Продукція > NVE

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

NVE

N/A

06+

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVE031E

Navitas Semiconductor, Inc.

Description: GANFAST DESIGN KIT, 150W AC-19V
Packaging: Box
Voltage - Output: 19V
Voltage - Input: 90 ~ 265 VAC
Current - Output: 8A
Frequency - Switching: 500kHz
Regulator Topology: CrCM PFC and LLC
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: NV6115
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: AC/DC, Primary and Secondary Side with PFC
Outputs and Type: 1, Isolated
Part Status: Obsolete
Power - Output: 150 W

товар відсутній

NVE4153NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A Automotive 3-Pin SC-89 T/R

товар відсутній

NVE4153NT1G
Код товару: 183802

Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SC-89
Uds,V: 20 V
Idd,A: 0,915 A
Rds(on), Ohm: 230 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 110/

товар відсутній

NVE4153NT1G

ON Semiconductor

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NVE4153NT1G

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 20V 0.915A Automotive 3-Pin SC-89 T/R

товар відсутній

NVE4153NT1G

onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V

товар відсутній

NVE4153NT1G

onsemi

MOSFET NFET SC89 20V 915MA 230MO

на замовлення 12851 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.21 грн
10+	31.63 грн
100+	20.51 грн
500+	16.18 грн
1000+	12.45 грн
3000+	11.32 грн
6000+	10.99 грн

Мінімальне замовлення: 9

NVE4153NT1G

ONSEMI

Description: ONSEMI - NVE4153NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 26 V, 915 mA, 0.127 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 26V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 915mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 760mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	42.21 грн
22+	35.41 грн
100+	23.68 грн
500+	17.34 грн
1000+	12.36 грн

Мінімальне замовлення: 18

NVE4153NT1G

onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 915mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.82 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 16 V

на замовлення 3892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)