Продукція > R65

PLCC68

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6501AQ

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6501AQQ

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6501JC

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502

01+ DIP

на замовлення 99 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502-11

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502-40

на замовлення 47 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502AP

DIP

на замовлення 892 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502AP

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502BP

DIP

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502P

02+ DIP;

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502P

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6502P2

на замовлення 311 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6503

03+ DIP40

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6503

DIP

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6503-13

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6503AP

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6504AP

03+ DIP28

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6504AP

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товар відсутній

R6504END3TL1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 12A; 58W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 58W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.02Ω

товар відсутній

R6504END3TL1

Description: ROHM - R6504END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.69 грн
13+	58.72 грн

Мінімальне замовлення: 10

R6504END3TL1

MOSFET 650V 4A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 1460 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.87 грн
10+	96.49 грн
100+	65.06 грн
500+	55.14 грн
1000+	44.88 грн
2500+	42.22 грн
5000+	40.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6504END3TL1

Description: 650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	109.5 грн
10+	86.5 грн
100+	67.25 грн
500+	53.5 грн
1000+	43.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6504END3TL1

товар відсутній

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 92 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	150.56 грн
10+	120.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504ENJTL

Description: ROHM - R6504ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	74.7 грн
12+	65.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

R6504ENJTL

MOSFET Nch 650V 4A Power MOSFET. R6504ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товар відсутній

R6504ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

товар відсутній

R6504ENJTL

на замовлення 97 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6504ENXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	161.36 грн
50+	125.27 грн
100+	103.07 грн
500+	81.85 грн
1000+	69.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	175.58 грн
10+	144.74 грн
100+	99.22 грн
250+	97.23 грн
500+	83.91 грн
1000+	67.26 грн
5000+	65.79 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	94.13 грн
11+	71.72 грн

Мінімальне замовлення: 8

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товар відсутній

R6504KND3TL1

Description: ROHM - R6504KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 58W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.955ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6504KND3TL1

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 4A Power MOSFET.

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	107.99 грн
10+	87.3 грн
100+	58.87 грн
500+	49.95 грн
1000+	40.69 грн
2500+	38.22 грн
5000+	36.43 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6504KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 2450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	97.97 грн
10+	77.48 грн
100+	60.25 грн
500+	47.92 грн
1000+	39.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6504KNJTL

MOSFET Nch 650V 4A Power MOSFET. R6504KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

товар відсутній

R6504KNJTL

Description: ROHM - R6504KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.955ohm

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

товар відсутній

R6504KNJTL

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 12A; 58W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 58W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.05Ω
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

R6504KNJTL

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.1 грн
10+	87.4 грн

Мінімальне замовлення: 8

R6504KNJTL

товар відсутній

R6504KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	150.56 грн
10+	120.49 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504KNXC7G

Description: 650V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 130µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	159.92 грн
50+	123.99 грн
100+	102.02 грн
500+	81.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	175.58 грн
10+	144.74 грн
100+	99.22 грн
250+	97.23 грн
500+	83.91 грн
1000+	71.26 грн
2500+	67.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6504P

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6505-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCRW MNT 5.5MM

товар відсутній

R6505-00

Standoffs & Spacers 5.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 2835 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R6505AP

01+ DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6505P

04+ DIP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507-15

00+ DIP

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507AP

04+ DIP

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 2477 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.34 грн
10+	99.89 грн
100+	79.48 грн
500+	63.11 грн
1000+	53.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6507END3TL1

Description: ROHM - R6507END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	133.72 грн
10+	121.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

R6507END3TL1

Description: 650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

товар відсутній

R6507END3TL1

на замовлення 62 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6507END3TL1

MOSFET 650V 7A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 2486 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.96 грн
10+	111.04 грн
100+	77.25 грн
250+	75.92 грн
500+	65.06 грн
1000+	55.21 грн
2500+	52.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6507ENJTL

MOSFET Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1090 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.18 грн
10+	215.96 грн
100+	153.83 грн
500+	130.52 грн
1000+	109.88 грн
2000+	104.55 грн
5000+	100.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.27 грн
10+	188.4 грн
100+	154.39 грн
500+	123.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

товар відсутній

R6507ENJTL

Description: ROHM - R6507ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	121.02 грн
10+	106.08 грн
25+	87.4 грн
100+	72.84 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6507ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1988 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.55 грн
10+	167.72 грн
100+	115.21 грн
250+	111.88 грн
500+	97.23 грн
1000+	83.24 грн
2500+	78.58 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507ENXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V

на замовлення 998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	187.29 грн
50+	145.35 грн
100+	119.6 грн
500+	94.97 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507GD

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507GD

DIP

на замовлення 220 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507KND3TL1

Description: ROHM - R6507KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	112.8 грн
10+	102.34 грн
100+	82.17 грн
500+	62.29 грн
1000+	47.7 грн
2500+	44.31 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.9 грн
10+	107.1 грн
100+	86.11 грн
500+	66.39 грн
1000+	55.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6507KND3TL1

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	82.17 грн
500+	62.29 грн
1000+	47.7 грн
2500+	44.31 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6507KND3TL1

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 7A Power MOSFET.

