Продукція > NP9

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NP9PRO POWERDescription: PRO POWER - NP9 - Befestigungselement, Klemme, Kabelklemme, Befestigung mit Schraube, 22.8 mm, Schwarz, 28.5 mm
tariffCode: 85469090
Material der Kabelklemme/des Kabelclips: -
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
Außenlänge: 28.5mm
euEccn: NLR
hazardous: false
Kabelklemme/Kabelclip: Kabelklemme, Befestigung mit Schraube
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Höhe: 43.2mm
Farbe der Kabelklemme/des Kabelclips: Schwarz
Innendurchmesser: 22.8mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 19mm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+345.13 грн
5+ 267.44 грн
10+ 234.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP909359G01
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N03VHG
на замовлення 4322 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N03VHG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товар відсутній
NP90N03VHG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товар відсутній
NP90N03VLG
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N03VLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товар відсутній
NP90N03VLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET Single MOSFET, Pch SC-95/SOT-6
товар відсутній
NP90N03VUG
на замовлення 5555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N03VUG-E1-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NP90N03VUG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 90A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+126.38 грн
Мінімальне замовлення: 158
NP90N04MUG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04MUG-S18-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 217W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 25 V
товар відсутній
NP90N04MUG-S18-AYRenesasTO220-3/N-CHANNEL POWER MOS FET VDSS=40V, ID=90A, RDSON=3MOHM NP90N04
кількість в упаковці: 50 шт
товар відсутній
NP90N04MUK
на замовлення 3789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04MUK-S18-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товар відсутній
NP90N04MUK-S18-AYRenesasMP-25K/TO-220NCH, SINGLE, MP-25K/TO-220, 40V, ID(DC)90A, кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NP90N04MUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO220
товар відсутній
NP90N04NUK
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04NUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO262
товар відсутній
NP90N04PDH
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04PUF
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04PUF-E1-AY/J
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04PUH
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04VDG
на замовлення 4222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N04VDG-E1-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NP90N04VDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+124.77 грн
Мінімальне замовлення: 164
NP90N04VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: POWER DEVICE AUTOMOTIVE MOS MP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.47 грн
10+ 112.31 грн
100+ 89.35 грн
500+ 70.96 грн
1000+ 60.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N04VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: POWER DEVICE AUTOMOTIVE MOS MP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP90N04VDK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER DEVICE AUTOMOTIVE MOS MP-3ZP ANL
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.17 грн
10+ 121.77 грн
100+ 84.57 грн
250+ 81.24 грн
500+ 71.26 грн
1000+ 60.53 грн
2500+ 57.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N04VLG-E1-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NP90N04VLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+124.77 грн
Мінімальне замовлення: 164
NP90N04VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NP90N04VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.71 грн
5000+ 63.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP90N04VLK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.71 грн
10+ 135.55 грн
100+ 93.23 грн
250+ 85.91 грн
500+ 77.91 грн
1000+ 66.59 грн
2500+ 63.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP90N04VUG(1)-E1-AYRenesasOld Part NP90N04VUG(1)-E1-AY^NEC
товар відсутній
NP90N04VUG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MP-3ZP PoTr-MOSFET Low
товар відсутній
NP90N04VUG-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
товар відсутній
NP90N04VUG-E1-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
товар відсутній
NP90N04VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 7480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.03 грн
10+ 120.35 грн
100+ 96.75 грн
500+ 74.6 грн
1000+ 61.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N04VUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER DEVICE E AUTOMOTIVE MOS MP-3ZP
товар відсутній
NP90N04VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 40V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.68 грн
5000+ 59.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP90N055MUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO220-3
товар відсутній
NP90N055NUK-S18-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
товар відсутній
NP90N055NUK-S18-AYRenesas Electronics America IncDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO262-3
товар відсутній
NP90N055VDG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO252
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+120 грн
Мінімальне замовлення: 171
NP90N055VDG-E1-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NP90N055VUG-E1-AYRenesasTrans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NP90N055VUG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO-252
товар відсутній
NP90N055VUG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO-252
товар відсутній
NP90N055VUG-E1-AYRenesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO-252
товар відсутній
NP90N055VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 4797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.55 грн
10+ 106.13 грн
100+ 84.45 грн
500+ 67.06 грн
1000+ 56.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N055VUK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 55V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP90N055VUK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET MOSFET
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.06 грн
10+ 119.47 грн
100+ 83.24 грн
500+ 69.92 грн
1000+ 59.4 грн
2500+ 56.34 грн
5000+ 54.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N06VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.71 грн
10+ 107.31 грн
100+ 85.41 грн
500+ 67.82 грн
1000+ 57.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N06VDK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER MOSFET
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.28 грн
10+ 118.7 грн
100+ 82.58 грн
250+ 75.92 грн
500+ 68.59 грн
1000+ 59.27 грн
2500+ 56.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N06VDK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP90N06VLG
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP90N06VLG-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER DEVICE E AUTO MOS MP-3ZP UMOS4
товар відсутній
NP90N06VLG-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
товар відсутній
NP90N06VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.43 грн
10+ 108.42 грн
100+ 86.29 грн
500+ 68.52 грн
1000+ 58.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP90N06VLK-E1-AYRenesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP90N06VLK-E1-AYRenesas ElectronicsMOSFET POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-3ZP ANL2
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.84 грн
10+ 120.23 грн
100+ 83.24 грн
250+ 76.58 грн
500+ 69.26 грн
1000+ 59.87 грн
2500+ 56.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP915GIWRATM18IAntenna Technologies Limited CompanyDescription: 915 MHZ GROUND IND SLOT OMNI
Features: Cable - 457.2mm
Packaging: Box
Mounting Type: Adhesive
Frequency Range: 890MHz ~ 960MHz
Gain: 2.5dBi
Termination: TNC Male
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Frequency (Center/Band): 925MHz
Part Status: Active
Power - Max: 50 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25450.42 грн
NP915WGIR3MMX9IAntenna Technologies Limited CompanyDescription: 915 MHZ GROUND IND SLOT OMNI
Features: Cable - 228.6mm
Packaging: Box
Mounting Type: Adhesive
Frequency Range: 890MHz ~ 960MHz
Gain: 2.5dBi
Termination: MMCX Male
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Frequency (Center/Band): 925MHz
Part Status: Active
Power - Max: 50 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26366 грн
NP925GIL1RPSM50FAntenna Technologies Limited CompanyDescription: 925 MHZ GROUND IND SLOT OMNI
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NP925GITM20FAntenna Technologies Limited CompanyDescription: 925 MHZ GROUND IND SLOT OMNI
Packaging: Box
Features: Cable - 6.09m
Mounting Type: Adhesive
Frequency Range: 902MHz ~ 928MHz
Gain: 2.5dBi
Termination: TNC Male
Number of Bands: 1
VSWR: 1.5
Frequency (Center/Band): 915MHz
Part Status: Active
Power - Max: 50 W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26992 грн
NP9353BCPZ
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP97125B
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NP975831 REV 03AavidHeat Sinks Custom Rev. 03
товар відсутній