Продукція > QH8

MOSFET 20V Pch+Pch Si MOSFET

на замовлення 2743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.15 грн
10+	50.09 грн
100+	33.96 грн
500+	28.77 грн
1000+	23.44 грн
3000+	21.98 грн
6000+	20.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8JA1TCR

Description: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.028 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.1
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.2
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 2324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	36.08 грн
500+	26.43 грн
1000+	18.51 грн

Мінімальне замовлення: 100

QH8JA1TCR

Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 2192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.07 грн
10+	46.34 грн
100+	36 грн
500+	28.64 грн
1000+	23.33 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8JA1TCR

на замовлення 2324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.11 грн
16+	46.99 грн
100+	36.08 грн
500+	26.43 грн
1000+	18.51 грн

Мінімальне замовлення: 15

QH8JA1TCR

Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

товар відсутній

QH8JA1TCR

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5A; Idm: -18A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

QH8JA1TCR

товар відсутній

QH8JB5TCR

Description: ROHM - QH8JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 8565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.95 грн
13+	59.02 грн
100+	42.88 грн
500+	33.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

QH8JB5TCR

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -5A; Idm: -20A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

QH8JB5TCR

товар відсутній

QH8JB5TCR

Description: MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 2706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.84 грн
10+	65.34 грн
100+	50.79 грн
500+	40.41 грн
1000+	32.92 грн

Мінімальне замовлення: 4

QH8JB5TCR

MOSFET -40V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

на замовлення 6986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.79 грн
10+	70.69 грн
100+	47.81 грн
500+	40.56 грн
1000+	33.1 грн
3000+	31.7 грн
6000+	30.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

QH8JB5TCR

Description: ROHM - QH8JB5TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 40 V, 5 A, 5 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 8565 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.88 грн
500+	33.78 грн

Мінімальне замовлення: 100

QH8JB5TCR

Description: MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

товар відсутній

QH8JC5TCR

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.5A; Idm: -14A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 101mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

QH8JC5TCR

товар відсутній

QH8JC5TCR

Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

товар відсутній

QH8JC5TCR

MOSFET -60V Dual Pch+Pch Small Signal MOSFET

на замовлення 13239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	87.79 грн
10+	70.69 грн
100+	47.81 грн
500+	40.56 грн
1000+	33.1 грн
3000+	31.7 грн
6000+	30.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

QH8JC5TCR

Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 4688 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.68 грн
10+	63.61 грн
100+	49.45 грн
500+	39.34 грн
1000+	32.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

QH8JE5TCR

MOSFET 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.5 грн
10+	58.51 грн
100+	34.76 грн
500+	28.97 грн
1000+	24.71 грн
3000+	22.38 грн
6000+	20.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8K22TCR

Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.7 грн
6000+	16.15 грн
9000+	14.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

QH8K22TCR

MOSFET QH8K22 is low on - resistance MOSFET for Switching. 40V Nch+Nch Small Signal MOSFET.

на замовлення 2407 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.1 грн
10+	42.12 грн
100+	25.31 грн
500+	21.18 грн
1000+	18.05 грн
3000+	16.05 грн
6000+	15.12 грн

Мінімальне замовлення: 7

QH8K22TCR

Description: MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 18317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.1 грн
10+	38.92 грн
100+	26.91 грн
500+	21.1 грн
1000+	17.96 грн

Мінімальне замовлення: 7

QH8K26TR

MOSFET QH8K26 is low on-resistance and Small Surface Mount Package MOSFET for switching and motor drive.

на замовлення 2405 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	68.68 грн
10+	55.52 грн
100+	37.63 грн
500+	31.9 грн
1000+	25.97 грн
3000+	24.37 грн
6000+	23.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8K26TR

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 1698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.83 грн
10+	51.33 грн
100+	39.91 грн
500+	31.75 грн
1000+	25.86 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8K26TR

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

товар відсутній

QH8K26TR

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7A; Idm: 18A; 2.6W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2.6W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

QH8K26TR

товар відсутній

QH8K51TR

Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.73 грн
6000+	26.35 грн
9000+	25.13 грн

Мінімальне замовлення: 3000

QH8K51TR

MOSFET QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application. 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET.

