Продукція > NTT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTT04TIMEGUARDDescription: TIMEGUARD - NTT04 - Zeitschalter, 168 h, 16 A, Digital
tariffCode: 91070000
Zeit, min.: -
Zeit, max.: 168h
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Controllerausgang: Digital
euEccn: NLR
Kontaktstrom, max.: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktform: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3623.91 грн
5+ 3389.33 грн
NTT050B18.4320MHZ
на замовлення 416 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTT1020
на замовлення 14942 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTT448BD
на замовлення 532 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTT479ACNLPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTT508ACNLPulse Electronics NetworkDescription: TRANSFORMER SMD
товар відсутній
NTT548AJT
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTT557AFT
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTT571AA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTT571AANL
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTT580AA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTBC070NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.5A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 14W (Tc), 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 9.5A (Tc), 2.2A (Ta), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252pF @ 50V, 256pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.3A, 10V, 186mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, 7.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA, 4V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
товар відсутній
NTTBC070NP10M5LonsemiMOSFET MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
товар відсутній
NTTBC070NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 3.5A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 14W (Tc), 1.9W (Ta), 10W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 9.5A (Tc), 2.2A (Ta), 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252pF @ 50V, 256pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.3A, 10V, 186mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, 7.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 24µA, 4V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3x3)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.15 грн
10+ 54.45 грн
100+ 42.36 грн
500+ 33.7 грн
1000+ 27.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTD1P02ON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTD1P02ONMicro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTD1P02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
товар відсутній
NTTD1P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
товар відсутній
NTTD4401FR2ONMicro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTD4401FR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
на замовлення 5853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1902+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 1902
NTTD4401FR2ON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTD4401FR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
товар відсутній
NTTD4401FR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
NTTD4401FR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
на замовлення 12875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 1268
NTTD4401FR2G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTD4401FR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.3A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 16 V
товар відсутній
NTTFD018N08LConsemiDescription: 80V LL DUAL N-CH MOSFET
товар відсутній
NTTFD018N08LConsemiMOSFET 80V LL DUAL N-CH MOSFET
товар відсутній
NTTFD021N08ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 20890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.14 грн
10+ 164.26 грн
100+ 132.88 грн
500+ 110.84 грн
1000+ 94.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFD021N08ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 80V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+98.89 грн
6000+ 91.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTTFD021N08CON Semiconductor80V DUAL N-CH MOSFET
товар відсутній
NTTFD021N08ConsemiMOSFET 80V DUAL N-CH MOSFET
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.98 грн
10+ 185.33 грн
25+ 158.49 грн
100+ 130.52 грн
250+ 128.53 грн
500+ 115.87 грн
1000+ 99.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFD022N10CON SemiconductorMOSFET, Power, 100V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
товар відсутній
NTTFD022N10ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.67 грн
10+ 173.49 грн
100+ 140.33 грн
500+ 117.07 грн
1000+ 100.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFD022N10ConsemiMOSFET 100V DUAL N-CH MOSFET
товар відсутній
NTTFD022N10ConsemiDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
товар відсутній
NTTFD2D8N03P1EonsemiMOSFET FET 30V 2.8 MOHM PC33 DUAL SYMM
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+156.16 грн
10+ 127.13 грн
100+ 88.57 грн
250+ 81.91 грн
500+ 73.92 грн
1000+ 63.2 грн
3000+ 60.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFD2D8N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товар відсутній
NTTFD2D8N03P1EonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 16.1A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W (Ta), 26W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, 1521pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 20.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 400µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товар відсутній
NTTFD4D0N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0037 ohm, WQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 60
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 26
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 2647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+255.49 грн
10+ 216.64 грн
100+ 188.25 грн
500+ 126.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товар відсутній
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiMOSFET T8 40V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.66 грн
10+ 170.78 грн
25+ 147.84 грн
100+ 119.87 грн
250+ 119.2 грн
500+ 107.22 грн
1000+ 93.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFD4D0N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.02 грн
10+ 166.28 грн
100+ 134.53 грн
500+ 112.23 грн
1000+ 96.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFD4D1N03P1EonsemiMOSFET FET 30V 4.1MOHM PC33 DUAL SYMM
товар відсутній
NTTFD4D1N03P1EonsemiDescription: FET 30V 4.1MOHM PC33 DUAL SYMM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 270µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
товар відсутній
NTTFD4D1N03P1EonsemiDescription: FET 30V 4.1MOHM PC33 DUAL SYMM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta), 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103pF @ 15V, 972pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, 3.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 270µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.85 грн
10+ 79.43 грн
100+ 61.78 грн
500+ 49.14 грн
1000+ 40.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.86 грн
10+ 163.08 грн
100+ 129.79 грн
500+ 103.06 грн
1000+ 87.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 948pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
товар відсутній
NTTFD9D0N06HLTWGonsemiMOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3 DUAL SYMMETRICAL
на замовлення 4496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.22 грн
10+ 165.42 грн
100+ 115.21 грн
250+ 113.21 грн
500+ 97.89 грн
1000+ 83.91 грн
3000+ 81.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS002N04CLonsemionsemi
товар відсутній
NTTFS002N04CLTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 13338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.72 грн
10+ 123.3 грн
100+ 85.24 грн
250+ 78.58 грн
500+ 71.26 грн
1000+ 61.47 грн
1500+ 58.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS002N04CLTAGON Semiconductor
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.59 грн
10+ 110.02 грн
100+ 87.56 грн
500+ 69.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorPower MOSFET
товар відсутній
NTTFS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+65.28 грн
3000+ 59.72 грн
7500+ 57.48 грн
10500+ 52.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS002N04CLTAGON SemiconductorPower MOSFET
товар відсутній
NTTFS002N04CTAGON SemiconductorPower MOSFET
товар відсутній
NTTFS002N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
товар відсутній
NTTFS003N04CTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Chn Pwr
товар відсутній
NTTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS003N04CTAG - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товар відсутній
NTTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
товар відсутній
NTTFS004N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS004N04CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
товар відсутній
NTTFS004N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
4+103.33 грн
10+ 84.24 грн
100+ 56.47 грн
500+ 47.88 грн
1000+ 39.02 грн
1500+ 36.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTTFS005N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS005N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 492-501 дні (днів)
4+101 грн
10+ 88.84 грн
100+ 59.93 грн
500+ 49.48 грн
1500+ 39.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTTFS005N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS005N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS005N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS005N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 69 A, 0.0047 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 69