на замовлення 2496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.87 грн
10+	98.03 грн
100+	67.93 грн
250+	65.06 грн
500+	56.74 грн
1000+	48.61 грн
2500+	46.15 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6507KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V

товар відсутній

R6507KNJTL

MOSFET Nch 650V 7A Power MOSFET. R6507KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1090 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	243.18 грн
10+	215.96 грн
100+	153.83 грн
500+	130.52 грн
1000+	109.88 грн
2000+	104.55 грн
5000+	100.56 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.27 грн
10+	188.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507KNJTL

Description: ROHM - R6507KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	121.02 грн
10+	106.08 грн
25+	87.4 грн
100+	72.84 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6507KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 7A LPTS

товар відсутній

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

товар відсутній

R6507KNXC7G

Description: ROHM - R6507KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.605 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	161.36 грн
10+	144.93 грн
25+	130.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

R6507KNXC7G

Description: 650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	184.41 грн
10+	159.76 грн
100+	128.39 грн
500+	99 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507KNXC7G

MOSFET 650V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	156.94 грн
10+	140.15 грн
50+	114.54 грн
100+	97.23 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6507P

04+ DIP

на замовлення 333 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6507P

DIP

на замовлення 2222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	64.87 грн

Мінімальне замовлення: 2500

R6509END3TL1

MOSFET 650V 9A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 6990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	156.16 грн
10+	127.89 грн
100+	88.57 грн
250+	84.57 грн
500+	75.25 грн
1000+	63.8 грн
2500+	60.4 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509END3TL1

Description: ROHM - R6509END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	150.16 грн
10+	135.21 грн

Мінімальне замовлення: 5

R6509END3TL1

Description: 650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 4440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	143.35 грн
10+	115.01 грн
100+	91.59 грн
500+	72.73 грн
1000+	61.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6509END3TL1

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6509ENJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.19 грн
10+	202.94 грн
25+	167.15 грн
100+	147.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 88 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	216.11 грн
10+	174.53 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6509ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

товар відсутній

R6509ENJTL

Description: ROHM - R6509ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	110.56 грн
10+	94.13 грн
100+	85.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6509ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1986 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.55 грн
10+	180.73 грн
100+	128.53 грн
500+	109.88 грн
1000+	91.9 грн
2000+	87.24 грн
5000+	83.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509ENXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	177.93 грн
50+	136 грн
100+	116.57 грн
500+	97.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509KND3TL1

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 9A Power MOSFET.

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	135.18 грн
10+	119.47 грн
100+	83.91 грн
500+	68.59 грн
1000+	56.87 грн
2500+	52.81 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	60.86 грн

Мінімальне замовлення: 2500

R6509KND3TL1

Description: ROHM - R6509KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 94W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	89.65 грн
500+	67.91 грн
1000+	51.93 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6509KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 9
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 230µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	133.27 грн
10+	115.01 грн
100+	92.47 грн
500+	71.29 грн
1000+	59.07 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6509KND3TL1

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	123.26 грн
10+	110.56 грн
100+	89.65 грн
500+	67.91 грн
1000+	51.93 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	237 грн
10+	204.78 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 94
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	85.91 грн

Мінімальне замовлення: 100

R6509KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 9A LPTS

товар відсутній

R6509KNJTL

Description: ROHM - R6509KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 9
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 94
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	110.56 грн
10+	94.13 грн
100+	85.91 грн

Мінімальне замовлення: 7

R6509KNJTL

MOSFET 650V N-CH 9A POWER MOSFET

на замовлення 1096 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	229.19 грн
10+	202.94 грн
25+	167.15 грн
100+	152.5 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 3980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.55 грн
10+	180.73 грн
100+	128.53 грн
500+	109.88 грн
1000+	91.9 грн
2000+	87.24 грн
5000+	83.24 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6509KNXC7G

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 27A; 48W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 16.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 27A
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

R6509KNXC7G

товар відсутній

R6509KNXC7G

Description: 650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	218.99 грн
10+	189.51 грн
100+	155.23 грн
500+	124.01 грн
1000+	104.59 грн
2000+	101.87 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6510-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 9.45MM

на замовлення 2311 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6510-00

Standoffs & Spacers 9.6 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 3070 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R6511AP

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6511AQ

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6511AQ/R1700-17

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6511END3TL1

Description: ROHM - R6511END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 124
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 124
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

товар відсутній

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 767 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.37 грн
10+	143.59 грн
100+	114.3 грн
500+	90.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511END3TL1

MOSFET 650V 11A TO-252, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	195.01 грн
10+	160.06 грн
100+	110.55 грн
250+	108.55 грн
500+	93.23 грн
1000+	80.58 грн
2500+	79.25 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511END3TL1

товар відсутній

R6511END3TL1

Description: 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товар відсутній

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

товар відсутній

R6511ENJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 898 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R6511ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	292.47 грн
10+	252.78 грн

R6511ENJTL

Description: ROHM - R6511ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 124
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 124
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 93 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	189.75 грн
10+	162.11 грн

Мінімальне замовлення: 4

R6511ENXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V

на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	210.35 грн
50+	160.59 грн
100+	137.65 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511ENXC7G

MOSFET High-speed Switching, Nch 650V 11A Power MOSFET.

