Продукція > NVT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVT0402S160J270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0402S300M420TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S110S180TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S130S220TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S160J270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S160L270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S160Q270TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S260Q270TRF
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S260Q330TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S300N420TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S6R7S120TRF
на замовлення 68500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT0603S6R7T120TRF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT12000OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 12kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 12kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14044.41 грн
NVT12000OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 12kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 12kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+16853.29 грн
3+ 15876.22 грн
NVT16000MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 16kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 16kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 5g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT16000MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 16kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 16kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 5g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT1601MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 1.6kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 1.6kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.5g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT1601MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 1.6kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 1.6kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.5g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT2001GM
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
на замовлення 9918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.4 грн
23+ 26.01 грн
25+ 25.63 грн
50+ 24.34 грн
100+ 22.19 грн
250+ 20.96 грн
500+ 20.63 грн
1000+ 20.3 грн
3000+ 19.95 грн
Мінімальне замовлення: 22
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels INTERFACE IC
на замовлення 4949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2001GM,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
товар відсутній
NVT2001GM,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
на замовлення 852994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
792+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 792
NVT2001GMZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional T/R
товар відсутній
NVT2001GMZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 1-CH Bidirectional 6-Pin XSON T/R
товар відсутній
NVT2001GMZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Bidirectional voltage level translator for open-drain and push-pull applications
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.73 грн
10+ 56.06 грн
100+ 37.43 грн
500+ 29.57 грн
1000+ 25.11 грн
5000+ 19.91 грн
10000+ 19.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2001GMZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 6XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Grade: Automotive
Number of Circuits: 1
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
NVT2002DP
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2002DP,118NXPDescription: NXP - NVT2002DP,118 - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1V-5.5V Versorgung, 1.5ns Verzögerung, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 21346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.98 грн
500+ 29.2 грн
1000+ 22.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface IC
на замовлення 84227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.73 грн
10+ 53.53 грн
100+ 35.29 грн
500+ 28.5 грн
1000+ 23.97 грн
2500+ 21.71 грн
5000+ 20.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2002DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 13954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.51 грн
10+ 51.26 грн
25+ 48.11 грн
100+ 36.85 грн
250+ 34.23 грн
500+ 29.13 грн
1000+ 22.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2002DP,118NXPDescription: NXP - NVT2002DP,118 - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1V-5.5V Versorgung, 1.5ns Verzögerung, TSSOP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 21346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.61 грн
50+ 50.87 грн
100+ 41.98 грн
500+ 29.2 грн
1000+ 22.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 8469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+58.63 грн
234+ 49.9 грн
273+ 42.76 грн
289+ 39.03 грн
500+ 33.83 грн
1000+ 30.53 грн
2500+ 27.98 грн
5000+ 26.79 грн
Мінімальне замовлення: 200
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2002DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin TSSOP T/R
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+63.48 грн
12+ 51.47 грн
27+ 22.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVT2002DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.37 грн
5000+ 20.95 грн
12500+ 20.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVT2002GD
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2002GD,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+60.58 грн
11+ 53.2 грн
25+ 52.67 грн
100+ 38.21 грн
250+ 33.22 грн
500+ 26.68 грн
1000+ 26.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
товар відсутній
NVT2002GD,125NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT996-2 (2x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin XSON8U T/R
товар відсутній
NVT2002GD,125NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BIDIRCTIONL VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P AP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.9 грн
10+ 60.12 грн
25+ 49.61 грн
100+ 40.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2002GF
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2002GF,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT1089 (1.35x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2002GF,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-XFDFN
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-XSON, SOT1089 (1.35x1)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2002GF,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-Pin XSON T/R
товар відсутній
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.31 грн
16+ 36.5 грн
25+ 36.13 грн
50+ 34.28 грн
100+ 27.87 грн
250+ 26.69 грн
500+ 20.96 грн
Мінімальне замовлення: 15
NVT2002TLHNXPDescription: NXP - NVT2002TLH - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1.5ns, 1V-1.5V Versorgung, XSON-8, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XSON
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+48.71 грн
268+ 43.65 грн
283+ 41.37 грн
500+ 33.39 грн
4000+ 30.56 грн
Мінімальне замовлення: 240
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional T/R
товар відсутній
NVT2002TLHNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Bidirectional voltage level translator for open-drain and push-pull applications
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.55 грн
10+ 53.22 грн
100+ 35.49 грн
500+ 31.43 грн
1000+ 24.77 грн
2000+ 23.84 грн
4000+ 21.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2002TLHNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR HXSON8U
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Data Rate: 33MHz
Supplier Device Package: HXSON8U
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.35 грн
10+ 50.36 грн
25+ 47.81 грн
100+ 36.85 грн
250+ 34.45 грн
500+ 30.44 грн
1000+ 23.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2002TLHNXPDescription: NXP - NVT2002TLH - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 2 Eingänge, 1.5ns, 1V-1.5V Versorgung, XSON-8, -40 bis 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XSON
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.85 грн
14+ 56.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVT2002TLHNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 2-CH Bidirectional 8-Pin HXSON EP T/R
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+39.3 грн
300+ 38.91 грн
305+ 38.28 грн
348+ 32.41 грн
349+ 29.94 грн
500+ 22.58 грн
Мінімальне замовлення: 297
NVT2002TLHNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR HXSON8U
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Data Rate: 33MHz
Supplier Device Package: HXSON8U
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2003DP
на замовлення 816 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANSL O-DRN P-P APP
на замовлення 66936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.15 грн
10+ 53.22 грн
100+ 36.96 грн
500+ 33.9 грн
1000+ 27.77 грн
2500+ 26.3 грн
5000+ 25.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2003DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 10TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 3
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.04 грн
5000+ 27.48 грн
12500+ 26.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2003DP,118NXPDescription: NXP - NVT2003DP,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 3 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 9033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.89 грн
250+ 31.18 грн
500+ 30.1 грн
1000+ 26.7 грн
2500+ 25.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVT2003DP,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 3-CH Bidirectional 10-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2003DP,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 10TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 10-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 3
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 30264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.6 грн
10+ 60.97 грн
25+ 57.85 грн
100+ 44.61 грн
250+ 41.69 грн
500+ 36.84 грн
1000+ 28.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2003DP,118NXPDescription: NXP - NVT2003DP,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 3 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 3Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 9033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.22 грн
16+ 48.86 грн
50+ 43.25 грн
100+ 34.89 грн
250+ 31.18 грн
500+ 30.1 грн
1000+ 26.7 грн
2500+ 25.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
NVT2004TL
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2004TL,115NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 12HXSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 12-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: DFN2514-12
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2004TL,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 4-CH Bidirectional 12-Pin HXSON EP T/R
товар відсутній
NVT2004TL,115NXP USA Inc.Description: IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 12HXSON
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-XFDFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: DFN2514-12
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 4
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2006BQ
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2006BQ,115NXPDescription: NXP - NVT2006BQ,115 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, DHVQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.92 грн
12+ 66.79 грн
50+ 57.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2006BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16DHVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.88 грн
10+ 60.21 грн
25+ 57.16 грн
100+ 44.07 грн
250+ 41.2 грн
500+ 36.41 грн
1000+ 28.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2006BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16DHVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2006BQ,115NXPDescription: NXP - NVT2006BQ,115 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, DHVQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: DHVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+62.01 грн