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS008N04CTAGON SemiconductorMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
товар відсутній
NTTFS008N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS008P03P8ZONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 0.0025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 96
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS008P03P8ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 7158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.82 грн
10+ 160.87 грн
100+ 130.11 грн
500+ 108.54 грн
1000+ 92.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS008P03P8ZonsemiMOSFET PFET U8FL -30V 8MO
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.21 грн
10+ 178.44 грн
25+ 145.84 грн
100+ 125.86 грн
250+ 118.54 грн
500+ 111.21 грн
1000+ 95.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS008P03P8ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 22A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS008P03P8ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.36W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.83 грн
6000+ 89.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTTFS010N10MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LL IN
на замовлення 29720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.09 грн
10+ 95.73 грн
100+ 64.4 грн
500+ 54.81 грн
1000+ 44.68 грн
1500+ 41.55 грн
3000+ 40.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS010N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 10.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
на замовлення 67250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 86.09 грн
100+ 66.95 грн
500+ 53.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 10.7A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta),52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.01 грн
3000+ 43.52 грн
7500+ 41.45 грн
10500+ 37.1 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS010N10MCLTAGON Semiconductor
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS012N10MDTAGonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.26 грн
3000+ 42.84 грн
7500+ 40.8 грн
10500+ 36.52 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS012N10MDTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS012N10MDTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS012N10MDTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0122 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.23 грн
10+ 106.83 грн
100+ 80.68 грн
500+ 53.83 грн
1500+ 44.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTTFS012N10MDTAGonsemiDescription: PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 78µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 50 V
на замовлення 17721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.05 грн
10+ 84.77 грн
100+ 65.91 грн
500+ 52.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS012N10MDTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS012N10MDTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET, U8FL
на замовлення 15019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.54 грн
10+ 94.96 грн
100+ 63.8 грн
500+ 54.07 грн
1000+ 44.02 грн
1500+ 41.35 грн
3000+ 39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS012N10MDTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 9.2A T/R
товар відсутній
NTTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
товар відсутній
NTTFS015N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS015N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 439-448 дні (днів)
5+67.9 грн
10+ 55.52 грн
100+ 37.63 грн
500+ 31.83 грн
1000+ 26.77 грн
1500+ 24.71 грн
3000+ 23.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS015N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.67 грн
10+ 49.53 грн
100+ 38.52 грн
500+ 30.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS015P03P8ZTAGonsemiMOSFET PFET U8FL 30V 15MO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.05 грн
10+ 44.42 грн
100+ 26.77 грн
500+ 22.38 грн
1000+ 21.58 грн
1500+ 18.58 грн
3000+ 16.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTTFS015P03P8ZTAGON SemiconductorP Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
на замовлення 587834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.54 грн
10+ 39.54 грн
100+ 27.38 грн
500+ 21.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTTFS015P03P8ZTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTAG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
на замовлення 586500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.22 грн
3000+ 17.34 грн
7500+ 16.43 грн
10500+ 14.27 грн
37500+ 14.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS015P03P8ZTAGON Semiconductor
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS015P03P8ZTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.71 грн
10+ 42.04 грн
100+ 29.09 грн
500+ 22.81 грн
1000+ 19.41 грн
2000+ 17.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTTFS015P03P8ZTWGonsemiMOSFET PFET U8FL 30V 15MO
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.93 грн
10+ 47.25 грн
100+ 28.44 грн
500+ 23.77 грн
1000+ 18.05 грн
5000+ 17.38 грн
10000+ 16.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTTFS015P03P8ZTWGON SemiconductorP Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTTFS015P03P8ZTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.66W (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS015P03P8ZTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS015P03P8ZTWG - MOSFET, SINGLE -30V P-CHANNEL
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTTFS016N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NTTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NTTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NTTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.8 грн
3000+ 34.26 грн
7500+ 32.63 грн
10500+ 29.21 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS020N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET 60V, 27A, 20.3m
товар відсутній
NTTFS020N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NTTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
на замовлення 20890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.44 грн
10+ 67.77 грн
100+ 52.71 грн
500+ 41.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTTFS020N06CTAGON SemiconductorMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NTTFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
товар відсутній
NTTFS022N15MConsemiDescription: POWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 75 V
товар відсутній
NTTFS022N15MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 7.4A T/R
товар відсутній
NTTFS022N15MConsemiMOSFET PTNG 150V 22MOHM, POWERCLIP33
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.12 грн
10+ 162.36 грн
100+ 111.88 грн
250+ 103.22 грн
500+ 93.9 грн
1000+ 80.58 грн
3000+ 75.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
товар відсутній
NTTFS024N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NTTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
товар відсутній
NTTFS030N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NTTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
товар відсутній
NTTFS030N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET 60V, 27A, 29.7m
товар відсутній
NTTFS030N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS030N06CTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
товар відсутній
NTTFS030N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1366 pF @ 50 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.45 грн
10+ 82.34 грн
100+ 64.03 грн
500+ 50.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS030N10GTAGonsemiMOSFET MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 30mohm, 35A MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 30mohm, 35A
товар відсутній
NTTFS030N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1366 pF @ 50 V
товар відсутній
NTTFS034N15MConsemiDescription: PTNG 150V 34MOHM POWERCLIP33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 53.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTTFS034N15MCON SemiconductorPower MOSFET, N Channel
товар відсутній
NTTFS080N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V
на замовлення 11960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.31 грн
10+ 44.67 грн
100+ 30.89 грн
500+ 24.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTTFS080N10GTAGonsemiMOSFET MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 82mohm, 15A MOSFET Power, Single N-Channel, 8FL, 100V, 82mohm, 15A
товар відсутній
NTTFS080N10GTAGonsemiDescription: 100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560.5 pF @ 50 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.81 грн
3000+ 19.56 грн
7500+ 18.53 грн
10500+ 16.1 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS080N10GTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NTTFS115P10M5ON Semiconductor
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS115P10M5onsemiDescription: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
на замовлення 20850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.23 грн
10+ 48.42 грн
100+ 37.65 грн
500+ 29.95 грн
1000+ 24.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS115P10M5ON SemiconductorPower, Single P-Channel MOSFET
товар відсутній
NTTFS115P10M5onsemiDescription: MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.41 грн
6000+ 23.3 грн