на замовлення 5985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	73.73 грн
10+	59.27 грн
100+	40.09 грн
500+	34.03 грн
1000+	27.7 грн
3000+	26.04 грн
6000+	24.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8K51TR

Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 16760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.88 грн
10+	54.73 грн
100+	42.56 грн
500+	33.86 грн
1000+	27.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8KA1TCR

MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	44.05 грн
10+	37.37 грн
100+	22.58 грн
500+	18.85 грн
1000+	16.05 грн
3000+	14.52 грн
6000+	13.45 грн

Мінімальне замовлення: 8

QH8KA1TCR

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.34 грн
10+	33.64 грн
100+	23.29 грн
500+	18.26 грн
1000+	15.54 грн

Мінімальне замовлення: 8

QH8KA1TCR

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125pf @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

товар відсутній

QH8KA2TCR

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.22 грн
10+	36.07 грн
100+	24.97 грн
500+	19.58 грн
1000+	16.66 грн

Мінімальне замовлення: 7

QH8KA2TCR

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 12A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

QH8KA2TCR

товар відсутній

QH8KA2TCR

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.71 грн
10+	41.62 грн
100+	28.79 грн
500+	22.58 грн
1000+	19.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

QH8KA2TCR

Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

товар відсутній

QH8KA2TCR

MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET

на замовлення 3349 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.75 грн
10+	45.18 грн
100+	27.17 грн
500+	22.71 грн
1000+	19.31 грн
3000+	17.45 грн
6000+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

QH8KA3TCR

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.71 грн
10+	53.48 грн
100+	41.59 грн
500+	33.08 грн
1000+	26.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8KA3TCR

MOSFET MOSFET

на замовлення 11488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	77.69 грн
10+	58.43 грн
100+	42.35 грн
500+	38.29 грн
1000+	35.56 грн
3000+	30.23 грн
24000+	26.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

QH8KA3TCR

Description: ROHM - QH8KA3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.54 грн
500+	23.93 грн
1000+	17.42 грн

Мінімальне замовлення: 100

QH8KA3TCR

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

товар відсутній

QH8KA3TCR

Description: ROHM - QH8KA3TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 1766 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	51.1 грн
21+	37.05 грн
100+	28.54 грн
500+	23.93 грн
1000+	17.42 грн

Мінімальне замовлення: 15

QH8KA4TCR

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 18392 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.71 грн
10+	53.14 грн
100+	41.32 грн
500+	32.86 грн
1000+	26.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8KA4TCR

MOSFET 30V Nch+Nch Si MOSFET

на замовлення 4563 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.43 грн
10+	56.44 грн
100+	39.62 грн
500+	34.3 грн
1000+	27.9 грн
3000+	24.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8KA4TCR

Description: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Produktpalette: -
Bauform - Transistor: TSMT
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
Dauer-Drainstrom Id: 9A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
usEccn: EAR99
Transistormontage: Oberflächenmontage
Verlustleistung Pd: 1.5W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	88.15 грн
11+	73.96 грн
100+	53.79 грн
500+	41.27 грн
1000+	30.16 грн

Мінімальне замовлення: 9

QH8KA4TCR

Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	27.89 грн
6000+	25.58 грн
9000+	24.4 грн

Мінімальне замовлення: 3000

QH8KA4TCR

Description: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.79 грн
500+	41.27 грн
1000+	30.16 грн

Мінімальне замовлення: 100

QH8KA4TCR

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 9A; Idm: 40A; 1.5W; TSMT8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