214+ 54.57 грн
244+ 47.92 грн
255+ 44.19 грн
500+ 38.71 грн
1000+ 35.21 грн
Мінімальне замовлення: 189
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANS OPEN-DRAIN P-P APP
на замовлення 3119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.91 грн
10+ 63.18 грн
100+ 43.62 грн
500+ 38.29 грн
1000+ 29.63 грн
3000+ 27.64 грн
6000+ 26.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2006BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Manufacturer series: NVT
Mounting: SMD
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 6
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Case: DHVQFN16
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
NVT2006BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+46.96 грн
14+ 43.49 грн
25+ 29.24 грн
Мінімальне замовлення: 13
NVT2006BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Manufacturer series: NVT
Mounting: SMD
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 6
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Case: DHVQFN16
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
товар відсутній
NVT2006BS
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2006BS,118NXPDescription: NXP - NVT2006BS,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, HVQFN-16
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: HVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.16 грн
11+ 69.1 грн
50+ 59.84 грн
100+ 46.96 грн
250+ 43.09 грн
500+ 42.84 грн
1000+ 42.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BI VOLT-LVL TRANS OPEN-DRAIN P-P APP
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.73 грн
10+ 56.44 грн
100+ 40.09 грн
500+ 37.56 грн
1000+ 32.56 грн
2500+ 30.43 грн
6000+ 28.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2006BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16HVQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-HVQFN (3x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 1
на замовлення 6274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.08 грн
10+ 66.25 грн
25+ 62.9 грн
100+ 48.48 грн
250+ 45.32 грн
500+ 40.05 грн
1000+ 31.1 грн
2500+ 29.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+44.42 грн
265+ 44.17 грн
290+ 40.33 грн
293+ 38.5 грн
500+ 34.79 грн
1000+ 32.16 грн
3000+ 30.93 грн
6000+ 29.7 грн
Мінімальне замовлення: 263
NVT2006BS,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Manufacturer series: NVT
Mounting: SMD
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 6
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Case: HVQFN16
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
товар відсутній
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 3823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+30.06 грн
412+ 28.37 грн
421+ 27.78 грн
500+ 26.02 грн
1000+ 23.39 грн
Мінімальне замовлення: 389
NVT2006BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16HVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-HVQFN (3x3)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Last Time Buy
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2006BS,118NXPDescription: NXP - NVT2006BS,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 6 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, HVQFN-16
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: HVQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 6Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.96 грн
250+ 43.09 грн
500+ 42.84 грн
1000+ 42.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.08 грн
15+ 41.24 грн
25+ 41.02 грн
100+ 36.11 грн
250+ 33.1 грн
500+ 31.01 грн
1000+ 29.86 грн
3000+ 28.72 грн
6000+ 27.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2006BS,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Manufacturer series: NVT
Mounting: SMD
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 6
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Case: HVQFN16
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
кількість в упаковці: 6000 шт
товар відсутній
NVT2006BS,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin HVQFN EP T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
414+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 414
NVT2006BSHPNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-DHVQFN (2.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT2006PW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2006PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16TSSOP
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 12181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.08 грн
10+ 66.25 грн
25+ 62.9 грн
100+ 48.48 грн
250+ 45.32 грн
500+ 40.05 грн
1000+ 31.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2006PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Manufacturer series: NVT
Mounting: SMD
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 6
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Case: TSSOP16
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NVT2006PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Manufacturer series: NVT
Mounting: SMD
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 6
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Case: TSSOP16
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
товар відсутній
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2006PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.66 грн
5000+ 29.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVT2006PW,118NXP/Nexperia/We-EnСтандартна логіка; Uживл, В = 1,0...3,6; 1,8...5,5; К-сть. л.е./тип л. е. = 1 6-канальний двонапрямлений транслятор; Тип виходу = з відкритим стоком; 2-тактний; Тексп, °С = -40...+85; TSSOP-16
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+72.56 грн
10+ 61.76 грн
25+ 61.13 грн
100+ 46.11 грн
250+ 42.28 грн
500+ 37.92 грн
1000+ 27.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 2.1-5V
на замовлення 32778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.13 грн
10+ 73.37 грн
100+ 49.95 грн
500+ 41.22 грн
1000+ 32.5 грн
2500+ 30.37 грн
5000+ 28.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2006PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 16-Pin TSSOP T/R
на замовлення 2187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+66.51 грн
178+ 65.84 грн
227+ 51.5 грн
250+ 49.18 грн
500+ 42.54 грн
1000+ 29.7 грн
Мінімальне замовлення: 176
NVT2008BQ
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2008BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 18754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.64 грн
10+ 65.07 грн
25+ 61.74 грн
100+ 47.6 грн
250+ 44.5 грн
500+ 39.32 грн
1000+ 30.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+60.53 грн
195+ 59.92 грн
233+ 50.12 грн
250+ 47.85 грн
500+ 41.5 грн
1000+ 31.5 грн
3000+ 29.16 грн
Мінімальне замовлення: 193
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 60558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.78 грн
10+ 59.35 грн
100+ 41.49 грн
500+ 38.22 грн
1000+ 31.17 грн
3000+ 27.64 грн
6000+ 27.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+65.45 грн
11+ 56.21 грн
25+ 55.64 грн
100+ 44.88 грн
250+ 41.14 грн
500+ 36.99 грн
1000+ 29.25 грн
3000+ 27.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVT2008BQ,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-DHVQFN (4.5x2.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.06 грн
6000+ 29.33 грн
15000+ 28.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVT2008BQ,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin DHVQFN EP T/R
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+52.78 грн
241+ 48.62 грн
262+ 44.64 грн
270+ 41.81 грн
500+ 37.2 грн
1000+ 34.44 грн
Мінімальне замовлення: 222
NVT2008BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: DHVQFN20
Manufacturer series: NVT
Kind of output: open drain; push-pull
Number of inputs: 8
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
товар відсутній
NVT2008BQ,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Case: DHVQFN20
Manufacturer series: NVT
Kind of output: open drain; push-pull
Number of inputs: 8
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
NVT2008PW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 30237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.68 грн
10+ 79.65 грн
100+ 56.74 грн
500+ 46.82 грн
1000+ 40.42 грн
2500+ 38.02 грн
5000+ 36.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2008PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Manufacturer series: NVT
Mounting: SMD
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 8
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Case: TSSOP20
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+92.14 грн
128+ 91.25 грн
160+ 73.29 грн
250+ 68.2 грн
500+ 40.58 грн
Мінімальне замовлення: 127
NVT2008PW,118
Код товару: 189102		Мікросхеми > Логіка
товар відсутній
NVT2008PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Manufacturer series: NVT
Mounting: SMD
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 8
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Case: TSSOP20
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
товар відсутній
NVT2008PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.85 грн
10+ 86.92 грн
25+ 82.49 грн
100+ 63.6 грн
250+ 59.46 грн
500+ 52.54 грн
1000+ 40.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+103.18 грн
124+ 94.74 грн
152+ 77.09 грн
200+ 69.55 грн
500+ 64.22 грн
1000+ 54.76 грн
2000+ 51.11 грн
2500+ 50.94 грн
5000+ 49.66 грн
Мінімальне замовлення: 114
NVT2008PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 20TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 8
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.84 грн
5000+ 39.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVT2008PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 8-CH Bidirectional 20-Pin TSSOP T/R
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+98.43 грн
10+ 85.56 грн
25+ 84.73 грн
100+ 65.63 грн
250+ 58.64 грн
500+ 36.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVT2010BQ,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24DHVQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-DHVQFN (5.5x3.5)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+172.17 грн
Мінімальне замовлення: 210
NVT2010BQ,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin DHVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2010BQ,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 26700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.34 грн
10+ 79.65 грн
100+ 54.21 грн
500+ 47.81 грн
1000+ 37.76 грн
1500+ 35.83 грн
3000+ 33.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2010BS,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24HVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-HVQFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 35933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.32 грн
10+ 76.86 грн
25+ 72.98 грн
100+ 56.25 грн
250+ 52.58 грн
500+ 46.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2010BS,115NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24HVQFN
Features: Auto-Direction Sensing
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFQFN Exposed Pad
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-HVQFN (4x4)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+40.59 грн
3000+ 36.48 грн
7500+ 34.66 грн
10500+ 31.3 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVT2010BS,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Mounting: SMD
Case: HVQFN24
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: NVT
Type of integrated circuit: digital
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 10
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2010BS,115NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin HVQFN EP T/R
товар відсутній
NVT2010BS,115NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Mounting: SMD
Case: HVQFN24
Kind of package: reel; tape
Manufacturer series: NVT
Type of integrated circuit: digital
Delay time: 1.5ns
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 10
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
товар відсутній
NVT2010BS,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR VOLT 24HVQFN
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT2010PW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT2010PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 6342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.88 грн