9000+ 22.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTTFS115P10M5onsemiMOSFET MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
на замовлення 3301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.5 грн
10+ 53.84 грн
100+ 36.43 грн
500+ 30.9 грн
1000+ 25.17 грн
3000+ 23.64 грн
6000+ 22.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS1D2N02P1EONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS1D2N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 180 A, 860 µohm, PQFN
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 52
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 860
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS1D2N02P1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin PQFN EP Reel
товар відсутній
NTTFS1D2N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.19 грн
10+ 112.93 грн
100+ 89.9 грн
500+ 71.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS1D2N02P1EonsemiMOSFET 25V 1.2 MOHM PC33
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.28 грн
10+ 125.6 грн
100+ 86.57 грн
250+ 79.91 грн
500+ 72.59 грн
1000+ 61.93 грн
3000+ 59.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS1D2N02P1EON Semiconductor
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS1D2N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 934µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4040 pF @ 13 V
товар відсутній
NTTFS1D8N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.84 грн
6000+ 66.58 грн
9000+ 64.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTTFS1D8N02P1EonsemiMOSFET FET 25V 1.8 MOHM PC33 SINGLE
на замовлення 13368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.42 грн
10+ 103.39 грн
100+ 76.58 грн
500+ 68.59 грн
1000+ 65.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS1D8N02P1EONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS1D8N02P1E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 150 A, 0.00105 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25
Dauer-Drainstrom Id: 150
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 46
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS1D8N02P1EonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 20A/152A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 700µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3159 pF @ 13 V
на замовлення 14263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.92 грн
10+ 127.43 грн
100+ 101.43 грн
500+ 80.54 грн
1000+ 68.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS1D8N02P1EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS2D1N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.65 грн
500+ 64.93 грн
3000+ 56.92 грн
6000+ 56.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTTFS2D1N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
товар відсутній
NTTFS2D1N04HLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS2D1N04HLTWGonsemiMOSFET T8 40V DFN POWER CLIP 3 X 3
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.95 грн
10+ 122.53 грн
100+ 84.57 грн
250+ 78.58 грн
500+ 71.26 грн
1000+ 61.13 грн
3000+ 58.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS2D1N04HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS2D1N04HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0017 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.59 грн
10+ 123.26 грн
100+ 89.65 грн
500+ 64.93 грн
3000+ 56.92 грн
6000+ 56.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS2D1N04HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/150A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 20 V
на замовлення 1803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+146.95 грн
10+ 127.71 грн
100+ 102.63 грн
500+ 79.13 грн
1000+ 65.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS2D8N04HLTAGonsemiMOSFET 40V T8 IN U8FL HEFET
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS2D8N04HLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS2D8N04HLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS2D8N04HLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/104A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS2D8N04HLTAGON SemiconductorN Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTTFS3A08PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
на замовлення 855000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTTFS3A08PZTAGON Semiconductor
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS3A08PZTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS3A08PZTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
на замовлення 855000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTTFS3A08PZTAGON SemiconductorMOSFET PFET U8FL 20V 14A 6.7MOHM
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS3A08PZTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS3A08PZTWGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
товар відсутній
NTTFS3A08PZTWGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET -20V -15A 6.7 mOhm Single P-Channel u8FL with ESD Protection
на замовлення 3647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS3A08PZTWGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 93.23 грн
100+ 72.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS3A08PZTWGON Semiconductor
на замовлення 356 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS3D7N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 0.0032 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.01 грн
10+ 134.47 грн
100+ 106.83 грн
500+ 93.65 грн
3000+ 81.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS3D7N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.16 грн
10+ 123.34 грн
100+ 98.17 грн
500+ 77.96 грн
1000+ 66.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS3D7N06HLTWGonsemiMOSFET T8 60V DFN POWER CLIP 3X3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 162-171 дні (днів)
2+170.92 грн
10+ 137.85 грн
100+ 99.89 грн
250+ 95.23 грн
500+ 83.24 грн
1000+ 70.59 грн
3000+ 65.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS3D7N06HLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/103A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2383 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.53 грн
6000+ 64.44 грн
9000+ 62.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTTFS3D7N06HLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS3D7N06HLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 103 A, 0.0032 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 5957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.83 грн
500+ 93.65 грн
3000+ 81.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTTFS3D7N06HLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS4800NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 964 pF @ 15 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 579
NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS4800NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 964 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4800NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4800NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4800NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4800NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.2 грн
5001+ 10.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTTFS4800NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4821NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A/57A 8WDFN
на замовлення 12131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTTFS4821NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4821NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A/57A 8WDFN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTTFS4821NTAG
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4821NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4821NTWG
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4821NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4823NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 12 V
товар відсутній
NTTFS4823NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 32.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1013 pF @ 12 V
на замовлення 367762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 1158
NTTFS4823NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4823NTWG - NTTFS4823NTWG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.2 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTTFS4823NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4823NTWG
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4823NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.6A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTTFS4823NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/50A 8WDFN
на замовлення 39942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1255+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 1255
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4824NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2363 pF @ 12 V
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.63 грн
10+ 45.44 грн
100+ 35.32 грн
500+ 28.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4824NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5mOhm
на замовлення 2629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4824NTAG
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4824NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 46.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2363 pF @ 12 V
товар відсутній
NTTFS4824NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.9A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.05 грн
12+ 49.49 грн