QH8KA4TCR

товар відсутній

QH8KB5TCR

Description: MOSFET 2N-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

товар відсутній

QH8KB5TCR

MOSFET 40V N&N-CHANNEL

на замовлення 4017 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	52.05 грн
10+	44.19 грн
100+	26.64 грн
500+	22.24 грн
1000+	18.98 грн
3000+	17.45 грн
6000+	15.92 грн

Мінімальне замовлення: 6

QH8KB5TCR

Description: MOSFET 2N-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 1361 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.98 грн
10+	40.79 грн
100+	28.26 грн
500+	22.16 грн
1000+	18.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

QH8KB6TCR

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 5950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	72.76 грн
10+	57.23 грн
100+	44.52 грн
500+	35.41 грн
1000+	28.85 грн

Мінімальне замовлення: 4

QH8KB6TCR

MOSFET 40V N&N-CHANNEL

на замовлення 11350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.6 грн
10+	61.96 грн
100+	41.95 грн
500+	35.56 грн
1000+	28.97 грн
3000+	27.24 грн
6000+	26.5 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8KB6TCR

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

QH8KC5TCR

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 2267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.31 грн
10+	44.26 грн
100+	30.65 грн
500+	24.04 грн
1000+	20.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

QH8KC5TCR

Description: ROHM - QH8KC5TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 3
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 2915 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	62.75 грн
14+	55.65 грн
100+	42.66 грн
500+	31.29 грн

Мінімальне замовлення: 12

QH8KC5TCR

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

товар відсутній

QH8KC5TCR

MOSFET 60V N&N-CHANNEL

на замовлення 2226 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.33 грн
10+	47.94 грн
100+	28.84 грн
500+	24.17 грн
1000+	20.58 грн
3000+	18.25 грн
6000+	17.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

QH8KC6TCR

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 308 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.24 грн
10+	62.22 грн
100+	48.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

QH8KC6TCR

MOSFET 40V N&P-CHANNEL

на замовлення 5520 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.91 грн
10+	67.39 грн
100+	45.55 грн
500+	38.62 грн
1000+	31.5 грн
3000+	30.5 грн
6000+	28.17 грн

Мінімальне замовлення: 4

QH8KC6TCR

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

товар відсутній

QH8KC6TCR

Description: ROHM - QH8KC6TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.023 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 5.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.5
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	87.4 грн
10+	76.95 грн

Мінімальне замовлення: 9

QH8KE5TCR

MOSFET 100V 2.0A, Dual Nch+Nch, TSMT8, Power MOSFET: The Power MOSFET QH8KE5 is suitable for switching power supply and motor drive.

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.53 грн
10+	40.05 грн
100+	23.77 грн
500+	19.84 грн
1000+	17.45 грн
3000+	14.78 грн
6000+	14.18 грн

Мінімальне замовлення: 7

QH8M22TCR

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	34.67 грн
6000+	31.79 грн
9000+	30.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

QH8M22TCR

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 40/-40V; 4.5/2A; Idm: 18A; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 4.5/2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59/260mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6/9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

QH8M22TCR

товар відсутній

QH8M22TCR

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 20684 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.28 грн
10+	66.04 грн
100+	51.35 грн
500+	40.85 грн
1000+	33.28 грн

Мінімальне замовлення: 4

QH8M22TCR

MOSFET QH8M22 is the high reliability transistor, suitable for switching applications. 40V Nch+Pch Power MOSFET.

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.57 грн
10+	71.91 грн
100+	48.35 грн
500+	41.02 грн
1000+	33.36 грн
3000+	31.43 грн
6000+	29.9 грн

Мінімальне замовлення: 4

QH8MA2TCR

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4.5/3A; Idm: 12A; 1.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.5/3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56/115mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8/8.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

QH8MA2TCR

товар відсутній

QH8MA2TCR

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 1750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.9 грн
10+	32.88 грн
100+	25.22 грн
500+	18.71 грн
1000+	14.97 грн

Мінімальне замовлення: 8

QH8MA2TCR

MOSFET 30V Nch+Pch Power MOSFET

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.18 грн
10+	33.39 грн
100+	21.11 грн
500+	17.65 грн
1000+	15.05 грн
3000+	13.59 грн
6000+	12.65 грн