10+ 76.1 грн
25+ 72.23 грн
100+ 55.67 грн
250+ 52.04 грн
500+ 45.99 грн
1000+ 35.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2010PW,118NXPDescription: NXP - NVT2010PW,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 10 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 10Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.08 грн
10+ 83.67 грн
50+ 72.24 грн
100+ 56.4 грн
250+ 49.05 грн
500+ 46.04 грн
1000+ 36.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVT2010PW,118NXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 24TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 10
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.5 грн
5000+ 34.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+84.88 грн
10+ 76.21 грн
25+ 68.5 грн
100+ 59.74 грн
250+ 49.48 грн
500+ 41.39 грн
1000+ 32.19 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVT2010PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Manufacturer series: NVT
Mounting: SMD
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 10
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Case: TSSOP24
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
товар відсутній
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsVoltage Level Translator 10-CH Bidirectional 24-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+82.08 грн
159+ 73.77 грн
175+ 66.72 грн
250+ 57.55 грн
500+ 46.43 грн
1000+ 34.67 грн
Мінімальне замовлення: 143
NVT2010PW,118NXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
на замовлення 11817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.56 грн
10+ 78.11 грн
100+ 53.81 грн
500+ 47.88 грн
1000+ 37.83 грн
2500+ 35.23 грн
5000+ 33.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT2010PW,118
Код товару: 163785		Мікросхеми > Джерел живлення
товар відсутній
NVT2010PW,118NXPCategory: Level translators
Description: IC: digital; bidirectional,logic level voltage translator; SMD
Manufacturer series: NVT
Mounting: SMD
Supply voltage: 1...3.6V DC; 1.8...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Number of inputs: 10
Kind of output: open drain; push-pull
Kind of package: reel; tape
Delay time: 1.5ns
Type of integrated circuit: digital
Case: TSSOP24
Kind of integrated circuit: bidirectional; logic level voltage translator
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
NVT2010PW,118NXPDescription: NXP - NVT2010PW,118 - Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer, 10 Eingänge, 1.5ns, 1.8V bis 5.5V, TSSOP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -A
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Ausbreitungsverzögerung: 1.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 10Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.4 грн
250+ 49.05 грн
500+ 46.04 грн
1000+ 36.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVT210CDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
NVT210CDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
NVT210CDM3R2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors TEMP SENSOR
товар відсутній
NVT210CDM3R2GON SemiconductorDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C MICRO8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT210CMTR2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMAL SENSOR
товар відсутній
NVT210CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+329.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVT210CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+627.44 грн
10+ 545.65 грн
25+ 520.32 грн
100+ 404.92 грн
250+ 369.19 грн
500+ 345.37 грн
1000+ 304.57 грн
NVT210DDM3R2GRochester Electronics, LLCDescription: DIGITAL TEMPERATURE SENSOR WITH
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVT210DDM3R2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin Micro T/R
товар відсутній
NVT210DDM3R2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors TEMP SENSOR
товар відсутній
NVT210DMTR2GON SemiconductorBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMAL SENSOR
товар відсутній
NVT210DMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: -20°C ~ 110°C
Accuracy - Highest (Lowest): ±2.5°C
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
товар відсутній
NVT211CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+627.44 грн
10+ 545.65 грн
25+ 520.32 грн
100+ 404.92 грн
250+ 369.19 грн
500+ 345.37 грн
1000+ 304.57 грн
NVT211CMTR2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin WDFN T/R
товар відсутній
NVT211CMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
NVT211CMTR2GonsemiBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMALSENSOR
товар відсутній
NVT211DMTR2GonsemiBoard Mount Temperature Sensors REMOTE THERMALSENSOR
товар відсутній
NVT211DMTR2GonsemiDescription: SENSOR DIGITAL -40C-125C 8WDFN
Features: One-Shot, Output Switch, Programmable Limit, Shutdown Mode, Standby Mode
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WFDFN
Output Type: I2C/SMBus
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2.8V ~ 3.6V
Sensor Type: Digital, Local/Remote
Resolution: 8 b
Supplier Device Package: 8-WDFN (2x2)
Test Condition: 0°C ~ 70°C (-20°C ~ 110°C)
Accuracy - Highest (Lowest): ±1°C (±2.5°C)
Sensing Temperature - Local: -40°C ~ 125°C
Sensing Temperature - Remote: -64°C ~ 191°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній
NVT211DMTR2GON SemiconductorTemp Sensor Digital Serial (2-Wire) Automotive 8-Pin WDFN T/R
товар відсутній
NVT2200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 2.2kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT2200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 2.2kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT22000OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 22kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 22kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT22000OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 22kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 22kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT2201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 2.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT2201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 2.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 2.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT224RQR2GON SemiconductorDescription: IC REMOTE THERMAL SENSOR QSOP
товар відсутній
NVT27023121
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT27023135
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT31323873
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT31323915
на замовлення 17820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVT4201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 4.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 4.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+20212.29 грн
NVT4201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 4.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 4.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16843.58 грн
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator Bidirectional 12-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NVT4555UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
на замовлення 2389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.22 грн
10+ 94.97 грн
25+ 90.12 грн
100+ 69.48 грн
250+ 64.95 грн
500+ 57.39 грн
1000+ 46.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4555UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+72.31 грн
10+ 63.14 грн
25+ 62.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVT4555UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
товар відсутній
NVT4555UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
товар відсутній
NVT4556AUK012NXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+51.82 грн
Мінімальне замовлення: 396
NVT4556AUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
товар відсутній
NVT4556AUKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
товар відсутній
NVT4556AUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.45 грн
10+ 90.11 грн
25+ 85.52 грн
100+ 65.93 грн
250+ 61.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4556AUKZNXP SemiconductorsSIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLATOR WITH I2C-BUS CONTROL AND LDO
товар відсутній
NVT4556BUKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels Interface translator SIM card w I2C
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVT4556BUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NVT4556BUKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 12-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NVT4556BUKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 12WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.55V ~ 3.6V
Applications: SIM Card
Supplier Device Package: 12-WLCSP (1.20x1.60)
Part Status: Obsolete
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.45 грн
10+ 90.11 грн
25+ 85.52 грн
100+ 65.93 грн
250+ 61.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4557HKXNXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
товар відсутній
NVT4557HKXNXP USA Inc.Description: SIM CARD INTERFACE LEVEL TRANSLA
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.05 грн
5+ 83.94 грн
10+ 68.26 грн
25+ 55.15 грн
50+ 47.77 грн
100+ 43.34 грн
500+ 35.85 грн
1000+ 31.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT4557HKXNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SIM card interface level translator and supply voltage without LDO
на замовлення 15990 шт:
термін постачання 530-539 дні (днів)
5+75.13 грн
10+ 51.62 грн
100+ 41.15 грн
500+ 34.63 грн
1000+ 28.64 грн
2000+ 27.17 грн
4000+ 26.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVT4557UKAZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SIM card interface level translator and supply voltage without LDO
товар відсутній
NVT4558-4858-EVBNXP USA Inc.Description: NVT4558HK EVAL BOARD
Packaging: Box
Function: Transceiver
Type: Interface
Utilized IC / Part: NVT4558, NVT4858
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15562.72 грн
NVT4558-4858-EVBNXP SemiconductorsOther Development Tools NVT4558-4858-EVB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16377.57 грн
NVT4558HKXNXP USA Inc.Description: IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFQFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.98 V
Voltage - VCCB: 1.62 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT4558HKXNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels 1.2V SIM card interface level translator and supply voltage without LDO
товар відсутній
NVT4558HKXNXP USA Inc.Description: IC SIM CARD LEVEL TRANS XQFN10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFQFN
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 10MHz
Supplier Device Package: 10-XQFN (1.4x1.8)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.98 V
Voltage - VCCB: 1.62 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 20-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NVT4857UKAZNXP USA Inc.Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7)
Part Status: Active
на замовлення 39685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection
на замовлення 21491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.88 грн
10+ 94.2 грн
100+ 69.92 грн
250+ 65.66 грн
500+ 57.07 грн
1000+ 47.28 грн
2500+ 44.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4857UKAZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 20-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
NVT4857UKAZNXP USA Inc.Description: IC INTFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP (2.1x1.7)
Part Status: Active
на замовлення 46885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.01 грн
10+ 89.28 грн
25+ 84.24 грн
100+ 67.36 грн
250+ 63.25 грн
500+ 55.35 грн
1000+ 45.11 грн
2500+ 41.99 грн
5000+ 40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4857UKZNXP USA Inc.Description: IC INTERFACE SPECIALIZED 20WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 1.1V ~ 3.6V
Applications: Memory Card
Supplier Device Package: 20-WLCSP
товар відсутній
NVT4857UKZNXP SemiconductorsSD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card voltage level translator with EMI filter and ESD protection
товар відсутній