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	185.69 грн
10+	165.42 грн
25+	135.18 грн
100+	115.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511KND3TL1

Description: ROHM - R6511KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 124
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 124
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	164.96 грн
10+	142.83 грн
100+	114.8 грн
500+	88.52 грн
1000+	73.34 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511KND3TL1

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	178.54 грн
10+	152.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

R6511KND3TL1

Description: HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	75.56 грн

Мінімальне замовлення: 2500

R6511KNJTL

MOSFET 650V N-CH 11A POWER MOSFET

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	282.38 грн
10+	243.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511KNJTL

Description: ROHM - R6511KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.36 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 11
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 124
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 124
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.36
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	189.75 грн
10+	162.11 грн
100+	140.44 грн

Мінімальне замовлення: 4

R6511KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 11A LPTS

товар відсутній

R6511KNXC7G

Description: 650V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 320µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V

на замовлення 3984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	227.63 грн
10+	184.24 грн
100+	149.07 грн
500+	124.35 грн
1000+	106.47 грн
2000+	100.26 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	267.26 грн
10+	237.41 грн
25+	195.12 грн
100+	169.15 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6511P

DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6512AP

DIP

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6512AP

02+ DIP

на замовлення 787 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6512P

DIP

на замовлення 222 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6512P

01+ DIP

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6513-00

Standoffs & Spacers 12.7 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 3600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R6513-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 12.8MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.504" (12.80mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)

на замовлення 1905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	25.93 грн
13+	21.5 грн
16+	17.9 грн
25+	15.75 грн
50+	15.09 грн
100+	13.41 грн
250+	12.53 грн
500+	11.87 грн
1000+	11.21 грн

Мінімальне замовлення: 12

R6514P

на замовлення 262 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6515ENJTL

MOSFET Nch 650V 15A Power MOSFET. R6515ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	400.89 грн
10+	355.34 грн
100+	253.72 грн
500+	219.76 грн
1000+	182.47 грн
2000+	172.48 грн
10000+	169.81 грн

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

товар відсутній

R6515ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	381.79 грн
10+	330.26 грн
100+	270.55 грн

R6515ENXC7G

R6515ENXC7G THT N channel transistors

товар відсутній

R6515ENXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	245.64 грн
50+	187.22 грн
100+	160.47 грн
500+	133.86 грн
1000+	114.62 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1989 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.69 грн
10+	248.13 грн
100+	177.14 грн
500+	151.17 грн
1000+	126.53 грн
2000+	119.87 грн
5000+	115.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

товар відсутній

R6515KNJTL

Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	257.73 грн
10+	218.88 грн
100+	189.75 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6515KNJTL

MOSFET 650V N-CH 15A POWER MOSFET

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	446.73 грн
10+	396.7 грн
25+	325.64 грн
100+	282.36 грн

R6515KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 15A LPTS

на замовлення 80 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	381.79 грн
10+	330.26 грн

R6515KNX3C16

Description: 650V 15A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 161W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 956 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	254.29 грн
10+	219.97 грн
100+	180.24 грн
500+	143.99 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515KNX3C16

Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 161
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 161
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)

на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	275.66 грн
10+	234.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6515KNX3C16

MOSFET 650V 15A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 976 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	257.94 грн
10+	228.98 грн
100+	161.82 грн
500+	138.51 грн
1000+	110.55 грн
5000+	106.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 3992 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	279.69 грн
10+	248.13 грн
100+	177.14 грн
500+	151.17 грн
1000+	126.53 грн
2000+	122.53 грн
5000+	115.21 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515KNXC7G

Description: 650V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	265.81 грн
10+	230.44 грн
100+	188.77 грн
500+	150.81 грн
1000+	127.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6515KNZC17

MOSFET 650V 15A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 282 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	345.73 грн
10+	286.42 грн
25+	241.73 грн
100+	201.11 грн
300+	195.12 грн
600+	178.47 грн
1200+	143.84 грн

R6515KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	358.74 грн
10+	309.94 грн
100+	253.95 грн

R6518

CONEXANT

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6518AJ

PLCC44

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6518AJ

на замовлення 113 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6518AJ-R1113-18

на замовлення 2988 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6519-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 19.1MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Screw Mount
Material: Nylon
Between Board Height: 0.752" (19.10mm)
Holding Type: Snap Lock
Mounting Hole Diameter: 0.142" (3.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active

