+ 11.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
KSB772YSON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
товар відсутній
KSB772YSTSSTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
товар відсутній
KSB772YSTSSTUonsemiDescription: TRANS PNP 30V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
KSB772YSTSTUonsemiDescription: TRANS PNP 30V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
KSB772YSTSTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
товар відсутній
KSB772YSTUFAIRCHILDTO-126F
на замовлення 209280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB772YSTUonsemiDescription: TRANS PNP 30V 3A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 21203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1455+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 1455
KSB772YSTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товар відсутній
KSB772YSTUFAIRCHILDTO-126
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB772YSTUonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 3545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+44.35 грн
10+ 38.04 грн
100+ 24.71 грн
500+ 19.44 грн
1000+ 15.02 грн
1920+ 13.64 грн
11520+ 11.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
KSB772YSTUonsemiDescription: TRANS PNP 30V 3A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KSB772YSTUONSEMIDescription: ONSEMI - KSB772YSTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 3 A, 10 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+49.59 грн
18+ 41.09 грн
100+ 27.79 грн
Мінімальне замовлення: 15
KSB772YSTUON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
товар відсутній
KSB772YSTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 30V 3A TO126-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 810640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1455+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 1455
KSB774YSSamsung
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB794OSTUON SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 60V 1.5A TO-126
товар відсутній
KSB795OSTUonsemiDescription: TRANS PNP DARL 80V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
товар відсутній
KSB798GTFonsemiDescription: TRANS PNP 25V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній
KSB798GTFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
KSB798GTFFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 1A SOT89-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2049+9.77 грн
Мінімальне замовлення: 2049
KSB798YTFRochester Electronics, LLCDescription: TRANS PNP 25V 1A SOT89-3
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KSB798YTFON SemiconductorTrans GP BJT PNP 25V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
KSB810-YSamsung
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB810YTAonsemiDescription: TRANS PNP 25V 0.7A TO92S
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 70mA, 700mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92S
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 350 mW
товар відсутній
KSB811-GSamsung
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB811GBUON SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 1A TO-92S
товар відсутній
KSB811GTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 1A TO-92S
товар відсутній
KSB811OBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 1A TO-92S
товар відсутній
KSB811OTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 1A TO-92S
товар відсутній
KSB811YBUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 1A TO-92S
товар відсутній
KSB811YTAFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 25V 1A TO92S
товар відсутній
KSB834/D880YFSC08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB834OonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
KSB834WFAIRCHILDTO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB834WFAIRCHILD07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KSB834WYTMonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.8 грн
10+ 57.05 грн
100+ 38.87 грн
800+ 24.05 грн
2400+ 21.74 грн
4800+ 21.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
KSB834WYTMonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+59.87 грн
10+ 50.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
KSB834WYTMON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
KSB834WYTMonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
KSB834WYTMON SemiconductorTrans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
KSB834YonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
KSB834YTUonsemiDescription: TRANS PNP 60V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
товар відсутній
KSB834YTUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 3A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 57492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+29.31 грн
Мінімальне замовлення: 666
KSB906YTUON SemiconductorDescription: TRANS PNP 60V 3A I-PAK
товар відсутній
KSB907TUFairchild SemiconductorDescription: TRANS PNP DARL 40V 3A I-PAK
товар відсутній
KSBG18-10DISPENBAHCOCategory: Shears, Scissors, Knives
Description: Blade; 18mm; 10pcs.
Type of spare part: blade
Width: 18mm
Quantity in set/package: 10pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
KSBG18-10DISPENBAHCOCategory: Shears, Scissors, Knives
Description: Blade; 18mm; 10pcs.
Type of spare part: blade
Width: 18mm
Quantity in set/package: 10pcs.
товар відсутній
KSBK039624ET,5SGAavidHeat Sinks Heat Sink Clip by Kuntze
товар відсутній
KSBK044031CST5GAavidHeat Sinks Heat Sink Clip by Kuntze
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.19 грн
100+ 22.34 грн
500+ 19.63 грн
1000+ 18.38 грн
5000+ 15.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
KSBK044040CST5GAavidHeat Sinks Heat Sink Clip by Kuntze
товар відсутній
KSBK0443CSST,6SGAavidHeat Sinks Heat Sink Clip by Kuntze
товар відсутній