NVT4857UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels BL SECURE INTERFACES & POWER
товар відсутній
NVT4857UKZNXP SemiconductorsSD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card voltage level translator with EMI filter and ESD protection
товар відсутній
NVT4858-4557-EVBNXP SemiconductorsOther Development Tools Evalaution board for NVT4857 and NVT4858
на замовлення 2 шт:
термін постачання 182-191 дні (днів)
1+16242.39 грн
NVT4858-4557-EVBNXPDescription: NXP - NVT4858-4557-EVB - Referenzdesign-Board, INN3879C-H801, USB-Power-Delivery (PD)-Controller, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NVT4858, NVT4557
Kit-Anwendungsbereich: Schnittstelle
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: NXP
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NVT4858, NVT4557
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Spannungspegelumsetzer
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15466.78 грн
NVT4858-4557-EVBNXP USA Inc.Description: NVT4858 EVAL BOARD
Packaging: Box
Function: Level Shifter
Type: Interface
Utilized IC / Part: NVT4557, NVT4858
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
товар відсутній
NVT4858HKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16XQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-XFQFN
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.96 грн
10+ 68.47 грн
25+ 65.01 грн
100+ 50.11 грн
250+ 46.84 грн
500+ 41.39 грн
1000+ 32.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT4858HKZNXPDescription: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.08V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.98V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.61 грн
10+ 77.69 грн
50+ 66.79 грн
100+ 51.82 грн
250+ 45.08 грн
500+ 42.26 грн
1000+ 33.36 грн
2500+ 31.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVT4858HKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 6-CH Bidirectional 16-Pin XQFN T/R
товар відсутній
NVT4858HKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLTR BIDIRECTIONAL 16XQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-XFQFN
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-XQFN (1.8x2.6)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT4858HKZNXPDescription: NXP - NVT4858HKZ - Pegelumsetzer, 4 Eingänge, 1.08V bis 1.98V, xQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: XQFN
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.08V
Logiktyp: Pegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.98V
Anzahl der Eingänge: 4Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.82 грн
250+ 45.08 грн
500+ 42.26 грн
1000+ 33.36 грн
2500+ 31.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVT4858HKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO
на замовлення 7959 шт:
термін постачання 141-150 дні (днів)
4+87.02 грн
10+ 72.68 грн
100+ 48.28 грн
500+ 42.69 грн
1000+ 33.7 грн
2000+ 32.43 грн
4000+ 29.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVT4858UKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.38 грн
10+ 96.98 грн
25+ 92.07 грн
100+ 70.97 грн
250+ 66.34 грн
500+ 58.63 грн
1000+ 45.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4858UKZNXP SemiconductorsTranslation - Voltage Levels SD 3.0-SDR104 compliant integrated auto-direction control memory card with EMI filter and ESD protection without LDO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 220-229 дні (днів)
3+110.32 грн
10+ 98.03 грн
100+ 66.26 грн
500+ 54.74 грн
1000+ 43.22 грн
3000+ 40.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVT4858UKZNXP USA Inc.Description: IC TRANSLATOR BIDIR 16WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Output Type: Non-Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 104Mbps
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.84x1.87)
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 6
Voltage - VCCA: 1.08 V ~ 1.95 V
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товар відсутній
NVT4858UKZNXP SemiconductorsVoltage Level Translator 6-CH Bidirectional T/R
товар відсутній
NVT6200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.2kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+11521.2 грн
3+ 11062.18 грн
NVT6200OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.2kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9601 грн
NVT6201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVT6201OHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.2kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.2kg
Body dimensions: 240x250x74mm
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 0.1g
Operating temperature: 10...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: no
Measuring unit: ct; dwt; g; grn; kg; lb; lb:oz; N; oz; ozt
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT6400MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.4kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.4kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 2g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NVT6400MOHAUSCategory: Warehouse Devices
Description: Scales; electronic,counting,precision; Scale max.load: 6.4kg
Type of device: scales
Kind of scales: counting; electronic; precision
Scale load capacity max.: 6.4kg
Scale pan dimension: 230x174mm
Power supply: battery LR14 C 1,5V x4
Max. environment humidity: 85%
Readout graduation: 2g
Operating temperature: 0...40°C
Kind of display used: LCD
Legalization certificate: yes
Measuring unit: g; kg
Standard equipment: power supply
Plug variant: EU
Battery life: ~270h
Interface: Ethernet (option); RS232 (option); USB (option)
Manufacturer series: Navigator
Battery/ rechargeable battery: none
Illumination: yes
Supply voltage: 230V AC
товар відсутній
NVTA7002NT1GonsemiMOSFET NFET SC75 30V 154MA 7OHM
на замовлення 840928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.03 грн
20+ 15.39 грн
100+ 6.46 грн
1000+ 5.26 грн
3000+ 4 грн
9000+ 3.6 грн
24000+ 3.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+4.51 грн
198+ 2.93 грн
202+ 2.88 грн
217+ 2.57 грн
250+ 2.19 грн
500+ 1.92 грн
1000+ 1.74 грн
Мінімальне замовлення: 129
NVTA7002NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.92 грн
42+ 17.93 грн
100+ 11.13 грн
500+ 5.24 грн
3000+ 4.74 грн
9000+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 29
NVTA7002NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.65 грн
15+ 19.22 грн
100+ 10.9 грн
500+ 6.78 грн
1000+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NVTA7002NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.154A Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
NVTA7002NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.84 грн
6000+ 4.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTA7002NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 1.4 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.24 грн
3000+ 4.74 грн
9000+ 4.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
NVTA7002NT1GON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTC040N120M3SON SemiconductorNVTC040N120M3S
товар відсутній
NVTE4151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NVTE4151PT1GON SemiconductorMOSFET PFET SC89 760MA 20V TR
товар відсутній
NVTFS002N04CLTAGonsemiMOSFET 40V 2.2 mOhm 142A Single N-Channel
на замовлення 1459 шт:
термін постачання 963-972 дні (днів)
2+174.03 грн
10+ 147.8 грн
100+ 103.22 грн
250+ 99.22 грн
500+ 85.24 грн
1000+ 74.58 грн
1500+ 66.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVTFS002N04CLTAGON Semiconductor
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS002N04CTAGON SemiconductorPower MOSFET
товар відсутній
NVTFS002N04CTAGonsemiMOSFET 40V 2.4 mOhms 136A Single N-Channel
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 898-907 дні (днів)
3+117.32 грн
10+ 93.43 грн
100+ 66.26 грн
250+ 63.2 грн
500+ 56.07 грн
1000+ 52.74 грн
1500+ 47.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS003N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS004N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
4+102.55 грн
10+ 83.48 грн
100+ 56.14 грн
500+ 47.55 грн
1500+ 38.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS004N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS005N04CTAGON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.54 грн
10+ 98.5 грн
100+ 76.78 грн
500+ 59.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
715+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 715
NVTFS005N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 88.07 грн
100+ 59.67 грн
500+ 50.61 грн
1000+ 41.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFS010N10MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LL IN
на замовлення 40870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.32 грн
10+ 89.6 грн
100+ 60.33 грн
500+ 51.14 грн
1000+ 45.95 грн
1500+ 39.29 грн
3000+ 36.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.57 грн
10+ 80.26 грн
100+ 62.44 грн
500+ 49.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS010N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A/57.8 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.77 грн
3000+ 40.59 грн
7500+ 38.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.22 грн
500+ 28.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS014P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.55 грн
10+ 58.28 грн
100+ 39.42 грн
500+ 33.43 грн
1000+ 27.17 грн
1500+ 25.64 грн
3000+ 24.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.55 грн
10+ 51.96 грн
100+ 40.39 грн
500+ 32.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.44 грн
13+ 61.56 грн
100+ 44.22 грн
500+ 28.3 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFS014P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 5259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS014P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS015N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.45 грн
10+ 45.64 грн
100+ 32.96 грн
500+ 28.77 грн
1000+ 23.44 грн
1500+ 22.04 грн
3000+ 20.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS015N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 9.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.91 грн
10+ 44.67 грн
100+ 34.77 грн
500+ 27.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS015N04CTAGON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiMOSFET Power MOSFET, Single, P-Channel, u8FL -30 V, 7.5 mohm, -88.6 A
товар відсутній
NVTFS015P03P8ZTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній
NVTFS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFS016N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.56 грн
10+ 85.01 грн
100+ 57 грн
500+ 47.08 грн
1000+ 36.83 грн
1500+ 31.3 грн
3000+ 31.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS016N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVTFS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFS020N06CTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 20.3 m, 27 A Active OPN
товар відсутній
NVTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFS020N06CTAGON Semiconductor
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFS020N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.25 грн
10+ 64.87 грн
100+ 43.89 грн
500+ 37.23 грн
1000+ 30.3 грн
1500+ 28.57 грн
3000+ 27.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS024N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 225-234 дні (днів)
5+77.3 грн
10+ 62.87 грн
100+ 42.55 грн
500+ 36.03 грн
1000+ 29.37 грн
1500+ 27.64 грн
3000+ 26.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS024N06CTAGON SemiconductorSingle N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVTFS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS024N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NVTFS027N10MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LL U8FL
на замовлення 11972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.33 грн
10+ 49.32 грн
100+ 29.3 грн
500+ 24.44 грн
1000+ 20.78 грн
1500+ 18.91 грн
3000+ 17.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.39 грн
3000+ 19.2 грн
7500+ 18.19 грн
10500+ 15.81 грн
37500+ 15.65 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS027N10MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTFS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.59 грн
10+ 43.84 грн
100+ 30.32 грн
500+ 23.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS030N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