на замовлення 295 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	29.53 грн
12+	24.56 грн
14+	20.46 грн
25+	18.07 грн
50+	17.3 грн
100+	15.38 грн
250+	14.38 грн

Мінімальне замовлення: 10

R6519-00

Standoffs & Spacers 19.1 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

на замовлення 392 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.63 грн
15+	20.6 грн
100+	15.58 грн
200+	14.78 грн

Мінімальне замовлення: 10

R6520

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6520AP

DIP

на замовлення 85 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6520AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6520AP

R6520-13

83+

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6520ENJTL

Description: ROHM - R6520ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	216.64 грн
10+	189.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	437.26 грн
10+	377.71 грн
100+	309.46 грн

R6520ENJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1075 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	438.96 грн
10+	389.81 грн
100+	277.7 грн
500+	241.07 грн
1000+	203.11 грн
2000+	189.13 грн
5000+	188.46 грн

R6520ENJTL

на замовлення 72 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

R6520ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS

товар відсутній

R6520ENXC7G

Description: ROHM - R6520ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

R6520ENXC7G

R6520ENXC7G THT N channel transistors

товар відсутній

R6520ENXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	342.17 грн
50+	260.71 грн
100+	223.47 грн
500+	186.42 грн

R6520ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1804 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	373.7 грн
10+	330.84 грн
100+	235.74 грн
500+	201.11 грн
1000+	172.48 грн
2000+	159.82 грн
5000+	159.16 грн

R6520ENZ4C13

Description: ROHM - R6520ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	342.15 грн
10+	210.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6520ENZ4C13

Description: 650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 1153 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	370.27 грн
30+	282.72 грн
120+	242.33 грн
510+	202.15 грн
1020+	173.09 грн

R6520ENZ4C13

MOSFET 650V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	402.45 грн
10+	333.13 грн
30+	234.41 грн
270+	207.77 грн
510+	177.8 грн
1020+	167.82 грн

R6520ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	444.46 грн
10+	384.65 грн
100+	315.17 грн

R6520ENZC17

MOSFET 650V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	428.86 грн
10+	355.34 грн
25+	299.67 грн
100+	249.73 грн
300+	241.73 грн
600+	221.76 грн
1200+	179.14 грн

R6520ENZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3

товар відсутній

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS

товар відсутній

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товар відсутній

R6520KNJTL

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1072 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	438.96 грн
10+	359.94 грн
100+	258.38 грн
500+	236.41 грн
1000+	197.78 грн
2000+	195.79 грн
5000+	194.45 грн

R6520KNJTL

Description: ROHM - R6520KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

товар відсутній

R6520KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 20A LPTS

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	437.26 грн
10+	377.71 грн

R6520KNX3C16

Description: ROHM - R6520KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 981 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	269.68 грн
10+	196.47 грн
100+	159.12 грн
500+	135.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6520KNX3C16

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 60A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

R6520KNX3C16

MOSFET 650V 20A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 870 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	314.65 грн
10+	260.38 грн
50+	219.09 грн
100+	182.47 грн
250+	177.14 грн
500+	162.49 грн
1000+	130.52 грн

R6520KNX3C16

товар відсутній

R6520KNX3C16

Description: 650V 20A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	326.32 грн
10+	282.05 грн
100+	231.09 грн
500+	184.61 грн

R6520KNXC7G

Description: 650V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

на замовлення 999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	332.81 грн
10+	287.81 грн
100+	235.82 грн
500+	188.4 грн

R6520KNXC7G

Description: ROHM - R6520KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

товар відсутній

R6520KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1891 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	341.07 грн
10+	281.82 грн
50+	240.4 грн
100+	198.45 грн
250+	194.45 грн
500+	175.81 грн
1000+	150.5 грн

R6520KNZ4C13

Description: ROHM - R6520KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.185
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)

на замовлення 189 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	450.47 грн
10+	388.46 грн
100+	336.17 грн

Мінімальне замовлення: 2

R6520KNZ4C13

MOSFET Nch 650V 20A Power MOSFET. R6520KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.

товар відсутній

R6520KNZ4C13

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 334 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	542.43 грн
30+	416.97 грн
120+	373.07 грн

R6520KNZC17

MOSFET 650V 20A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 292 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	405.55 грн
10+	335.43 грн
25+	283.02 грн
100+	235.08 грн
300+	228.42 грн
600+	209.1 грн
1200+	169.15 грн

R6520KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 630µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	419.97 грн
10+	363.14 грн
100+	297.56 грн

R6520KNZC8

Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO3

товар відсутній

R6520P

DIP

на замовлення 122 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6520P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6521AP

04+ DIP40

на замовлення 600 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6521AP

DIP

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6521P1

04+ DIP40

на замовлення 650 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522-31

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522-41

на замовлення 190 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522/P

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R652231

на замовлення 2001 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522AC

на замовлення 44 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522AP

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522AP

DIP

на замовлення 1088 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522APE

ROCKWE

на замовлення 469 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522P

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522P

DIP

на замовлення 2280 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522P

DIP

на замовлення 2215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522PE

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6522PO1

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6523

DIP

на замовлення 2548 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6523

PLCC44

на замовлення 310 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6523

N/A

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6523P

04+ DIP

на замовлення 301 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 94 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	461.75 грн
10+	402.06 грн