100+ 29.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTTFS4824NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4840NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A/26A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4840NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+17.56 грн
151+ 15.39 грн
326+ 12.28 грн
751+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 33
NTTFS4840NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4840NTAG - NTTFS4840NTAG, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS4840NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+17.56 грн
151+ 15.39 грн
326+ 12.28 грн
751+ 11.43 грн
1501+ 10.19 грн
3001+ 9.41 грн
Мінімальне замовлення: 33
NTTFS4840NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A/26A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
592+34.77 грн
Мінімальне замовлення: 592
NTTFS4840NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4928Nonsemionsemi NFET U8FL 30V 41A 8MOHM
товар відсутній
NTTFS4928NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTTFS4928NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4928NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 41A 8MOHM
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4928NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4928NTAGON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4928NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 41A 8MOHM
на замовлення 4989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4928NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A/37A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 15 V
на замовлення 453600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1032+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 1032
NTTFS4928NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4928NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4928NTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.8 A, 0.009 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20.8W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 453600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTTFS4928NTWGON Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4928NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4928NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.3A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 20.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 913 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4929NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.6A/34A 8WDFN
на замовлення 135000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1134+18.7 грн
Мінімальне замовлення: 1134
NTTFS4929NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 34A 11 MOHM
товар відсутній
NTTFS4929NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4929NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4929NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 34A 11 MOHM
товар відсутній
NTTFS4929NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.6A/34A 8WDFN
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1191+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 1191
NTTFS4930NTAGON Semiconductor
на замовлення 4107 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4930NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4930NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4930NTAGFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1236+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 1236
NTTFS4930NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 23A 23MOHM
на замовлення 2569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4930NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 20.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 15 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.9 грн
10+ 32.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTTFS4930NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4930NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 23A 23MOHM
товар відсутній
NTTFS4930NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A/23A 8WDFN
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1340+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 1340
NTTFS4932NTAGonsemiMOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL
товар відсутній
NTTFS4932NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/79A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3111 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4932NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4932NTAG
Код товару: 198983		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NTTFS4932NTAGON Semiconductor
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4932NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4932NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/79A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3111 pF @ 15 V
на замовлення 73565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
646+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 646
NTTFS4932NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4932NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4932NTAG - MOSFET, N-CH, 30V, 18A, WDFN-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 73565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS4932NTWGON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4932NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4932NTWGON SemiconductorMOSFET 30V 79A 4 mOhm Single N-Chan u8FL
товар відсутній
NTTFS4937NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4937NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/75A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4937NTAGonsemiMOSFET 30V 75A 4.5 mOhm Single N-Chan u8FL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4937NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4937NTAGON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4937NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4937NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4937NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/75A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4937NTWGonsemiMOSFET 30V 75A 4.5 mOhm Single N-Chan u8FL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4939NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+44.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTTFS4939NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4939NTAGON SemiconductorMOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4939NTAGON Semiconductor
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4939NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4939NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+48.04 грн
Мінімальне замовлення: 243
NTTFS4939NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1131+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 1131
NTTFS4939NTWGonsemiMOSFET 30V 56A 5.5 mOhm Single N-Chan u8FL
товар відсутній
NTTFS4939NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4939NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A/52A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4941NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1619 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4941NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4941NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1619 pF @ 15 V
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
410+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 410
NTTFS4941NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4941NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4941NTWGON SemiconductorMOSFET 30V 46A 6.2 mOhm Single N-Chan u8FL
товар відсутній
NTTFS4941NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 419
NTTFS4943NTAGON Semiconductor
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4943NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4943NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), 22.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 15 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 468
NTTFS4943NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8A/41A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4945NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4945NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 47A 8.4MO
товар відсутній
NTTFS4945NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4945NTAGON Semiconductor
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4945NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 513
NTTFS4945NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A/34A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4945NTWGonsemiMOSFET 30 V, 34 A, 9 mOhm Single N-Channel Power MOSFET, u8FL
товар відсутній
NTTFS4965NFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4965NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4965NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4965NFTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
товар відсутній
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4985NFTAGON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
на замовлення 264267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
541+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 541
NTTFS4985NFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+49.86 грн
14+ 42.24 грн
25+ 41.53 грн
100+ 29.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTTFS4985NFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.2MOHM
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4985NFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4985NFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4985NFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 64A 5.