5+71.55 грн
10+ 58.43 грн
100+ 39.49 грн
500+ 33.5 грн
1000+ 27.24 грн
1500+ 25.64 грн
3000+ 24.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.5 грн
10+ 35.66 грн
100+ 24.72 грн
500+ 19.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS040N10MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LL U8FL
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.23 грн
10+ 40.28 грн
100+ 23.91 грн
500+ 19.98 грн
1000+ 14.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.25 грн
3000+ 15.65 грн
7500+ 14.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS040N10MCLTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTFS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
товар відсутній
NVTFS052P04M8LTAGON SemiconductorPower, Single P-Channel, -40 V, -13.2 A
товар відсутній
NVTFS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
товар відсутній
NVTFS052P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 8876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.15 грн
10+ 53.61 грн
100+ 32.3 грн
500+ 26.97 грн
1000+ 22.91 грн
1500+ 19.45 грн
3000+ 19.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS070N10MCLTAGON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVTFS070N10MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LL U8FL
товар відсутній
NVTFS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4823NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4823NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4823NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4823NTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4823NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4823NTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4823NWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4823NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4823NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
товар відсутній
NVTFS4823NWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 30A 10.5mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS4823NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4824NTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4824NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4824NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4824NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4824NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM
товар відсутній
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 18.2A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4824NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
товар відсутній
NVTFS4824NWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 30V 46A 4.7mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS4824NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A Automotive T/R
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGonsemiMOSFET T6 30V NCH U8FL
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.05 грн
10+ 130.19 грн
100+ 90.57 грн
500+ 76.58 грн
1000+ 65.06 грн
1500+ 60.27 грн
3000+ 58.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVTFS4C02NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 28.3A 8-Pin WDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C02NTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C02NWFTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C02NWFTAGonsemiMOSFET MOSFET - Single N-Channel Power, N-Channel, u8FL, 30V, 162 A, 2.25 mohm
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.13 грн
10+ 158.53 грн
100+ 111.21 грн
500+ 93.23 грн
1000+ 79.25 грн
1500+ 69.92 грн
4500+ 67.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVTFS4C02NWFTAGonsemiDescription: MOSFET - SINGLE N-CHANNEL POWER,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.3A (Ta), 162A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C05NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.78 грн
10+ 91.14 грн
100+ 64.1 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C05NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C05NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1988 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C05NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 75A 3.6MOHM
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.77 грн
10+ 89.6 грн
100+ 61.93 грн
250+ 57.14 грн
500+ 51.88 грн
1000+ 44.48 грн
1500+ 42.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS4C05NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 22A U8FL
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4C05NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 102 A 3.6MOH
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4C05NWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C05NWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 102 A, 0.0029 ohm, WDFN
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 102
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NVTFS4C05NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C06NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
товар відсутній
NVTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C06NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C06NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C06NTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 71A 4.2MOHM
товар відсутній
NVTFS4C06NTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 71A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1683 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTFS4C06NWFTWGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 71A, 4.2mohm
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 55A, 5.9mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 458-467 дні (днів)
4+97.12 грн
10+ 86.54 грн
100+ 58.14 грн
500+ 48.08 грн
1000+ 37.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS4C08NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1113 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C08NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4C08NTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товар відсутній
NVTFS4C08NTWGRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
на замовлення 27661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4C08NTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4C08NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS4C08NWFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTAGRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4C08NWFTWGRochester Electronics, LLCDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4C08NWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 55A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C10Nonsemionsemi NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
товар відсутній
NVTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C10NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 44A 7.4MOHM
товар відсутній
NVTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C10NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C10NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C10NWFTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 47A 7.4MOHM
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.88 грн
10+ 85.01 грн
100+ 57.14 грн
500+ 48.41 грн
1000+ 44.75 грн
1500+ 38.76 грн
3000+ 35.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C10NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+96.53 грн
10+ 76.17 грн
100+ 59.24 грн
500+ 47.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS4C10NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C10NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 993 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.81 грн
13+ 57.9 грн
100+ 41.39 грн
500+ 35.52 грн
1500+ 30.1 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.11 грн
10+ 50.36 грн
100+ 39.16 грн
500+ 31.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS4C13NTAGonsemiMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
товар відсутній
NVTFS4C13NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C13NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS4C13NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.39 грн
500+ 35.52 грн
1500+ 30.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS4C13NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS4C13NTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A U8FL
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4C13NTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
товар відсутній
NVTFS4C13NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A U8FL
товар відсутній
NVTFS4C13NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
на замовлення 4290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS4C13NWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A U8FL
товар відсутній
NVTFS4C13NWFTWGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 40A 9.4MOHM
товар відсутній
NVTFS4C13NWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS4C25NTAGonsemiMOSFET NFET U8FL 30V 27A 17MOHM
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.33 грн
10+ 55.06 грн
100+ 33.16 грн
500+ 27.77 грн
1000+ 25.71 грн
1500+ 23.04 грн
3000+ 19.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS4C25NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 27A U8FL
товар відсутній
NVTFS4C25NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 10.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS4C25NWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS4C25NWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS4C25NWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 30V 22A 17MOHM
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5116PLonsemionsemi PFET U8FL 60V 14A 52MOHM
товар відсутній
NVTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.55 грн
500+ 34.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+59.57 грн
12+ 49.67 грн
25+ 47.54 грн
100+ 37.51 грн
250+ 33.7 грн
500+ 28.11 грн
1000+ 21.82 грн
3000+ 21.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFS5116PLTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.4 грн
25+ 32.6 грн
69+ 30.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.19 грн
10+ 44.74 грн
100+ 34.8 грн
500+ 27.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5116PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 5936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.95 грн
13+ 61.11 грн
100+ 43.55 грн
500+ 34.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+53.5 грн
228+ 51.2 грн
279+ 41.89 грн
288+ 39.2 грн
500+ 31.53 грн
1000+ 23.5 грн
3000+ 22.93 грн
Мінімальне замовлення: 219
NVTFS5116PLTAGONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; 1.6W; WDFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: WDFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+55.32 грн
25+ 39.12 грн
69+ 36.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS5116PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5116PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS5116PLTAGonsemiMOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm
на замовлення 19592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.68 грн
10+ 49.63 грн
100+ 33.63 грн
500+ 28.5 грн
1000+ 23.24 грн
1500+ 21.84 грн
3000+ 20.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.78 грн
500+ 29.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLTWGonsemiMOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm
на замовлення 24232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+78.47 грн
10+ 64.25 грн
100+ 43.49 грн
500+ 36.83 грн
1000+ 30.03 грн
2500+ 28.24 грн
5000+ 26.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.48 грн
10+ 57.85 грн
100+ 45.01 грн
500+ 35.8 грн
1000+ 29.17 грн
2000+ 27.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5116PLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5116PLTWG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.037 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
на замовлення 4745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.91 грн
12+ 67.46 грн
100+ 48.78 грн
500+ 29.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVTFS5116PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+28.94 грн
10000+ 26.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.81 грн
10+ 75.47 грн
100+ 58.69 грн
500+ 46.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5116PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 901-910 дні (днів)