R6524ENJTL

R6524ENJTL SMD N channel transistors

товар відсутній

R6524ENJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товар відсутній

R6524ENJTL

MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524ENJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 1094 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	516.65 грн
10+	460.26 грн
100+	330.97 грн
500+	288.35 грн

R6524ENXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	387.69 грн
10+	320.88 грн
50+	273.7 грн
100+	225.75 грн
250+	221.76 грн
500+	200.45 грн
1000+	161.82 грн

R6524ENXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	357.3 грн
50+	272.67 грн
100+	233.72 грн
500+	194.97 грн
1000+	166.94 грн

R6524ENZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V

на замовлення 475 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	383.23 грн
30+	292.36 грн
120+	250.6 грн

R6524ENZ4C13

MOSFET 650V 24A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	418.76 грн
10+	370.66 грн
120+	263.71 грн
510+	229.75 грн
1020+	179.8 грн

R6524ENZC17

MOSFET 650V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	442.85 грн
10+	366.83 грн
25+	308.99 грн
100+	257.72 грн
300+	249.73 грн
600+	229.08 грн
1200+	184.46 грн

R6524KNJTL

MOSFET Nch 650V 24A Power MOSFET. R6524KNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

на замовлення 52 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	541.52 грн
10+	482.47 грн
25+	400.23 грн
100+	347.62 грн

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

на замовлення 96 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	461.75 грн
10+	402.06 грн

R6524KNJTL

Description: MOSFET N-CH 650V 24A LPTS

товар відсутній

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 388 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	327.77 грн
10+	283.79 грн
100+	232.51 грн

R6524KNX3C16

MOSFET 650V 24A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	353.5 грн
10+	313.22 грн
100+	223.09 грн
500+	189.79 грн

R6524KNX3C16

Description: 650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

товар відсутній

R6524KNXC7G

Description: 650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	357.3 грн
50+	272.67 грн
100+	233.72 грн
500+	194.97 грн

R6524KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 1996 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	387.69 грн
10+	320.88 грн
50+	273.7 грн
100+	225.75 грн
250+	221.76 грн
500+	200.45 грн
1000+	171.81 грн

R6524KNXC7G

Description: ROHM - R6524KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.16 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

товар відсутній

R6524KNXC7G

Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	174.61 грн
73+	160.72 грн
100+	155.76 грн

Мінімальне замовлення: 67

R6524KNZ4C13

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 72A; 245W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 245W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

R6524KNZ4C13

Description: 650V 24A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 1063 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	470.4 грн
10+	407.33 грн
100+	333.72 грн
500+	266.61 грн
1000+	224.85 грн

R6524KNZ4C13

товар відсутній

R6524KNZ4C13

MOSFET 650V 24A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 598 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	418.76 грн
10+	370.66 грн
120+	263.71 грн
510+	225.09 грн
1020+	179.8 грн

R6524KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 750µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	458.87 грн
10+	397.13 грн
100+	325.39 грн

R6524KNZC17

MOSFET 650V 24A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 298 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	442.85 грн
10+	366.83 грн
25+	308.99 грн
100+	257.72 грн
300+	249.73 грн
600+	229.08 грн
1200+	184.46 грн

R6528-00

Description: BRD SPT SNAP LCK SCRW MNT 28.5MM

товар відсутній

R6528-00

Standoffs & Spacers 28.5 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товар відсутній

R6530

01+ DIP40

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6530ENXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 978 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	427.18 грн
50+	325.66 грн
100+	279.13 грн
500+	232.85 грн

R6530ENZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 305W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 486 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	438.7 грн
30+	334.75 грн
120+	286.94 грн

R6530ENZ4C13

Description: ROHM - R6530ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	285.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6530ENZ4C13

MOSFET 650V 30A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 540 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	479.36 грн
10+	424.27 грн
120+	302.33 грн
510+	263.04 грн
1020+	206.44 грн

R6530ENZC17

MOSFET 650V 30A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	451.39 грн
10+	382.15 грн
25+	314.99 грн
100+	276.36 грн
300+	267.71 грн
600+	243.73 грн
1200+	209.77 грн

R6530ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	410.61 грн
10+	339.07 грн
100+	282.54 грн

R6530KNX3C16

MOSFET 650V 30A, TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 1079 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	473.15 грн
10+	412.01 грн
100+	292.35 грн
500+	254.39 грн
1000+	210.44 грн
2500+	199.78 грн

R6530KNX3C16

Description: ROHM - R6530KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 307W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	339.9 грн
10+	285.37 грн
25+	276.41 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6530KNXC7G