Мінімальне замовлення: 8

QH8MA2TCR

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

товар відсутній

QH8MA3TCR

Description: ROHM - QH8MA3TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.022 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.022ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.022ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 5442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	33.24 грн
500+	24.97 грн
1000+	18.44 грн
5000+	18.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

QH8MA3TCR

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R

на замовлення 2959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

350+	33.42 грн
364+	32.07 грн
500+	30.92 грн
1000+	28.84 грн
2500+	25.91 грн

Мінімальне замовлення: 350

QH8MA3TCR

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

товар відсутній

QH8MA3TCR

на замовлення 5442 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	49.98 грн
18+	43.4 грн
100+	33.24 грн
500+	24.97 грн
1000+	18.44 грн
5000+	18.06 грн

Мінімальне замовлення: 15

QH8MA3TCR

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7/5.5A; Idm: 18A; 2.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2.5W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46/72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2/10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

QH8MA3TCR

товар відсутній

QH8MA3TCR

Trans MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8-Pin TSMT T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

350+	33.42 грн
364+	32.07 грн
500+	30.92 грн
1000+	28.84 грн
2500+	25.91 грн

Мінімальне замовлення: 350

QH8MA3TCR

MOSFET 30V N+P Ch MOSFET

на замовлення 6152 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	53.45 грн
10+	46.95 грн
100+	27.84 грн
500+	23.24 грн
1000+	19.78 грн
3000+	17.91 грн
6000+	16.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

QH8MA3TCR

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

товар відсутній

QH8MA4TCR

Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 3510 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	59.79 грн
10+	50.99 грн
100+	39.74 грн
500+	30.81 грн
1000+	24.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8MA4TCR

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 9/8A; Idm: 18A; 2.6W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 9/8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 2.6W
Case: TSMT8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.7/40.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5/19.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

QH8MA4TCR

товар відсутній

QH8MA4TCR

MOSFET Zener Diode, 100mW, 2 Pin.

на замовлення 2326 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.15 грн
10+	50.39 грн
100+	34.1 грн
500+	28.9 грн
1000+	23.51 грн
3000+	22.18 грн
6000+	21.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8MA4TCR

Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

QH8MB5TCR

MOSFET 40V N&P-CHANNEL

на замовлення 4180 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.2 грн
10+	57.28 грн
100+	34.5 грн
500+	28.84 грн
1000+	24.51 грн
3000+	21.84 грн
6000+	21.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8MB5TCR

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 5131 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.39 грн
10+	52.93 грн
100+	36.63 грн
500+	28.72 грн
1000+	24.45 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8MB5TCR

Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A 8-Pin TSMT T/R

на замовлення 2750 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

257+	45.59 грн
500+	37.58 грн

Мінімальне замовлення: 257

QH8MB5TCR

Description: ROHM - QH8MB5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034
Verlustleistung Pd: 1.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n- und p-Kanal
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	76.95 грн
12+	64.62 грн
100+	45.72 грн
500+	33.57 грн
1000+	22.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

QH8MB5TCR

Description: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V, 920pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

QH8MB5TCR

Trans MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/5A 8-Pin TSMT T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

QH8MC5TCR

Description: ROHM - QH8MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	62.45 грн
14+	56.25 грн
100+	43.85 грн
500+	34.34 грн
1000+	24.46 грн

Мінімальне замовлення: 12

QH8MC5TCR

Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 9054 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.35 грн
10+	46.13 грн
100+	35.86 грн
500+	28.53 грн
1000+	23.24 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8MC5TCR

MOSFET 60V 3.0A/3.5A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Small Signal MOSFET

на замовлення 33742 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	63.55 грн
10+	51.31 грн
100+	34.7 грн
500+	29.43 грн
1000+	23.97 грн
3000+	22.58 грн
6000+	21.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

QH8MC5TCR