4+103.33 грн
10+ 83.48 грн
100+ 56.74 грн
500+ 48.08 грн
1000+ 39.16 грн
1500+ 36.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5116PLWFTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTWGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 14A 52mOhm SGL P-CH
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+105.66 грн
10+ 85.77 грн
100+ 57.34 грн
500+ 48.61 грн
1000+ 38.09 грн
2500+ 37.29 грн
5000+ 35.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS5116PLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5116PLWFTWGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5124PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5124PLTAGonsemiMOSFET PFET U8FL 60V 8A 260MOHM
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.26 грн
10+ 56.75 грн
100+ 37.83 грн
500+ 29.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5124PLTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.4A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5124PLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5124PLTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.4 A, 0.2 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.92 грн
14+ 54.09 грн
100+ 37.88 грн
500+ 27.89 грн
1500+ 20.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTFS5124PLTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5124PLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
товар відсутній
NVTFS5124PLTWGonsemiMOSFET PFET U8FL 60V 8A 260MOHM
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.82 грн
10+ 52 грн
100+ 34.7 грн
500+ 27.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5124PLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.4A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5124PLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5124PLWFTAGonsemiMOSFET Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.33 грн
10+ 62.8 грн
100+ 41.02 грн
500+ 32.43 грн
1000+ 25.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS5124PLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
товар відсутній
NVTFS5124PLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 8A 260mOhm SGL P-CH
товар відсутній
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5811NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 40V,40A,6.5mOhm
товар відсутній
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5811NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
товар відсутній
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5811NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 40A U8FL
товар відсутній
NVTFS5811NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5820NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,29A,11.5mohm
товар відсутній
NVTFS5820NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 29A 11.5mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A U8FL
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 37A U8FL
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 29A 11.5mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS5820NLWFTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 11A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
товар відсутній
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5824NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5824NLTAG-ONonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
на замовлення 18870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товар відсутній
NVTFS5824NLTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5824NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTAGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+373.15 грн
Мінімальне замовлення: 97
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorMOSFET NFET U8FL 60V 20A 25
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товар відсутній
NVTFS5824NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLTAGON Semiconductor
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5826NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorMOSFET Single N-Channel 60V,20A,24mohm
на замовлення 3812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 7177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+21.52 грн
100+ 20.44 грн
250+ 18.62 грн
500+ 17.59 грн
1000+ 17.31 грн
3000+ 17.03 грн
6000+ 16.74 грн
Мінімальне замовлення: 27
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5826NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorMOSFET Pwr MOSFET 60V 20A 24mOhm SGL N-CH
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7.6A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5826NLWFTWGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 20A U8FL
товар відсутній
NVTFS5C453NLTAGON SemiconductorMOSFET T6 40VNCH LL IN U8FL
товар відсутній
NVTFS5C453NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C453NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C453NLWFTAG - MOSFET, N-CH, 40V, 107A, 175DEG C, 68W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 107
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: Lead
товар відсутній
NVTFS5C453NLWFTAGON SemiconductorMOSFET T6 40VNCH LL IN U8FL WF
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C453NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5C454NLTAGON SemiconductorMOSFET T6 40VNCH LL IN U8FL
товар відсутній
NVTFS5C454NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C454NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C454NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0033 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5C454NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C454NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 85A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C454NLWFTAGON SemiconductorMOSFET T6 40VNCH LL IN U8FL WF
на замовлення 7411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C454NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C466NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 4379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C466NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C466NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C466NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS5C471NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C471NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C471NLTAGonsemiMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
товар відсутній
NVTFS5C471NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C471NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS5C471NLWFTAGonsemiMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 300 шт:
термін постачання 252-261 дні (днів)
3+118.09 грн
10+ 104.15 грн
100+ 70.59 грн
500+ 58.27 грн
1000+ 47.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C471NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 41A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C478NLTAGON Semiconductor
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS5C478NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C478NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 40V LL U8FL WF
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C478NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 26A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 109A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C658NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 114
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.2
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C658NLTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C658NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+135.21 грн
10+ 102.34 грн
100+ 72.99 грн
500+ 52.51 грн
1500+ 47.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5C658NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C658NLWFTAGON SemiconductorMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C670NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C670NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.1 грн
10+ 90.37 грн
100+ 61.33 грн
500+ 51.94 грн
1000+ 42.29 грн
1500+ 39.82 грн
3000+ 37.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5C670NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5C670NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL WF
товар відсутній
NVTFS5C670NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16A/70A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+37.62 грн
3000+ 34.1 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS5C673NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C673NLTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.23 грн
10+ 71.91 грн
100+ 50.01 грн
500+ 43.02 грн
1000+ 39.96 грн
1500+ 34.96 грн
3000+ 31.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5C673NLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C673NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.72 грн
10+ 67.43 грн
100+ 52.47 грн
500+ 41.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0081 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS5C673NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C673NLWFTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C673NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0081 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.49 грн
10+ 96.37 грн
100+ 72.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiMOSFET T6 60V NCH LL U8FL WF
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS5C673NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C673NLWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS5C680NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C680NLTAGonsemiMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.28 грн
10+ 48.48 грн
100+ 32.83 грн
500+ 27.84 грн
1000+ 24.31 грн
1500+ 20.58 грн
3000+ 20.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVTFS5C680NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7.82A/20A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS5C680NLWFTAGonsemiMOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 330-339 дні (днів)
5+77.3 грн
10+ 63.03 грн
100+ 42.69 грн
500+ 36.16 грн
1000+ 29.43 грн
1500+ 27.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS6H850NLTAGON SemiconductorPower MOSFET 80 V, 8.6 mW, 64 A, Single N-Channel
товар відсутній
NVTFS6H850NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS6H850NLWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.43 грн
13+ 61.78 грн
100+ 45.42 грн
500+ 33.44 грн
1500+ 24.27 грн
4500+ 23.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H850NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 619-628 дні (днів)
5+70.78 грн
10+ 57.74 грн
100+ 39.16 грн
500+ 33.16 грн
1000+ 26.97 грн
1500+ 25.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+76.26 грн
10+ 75.52 грн
25+ 74.78 грн
100+ 71.4 грн
250+ 65.45 грн
500+ 62.2 грн
1000+ 61.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.55 грн
10+ 52.1 грн
100+ 40.49 грн
500+ 32.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS6H850NTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.42 грн
500+ 33.44 грн
1500+ 24.27 грн
4500+ 23.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS6H850NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+81.33 грн
145+ 80.54 грн
147+ 79.74 грн
250+ 76.13 грн
500+ 69.77 грн
1000+ 66.3 грн
Мінімальне замовлення: 144
NVTFS6H850NTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS6H850NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+33.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS6H850NWFTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.36 грн
10+ 60.14 грн
100+ 46.79 грн
500+ 37.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFS6H850NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
товар відсутній
NVTFS6H854NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS6H854NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
товар відсутній
NVTFS6H854NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H854NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
товар відсутній
NVTFS6H854NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS6H854NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 9.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H860NLTAGonsemiMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.3 грн
10+ 63.03 грн
100+ 42.69 грн
500+ 36.16 грн
1000+ 29.43 грн
1500+ 27.77 грн