Description: 650V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW

на замовлення 894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	510.74 грн
10+	441.53 грн
100+	361.76 грн
500+	289.01 грн

R6530KNXC7G

MOSFET 650V POWER MOSFET

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	487.13 грн
10+	431.16 грн
100+	307.66 грн
500+	261.71 грн
1000+	225.09 грн
2000+	209.1 грн

R6530KNZ4C13

Description: ROHM - R6530KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 30 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	274.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6530KNZ4C13

Description: 650V 30A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 441 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	524.42 грн
10+	453.88 грн
100+	371.88 грн

R6530KNZ4C13

MOSFET 650V 30A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	476.25 грн
10+	394.4 грн
25+	332.3 грн
100+	277.03 грн
250+	269.04 грн
600+	252.39 грн
1200+	199.11 грн

R6530KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 960µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	410.61 грн
10+	339.07 грн
100+	282.54 грн

R6530KNZC17

MOSFET 650V 30A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	451.39 грн
10+	382.15 грн
25+	314.99 грн
100+	276.36 грн
300+	267.71 грн
600+	243.73 грн
1200+	209.77 грн

R6530P

DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6531

02+ DIP

на замовлення 336 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532

01+ DIP40

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-11

DIP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-15

02+ DIP

на замовлення 299 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-23

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-24

01+ DIP

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-25

01+ DIP

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-32

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-34

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532-40

03+ DIP

на замовлення 56 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532AP

02+ DIP

на замовлення 467 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532AP

на замовлення 1900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532AP

DIP

на замовлення 53 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532GD

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532GD

02+ DIP

на замовлення 1430 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532P

DIP

на замовлення 140 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6532P

01+ DIP

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6535

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6535

DIP

на замовлення 1400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6535-00

Description: BRD SPT SNAP LOCK SCREW MNT 35MM

товар відсутній

R6535-00

Standoffs & Spacers 35.0 LG THREADED SELF/LOCK SPACER

товар відсутній

R6535ENZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 571 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	480.48 грн
30+	369.25 грн
120+	330.38 грн
510+	273.58 грн

R6535ENZ4C13

MOSFET 650V 35A TO-247, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 556 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	521.32 грн
10+	441.12 грн
25+	318.98 грн
250+	281.69 грн
600+	253.06 грн
1200+	241.73 грн

R6535ENZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	496.33 грн
10+	409.55 грн
100+	341.29 грн

R6535ENZC17

MOSFET 650V 35A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET

на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	546.18 грн
10+	461.79 грн
25+	380.92 грн
100+	333.63 грн
300+	322.98 грн
600+	295.01 грн
1200+	253.06 грн

R6535KNX3C16

Description: 650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	437.98 грн
10+	361.48 грн
100+	301.22 грн

R6535KNX3C16

MOSFET 650V MOSFET

на замовлення 971 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	512.77 грн
10+	454.9 грн
50+	373.59 грн
100+	322.98 грн

R6535KNZ4C13

Description: ROHM - R6535KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.098 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 379W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247G
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxKNx
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	362.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

R6535KNZ4C13

Description: 650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	479.04 грн
10+	395.4 грн
100+	329.53 грн

R6535KNZC17

Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V

на замовлення 280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	496.33 грн
10+	409.55 грн
100+	341.29 грн

R6535KNZC17

MOSFET 650V 35A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 270 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	546.18 грн
10+	461.79 грн
25+	380.92 грн
100+	333.63 грн
300+	322.98 грн
600+	295.01 грн
1200+	253.06 грн

R6540

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6541

04+ DIP

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545-1AP

DIP

на замовлення 91 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545-1P

DIP

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545AP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545AP

DIP

на замовлення 351 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545EAP

DIP

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6545P

DIP

на замовлення 1110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6547ENZ4C13

Description: 650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.72mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V

на замовлення 370 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	605.83 грн
30+	465.99 грн
120+	416.94 грн

R6547KNZ4C13

MOSFET Nch 650V 47A Power MOSFET. R6547KNZ4 is a power MOSFET for switching applications.

на замовлення 587 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1066.72 грн
10+	925.88 грн
30+	761.16 грн
60+	695.9 грн
120+	695.24 грн
270+	630.64 грн
510+	579.36 грн

R6547KNZ4C13

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; Idm: 141A; 480W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 480W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

R6547KNZ4C13

Description: ROHM - R6547KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1056.32 грн
5+	967.42 грн

R6547KNZ4C13

товар відсутній

R6549

00+ DIP40

на замовлення 58 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6549P

DIP

на замовлення 1123 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6550-00

Description: 3.2MM CABLE CLAMP

товар відсутній

R6551

01+ DIP

на замовлення 62 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551-00

Description: 4.8MM CABLE CLAMP

товар відсутній

R6551-11

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551-13

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551-17

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551-22

DIP

на замовлення 20 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551AP

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551AP

DIP

на замовлення 1023 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551APE

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551P

DIP

на замовлення 1577 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551P

на замовлення 900 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6551P(R6551-11)