товар відсутній
NTTFS4985NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
541+40.27 грн
Мінімальне замовлення: 541
NTTFS4985NFTWGON Semiconductor
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4985NFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 16.3A/64A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4C025NTAGonsemiDescription: NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+42.9 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS4C025NTAGonsemiDescription: NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97.97 грн
10+ 76.93 грн
100+ 59.83 грн
500+ 47.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS4C025NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 65A 6.1MOH
товар відсутній
NTTFS4C02Nonsemionsemi AFSM T6 30V NCH U8FL
товар відсутній
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 36A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+60.27 грн
200+ 58.43 грн
202+ 57.85 грн
204+ 55.34 грн
250+ 50.83 грн
500+ 48.4 грн
1000+ 48.01 грн
Мінімальне замовлення: 194
NTTFS4C02NTAGON Semiconductor
на замовлення 595 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+54.26 грн
25+ 53.71 грн
100+ 51.38 грн
250+ 47.2 грн
500+ 44.94 грн
1000+ 44.58 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 170A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.94 грн
10+ 89 грн
100+ 70.81 грн
500+ 56.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS4C02NTAGonsemiMOSFET AFSM T6 30V NCH U8FL
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.32 грн
10+ 92.66 грн
100+ 65.06 грн
250+ 63.8 грн
500+ 56.27 грн
1000+ 51.81 грн
1500+ 47.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4C05NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 1469 шт:
термін постачання 620-629 дні (днів)
3+109.55 грн
10+ 89.6 грн
100+ 62.53 грн
250+ 57.74 грн
500+ 52.41 грн
1000+ 44.88 грн
1500+ 42.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 405
NTTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C05NTWGON Semiconductor
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4C05NTWGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 75A 3.6 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 19964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.68 грн
10+ 80.41 грн
100+ 54.61 грн
500+ 45.08 грн
1000+ 34.3 грн
2500+ 33.23 грн
5000+ 30.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTTFS4C05NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.4A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.3 грн
10000+ 33.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTTFS4C05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.05 грн
10+ 77.55 грн
100+ 60.44 грн
500+ 46.86 грн
1000+ 36.99 грн
2000+ 34.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.61 грн
10+ 83.87 грн
100+ 65.22 грн
500+ 51.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.76 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS4C06NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C06NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 0.0034 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.49 грн
10+ 94.13 грн
100+ 73.66 грн
500+ 53.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTTFS4C06NTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.88 грн
10+ 90.37 грн
100+ 61.47 грн
500+ 52.08 грн
1000+ 42.42 грн
1500+ 39.96 грн
3000+ 38.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4C06NTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 65A 4.2mOhm SGL N-CH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4C06NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A/67A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3366 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.67 грн
16+ 37.09 грн
25+ 36.85 грн
100+ 32.49 грн
250+ 29.9 грн
500+ 26.43 грн
1000+ 25.52 грн
3000+ 24.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.88 грн
10+ 55.49 грн
100+ 43.17 грн
500+ 34.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+39.94 грн
295+ 39.68 грн
322+ 36.28 грн
324+ 34.77 грн
500+ 29.64 грн
1000+ 27.49 грн
3000+ 26.51 грн
Мінімальне замовлення: 293
NTTFS4C08NTAGON Semiconductor
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4C08NTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
на замовлення 1561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.45 грн
10+ 47.33 грн
100+ 35.56 грн
500+ 31.37 грн
1000+ 29.7 грн
1500+ 26.44 грн
3000+ 25.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C08NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 52A U8FL
товар відсутній
NTTFS4C08NTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NTTFS4C08NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C10NTAGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 44A 7.4 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.1 грн
10+ 42.12 грн
100+ 25.37 грн
500+ 25.04 грн
1500+ 24.97 грн
3000+ 24.91 грн
9000+ 14.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
на замовлення 7330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.04 грн
10+ 56.6 грн
100+ 44.02 грн
500+ 35.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+19.35 грн
3000+ 16.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS4C10NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.51 грн
10+ 47.93 грн
100+ 37.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS4C10NTWGonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 44A 7.4 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.73 грн
10+ 53.3 грн
100+ 36.03 грн
500+ 30.5 грн
1000+ 23.44 грн
5000+ 22.24 грн
10000+ 22.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS4C10NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta), 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
товар відсутній
NTTFS4C10NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C13NTAGON Semiconductor
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4C13NTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 355-364 дні (днів)
5+71.55 грн
10+ 61.42 грн
100+ 41.62 грн
500+ 34.96 грн
1000+ 32.1 грн
1500+ 27.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.78 грн
10+ 35.1 грн
100+ 24.28 грн
500+ 19.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 11.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), 21.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTTFS4C13NTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C13NTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NTTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4C13NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4C13NTWGON Semiconductor
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4C13NTWGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+52.44 грн
10+ 44.57 грн
100+ 28.97 грн
500+ 22.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 27A 17 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
на замовлення 665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.5 грн
10+ 35.1 грн
100+ 26.2 грн
500+ 19.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товар відсутній
NTTFS4C25NTWGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 27A 17 mOhm Single N-Channel u8FL
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4C25NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товар відсутній
NTTFS4C25NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 7.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C50NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4C50NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.39 грн
10+ 103.98 грн
100+ 82.76 грн
500+ 65.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS4C50NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.44 грн
10+ 94.96 грн
100+ 73.25 грн
500+ 65.66 грн
1000+ 56.07 грн
1500+ 54.74 грн
3000+ 51.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS4C50NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+61.7 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS4C50NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
товар відсутній
NTTFS4C50NTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTTFS4C53NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A U8FL
товар відсутній