3000+ 26.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFS6H860NLTAGON SemiconductorDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
товар відсутній
NVTFS6H860NLTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V LL U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS6H860NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
товар відсутній
NVTFS6H860NTAGON Semiconductor
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS6H860NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H860NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H860NTAGonsemiMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 837-846 дні (днів)
7+46.77 грн
10+ 40.21 грн
100+ 26.77 грн
500+ 21.24 грн
1000+ 16.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS6H860NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 8A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H860NWFTAGON SemiconductorMOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
товар відсутній
NVTFS6H880NLWFTAGON SemiconductorMOSFET Power, Single N Channel, 80 V, 29 m, 22 A
товар відсутній
NVTFS6H880NLWFTAGON Semiconductor
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H880NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
товар відсутній
NVTFS6H880NTAGON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS6H880NTAGonsemiMOSFET T8 80V U8FL
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 649-658 дні (днів)
7+46.77 грн
10+ 39.21 грн
100+ 25.51 грн
500+ 20.04 грн
1000+ 15.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS6H880NWFTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V U8FL
товар відсутній
NVTFS6H880NWFTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 6.3A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H888NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.27 грн
500+ 23.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFS6H888NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS6H888NLTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS6H888NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 14 A, 0.041 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.51 грн
17+ 46.24 грн
100+ 32.27 грн
500+ 23.65 грн
Мінімальне замовлення: 14
NVTFS6H888NLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 4.9A/14A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS6H888NLWFTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 8WDFN
товар відсутній
NVTFS6H888NTAGON Semiconductor
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
на замовлення 9370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS6H888NTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H888NTAGonsemiMOSFET T8 80V U8FL
товар відсутній
NVTFS6H888NWFTAGON SemiconductorMOSFET T8 80V U8FL
товар відсутній
NVTFS8D1N08HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
товар відсутній
NVTFS8D1N08HTAGonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 80V 61A
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8Lonsemionsemi
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.04 грн
10+ 87.4 грн
100+ 62.98 грн
500+ 54.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.88 грн
10+ 85.01 грн
100+ 56.14 грн
500+ 47.55 грн
1000+ 38.69 грн
1500+ 36.43 грн
3000+ 34.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS9D6P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.98 грн
500+ 54.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTFWS002N04CLTAGonsemiMOSFET 40V 2.0 Ohm 142A Single N-Channel
товар відсутній
NVTFWS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFWS002N04CLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 28A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFWS002N04CLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/142A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFWS002N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFWS002N04CTAGON SemiconductorPower MOSFET
товар відсутній
NVTFWS002N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 27A/136A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFWS002N04CTAGonsemiMOSFET 40V 2.4 Ohm 136A Single N-Channel
товар відсутній
NVTFWS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS003N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 669-678 дні (днів)
3+125.08 грн
10+ 102.62 грн
100+ 71.26 грн
250+ 67.93 грн
500+ 59.2 грн
1000+ 50.74 грн
1500+ 48.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFWS003N04CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS003N04CTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 103 A, 0.0035 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 103
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NVTFWS003N04CTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFWS003N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS004N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
товар відсутній
NVTFWS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS004N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/77A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 38775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.29 грн
10+ 82.2 грн
100+ 65.41 грн
500+ 51.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFWS005N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 410-419 дні (днів)
3+114.98 грн
10+ 102.62 грн
100+ 71.92 грн
500+ 58.6 грн
1000+ 48.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFWS005N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTFWS008N04CTAGonsemiMOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+104.11 грн
10+ 84.24 грн
100+ 56.87 грн
500+ 48.21 грн
1000+ 39.29 грн
1500+ 36.89 грн
3000+ 35.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFWS010N10MCLTAGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFN EP Reel
товар відсутній
NVTFWS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
товар відсутній
NVTFWS010N10MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LL IN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 182-191 дні (днів)
3+114.98 грн
10+ 93.43 грн
100+ 63.2 грн
500+ 53.27 грн
1500+ 43.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFWS010N10MCLTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
товар відсутній
NVTFWS014P04M8LTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
товар відсутній
NVTFWS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.44 грн
13+ 59.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVTFWS014P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mO, -49 A
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTFWS014P04M8LTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFWS014P04M8LTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFWS014P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 7080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.55 грн
10+ 56.44 грн
100+ 38.96 грн
500+ 33.03 грн
1500+ 26.9 грн
3000+ 26.37 грн
9000+ 23.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS015N04CTAGonsemiMOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 1095-1104 дні (днів)
4+85.46 грн
10+ 68.46 грн
100+ 46.35 грн
500+ 39.29 грн
1000+ 34.23 грн
1500+ 29.03 грн
3000+ 28.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFWS015N04CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.8 грн
10+ 60.97 грн
100+ 47.42 грн
500+ 37.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFWS015P03P8ZTAGonsemiMOSFET PT8P PORTFOLIO EXPANSION
товар відсутній
NVTFWS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS015P03P8ZTAGonsemiDescription: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 88.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2706 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFWS016N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFWS016N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NVTFWS020N06CTAGON SemiconductorMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NVTFWS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFWS020N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
товар відсутній
NVTFWS020N06CTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 20.3 m, 27 A
товар відсутній
NVTFWS024N06CTAGONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFWS024N06CTAG - POWER MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, µ8FL,
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
NVTFWS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS024N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товар відсутній
NVTFWS024N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.9 грн
3000+ 25.29 грн
7500+ 24.09 грн
10500+ 21.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFWS027N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.39 грн
10+ 50.01 грн
100+ 38.92 грн
500+ 30.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS030N06CTAGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 29.7 m, 19 A
товар відсутній
NVTFWS030N06CTAGonsemiMOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
4+85.46 грн
10+ 69.38 грн
100+ 46.95 грн
500+ 39.82 грн
1000+ 32.36 грн
1500+ 30.5 грн
3000+ 29.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFWS030N06CTAGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.23 грн
10+ 50.92 грн
100+ 35.25 грн
500+ 27.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LL U8FL
товар відсутній
NVTFWS040N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 26µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+26.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFWS052P04M8LTAGON SemiconductorPower, Single P-Channel, -40 V, -13.2 A
товар відсутній
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
товар відсутній
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
товар відсутній
NVTFWS052P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.15 грн
10+ 54.37 грн
100+ 32.3 грн
500+ 26.97 грн
1000+ 22.91 грн
1500+ 20.78 грн
3000+ 19.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiMOSFET PTNG 100V LL U8FL
товар відсутній
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS070N10MCLTAGonsemiDescription: PTNG 100V LL U8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 15µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTFWS8D1N08HTAGonsemiDescription: 80V T8 IN U8FL HEFET PACK
товар відсутній
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
на замовлення 7339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFWS9D6P04M8LTAGonsemiMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 14935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+ 71.22 грн
100+ 48.55 грн
500+ 41.15 грн
1000+ 33.5 грн
1500+ 31.5 грн
3000+ 30.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFWS9D6P04M8LTAGON SemiconductorMOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTGS3455T1GON SemiconductorMOSFET
товар відсутній
NVTGS3455T1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
товар відсутній
NVTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 465257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+22.33 грн
19+ 15.33 грн
100+ 7.72 грн
500+ 6.42 грн
1000+ 4.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
NVTJD4001NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.95 грн
6000+ 4.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.272W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+25.1 грн
13+ 21.01 грн
15+ 17.65 грн
25+ 11.15 грн
100+ 10.07 грн
115+ 8.41 грн
315+ 7.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVTJD4001NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 0.25A Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NVTJD4001NT1GonsemiMOSFET NFET 30V 250MA 1.5OH
на замовлення 1207683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.85 грн
19+ 17 грн
100+ 5.99 грн
1000+ 5.19 грн
3000+ 4.66 грн
Мінімальне замовлення: 14
NVTJD4001NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.18A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.272W
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+20.92 грн
21+ 16.86 грн
24+ 14.71 грн
38+ 9.3 грн
100+ 8.39 грн
115+ 7.01 грн
315+ 6.66 грн
Мінімальне замовлення: 18
NVTJD4001NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
на замовлення 2733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTJD4001NT2GON SemiconductorMOSFET NFET 30V 250MA 1.5OH
на замовлення 14731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVTJD4001NT2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC-88
товар відсутній
