Продукція > RHK

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RHK003N06ROHMSOT23
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHK003N06ROHM09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHK003N06ROHMSOT-23
на замовлення 11800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHK003N06ROHM10+ROHS SMT3
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHK003N06/RKSROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHK003N06<T146>ROHMSOT23
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHK003N06FRAT146ROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch MOSFET (AEC-Q101 Qualified). MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and comple
на замовлення 5738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.55 грн
14+ 22.67 грн
100+ 12.05 грн
1000+ 8.39 грн
3000+ 6.59 грн
24000+ 6.46 грн
45000+ 6.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
RHK003N06FRAT146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
товар відсутній
RHK003N06FRAT146ROHMDescription: ROHM - RHK003N06FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.7 ohm, SMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.44 грн
500+ 7.01 грн
1000+ 5.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
RHK003N06FRAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RHK003N06FRAT146ROHMDescription: ROHM - RHK003N06FRAT146 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.7 ohm, SMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+28.76 грн
80+ 9.34 грн
100+ 8.44 грн
500+ 7.01 грн
1000+ 5.76 грн
Мінімальне замовлення: 26
RHK003N06FRAT146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
товар відсутній
RHK003N06FRAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 200mW; SMT3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SMT3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
RHK003N06FS T146ROHMSOT23
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHK003N06T146
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHK003N06T146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
товар відсутній
RHK003N06T146ROHM SemiconductorMOSFET N-CH 60V 300MA
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.43 грн
11+ 28.41 грн
100+ 12.65 грн
1000+ 9.46 грн
3000+ 8.12 грн
9000+ 7.59 грн
24000+ 6.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
RHK003N06T146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 10 V
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.42 грн
12+ 24.21 грн
100+ 14.53 грн
500+ 12.62 грн
1000+ 8.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
RHK005N03ROHM10+ROHS SMT3
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHK005N03ROHM09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHK005N03ROHMSOT23
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHK005N03FRAT146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+33.14 грн
12+ 24.9 грн
100+ 14.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
RHK005N03FRAT146ROHM SemiconductorMOSFET 4V Drive Nch MOSFET (AEC-Q101 Qualified). MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and comple
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.13 грн
12+ 26.73 грн
100+ 15.85 грн
1000+ 8.92 грн
3000+ 7.53 грн
9000+ 7.13 грн
24000+ 6.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
RHK005N03FRAT146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
товар відсутній
RHK005N03T146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
товар відсутній
RHK005N03T146
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RHK005N03T146Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
товар відсутній
RHK005N03T146ROHM SemiconductorMOSFET N-CH 30V 500MA
товар відсутній
RHK1N0038BPZEM5775VishaySpeciality Ceramic Capacitors
товар відсутній
RHK1N0038BPZEN5776VishaySpecialty Ceramic Capacitors
товар відсутній
RHK3845MKDICEAnalog DevicesRH3845MK DICE Current Mode PWM Controller 36VDC Output Development Kit
товар відсутній
RHKM-48.115.9002Elesa USA CorporationDescription: RH-KM, FLUSH PULL HANDLES, FLUSH
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2231.68 грн
RHKM-48.115.9005Elesa USA CorporationDescription: RH-KM, FLUSH PULL HANDLES, FLUSH
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2231.68 грн