NTTFS4C53NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS4C53NTAG - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 46500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1001+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 1001
NTTFS4C53NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 35A 9.4MOH
товар відсутній
NTTFS4C53NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 35A U8FL
товар відсутній
NTTFS4C53NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 35A 9.4MOH
товар відсутній
NTTFS4C55NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOH
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4C55NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
566+35.61 грн
Мінімальне замовлення: 566
NTTFS4C55NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
товар відсутній
NTTFS4C55NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOH
товар відсутній
NTTFS4C55NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
товар відсутній
NTTFS4C56NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 65A 4.2MOH
товар відсутній
NTTFS4C56NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
товар відсутній
NTTFS4C56NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
товар відсутній
NTTFS4C56NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 65A 4.2MOH
товар відсутній
NTTFS4C58NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTTFS4C58NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 48A 5.9MOH
товар відсутній
NTTFS4C58NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4C58NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 48A 5.9MO
товар відсутній
NTTFS4C58NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 48A 5.9MOH
товар відсутній
NTTFS4C58NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 48A U8FL
товар відсутній
NTTFS4C65NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4C65NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MO
товар відсутній
NTTFS4C65NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS4C65NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MO
товар відсутній
NTTFS4H05NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL
товар відсутній
NTTFS4H05NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 94A 3.3MOHM
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4H05NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 22.4A U8FL
товар відсутній
NTTFS4H05NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 94A 3.3MOHM
товар відсутній
NTTFS4H05NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN
на замовлення 218180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+42.43 грн
Мінімальне замовлення: 507
NTTFS4H07NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 18.5A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS4H07NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 18.5A U8FL
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTTFS4H07NTAGON Semiconductor
на замовлення 11110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS4H07NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 66A 4.8MOHM
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS4H07NTWGRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 25V 18.5A/66A 8WDFN
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTTFS4H07NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 25V 66A 4.8MOHM
товар відсутній
NTTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS5116PLTAGONSEMINTTFS5116PLTAG SMD P channel transistors
товар відсутній
NTTFS5116PLTAGonsemiMOSFET PFET U8FL 60V
на замовлення 137022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.83 грн
10+ 50.57 грн
100+ 39.37 грн
500+ 31.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 9619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.17 грн
12+ 67.53 грн
100+ 48.93 грн
500+ 37.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 9619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.93 грн
500+ 37.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 30 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.23 грн
3000+ 25.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.7 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.2
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5116PLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS5116PLTWGonsemiMOSFET PFET U8FL 60V
на замовлення 50872 шт:
термін постачання 682-691 дні (днів)
6+59.28 грн
10+ 51.31 грн
100+ 34.16 грн
500+ 27.04 грн
1000+ 20.78 грн
2500+ 20.31 грн
5000+ 18.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTTFS5116PLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
товар відсутній
NTTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTTFS5116PLTWGON SemiconductorMOSFET PFET U8FL 60V
на замовлення 21886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS5116PLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
товар відсутній
NTTFS5811NLTAGON SemiconductorTrans Mosfet N-Ch 40V 16A 8-Pin Wdfn Ep T/R
товар відсутній
NTTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
товар відсутній
NTTFS5811NLTAGonsemiMOSFET Single N-CH 40V 53A
товар відсутній
NTTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
товар відсутній
NTTFS5811NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
товар відсутній
NTTFS5811NLTWGonsemiMOSFET Single N-CH 40V 53A
товар відсутній
NTTFS5811NLTWGON SemiconductorTrans Mosfet N-Ch 40V 16A 8-Pin Wdfn Ep T/R
товар відсутній
NTTFS5820NLonsemionsemi NFET U8FL 60V 37A 5.5MOH
товар відсутній
NTTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5820NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
товар відсутній
NTTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5820NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5820NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.0101 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 37
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 5387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.4 грн
10+ 80.68 грн
100+ 79.19 грн
500+ 72.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTTFS5820NLTAGonsemiMOSFET Single N-CH 60V 11A, 37A
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.35 грн
10+ 75.05 грн
1000+ 29.5 грн
1500+ 29.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTTFS5820NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
товар відсутній
NTTFS5820NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1462 pF @ 25 V
товар відсутній
NTTFS5820NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5826NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS5826NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5826NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.019 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 19
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS5826NLTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 60V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5826NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5826NLTAGON Semiconductor
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8-WDFN
товар відсутній
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C453NLTAGON Semiconductor
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C453NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C453NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C453NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 107 A, 0.0025 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTTFS5C453NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A/107A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS5C453NLTAGonsemiMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.1 грн
10+ 183.8 грн
100+ 130.52 грн
500+ 111.21 грн
1000+ 93.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS5C453NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
товар відсутній
NTTFS5C453NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C453NLTWGON Semiconductor
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS5C454NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 7551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C454NLTAGON Semiconductor
