Продукція > MUB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MUB-20AFFM-QL7A01Amphenol LTWDescription: USB, MICRO B 2.0, 1.8A+1A, OVERM
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 3.28' (1.00m)
Wire Gauge: 28 AWG
Shielding: Shielded
Configuration: Micro B Female to Cable (Round)
Specifications: USB 2.0
Transfer Rate: 480Mbps
товар відсутній
MUB-20AFFM-QL7A02Amphenol LTWDescription: USB, MICRO B 2.0, 1.8A+1A, OVERM
Packaging: Bulk
Features: Industrial Environments - IP67
Color: Black
Length: 6.56' (2.00m)
Wire Gauge: 28 AWG
Shielding: Shielded
Configuration: Micro B Female to Cable (Round)
Specifications: USB 2.0
Transfer Rate: 480Mbps
товар відсутній
MUB-20AMMM-QL7A01Amphenol LTWDescription: USB, MICRO B 2.0, 1.8A+1A, OVERM
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 3.28' (1.00m)
Wire Gauge: 28 AWG
Shielding: Shielded
Configuration: B Male to Cable (Round)
Specifications: USB 2.0
Transfer Rate: 480Mbps
товар відсутній
MUB-20AMMM-QL7A02Amphenol LTWDescription: USB, MICRO B 2.0, 1.8A+1A, OVERM
Packaging: Bulk
Features: Industrial Environments - IP67
Color: Black
Length: 6.56' (2.00m)
Wire Gauge: 28 AWG
Shielding: Shielded
Specifications: USB 2.0
Transfer Rate: 480Mbps
товар відсутній
MUB20FL-NAML-QA001Amphenol LTWDescription: USB, MICRO B 2.0, 1.8A+1A, OVERM
Features: Industrial Environments - IP67
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 3.28' (1.00m)
Wire Gauge: 28 AWG
Shielding: Shielded
Configuration: A Male to Micro B Female
Specifications: USB 2.0
Transfer Rate: 480Mbps
товар відсутній
MUB20FL-NAML-QA002Amphenol LTWDescription: USB, MICRO B 2.0, 1.8A+1A, OVERM
Features: Industrial Environments - IP67
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 6.56' (2.00m)
Wire Gauge: 28 AWG
Shielding: Shielded
Configuration: A Male to Micro B Female
Specifications: USB 2.0
Transfer Rate: 480Mbps
товар відсутній
MUB20ML-NAML-QA001Amphenol LTWDescription: USB, MICRO B 2.0, 1.8A+1A, OVERM
Packaging: Bulk
Features: Industrial Environments - IP67
Color: Black
Length: 3.28' (1.00m)
Wire Gauge: 28 AWG
Shielding: Shielded
Configuration: A Male to Micro B Male
Specifications: USB 2.0
Transfer Rate: 480Mbps
товар відсутній
MUB20ML-NAML-QA002Amphenol LTWDescription: USB, MICRO B 2.0, 1.8A+1A, OVERM
Packaging: Bulk
Color: Black
Length: 6.56' (2.00m)
Wire Gauge: 28 AWG
Shielding: Shielded
Configuration: A Male to Micro B Male
Specifications: USB 2.0
Transfer Rate: 480Mbps
товар відсутній
MUB2203ABP
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUB2203BBP
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBEAD-LAB1Bourns Inc.Description: KIT FERR CHIP BEAD MG, MU, MZ
товар відсутній
MUBP30060CT
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBS03-5FK30JRPanstrong Company Ltd.MUBS03-5FK30JR
товар відсутній
MUBV105GLTIN/AN/A 04+
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW10-06A6IXYSMODULE
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW10-06A6IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW10-06A6IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 11A 45W E1
товар відсутній
MUBW10-06A6KIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 11A 50W E1
товар відсутній
MUBW10-06A6KIXYSDiscrete Semiconductor Modules NPT IGBT 600V, 10A
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUBW10-06A6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 8A
Application: motors
Pulsed collector current: 18A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E1-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Power dissipation: 50W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW10-06A6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 8A
Application: motors
Pulsed collector current: 18A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E1-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 8A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Power dissipation: 50W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW10-06A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 15A
Application: motors
Pulsed collector current: 20A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Power dissipation: 85W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW10-06A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 15A
Application: motors
Pulsed collector current: 20A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Power dissipation: 85W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW10-06A7IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 20A 85W E2
товар відсутній
MUBW10-06A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 10 Amps 600V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUBW10-12IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW10-12A6IXYSMODULE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW10-12A6IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW10-12A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A
Application: motors
Pulsed collector current: 35A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Power dissipation: 180W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW10-12A7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 20A 105W E2
товар відсутній
MUBW10-12A7IXYSIGBT Modules 10 Amps 1200V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUBW10-12A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A
Application: motors
Pulsed collector current: 35A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E2-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 25A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Power dissipation: 180W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW10-12A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 20A 105000mW 24-Pin E2-Pack
товар відсутній
MUBW10-12A7 (силовий модуль)
Код товару: 35212		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
MUBW10-12AT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW100-06A8IXYSDiscrete Semiconductor Modules 100 Amps 600V
товар відсутній
MUBW100-06A8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 85A
Application: motors
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E3-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 85A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Power dissipation: 410W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW100-06A8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 85A
Application: motors
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Case: E3-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 85A
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Power dissipation: 410W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW100-06A8IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 125A 410W E3
товар відсутній
MUBW15-06A6IXYSMODULE
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW15-06A6IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW15-06A6IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 18A 61W E1
товар відсутній