02+ DIP

на замовлення 2005 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6552-00

Description: 6.35MM CABLE CLAMP

товар відсутній

R6553-00

Description: 7.9MM CABLE CLAMP

товар відсутній

R6554-00

Description: 9.5MM CABLE CLAMP

товар відсутній

R6555-00

Description: 12.7MM CABLE CLAMP

товар відсутній

R6556-00

Description: 15.8MM CABLE CLAMP

товар відсутній

R656

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP FLUSH
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товар відсутній

R656

Vector

Standard Card Edge Connectors 56P EDGE CONN W WRAP

товар відсутній

R656-1

Description: CONN EDGE 56CONT SOLDRTAIL FLUSH

товар відсутній

R656-1

Vector

Standard Card Edge Connectors 56 POS EDGE CARD 042" Hole Diameter

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

R656-2

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP CENTER
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1779.3 грн

R656-3

Description: CONN EDGE 56CONT WIREWRAP 0.025"
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Prototyping Board
Accessory Type: Edge Connectors

товар відсутній

R656-3

Vector

Racks & Rack Cabinet Accessories RECEPTACLE U/O 3690-16, 3690-17

товар відсутній

R656-4#

Description: RECEPTACLE BULK STD BUS MTR BD

товар відсутній

R6562AP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6570-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товар відсутній

R6570SA

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6570SB

на замовлення 2240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6571-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товар відсутній

R6572-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товар відсутній

R6573-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK
Features: Snap-Mount
Packaging: Bulk
Color: Black
For Use With/Related Products: Cable, Wires
Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6
Panel Thickness: 0.075" ~ 0.126" (1.90mm ~ 3.20mm)
Diameter - Inside: Variable Size
Panel Cutout Dimensions: Rectangular - 0.626" L x 0.528" W (15.90mm x 13.40mm)
Bushing, Grommet Type: Bushing, Strain Relief
Material Flammability Rating: UL94 V-2
Part Status: Obsolete

товар відсутній

R6574-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товар відсутній

R6575-00

Description: BUSHING W/STR RELIEF NYLON BLACK

товар відсутній

R6576ENZ4C13

MOSFET MOSFET

на замовлення 1036 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1353.4 грн
10+	1175.54 грн
25+	994.24 грн
50+	938.3 грн
100+	883.03 грн
250+	855.06 грн
600+	800.45 грн

R6576ENZ4C13

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 76A; Idm: 228A; 735W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 228A
Power dissipation: 735W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

R6576ENZ4C13

товар відсутній

R6576ENZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.96mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V

на замовлення 552 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1246.23 грн
30+	971.02 грн
120+	913.91 грн
510+	777.26 грн

R6576KNZ1

товар відсутній

R6576KNZ1C9

Trans MOSFET N-CH 650V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

на замовлення 28 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	1054.44 грн
25+	1005.76 грн

Мінімальне замовлення: 12

R6576KNZ1C9

товар відсутній

R6576KNZ4C13

MOSFET 650V 76A TO-247, High-speed switching Power MOSFET

на замовлення 589 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	1118.77 грн
10+	1013.95 грн
120+	744.52 грн
510+	661.94 грн
1020+	607.33 грн

R6576KNZ4C13

Description: 650V 76A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

на замовлення 504 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1172.75 грн
10+	1037.89 грн
100+	876.53 грн
500+	731.75 грн

R6580-00

Description: BUSHING 0.205" NYLON BLACK

товар відсутній

R6581-00

Description: BUSHING 0.248" NYLON BLACK

товар відсутній

R6582-00

Description: BUSHING 0.323" NYLON BLACK

товар відсутній

R6583-00

Description: BUSHING 0.520" NYLON BLACK

товар відсутній

R6583A

на замовлення 36 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R6584-00

Description: BUSHING 0.563" NYLON BLACK

товар відсутній

R6585-00

Description: BUSHING 0.693" NYLON BLACK

товар відсутній

R65C/SC51P1

01+ DIP28

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02

01+ DIP40

на замовлення 97 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02

PLCC44

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02-33

03+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02AP

03+ DIP

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J1

03+ PLCC

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J2

03+ PLCC

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J3

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J3(11450-31)

на замовлення 66 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J4

PLCC44

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02J4

на замовлення 562 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P

02+ DIP40

на замовлення 189 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P1

DIP

на замовлення 39 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P1

03+ DIP40

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P2

09+ SOP8

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P2

DIP

на замовлення 364 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P2
Код товару: 83555

Rockwell

Мікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: DIP-40
Короткий опис: Microprocessors(CPU)
Живлення, В: 5,0 V

товар відсутній

R65C02P2

01+ DIP

на замовлення 65 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P3

01+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P3

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P3

DIP

на замовлення 9 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02P4

DIP

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C02PIE

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C03P2

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C102

01+ DIP40

на замовлення 61 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C102P2

DIP

на замовлення 84 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C102P3

00+

на замовлення 4 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P-1

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P-2

04+ DIP

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P-3

04+ DIP

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P-4

04+ DIP

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P2

01+ DIP

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C112P3

00+ DIP

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C12

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J1

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J1E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J2