NVTJD4105CT1GonsemiDescription: MOSFET 20V 0.63A SC-88
товар відсутній
NVTJD4158CT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88
товар відсутній
NVTJD4158CT1GonsemiMOSFET PFET 20V .88A 1OHM
товар відсутній
NVTJD4401NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88
товар відсутній
NVTP2955GonsemiDescription: MOSFET 60V 12A 196
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTP2955GonsemiDescription: MOSFET 60V 12A 196
Packaging: Bulk
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+30.6 грн
Мінімальне замовлення: 650
NVTR01P02Lonsemionsemi PFET SOT23 20V 1.3A 0.075
товар відсутній
NVTR01P02LT1GonsemiMOSFET PFET 20V 0.160R TR
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.18 грн
11+ 30.17 грн
100+ 16.38 грн
500+ 11.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR01P02LT1GON Semiconductor
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR01P02LT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.14 грн
12+ 24.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVTR01P02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 1.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR01P02LT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
товар відсутній
NVTR0202PLT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1A; 225mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NVTR0202PLT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -400mA; Idm: -1A; 225mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.4A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NVTR0202PLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.33 грн
500+ 8.12 грн
1000+ 5.8 грн
3000+ 4.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTR0202PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.52 грн
6000+ 5.2 грн
9000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTR0202PLT1GonsemiMOSFET PFET 20V 0.4A 80MOH
на замовлення 33926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.43 грн
19+ 16.31 грн
100+ 7.39 грн
1000+ 5.73 грн
3000+ 4.73 грн
9000+ 4.4 грн
24000+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTR0202PLT1GON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTR0202PLT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR0202PLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR0202PLT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 400 mA, 0.55 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31 грн
36+ 21.29 грн
100+ 12.33 грн
500+ 8.12 грн
1000+ 5.8 грн
3000+ 4.75 грн
Мінімальне замовлення: 25
NVTR0202PLT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.21 грн
17+ 17.13 грн
100+ 8.61 грн
500+ 7.16 грн
1000+ 5.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTR4502PT1GONSEMINVTR4502PT1G SMD P channel transistors
товар відсутній
NVTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.68 грн
20+ 38.92 грн
100+ 25.92 грн
500+ 19.49 грн
1000+ 13.57 грн
Мінімальне замовлення: 16
NVTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
товар відсутній
NVTR4502PT1GonsemiMOSFET PFET 30V 1.95A 20MO
на замовлення 80584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.83 грн
10+ 30.79 грн
100+ 18.65 грн
500+ 14.58 грн
1000+ 11.85 грн
3000+ 9.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+45.61 грн
332+ 35.21 грн
362+ 32.31 грн
500+ 27.31 грн
1000+ 18.21 грн
3000+ 17.3 грн
6000+ 16.84 грн
Мінімальне замовлення: 256
NVTR4502PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4502PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.13 A, 0.155 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.92 грн
500+ 19.49 грн
1000+ 13.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTR4502PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.95A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 15 V
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.18 грн
10+ 31.49 грн
100+ 23.53 грн
500+ 17.35 грн
1000+ 13.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
NVTR4502PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+57.06 грн
14+ 44.21 грн
25+ 42.36 грн
100+ 31.53 грн
250+ 26.79 грн
500+ 22.54 грн
1000+ 16.23 грн
3000+ 16.07 грн
6000+ 15.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTR4503NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.73W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+10.91 грн
55+ 6.8 грн
100+ 6.04 грн
155+ 5.24 грн
425+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 35
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 22
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.42 грн
9000+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+29.51 грн
35+ 21.96 грн
100+ 8.82 грн
Мінімальне замовлення: 26
NVTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.61 грн
6000+ 5.28 грн
9000+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTR4503NT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.73W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+13.09 грн
35+ 8.47 грн
100+ 7.24 грн
155+ 6.28 грн
425+ 5.94 грн
Мінімальне замовлення: 25
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
NVTR4503NT1GonsemiMOSFET NFET SOT23 30V 2A 0.110R
на замовлення 188610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.2 грн
18+ 17.38 грн
100+ 7.59 грн
1000+ 5.93 грн
3000+ 5.13 грн
9000+ 4.53 грн
24000+ 4.2 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTR4503NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
9000+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTR4503NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVTR4503NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.93 грн
16+ 17.34 грн
100+ 8.75 грн
500+ 7.27 грн
1000+ 5.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
NVTR4503NT1G транзистор
Код товару: 199485		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NVTS4409NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V/8V 0.075A SC-70
товар відсутній
NVTYS002N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2697 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS002N03CLTWGonsemiMOSFET T6 30V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS002N03CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
товар відсутній
NVTYS002N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2697 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS003N03CLTWGonsemiMOSFET T6 30V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS003N03CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
товар відсутній
NVTYS003N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTYS003N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.48 грн
10+ 57.92 грн
100+ 45.05 грн
500+ 35.84 грн
1000+ 29.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTYS003N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS003N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS003N04CLTWGonsemiMOSFET T6 40V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS003N04CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS003N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS003N04CTWGonsemiMOSFET T6 40V N-CH SL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS003N04CTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS003N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS004N03CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single, N-Channel
товар відсутній
NVTYS004N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 51.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.99 грн
10+ 53.07 грн
100+ 41.3 грн
500+ 32.85 грн
1000+ 26.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS004N03CLTWGonsemiDescription: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 51.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS004N03CLTWGonsemiMOSFET T6 30V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS004N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS004N04CLTWGonsemiMOSFET T6 40V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS004N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.88 грн
10+ 55.08 грн
100+ 42.82 грн
500+ 34.06 грн
1000+ 27.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS004N04CLTWGON Semiconductor40V N-Channel Mosfet
товар відсутній
NVTYS004N04CTWGonsemiMOSFET T6 40V N-CH SL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS004N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS004N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS005N04CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS005N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS005N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS005N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
товар відсутній
NVTYS005N06CLTWGonsemiMCC
товар відсутній
NVTYS006N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS006N06CLTWGonsemiMOSFET T6 60V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS007N04CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS007N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS007N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
товар відсутній
NVTYS008N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTYS008N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.6 грн
10+ 55.49 грн
100+ 43.17 грн
500+ 34.35 грн
1000+ 27.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS008N06CLTWGON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS008N06CLTWGonsemiMOSFET T6 60V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній
NVTYS010N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS010N04CLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS010N04CLTWGonsemiMOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel
товар відсутній
NVTYS010N04CLTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.95 грн
10+ 51.61 грн
100+ 35.75 грн
500+ 28.03 грн
1000+ 23.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS010N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.38 грн
6000+ 23.15 грн
9000+ 21.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NVTYS010N04CTWGonsemiDescription: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.99 грн
10+ 55.77 грн
100+ 38.59 грн
500+ 30.26 грн
1000+ 25.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS010N06CLTWGonsemiMOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel, 60 V, 9.8 mohm, 51 A
товар відсутній
NVTYS010N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS010N06CLTWGonsemiDescription: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS010N06CLTWGON SemiconductorMOSFET - Power, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS013N10MCLTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS014P04M8LTWGonsemiMOSFET MV8 40V LL SINGLE PCH LFPAK 13 MOHMS MAX
товар відсутній
NVTYS014P04M8LTWGonsemiDescription: MV8 40V LL SINGLE PCH L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS025P04M8LTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній
NVTYS025P04M8LTWGonsemiMOSFET MV8 40V P-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.95 грн
10+ 59.05 грн
100+ 40.02 грн
500+ 33.9 грн
1000+ 27.64 грн
3000+ 25.97 грн
6000+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVTYS025P04M8LTWGonsemiDescription: MV8 40V P-CH LL IN LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 255µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS029N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
товар відсутній
NVTYS029N08HLTWGonsemionsemi T8 80V N-CH LL IN LFPAK33
товар відсутній
NVTYS029N08HLTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
товар відсутній
NVTYS029N08HTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH SG IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 40 V
товар відсутній
NVTYS029N08HTWGonsemiDescription: T8 80V N-CH SG IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 40 V
товар відсутній
NVTYS040N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V LL, SINGLE NCH, LFPAK3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 27µA
товар відсутній
NVTYS040N10MCLTWGonsemiMOSFET PTNG 100V LL, SINGLE NCH, LFPAK33, 40 MOHMS MAX
товар відсутній
NVTYS040N10MCLTWGonsemiDescription: PTNG 100V LL, SINGLE NCH, LFPAK3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 27µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 564 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS9D6P04M8LTWGonsemiDescription: MV8 40V LL SINGLE PCH L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2368 pF @ 25 V
товар відсутній
NVTYS9D6P04M8LTWGON SemiconductorPower MOSFET, Single P-Channel
товар відсутній