MUBW15-06A6KIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 19A 75W E1
товар відсутній
MUBW15-06A6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 14A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 14A
Case: E1-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Power dissipation: 75W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW15-06A6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 14A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 14A
Case: E1-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Power dissipation: 75W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW15-06A6KIXYSDiscrete Semiconductor Modules 15 Amps 600V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUBW15-06A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 18A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 18A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 100W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW15-06A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 15 Amps 600V
товар відсутній
MUBW15-06A7IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 25A 100W E2
товар відсутній
MUBW15-06A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 18A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 18A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 100W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW15-12A6IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 18A 70W E1
товар відсутній
MUBW15-12A6IXYSMODULE
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW15-12A6IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW15-12A6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 13A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 13A
Case: E1-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 26A
Power dissipation: 90W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW15-12A6KLittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 19A 90W 25-Pin
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUBW15-12A6K
Код товару: 94288		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
MUBW15-12A6KIXYSIGBT Modules 15 Amps 1200V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3654.65 грн
10+ 3360.44 грн
24+ 2799.59 грн
120+ 2537.21 грн
504+ 2394.04 грн
1008+ 2310.8 грн
MUBW15-12A6KIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 19A 90W E1
товар відсутній
MUBW15-12A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 15 Amps 1200V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUBW15-12A7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 35A 180W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 180 W
Current - Collector Cutoff (Max): 900 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
товар відсутній
MUBW15-12A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 35A
Power dissipation: 180W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW15-12A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 25A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 35A
Power dissipation: 180W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW15-12T7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 15 Amps 1200V
товар відсутній
MUBW15-12T7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 30A 140W E2
товар відсутній
MUBW15-12T7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 140W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW15-12T7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 140W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW1506A7IXYSMODULE
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW1512AIXYSMODULE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW20-06IXYSCDH6-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW20-06A6IXYSMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW20-06A6IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 23A 68W E1
товар відсутній
MUBW20-06A6IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW20-06A6KLittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 25A 85W 25-Pin Case E-1
товар відсутній
MUBW20-06A6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 17A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 17A
Case: E1-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 85W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW20-06A6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 17A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 17A
Case: E1-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 85W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW20-06A6KIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 25A 85W E1
товар відсутній
MUBW20-06A6KIXYSDiscrete Semiconductor Modules 20 Amps 600V
товар відсутній
MUBW20-06A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 20 Amps 600V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUBW20-06A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 35A 125000mW 24-Pin E2-Pack
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1160.46 грн
10+ 1115.1 грн
MUBW20-06A7
Код товару: 111992		Транзистори > IGBT
товар відсутній
MUBW20-06A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 35A 125000mW 24-Pin E2-Pack
товар відсутній
MUBW20-06A7IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 35A 125W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 125 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V
товар відсутній
MUBW20-06AT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW25-06module
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW25-06A6IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 27.5A 77W E1
Packaging: Box
Package / Case: E1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E1
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 27.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 77 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V
товар відсутній
MUBW25-06A6IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW25-06A6KIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 31A 100W E1
Packaging: Box
Package / Case: E1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E1
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V
товар відсутній
MUBW25-06A6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 21A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 21A
Case: E1-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 100W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW25-06A6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 21A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 21A
Case: E1-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Power dissipation: 100W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW25-06A6KIXYSDiscrete Semiconductor Modules 25 Amps 600V
товар відсутній
MUBW25-06A7
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW25-12
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW25-12A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225000mW 24-Pin
товар відсутній