на замовлення 1540 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J2E

на замовлення 2145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J3

на замовлення 3240 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J3E

на замовлення 1478 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J4

на замовлення 2365 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21J4E

на замовлення 3254 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21JI

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P

на замовлення 180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P2

DIP

на замовлення 807 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P2

92+

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P2/P3

на замовлення 3560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C21P3

на замовлення 623 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22

02+ DIP40

на замовлення 217 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22AP

03+ DIP40

на замовлення 882 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22C2E

04+ DIP

на замовлення 1003 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22C3E

0018+ DIP

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22C4E

0321+ DIP

на замовлення 1289 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22J

00+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22J1

на замовлення 6589 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22J2

на замовлення 4580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22J3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22J4

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P

02+ DIP40

на замовлення 114 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P-3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P1

DIP

на замовлення 103 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P1

04+ DIP40

на замовлення 786 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P1E

01+ DIP

на замовлення 72 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2

DIP

на замовлення 215 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2

PDIP

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2

09+

на замовлення 518 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2E

DIP

на замовлення 6 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P2E

0118+ DIP

на замовлення 1185 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P3

DIP

на замовлення 76 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P3

0204+ DIP40

на замовлення 1200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P3

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P4

01+ DIP

на замовлення 145 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P4

на замовлення 1700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P4

DIP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P4E

02+ DIP

на замовлення 136 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22P4E

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22PC

DIP40

на замовлення 96 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C22PI

на замовлення 580 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24J2

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P

01+ DIP

на замовлення 115 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P-4

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P1

на замовлення 558 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P2

02+ DIP

на замовлення 790 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C24P2

DIP

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51-J1

на замовлення 112 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J1

на замовлення 400 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J2

PLCC28

на замовлення 155 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J2E

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J3

0448+ PLCC

на замовлення 250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51J4

0215+ PLCC

на замовлення 330 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51JC2

ROCKWE

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P

02+ DIP28

на замовлення 129 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P1

DIP

на замовлення 885 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P1E

07+

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P1E

на замовлення 13 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P2

ROCKEWLL

DIP28 09+

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P2

DIP28

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P2

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P2E

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P2S

DIP

на замовлення 11 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P3

на замовлення 74 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P3\P4

DIP

на замовлення 887 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51P4

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C51PI

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52

PLCC44

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J1

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J2

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J2

ZILOG

на замовлення 110 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J2E

0402+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J3

0530+ PLCC

на замовлення 350 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J3

03+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J3

PLCC

на замовлення 876 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J3E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J4

0229+ PLCC

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52J4E

04+ PLCC44

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52P

03+ DIP40

на замовлення 55 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52P

DIP

на замовлення 282 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52P1

DIP

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52P2

ПРОЧИЕ ИЗГОТОВИТЕЛИ

Сдв адаптер асинхр интерфейса (мультимедиа) DIP 40

на замовлення 10 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

1+	226.8 грн

R65C52P3

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65C52P3

DIP

на замовлення 7 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65F11

01+ DIP40

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02J1

04+ PLCC

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02J2

04+ PLCC44

на замовлення 668 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02J3

04+ PLCC44

на замовлення 768 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02J4

04+ PLCC44

на замовлення 628 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P

01+ DIP

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P1

04+ DIP

на замовлення 789 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P1

DIP

на замовлення 24 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P2

01+ DIP40

на замовлення 71 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P2

DIP

на замовлення 111 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P3

01+ DIP40

на замовлення 131 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC02P4

00+ DIP40

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22

на замовлення 859 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22-J2

на замовлення 130 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J1

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J2

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J2

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J2

ROCKWE

на замовлення 125 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J2(11484-37

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J2(11484-37)

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J3

PLCC44

на замовлення 1250 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J3

03+ PLCC-44

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22J4

04+ PLCC44

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P

00+ DIP40

на замовлення 57 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P1

DIP

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P1

01+ DIP40

на замовлення 64 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P2

DIP

на замовлення 468 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P2

02+ DIP40

на замовлення 164 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P3

01+ DIP40

на замовлення 107 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P3

DIP

на замовлення 340 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P4

01+ DIP40

на замовлення 70 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC22P4

DIP

на замовлення 89 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC51P1

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC51P2

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC51P3

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65NC51P4

04+ DIP40

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC02PE4

CMD

на замовлення 102 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC112J1

04+ PLCC44

на замовлення 560 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC112J2

04+ PLCC44

на замовлення 550 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC112J3

04+ PLCC44

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC112J4

04+ PLCC44

на замовлення 450 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC23P-2

04+ DIP

на замовлення 689 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC23P-3

04+ DIP

на замовлення 568 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

R65SC23P-4