НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
P9BANALOG
на замовлення 412 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P9BADMSOP10
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P9B-10VNABB (Thomas and Betts)P9B-10VN
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1921.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
P9B10VNHoneywellHoneywell
товар відсутній
P9B11VN
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P9B30HP2F-5071SHINDENGENP9B30HP2F-5071 SMD N channel transistors
товар відсутній
P9B40HP2ShindengenMOSFET Mosfet
товар відсутній
P9B40HP2-5071ShindengenMOSFET Hi Voltage Low Noise
товар відсутній
P9B40HP2-5071SHINDENGENCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 9A; Idm: 36A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 40W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
P9B40HP2-5071SHINDENGENCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 400V; 9A; Idm: 36A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 40W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
P9BC628TB
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P9BR
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)