MUBW25-12A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 35A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Power dissipation: 225W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW25-12A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 35A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Power dissipation: 225W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW25-12A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 25 Amps 1200V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUBW25-12A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225000mW 24-Pin
товар відсутній
MUBW25-12A7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2
Packaging: Bulk
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 225 W
Current - Collector Cutoff (Max): 900 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6230.42 грн
MUBW25-12A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225000mW 24-Pin
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4826.82 грн
MUBW25-12A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225000mW 24-Pin
товар відсутній
MUBW25-12T7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 45A 170W E2
товар відсутній
MUBW25-12T7IXYS45A/1200V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW30-06A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 30 Amps 600V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUBW30-06A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 35A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 35A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 180W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW30-06A7IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 50A 180W E2
товар відсутній
MUBW30-06A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 35A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 35A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 180W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW30-06AT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW30-06T7
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW30-12IXYSMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW30-12A6IXYSMODULE
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW30-12A6IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 31A 104W E1
Packaging: Box
Package / Case: E1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E1
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 104 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
товар відсутній
MUBW30-12A6IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW30-12A6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 21A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 21A
Case: E1-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW30-12A6KIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 30A 130W E1
Packaging: Box
Package / Case: E1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E1
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 130 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V
товар відсутній
MUBW30-12A6KLittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 30A 130000mW 25-Pin
товар відсутній
MUBW30-12A6KLittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 30A 130000mW 25-Pin
товар відсутній
MUBW30-12A6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 21A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 21A
Case: E1-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Power dissipation: 130W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW30-12A6KIXYSIGBT Modules 30 Amps 1200V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4174.42 грн
10+ 3865.12 грн
48+ 3117.24 грн
120+ 2906.81 грн
264+ 2848.21 грн
504+ 2789.6 грн
1008+ 2788.94 грн
MUBW30-12A6K (силові модулі)
Код товару: 42084		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
MUBW30-12E6KIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 30A 130W E1
товар відсутній
MUBW35-06A6IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 38A 104W E1
товар відсутній
MUBW35-06A6IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW35-06A6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 29A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 29A
Case: E1-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 130W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW35-06A6KIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 29A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 29A
Case: E1-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 130W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW35-06A6KIXYSDiscrete Semiconductor Modules 35 Amps 600V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUBW35-06A6KIXYSDescription: IGBT MODULE 600V 42A 130W E1
товар відсутній
MUBW35-12IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW35-12A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225W 24-Pin
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+9746.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
MUBW35-12A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; 225W
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Power dissipation: 225W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW35-12A7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 225 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
товар відсутній
MUBW35-12A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225W 24-Pin
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUBW35-12A7IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; 225W
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: E2-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Power dissipation: 225W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW35-12A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225W 24-Pin
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+6563.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
MUBW35-12A7IXYSIGBT Modules 35 Amps 1200V
товар відсутній
MUBW35-12A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225mW 24-Pin
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUBW35-12A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225W 24-Pin
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3720.86 грн
MUBW35-12A8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 35A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Power dissipation: 225W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW35-12A8IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 50A 225W E3
товар відсутній
MUBW35-12A8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 35A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 35A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 70A
Power dissipation: 225W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW35-12A8IXYSDiscrete Semiconductor Modules 35 Amps 1200V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUBW35-12E7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 35 Amps 1200V
товар відсутній
MUBW35-12E7IXYS52A/1200V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW35-12E7IXYS11+ .