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS5C454NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C454NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0032 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 55
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS5C454NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/85A 8WDFN
товар відсутній
NTTFS5C454NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C454NLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C454NLTWG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS5C454NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS5C454NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C460NLTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.88 грн
10+ 92.66 грн
100+ 63.2 грн
500+ 51.74 грн
1000+ 41.55 грн
1500+ 37.36 грн
3000+ 36.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS5C460NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS5C460NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 14A/51A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS5C466NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 14A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C466NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 14A/51A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 19949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.49 грн
10+ 152.54 грн
100+ 122.64 грн
500+ 94.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS5C466NLTAGonsemiMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 10173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.69 грн
10+ 158.53 грн
100+ 110.55 грн
500+ 93.23 грн
1000+ 77.25 грн
1500+ 70.59 грн
3000+ 67.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS5C471NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C471NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS5C478NLTAGonsemiMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS5C478NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C478NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C478NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C478NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+107.2 грн
10+ 98.31 грн
25+ 93.36 грн
100+ 78.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTTFS5C658NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C658NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL
товар відсутній
NTTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 26074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.24 грн
10+ 142.27 грн
25+ 134.24 грн
100+ 100.79 грн
250+ 88.19 грн
500+ 85.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS5C670NLTAGON Semiconductor
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS5C670NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
на замовлення 23932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.69 грн
10+ 147.8 грн
100+ 102.55 грн
250+ 91.23 грн
500+ 85.91 грн
1000+ 75.25 грн
1500+ 68.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS5C670NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0054 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+194.23 грн
10+ 141.94 грн
100+ 102.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+75.28 грн
3000+ 69.81 грн
7500+ 67.12 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5C670NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.87 грн
10+ 118.62 грн
25+ 111.9 грн
100+ 84.02 грн
250+ 73.53 грн
500+ 71.42 грн
1000+ 55.79 грн
2500+ 53.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS5C670NLTWGON SemiconductorT6 60V NCH LL IN U8FL
товар відсутній
NTTFS5C670NLTWGON SemiconductorT6 60V NCH LL IN U8FL
товар відсутній
NTTFS5C670NLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+58.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTTFS5C670NLTWGON Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS5C670NLTWGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
товар відсутній
NTTFS5C673NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+50.73 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.22 грн
10+ 95.31 грн
25+ 89.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS5C673NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
на замовлення 209005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.45 грн
10+ 81.18 грн
100+ 60.13 грн
250+ 55.21 грн
500+ 54.21 грн
1000+ 51.21 грн
1500+ 45.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
товар відсутній
NTTFS5C673NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
товар відсутній
NTTFS5C673NLTWGON SemiconductorT6 60V NCH LL IN U8FL
товар відсутній
NTTFS5C680NLTAGON SemiconductorNTTFS5C680NLTAG
товар відсутній
NTTFS5C680NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS5C680NLTAGonsemiMOSFET T6 60V LL U8FL
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.48 грн
10+ 34 грн
100+ 22.11 грн
500+ 17.38 грн
1000+ 14.52 грн
1500+ 11.39 грн
9000+ 10.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTTFS5CS70NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
товар відсутній
NTTFS5CS70NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
товар відсутній
NTTFS5CS73NLTAGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS5CS73NLTWGON SemiconductorMOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS5CS73NLTWGonsemiDescription: T6 60V NCH LL IN U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NTTFS5CS73NLTWGonsemiDescription: T6 60V NCH LL IN U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.22 грн
10+ 95.31 грн
25+ 89.93 грн
100+ 67.51 грн
250+ 59.07 грн
500+ 57.39 грн
1000+ 44.83 грн
2500+ 43.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS5D1N06HLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V T8 8WDFN
товар відсутній
NTTFS5D1N06HLTAGonsemiMOSFET 60V T8 IN U8FL HEFET
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.86 грн
10+ 103.39 грн
100+ 71.26 грн
250+ 65.66 грн
500+ 59.6 грн
1000+ 49.61 грн
1500+ 48.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS5D1N06HLTAGON SemiconductorN Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTTFS5D9N08HTWGonsemiMOSFET T8 80V DFN POWER CLIP 3X3
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.18 грн
10+ 113.34 грн
100+ 81.24 грн
250+ 79.25 грн
500+ 69.26 грн
1000+ 59.93 грн
3000+ 57.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS5D9N08HTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 40 V
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.31 грн
10+ 110.78 грн
100+ 88.15 грн
500+ 69.99 грн
1000+ 59.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS5D9N08HTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin PQFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS5D9N08HTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 40 V
товар відсутній
NTTFS6H850NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS6H850NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 14.8A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS6H850NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14.8A/64A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 40 V
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.17 грн
10+ 82.76 грн
100+ 64.34 грн
500+ 51.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS6H850NLTAGON SemiconductorMOSFET 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel
на замовлення 1746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS6H850NTAGON SemiconductorNTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+139.24 грн
10+ 110.04 грн
25+ 108.22 грн
100+ 87.82 грн
250+ 76.9 грн
500+ 64.78 грн
1000+ 52.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS6H850NTAGON SemiconductorNTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+149.95 грн
99+ 118.5 грн
101+ 116.55 грн
120+ 94.58 грн
250+ 82.81 грн
500+ 69.76 грн
1000+ 56.86 грн
Мінімальне замовлення: 78
NTTFS6H850NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 7635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.4 грн
10+ 110.28 грн
100+ 79.91 грн
250+ 75.25 грн
500+ 66.59 грн
1000+ 53.81 грн
1500+ 53.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NTTFS6H850NTAGON SemiconductorNTTFS6H850NTAG ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 11A 8-Pin WDFN EP T/R - Arrow.com
товар відсутній
NTTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.83 грн
10+ 105.37 грн
100+ 83.87 грн
500+ 66.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTTFS6H854NLTAGON SemiconductorPower, Single N-Channel MOSFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NTTFS6H854NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V T8 8WDFN
товар відсутній
NTTFS6H854NLTAGonsemiMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.15 грн
10+ 53.07 грн
100+ 31.96 грн
500+ 26.7 грн
1000+ 22.71 грн
1500+ 19.98 грн
3000+ 19.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTTFS6H854NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS6H854NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
товар відсутній
NTTFS6H854NTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTTFS6H854NTAGonsemiDescription: TRENCH 8 80V NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
товар відсутній
NTTFS6H860NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8.1A T/R
товар відсутній
NTTFS6H860NLTAGON SemiconductorDescription: SINGLE NCHANNEL POWER MOSFET 80V
товар відсутній
NTTFS6H860NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTTFS6H860NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NTTFS6H860NLTAG - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NTTFS6H860NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTFS6H860NTAGonsemiDescription: TRENCH 8 80V NFET
товар відсутній
NTTFS6H880NLTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET 80V, 22A
товар відсутній
NTTFS6H880NLTAGON SemiconductorDescription: SINGLE NCHANNEL POWER MOSFET 80V
товар відсутній
NTTFS6H880NTAGonsemiDescription: T8 80V U8FL
товар відсутній
NTTFS6H888NTAGonsemiDescription: T8 80V U8FL
товар відсутній
NTTFS8D1N08HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 14A/61A 8WDFN
товар відсутній
NTTFSC4821NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 57A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
товар відсутній
NTTFSC4821NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 57A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
на замовлення 10874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+17.3 грн
Мінімальне замовлення: 1158
NTTFSC4823NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
товар відсутній
NTTFSC4823NTAGonsemiDescription: MOSFET 30V 50A 8WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1158+17.3 грн
Мінімальне замовлення: 1158
NTTFSC4937NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 50A U8FL
на замовлення 187500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTTFSC4937NTAGonsemiIGBT Transistors NFET U8FL 30V 50A 17
товар відсутній
NTTFSC4937NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 50A U8FL
товар відсутній
NTTFSC4937NTAGON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 50A U8F
товар відсутній
NTTFSC4937NTAGON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 50A U8F
товар відсутній
NTTP01AF-CATGBICSDescription: 1000BASE-SX SFP 850nm 550m
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
Part Status: Active
на замовлення 8960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1396.78 грн
50+ 1281.09 грн
150+ 1210.63 грн
1000+ 1076.02 грн
NTTP01CF-CATGBICSDescription: 1000BASE-LX SFP 1310nm 10km
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
Part Status: Active
на замовлення 9337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1596.32 грн
50+ 1460.45 грн
150+ 1383.58 грн
1000+ 1226.3 грн
NTTP01CFE6-CATGBICSDescription: 1000BASE-SX SFP 850nm 550m
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
Part Status: Active
на замовлення 8766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1396.78 грн
50+ 1281.09 грн
150+ 1210.63 грн
1000+ 1076.02 грн
NTTP03FFE6-CProLabsDescription: Ciena NTTP03FFE6 Compatible TAA
Packaging: Retail Package
Part Status: Active
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17558.85 грн
100+ 16063.09 грн
NTTP05EF-CATGBICSDescription: SFP 1000Base-EX 1310nm 40K
Packaging: Tray
Connector Type: LC Duplex
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1.25Gbps
на замовлення 6847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1995.41 грн
50+ 1825.57 грн
150+ 1729.48 грн
1000+ 1532.88 грн
NTTP06AF-IOIntegra OpticsDescription: SFP 1G SX CIENA
Packaging: Bulk
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2104.18 грн
10+ 1586.18 грн
80+ 1385.54 грн
NTTP06AFE6-CATGBICSDescription: FIBER TXRX SFP 1GBPS 850NM
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
Part Status: Active
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1493.31 грн
10+ 1366.28 грн
100+ 1294.7 грн
1000+ 1147.87 грн
NTTP06CF-CATGBICSDescription: 1000BASE-LX SFP 1310nm 10km
Packaging: Tray
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: General Purpose
Data Rate: 1Gbps
на замовлення 8279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1581.92 грн
50+ 1446.84 грн
150+ 1370.69 грн
1000+ 1214.88 грн
NTTP06CF-E6-CATGBICSDescription: SFP 1000Base-LX 1310nm 10km
Packaging: Tray
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet, Networking
Data Rate: 1000Mbps
на замовлення 4268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1581.92 грн
50+ 1446.84 грн
150+ 1370.69 грн
1000+ 1214.88 грн
NTTP06CFE6-CATGBICSDescription: 1000BASE-LX SFP 1310nm 10km
Packaging: Tray
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: General Purpose
Data Rate: 1Gbps
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1581.92 грн
50+ 1446.84 грн
150+ 1370.69 грн
1000+ 1214.88 грн
NTTP07FFE6-IOIntegra OpticsDescription: SFP 1G ZX CIENA
Packaging: Bulk
Connector Type: LC
Wavelength: 1550nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5334.29 грн
10+ 4411.82 грн
NTTP51BD-IOIntegra OpticsDescription: SFP 1G LX CIENA
Packaging: Bulk
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, SFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 1Gbps
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2053.75 грн
10+ 1548.65 грн
80+ 1352.72 грн
440+ 1164.41 грн
NTTP80BA-CATGBICSDescription: 10GBASE XFP 1310nm 10km
Packaging: Retail Package
Connector Type: LC
Wavelength: 1310nm
Mounting Type: Pluggable, XFP
Voltage - Supply: 3.3V
Applications: Ethernet
Data Rate: 10Gbps
на замовлення 4152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8606.18 грн
50+ 7875.14 грн
150+ 7462.67 грн
1000+ 6616.34 грн
NTTP80BA-IOIntegra OpticsDescription: XFP 10G LR CIENA
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTTS2P02ONMicro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTS2P02ON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTS2P02R2ONSEMIDescription: ONSEMI - NTTS2P02R2 - NTTS2P02R2, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTTS2P02R2ON Semicondu2000
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTS2P02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
товар відсутній
NTTS2P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
товар відсутній
NTTS2P02R2G
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTS2P02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
товар відсутній
NTTS2P03ONMicro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTS2P03ON07+ Micro-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTS2P03R2NO04+ SOP
на замовлення 43549 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTS2P03R2NOSOP 04+
на замовлення 43549 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTS2P03R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
товар відсутній
NTTS2P03R2GON06NOPB
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTS2P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO
товар відсутній
NTTS2P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.48A 8MICRO
товар відсутній
NTTS3P03R2ONSSOP-8
на замовлення 598000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTTYS009N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
товар відсутній
NTTYS009N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1402 pF @ 40 V
товар відсутній
NTTYS009N08HLTWGonsemiMOSFET T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.86 грн
10+ 103.39 грн
100+ 71.26 грн
250+ 65.66 грн
500+ 59.53 грн
1000+ 54.27 грн
3000+ 46.82 грн
Мінімальне замовлення: 3