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW35-12E7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 52A 225W E2
товар відсутній
MUBW35-12E7IXYSMODULE
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW36-12E7
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW40-12T7IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 62A 220W E2
Packaging: Box
Package / Case: E2
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E2
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 62 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 220 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.75 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
товар відсутній
MUBW45-12T6KIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 43A 160W E1
товар відсутній
MUBW50-06A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 75A 250000mW 24-Pin
товар відсутній
MUBW50-06A7IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 75A 250W E2
товар відсутній
MUBW50-06A7LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 75A 250000mW 24-Pin
товар відсутній
MUBW50-06A7IXYSDiscrete Semiconductor Modules 50 Amps 600V
товар відсутній
MUBW50-06A8IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 75A 250W E3
товар відсутній
MUBW50-06A8IXYSDiscrete Semiconductor Modules 50 Amps 600V
товар відсутній
MUBW50-06A8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 50A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 250W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW50-06A8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 50A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 50A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 250W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW50-06AT
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW50-06T7
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW50-12A8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 60A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 350W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW50-12A8IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 85A 350W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 85 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 350 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3.7 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
товар відсутній
MUBW50-12A8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 60A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 60A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 350W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW50-12A8IXYSDiscrete Semiconductor Modules 50 Amps 1200V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUBW50-12A8LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 85A 350000mW 24-Pin E3
товар відсутній
MUBW50-12E8IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 90A 350W E3
товар відсутній
MUBW50-12E8IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW50-12E8IXYSMODULE
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW50-12E8IXYS9A/1200V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW50-12E8 м/с
Код товару: 81584		Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00
товар відсутній
MUBW50-12T7IXYS80A/1200V/MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW50-12T8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 270W
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW50-12T8IXYSDiscrete Semiconductor Modules 50 Amps 1200V
товар відсутній
MUBW50-12T8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 270W
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW50-12T8IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 80A 270W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 270 W
Current - Collector Cutoff (Max): 2.7 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.5 nF @ 25 V
товар відсутній
MUBW50-17T8IXYSIGBT Modules 50 Amps 1700V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 1148-1157 дні (днів)
1+12802.17 грн
5+ 12184.29 грн
MUBW50-17T8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.7kV; Ic: 53A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 53A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 290W
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW50-17T8IXYSDescription: IGBT MODULE 1700V 74A 290W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 290 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
товар відсутній
MUBW50-17T8LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V 74A 290000mW 24-Pin E3
товар відсутній
MUBW50-17T8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.7kV; Ic: 53A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 53A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Power dissipation: 290W
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW6-06A6IXYS07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUBW6-06A6IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 7A 38W E1
товар відсутній
MUBW75-06A8LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 600V 100A 320mW 25-Pin
товар відсутній
MUBW75-06A8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 65A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 65A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 320W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW75-06A8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 65A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Collector current: 65A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 320W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW75-06A8IXYSDescription: IGBT MODULE 600V 100A 320W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 320 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.2 nF @ 25 V
товар відсутній
MUBW75-06A8IXYSDiscrete Semiconductor Modules 75 Amps 600V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MUBW75-12T8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 355W
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW75-12T8LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 110A 355mW 24-Pin E3
товар відсутній
MUBW75-12T8IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 110A 355W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 110 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 355 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.35 nF @ 25 V
товар відсутній
MUBW75-12T8IXYSIGBT Modules 75 Amps 1200V
товар відсутній
MUBW75-12T8LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 110A 355000mW 24-Pin E3
товар відсутній
MUBW75-12T8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 355W
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW75-17T8LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V 113A 450000mW 24-Pin
товар відсутній
MUBW75-17T8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.7kV; Ic: 34A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 34A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 450W
Mechanical mounting: screw
товар відсутній
MUBW75-17T8IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.7kV; Ic: 34A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 34A
Case: E3-Pack
Application: motors
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 450W
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MUBW75-17T8LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1700V 113A 450mW 24-Pin
товар відсутній
MUBW75-17T8IXYSDescription: IGBT MODULE 1700V 113A 450W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E3
IGBT Type: Trench
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 113 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 450 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.6 nF @ 25 V
товар відсутній
MUBW75-17T8IXYSIGBT Modules 75 Amps 1700V
товар відсутній